EP1393388A1 - Verfahren zur erzeugung von leitfähigen strukturen mittels drucktechnik sowie daraus hergestellte aktive bauelemente für integrierte schaltungen - Google Patents

Verfahren zur erzeugung von leitfähigen strukturen mittels drucktechnik sowie daraus hergestellte aktive bauelemente für integrierte schaltungen

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EP1393388A1
EP1393388A1 EP02726090A EP02726090A EP1393388A1 EP 1393388 A1 EP1393388 A1 EP 1393388A1 EP 02726090 A EP02726090 A EP 02726090A EP 02726090 A EP02726090 A EP 02726090A EP 1393388 A1 EP1393388 A1 EP 1393388A1
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EP
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printing
organic
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conductive structures
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Adolf Bernds
Wolfgang Clemens
Walter Fix
Alexander Friedrich Knobloch
Andreas Ullmann
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PolyIC GmbH and Co KG
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Siemens AG
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    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof

Definitions

  • the invention relates to a method for producing conductive structures and active components made therefrom, in particular organic field effect transistors (OFETs), organic light-emitting diodes (OLEDs) and integrated circuits comprising them.
  • OFETs organic field effect transistors
  • OLEDs organic light-emitting diodes
  • conductive and finely structured electrodes or electrode tracks are required, which can be made from conductive materials such as metals, organic conductive polymers or particle-filled polymers.
  • Organic layers can be photochemically (cf. C.J. Drury et al., Appl. Phys. Lett. 73 (1) (1998) 108 and G.H. Gelink et al., Appl. Phys. Lett. 77 (10) (2000)
  • Applicant's DE 10047171.4 which has not yet been published, describes a method for producing an electrode and / or conductor track from organic material by contacting it with a chemical compound.
  • the organic See materials have the disadvantage that they are not as stable as corresponding inorganic materials.
  • the present invention accordingly relates to a method for producing conductive layers, which is characterized in that printed conductors or electrodes are produced in a conductive layer by means of a printing technique.
  • the method according to the invention is advantageously suitable for producing both organic and inorganic conductive structures or conductor tracks or electrodes.
  • a conductive organic layer is advantageously, for example, doped polyaniline, in which by printing with a basic printing medium by deprotonation a non-conductive matrix is generated. It is also possible to produce a conductive structure in a non-conductive matrix by printing on undoped polyaniline with an acidic printing medium by protonation. This matrix can then be removed and, if necessary, filled with a semiconductor layer.
  • an inorganic conductive material advantageously gold, aluminum, copper or indium tin oxide (ITO ) to select.
  • the metallic conductive layer which can be, for example, 1 to 100 nm thick, is first applied to a substrate or a lower layer, for example by vapor deposition. Then a suitable one is made using the gravure offset printing technique
  • Etching paste printed negative in the negative to the producing conductor track or electrode whereby the conductive layer in the printed areas is etched away with formation of the conductor track or electrode.
  • an etching resist can also be printed positively, which is removed again after the etching step.
  • this paste can have a basic or acid character.
  • the method according to the invention is advantageously designed to be continuous, which ensures mass production.
  • the invention also relates to an organic field-effect transistor in which source, drain and / or gate electrodes are produced by the method according to the invention.
  • the invention also relates to organic light-emitting diodes in which the conductive structures are formed by a method according to the invention.
  • the invention also relates to organic diodes, in particular rectifier diodes.
  • the invention also relates to integrated circuits comprising at least one OFET or another active component which is produced by the method according to the invention.
  • step A the highly viscous printing paste 2 is removed from the printing template (cliché) 3 by means of a printing stamp 1.
  • the pressure stamp 1 is advantageously made of a material that is resistant to the reactive printing paste 2.
  • the swell-resistant, acid-resistant silicone is suitable for the formation of inorganic conductor tracks or electrodes.
  • the printing template 3 contains the printing paste as a negative cliché of the conductor tracks or electrodes to be produced.
  • steps B and C the printing paste 2 is transferred to the substrate 5 coated with a conductive layer 4 by means of the printing stamp 1.
  • the printing paste 2 adheres to the printing stamp 1 in the form of discrete structures, which enables the conductive layer 4 to be treated in order to structure it.
  • the conductive layer 4 consists of a 1 to 100 m thick, conductive metal layer, such as a layer made of gold, aluminum, copper or ITO, which has been vapor-deposited.
  • the printing paste 2 has caustic properties and has an iron (III) chloride content for the copper application, iodine / potassium iodide for the gold application, hydrogen halide for the ITO application and aluminum for the application on hydrochloric acid or sodium hydroxide solution.
  • the substrate is freely selectable and can be a silicon substrate or a thin glass layer.
  • the conductive layer is formed.
  • further processing steps can follow as described above.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von leitfähigen Strukturen, das sich dadurch auszeichnet, dass man in einer leitfähigen Schicht, Leiterbahnen oder Elektroden direkt oder indirekt mittels einer Drucktechnik erzeugt. Das Verfahren ist besonders geeignet in einfacher, schneller und kostengünstiger Weise Elektroden und Leiterbahnen in optoelektronischen Bauelementen zu erzeugen.

