JP3407707B2 - 垂直配向型マルチドメイン液晶表示装置 - Google Patents
垂直配向型マルチドメイン液晶表示装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス型の液晶表示装置に関し、特に、視角特性に優れた
マルチドメイン型のアクティブマトリクス液晶表示装置
に関する。
クス型の液晶表示装置に関し、特に、視角特性に優れた
マルチドメイン型のアクティブマトリクス液晶表示装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリクス型の液晶表示装置
としては、従来、ねじれネマティック（ＴＮ；twisted
nematic）型の液晶を用いたものが広く使用されてい
る。ＴＮ型の液晶を用いたアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、駆動用の薄膜薄膜トランジスタＴＦＴ(thi
n film transistor)と画素電極とが画素ごとに設けられ
ているＴＦＴ基板と、対向電極を有しＴＦＴ基板に対向
配置される対向基板とを設け、さらに、カラーフィルタ
や偏光板を配置し、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶
を注入したものである。画素電極と対向電極との間に電
圧を印加しない場合には、この液晶表示装置では、ＴＮ
液晶分子が、ＴＦＴ基板の表面とに対して平行になるよ
うに配向するとともに、その配向方向は基板に垂直な方
向に沿って変化し、その結果、液晶の配向がねじれた状
態となっている。一方、電圧を印加した場合には、基板
間の液晶分子が立ち上がり、その結果、液晶層の偏光状
態が変化する。ＴＮ型の液晶を用いた液晶表示装置は、
ここで述べた液晶層の偏光状態の変化を利用して選択的
な表示を実現しているが、液晶分子の配向方向と視認者
との位置関係に応じて視認状態が異なることとなるた
め、最適な視認状態が得られる視野角が狭く、視角特性
が不十分であるという問題点を有する。
としては、従来、ねじれネマティック（ＴＮ；twisted
nematic）型の液晶を用いたものが広く使用されてい
る。ＴＮ型の液晶を用いたアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、駆動用の薄膜薄膜トランジスタＴＦＴ(thi
n film transistor)と画素電極とが画素ごとに設けられ
ているＴＦＴ基板と、対向電極を有しＴＦＴ基板に対向
配置される対向基板とを設け、さらに、カラーフィルタ
や偏光板を配置し、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶
を注入したものである。画素電極と対向電極との間に電
圧を印加しない場合には、この液晶表示装置では、ＴＮ
液晶分子が、ＴＦＴ基板の表面とに対して平行になるよ
うに配向するとともに、その配向方向は基板に垂直な方
向に沿って変化し、その結果、液晶の配向がねじれた状
態となっている。一方、電圧を印加した場合には、基板
間の液晶分子が立ち上がり、その結果、液晶層の偏光状
態が変化する。ＴＮ型の液晶を用いた液晶表示装置は、
ここで述べた液晶層の偏光状態の変化を利用して選択的
な表示を実現しているが、液晶分子の配向方向と視認者
との位置関係に応じて視認状態が異なることとなるた
め、最適な視認状態が得られる視野角が狭く、視角特性
が不十分であるという問題点を有する。
【０００３】そこで、ＴＮ型液晶でなくＶＡ（垂直配
向：vertical aligned）型の液晶を用いることによっ
て、ＴＮ型液晶表示装置の視角特性の不十分さを改善す
ることが提案され実用化されている。ＶＡ型液晶表示装
置は、ＴＦＴ基板と対向基板との間に負の誘電率異方性
を有する液晶をホメオトロピック（垂直）配向させた液
晶をセルを作成し、電圧非印加時には液晶分子が基板で
直立し、電圧を印加した場合には、画素電極と対向電極
との間で生じる斜め電界によって液晶分子を基板面内方
向に倒れ込ませることによって、表示を行おうとするも
のである。その際、１画素の領域を複数の分割領域（配
向領域）に分け、分割領域ごとに液晶分子の倒れ込む方
向を変えて全体としての見え方を平均化することによ
