DE10047171A1 - Elektrode und/oder Leiterbahn für organische Bauelemente und Herstellungverfahren dazu - Google Patents

Elektrode und/oder Leiterbahn für organische Bauelemente und Herstellungverfahren dazu

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Abstract

Die Erfindung betrifft Elektroden für organische Bauelemente, insbesondere für Bauelemente wie Feldeffekttransistoren (OFETs) und/oder Leuchtdioden (OLEDs), die leitfähige und fein strukturierte Elektrodenbahnen haben. Die Elektrode/Leiterbahn wird dabei durch einfachen Kontakt einer leitenden oder nicht-leitenden Schicht aus organischem Material mit einer chemischen Verbindung hergestellt, weil die chemische Verbindung die Schicht aus organischem Material an der Kontaktstelle deaktiviert oder aktiviert, d. h. leitend oder nicht-leitend macht.

Description

Die Erfindung betrifft Elektroden für organische Bauelemente, insbesondere für Bauelemente wie Feldeffekttransistoren (OFETs) und/oder Leuchtdioden (OLEDs), die leitfähige und fein strukturierte Elektrodenbahnen haben.
Bekannt sind leitfähige Elektrodenbahnen auf organischer Ba­ sis aus "Lithographic patterning of conductive polyaniline" von T. Mäkelä et al. in "Synthetic Metals" 101, (1999), S. 705-706. Dort wird beschrieben, wie auf ein Substrat eine leitfähige Polyanilinschicht (PANI) aufgebracht wird, die dann mit einer positiven Photoresistschicht bedeckt wird. Nach dem Trocknen wird die Photoresistschicht durch eine Schattenmaske mit UV-Licht bestrahlt. An den belichteten Stellen wird der Photoresist durch einen basischen Entwickler entfernt, der gleichzeitig durch eine chemische Reaktion das an den belichteten Stellen dann freiliegende Polyanilin in eine nicht-leitende Form überführt.
Ausserdem ist aus der Schrift "Low-cost all polymer integra­ ted circuits" von C. J. Dury et al. in "Applied Physics Let­ ters" Vol 73, No. 1, p. 108/110 bekannt, dass Polyanilin zusam­ men mit einem Photoinitiator auf das Substrat aufgebracht werden kann, wiederum nach dem Trocknen durch eine Schatten­ maske bestrahlt und an den belichteten Stellen chemisch be­ handelt in eine nicht-leitende Form überführt werden kann.
Nachteilig an den oben genannten Verfahren mit Photoresist­ schicht bzw. Photoinitiator ist, dass die Verfahren relativ aufwenidg sind, weil sie mehrere Arbeitsschritte selbst bei vorliegender Schicht aus leitfähigem organischen Material wie PANI benötigen, um die Elektroden zu erzeugen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Rationalisierung der Prozessschritte beim Erzeugen leitfähiger Bahnen und/oder Elektroden auf einem Substrat.
Gegenstand der Erfindung ist eine Elektrode und/oder Leiter­ bahn, die durch In-Kontakt-bringen einer Schicht aus organi­ schem Material mit einer chemischen Verbindung herstellbar ist. Ausserdem ist Gegenstand der Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Elektrode und/oder einer Leiterbahn durch In-Kontakt-Bringen eines beschichteten Substrats mit einer chemischen Verbindung.
Nach einer vorteilhaften Ausgestaltung wird die Elektrode und/oder Leiterbahn durch partielle Aktivierung oder Desakti­ vierung der Schicht aus organischem Material hergestellt.
Nach einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist das organische Material leitfähig und flächig auf einem Substrat aufgebracht. An den Stellen, an denen diese Schicht organi­ schen Materials in Kontakt mit der chemischen Verbindung kommt, wird sie in ihre nicht-leitfähige Form überführt.
Nach einer Ausgestaltung wird die chemische Verbindung durch Bedrucken in Kontakt mit dem organischen Material gebracht. Bevorzugte Druckverfahren dafür sind (geordnet nach steigen­ der Auflösung) Offsetdruck, Siebdruck, Tampondruck und/oder Micro-contact-printing (µCP-Druck).
Durch das Bedrucken mit der chemischen Verbindung wird eine drastische Änderung in der Leitfähigkeit herbeigeführt. Durch die Drucktechnik kann eine feine Strukturierung der funktio­ nellen Schicht erreicht werden. Die Auflösung hängt dabei von der Leistungsfähigkeit des jeweiligen Druckverfahrens ab.
Der Druck kann z. B. mit einem Stempel, wie beim Tampondruck oder mit einer Stempelrolle im kontinuierlichen Verfahren, erfolgen.
Nach einer Ausgestaltung (micro-contact-printing) wird die chemische Verbindung, die die Schicht aus organischem Materi­ al deaktiviert oder aktiviert, in dem Stempel aufgesogen. Da­ bei kann der Stempel aus einem saugfähigen Silicon-Elastomer sein.
Die Schicht aus organischem Material ist bevorzugt aus Poly­ anilin oder einem anderen leitfähigen organischen Material wie PEDOT (Polyethylendioxythiophen). Alle leitfähigen orga­ nischen Materialien, die selektiv deaktiviert werden, sind an dieser Stelle zur Beschichtung des Substrats einsetzbar.
Die chemische Verbindung ist bevorzugt eine Base wie z. B. ein Amin, ein Hydroxid etc. Prinzipiell können alle Basen, die deprotonieren, die also als Protonenakzeptoren wirken, einge­ setzt werden.
Der Begriff "organisches Material" umfasst hier alle Arten von organischen, metallorganischen und/oder anorganischen Kunststoffen, die im Englischen z. B. mit "plastics" bezeich­ net werden. Es handelt sich um alle Arten von Stoffen mit Ausnahme der Halbleiter, die die klassischen Dioden bilden (Germanium, Silizium), und der typischen metallischen Leiter. Eine Beschränkung im dogmatischen Sinn auf organisches Mate­ rial als Kohlenstoff-enthaltendes Material ist demnach nicht vorgesehen, vielmehr ist auch an den breiten Einsatz von z. B. Siliconen gedacht. Weiterhin soll der Term keiner Beschrän­ kung im Hinblick auf die Molekülgrösse, insbesondere auf po­ lymere und/oder oligomere Materialien unterliegen, sondern es ist druchaus auch der Einsatz von "small molecules" möglich.
Für das Verfahren wird z. B. auf einem Substrat (Kunststoff, Glas etc.) durch Gießen, Spincoating, Rakeln, etc. eine dünne Schicht von leitfähigem Polyanilin erzeugt. Beim Bedrucken mit einer basischen Verbindung (Amin, Hydroxid) wird das PANI an der Kontaktstelle mit der Base deprotoniert, wodurch es seine Leitfähigkeit verliert. Nach der Herstellung der Elekt­ rode und/oder Leiterbahn kann die ganze Schicht noch gespült und getrocknet werden.
Ebenso wie das Bedrucken der Bereiche, die nicht-leitend ge­ macht werden sollen ist es möglich nur die Bereiche zu bedru­ cken, die die Elektroden/Leiterbahnen ergeben.
Eine Kombination des Verfahrens mit einer Bestrahlung und/oder einer Belichtung durch eine Schattenmaske ist auch möglich.
Die Erfindung betrifft Elektroden für organische Bauelemente, insbesondere für Bauelemente wie Feldeffekttransistoren (O­ FETs) und/oder Leuchtdioden (OLEDs), die leitfähige und fein strukturierte Elektrodenbahnen haben. Die Elektrode/Leiter­ bahn wird dabei durch einfachen Kontakt einer leitenden oder nicht-leitenden Schicht aus organischem Material mit einer chemischen Verbindung hergestellt, weil die chemische Verbin­ dung die Schicht aus organischem Material an der Kontaktstel­ le deaktiviert oder aktiviert, d. h. leitend oder nicht- leitend macht.

