DE102007062944B4

DE102007062944B4 - Elektronische Schaltung

Info

Publication number: DE102007062944B4
Application number: DE102007062944.5A
Authority: DE
Inventors: Dr. Knobloch Alexander; Dr. Brehm Ludwig
Original assignee: Leonhard Kurz Stiftung and Co KG; PolyIC GmbH and Co KG
Current assignee: Leonhard Kurz Stiftung and Co KG; PolyIC GmbH and Co KG
Priority date: 2007-12-21
Filing date: 2007-12-21
Publication date: 2016-03-17
Anticipated expiration: 2027-12-22
Also published as: DE102007062944A1

Abstract

Elektronische Schaltung auf einem Trägersubstrat (1), mit mindestens einer in einem kontinuierlichen Prozess gebildeten musterförmigen Schichtlage (2), wobei die elektronische Schaltung aus mindestens zwei elektronischen Bauelementen aus der Gruppe an Bauelementen umfassend Feldeffekttransistoren, Dioden, Kondensatoren, Induktivitäten und Widerstände oder aus einer Kombination von mindestens zwei unterschiedlichen Bauelementen dieser Gruppe gebildet ist, wobei die mindestens eine musterförmige Schichtlage (2) hinsichtlich der Schaltung eine elektrische Funktion aufweist, wobei durch die mindestens eine musterförmige Schichtlage (2) im Bereich der Schaltung eine ungleichmäßige lokale mittlere Flächenbelegung des Trägersubstrats (1) ausgebildet ist, wobei die lokale mittlere Flächenbelegung des Trägersubstrats (1) im Bereich der Schaltung vergleichmäßigt ist, indem Bereiche des Trägersubstrats (1), die nicht mit der musterförmigen Schichtlage (2) belegt sind, mit einer musterförmigen Zusatzschicht (3) belegt sind, die hinsichtlich der Schaltung ohne elektrische Funktion ist und gleichzeitig mit der jeweiligen musterförmigen Schichtlage (2) und von dieser beabstandet aus dem gleichen Material wie die musterförmige Schichtlage (2) ausgebildet ist.

Description

Die Erfindung betrifft eine elektronische Schaltung auf einem Trägersubstrat, mit mindestens einer in einem kontinuierlichen Prozess gebildeten musterförmigen Schichtlage. Das Layout der elektronischen Schaltung ist dabei derart ausgeführt, dass eine musterförmige Schichtlage ausgebildet ist oder angrenzend an mindestens eine vollflächige Schichtlage mindestens eine musterförmige Hilfsschicht zur Bildung der mindestens einen musterförmigen Schichtlage der elektronischen Schaltung ausgebildet ist.
Aus der DE 696 36 318 T2 ist eine Flüssigkristallvorrichtung bekannt, welche aus einem zwischen mit Elektroden versehenen Substraten angeordneten Flüssigkristall gebildet wird, so dass für einen effektiven optischen Modulationsbereich und einem zu effektiven optischen Modulationsbereich benachbarten Bereich gesorgt ist. Hierbei ist auf mindestens einem der Substrate in dem effektiven Modulationsbereich und dem Randbereich ein Farbfilterfilm mit Farbfiltersegmenten angeordnet, wobei die Farbfiltersegmente im Randbereich größer als im effektiven optischen Modulationsbereich sind.
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Die US 7 132 788 B2 betrifft die Optimierung von durch eine Photolackschicht ausgebildeten Taschen, um eine gleichmäßige Trocknung für Stoffe, welche in die Taschen abgeschieden und darin getrocknet werden sollen, zu gewährleisten.
Die Bildung musterförmiger Schichtlagen in Form beispielsweise leitfähiger Strukturen mittels Drucktechnik sowie daraus hergestellte aktive Bauelemente für integrierte Schaltungen sind beispielsweise aus DE 10126859 A1 hinreichend bekannt.