Description

Beschreibung
Verfahren zur Erzeugung von leitfähigen Strukturen mittels Drucktechnik sowie daraus hergestellte aktive Bauelemente für integrierte Schaltungen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von leitfähigen Strukturen sowie daraus hergestellte aktive Bauelemente, insbesondere organische Feldeffekt-Transistoren (OFETs), organische Leuchtdioden (OLEDs) bzw. diese umfassende integrierte Schaltungen.
Zur Realisierung von organischen und anorganischen optoelektronischen Bauelementen werden leitfähige und feinstruk- turierte Elektroden bzw. Elektrodenbahnen benötigt, die aus leitfähigen Materialien, wie Metallen, organischen leitenden Polymeren oder partikelgefüllten Polymeren hergestellt werden können. Organische Schichten lassen sich dabei photochemisch (vgl. C.J. Drury et al . , Appl . Phys . Lett . 73 (1) (1998) 108 und G.H. Gelink et al . , Appl. Phys. Lett. 77 (10) (2000)
1487) oder auf lithographischem Wege (Synth. Met 101 (1999) 705) strukturieren. Ähnliche Methoden sind auch für die Strukturierung von anorganischen leitfähigen Schichten möglich.
Diese Verfahren zur Strukturierung leitfähiger Schichten bzw. zur Erzeugung von Leiterbahnen bzw. Elektroden sind arbeitstechnisch sehr aufwendig und damit zeit- und kostenintensiv. Insbesondere für die Erzeugung von hochaufgelösten leitenden Strukturen in opto-elektronischen Bauelementen, wie OFETs, OLEDs und dergleichen sind diese Schritte daher zu umfangreich.
In der noch nicht veröffentlichten DE 10047171.4 der Anmelde- rin wird ein Verfahren zur Herstellung eine Elektrode und/oder Leiterbahn aus organischem Material durch Kontaktieren mit einer chemischen Verbindung beschrieben. Die organi- sehen Materialien haben den Nachteil, dass sie nicht so stabil wie entsprechende anorganische Materialien sind.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Verfah- ren anzugeben, mit welchem in einfacher und kostengünstiger Weise mit möglichst wenigen Arbeitsschritten hochaufgelöste leitfähige Strukturen, möglichst aus anorganischem Material, erzeugt werden können.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist demnach ein Verfahren zur Erzeugung von leitfähigen Schichten, das sich dadurch auszeichnet, dass man in einer leitfähigen Schicht, Leiterbahnen bzw. Elektroden mittels einer Drucktechnik erzeugt.
Durch eine druckbare Strukturierung wird das Verfahren wesentlich vereinfacht, billiger und schneller. Es fallen ebenfalls sämtliche beispielsweise für die Lithographie nötigen Schritte, wie Aufbringen eines Photolackes, Belichtung, Entwicklung und gegebenenfalls anschließende Reinigung weg.
Prinzipiell eignen sich alle Druckverfahren, wie Tiefdruck, Hochdruck, Flachdruck, Durchdruck (Siebdruck) . In einer besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens werden jedoch die Leiterbahnen bzw. Elektroden im sogenannten Gravur-Offset-Druck erzeugt. Man spricht hier auch vom Tampon-Druck. Der Vorteil dieses Druckverfahrens besteht darin, dass man die zu erzeugende Struktur positiv oder negativ in Form eines Klischees, das die Druckpaste enthält, anlegen kann.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich in vorteilhafterweise zur Erzeugung sowohl organischer als auch anorganischer leitfähiger Strukturen bzw. Leiterbahnen oder Elektroden.
