KR100798398B1 - 나노소재기반 전도성 레지스트, 그의 제조방법 및나노소재기반 전도성레지스트를 이용한 전극패턴 형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 나노임프린트용 전도성 레지스트를 이용한 전극패턴 형성방법에 관한 것으로, 나노소재 기반 전도성 레지스트를 준비하여 기판상에 도포하는 단계와; 전도성 레지스트 패턴을 형성하기 위하여 상기 도포된 나노소재 기반 전도성 레지스트에 나노스케일 패턴이 새겨진 스탬프를 통해 임프린트하는 단계; 및 상기 임프린트된 전도성 레지스트 패턴을 식각하여 잔류층을 제거하여 전극 패턴을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하며, 본 발명에 의해 형성된 패턴은 전기 전도성을 지닌 전자소자 패턴으로 직접 사용이 가능한 효과가 있고, 금속 패턴을 포함하는 나노소자 제작에 나노임프린트 공정 적용시 금속 박막의 증착과 패터닝, 그리고 식각에 필요한 공정단계를 제거할 수 있어 공정시간과 비용을 줄일 수 있는 장점이 있다.

나노필러, 카본나노튜브, 분산제, 임프린트, 스템퍼

Description

나노소재기반 전도성 레지스트, 그의 제조방법 및 나노소재기반 전도성레지스트를 이용한 전극패턴 형성방법{Nano material based conductive resist, a method of manufacturing the same and an electrode pattern forming method using the nano material based conductive resist}

도 1은 종래기술에 따른 나노임프린트 공정에 의한 금속전극 패턴형성과정을 순차적으로 나타낸 공정도들이다.

도 2는 종래기술에 따른 또 다른 나노임프린트 공정에 의한 금속전극 패턴형성과정을 순차적으로 나타낸 공정도들이다.

도 3은 본 발명에 따른 전도성 나노소재로 카본나노튜브를 적용한 나노임프린트용 나노복합소재 레지스트를 준비하는 순서도이다.

도 4는 본 발명에 따른 나노복합소재 레지스트를 이용한 나노 임프린트 공정도이다.

도 5는 도 4의 임프린트 공정 후 전사된 패턴을 형상을 나타낸 프로파일로서, 도 5(a)는 카본나노튜브가 포함되지 않은 순수 레진을 적용한 경우이고, 도5(b)는 카본나노튜브가 포함(0.3wt%)되어 있는 레진을 적용하여 임프린트를 수행한 결과의 형상을 나타낸 프로파일이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

15:기판

20: 스템퍼

30: 나노임플린트용 전도성 레지스트

본 발명은 나노소재기반 전도성 레지스트, 그의 제조방법 및 나노소재기반 전도성레지스트를 이용한 전극패턴 형성방법에 관한 것으로, 특히 전기전도성 나노입자나 나노튜브 등의 나노필러가 포함되어 있는 유기복합 레지스트를 적용하여 금속패턴을 포함하는 나노소자 제작에 적용시 금속박막의 증착과 패터닝 및 식각에 필요한 공정단계를 제거할 수 있는 나노소재기반 전도성 레지스트, 그의 제조방법 및 나노소재기반 전도성레지스트를 이용한 전극패턴 형성방법에 관한 것이다.

차세대 나노리소그래피로 주목받고 있는 나노임프린트 공정은 1996년 미국의 Stephen Chou [Imprint of Sub-25nm vias and trenches in polymers, Applied Physics Letters, 67(21), p.3114-6]에 의해 열 가열 방식 공정으로 처음 개발되었다. 전자빔 공정에 의해 제작된 나노스케일 패턴을 가진 스탬프를 PMMA(Polymethylmetharcylate) 재질의 레지스트가 코팅되어 있는 기판 표면에 고온에서 각인과 냉각과정 후 분리하게 되, PMMA 기판 위에 반대로 전사된 스탬프 패턴을 얻게 되는 원리이다. 이는 온도상승에 의해 용융되는 고분자를 레지스트로 사용 하여 고온 고압에서 임프린트를 수행하는 방식으로, 가열과 냉각과정을 포함하는 긴 공정시간, 그리고 비투명 스탬프와 열 변형에 의한 다층 정렬의 기술적 어려움에 봉착하게 되어 새로운 형태의 나노임프린트 공정이 개발되게 되었다.

