DE10126859A1 - Verfahren zur Erzeugung von leitfähigen Strukturen mittels Drucktechnik sowie daraus hergestellte aktive Bauelemente für integrierte Schaltungen - Google Patents
Verfahren zur Erzeugung von leitfähigen Strukturen mittels Drucktechnik sowie daraus hergestellte aktive Bauelemente für integrierte SchaltungenInfo
- Publication number
- DE10126859A1 DE10126859A1 DE10126859A DE10126859A DE10126859A1 DE 10126859 A1 DE10126859 A1 DE 10126859A1 DE 10126859 A DE10126859 A DE 10126859A DE 10126859 A DE10126859 A DE 10126859A DE 10126859 A1 DE10126859 A1 DE 10126859A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- organic
- conductive
- printing
- diodes
- conductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 230000037361 pathway Effects 0.000 title abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 29
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 claims description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000005595 deprotonation Effects 0.000 claims description 2
- 238000010537 deprotonation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000005588 protonation Effects 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGQIWUQTCOJGJU-UHFFFAOYSA-N [AlH3].Cl Chemical compound [AlH3].Cl MGQIWUQTCOJGJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940077844 iodine / potassium iodide Drugs 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007649 pad printing Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1275—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by other printing techniques, e.g. letterpress printing, intaglio printing, lithographic printing, offset printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
- H10K71/611—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes using printing deposition, e.g. ink jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/032—Materials
- H05K2201/0329—Intrinsically conductive polymer [ICP]; Semiconductive polymer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
- H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
- H05K2203/0113—Female die used for patterning or transferring, e.g. temporary substrate having recessed pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
- H05K2203/0502—Patterning and lithography
- H05K2203/0534—Offset printing, i.e. transfer of a pattern from a carrier onto the substrate by using an intermediate member
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1142—Conversion of conductive material into insulating material or into dissolvable compound
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von leitfähigen Strukturen, das sich dadurch auszeichnet, dass man in einer leitfähigen Schicht Leiterbahnen oder Elektroden direkt oder indirekt mittels einer Drucktechnik erzeugt. Das Verfahren ist besonders geeignet, in einfacher, schneller und kostengünstiger Weise Elektroden und Leiterbahnen in optoelektronischen Bauelementen zu erzeugen.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von leit
fähigen Strukturen sowie daraus hergestellte aktive Bauele
mente, insbesondere organische Feldeffekt-Transistoren
(OFETs), organische Leuchtdioden (OLEDs) bzw. diese umfassen
de integrierte Schaltungen.
Zur Realisierung von organischen und anorganischen opto
elektronischen Bauelementen werden leitfähige und feinstruk
turierte Elektroden bzw. Elektrodenbahnen benötigt, die aus
leitfähigen Materialien, wie Metallen, organischen leitenden
Polymeren oder partikelgefüllten Polymeren hergestellt werden
können. Organische Schichten lassen sich dabei photochemisch
(vgl. C. J. Druryet al., Appl. Phys. Lett. 73 (1) (1998) 108
und G. H. Gelink et al., Appl. Phys. Lett. 77 (10) (2000)
1487) oder auf lithographischem Wege (Synth. Met 101 (1999)
705) strukturieren. Ähnliche Methoden sind auch für die
Strukturierung von anorganischen leitfähigen Schichten mög
lich.
Diese Verfahren zur Strukturierung leitfähiger Schichten bzw.
zur Erzeugung von Leiterbahnen bzw. Elektroden sind arbeits
technisch sehr aufwendig und damit Zeit- und kostenintensiv.
Insbesondere für die Erzeugung von hochaufgelösten leitenden
Strukturen in opto-elektronischen Bauelementen, wie OFETs,
OLEDs und dergleichen sind diese Schritte daher zu umfang
reich.
In der noch nicht veröffentlichten DE 100 47 171.4 der Anmelde
rin wird ein Verfahren zur Herstellung eine Elektrode
und/oder Leiterbahn aus organischem Material durch Kontaktie
ren mit einer chemischen Verbindung beschrieben. Die organischen
Materialien haben den Nachteil, dass sie nicht so sta
bil wie entsprechende anorganische Materialien sind.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Verfah
ren anzugeben, mit welchem in einfacher und kostengünstiger
Weise mit möglichst wenigen Arbeitsschritten hochaufgelöste
leitfähige Strukturen, möglichst aus anorganischem Material,
erzeugt werden können.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist demnach ein Verfah
ren zur Erzeugung von leitfähigen Schichten, das sich dadurch
auszeichnet, dass man in einer leitfähigen Schicht, Leiter
bahnen bzw. Elektroden mittels einer Drucktechnik erzeugt.
