JP2009117620A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. ダブルゲート型薄膜トランジスタと、前記ダブルゲート型薄膜トランジスタのボトムゲート電極に電気的に接続された外部接続端子と、を備え、
   前記外部接続端子が、前記ボトムゲート電極と同一の層として成膜された第１の導電層と、前記ダブルゲート型薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極と同一の層として成膜された第２の導電層と、ＩＴＯからなる第３の導電層と、を有し、
   前記第２の導電層と前記第３の導電層との間の層として絶縁層が成膜されているとともに、前記第２の導電層と前記第３の導電層とが前記絶縁層に設けられたコンタクトホールで接触している画像読取装置であって、
   前記第２の導電層は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏの何れか１種を含む第４の導電層と、前記第４の導電層の次に成膜されたＩＴＯからなる第５の導電層と、を有し、
   前記第４の導電層が前記第５の導電層と同一パターンとなるようにパターニング形成されているとともに、前記第５の導電層が前記コンタクトホールで前記第３の導電層に接触していることを特徴とする画像読取装置。
2. 前記第３の導電層が、前記ダブルゲート型薄膜トランジスタのトップゲート電極と同一の層として成膜されていることを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
3. 前記第３の導電層が、前記ダブルゲート型薄膜トランジスタを覆うように成膜された静電気保護膜と同一の層として成膜されていることを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
4. ダブルゲート型薄膜トランジスタと、前記ダブルゲート型薄膜トランジスタのボトムゲート電極に電気的に接続された外部接続端子と、を備え、
   前記外部接続端子が、前記ボトムゲート電極と同一の層として成膜された第１の導電層と、前記ダブルゲート型薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極と同一の層として成膜された第２の導電層と、ＩＴＯからなる第３の導電層と、を有し、
   前記第２の導電層と前記第３の導電層との間の層として絶縁層が成膜されているとともに、前記第２の導電層と前記第３の導電層とが前記絶縁層に設けられたコンタクトホールで接触している画像読取装置の製造方法であって、
   前記第２の導電層として、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏの何れか１種を含む第４の導電層と、ＩＴＯからなる第５の導電層と、を連続成膜する工程と、
   前記第４の導電層が前記第５の導電層と同一パターンとなるように前記第２の導電層をパターニングする工程と、
   前記第５の導電層を覆うように前記絶縁層を成膜する工程と、
   前記第５の導電層の一部が前記絶縁層から露出するようにドライエッチングにより前記絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、
   前記コンタクトホールで前記第５の導電層に接触するように前記第３の導電層を成膜する工程と、
   を含むことを特徴とする画像読取装置の製造方法。