Eine leitfähige organische Schicht ist vorteilhafterweise beispielsweise dotiertes Polyanilin, in welcher durch Bedrucken mit einem basischen Druckmedium durch Deprotonierung eine nichtleitende Matrix erzeugt wird. Auch kann durch Bedrucken von nicht-dotiertem Polyanilin mit einem sauren Druckmedium durch Protonierung eine leitfähige Struktur in einer nichtleitenden Matrix erzeugt werden. Diese Matrix kann dann entfernt werden und gegebenenfalls mit einer Halbleiterschicht ausgefüllt werden. Aus Gründen der Stabilität des opto-elektronischen Bauelementes, das eine gemäß der vorliegenden Erfindung erzeugte leitfähige strukturierte Schicht enthält, ist es von Vorteil, diese aus einem anorganischen leit- fähigen Material, vorteilhafterweise Gold, Aluminium, Kupfer oder Indium-Zinn-Oxid (ITO) auszuwählen. Hier wird auf einem Substrat oder einer unteren Schicht zunächst die metallische leitfähige Schicht, welche beispielsweise 1 bis 100 nm dick sein kann, beispielsweise durch Aufdampfen aufgetragen. Dann wird mittels der Gravur-Offset-Drucktechnik eine geeignete
Ätzpaste im Negativ zu der erzeugenden Leiterbahn bzw. Elektrode aufgedruckt, wodurch die leitfähige Schicht in den bedruckten Bereichen unter Ausbildung der Leiterbahn bzw. Elektrode weggeätzt wird. Auch kann umgekehrt positiv ein Ätzresist gedruckt werden, der nach dem Ätzschritt wieder entfernt wird.
Je nach Art der zu strukturierenden leitfähigen Schicht kann diese Paste basischen oder sauren Charakter besitzen.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist in vorteilhafterweise kontinuierlich ausgestaltet, wodurch eine Massenproduktion gewährleistet ist.
Die Erfindung betrifft auch einen organischen Feldeffekt- Transistor, bei dem Source-, Drain- und/oder Gate-Elektroden nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt sind.
Die Erfindung betrifft auch organische Leuchtdioden, bei wel- chen die leitenden Strukturen nach einem erfindungsgemäßen Verfahren ausgebildet sind. Die Erfindung betrifft auch organische Dioden, insbesondere Gleichrichterdioden.
Die Erfindung betrifft auch integrierte Schaltungen, umfassend wenigstens ein OFET oder ein anderes aktives Bauelement, das nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt ist.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbei- spieles und der anliegenden Fig. 1 näher erläutert.
In Schritt A wird mittels eines Druckstempels 1 die hochviskose Druckpaste 2 von der Druckvorlage (Klischee) 3 abgenommen. Der Druckstempel 1 ist vorteilhaft aus einem gegenüber der reaktiven Druckpaste 2 resistenten Material. Für die Aus- bildung anorganischer Leiterbahnen bzw. Elektroden ist das in geeigneter Weise quellbeständiges, säureresistentes Silikon. Die Druckvorlage 3 enthält die Druckpaste als Negativ- Klischee der zu erzeugenden Leiterbahnen bzw. Elektroden. In Schritt B und C wird die Druckpaste 2 mittels des Druckstem- pels 1 auf das mit einer leitfähigen Schicht 4 beschichtete Substrat 5 übertragen. Die Druckpaste 2 haftet an dem Druckstempel 1 in Form diskreter Strukturen, welche eine Behandlung der leitfähigen Schicht 4 zu deren Strukturierung ermöglicht. Die leitfähige Schicht 4 besteht bei der angege- benen Ausführungsform aus einer 1 bis 100 m dicken, leitenden Metallschicht, wie beispielsweise einer Schicht aus Gold, Aluminium, Kupfer oder ITO, welche aufgedampft wurde. Die Druckpaste 2 hat ätzende Eigenschaften und weist für den Anwendungsfall Kupfer einen Gehalt an Eisen (III) Chlorid, für den Anwendungsfall Gold einen Gehalt an Jod/Kaliu jodid, für den Anwendungsfall ITO einen Gehalt an Halogenwasserstoff auf und für den Anwendungs all Aluminium einen Gehalt an Salzsäure oder Natronlauge auf.
Das Substrat ist prinzipiell frei wählbar und kann so ein Siliziumträger oder eine dünne Glasschicht sein. Bevorzugt wird man jedoch dünnste, flexible Kunststofffolien, beispielsweise CO ) M ) P> P1