Durch eine druckbare Strukturierung wird das Verfahren we
sentlich vereinfacht, billiger und schneller. Es fallen eben
falls sämtliche beispielsweise für die Lithographie nötigen
Schritte, wie Aufbringen eines Photolackes, Belichtung, Ent
wicklung und gegebenenfalls anschließende Reinigung weg.
Prinzipiell eignen sich alle Druckverfahren, wie Tiefdruck,
Hochdruck, Flachdruck, Durchdruck (Siebdruck). In einer be
sonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Verfahrens werden jedoch die Leiterbahnen bzw. Elektroden im
sogenannten Gravur-Offset-Druck erzeugt. Man spricht hier
auch vom Tampon-Druck. Der Vorteil dieses Druckverfahrens be
steht darin, dass man die zu erzeugende Struktur positiv oder
negativ in Form eines Klischees, das die Druckpaste enthält,
anlegen kann.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich in vorteilhafter
weise zur Erzeugung sowohl organischer als auch anorganischer
leitfähiger Strukturen bzw. Leiterbahnen oder Elektroden.
Eine leitfähige organische Schicht ist vorteilhafterweise
beispielsweise dotiertes Polyanilin, in welcher durch Bedru
cken mit einem basischen Druckmedium durch Deprotonierung
eine nichtleitende Matrix erzeugt wird. Auch kann durch Be
drucken von nicht-dotiertem Polyanilin mit einem sauren
Druckmedium durch Protonierung eine leitfähige Struktur in
einer nichtleitenden Matrix erzeugt werden. Diese Matrix kann
dann entfernt werden und gegebenenfalls mit einer Halbleiter
schicht ausgefüllt werden. Aus Gründen der Stabilität des op
to elektronischen Bauelementes, das eine gemäß der vorliegen
den Erfindung erzeugte leitfähige strukturierte Schicht ent
hält, ist es von Vorteil, diese aus einem anorganischen leit
fähigen Material, vorteilhafterweise Gold, Aluminium, Kupfer
oder Indium-Zinn-Oxid (ITO) auszuwählen. Hier wird auf einem
Substrat oder einer unteren Schicht zunächst die metallische
leitfähige Schicht, welche beispielsweise 1 bis 100 nm dick
sein kann, beispielsweise durch Aufdampfen aufgetragen. Dann
wird mittels der Gravur-Offset-Drucktechnik eine geeignete
Ätzpaste im Negativ zu der erzeugenden Leiterbahn bzw. Elekt
rode aufgedruckt, wodurch die leitfähige Schicht in den be
druckten Bereichen unter Ausbildung der Leiterbahn bzw.
Elektrode weggeätzt wird. Auch kann umgekehrt positiv ein
Ätzresist gedruckt werden, der nach dem Ätzschritt wieder
entfernt wird.
Je nach Art der zu strukturierenden leitfähigen Schicht kann
diese Paste basischen oder sauren Charakter besitzen.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist in vorteilhafterweise kon
tinuierlich ausgestaltet, wodurch eine Massenproduktion ge
währleistet ist.
Die Erfindung betrifft auch einen organischen Feldeffekt-
Transistor, bei dem Source-, Drain- und/oder Gate-Elektroden
nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt sind.
Die Erfindung betrifft auch organische Leuchtdioden, bei wel
chen die leitenden Strukturen nach einem erfindungsgemäßen
Verfahren ausgebildet sind.
Die Erfindung betrifft auch organische Dioden, insbesondere
Gleichrichterdioden.
Die Erfindung betrifft auch integrierte Schaltungen, umfas
send wenigstens ein OFET oder ein anderes aktives Bauelement,
das nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt ist.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbei
spieles und der anliegenden Fig. 1 näher erläutert.
