KR20130032540A - 알에프아이디 태그 및 그 제조방법 - Google Patents

알에프아이디 태그 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20130032540A
KR20130032540A KR1020110096193A KR20110096193A KR20130032540A KR 20130032540 A KR20130032540 A KR 20130032540A KR 1020110096193 A KR1020110096193 A KR 1020110096193A KR 20110096193 A KR20110096193 A KR 20110096193A KR 20130032540 A KR20130032540 A KR 20130032540A
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Abstract

본 발명은 알에프아이디 태그에 관한 것으로, 특히 제조 비용을 대폭 절감할 수 있도록 된 알에프아디 태그 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 알에프아이디 태그는 종이 또는 유기물 기판(1)을 이용하여 형성된다. 기판(1)상에는 안테나(11)와 신호처리파트(12)가 구비된다. 이들 회로부는 진공증착법 또는 잉크젯법을 통해 기판(1)상에 직접적으로 형성된다. 그리고 안테나(11)와 신호처리파트(12)는 동일한 물질층이 동일한 공정을 통해 형성된다.

Description

알에프아이디 태그 및 그 제조방법{RFID tag and method of manufacturing the same}
본 발명은 알에프아이디 태그에 관한 것으로, 특히 제조 비용을 대폭 절감할 수 있도록 된 알에프아디 태그 및 그 제조방법에 관한 것이다.
현재 알에프아이디 태그가 폭넓게 사용되고 있다. 알에프아이디 태그는 통상적으로 안테나와 신호처리부 및 메모리를 구비하여 구성된다. 알에프아이디 태그는 다른 장치와 RF 신호를 이용하여 통신을 실행하고, 데이터 메모리에 저장되어 있는 아이디 정보 등의 데이터를 외부 장치로 전송한다. 알에프아이디 태그는 인증수단이나 교통카드 등에 주로 많이 사용되고 있고, 향후에는 물품 관리 등의 용도나 가격 정보의 제공 등의 용도로서 물류나 유통 등에 주요하게 사용될 것으로 예상되고 있다.
상술한 바와 같이 종래의 알에프아이디 태그는 플라스틱 등의 유기물에 안테나 등의 통신 수단과 데이터 메모리 등의 데이터 저장수단 및 각종 신호처리수단을 실장하여 형성하게 된다. 따라서 현재 생산 및 판매되고 있는 알에프아이디 태그의 가격은 비교적 높기 때문에 이러한 알에프아이디 태그를 물류나 유통 등에 일회성 물품으로서 사용하기에는 비용상 많은 문제점을 갖고 있다.
이에, 본 발명은 상기한 사정을 감안하여 창출된 것으로서 매우 저렴하게 제조할 수 있는 알에프아이디 태그를 제공함에 기술적 목적이 있다.
또한 본 발명은 알에프아이디 태그를 저렴하게 제조할 수 있는 알에프아이디 태그 제조방법을 제공함에 다른 목적이 있다.
상기 목적을 실현하기 위한 본 발명의 제1 관점에 따른 알에프아이디 태그는 종이로 구성되는 기판과, 상기 기판상에 형성되는 안테나, 상기 기판상에 형성됨과 더불어 안테나를 통해 송수신되는 데이터를 처리하는 신호처리파트를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 안테나와 신호처리파트를 전체적으로 피복하면서 보호층이 추가로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 안테나는 잉크젯법 또는 진공증착법을 통해 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 종이 기판이 내열성 물질이 코딩된 종이인 것을 특징으로 한다.