텍사스 오스틴 대학의 Sreenivasan 교수팀은 2000년 Step & Flash Imprint Lithography를 발표하였다[Step and Flash Imprint Lithography for sub-100nm patterning, SPIE's 25th Intl, Symp. Microlithography: Emerging lithography technologies III.2000]. 이 공정은 상온 저압으로 나노구조물을 제작할 수 있는 기법으로 온도가 아닌 자외선 조사로 경화할 수 있는 레지스트를 사용하고 자외선이 투과할 수 있는 투명 스탬프 소재를 사용하는 것이 그 특징이다. 자외선 경화방식의 나노임프린트 공정은 레지스트를 희생층으로 사용하고, 그 아래 기능층을 식각하여 구조물을 만드는 방식이다.

나노임프린트 기술은 저가의 장비를 사용이 가능하며 50nm이하 패턴형성이 기술적으로 가능하다는 장점이 있으며, 현재 광범위하게 사용되고 있는 광학리소그래피와 비교해 볼 때 물리적 접촉방식의 공정과 1:1 마스크 패턴이 사용한다는 점이 그 차이점이다.

도 1은 종래기술에 따른 나노임프린트 공정에 의한 금속전극 패턴형성과정을 순차적으로 나타낸 공정도들이고, 도 2는 종래기술에 따른 또 다른 나노임프린트 공정에 의한 금속전극 패턴형성과정을 순차적으로 나타낸 공정도들로서, 상기 투명 혹은 불투명 스탬프 소재를 통해 나노임프린트 공정을 수행하는 공정을 통해 금속전극 패턴을 형성하고자 한다면, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같은 공정을 통해 각 각 7 스텝(step)(underlayer metal etching) 또는 5스텝(step)(electrodeposition)의 공정 과정을 거치게 된다. 즉, 간단히 설명하면, 도 1에서는, 기판(15)상에 각각 순차적으로 형성된 금속층(12), 식각보호층(11) 및 레진(즉, 수지층)(10)이 형성된 상태에서 스탬프(5)를 통해 상기 수지층(10)에 패턴이 형성되며, 이후, 잔류수지층(10) 및 식각보호층(11)이 식각처리되고, 이후 패터닝된 수지층(10)이 제거되며, 이후 남아있던 식각보호층(11)을 마스크로 하여 금속층(12)이 제거되어 식각보호층(11) 및 금속층(12)으로 이루어진 패턴이 형성되며, 최종적으로 식각보호층(11)의 제거되어 결국 금속층(12) 패턴이 기판(15)상에 형성되는 것으로서 7단계의 공정이 필요하다.

유사하게, 도 2에서는, 먼저 수지층(10)이 기판(15)상에 형성되어 패터닝된 상태에서 금속층(12)이 패터닝된 수지층(10)을 포함한 기판(15) 상의 전면에 증착되고 이후 리프트-오프 방법에 의해 패터닝된 수지층(10)이 제거됨으로 금속층(12)패턴이 기판(15)상에 형성되는 것으로서 5단계의 공정이 필요하다.

이는 기존 광학리소그래피를 이용한 방법과 비교해 볼 때 유사한 과정을 거치게 되어 공정 비용 측면에서 큰 장점으로 다가서기 어렵다. 특히 새로운 공정기술이 시장에 파급되기 위해서는 기존 기술에 비해 기술적으로 그리고 경제적으로 획기적인 경쟁력을 지녀야 하는 바 현재의 나노임프린트 기술은 보다 높은 시장 파급효과를 위해 기술적으로 보완되어야 할 필요성이 있다.

2004년 미국 텍사스 오스틴 대학의 Chen 교수팀은 자외선 경화 방식의 나노임프린트 공정의 레지스트 선택의 제한성을 극복하고자 VGCF(Vapor Grown Carbon Fiber)가 Banbury 혼합 방식으로 분산된 HDPE(High Density Polyethylene)를 레지스트로 사용하여 폴리머 마이크로 구조물을 제작하였다[Laser-assisted photothermal imprinting of nanocomposite, Applied Physics Letters, 85(9), p1604-6]. 이는 광열 효과(photothermal effect)를 이용하는 원리로, HDPE내의 카본파이버는 투명 스탬프를 통해 조사된 자외선 에너지를 흡수하여(5.71mm^-1 at 355nm wavelength/8.98mm^-1 at 532nm wavelength) 20~30초 사이에 온도가 1000K까지 상승하게 된다. 이는 주변의 폴리머 미디어를 충분히 녹일 수 있는 온도로, 자외선 조사로 인해 가열 방식의 임프린트 공정이 가능해진다. 각인된 형상은 폴리머 기반의 마이크로 구조물로 직접 사용이 가능하다. 제안된 공정은 자외선 투과를 위해 투명한 스탬프를 사용하기 때문에 다층정렬이 가능해지지만, 열경화에 따른 공정 속도 지연과 함께 열 변형에 의한 오차와 치수 정밀도는 여전히 극복하기 어려운 문제이다.