In Schritt A wird mittels eines Druckstempels 1 die hochvis
kose Druckpaste 2 von der Druckvorlage (Klischee) 3 abgenom
men. Der Druckstempel 1 ist vorteilhaft aus einem gegenüber
der reaktiven Druckpaste 2 resistenten Material. Für die Aus
bildung anorganischer Leiterbahnen bzw. Elektroden ist das in
geeigneter Weise quellbeständiges, säureresistentes Silikon.
Die Druckvorlage 3 enthält die Druckpaste als Negativ-
Klischee der zu erzeugenden Leiterbahnen bzw. Elektroden. In
Schritt B und C wird die Druckpaste 2 mittels des Druckstem
pels 1 auf das mit einer leitfähigen Schicht 4 beschichtete
Substrat 5 übertragen. Die Druckpaste 2 haftet an dem
Druckstempel 1 in Form diskreter Strukturen, welche eine Be
handlung der leitfähigen Schicht 4 zu deren Strukturierung
ermöglicht. Die leitfähige Schicht 4 besteht bei der angege
benen Ausführungsform aus einer 1 bis 100 m dicken, leitenden
Metallschicht, wie beispielsweise einer Schicht aus Gold,
Aluminium, Kupfer oder ITO, welche aufgedampft wurde. Die
Druckpaste 2 hat ätzende Eigenschaften und weist für den An
wendungsfall Kupfer einen Gehalt an Eisen(III)Chlorid, für
den Anwendungsfall Gold einen Gehalt an Jod/Kaliumjodid, für
den Anwendungsfall ITO einen Gehalt an Halogenwasserstoff auf
und für den Anwendungsfall Aluminium einen Gehalt an Salzsäu
re oder Natronlauge auf.
Das Substrat ist prinzipiell frei wählbar und kann so ein Si
liziumträger oder eine dünne Glasschicht sein. Bevorzugt wird
man jedoch dünnste, flexible Kunststofffolien, beispielsweise
aus Polyethylen, Polyterephthalat oder Polyimid verwenden.
Die leitfähige Schicht 4 muss auch nicht direkt auf dem Trä
gersubstrat 5 aufgebracht sein. Die darunter liegende Schicht
kann auch ein teilgefertigtes, opto-elektronisches Bauelement
sein, das schon strukturierte Funktionsschichten aufweist.
Je nach den Eigenschaften der verwendeten Druckpaste ergeben
sich prinzipiell zwei unterschiedliche Aufarbeitungsschritte,
welche nachfolgend erläutert werden.
Gemäß Schritt D ist die Eigenschaft der Druckpaste die, dass
die leitfähige anorganische Schicht 6 gemäß der Druckstruktur
an dem klebrigen Druckmedium hängen bleibt und sich so von
dem Substrat direkt entfernen lässt. Dieser Vorgang ist gege
benenfalls mehrmals wiederholbar, sofern sich die abgehobene
leitfähige Schicht 6 jeweils in dem Druckmedium auflöst. Zu
rück bleibt die leitfähige Struktur 7, welche weiter zum Auf
bau beispielsweise eines OFETs oder eines sonstigen opto-
elektronischen Bauelementes verarbeitet werden kann. Bei die
ser Verfahrensweise muss der Druckstempel 1, auch Tampon ge
nannt, anschließend gereinigt werden, um den Arbeitsschritt
zu wiederholen. Das lässt sich über einen hier nicht weiter
ausgeführten Zwischenschritt, in dem der Druckstempel 1 in
ein geeignetes Lösungsmittel getaucht wird, realisieren.
Gemäß einer anderen Ausführungsform bzw. mit einem anderen
Druckmedium wird die Druckpaste 3 direkt auf die leitfähige
Schicht 4 übertragen (Schritt E). Die strukturierte Druckpas
te 9 und die leitfähige Schicht 4 reagieren miteinander und
die leitfähige Schicht 4 wird an den bedruckten Stellen vom
Stempel 1 abgelöst (Schritt F). Reste 8, die am Stempel 1
verbleiben, müssen abgelöst werden. Um eine zu hohe laterale
Ätzung zu verhindern, muss das Verfahren durch einen Neutra
lisation in einer Base, welche nicht mit der leitenden
Schicht reagiert, gestoppt werden. In Schritt G ist gezeigt,
wie nach der Neutralisation und Entfernung die Struktur in
der leitfähigen Schicht ausgebildet ist. Auch hier können
weitere Bearbeitungsschritte wie oben beschrieben folgen.