또한 상기 신호처리파트는 트랜지스터, 메모리장치, 저항, 캐패시터, 인덕터 중 적어도 하나를 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 트랜지스터는 상기 종이 기판상에 형성되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극상에 형성되는 절연층, 상기 절연층상에 형성되는 채널형성층 및, 상기 채널형성층상에 형성되는 소스 및 드레인 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 트랜지스터가 상기 종이 기판상에 형성되는 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 및 드레인 전극과 종이 기판상에 형성되는 채널형성층 및, 상기 채널형성층상에 형성되는 절연층 및, 상기 절연층상에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 트랜지스터가 상기 종이 기판상에 형성되는 채널형성층과, 상기 채널형성층상에 형성되는 소스 및 드레인 전극, 상기 채널형성층상의 소스 및 드레인 전극 사이에 형성되는 절연층 및, 상기 절연층상에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 트랜지스터가 상기 종이 기판상에 형성되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극상에 형성되는 절연층, 상기 게이트 전극의 양측면에 각각 형성되는 소스 및 드레인 전극 및, 상기 절연층과 소스 및 드레인 전극 상에 형성되는 채널형성층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 게이트 전극이 금속을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 채널형성층이 유기물 반도체로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 채널형성층이 절연층으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 게이트 전극이 도전성 유기물로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 메모리 장치가 강유전체 메모리 장치인 것을 특징으로 한다.
또한 상기 메모리 장치가 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되고, 상기 게이트전극과 강유전체층 사이에 채널형성층이 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 채널형성층은 유기물 또는 무기물 반도체층인 것을 특징으로 한다.
또한 상기 채널형성층은 절연층인 것을 특징으로 한다.
또한 상기 강유전체층이 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 혼합물에 실리사이트, 실리케이트 또는 다른 금속이 추가로 혼합되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 금속이 철인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제2 관점에 따른 알에프아이디 태그는 유기물로 구성되는 기판과, 상기 기판상에 직접적으로 형성되는 안테나 및, 상기 기판상에 직접적으로 형성됨과 더불어 안테나를 통해 송수신되는 데이터를 처리하는 신호처리파트를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 안테나와 신호처리파트를 전체적으로 피복하면서 보호층이 추가로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 안테나는 잉크젯법을 통해 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 신호처리파트는 잉크젯법을 통해 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 신호처리파트는 트랜지스터, 메모리장치, 저항, 캐패시터, 인덕터 중 적어도 하나를 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 트랜지스터는 상기 유기물 기판상에 형성되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극상에 형성되는 절연층, 상기 절연층상에 형성되는 채널형성층 및, 상기 채널형성층상에 형성되는 소스 및 드레인 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 트랜지스터가 상기 유기물 기판상에 형성되는 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 및 드레인 전극과 종이 기판상에 형성되는 채널형성층 및, 상기 채널형성층상에 형성되는 절연층 및, 상기 절연층상에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 트랜지스터가 상기 유기물 기판상에 형성되는 채널형성층과, 상기 채널형성층상에 형성되는 소스 및 드레인 전극, 상기 채널형성층상의 소스 및 드레인 전극 사이에 형성되는 절연층 및, 상기 절연층상에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 트랜지스터가 상기 유기물 기판상에 형성되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극상에 형성되는 절연층, 상기 게이트 전극의 양측면에 각각 형성되는 소스 및 드레인 전극 및, 상기 절연층과 소스 및 드레인 전극 상에 형성되는 채널형성층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 게이트 전극이 금속을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 채널형성층이 유기물 반도체로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 채널형성층이 절연층으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 게이트 전극이 도전성 유기물로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 메모리 장치가 강유전체 메모리 장치인 것을 특징으로 한다.
또한 상기 메모리 장치가 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되고, 상기 게이트전극과 강유전체층 사이에 채널형성층이 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 채널형성층은 유기물 또는 무기물 반도체층인 것을 특징으로 한다.
또한 상기 채널형성층은 절연층인 것을 특징으로 한다.
또한 상기 강유전체층이 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 혼합물에 실리사이트, 실리케이트 또는 다른 금속이 추가로 혼합되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 금속이 철인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제3 관점에 따른 알에프아이디 태그의 제조방법은 종이 기판을 준비하는 단계와, 상기 종이 기판상에 안테나를 형성하는 단계 및, 상기 종이 기판상에 신호처리파트를 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 안테나 형성단계와 신호처리파트 형성단계는 동일한 물질층이 동일한 공정에서 실행되는 것을 특징으로 한다.