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der leitfähigen Schicht ausgebildet ist. Auch hier können weitere Bearbeitungsschritte wie oben beschrieben folgen.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zu Erzeugung von leitfähigen Strukturen, dadurch gekennzeichnet, dass man in einer leitfähigen Schicht (4), Leiterbahnen und/oder Elektroden direkt oder indirekt mittels einer Drucktechnik erzeugt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich- net, dass man die Leiterbahnen und/oder Elektroden im
Gravur-Offset-Druck durch Auftragen einer reaktiven Druckpaste (3) erzeugt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn- zeichnet, dass eine organische leitfähige Schicht erzeugt und mittels Gravur-Offset-Druck strukturiert wird.
4. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeich- net, dass die leitfähige organische Schicht dotiertes
Polyanilin ist, in welcher durch Bedrucken mit einem basischen Medium durch Deprotonierung eine nichtleitende Matrix erzeugt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die leitfähige organische Schicht nichtdotiertes Polyanilin ist, in welcher durch Bedrucken mit einem sauren Medium durch Protonierung eine nichtleitende Matrix erzeugt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine anorganische leitfähige Schicht erzeugt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die anorganische leitfähige Schicht aus
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass man den Druckprozess kontinuierlich führt.
9. Organischer Feldeffekt-Transistor, bei dem die Source-, Drain- und/oder Gate-Elektroden nach einem Verfahren gemäß den Ansprüchen 1 bis 8 ausgebildet sind.
10. Organische Leuchtdiode, bei welcher die leitenden Strukturen nach einem Verfahren gemäß den Ansprüchen 1 bis 8 ausgebildet sind.
11. Organische (Gleichrichter) Diode, bei welcher die leiten- den Strukturen nach einem Verfahren gemäß den Ansprüchen
1 bis 8 ausgebildet sind.
12. Integrierte Schaltung, umfassend wenigstens ein aktives Bauelement nach einem der Ansprüche 9 bis 11.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10043204A1 (de) * 2000-09-01 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung
US6773614B2 (en) * 2002-04-16 2004-08-10 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of patterning conductive films
DE10240105B4 (de) * 2002-08-30 2005-03-24 Infineon Technologies Ag Herstellung organischer elektronischer Schaltkreise durch Kontaktdrucktechniken
US20060160266A1 (en) * 2003-01-21 2006-07-20 Adolf Bernds Organic electronic component and method for producing organic electronic devices
DE10330062A1 (de) * 2003-07-03 2005-01-27 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zur Strukturierung von organischen Schichten
DE102004031719A1 (de) * 2004-06-30 2006-01-19 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen einer elektrisch funktionellen Schichtstruktur
DE102005017655B4 (de) 2005-04-15 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion
US7476603B2 (en) * 2005-06-07 2009-01-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printing conductive patterns using LEP
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
DE102005035589A1 (de) 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE102005044306A1 (de) 2005-09-16 2007-03-22 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
DE102006047388A1 (de) 2006-10-06 2008-04-17 Polyic Gmbh & Co. Kg Feldeffekttransistor sowie elektrische Schaltung
DE102007062944B4 (de) 2007-12-21 2016-03-17 Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg Elektronische Schaltung