Claims (12)
1. Verfahren zu Erzeugung von leitfähigen Strukturen,
dadurch gekennzeichnet, dass man in einer
leitfähigen Schicht (4), Leiterbahnen und/oder Elektro
den direkt oder indirekt mittels einer Drucktechnik er
zeugt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, dass man die Leiterbahnen und/oder Elektroden im
Gravur-Offset-Druck durch Auftragen einer reaktiven
Druckpaste (3) erzeugt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, dass eine organische leitfähige Schicht
erzeugt und mittels Gravur-Offset-Druck strukturiert
wird.
4. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeich
net, dass die leitfähige organische Schicht dotiertes
Polyanilin ist, in welcher durch Bedrucken mit einem ba
sischen Medium durch Deprotonierung eine nichtleitende
Matrix erzeugt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeich
net, dass die leitfähige organische Schicht nicht-
dotiertes Polyanilin ist, in welcher durch Bedrucken mit
einem sauren Medium durch Protonierung eine nichtleiten
de Matrix erzeugt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, dass eine anorganische leitfähige Schicht
erzeugt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeich
net, dass die anorganische leitfähige Schicht aus
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, dass man den Druckprozess konti
nuierlich führt.
9. Organischer Feldeffekt-Transistor, bei dem die Source-,
Drain- und/oder Gate-Elektroden nach einem Verfahren ge
mäß den Ansprüchen 1 bis 8 ausgebildet sind.
10. Organische Leuchtdiode, bei welcher die leitenden Struk
turen nach einem Verfahren gemäß den Ansprüchen 1 bis 8
ausgebildet sind.
11. Organische (Gleichrichter)Diode, bei welcher die leiten
den Strukturen nach einem Verfahren gemäß den Ansprüchen
1 bis 8 ausgebildet sind.
12. Integrierte Schaltung, umfassend wenigstens ein aktives
Bauelement nach einem der Ansprüche 9 bis 11.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10126859A DE10126859A1 (de) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | Verfahren zur Erzeugung von leitfähigen Strukturen mittels Drucktechnik sowie daraus hergestellte aktive Bauelemente für integrierte Schaltungen |
US10/479,238 US20040209191A1 (en) | 2001-06-01 | 2002-05-13 | Method for producing conductive structures by means of printing technique, and active components produced therefrom for integrated circuits |
EP02726090A EP1393388A1 (de) | 2001-06-01 | 2002-05-13 | Verfahren zur erzeugung von leitfähigen strukturen mittels drucktechnik sowie daraus hergestellte aktive bauelemente für integrierte schaltungen |
PCT/DE2002/001717 WO2002099908A1 (de) | 2001-06-01 | 2002-05-13 | Verfahren zur erzeugung von leitfähigen strukturen mittels drucktechnik sowie daraus hergestellte aktive bauelemente für integrierte schaltungen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10126859A DE10126859A1 (de) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | Verfahren zur Erzeugung von leitfähigen Strukturen mittels Drucktechnik sowie daraus hergestellte aktive Bauelemente für integrierte Schaltungen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10126859A1 true DE10126859A1 (de) | 2002-12-12 |
Family
ID=7686980
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10126859A Ceased DE10126859A1 (de) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | Verfahren zur Erzeugung von leitfähigen Strukturen mittels Drucktechnik sowie daraus hergestellte aktive Bauelemente für integrierte Schaltungen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040209191A1 (de) |
EP (1) | EP1393388A1 (de) |
DE (1) | DE10126859A1 (de) |
WO (1) | WO2002099908A1 (de) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004021751A1 (de) * | 2002-08-30 | 2004-03-11 | Infineon Technologies Ag | Herstellung organischer elektronischer schaltkreise durch kontaktdrucktechniken |
DE102004031719A1 (de) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer elektrisch funktionellen Schichtstruktur |
DE102007062944A1 (de) | 2007-12-21 | 2009-06-25 | Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg | Elektronisches Bauteil oder elektronische Schaltung |
US7812343B2 (en) | 2005-04-15 | 2010-10-12 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Multilayer composite body having an electronic function |
US7846838B2 (en) | 2005-07-29 | 2010-12-07 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Method for producing an electronic component |