또한 안테나 및 신호처리파트의 전체 표면상에 보호층을 형성하는 단계를 추가로 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 안테나 형성단계는 진공증착법을 통해 실행되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 종이 기판을 진공 또는 불활성 가스분위기 내에서 가열하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제4 관점에 따른 알에프아이디 태그의 제조방법은 유기물 기판을 준비하는 단계와, 상기 유기물 기판상에 안테나를 형성하는 단계 및, 상기 유기물 기판상에 신호처리파트를 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 안테나 형성단계와 신호처리파트 형성단계는 동일한 물질층이 동일한 공정에서 실행되는 것을 특징으로 한다.
또한 안테나 및 신호처리파트의 전체 표면상에 보호층을 형성하는 단계를 추가로 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 안테나 형성단계는 잉크젯법을 통해 실행되는 것을 특징으로 한다.
상기한 구성으로 된 본 발명에 의하면, 종이나 유기물 기판상에 회로 배선이나 메모리를 형성하는 방법으로 알에프아이디 태그를 제조하게 된다. 따라서 알에프아이디 태그의 제조비용이 대폭 낮아지게 된다.
도 1은 본 발명에 따른 알에프아이디 태그의 구조를 나타낸 평면도.
도 2는 알에프아이디 태그상에 인덕터를 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면.
도 3은 알에프아이디 태그상에 형성되는 트랜지스터의 구조예를 나타낸 단면도.
도 4는 알에프아이디 태그상에 형성되는 트랜지스터의 다른 구조예를 나타낸 단면도.
도 5는 알에프아이디 태그상에 형성되는 메모리장치의 구조를 나타낸 단면도.
도 6은 도 5에 나타낸 메모리 셀의 등가회로도.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 설명한다. 단, 이하에서 설명하는 실시예는 본 발명의 하나의 바람직한 구현예를 예시적으로 나타낸 것으로서, 이러한 실시예의 예시는 본 발명의 권리범위를 제한하기 위한 것이 아니다. 본 발명은 본 발명의 실시예로부터 당업자가 다양한 방법으로 변형시켜 실시할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 알에프아이디 태그의 구성을 나타낸 평면도이다.
도면에서 참조번호 1은 기판이다. 이 기판(1)상에는 안테나(11)와 신호처리파트(12)가 구비된다.
상기 기판(1)은 유기물 또는 종이로 구성된다. 이때 유기물로서는 예컨대 폴리이미드(PI), 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리염화비닐(PVC), 폴리에틸렌(PE), 에틸렌 공중합체, 폴리프로필렌(PP), 프로필렌 공중합체, 폴리(4-메틸-1-펜텐)(TPX), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리아세탈(POM), 폴리페닐렌옥사이드(PPO), 폴리설폰(PSF), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리염화비닐리덴(PVDC), 폴리초산비닐(PVAC), 폴리비닐알콜(PVAL), 폴리비닐아세탈, 폴리스티렌(PS), AS수지, ABS수지, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 불소수지, 페놀수지(PF), 멜라민수지(MF), 우레아수지(UF), 불포화폴리에스테르(UP), 에폭시수지(EP), 디알릴프탈레이트수지(DAP), 폴리우레탄(PUR), 폴리아미드(PA), 실리콘수지(SI) 또는 이것들의 혼합물 및 화합물을 이용할 수 있다.
또한 종이로서는 펄프를 주원료로 하여 제조된 일체의 종이와, 이러한 종이에 세라믹이나 실리콘 등의 내열성 재료를 침투시킨 것을 사용할 수 있다.
안테나(11)는 도전성 물질로 구성되고, 이는 예컨대 잉크젯법 등을 통해 기판(11)상에 형성된다.
또한 기판(1)으로서 종이를 이용하는 경우에는 바람직하게 진공증착법이 이용될 수 있다. 그리고 이때 필요에 따라 안테나(11)나 신호처리파트(12)를 형성하기 전에 기판(1)을 진공상태 또는 예컨대 아르곤(Ar), 네온(Ne) 등의 비활성 가스 분위기내에서 열처리함으로써 종이에 흡착되어 있는 수분이나 공기를 제거하는 것도 바람직하다.