Es hat sich gezeigt, dass durch das Layout der Schaltungen bedingt durch die mindestens eine musterförmige Schichtlage im Bereich der jeweiligen Schaltungen häufig eine ungleichmäßige lokale mittlere Flächenbelegung des Trägersubstrats ausgebildet wird. Wird die musterförmige Schichtlage dabei durch einen Druckprozess ausgebildet, so weist die zum Drucken der musterförmigen Schichtlage verwendete Druckwalze eine ebenso ungleichmäßige mittlere Flächenbelegung mit Druckflächen auf, welche das Druckmaterial aufnehmen und auf das Trägersubstrat übertragen. Dies führt zu einem ungleichmäßigen Druckergebnis und einer verminderten Ausbeute an einwandfreien Schaltungen. Für die Ungleichmäßigkeiten in einem solchen Druckprozess gibt es im Wesentlichen zwei Ursachen.
Zum einen wird bereits bei der Herstellung einer Druckform mit einer ungleichmäßigen Flächenbelegung das spätere Ausdruckverhalten dieser Druckform negativ beeinflusst. Dies gilt insbesondere für Druckformen, die über chemische Verfahren hergestellt werden, wie beispielsweise Tiefdruckwalzen, in deren Oberfläche die auszudruckenden Strukturen durch nasschemisches Ätzen gebildet werden. Bei einer ungleichmäßigen Flächenbelegung der Tiefdruckwalze mit auszudruckenden Strukturen wird das Ätzmedium lokal ungleichmäßig verbraucht. Dies resultiert in unterschiedlichen Ätzraten und somit in einer ungleichmäßigen Tiefe und Breite der geätzten Strukturen in der fertigen Druckwalze. Beispielsweise liegen typische Strukturtiefen von geätzten Strukturen in der Oberfläche einer Druckwalze liegen im Berech von 5–30 μm. Aufgrund der lokal unterschiedlichen Ätzmittelkonzentration bei der Herstellung einer Druckwalze mit einer ungleichmäßigen Flächenbelegung an zu ätzenden Strukturen können Unterschiede in der Strukturtiefe der geätzten Strukturen zwischen 10–75% auftreten. So kann beispielsweise eine geätzte Struktur, die überall mit der gleichen Strukturtiefe in der Oberfläche der Druckwalze ausgebildet werden sollte, in Bereichen der Druckwalze mit einer hohen Flächenbelegung an Strukturen um 10–75% weniger tief ausgebildet sein als in Bereichen der Druckwalze mit einer niedrigen Flächenbelegung an Strukturen. Dadurch ergeben sich im Vergleich zwischen gedruckten Strukturen, die durch Bereiche der Druckwalze mit einer hohen Flächenbelegung der Druckwalze mit geätzten Strukturen und durch Bereiche der Druckwalze mit einer niedrigen Flächenbelegung der Druckwalze mit geätzten Strukturen erzeugt sind, erhebliche Unregelmäßigkeiten, die sich in unterschiedlichen Schichtdicken und/oder Flächendimension der später mit der Druckwalze gedruckten Strukturen zeigen.
Zum anderen ergibt sich ein negativer Einfluss der ungleichmäßigen Flächenbelegung eines Druckwerkzeugs direkt beim Drucken, wie z. B. bei einem Tiefdruck, Flexodruck, Offsetdruck oder Siebdruck, sofern Druckmedien verarbeitet werden, die mindestens ein Lösungsmittel enthalten, welches bereits während des Druckens abdampft. Bei solchen Verfahren ist das definierte Abdampfen des Lösungsmittels während des Übertrages auf ein Trägersubstrat von entscheidender Bedeutung für das Druckergebnis. Die Abdampfrate des Lösungsmittels ist wiederum stark von der das Druckwerkzeug umgebenden Atmosphäre beeinflusst. So liegt beispielsweise über Bereichen einer Druckwalze mit einer hohen Flächenbelegung eine erhöhte Konzentration an Lösungsmitteldampf in der Atmosphäre vor, während über Bereichen der Druckwalze mit einer niedrigen Flächenbelegung eine vergleichsweise niedrige Konzentration an Lösungsmitteldampf in der Atmosphäre vorliegt. Dadurch dampft das Lösungsmittel in den Bereichen mit erhöhter Flächenbelegung weniger schnell ab als in den Bereichen mit niedriger Flächenbelegung und ein gleichmäßiges Verdrucken des Druckmediums wird verhindert.