US7940340B2 (en) | 2005-07-04 | 2011-05-10 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Multilayer body with electrically controllable optically active systems of layers |
US8217432B2 (en) | 2006-10-06 | 2012-07-10 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Field effect transistor and electric circuit |
US8315061B2 (en) | 2005-09-16 | 2012-11-20 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Electronic circuit with elongated strip layer and method for the manufacture of the same |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10043204A1 (de) * | 2000-09-01 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung |
US6773614B2 (en) * | 2002-04-16 | 2004-08-10 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of patterning conductive films |
WO2004066348A2 (de) * | 2003-01-21 | 2004-08-05 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Organisches elektronikbauteil und verfahren zur herstellung organischer elektronik |
DE10330062A1 (de) * | 2003-07-03 | 2005-01-27 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Strukturierung von organischen Schichten |
US7476603B2 (en) * | 2005-06-07 | 2009-01-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Printing conductive patterns using LEP |
Family Cites Families (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3512052A (en) * | 1968-01-11 | 1970-05-12 | Gen Motors Corp | Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric |
JPS543594B2 (de) * | 1973-10-12 | 1979-02-24 | ||
JPS54101176A (en) * | 1978-01-26 | 1979-08-09 | Shinetsu Polymer Co | Contact member for push switch |
US4442019A (en) * | 1978-05-26 | 1984-04-10 | Marks Alvin M | Electroordered dipole suspension |
DE3768112D1 (de) * | 1986-03-03 | 1991-04-04 | Toshiba Kawasaki Kk | Strahlungsdetektor. |
GB2215307B (en) * | 1988-03-04 | 1991-10-09 | Unisys Corp | Electronic component transportation container |
US5892244A (en) * | 1989-01-10 | 1999-04-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor |
US6331356B1 (en) * | 1989-05-26 | 2001-12-18 | International Business Machines Corporation | Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts |
FR2673041A1 (fr) * | 1991-02-19 | 1992-08-21 | Gemplus Card Int | Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant. |
US5408109A (en) * | 1991-02-27 | 1995-04-18 | The Regents Of The University Of California | Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers |
JPH0580530A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Hitachi Ltd | 薄膜パターン製造方法 |
US5173835A (en) * | 1991-10-15 | 1992-12-22 | Motorola, Inc. | Voltage variable capacitor |
JP2709223B2 (ja) * | 1992-01-30 | 1998-02-04 | 三菱電機株式会社 | 非接触形携帯記憶装置 |
JP3457348B2 (ja) * | 1993-01-15 | 2003-10-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP3460863B2 (ja) * | 1993-09-17 | 2003-10-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US5556706A (en) * | 1993-10-06 | 1996-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive layered product and method of manufacturing the same |
JP3068430B2 (ja) * | 1995-04-25 | 2000-07-24 | 富山日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
US5652645A (en) * | 1995-07-24 | 1997-07-29 | Anvik Corporation | High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates |
WO1997006013A1 (en) * | 1995-08-04 | 1997-02-20 | International Business Machines Corporation | Lithographic surface or thin layer modification |
GB2310493B (en) * | 1996-02-26 | 2000-08-02 | Unilever Plc | Determination of the characteristics of fluid |
JP3080579B2 (ja) * | 1996-03-06 | 2000-08-28 | 富士機工電子株式会社 | エアリア・グリッド・アレイ・パッケージの製造方法 |
US6586763B2 (en) * | 1996-06-25 | 2003-07-01 | Northwestern University | Organic light-emitting diodes and methods for assembly and emission control |
US6143412A (en) * | 1997-02-10 | 2000-11-07 | President And Fellows Of Harvard College | Fabrication of carbon microstructures |
US6344662B1 (en) * | 1997-03-25 | 2002-02-05 | International Business Machines Corporation | Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages |
US6251513B1 (en) * | 1997-11-08 | 2001-06-26 | Littlefuse, Inc. | Polymer composites for overvoltage protection |
US6083104A (en) * | 1998-01-16 | 2000-07-04 | Silverlit Toys (U.S.A.), Inc. | Programmable toy with an independent game cartridge |
US6045977A (en) * | 1998-02-19 | 2000-04-04 | Lucent Technologies Inc. | Process for patterning conductive polyaniline films |