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3512052A (en) * 1968-01-11 1970-05-12 Gen Motors Corp Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric
JPS543594B2 (de) * 1973-10-12 1979-02-24
JPS54101176A (en) * 1978-01-26 1979-08-09 Shinetsu Polymer Co Contact member for push switch
US4442019A (en) * 1978-05-26 1984-04-10 Marks Alvin M Electroordered dipole suspension
EP0239808B1 (de) * 1986-03-03 1991-02-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Strahlungsdetektor
GB2215307B (en) * 1988-03-04 1991-10-09 Unisys Corp Electronic component transportation container
US5892244A (en) * 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
US6331356B1 (en) * 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
FR2673041A1 (fr) * 1991-02-19 1992-08-21 Gemplus Card Int Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant.
US5408109A (en) * 1991-02-27 1995-04-18 The Regents Of The University Of California Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers
JPH0580530A (ja) * 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
US5173835A (en) * 1991-10-15 1992-12-22 Motorola, Inc. Voltage variable capacitor
JP2709223B2 (ja) * 1992-01-30 1998-02-04 三菱電機株式会社 非接触形携帯記憶装置
JP3457348B2 (ja) * 1993-01-15 2003-10-14 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP3460863B2 (ja) * 1993-09-17 2003-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
US5556706A (en) * 1993-10-06 1996-09-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive layered product and method of manufacturing the same
JP3068430B2 (ja) * 1995-04-25 2000-07-24 富山日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US5652645A (en) * 1995-07-24 1997-07-29 Anvik Corporation High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates
JP3415850B2 (ja) * 1995-08-04 2003-06-09 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン リソグラフィによる表面または薄層の改変
GB2310493B (en) * 1996-02-26 2000-08-02 Unilever Plc Determination of the characteristics of fluid
JP3080579B2 (ja) * 1996-03-06 2000-08-28 富士機工電子株式会社 エアリア・グリッド・アレイ・パッケージの製造方法
US6586763B2 (en) * 1996-06-25 2003-07-01 Northwestern University Organic light-emitting diodes and methods for assembly and emission control
US6143412A (en) * 1997-02-10 2000-11-07 President And Fellows Of Harvard College Fabrication of carbon microstructures
US6344662B1 (en) * 1997-03-25 2002-02-05 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages
US6251513B1 (en) * 1997-11-08 2001-06-26 Littlefuse, Inc. Polymer composites for overvoltage protection
US6083104A (en) * 1998-01-16 2000-07-04 Silverlit Toys (U.S.A.), Inc. Programmable toy with an independent game cartridge
US6045977A (en) * 1998-02-19 2000-04-04 Lucent Technologies Inc. Process for patterning conductive polyaniline films
US6033202A (en) * 1998-03-27 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures
US5967048A (en) * 1998-06-12 1999-10-19 Howard A. Fromson Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web
US6027595A (en) * 1998-07-02 2000-02-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of making optical replicas by stamping in photoresist and replicas formed thereby
US6215130B1 (en) * 1998-08-20 2001-04-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
US6541539B1 (en) * 1998-11-04 2003-04-01 President And Fellows Of Harvard College Hierarchically ordered porous oxides
US6506438B2 (en) * 1998-12-15 2003-01-14 E Ink Corporation Method for printing of transistor arrays on plastic substrates
US6321571B1 (en) * 1998-12-21 2001-11-27 Corning Incorporated Method of making glass structures for flat panel displays
US6498114B1 (en) * 1999-04-09 2002-12-24 E Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
US6383664B2 (en) * 1999-05-11 2002-05-07 The Dow Chemical Company Electroluminescent or photocell device having protective packaging
TW556357B (en) * 1999-06-28 2003-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing an electro-optical device
AU7103300A (en) * 1999-08-31 2001-03-26 E-Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
US6517995B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
US6340822B1 (en) * 1999-10-05 2002-01-22 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same
US6335539B1 (en) * 1999-11-05 2002-01-01 International Business Machines Corporation Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure
US6284562B1 (en) * 1999-11-17 2001-09-04 Agere Systems Guardian Corp. Thin film transistors
US6294398B1 (en) * 1999-11-23 2001-09-25 The Trustees Of Princeton University Method for patterning devices
US6197663B1 (en) * 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
US6329226B1 (en) * 2000-06-01 2001-12-11 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabricating a thin-film transistor
DE10033112C2 (de) * 2000-07-07 2002-11-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung
US6586791B1 (en) * 2000-07-19 2003-07-01 3M Innovative Properties Company Transistor insulator layer incorporating superfine ceramic particles
WO2002015264A2 (de) * 2000-08-18 2002-02-21 Siemens Aktiengesellschaft Verkapseltes organisch-elektronisches bauteil, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung
KR20020036916A (ko) * 2000-11-11 2002-05-17 주승기 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자
KR100390522B1 (ko) * 2000-12-01 2003-07-07 피티플러스(주) 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법
US20020170897A1 (en) * 2001-05-21 2002-11-21 Hall Frank L. Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser
US6870180B2 (en) * 2001-06-08 2005-03-22 Lucent Technologies Inc. Organic polarizable gate transistor apparatus and method
JP2003089259A (ja) * 2001-09-18 2003-03-25 Hitachi Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
US7351660B2 (en) * 2001-09-28 2008-04-01 Hrl Laboratories, Llc Process for producing high performance interconnects
US6946332B2 (en) * 2002-03-15 2005-09-20 Lucent Technologies Inc. Forming nanoscale patterned thin film metal layers
US6812509B2 (en) * 2002-06-28 2004-11-02 Palo Alto Research Center Inc. Organic ferroelectric memory cells

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO02099908A1 *

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Publication number Publication date
WO2002099908A1 (de) 2002-12-12
US20040209191A1 (en) 2004-10-21
DE10126859A1 (de) 2002-12-12

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