Dies zeigt sich aber nicht nur für den Fall, dass die musterförmige Schichtlage unmittelbar durch Drucken gebildet wird. Auch bei der Entfernung von Bereichen einer vollflächig ausgebildeten Schichtlage, beispielsweise dadurch, dass diese musterförmig mit einem Ätzmittel bedruckt wird oder dass diese mit einer musterförmigen Hilfsschicht, welche als Ätzmaske verwendet wird, versehen und nachfolgend durch Ätzen musterförmig entfernt wird, zeigen sich ungleichmäßige Ergebnisse, die auf die ungleichmäßige mittlere Flächenbelegung des Trägersubstrats mit der auszubildenden musterförmigen Schichtlage zurückzuführen sind. Gleiches gilt auch für die musterförmige Entfernung von UV-Lackschichten, wie beispielsweise positiven oder negativen Photoresist-Schichten, die nach einer partiellen Belichtung mittels UV-Strahlung nasschemisch entwickelt und musterförmig entfernt werden.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, verbesserte elektronische Schaltungen anzugeben, die mindestens eine musterförmige Schichtlage aufweisen, die in einer ungleichmäßigen mittleren Flächenbelegung auf einem Trägersubstrat vorliegt.
Die Aufgabe wird durch eine elektronische Schaltung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.
Ein Verfahren zur Massenproduktion elektronischer Schaltungen, insbesondere erfindungsgemäßer elektronischer Schaltungen, auf einem Trägersubstrat hat sich bewährt, bei welchem in einem kontinuierlichen Prozess mindestens eine musterförmige Schichtlage oder angrenzend an mindestens eine vollflächige Schichtlage mindestens eine musterförmige Hilfsschicht zur Bildung der mindestens einen musterförmigen Schichtlage der elektronischen Schaltungen ausgebildet wird, wobei durch die mindestens eine musterförmige Schichtlage im Bereich der jeweiligen Schaltungen eine ungleichmäßige lokale mittlere Flächenbelegung des Trägersubstrats ausgebildet wird, wobei die lokale mittlere Flächenbelegung des Trägersubstrats im Bereich der jeweiligen Schaltungen vergleichmäßigt wird, wobei Bereiche des Trägersubstrats, die nicht mit der musterförmigen Schichtlage belegt sind/werden, mit einer musterförmigen Zusatzschicht belegt werden, die hinsichtlich der Schaltungen ohne elektrische Funktion ausgebildet ist und gleichzeitig mit der jeweiligen musterförmigen Schichtlage und von dieser beabstandet aus dem gleichen Material wie die musterförmige Schichtlage ausgebildet wird.
Dabei ist die Zusatzschicht „ohne elektrische Funktion”, wenn diese für ein Funktionieren der Schaltung nicht benötigt wird. Während die mindestens eine musterförmige Schichtlage mit elektrischer Funktion hinsichtlich der Schaltung mit Spannung beaufschlagt, zur Führung von Strom verwendet oder als elektrische Isolierung eingesetzt wird, ist dies bei der Zusatzschicht nicht der Fall. Die, einer beispielsweise mit Spannung beaufschlagten oder stromleitenden musterförmigen Schichtlage zugeordnete Zusatzschicht steht nicht in elektrisch leitender Verbindung mit dieser musterförmigen Schichtlage. An der Zusatzschicht kann somit weder ein Strom noch eine Spannung gemessen werden, die für die Funktion der Schaltung genutzt oder benötigt werden.
