DE10063721A1 - Organischer Halbleiter, Herstellungsverfahren dazu und Verwendungen - Google Patents
Organischer Halbleiter, Herstellungsverfahren dazu und VerwendungenInfo
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000008030 elimination Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 claims abstract description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 claims description 8
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 claims description 7
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 5
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 2
- -1 phenyloxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 2
- 235000012571 Ficus glomerata Nutrition 0.000 claims 1
- 240000001058 Sterculia urens Species 0.000 claims 1
- 235000015125 Sterculia urens Nutrition 0.000 claims 1
- 229920001002 functional polymer Polymers 0.000 claims 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 8
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 9
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical group O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/02—Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G61/122—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides
- C08G61/123—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds
- C08G61/126—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds with a five-membered ring containing one sulfur atom in the ring
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/114—Poly-phenylenevinylene; Derivatives thereof
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Polymers & Plastics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine neue Klasse organischer Halbleiter mit hoher Ladungsträgerbeweglichkeit durch hohe Regioregularität. Die Regioregularität wird durch die Herstellung des Polymers, ausgehend von einer AB-Eliminierung der Monomeren bewirkt.
Description
Die Erfindung betrifft eine neue Klasse organischer Halblei
ter mit hoher Regioregularität.
Zur Herstellung eines organischen Dünnfilm-Transistors oder
eines organischen Feld-Effekt-Transistors (OFET) nimmt man
organisches halbleitendes Material, das sich zum einen leicht
als Film aufbringen und verarbeiten lässt und zum anderen ei
ne hohe Ladungsträgerbeweglichkeit zeigt.
Bekannt ist ein organisches Material, das bereits eine zu
friedenstellend hohe Ladungsträgerbeweglichkeit von
0,22 cm2/Vs besitzt, das Poly(2,5-thienylenvinylen) "PTV".
Dieses Material kann allerdings nur über einen aufwendigen
Precursor-Prozess hergestellt werden und ist selbst unlös
lich, unschmelzbar und damit nicht verarbeitbar. Dieses Mate
rial ist also teuer und zur Herstellung von Dünnschichtfilmen
nicht geeignet. Es muss in situ auf dem Substrat hergestellt
werden.
Deshalb wurden schon früh Versuche gestartet andere Polythi
ophene mit gleicher Ladungsträgerbeweglichkeit aber besserer
Verarbeitbarkeit herzustellen (A. Assadi, C. Svensson, M. Wil
lander and O. Inganäs "Field effect mobility of poly(3-hexyl
thiophene)" Appl. Phys. Lett. 53(3): 195-7, 1988). Insbesonde
re zeigten die 3-Alkylsubstituierten Thiophene eine bessere
Verarbeitbarkeit.
Die 3-Alkyl-Substituenten des Thiophens können in eine Poly
mer-Kette mit zwei verschiedenen Orientierungen eingebaut
werden: Zum einen gibt es die Kopf-Schwanz-Verknüpfung (head-
tail, HT) und zum anderen die Kopf-Kopf-Verknüpfung (head-
head, HH). Regioregular heißt in diesem Zusammenhang, dass
nur eine der Verknüpfungsarten (HH oder HT) realisiert wird.
Eine hohe Regioregularität bewirkt auch eine gute Ladungsträ
gerbeweglichkeit. Die höchsten Beweglichkeiten, die in sol
chen Filmen bislang gemessen wurden betragen ca. 0,015-
0,045 cm2/Vs (Z. Bao, A. Dodabalapur and A. J. Lovinger. "Soluble
and processible regioregular poly(3-hexylthiophene) for thin
film field-effect transistor applications with high mobility"
Appl. Phys. Lett. 69(26): 4108-10, 1996).
Die kommerziell erhältlichen 3-Alkylsubstituierten Thiophene
besitzen eine Regioregularität von ca 98% und damit keine
perfekte Ordnung. Zur Erzielung einer höheren Ladungsträger
beweglichkeit im Polymer wird jedoch angestrebt, dass eine
Regioregularität von 100% gegeben ist.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein organisches Material
zur Verfügung zu stellen, das hohe Regioregularität hat, ein
Herstellungsverfahren zur Produktion dieses Materials an
zugeben und schließlich noch bevorzugte Verwendungen des Ma
terials anzugeben.