신호처리파트(12)에는 데이터 송수신을 위한 회로부와 메모리 및 데이터 처리를 위한 회로부가 구비된다. 그리고 이때 회로부는 통상적으로 저항, 캐패시터, 인덕터, 트랜지스터 등으로 구성된다.
여기서 저항은 신호선의 폭과 두께를 조절하여 형성하는 것이 가능하고, 인덕터는 도 2에 나타낸 바와 같이 신호선을 순차적으로 절곡시킨 패턴으로 형성하는 방법을 통해 형성할 수 있게 된다. 또한 캐패시터는 도전성 물질과 유전물질을 잉크젯법 등으로 순차 적층하여 도전층과 유전체층을 형성하는 방법을 통해 구성할 수 있게 된다.
도 3은 기판(1)상에 형성되는 트랜지스터의 구성예를 나타낸 단면도이다.
도면에서 종이로 구성되는 기판(1)상에는 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag) 등의 도전성 금속으로 이루어지는 금속배선(31)이 형성된다.
상기 금속배선(31)은 트랜지스터의 게이트 전극으로서 제공된 것으로서, 이는 종이 기판(1)상에 진공증착방법을 통해 형성된다.
이어, 상기 금속배선(31)이 형성되어 있는 구조체상에 절연층(32)을 도포하고, 절연층(32)상에 채널형성층(33)을 형성한다. 이때, 채널형성층(33)으로서는 펜타센(Pentacene) 등의 유기물 반도체를 진공증착 또는 스핀코팅하여 형성하게 된다.
또한, 상기 유기물 반도체로서는 펜타센 이외에 예컨대 Cu-프탈로시아닌(Cu-phthalocyanine), 폴리아세틸렌(Polyacetylene), 메로시아닌(Merocyanine), 폴리티오펜(Polythiophene), 프탈로시아닌(Phthalocyanine), 폴리(3-헥실티오펜)[Poly(3-hexylthiophene)], 폴리(3-알킬티오펜) [Poly(3-alkylthiophene)], α-섹시티오펜(α-sexithiophene), α-ω-디헥실-섹시티오펜(α-ω-dihexyl-sexithiophene), 폴리티닐렌비닐렌(Polythienylenevinylene), Bis(dithienothiophene), α-ω-디헥실-쿼터티오펜(α-ω-dihexyl-quaterthiophene), 디헥실-안트라디티오펜(Dihexyl-anthradithiophene), α-ω-디헥실-퀸퀘티오펜(α-ω-dihexyl-quinquethiophene), F8T2, Pc2Lu, Pc2Tm, C60/C70, TCNQ, C60, PTCDI-Ph, TCNNQ, NTCDI, NTCDA, PTCDA, F16CuPc, NTCDI-C8F, DHF-6T, PTCDI-C8 등을 이용할 수 있다.
또한, 상기 채널형성층(33)으로서는 절연층을 이용하는 것도 가능하다. 이때 절연층으로서는 ZrO2, SiO4, Y2O3, CeO2 등의 무기물이나, BCB, 폴리이미드(Polyimide), 아크릴(Acryl), 파릴린 C(Parylene C), PMMA, CYPE 등의 유기물이 이용될 수 있다.
그리고, 상기 채널형성층(33)상에는 소스전극(34) 및 드레인전극(35)을 형성하여 트랜지스터를 완성하게 된다.
이때, 상기 소스전극(34) 및 드레인전극(35)으로는 금, 은, 알루미늄, 플라티늄, 인듐주석화합물(ITO), 스트론튬티타네이트화합물(SrTiO3)이나, 그 밖의 전도성 금속 산화물과 이것들의 합금 및 화합물, 또는 전도성 중합체를 기재로 하는 예컨대 폴리아닐린, 폴리(3, 4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리스티렌술포네이트(PEDOT:PSS) 등의 혼합물이나 화합물 또는 다층물 등의 재질이 이용된다.
