JP2007102226A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板上に形成され、入力端子、出力端子、及び制御端子を有するスイッチング素子と、
   前記出力端子に接続される透明電極と、
   前記出力端子に接続される第１反射電極と、
   前記出力端子の第１面に配置された第１層上に形成され、前記出力端子と絶縁されて前記出力端子との間にストレージキャパシタを形成する維持電極と、
   前記出力端子の第２面に配置された第２層上に形成され、前記出力端子と絶縁されて前記出力端子との間に補助キャパシタを形成する第２反射電極と、
   を備え、
   前記維持電極及び前記出力端子は、ともに前記第１反射電極及び前記第２反射電極と重畳することを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
2. 前記補助キャパシタは、前記出力端子の延長部と前記第２反射電極とが重畳することで形成されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
3. 前記出力端子の延長部は、前記透明電極と同一物質からなり、前記透明電極と同一層に形成されることを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
4. 前記補助キャパシタは、前記出力端子と前記第２反射電極の延長部とが重畳することで形成されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
5. 前記第２反射電極の延長部は、前記透明電極と同一物質で同一層に形成され、前記透明電極と電気的に分離されることを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ表示板。
6. 基板と、
   前記基板上に形成されゲート電極を含むゲート線と、
   前記基板上に形成され維持電極を含む維持電極線と、
   前記維持電極線及びゲート線を覆っているゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極と重畳する位置に形成される半導体と、
   前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記半導体の上まで延びているソース電極を含み前記ゲート線と交差するデータ線と、
   前記半導体上に形成され、前記半導体を介して前記ソース電極と対向し、前記維持電極と重畳するドレイン電極と、
   前記データ線と前記ドレイン電極上に形成され、前記ドレイン電極の一部を露出させる第１コンタクトホールを有する第１絶縁膜と、
   前記第１絶縁膜上に形成され、前記第１コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続される透明電極と、
   前記透明電極と電気的に接続され、第１反射領域を定義する第１反射電極と、
   前記透明電極及び前記第１反射電極と分離され、前記ドレイン電極と静電容量性結合され、第２反射領域を定義する第２反射電極と、
   を備えており、前記維持電極と前記ドレイン電極は、ともに前記第１反射領域及び第２反射領域に位置していることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
7. 前記第１及び第２反射領域に形成された第２絶縁膜をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の薄膜トランジスタ表示板。
8. 前記第２絶縁膜は、前記第２コンタクトホールを有し、
   前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に形成され、前記第２反射電極と前記第２絶縁膜が有する第２コンタクトホールを介して接続されており、前記ドレイン電極と重畳する補助電極をさらに備えることを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板。
9. 前記透明電極は、前記第２反射電極と重畳する部分を含むことを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板。
10. 前記第２絶縁膜上の表面は、凹凸パターンが形成されることを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板。