Die Anordnung einer derartigen Zusatzschicht ohne elektrische Funktion in Bereichen des Trägersubstrats, welche nicht von der musterförmigen Schichtlage mit elektrischer Funktion belegt sind, ermöglicht eine gleichmäßige mittlere Flächenbelegung des Trägersubstrats und damit eine gleichmäßigere Prozessführung. Dies führt zu einer wesentlich höheren Ausbeute an funktionierenden Schaltungen und senkt damit insgesamt die Produktionskosten pro Schaltung. Eine Erhöhung der Ausbeute um bis zu 100% ist ohne weiteres möglich.
Kontinuierliche Prozesse zur Herstellung von elektronischen Schaltungen werden bevorzugt mit Trägersubstraten durchgeführt, die sich auf Förderanlagen kontinuierlich oder quasi-kontinuierlich transportieren lassen oder in einem Rolle-zu-Rolle-Prozess verarbeitet werden können. Dabei können Trägersubstrate mit hohem Durchsatz in Form von Einzelbögen oder langgestreckten Bändern verarbeitet werden.
Bei einem Rolle-zu-Rolle-Verfahren, welches bei den oben genannten Verfahren bevorzugt ist, wird ein bandförmiges, flexibles Trägersubstrat auf eine Rolle aufgewickelt bereitgestellt, von dieser abgezogen, die einzelnen Verfahrensschritte zur Bildung der Schaltungen durchgeführt und anschließend das Trägersubstrat inklusive der darauf gebildeten Schaltungen auf eine weitere Rolle aufgewickelt. Es kann sich ein weiterer Rolle-zu-Rolle-Prozess anschließen, um weitere Prozessschritte durchzuführen, oder es erfolgt eine Vereinzelung der Schaltungen, indem das Trägersubstrat entsprechend zerteilt wird.
Als Trägersubstrat wird bevorzugt eine Kunststoff-Folie aus PET, Polyimid oder Kapton verwendet. Aber auch Laminate aus unterschiedlichen Materialien, die beispielsweise Kunststofffolien oder -schichten, Metallfolien oder -schichten, dielektrische Schichten oder Papierlagen beinhalten können, sind verwendbar. Ein Trägersubstrat weist vorzugsweise eine Schichtdicke im Bereich von 6 μm bis 1 mm auf.
Es hat sich bewährt, wenn die lokale mittlere Flächenbelegung des Trägersubstrats mit der musterförmigen Schichtlage und der musterförmigen Zusatzschicht im Bereich der jeweiligen Bauteile oder Schaltungen so ausgelegt wird, dass diese mindestens 10%, insbesondere mindestens 25% beträgt. Der „Bereich einer Schaltung” wird dabei durch die maximale Länge L und die maximale Breite B der musterförmigen Schichtlagen pro Schaltung auf dem Trägersubstrat definiert, wobei die Länge und Breite aller in der jeweiligen Schaltung enthaltenen musterförmigen Schichtlagen zur Ermittlung der maximalen Länge L und der maximalen Breite B herangezogen wird. Ist lediglich eine musterförmige Schichtlage vorhanden, so ist deren Länge und Breite maßgebend. Sind zwei oder mehr musterförmige Schichtlagen vorhanden, so ist für jede der musterförmigen Schichtlagen ihre eigene Länge und Breite maßgebend.
Es besteht jedoch die Möglichkeit, dass bei einem Vorhandensein von zwei oder mehr musterförmigen Schichtlagen diese sich gegenseitig elektrisch beeinflussen. Ein gutes Beispiel hierfür bilden die Source/Drain-Ebene und die Gate-Ebene eines Feldeffekt-Transistors, die jeweils eine musterförmige Schichtlage bilden. Hier tritt eine Beeinflussung durch kapazitive, parasitäre Effekte zwischen den beiden Ebenen bzw. Schichtlagen auf. In einem solchen Fall ist es notwendig, eine Vereinigungsmenge der musterförmigen Schichtlagen aus beiden Ebenen zu bilden und diese als Grundlage zur Bestimmung der Länge L und der Breite B heranzuziehen. Nur so kann eine störende gegenseitige elektrische Beeinflussung verhindert werden. Weitere elektrische Beeinflussungen ergeben sich beispielsweise auch durch Leckströme, das Auftreten von Wechselfeldern bei hoher Frequenz usw.