상술한 실시예에 있어서는 종이 기판(1)상에 금속 배선을 이용하여 게이트 전극(31)을 형성하고, 이 위에 절연층(32)과 채널형성층(33)을 순차 형성하는 인버티드 스태거드 구조(Inverted staggered)의 트랜지스터를 예로 들어 설명하였으나, 상기 구조 이외에 스태거드(Staggered) 구조, 코플래너(Coplanar) 구조 및 인버티드 코플래너(Inverted coplanar) 구조의 트랜지스터에 대해서도 동일한 방식으로 적용할 수 있다.
도 4는 본 발명이 적용될 수 있는 트랜지스터의 다른 구조예를 나타낸 단면도로서, 도 4a는 스태거드 구조, 도 4b는 코플래너 구조, 도 4c는 인버티드 코플래너 구조를 나타낸 것이다. 또한, 도 4에서 도 3과 대응하는 부분에는 동일한 참조번호가 부가되어 있다.
도 4a에 나타낸 스태거드 구조에 있어서는, 종이 기판(1)상에 진공증착을 이용하여 소스 전극(34) 및 드레인 전극(35)을 형성하고, 이들 전극(34, 35)이 형성된 구조체 상에 예컨대 진공증착 또는 스핀코팅을 이용하여 전체적으로 채널형성층(33)을 형성하게 된다.
물론, 이 경우에 있어서도 상기 채널형성층(33)으로서는 유기물 반도체층이나 절연층을 이용할 수 있다.
그리고, 상기 채널형성층(33)상에 절연층(32) 및 게이트 전극(31)을 순차 형성하여 트랜지스터를 구성하게 된다.
도 4b에 나타낸 코플래너 구조에 있어서는, 종이 기판(1)상에 유기물 반도체 또는 절연층의 채널형성층(33)을 형성하고, 이 위에 소스 및 드레인 전극(34, 35)을 형성한다.
그리고, 상기 채널형성층(33)상의 소스 및 드레인 전극(34, 35) 사이에 절연층(32)을 형성한 후, 절연층(32)상에 게이트 전극(31)을 형성하여 트랜지스터를 구성하게 된다.
도 4c에 나타낸 인버티드 코플래너 구조에 있어서는 종이 기판(1)상에 진공증착법으로 금속 배선 등의 게이트 전극(31)을 형성하고, 이 게이트 전극(31)상에 절연층(32)을 형성하게 된다. 그리고, 이 절연층(32)상에 유기물 반도체 또는 절연층의 채널형성층(33)을 형성함과 더불어, 그 양측에 소스 및 드레인 전극(34, 35)을 형성하여 트랜지스터를 구성하게 된다.
또한 상술한 실시예에 있어서는 기판(1)으로서 종이 기판을 예로 들어 설명하였으나 기판(1)으로서는 유기물 기판을 채용할 수 있다. 그리고 게이트 전극의 형성을 금속 배선을 이용하여 형성하는 것에 대하여 설명하였으나, 도전성 유기물 등을 잉크젯이나 스크린인쇄 등의 인쇄방법을 통해 형성하는 것도 가능하다.
신호처리파트(12)에 구비되는 메모리로서는 바람직하게 강유전체 메모리가 채용된다.
도 5에서 기판(1)상에 트랜지스터 또는 메모리 셀이 형성된다. 여기서, 기판(1)은 종이 또는 유기물 기판으로 구성된다.
상기 기판(1)상에 주지된 방법을 통해 하부전극으로서 게이트전극(51)이 형성된다. 이때 게이트전극(51)으로서는 금, 은, 알루미늄, 플라티늄, 인듐주석화합물(ITO), 스트론튬티타네이트화합물(SrTiO3)이나, 그 밖의 전도성 금속 산화물과 이것들의 합금 및 화합물, 또는 전도성 중합체를 기재로 하는 예컨대 폴리아닐린, 폴리(3, 4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리스티렌술포네이트(PEDOT:PSS) 등의 혼합물이나 화합물 또는 다층물 등의 재질이 이용된다.