Gegenstand der Erfindung ist ein Polyarylenvinylen (PAV) der
allgemeinen Formel I
-(Ar(R)-CH=CH)n-
in der
Ar für eine Arylgruppe mit 4 bis 14 C-Atomen steht und (R) bedeutet, dass Ar einen oder mehrere Substituenten R ha ben kann, die gleich oder verschieden sein können und eine Phenyl- oder Phenyloxygruppe oder eine geradkettige oder ver zweigte oder cyclische Alkyl- oder Alkoxygruppe mit 1 bis 25 C-Atomen darstellen, wobei ein oder mehrere nicht benach barte CH2-Gruppen durch -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -NR1-, -NR2R3)+A-, -O-COO-, -NR1-CO-NR1- oder -CONR4 ersetzt sein kön nen und wobei ein oder mehrere H-Atome durch F, CN, Cl, Br, J oder eine Arylgruppe mit 4 bis 14 C-Atome ersetzt sein kön nen, die durch einen oder mehrere, nicht aromatische Reste R substituiert sein kann; wobei
R1, R2, R3, R4 gleich oder verschieden sind und für aliphatische oder aromatische Kohlenwasserstoffreste mit 1 bis 25 C-Atomen oder auch H stehen und
A- ein einfach geladenes Anion bedeutet,
wobei das PAV eine Regioregularität von mehr als 98%, insbe sondere 99% oder mehr, bevorzugt 99,5% oder mehr besonders bevorzugt 100% in der Kettenverknüpfung hat.
Ar für eine Arylgruppe mit 4 bis 14 C-Atomen steht und (R) bedeutet, dass Ar einen oder mehrere Substituenten R ha ben kann, die gleich oder verschieden sein können und eine Phenyl- oder Phenyloxygruppe oder eine geradkettige oder ver zweigte oder cyclische Alkyl- oder Alkoxygruppe mit 1 bis 25 C-Atomen darstellen, wobei ein oder mehrere nicht benach barte CH2-Gruppen durch -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -NR1-, -NR2R3)+A-, -O-COO-, -NR1-CO-NR1- oder -CONR4 ersetzt sein kön nen und wobei ein oder mehrere H-Atome durch F, CN, Cl, Br, J oder eine Arylgruppe mit 4 bis 14 C-Atome ersetzt sein kön nen, die durch einen oder mehrere, nicht aromatische Reste R substituiert sein kann; wobei
R1, R2, R3, R4 gleich oder verschieden sind und für aliphatische oder aromatische Kohlenwasserstoffreste mit 1 bis 25 C-Atomen oder auch H stehen und
A- ein einfach geladenes Anion bedeutet,
wobei das PAV eine Regioregularität von mehr als 98%, insbe sondere 99% oder mehr, bevorzugt 99,5% oder mehr besonders bevorzugt 100% in der Kettenverknüpfung hat.
Weiterhin ist Gegenstand der Erfindung ein Verfahren zur Her
stellung eines Polyarylenvinylen (PAV) mit hoher Ladungsträ
gerbeweglichkeit, insbesondere von 10-4 cm2/Vs oder höher, be
vorzugt 10-3 cm2/Vs oder höher, besonders bevorzugt 10-2 cm2/Vs
oder höher, bei dem über eine AB-Eliminierung eine mehr als
98%, insbesondere 100% regioregulare Verknüpfung der Monome
ren erzielt wird. Insbesondere steht für A eine Formaldehyd
gruppe -CH=O und für B eine der Gruppen -CH2PPh3]+Cl-,
-CH2PO(OEt)2 oder (-CH3), die im Rahmen einer Vernetzungskon
densationsreaktion regioregular miteinander abreagieren.
Schließlich sind noch verschiedene Verwendungen des halblei
tenden Materials beispielsweise für organische Leuchtdioden,
Photozellen, Feldemissionsanzeigen oder Sensoren, und eine
integrierte Schaltung auf Basis organischen Materials Gegen
stand der Erfindung.
Bevorzugt wird ein Verfahren angewendet, dass zu einer regio
regularen HT (head-tail) Verknüpfung der Monomeren führt.
Die Polymere weisen im allgemeinen zwischen 2 und 15 000 Mono
mereinheiten, vorzugsweise 10 bis 7500 besonders bevorzugt
100 bis 5000 und ganz bevorzugt zwischen 250 und 2000 Mono
mereinheiten auf, die zu 98% oder mehr regioregular verknüpft
sind. Diese Werte werden vorzugsweise so gewählt, dass das
rheologische und mechanische Verhalten der Polymere und der
daraus hergestellten Filme optimiert ist.
Die Bildung des Polymers aus gleichen oder ungleichen Mono
mereinheiten richtet sich je nach Bedarf und kann durch die
Zugabe verschiedener Monomereinheiten während der Herstellung
gesteuert werden. So entstehen dann Copolymere, das heißt Po
lymere, die zumindest aus zwei verschiedenen Monomereinheiten
aufgebaut sind.