Üblicherweise sind Bereiche für Schaltungen in der Größenordnung von 0,1 cm × 0,1 cm bis zu 5 cm × 5 cm angesiedelt.
Insbesondere liegt die lokale mittlere Flächenbelegung des Trägersubstrats mit der musterförmigen Schichtlage und der musterförmigen Zusatzschicht im Bereich der jeweiligen Schaltungen im Bereich von 10% bis 90%, bevorzugt im Bereich von 15% bis 40%.
Um eine Beeinflussung der elektrischen Funktion der jeweiligen Schaltung durch die Zusatzschicht zu vermeiden, hat es sich als günstig erwiesen, wenn senkrecht zur Ebene des Trägersubstrats gesehen ein Abstand zwischen der musterförmigen Zusatzschicht und der musterförmigen Schichtlage von mindestens 5 μm, insbesondere ein Abstand im Bereich von 5 bis 300 μm, ausgebildet wird. Die musterförmige Zusatzschicht wird demnach so ausgebildet, dass sie an keiner Stelle in Kontakt zur musterförmigen Schichtlage steht.
Zusätzlich ist im Layout darauf zu achten, dass die Ausbildung einer Zusatzschicht in bestimmten Bereichen nicht zur Bildung von elektrischen Kurzschlüssen oder parasitären Kapazitäten innerhalb einer Schaltung führt, welche die Funktionalität der Schaltung beeinträchtigen oder zunichte machen würden.
Vorzugsweise wird die Zusatzschicht in Form von voneinander beabstandeten Inselbereichen und/oder zusammenhängenden Linien- oder Musterbereichen ausgebildet. Dabei entsprechen die Dimensionen von Inselbereichen der Zusatzschicht vorzugsweise in etwa den Dimensionen von durch die musterförmige Schichtlage ausgebildeten Bereichen. Insbesondere erfolgt eine Anpassung der Dimensionen der Zusatzschichtbereiche an die Dimensionen benachbarter Bereiche der musterförmigen Schichtlage.
Großflächige, von der musterförmigen Schichtlage freie Bereiche werden vorzugsweise nicht mit einem einzigen, großflächigen Inselbereich der Zusatzschicht belegt, wenn kleiner dimensionierte Bereiche der musterförmigen Schichtlage angrenzen, sondern durch eine Vielzahl kleinerer, voneinander beabstandeter Inselbereiche der Zusatzschicht belegt, die ähnliche Dimensionen aufweisen wie die benachbarten Bereiche der musterförmigen Schichtlage.
Bevorzugt wird die musterförmige Schichtlage aus einem elektrisch leitenden Material, beispielsweise Metall oder einer Metall-Legierung, einem leitfähigen Polymer, Kohlenstoff, usw., oder einem halbleitenden Material, insbesondere einem organischen halbleitenden Material, oder einem elektrisch isolierenden Material, beispielsweise einem Metalloxid oder einem elektrisch isolierenden organischen Kunststoff, gebildet.
Die Schichtlage kann demnach aus einem anorganischen oder einem organischen Material gebildet werden. Dabei werden bevorzugt organische elektronische Schaltungen ausgebildet, welche mindestens eine organische musterförmige Schichtlage, die zur Funktionalität der Schaltung beiträgt, enthalten.
Als „organische” Materialien werden hier alle Arten von organischen, metallorganischen und anorganischen Kunststoffen angesehen, die im Englischen mit „plastics” bezeichnet werden. Eine Beschränkung im dogmatischen Sinn auf organisches Material als Kohlenstoff enthaltendes Material ist demnach nicht vorgesehen, sondern es ist vielmehr auch an den Einsatz von beispielsweise Silikonen gedacht. Weiterhin soll der Begriff keinerlei Beschränkung im Hinblick auf die Molekülgröße, insbesondere auf polymere und/oder oligomere Materialien unterliegen, sondern es ist durchaus auch der Einsatz von „small molecules” möglich.