り、広い視野角が得られ、良好な視覚特性が得られる。
このよう液晶表示装置のことをＶＡ型マルチドメイン液
晶表示装置と呼ぶ。
向：vertical aligned）型の液晶を用いることによっ
て、ＴＮ型液晶表示装置の視角特性の不十分さを改善す
ることが提案され実用化されている。ＶＡ型液晶表示装
置は、ＴＦＴ基板と対向基板との間に負の誘電率異方性
を有する液晶をホメオトロピック（垂直）配向させた液
晶をセルを作成し、電圧非印加時には液晶分子が基板で
直立し、電圧を印加した場合には、画素電極と対向電極
との間で生じる斜め電界によって液晶分子を基板面内方
向に倒れ込ませることによって、表示を行おうとするも
のである。その際、１画素の領域を複数の分割領域（配
向領域）に分け、分割領域ごとに液晶分子の倒れ込む方
向を変えて全体としての見え方を平均化することによ
り、広い視野角が得られ、良好な視覚特性が得られる。
このよう液晶表示装置のことをＶＡ型マルチドメイン液
晶表示装置と呼ぶ。
【０００４】ＶＡ型マルチドメイン液晶表示装置では、
上述したように、液晶分子の倒れ込む方向によって１画
素の領域を複数の分割領域に分割するが、その分割位置
すなわち配向領域間の境界の位置が、安定していること
が重要である。分割位置は分割領域の境界であっていわ
ゆるディスクリネーションの発生位置であり、予期せぬ
位置で分割が行われると、表示品質の劣化がもたらされ
る。
上述したように、液晶分子の倒れ込む方向によって１画
素の領域を複数の分割領域に分割するが、その分割位置
すなわち配向領域間の境界の位置が、安定していること
が重要である。分割位置は分割領域の境界であっていわ
ゆるディスクリネーションの発生位置であり、予期せぬ
位置で分割が行われると、表示品質の劣化がもたらされ
る。
【０００５】ＶＡ型マルチドメイン液晶表示装置におい
て、分割領域への分割位置を安定化させる試みとして、
特開平７−３１１３８３号公報には、ＴＦＴ基板と対向
基板の双方に配向制御傾斜部を設け、その配向制御傾斜
部が設けられた位置が分割位置として安定化するように
したものが開示されている。図１５は、ＴＦＴ基板と対
向基板とに配向制御傾斜部が設けられたＶＡ型マルチド
メイン液晶表示装置の構成の一例を示す断面図である。
また、図１６は、図１５に示す液晶表示装置における、
配向制御傾斜部である凸部の配置を模式的に示す平面図
である。
て、分割領域への分割位置を安定化させる試みとして、
特開平７−３１１３８３号公報には、ＴＦＴ基板と対向
基板の双方に配向制御傾斜部を設け、その配向制御傾斜
部が設けられた位置が分割位置として安定化するように
したものが開示されている。図１５は、ＴＦＴ基板と対
向基板とに配向制御傾斜部が設けられたＶＡ型マルチド
メイン液晶表示装置の構成の一例を示す断面図である。
また、図１６は、図１５に示す液晶表示装置における、
配向制御傾斜部である凸部の配置を模式的に示す平面図
である。
【０００６】図１５に示すＶＡ型マルチドメイン液晶表
示装置では、対向配置されたＴＦＴ基板８１と対向基板
８２との間に、負の誘電率異方性を有する液晶物質を含
む液晶層８３が設けられている。ＴＦＴ基板８１は、透
明な支持体８６上に、画素ごとのＴＦＴ（薄膜トランジ
スタ）８７と、ＴＦＴ８７のソース電極に電気的に接続
する画素電極８８とを備えるとともに、画素電極８８上
には、配向制御傾斜部として略三角形断面の凸部８９が
設けられている。一方、対向基板８２は、支持体９１上
に、カラーフィルタ９２と対向電極９３とがこの順で積
層した構造を有し、対向電極９３上には、配向制御傾斜
部として略三角形断面の凸部９４が設けられている。図
１６に示すように、凸部８９及び凸部９４は、それぞ
れ、互い違いの関係で、ＴＦＴ基板８１上及び対向基板
８２上でそれぞれジグザグ状に延びている。液晶分子９
５は、電圧非印加時には、画素電極８８の表面及び対向
電極９３の表面に垂直になるように配向しようとする。
しかしながら、凸部８９、９４では、それらの表面が画
素電極８８や対向電極９３の表面に対して傾斜している
ため、液晶分子９５は、画素電極８８や対向電極９３の
表面に対しては垂直から少しずれた方向に配向しようと
する。この影響は液晶層８３の全体に及び、その結果、
電圧非印加時であっても、図１５に示すように、液晶分