US6033202A (en) * | 1998-03-27 | 2000-03-07 | Lucent Technologies Inc. | Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures |
US5967048A (en) * | 1998-06-12 | 1999-10-19 | Howard A. Fromson | Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web |
US6027595A (en) * | 1998-07-02 | 2000-02-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of making optical replicas by stamping in photoresist and replicas formed thereby |
US6215130B1 (en) * | 1998-08-20 | 2001-04-10 | Lucent Technologies Inc. | Thin film transistors |
US6541539B1 (en) * | 1998-11-04 | 2003-04-01 | President And Fellows Of Harvard College | Hierarchically ordered porous oxides |
US6506438B2 (en) * | 1998-12-15 | 2003-01-14 | E Ink Corporation | Method for printing of transistor arrays on plastic substrates |
US6321571B1 (en) * | 1998-12-21 | 2001-11-27 | Corning Incorporated | Method of making glass structures for flat panel displays |
US6498114B1 (en) * | 1999-04-09 | 2002-12-24 | E Ink Corporation | Method for forming a patterned semiconductor film |
US6383664B2 (en) * | 1999-05-11 | 2002-05-07 | The Dow Chemical Company | Electroluminescent or photocell device having protective packaging |
TW556357B (en) * | 1999-06-28 | 2003-10-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing an electro-optical device |
JP4972260B2 (ja) * | 1999-08-31 | 2012-07-11 | イー インク コーポレイション | パターニングされた半導体膜を形成する方法 |
US6517995B1 (en) * | 1999-09-14 | 2003-02-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Fabrication of finely featured devices by liquid embossing |
US6340822B1 (en) * | 1999-10-05 | 2002-01-22 | Agere Systems Guardian Corp. | Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same |
US6335539B1 (en) * | 1999-11-05 | 2002-01-01 | International Business Machines Corporation | Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure |
US6284562B1 (en) * | 1999-11-17 | 2001-09-04 | Agere Systems Guardian Corp. | Thin film transistors |
US6294398B1 (en) * | 1999-11-23 | 2001-09-25 | The Trustees Of Princeton University | Method for patterning devices |
US6197663B1 (en) * | 1999-12-07 | 2001-03-06 | Lucent Technologies Inc. | Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors |
US6329226B1 (en) * | 2000-06-01 | 2001-12-11 | Agere Systems Guardian Corp. | Method for fabricating a thin-film transistor |
DE10033112C2 (de) * | 2000-07-07 | 2002-11-14 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung |
US6586791B1 (en) * | 2000-07-19 | 2003-07-01 | 3M Innovative Properties Company | Transistor insulator layer incorporating superfine ceramic particles |
EP1309994A2 (de) * | 2000-08-18 | 2003-05-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Verkapseltes organisch-elektronisches bauteil, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung |
KR20020036916A (ko) * | 2000-11-11 | 2002-05-17 | 주승기 | 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자 |
KR100390522B1 (ko) * | 2000-12-01 | 2003-07-07 | 피티플러스(주) | 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법 |
US20020170897A1 (en) * | 2001-05-21 | 2002-11-21 | Hall Frank L. | Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser |
US6870180B2 (en) * | 2001-06-08 | 2005-03-22 | Lucent Technologies Inc. | Organic polarizable gate transistor apparatus and method |
JP2003089259A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-25 | Hitachi Ltd | パターン形成方法およびパターン形成装置 |
US7351660B2 (en) * | 2001-09-28 | 2008-04-01 | Hrl Laboratories, Llc | Process for producing high performance interconnects |
US6946332B2 (en) * | 2002-03-15 | 2005-09-20 | Lucent Technologies Inc. | Forming nanoscale patterned thin film metal layers |
US6812509B2 (en) * | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Palo Alto Research Center Inc. | Organic ferroelectric memory cells |
-
2001
- 2001-06-01 DE DE10126859A patent/DE10126859A1/de not_active Ceased
-
2002
- 2002-05-13 WO PCT/DE2002/001717 patent/WO2002099908A1/de not_active Application Discontinuation
- 2002-05-13 EP EP02726090A patent/EP1393388A1/de not_active Withdrawn
- 2002-05-13 US US10/479,238 patent/US20040209191A1/en not_active Abandoned
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004021751A1 (de) * | 2002-08-30 | 2004-03-11 | Infineon Technologies Ag | Herstellung organischer elektronischer schaltkreise durch kontaktdrucktechniken |
DE102004031719A1 (de) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer elektrisch funktionellen Schichtstruktur |