Besonders bevorzugt ist eine Ausbildung der elektronischen Schaltung als organische elektronische Schaltung, enthaltend mindestens eine Schichtlage, die aus einem organischen Material gebildet ist. Insbesondere sind alle Schichtlagen aus einem organischen Material gebildet.
Zusätzlich zu der wenigstens einen musterförmigen Schichtlage mit elektrischer Funktion hinsichtlich der Schaltung kann eine weitere musterförmige Schichtlage vorhanden sein, die zur Funktionalität der Schaltung nichts beiträgt, sondern lediglich zur musterförmigen Ausbildung der zur Funktionalität der Schaltung beitragenden musterförmigen Schichtlage verwendet wird. Eine derartige weitere Schichtlage kann beispielsweise durch eine musterförmige Hilfsschicht ausgebildet sein, die senkrecht zur Ebene des Trägersubstrats gesehen deckungsgleich zur ersten musterförmigen Schichtlage mit elektrischer Funktion ausgebildet ist. Dabei ist die Zusatzschicht, die zur musterförmigen Schichtlage mit elektrischer Funktion gehört, deckungsgleich zu einer weiteren Zusatzschicht angeordnet, die zur musterförmigen Hilfsschicht bzw. weiteren Schichtlage ohne elektrische Funktion gehört. Die Hilfsschicht wird vorzugsweise aus einer Lackschicht, insbesondere einer Photolackschicht, einer Lift-off-Lackschicht oder einer Ätzresistlackschicht gebildet.
Es hat sich bewährt, wenn eine musterförmige Schichtlage durch ein Druckverfahren, insbesondere durch Tiefdruck, Flexodruck, Offsetdruck, Siebdruck und/oder durch ein Ätzverfahren, beispielsweise durch ein musterförmiges Bedrucken einer vollflächig ausgebildeten Schichtlage mit einem Ätzmittel, und/oder durch eine nasschemische Entwicklung von UV-Lack, musterförmig ausgebildet wird.
Die Bildung einer musterförmigen Hilfsschicht auf einer vollflächig ausgebildeten Schichtlage erfolgt bevorzugt durch ein Druckverfahren, ein Laserverfahren oder ein Lithographieverfahren.
Die musterförmige Hilfsschicht bzw. Schichtlage, die nicht zur Funktionalität der Schaltung beiträgt, wird beispielsweise als Ätzmaske verwendet, um eine zur Funktionalität der Schaltung beitragende musterförmige Schichtlage durch Ätzen einer vollflächig ausgebildeten Schicht herzustellen.
Besonders bevorzugt ist es, wenn auf dem Trägersubstrat mindestens zwei musterförmige Schichtlagen ausgebildet werden, wobei die mindestens zwei Schichtlagen parallel zur Ebene des Trägersubstrats gesehen in unterschiedlichen Ebenen angeordnet werden, und wobei pro musterförmiger Schichtlage jeweils eine musterförmige Zusatzschicht ausgebildet wird. Insbesondere weisen die mindestens zwei musterförmigen Schichtlagen eine elektrische Funktion hinsichtlich der Schaltung auf.
Allgemein wird hierbei im Sinne der Erfindung unter dem Begriff „auf dem Trägersubstrat ausgebildet” nicht verstanden, dass eine musterförmige Schichtlage unmittelbar angrenzend zum Trägersubstrat angeordnet sein muss. Es können vielmehr zwischen dem Trägersubstrat und einer musterförmigen Schichtlage eine Vielzahl weiterer Schichten oder weiterer musterförmiger Schichtlagen, gegebenenfalls mit jeweiligen Zusatzschichten, angeordnet sein, bevor eine weitere musterförmige Schichtlage darauf gebildet wird.