본 발명의 목적은 상기한 바와 같은 종래 기술에서의 문제점을 해결하고자 제안된 것으로서, 금속패턴을 포함하는 나노소자 제작에 적용시 금속박막의 증착과 패터닝 및 식각에 필요한 공정단계를 제거할 수 있어서 공정시간과 비용을 줄일 수 있는 나노소재기반 전도성 레지스트를 제공하는데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 금속패턴을 포함하는 나노소자 제작에 적용시 금 속박막의 증착과 패터닝 및 식각에 필요한 공정단계를 제거할 수 있어서 공정시간과 비용을 줄일 수 있는 나노소재기반 전도성 레지스트의 제조방법을 제공하는데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 상기한 바와 같은 종래 기술에서의 문제점을 해결하고자 제안된 것으로서, 금속패턴을 포함하는 나노소자 제작에 적용시 금속박막의 증착과 패터닝 및 식각에 필요한 공정단계를 제거할 수 있어서 공정시간과 비용을 줄일 수 있는 나노소재기반 전도성 레지스트를 이용한 전극패턴 형성방법에 관한 것이다.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 나노소재 기반 전도성 레지스트를 준비하여 기판상에 도포하는 단계와; 전도성 레지스트 패턴을 형성하기 위하여 상기 도포된 나노소재 기반 전도성 레지스트에 나노스케일 패턴이 새겨진 스탬프를 통해 임프린트하는 단계; 및 상기 임프린트된 전도성 레지스트 패턴을 식각하여 잔류층을 제거하여 전극 패턴을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 나노임프린트용 전도성 레지스트를 이용한 전극 패턴 형성방법이 제공된다.

바람직하게는, 상기 스탬프는 투명하고 유연성 있는 소재로 PDMS(Polydimethylsiloxane)을 사용하며 자외선 경화방식으로 수행되는 것을 특징으로 한다.

또한 바람직하게는, 상기 기판상에 도포된 나노소재 기반 전도성 레지스트는 스핀 코팅 또는 미세량의 액적을 기판위에 떨어뜨려 이루어진 것을 특징으로 한다.

또한 바람직하게는, 상기 스템프를 통해 임프린트하는 단계 후에 스탬프의 분리전에 냉각과정을 수행하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 카본나노튜브를 포함하는 전도성 나노튜브 및 나노입자를 포함하는 나노필러를 선택하여 정제하는 단계; 상기 정제된 나노필러를 분산제에 의해 표면처리하는 단계; 및 필터링 후 젖은 상태의 나노필러를 나노임프린트용 레진에 혼합분산 시키는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 나노임프린트용 전도성 레지스트 제조방법이 제공된다.

바람직하게는, 상기 분산제에 의한 표면처리과정은 극성 솔벤트에서 초음파 진동이 가해지는 상태에서 2시간 이상 수행되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트용 전도성 레지스트 제조방법.

또한 바람직하게는, 상기 분산제는 DMF(Dimethylformamide), NMP(1-methyl-2-pyrrolidinone), THF(Tetrahydrofuran), SDS(Sodium Dodecylsulfate)중 하나 이상이 사용된 것을 특징으로 한다.

또한 바람직하게는, 필터링 후 젖은 상태의 나노필러를 사용할 시 솔벤트 함량은 50% 이내로 하며, 나노임프린트용 레진과의 혼합은 프로브 타입의 초음파 분쇄기를 이용하여 2시간 이상 수행하는 것을 특징으로 한다.

또한 바람직하게는, 상기 나노튜브의 함량은 0.5wt% 이하인 것을 특징으로 한다.

이하 본 발명에 따른 나노소재기반 전도성 레지스트, 그의 제조방법 및 나노소재기반 전도성레지스트를 이용한 전극패턴 형성방법에 대하여 첨부도면을 참조로 상세히 설명한다.