子９５は垂直からずれた方向に配向している。そして画
素電極８８と対向電極９３との間に電圧が印加された場
合には、そのずれた方向からさらに倒れるように液晶分
子９５の配向が変化する。電圧非印加時にどの方向にず
れているかは、図１５、図１６に示すように、凸部８
９、９４との位置関係によって決定する。
示装置では、対向配置されたＴＦＴ基板８１と対向基板
８２との間に、負の誘電率異方性を有する液晶物質を含
む液晶層８３が設けられている。ＴＦＴ基板８１は、透
明な支持体８６上に、画素ごとのＴＦＴ（薄膜トランジ
スタ）８７と、ＴＦＴ８７のソース電極に電気的に接続
する画素電極８８とを備えるとともに、画素電極８８上
には、配向制御傾斜部として略三角形断面の凸部８９が
設けられている。一方、対向基板８２は、支持体９１上
に、カラーフィルタ９２と対向電極９３とがこの順で積
層した構造を有し、対向電極９３上には、配向制御傾斜
部として略三角形断面の凸部９４が設けられている。図
１６に示すように、凸部８９及び凸部９４は、それぞ
れ、互い違いの関係で、ＴＦＴ基板８１上及び対向基板
８２上でそれぞれジグザグ状に延びている。液晶分子９
５は、電圧非印加時には、画素電極８８の表面及び対向
電極９３の表面に垂直になるように配向しようとする。
しかしながら、凸部８９、９４では、それらの表面が画
素電極８８や対向電極９３の表面に対して傾斜している
ため、液晶分子９５は、画素電極８８や対向電極９３の
表面に対しては垂直から少しずれた方向に配向しようと
する。この影響は液晶層８３の全体に及び、その結果、
電圧非印加時であっても、図１５に示すように、液晶分
子９５は垂直からずれた方向に配向している。そして画
素電極８８と対向電極９３との間に電圧が印加された場
合には、そのずれた方向からさらに倒れるように液晶分
子９５の配向が変化する。電圧非印加時にどの方向にず
れているかは、図１５、図１６に示すように、凸部８
９、９４との位置関係によって決定する。
【０００７】結局、このＶＡ型マルチドメイン液晶表示
装置では、凸部８９、９４が分割領域Ａ，Ｂの分割位置
を決定することになり、分割位置が安定する。
装置では、凸部８９、９４が分割領域Ａ，Ｂの分割位置
を決定することになり、分割位置が安定する。
【０００８】また、特開平８−７６１２５号公報には、
上述した配向制御傾斜部（凸部）の代わりに、対向電極
自体を分割することによって、分割位置を安定化させる
ことが提案されている。負の誘電率異方性を有する液晶
物質を利用したＶＡ型液晶表示装置の場合、電圧印加時
に、液晶分子は、電界方向と垂直になる方向に配向しよ
うとする。そこで、図１７に示すように、スリット部９
６によって対向電極９３を分割すると、画素電極８８は
既に画素ごとに分割されていることにより、電圧印加時
に、画素電極８８と対向電極９３との間に、図示矢印で
示すような回り込み電界が発生する。回り込み電界の発
生領域（画素電極８８の端部周辺や対向電極９３の端部
周辺）においては、電圧印加時に、この回り込み電界の
方向に直交するように液晶分子９５が配向しようとする
ため、液晶層８３の全体として、図１７に示すように複
数の分割領域Ａ，Ｂに分割されて液晶分子９５が配向す
るようになり、スリット部９６の位置及び画素電極８８
の形状や位置に応じて、安定した位置に分割領域の境界
が形成されることになる。
上述した配向制御傾斜部（凸部）の代わりに、対向電極
自体を分割することによって、分割位置を安定化させる
ことが提案されている。負の誘電率異方性を有する液晶
物質を利用したＶＡ型液晶表示装置の場合、電圧印加時
に、液晶分子は、電界方向と垂直になる方向に配向しよ
うとする。そこで、図１７に示すように、スリット部９
６によって対向電極９３を分割すると、画素電極８８は
既に画素ごとに分割されていることにより、電圧印加時
に、画素電極８８と対向電極９３との間に、図示矢印で
示すような回り込み電界が発生する。回り込み電界の発
生領域（画素電極８８の端部周辺や対向電極９３の端部
周辺）においては、電圧印加時に、この回り込み電界の
方向に直交するように液晶分子９５が配向しようとする
ため、液晶層８３の全体として、図１７に示すように複
数の分割領域Ａ，Ｂに分割されて液晶分子９５が配向す
るようになり、スリット部９６の位置及び画素電極８８
