JP2010085537A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 基板上に、
   画素の開口領域の中央寄りに位置する一の領域における膜厚が、前記一の領域の周辺に位置する他の領域における膜厚より小さくなるように形成されており、前記一の領域及び前記他の領域間に介在する境界領域において、前記一の領域及び前記他の領域に対して斜めに傾いた傾斜面を表面に有する絶縁膜と、
   前記絶縁膜より上層側において前記画素に配置されており、前記基板上で平面的に見て、前記絶縁膜のうち少なくとも前記傾斜面に重なる領域を含むように夫々形成された画素電極と
   を備えることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記傾斜面は、所定の曲率を有する曲面であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記傾斜面は、前記基板上で平面的に見て、前記開口領域の端部に沿って形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記絶縁膜は、前記画素電極に比べて異なる屈折率を有する材料を含んで形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記開口領域の周辺に位置する非開口領域に、前記画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタを備えることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記絶縁膜より下層側に形成された配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層を備えることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 前記画素電極及び前記導電層は共に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を含んでなることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
8. 前記絶縁膜は、前記一の領域において部分的に除去されており、
   前記画素電極及び前記導電層は、容量絶縁膜を介して対向配置されることにより保持容量を形成することを特徴とする請求項６又は７に記載の電気光学装置。
9. 前記一の領域は、前記基板上で平面的に見て、多角形状を有していることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
10. 前記一の領域は、前記基板上で平面的に見て、円形状を有していることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
11. 請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
    基板上に、
    配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する前記導電層を形成する第１工程と、
    前記導電層の上層側に前記絶縁膜を形成する第２工程と、
    前記絶縁膜のうち前記一の領域における膜厚が、前記他の領域における膜厚より小さくなり、前記一の領域及び前記他の領域間に介在する境界領域において、前記一の領域及び前記他の領域に対して斜めに傾いた傾斜面を表面に有するように前記絶縁膜をパターニングする第３工程と、
    前記絶縁膜の上層側に、前記基板上で平面的に見て、前記絶縁膜のうち少なくとも前記傾斜面に重なる領域を含むように前記画素電極を形成する第４工程と
    を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
12. 前記第３工程において、前記第２工程において形成された前記絶縁膜の表面をウエットエッチングによって部分的に除去することを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置の製造方法。
13. 請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。