이어, 상기 게이트전극(51)과 기판(1)을 전체적으로 도포하면서 채널형성층(52)으로서 예컨대 유기물 반도체층이 형성된다. 이 유기물 반도체층으로서는 예컨대 Cu-프탈로시아닌(Cu-phthalocyanine), 폴리아세틸렌(Polyacetylene), 메로시아닌(Merocyanine), 폴리티오펜(Polythiophene), 프탈로시아닌(Phthalocyanine), 폴리(3-헥실티오펜)[Poly(3-hexylthiophene)], 폴리(3-알킬티오펜) [Poly(3-alkylthiophene)], α-섹시티오펜(α-sexithiophene), 펜타센(Pentacene), α-ω-디헥실-섹시티오펜(α-ω-dihexyl-sexithiophene), 폴리티닐렌비닐렌(Polythienylenevinylene), Bis(dithienothiophene), α-ω-디헥실-쿼터티오펜(α-ω-dihexyl-quaterthiophene), 디헥실-안트라디티오펜(Dihexyl-anthradithiophene), α-ω-디헥실-퀸퀘티오펜(α-ω-dihexyl-quinquethiophene), F8T2, Pc2Lu, Pc2Tm, C60/C70, TCNQ, C60, PTCDI-Ph, TCNNQ, NTCDI, NTCDA, PTCDA, F16CuPc, NTCDI-C8F, DHF-6T, PTCDI-C8 등이 이용될 수 있다.
또한, 여기서 상기 채널형성층(52)으로서는 유기물 이외에 실리콘 등의 무기물 반도체층을 이용할 수 있다.
또한, 상기 채널형성층(52)으로서 절연층을 이용하는 것도 가능하다. 이때 절연층으로서는 ZrO2, SiO4, Y2O3, CeO2 등의 무기물이나, BCB, 폴리이미드(Polyimide), 아크릴(Acryl), 파릴린 C(Parylene C), PMMA, CYPE 등의 유기물이 이용될 수 있다.
상기 채널형성층(52)은 본 강유전체 메모리 장치의 채널 형성을 위한 것이다.
상기 채널형성층(52)상의 게이트 전극(51)에 대응하는 영역에는 강유전체층(53)이 형성된다. 이때, 상기 강유전체층(53)은 무기물 강유전 물질, 유기물 강유전 물질 또는 이들 강유전 물질의 혼합물로 구성된다. 또한 바람직하게는 이들 강유전 물질에 예컨대 철(Fe) 등의 금속 물질이 혼합된다.
그리고, 상기 강유전체층(53)의 양측면에는 상부전극으로서 드레인전극(54) 및 소스전극(55)이 형성된다.
이때, 상기 드레인전극(54) 및 소스전극(55)으로는 금, 은, 알루미늄, 플라티늄, 인듐주석화합물(ITO), 스트론튬티타네이트화합물(SrTiO3)이나, 그 밖의 전도성 금속 산화물과 이것들의 합금 및 화합물, 또는 전도성 중합체를 기재로 하는 예컨대 폴리아닐린, 폴리(3, 4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리스티렌술포네이트(PEDOT:PSS) 등의 혼합물이나 화합물 또는 다층물 등의 재질이 이용된다.
상기한 구조에 있어서는 게이트전극(51)에 가해지는 전압에 따라 강유전체층(53)이 분극특성을 가지게 된다. 그리고, 이와 같이 강유전체층(53)의 분극특성에 의해 채널형성층(52)에 소정의 채널이 형성됨으로써 드레인전극(54)과 소스전극(55)이 이 채널영역을 통해 도통 또는 비도통상태로 설정되게 된다.
현재 상용화 되어 있는 일반적인 메모리 장치의 경우에는 1T-1C(One Transistor-One Capacitor)구조를 갖는다. 이들 메모리 장치에 있어서는 통상 트랜지스터의 온/오프를 통해 캐패시터에 소정의 전압을 충전 또는 방전시키는 방법을 통해 캐패시터에 데이터를 기록하거나 캐패시터로부터 데이터를 독출하게 된다.