Claims (7)

1. Elektrode und/oder Leiterbahn, die durch In-Kontakt- bringen einer Schicht aus organischem Material mit einer che­ mischen Verbindung herstellbar ist.
2. Elektrode und/oder Leiterbahn nach Anspruch 1, wobei das organische Material vor dem Kontakt mit der chemischen Ver­ bindung leitfähig ist und flächig auf einem Substrat aufge­ bracht ist.
3. Elektrode und/oder Leiterbahn nach Anspruch 1 oder 2, wo­ bei die Schicht aus organischem Material ist aus Polyanilin oder einem anderen leitfähigen organischen Material ist.
4. Elektrode und/oder Leiterbahn nach einem der vorstehende Ansprüche, wobei die chemische Verbindung eine Base ist.
5. Verfahren zur Herstellung einer Elektrode und/oder einer Leiterbahn durch in-Kontakt-Bringen eines beschichteten Sub­ strats mit einer chemischen Verbindung.
6. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem die chemische Verbin­ dung durch Bedrucken in Kontakt mit der Schicht aus organi­ schem Material gebracht wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 oder 6, bei dem die Elektrode und/oder Leiterbahn durch partielle Aktivierung oder Deaktivierung der Schicht aus organischem Material her­ gestellt wird.
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004063806A1 (de) * 2003-01-09 2004-07-29 Polyic Gmbh & Co. Kg Platine oder substrat für ein organisches elektronikgerät, sowie verwendung dazu
WO2005068199A1 (de) * 2004-01-19 2005-07-28 Siemens Aktiengesellschaft Vorrichtung und verfahren zum passgenauen übereinanderdrucken
US7298023B2 (en) 2001-10-16 2007-11-20 Polyic Gmbh & Co. Kg Electronic device with organic insulator
US7442954B2 (en) 2002-11-19 2008-10-28 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic electronic component comprising a patterned, semi-conducting functional layer and a method for producing said component
US7678857B2 (en) 2003-09-03 2010-03-16 Polyic Gmbh & Co. Kg Polymer mixtures for printed polymer electronic circuits
US7709865B2 (en) 2002-06-13 2010-05-04 Polyic Gmbh & Co. Kg Substrate for an organic field effect transistor, use of said substrate, method of increasing the charge carrier mobility, and organic field effect transistor (OFET)
US7724550B2 (en) 2004-12-23 2010-05-25 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic rectifier
US7786818B2 (en) 2004-12-10 2010-08-31 Polyic Gmbh & Co. Kg Electronic component comprising a modulator
US7812343B2 (en) 2005-04-15 2010-10-12 Polyic Gmbh & Co. Kg Multilayer composite body having an electronic function
US7843342B2 (en) 2005-03-01 2010-11-30 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic clock generator
US7847695B2 (en) 2004-08-23 2010-12-07 Polyic Gmbh & Co. Kg External package capable of being radio-tagged
US7846838B2 (en) 2005-07-29 2010-12-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Method for producing an electronic component
US7875975B2 (en) 2000-08-18 2011-01-25 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic integrated circuit completely encapsulated by multi-layered barrier and included in RFID tag
US7940340B2 (en) 2005-07-04 2011-05-10 Polyic Gmbh & Co. Kg Multilayer body with electrically controllable optically active systems of layers
US7940159B2 (en) 2004-12-10 2011-05-10 Polyic Gmbh & Co. Kg Identification system
US8044517B2 (en) 2002-07-29 2011-10-25 Polyic Gmbh & Co. Kg Electronic component comprising predominantly organic functional materials and a method for the production thereof
US8315061B2 (en) 2005-09-16 2012-11-20 Polyic Gmbh & Co. Kg Electronic circuit with elongated strip layer and method for the manufacture of the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996008047A2 (en) * 1994-09-06 1996-03-14 Philips Electronics N.V. Electroluminescent device comprising a transparent structured electrode layer made from a conductive polymer
WO1997018944A1 (en) * 1995-11-22 1997-05-29 The Government Of The United States Of America, Represented By The Secretary Of The Navy Patterned conducting polymer surfaces and process for preparing the same and devices containing the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996008047A2 (en) * 1994-09-06 1996-03-14 Philips Electronics N.V. Electroluminescent device comprising a transparent structured electrode layer made from a conductive polymer
WO1997018944A1 (en) * 1995-11-22 1997-05-29 The Government Of The United States Of America, Represented By The Secretary Of The Navy Patterned conducting polymer surfaces and process for preparing the same and devices containing the same