Bevorzugt sind Monomereinheiten
in der Ar folgende Bedeutung annimmt
in der Ar folgende Bedeutung annimmt
wobei
R, R' gleich oder verschieden sein können und Phenyl- oder eine Phenaloxygruppe oder eine geradkettige, verzweigte oder cyclische Alkyl- oder Alkoxygruppe mit 1 bis 25 C-Atomen dar stellen, wobei ein oder mehrere nicht benachbarte CH2-Gruppen durch -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -NR1-, -NR2R3)+A-, -O-COO-, -NR1-CO-NR1- oder -CONR4 ersetzt sein können und wo bei ein oder mehrere H-Atome durch F, CN, Cl, Br, J oder eine Arylgruppe mit 4 bis 14 C-Atomen, die durch einen oder mehre re, nicht aromatische Reste R substituiert sein kann, ersetzt sein können; wobei
R1, R2, R3, R4 gleich oder verschieden sind und für aliphatische oder aromatische Kohlenwasserstoffreste mit 1 bis 25 C-Atomen oder auch H stehen.
R, R' gleich oder verschieden sein können und Phenyl- oder eine Phenaloxygruppe oder eine geradkettige, verzweigte oder cyclische Alkyl- oder Alkoxygruppe mit 1 bis 25 C-Atomen dar stellen, wobei ein oder mehrere nicht benachbarte CH2-Gruppen durch -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -NR1-, -NR2R3)+A-, -O-COO-, -NR1-CO-NR1- oder -CONR4 ersetzt sein können und wo bei ein oder mehrere H-Atome durch F, CN, Cl, Br, J oder eine Arylgruppe mit 4 bis 14 C-Atomen, die durch einen oder mehre re, nicht aromatische Reste R substituiert sein kann, ersetzt sein können; wobei
R1, R2, R3, R4 gleich oder verschieden sind und für aliphatische oder aromatische Kohlenwasserstoffreste mit 1 bis 25 C-Atomen oder auch H stehen.
Besonders bevorzugt wird als Ar ein 3-Alkyl-substituiertes
Thiophen eingesetzt, wobei durch die Methode der Carbonylole
finierung ein Poly(3-alkyl-2,5-thienylen-vinylene)(PTV) ent
steht.
Bevorzugt wird als R eine Alkyl- oder Alkoxygruppe mit 6 bis
24 C-Atomen eingesetzt.
Im folgenden wird das Verfahren zur mehr als 98% regioregu
laren Verknüpfung durch die Methode der Carbonylolefinierung
anhand eines Beispiels näher erläutert:
wobei R die oben angegebene Bedeutung hat.
Die Polymere werden bevorzugt als organische Halbleiter ein
gesetzt, insbesondere bevorzugt als Funktionsschicht z. B. ei
ner integrierten Schaltung, einer organischen Diode, einer
Photozelle, Feldemissionsanzeige oder einem Sensor.
Claims (10)
1. Polyarylenvinylen (PAV) der allgemeinen Formel I
-(Ar(R)-CH=CH)n-
in der
Ar für eine Arylgruppe mit 4 bis 14 C-Atomen steht und (R) bedeutet, dass Ar einen oder mehrere Substituenten R ha ben kann, die gleich oder verschieden sein können und eine Phenyl- oder Phenyloxygruppe oder eine geradkettige oder ver zweigte oder cyclische Alkyl- oder Alkoxygruppe mit 1 bis 25 C-Atomen darstellen, wobei ein oder mehrere nicht benachbarte CH2-Gruppen durch -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -NR1-, (-NR2R3)+A-, -O-COO-, -NR1-CO-NR1- oder -CONR4 ersetzt sein können und wobei ein oder mehrere H-Atome durch F, CN, Cl, Br, J oder eine Arylgruppe mit 4 bis 14 C-Atome ersetzt sein können, die durch einen oder mehrere, nicht aromatische Reste R substituiert sein kann; wobei
R1, R2, R3, R4 gleich oder verschieden sind und für aliphatische oder aromatische Kohlenwasserstoffreste mit 1 bis 25 C-Atomen oder auch H stehen und
A- ein einfach geladenes Anion bedeutet,
wobei das PAV eine Regioregularität von mehr als 98%, in der Kettenverknüpfung hat.