상기 구조에 있어서는 게이트전극(51)에 가해지는 전압에 따라 강유전체층(53)이 소정의 분극특성을 갖게 되고, 이러한 분극특성은 전압을 차단하는 경우에도 일정하게 유지된다. 따라서, 상기한 구조로 된 메모리 장치의 경우에는 도 6에 나타낸 바와 같이 본 강유전체 메모리장치의 소스전극을 접지시키고, 드레인전극을 통해 데이터를 독출하는 간단한 1T 구조로 비휘발성 메모리장치를 구성할 수 있게 된다.
상술한 실시예에 있어서는 알에프아이디 태그가 종이나 유기물 기판상에 구현됨과 더불어, 안테나를 포함하는 회로부가 일괄적인 공정을 통해서 형성되게 된다. 따라서 알에프아이디 태그의 제조 가격이 낮아지고 알에프아이디 태그를 일괄 공정을 통해 대량으로 생산할 수 있게 되므로 알에프아이디 태그의 제조가 매우 용이해지게 된다.
또한 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변형시켜 실시할 수 있게 된다.
예를 들어, 도 1에 있어서는 알에프아이디 태그의 형상을 장방향의 것으로 도시하여 설명하였으나, 알에프아이디 태그의 전체적인 형상은 특정한 것에 한정되지 않고 다양한 형태로 변형시켜 실시할 수 있다.
또한 도 1의 실시예에서 알에프아이디 태그의 전체 표면상에는 안테나(11)와 신호처리파트(12)를 손상이나 단락으로부터 보호하기 위한 보호층이 형성될 수 있다. 그리고 이때 보호층으로서는 바람직하게는 수분의 침투를 방지하기 위한 유기물 등이 바람직하게 사용될 수 있다.
1: 기판, 11: 안테나,
12: 신호처리파트.

Claims (49)

  1. 종이로 구성되는 기판과,
    상기 기판상에 형성되는 안테나,
    상기 기판상에 형성됨과 더불어 안테나를 통해 송수신되는 데이터를 처리하는 신호처리파트를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 안테나와 신호처리파트를 전체적으로 피복하면서 보호층이 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 안테나는 잉크젯법 또는 진공증착법을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 종이 기판이 내열성 물질이 코딩된 종이인 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 신호처리파트는 트랜지스터, 메모리장치, 저항, 캐패시터, 인덕터 중 적어도 하나를 구비하는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 트랜지스터는 상기 종이 기판상에 형성되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극상에 형성되는 절연층, 상기 절연층상에 형성되는 채널형성층 및, 상기 채널형성층상에 형성되는 소스 및 드레인 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 트랜지스터가 상기 종이 기판상에 형성되는 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 및 드레인 전극과 종이 기판상에 형성되는 채널형성층 및, 상기 채널형성층상에 형성되는 절연층 및, 상기 절연층상에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 트랜지스터가 상기 종이 기판상에 형성되는 채널형성층과, 상기 채널형성층상에 형성되는 소스 및 드레인 전극, 상기 채널형성층상의 소스 및 드레인 전극 사이에 형성되는 절연층 및, 상기 절연층상에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 트랜지스터가 상기 종이 기판상에 형성되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극상에 형성되는 절연층, 상기 게이트 전극의 양측면에 각각 형성되는 소스 및 드레인 전극 및, 상기 절연층과 소스 및 드레인 전극 상에 형성되는 채널형성층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  10. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 게이트 전극이 금속을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  11. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 채널형성층이 유기물 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  12. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 채널형성층이 절연층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  13. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 게이트 전극이 도전성 유기물로 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  14. 제5항에 있어서,
    상기 메모리 장치가 강유전체 메모리 장치인 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  15. 제5항에 있어서,
    상기 메모리 장치가 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되고,
    상기 게이트전극과 강유전체층 사이에 채널형성층이 형성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 채널형성층은 유기물 또는 무기물 반도체층인 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 채널형성층은 절연층인 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 강유전체층이 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 혼합물에 실리사이트, 실리케이트 또는 다른 금속이 추가로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 금속이 철인 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  21. 유기물로 구성되는 기판과,
    상기 기판상에 직접적으로 형성되는 안테나 및,
    상기 기판상에 직접적으로 형성됨과 더불어 안테나를 통해 송수신되는 데이터를 처리하는 신호처리파트를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 안테나와 신호처리파트를 전체적으로 피복하면서 보호층이 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 안테나는 잉크젯법을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  24. 제21항에 있어서,