Die 1 und 2 sollen die Erfindung lediglich beispielhaft erläutern. So zeigt
1 einen Abschnitt eines Trägersubstrats mit einer musterförmigen Schichtlage gemäß dem Stand der Technik in der Draufsicht; und
2 den Abschnitt aus 1, mit einer Zusatzschicht versehen, in der Draufsicht.
1 zeigt in der Draufsicht einen Abschnitt eines Trägersubstrats 1 gemäß dem Stand der Technik aus einer flexiblen Kunststofffolie, die mit einer musterförmigen Schichtlage 2 (= schwarze Strukturen auf dem Trägersubstrat 1) bedruckt ist. Die musterförmige Schichtlage 2 besteht aus einem elektrisch leitfähigen Material und bildet in Längsrichtung des Trägersubstrats 1 eine Vielzahl von Elektrodenbereichen für zu bildende Bauteile aus. Gemäß 1 ist die musterförmige Schichtlage 2 in Längsrichtung des Trägersubstrats 1 in drei, räumlich voneinander beabstandet angeordnete Bereiche 2a, 2b, 2c zur Bildung von drei separaten Bauteilen aufgeteilt. Der Bereich 2a, 2b, 2c eines jeden Bauteils ist durch die jeweilige Länge L1, L2, L3 und die Breite B definiert, wobei die Breite B hier für alle drei zu bildenden Bauteile gleich ist.
2 zeigt in der Draufsicht den Abschnitt aus 1, welcher neben der musterförmigen Schichtlage 2 weiterhin eine gedruckte Zusatzschicht 3 aufweist. Die musterförmige Schichtlage 2 und die Zusatzschicht 3 sind aus dem gleichen Material gleichzeitig und mittels einer gemeinsamen Druckwalze auf das Trägersubstrat 1 gedruckt worden. Die Zusatzschicht 3 ist von der musterförmigen Schichtlage 2 beabstandet angeordnet, insbesondere in einem Abstand von mindestens 5 μm, und weist keinerlei elektrisch leitende Verbindung mit der musterförmigen Schichtlage 2 auf. Die Zusatzschicht 3 und die musterförmige Schichtlage 2 zusammen belegen auf dem für das jeweilige Bauteil vorgesehenen Bereich 2a, 2b, 2c des Trägersubstrats 1 lokal eine Fläche von 10 bis 90% des Trägersubstrats 1. Aufgrund der gleichmäßigeren mittleren Flächenbelegung der verwendeten Druckwalze mit auszudruckenden Bereichen ergibt sich ein gleichmäßigeres und verbessertes Druckbild im Bereich der musterförmigen Schichtlage 2 und eine höhere Ausbeute an funktionsfähigen Bauteilen. Die Bauteile werden gebildet, indem auf die musterförmige Schichtlage 2 und die Zusatzschicht 3 weitere Schichtlagen aufgebracht werden. Zur optischen und elektrischen Inspektion der fertigen Bauteile ist neben jedem Bauteil ein Inspektionsbereich 4 vorgesehen, der keine Belegung mit Schichtlagen des Bauteils aufweist. Der Inspektionsbereich 4 kann dabei von der Zusatzschicht 3 umschlossen oder teilweise begrenzt sein, wie es in 2 dargestellt ist.

Claims

Elektronische Schaltung auf einem Trägersubstrat (1), mit mindestens einer in einem kontinuierlichen Prozess gebildeten musterförmigen Schichtlage (2), wobei die elektronische Schaltung aus mindestens zwei elektronischen Bauelementen aus der Gruppe an Bauelementen umfassend Feldeffekttransistoren, Dioden, Kondensatoren, Induktivitäten und Widerstände oder aus einer Kombination von mindestens zwei unterschiedlichen Bauelementen dieser Gruppe gebildet ist, wobei die mindestens eine musterförmige Schichtlage (2) hinsichtlich der Schaltung eine elektrische Funktion aufweist, wobei durch die mindestens eine musterförmige Schichtlage (2) im Bereich der Schaltung eine ungleichmäßige lokale mittlere Flächenbelegung des Trägersubstrats (1) ausgebildet ist, wobei die lokale mittlere Flächenbelegung des Trägersubstrats (1) im Bereich der Schaltung vergleichmäßigt ist, indem Bereiche des Trägersubstrats (1), die nicht mit der musterförmigen Schichtlage (2) belegt sind, mit einer musterförmigen Zusatzschicht (3) belegt sind, die hinsichtlich der Schaltung ohne elektrische Funktion ist und gleichzeitig mit der jeweiligen musterförmigen Schichtlage (2) und von dieser beabstandet aus dem gleichen Material wie die musterförmige Schichtlage (2) ausgebildet ist.