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
C.J.Drury et al: Low-cost all-polymer integrated circuits in Applied Physics Letters, 73(1998)1, pp. 108-110 *
T.Mäkelä et al.: Lithographic patterning of con- ductive polyaniline in Synthetic Metals, 101(1999), pp. 705-706 *
W.Kobel et al.: Generation of micropatterns in poly(3-methyltiophe)films using microlithography: a firsts step in the design of an all-organic thinfilm transistor in Synthetic Metals, 22(19988), pp. 265-271 *

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7875975B2 (en) 2000-08-18 2011-01-25 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic integrated circuit completely encapsulated by multi-layered barrier and included in RFID tag
US7298023B2 (en) 2001-10-16 2007-11-20 Polyic Gmbh & Co. Kg Electronic device with organic insulator
US7709865B2 (en) 2002-06-13 2010-05-04 Polyic Gmbh & Co. Kg Substrate for an organic field effect transistor, use of said substrate, method of increasing the charge carrier mobility, and organic field effect transistor (OFET)
US8044517B2 (en) 2002-07-29 2011-10-25 Polyic Gmbh & Co. Kg Electronic component comprising predominantly organic functional materials and a method for the production thereof
US7442954B2 (en) 2002-11-19 2008-10-28 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic electronic component comprising a patterned, semi-conducting functional layer and a method for producing said component
WO2004063806A1 (de) * 2003-01-09 2004-07-29 Polyic Gmbh & Co. Kg Platine oder substrat für ein organisches elektronikgerät, sowie verwendung dazu
US7678857B2 (en) 2003-09-03 2010-03-16 Polyic Gmbh & Co. Kg Polymer mixtures for printed polymer electronic circuits
WO2005068199A1 (de) * 2004-01-19 2005-07-28 Siemens Aktiengesellschaft Vorrichtung und verfahren zum passgenauen übereinanderdrucken
US7847695B2 (en) 2004-08-23 2010-12-07 Polyic Gmbh & Co. Kg External package capable of being radio-tagged
US7786818B2 (en) 2004-12-10 2010-08-31 Polyic Gmbh & Co. Kg Electronic component comprising a modulator
US7940159B2 (en) 2004-12-10 2011-05-10 Polyic Gmbh & Co. Kg Identification system
US7724550B2 (en) 2004-12-23 2010-05-25 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic rectifier
US7843342B2 (en) 2005-03-01 2010-11-30 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic clock generator
US7812343B2 (en) 2005-04-15 2010-10-12 Polyic Gmbh & Co. Kg Multilayer composite body having an electronic function
US7940340B2 (en) 2005-07-04 2011-05-10 Polyic Gmbh & Co. Kg Multilayer body with electrically controllable optically active systems of layers
US7846838B2 (en) 2005-07-29 2010-12-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Method for producing an electronic component
US8315061B2 (en) 2005-09-16 2012-11-20 Polyic Gmbh & Co. Kg Electronic circuit with elongated strip layer and method for the manufacture of the same

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