    상기 신호처리파트는 잉크젯법을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  25. 제21항에 있어서,
    상기 신호처리파트는 트랜지스터, 메모리장치, 저항, 캐패시터, 인덕터 중 적어도 하나를 구비하는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 트랜지스터는 상기 유기물 기판상에 형성되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극상에 형성되는 절연층, 상기 절연층상에 형성되는 채널형성층 및, 상기 채널형성층상에 형성되는 소스 및 드레인 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  27. 제25항에 있어서,
    상기 트랜지스터가 상기 유기물 기판상에 형성되는 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 및 드레인 전극과 종이 기판상에 형성되는 채널형성층 및, 상기 채널형성층상에 형성되는 절연층 및, 상기 절연층상에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  28. 제25항에 있어서,
    상기 트랜지스터가 상기 유기물 기판상에 형성되는 채널형성층과, 상기 채널형성층상에 형성되는 소스 및 드레인 전극, 상기 채널형성층상의 소스 및 드레인 전극 사이에 형성되는 절연층 및, 상기 절연층상에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  29. 제25항에 있어서,
    상기 트랜지스터가 상기 유기물 기판상에 형성되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극상에 형성되는 절연층, 상기 게이트 전극의 양측면에 각각 형성되는 소스 및 드레인 전극 및, 상기 절연층과 소스 및 드레인 전극 상에 형성되는 채널형성층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  30. 제26항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 게이트 전극이 금속을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  31. 제26항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 채널형성층이 유기물 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  32. 제26항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 채널형성층이 절연층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  33. 제26항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 게이트 전극이 도전성 유기물로 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  34. 제25항에 있어서,
    상기 메모리 장치가 강유전체 메모리 장치인 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  35. 제25항에 있어서,
    상기 메모리 장치가 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 채널형성층 및 강유전체층을 포함하여 구성되고,
    상기 게이트전극과 강유전체층 사이에 채널형성층이 형성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  36. 제25항에 있어서,
    상기 채널형성층은 유기물 또는 무기물 반도체층인 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  37. 제25항에 있어서,
    상기 채널형성층은 절연층인 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  38. 제25항에 있어서,
    상기 강유전체층이 무기물 강유전 물질과 유기물 강유전 물질의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  39. 제38항에 있어서,
    상기 혼합물에 실리사이트, 실리케이트 또는 다른 금속이 추가로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  40. 제39항에 있어서,
    상기 금속이 철인 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그.
  41. 종이 기판을 준비하는 단계와,
    상기 종이 기판상에 안테나를 형성하는 단계 및,
    상기 종이 기판상에 신호처리파트를 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 형성방법.
  42. 제41항에 있어서,
    상기 안테나 형성단계와 신호처리파트 형성단계는 동일한 물질층이 동일한 공정에서 실행되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 형성방법.
  43. 제41항에 있어서,
    안테나 및 신호처리파트의 전체 표면상에 보호층을 형성하는 단계를 추가로 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 형성방법.
  44. 제41항에 있어서,
    상기 안테나 형성단계는 진공증착법을 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 형성방법.
  45. 제44항에 있어서,
    상기 종이 기판을 진공 또는 불활성 가스분위기 내에서 가열하는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 형성방법.
  46. 유기물 기판을 준비하는 단계와,
    상기 유기물 기판상에 안테나를 형성하는 단계 및,
    상기 유기물 기판상에 신호처리파트를 형성하는 단계를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 형성방법.
  47. 제46항에 있어서,
    상기 안테나 형성단계와 신호처리파트 형성단계는 동일한 물질층이 동일한 공정에서 실행되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 형성방법.
  48. 제46항에 있어서,
    안테나 및 신호처리파트의 전체 표면상에 보호층을 형성하는 단계를 추가로 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 형성방법.
  49. 제46항에 있어서,
    상기 안테나 형성단계는 잉크젯법을 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 알에프아이디 태그 형성방법.
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