Elektronische Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine weitere musterförmige Schichtlage in Form einer musterförmigen Hilfsschicht vorhanden ist, die hinsichtlich der Schaltung ohne elektrische Funktion ist.
Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die lokale mittlere Flächenbelegung des Trägersubstrats (1) mit der musterförmigen Schichtlage (2) und der musterförmigen Zusatzschicht (3) im Bereich der jeweiligen Schaltungen so ausgelegt ist, dass diese im Bereich von 10% bis 90%, insbesondere im Bereich von 15 bis 40% liegt.
Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die musterförmige Zusatzschicht (3) von der musterförmigen Schichtlage (2) beabstandet angeordnet, insbesondere in einem Abstand von mindestens 5 μm beabstandet angeordnet ist.
Elektronische Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass senkrecht zur Ebene des Trägersubstrats (1) gesehen ein Abstand zwischen der musterförmigen Zusatzschicht (3) und der musterförmigen Schichtlage (2) von mindestens 5 μm ausgebildet ist.
Elektronische Schaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass senkrecht zur Ebene des Trägersubstrats (1) gesehen ein Abstand zwischen der musterförmigen Zusatzschicht (3) und der musterförmigen Schichtlage (2) im Bereich von 5 μm bis 300 μm ausgebildet ist.
Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusatzschicht (3) in Form von voneinander beabstandeten Inselbereichen und/oder zusammenhängenden Linien- oder Musterbereichen ausgebildet ist.
Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass eine Anpassung der Dimensionen der Bereiche der Zusatzschicht (3) an die Dimensionen benachbarter Bereiche der musterförmigen Schichtlage (2) erfolgt ist.
Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die musterförmige Schichtlage (2) aus einem elektrisch leitenden Material, insbesondere einem Metall oder einer Metall-Legierung, oder einem halbleitenden Material oder einem elektrisch isolierenden Material gebildet ist.
Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die musterförmige Schichtlage (2) aus einem anorganischen oder organischen Material gebildet ist.
Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Trägersubstrat (1) mindestens zwei musterförmige Schichtlagen (2) ausgebildet sind, wobei die mindestens zwei musterförmigen Schichtlagen parallel zur Ebene des Trägersubstrats (1) gesehen in unterschiedlichen Ebenen angeordnet sind, und wobei je musterförmiger Schichtlage (2) jeweils eine musterförmige Zusatzschicht (3) ausgebildet ist.
Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass zusätzlich zu der wenigstens einen musterförmigen Schichtlage (2) mit elektrischer Funktion hinsichtlich der Schaltung eine weitere musterförmige Schichtlage vorhanden ist, die zur Funktionalität der Schaltung nichts beiträgt, sondern lediglich zur musterförmigen Ausbildung der zur Funktionalität der Schaltung beitragenden musterförmigen Schichtlage (2) verwendet wird.
Elektronische Schaltung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die weitere musterförmige Schichtlage durch eine musterförmige Hilfsschicht ausgebildet ist, die senkrecht zur Ebene des Trägersubstrats (1) gesehen deckungsgleich zur ersten musterförmigen Schichtlage (2) mit elektrischer Funktion ausgebildet ist.
Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die elektronische Schaltung mindestens einen Feldeffekttransistor, insbesondere mindestens zwei Feldeffekttransistoren, umfasst.
Elektronische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die elektronische Schaltung eine organische elektronische Schaltung ist, die mindestens eine organische Schichtlage aufweist.