도 3은 본 발명에 따른 전도성 나노소재로 카본나노튜브를 적용한 나노임프린트용 나노복합소재 레지스트를 준비하는 순서도이고, 도 4는 본 발명에 따른 나노복합소재 레지스트를 이용한 나노 임프린트 공정도이고, 도 5는 도 4의 임프린트 공정 후 전사된 패턴을 형상을 나타낸 프로파일로서, 도 5(a)는 카본나노튜브가 포함되지 않은 순수 레진을 적용한 경우이고, 도5(b)는 카본나노튜브가 포함(0.3wt%)되어 있는 레진을 적용하여 임프린트를 수행한 결과의 형상을 나타낸 프로파일이다.

본 발명은 종래의 자외선 경화방식의 나노임프린트 공정(UV-NIL)의 생산성 제고와 열에 의한 문제점을 제거하기 위해 전도성 나노튜브가 분산되어 있는 UV 경화성 레진을 사용하는 공정기술에 관한 것이다.

본 발명의 나노소재 기반 전도성 레지스트를 적용한 나노임프린트 공정은 전도성 나노임프린트용 레진 제작단계와 이를 기판위에 도포하고 임프린트 공정을 수행하는 과정으로 구분된다.

전도성 나노임프린트 공정용 레진 제작단계는 전도성 나노필러의 선택, 정제, 분리하는 준비단계와 나노임프린트 공정용 레진과의 혼합단계로 구분된다.

상기 레진을 적용한 나노임프린트 공정은 먼저 스탬프 제작, 스탬프 표면처리, 임프린트 공정 및 스탬프 분리단계로 순차적으로 수행된다.

본 발명에서는 나노임프린트용 레진에 전도성을 부여하기 위한 나노필러로는, 전기적 특성이 우수하면서 지름 대비 길이 비율(즉, aspect ratio)이 높아 적은 첨가량으로도 매트릭스 미디어 레진내에서 네트워킹 형성이 가능한 카본나노튜브를 선택한다. 또한, 카본나노튜브의 분산과 특성을 보완하기 위해 전하를 띠지 않고 레진과 결합성이 뛰어난 나노입자를 카본나노튜브에 접목시켜 사용하는 방법도 적용될 수 있다.

도 3을 참조하면, 나노필러로 사용된 카본 나노튜브를 정제과정을 거쳐 비정질 카본이나 촉매제, 금속 입자들이 제거되는데, 이때 보통 황산, 질산, 염산등을 농축상태로 적절히 혼합하여 사용된다. 선처리는 나노튜브 간 분산이 용이하도록 초음파 진동이 가해지고 있는 가운데 2~6시간 동안 처리된다. 이때 나노튜브 표면에 형성되는 이온화된 수산화기는 나노튜브간 전기적인 척력을 발생시키게 되며, 동시에 표면에너지를 높여 솔벤트 및 레진과의 섞임 경향을 높이게 된다.

정제과정후(101) 카본나노튜브를 분산시키기 위해 다양한 분산제(dispersant), 즉 DMF(Dimethylformamide), NMP(1-methyl-2-pyrrolidinone), THF(Tetrahydrofuran) 그리고 단일벽 나노튜브의 경우 SDS(Sodium Dodecylsulfate)가 사용된다. 이들 비양성자성 극성 솔벤트는 나노튜브 표면 결함 부위에 솔벤트 분자를 위치시켜 폴리머와의 반응시 극성-극성 결합의 가능성을 한층 높여주어 폴리머 내에서의 분산을 도와주게 된다.

CNT 분산정도를 확인 후 필터링(103)을 거쳐 50% 가량 젖은 상태의 카본나노튜브를 얻게 된다(104). 이때 CNT 표면에 분산제 분자의 존재를 위해 완전히 건조시키지 않는데, 이는 이후 레진과의 분산시 레진 분자와의 결합과 분산을 이롭게 하기 위함이다. 단, 솔벤트 함량이 50%를 초과할 시 레진의 경화시간이 길어지는 경향이 있으며 또한 솔벤트 제거를 위해 임프린트 공정 후 베이킹 과정을 수행하는 것이 적절하다.

상기 방법으로 표면 처리된 카본나노튜브는 나노임프린트용 레진과 프로브 타입의 초음파 분쇄기를 이용한 물리적 방법으로 3시간 이상 분산과정을 거치게 된다. 일반적으로 acrylate 계열의 모노머(monomer)에 광개시제가 포함된 조성을(105) 가지고 있는 나노임프린트용 레진은 자외선 조사에 의해 경화(polymerization)가 발생하는 메커니즘을 가지고 있다. 특히 Acrylate 계열의 분자는 DMF, NMP, THF 등에 용해성을 가지고 있어 카본나노튜브 표면의 이들 분자와 친밀성을 유지하게 된다. 최종적으로 자외선 경화가 가능하면서 나노임프린트 공정 특성에 적합한 레진이 만들어 지게 된다(106). (직접혼합방식으로 Tip Sonication 적용).