US7812343B2 (en) | 2005-04-15 | 2010-10-12 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Multilayer composite body having an electronic function |
US7940340B2 (en) | 2005-07-04 | 2011-05-10 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Multilayer body with electrically controllable optically active systems of layers |
US7846838B2 (en) | 2005-07-29 | 2010-12-07 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Method for producing an electronic component |
US8315061B2 (en) | 2005-09-16 | 2012-11-20 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Electronic circuit with elongated strip layer and method for the manufacture of the same |
US8217432B2 (en) | 2006-10-06 | 2012-07-10 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Field effect transistor and electric circuit |
DE102007062944A1 (de) | 2007-12-21 | 2009-06-25 | Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg | Elektronisches Bauteil oder elektronische Schaltung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1393388A1 (de) | 2004-03-03 |
US20040209191A1 (en) | 2004-10-21 |
WO2002099908A1 (de) | 2002-12-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10140666C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines leitfähigen strukturierten Polymerfilms und Verwendung des Verfahrens | |
DE60314610T2 (de) | Verfahren zur herstellung von organischen optoelektronischen und elektronischen bauteilen sowie dadurch erhaltene bauteile | |
DE10126860C2 (de) | Organischer Feldeffekt-Transistor, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung zum Aufbau integrierter Schaltungen | |
DE10033112C2 (de) | Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung | |
DE102006055067B4 (de) | Organische Dünnfilmtransistoren und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE10126859A1 (de) | Verfahren zur Erzeugung von leitfähigen Strukturen mittels Drucktechnik sowie daraus hergestellte aktive Bauelemente für integrierte Schaltungen | |
DE102004051839A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Dünnschichttransistorarray-Substrats | |
DE10043204A1 (de) | Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung | |
DE10240105B4 (de) | Herstellung organischer elektronischer Schaltkreise durch Kontaktdrucktechniken | |
DE10229118A1 (de) | Verfahren zur kostengünstigen Strukturierung von leitfähigen Polymeren mittels Definition von hydrophilen und hydrophoben Bereichen | |
EP1095413B1 (de) | Herstellung von strukturierten elektroden | |
DE102009060066B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements sowie elektronisches Bauelement | |
WO2005107346A1 (en) | Component placement substrate and production method thereof | |
WO2004042837A2 (de) | Organisches elektronisches bauteil mit hochaufgelöster strukturierung und herstellungsverfahren dazu | |
DE102014202945B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines organischen elektronischen Bauelementes und organisches elektronisches Bauelement | |
EP1323195A1 (de) | Elektrode und/oder leiterbahn für organische bauelemente und herstellungsverfahren dazu | |
DE102006026225A1 (de) | Licht emittierende Vorrichtung | |
DE2231614C3 (de) | Verfahren zur Herstellung gedruckter Schaltungen unter Verwendung eines Photopolymers als Maske sowie einer leitfähigen Paste als Stromleiter und Vorrichtungen zur Durchführung des Verfahrens | |
WO2004047194A2 (de) | Organisches elektronisches bauelement mit gleichem organischem material für zumindest zwei funktionsschichten | |
EP1658648B1 (de) | Herstellungsverfahren für ein organisches elektronisches bauteil mit hochaufgelöster strukturierung | |
WO2003038898A2 (de) | Organisches elektrolumineszierendes display | |
DE102005005589A1 (de) | Hybrider, organischer Feldeffekttransistor mit oberflächenmodifiziertem Kupfer als Source- und Drain-Elektrode | |
DE10122213C1 (de) | Verfahren zur Erzeugung von hochaufgelösten leitfähigen Strukturen | |
DE102006027292B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Schichtfolge auf einem Substrat | |
DE112019002781T5 (de) | Transistoranordnungen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: POLYIC GMBH & CO. KG, 91052 ERLANGEN, DE |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: POLYIC GMBH & CO. KG, 91052 ERLANGEN, DE |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: POLYIC GMBH & CO.KG, 90763 FUERTH, DE |
|
8131 | Rejection |