-(Ar(R)-CH=CH)n-
in der
Ar für eine Arylgruppe mit 4 bis 14 C-Atomen steht und (R) bedeutet, dass Ar einen oder mehrere Substituenten R ha ben kann, die gleich oder verschieden sein können und eine Phenyl- oder Phenyloxygruppe oder eine geradkettige oder ver zweigte oder cyclische Alkyl- oder Alkoxygruppe mit 1 bis 25 C-Atomen darstellen, wobei ein oder mehrere nicht benachbarte CH2-Gruppen durch -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -NR1-, (-NR2R3)+A-, -O-COO-, -NR1-CO-NR1- oder -CONR4 ersetzt sein können und wobei ein oder mehrere H-Atome durch F, CN, Cl, Br, J oder eine Arylgruppe mit 4 bis 14 C-Atome ersetzt sein können, die durch einen oder mehrere, nicht aromatische Reste R substituiert sein kann; wobei
R1, R2, R3, R4 gleich oder verschieden sind und für aliphatische oder aromatische Kohlenwasserstoffreste mit 1 bis 25 C-Atomen oder auch H stehen und
A- ein einfach geladenes Anion bedeutet,
wobei das PAV eine Regioregularität von mehr als 98%, in der Kettenverknüpfung hat.
2. Polyarylenvinylen (PAV) nach Anspruch 1, bei dem zwischen 2
und 15000 Monomereinheiten regioregular verknüpft sind.
3. Polyarylenvinylen (PAV) nach einem der Ansprüche 1 oder 2,
das aus zumindest zwei verschiedenen Monomereinheiten aufge
baut ist.
4. Verfahren zur Herstellung eines Polyarylenvinylen (PAV)
mit hoher Ladungsträgerbeweglichkeit bei dem über eine AB-
Eliminierung eine mehr als 98% regioregulare Verknüpfung der
Monomeren erzielt wird,
wobei A und B für zwei funktionelle organische Reste an einem
Aromaten stehen, die in einer Kondensationsreaktion eine re
gioregulare Verknüpfung der betroffenen Monomeren bewirken.
5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei A für -CH=O und B für -
CH2PPh3]+X- (X = Halogen) oder -CH2PO(OEt)2 steht, die im Rah
men einer Kondensationsreaktion von Monomeren regioregular
miteinander abreagieren.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 oder 5, bei dem eine
regioregulare HT (head-tail) Verknüpfung der Monomeren ent
steht.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, bei dem durch
Zugabe verschiedener Monomereinheiten während der Herstellung
Copolymere entstehen.
8. Polyarylenvinylen hergestellt durch ein Verfahren nach ei
nem der Ansprüche 4 bis 7.
9. Integrierte Schaltung, organische Leuchtdiode, Photozelle,
Feldemissionsanzeige oder Sensor enthaltend ein Polyarylenvi
nylen nach einem der Ansprüche 1 bis 3 oder 8.
10. Integrierte Schaltung auf der Basis organischen Materi
als, bei der ein Funktionspolymer ein mehr als 98% regiore
gulares organisches Polymer aus Monomereinheiten der allge
meinen Formel I ist.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10063721A DE10063721A1 (de) | 2000-12-20 | 2000-12-20 | Organischer Halbleiter, Herstellungsverfahren dazu und Verwendungen |
AU2002226301A AU2002226301A1 (en) | 2000-12-20 | 2001-12-17 | Organic semiconductor, production method therefor and the use thereof |
EP01995611A EP1344261A2 (de) | 2000-12-20 | 2001-12-17 | Organischer halbleiter, herstellungsverfahren dazu und verwendungen |
PCT/DE2001/004743 WO2002050926A2 (de) | 2000-12-20 | 2001-12-17 | Organischer halbleiter, herstellungsverfahren dazu und verwendungen |
JP2002551925A JP2004516343A (ja) | 2000-12-20 | 2001-12-17 | 有機半導体、そのための製法および使用 |
US10/451,108 US20040092690A1 (en) | 2000-12-20 | 2001-12-17 | Organic semiconductor, production method therefor and the use thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10063721A DE10063721A1 (de) | 2000-12-20 | 2000-12-20 | Organischer Halbleiter, Herstellungsverfahren dazu und Verwendungen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10063721A1 true DE10063721A1 (de) | 2002-07-11 |
Family
ID=7668083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10063721A Withdrawn DE10063721A1 (de) | 2000-12-20 | 2000-12-20 | Organischer Halbleiter, Herstellungsverfahren dazu und Verwendungen |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040092690A1 (de) |
EP (1) | EP1344261A2 (de) |
JP (1) | JP2004516343A (de) |
AU (1) | AU2002226301A1 (de) |
DE (1) | DE10063721A1 (de) |
WO (1) | WO2002050926A2 (de) |
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