상기 제작된 레진을 이용한 나노임프린트 공정(도 4)을 위해 나노스케일 패 턴이 새겨진 스탬프 준비가 먼저 필요하다.(도 4(a)의 20). 스탬프 소재로는 유리나 석영 재질이 광범위하게 사용되며 나노스케일 패턴은 전자빔 리소그래피나 레이저 간섭차를 이용한 리소그래피 방법을 통해 구현 가능하다. 제작된 스탬프(20)는 임프린트 공정에 의해 직접 적용가능하지만, 이를 복제하여 사용하는 것이 비용 측면에서 유리하다. 실리콘 웨이퍼 위에 패턴 전사하여 복제한 2차 스탬프 위에 PDMS(Polymethylsiloxane)을 캐스팅하여 경화시킨 3차 PDMS 스탬프를 사용하는 경우, 1차 스탬프와 음각, 양각 형태가 일치하며 표면에너지가 낮아 별도의 Anti-stiction 처리가 필요없게 된다.

공정 수행전에 상기 제작된 레진은 기판(15)위에 증착되게 되는데 이때 스핀 코팅 또는 액적드랍 코팅을 통해 가능하다. 본 발명의 구성에서는 공기 포집의 가능성과 레진의 손실을 줄이기 위해 미세 량의 액적 멀티 드랍 방식을 사용한다.(도 4(a)의 30)). PDMS 스탬프를 이용하는 연성 나노임프린트 공정은 10mbar 이하의 압력에서 유리 스탬프 사용시에 비해 높은 자외선 에너지를 요구한다. 이는 PDMS 자체가 흡수하는 에너지량이 있기 때문이며 이때 흡수된 에너지는 표면에너지를 높여 소수성에서 친수성으로 특성이 변화한다. 때문에 레진 경화후 스탬프와의 분리시 레이저 에너지에 의해 높아진 스탬프 온도를 낮춘 후 이형하는 것이 필요하다. 온도가 낮아지면서 PDMS가 다시 소수성으로 변하게 되므로 분리하는 것이 수월해지기 때문이다. 유리나 석영 스탬프로 자기조립막으로 Anti-stiction하여 사용하는 경우, PDMS 스탬프에 비해 레이저 조사시간을 단축시킬 수 있으며 이형시에도 유리한 특성이 보이나, 공정비용이나 스탬프 손상의 가능성은 상대적으로 증가하게 된다. 임프린트 공정 후 잔류층이 함께 있는 모습은 도 4(b)에 도시되었다.

잔류층 제거는 주변 패턴이 변화하지 않도록 가급적 이방성 식각이 이루어지도록 한다. 이를 위해 산소 분위기에서 반응성 이온식각이나 플라즈마 식각 등 다양한 방법의 적용이 가능하다.

도 4(c)는 식각 공정 이후의 모습을 나타낸 것이다. 본 발명을 통해 제안된 기술을 적용하면, 도 1(a)에서 금속층(12) 및 금속층 식각 보호층(11)의 증착과정과 이들 층의 식각 공정 및 스트리핑(도 1(d),(f),(g))의 과정을 생략할 수 있다.

또한 금속 전기증착법을 이용한 도 2와 비교하여 전기증착과정(도 2(d))와 리프트 오프(도 2(g))과정을 제거할 수 있어 생산성 제고가 예상된다.

도 5는 식각 전의 임프린트 공정 결과의 모습을 나타낸 것으로서, 도 5(a)는 카본나노튜브가 포함되지 않은 레진을 임프린트 공정 수행한 결과이며, 도 5(b)는 카본나노튜브가 0.3wt% 포함된 레진에 대한 공정을 수행한 결과이다. 레진 경화는 충분히 발생하였으며 필러 사용으로 인해 레진 점성 증가로 인해 패턴 정밀도가 다소 낮아진 모습을 보여주고 있다.

한편, UV-NIL 레진의 경우 미세 패턴 구현을 위해 점성이 낮게 유지되어야 하는 점을 고려한다면, 나노필러의 첨가량은 낮을 수록 유리하며 이를 위해선 높은 길이 대비 지름 비율을 가지는 전도성 나노튜브의 적용과 이의 효과적인 분산이 요구된다.

상기 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 기존의 나노임프린트 공정용 레진을 나노튜브 등 전도성 나노소재와 혼합 분산하여 사용하는 방법으로 나노임프린트 공정을 생산성을 대폭 향상시켜 산업체 파급효과가 클 것으로 기대되며, 또한 이를 유기전자소자 등에 적용하여 전자 이동도를 높이고 채널길이를 줄여 유기전자소자의 소량화와 고기능화로 이어질 것이 예상되는 효과가 있다.

또한, 본 발명에 따르면 전도성 나노필러는 UV 조사 시 온도상승이 예측되지만, 레진의 경화가 동시에 진행되어 열에 의한 레진의 변형을 막을 수 있는 효과가 있다.

또한 튜브 형상 나노필러의 적용은, 입자에 의해 분산의 어려움이 존재하지만 적은 량으로도 전자이동에 필요한 효과적인 네트워크 경로 형성이 가능한 효과가 있다.

또한, 본 발명에 의해 형성된 패턴은 전기 전도성을 지닌 전자소자 패턴으로 직접 사용이 가능한 효과가 있다. 특히, 금속 패턴을 포함하는 나노소자 제작에 나노임프린트 공정 적용시 금속 박막의 증착과 패터닝, 그리고 식각에 필요한 공정단계를 제거할 수 있어 공정시간과 비용을 줄일 수 있는 장점이 있다.

또한 본 발명에 따르면 공정 이후 남겨진 전도성 패턴은 전자소자의 구조체로 직접 활용가능하므로 공정 단계를 줄일 수 있는 효과가 있다. 따라서, 나노임프린트를 이용하여 전극 패터닝 시 공정의 생산성을 획기적으로 개선할 수 있는 효과가 있다.

또한, 금속층과 유기층으로 구성된 유기전자소자에서, 금속-유기체 접면에서 의 극성 장벽(interface dipolar barrier)으로 인한 금속의 고유 일함수 저하로, 전자 이동도가 제한적일 수 밖에 없는 점을 고려해 볼 때 전도성 유기복합소재의 적용은 이러한 전자이동장벽을 최소화 할 수 있는 효과가 있다. 결론적으로 생산성 제고와 아울러 유기소자의 성능 또한 개선할 수 있는 기술로 유기 박막트랜지스터(TFT)등 유기 전자소자나 바이오 및 환경 센서에 필요한 센서 요소 부품 공정에 적용이 예상되는 효과가 있다.

본 발명은 상기한 바람직한 실시예를 중심으로 기술하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술분야에 익숙한 기술자라면 첨부되는 특허청구범위를 토대로 하여 다양하게 변형실시가 가능할 것이다.

Claims (10)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 카본나노튜브를 포함하는 전도성 나노튜브 및 나노입자를 포함하는 나노필러를 선택하여 정제하는 단계;

   상기 정제된 나노필러를 분산제에 의해 표면처리하는 단계; 및

   필터링 후 젖은 상태의 나노필러를 나노임프린트용 레진에 혼합분산 시키는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 나노임프린트용 전도성 레지스트 제조방법.
6. 제 5 항에 있어서, 상기 분산제에 의한 표면처리과정은 극성 솔벤트에서 초음파 진동이 가해지는 상태에서 2시간 이상 수행되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트용 전도성 레지스트 제조방법.
7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,

   상기 분산제는 DMF(Dimethylformamide), NMP(1-methyl-2-pyrrolidinone), THF(Tetrahydrofuran), SDS(Sodium Dodecylsulfate)중 하나 이상이 사용된 것을 특징으로 하는 나노임프린트용 전도성 레지스트를 이용한 전극패턴 형성방법.
8. 제 5 항에 있어서, 필터링 후 젖은 상태의 나노필러를 사용할 시 솔벤트 함량은 50% 이내로 하며, 나노임프린트용 레진과의 혼합은 프로브 타입의 초음파 분쇄기를 이용하여 2시간 이상 수행하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트용 전도성 레지스트 제조방법.
9. 제 5 항에 있어서,

   상기 나노튜브의 함량은 0.5wt% 이하로 조절하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트용 전도성 레지스트 제조방법.
10. 제 5 항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 의해 제조된 나노임프린트용 전도성 레지스트.

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