の形状や位置に応じて、安定した位置に分割領域の境界
が形成されることになる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のＶＡ型マルチドメイン液晶表示装置であるアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の場合、配向制御傾斜
部を設ける場合にはＴＦＴ基板と対向基板の両方に設け
なければならない。対向基板は配向制御傾斜部を設けな
い場合にはそれほどの微細加工を必要としないので、配
向制御傾斜部をＴＦＴ基板のみならず対向基板にも設け
ることは、対向基板への微細加工を必要として、工数増
がもたらすことになる。また、対向電極をスリットによ
って分割する場合であっても、対向電極に対する微細加
工が必要となって、工数が増加する。
た従来のＶＡ型マルチドメイン液晶表示装置であるアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の場合、配向制御傾斜
部を設ける場合にはＴＦＴ基板と対向基板の両方に設け
なければならない。対向基板は配向制御傾斜部を設けな
い場合にはそれほどの微細加工を必要としないので、配
向制御傾斜部をＴＦＴ基板のみならず対向基板にも設け
ることは、対向基板への微細加工を必要として、工数増
がもたらすことになる。また、対向電極をスリットによ
って分割する場合であっても、対向電極に対する微細加
工が必要となって、工数が増加する。
【００１０】本発明の目的は、工数、特に対向基板に対
する微細加工の工数を増加させることなく、分割領域
（配向領域）の境界位置を安定化させることができるア
クティブマトリクス型液晶表示装置を提供することにあ
る。
する微細加工の工数を増加させることなく、分割領域
（配向領域）の境界位置を安定化させることができるア
クティブマトリクス型液晶表示装置を提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明では、対向基板に
特別の分割規制構造を設けることなく、分割規制構造と
して、画素電極側のみに溝状の凹部を設ける。
特別の分割規制構造を設けることなく、分割規制構造と
して、画素電極側のみに溝状の凹部を設ける。
【００１２】このとき、凹部をまたいで連続的に画素電
極が形成されていれば、画素電極と対向電極との間に電
圧を印加したときに、凹部では液晶分子が凹部の長手方
向に倒れ込むこととなり、これによって、分割領域の境
界が固定される。
極が形成されていれば、画素電極と対向電極との間に電
圧を印加したときに、凹部では液晶分子が凹部の長手方
向に倒れ込むこととなり、これによって、分割領域の境
界が固定される。
【００１３】また、凹部において画素電極が取り除かれ
ている構造の場合は、同じく電圧を印加した場合に、凹
部の位置では液晶分子が両基板に対して垂直となったま
まの状態を維持し、これによって、分割領域の境界が固
定される。
ている構造の場合は、同じく電圧を印加した場合に、凹
部の位置では液晶分子が両基板に対して垂直となったま
まの状態を維持し、これによって、分割領域の境界が固
定される。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の好ましい実施の形
態のアクティブマトリクス型液晶表示装置について、図
面を参照して説明する。
態のアクティブマトリクス型液晶表示装置について、図
面を参照して説明する。
【００１５】図１は、本発明の第１の実施形態のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置の構成を示す断面図であ
る。
ィブマトリクス型液晶表示装置の構成を示す断面図であ
る。
【００１６】このアクティブマトリクス型液晶表示装置
は、ＶＡ型マルチドメイン液晶表示装置として構成され
たものであって、ＴＦＴ基板（第１の基板）１と、ＴＦ
Ｔ基板１に対して所定の間隔をあけて対向配置された対
向基板（第２の基板）２と、ＴＦＴ基板１と対向基板２
との間に挟持され封入された液晶層３とを備えている。
液晶層３は、負の誘電率異方性を有するとともにホメオ
トロピック配向させられた液晶物質からなる。
は、ＶＡ型マルチドメイン液晶表示装置として構成され
たものであって、ＴＦＴ基板（第１の基板）１と、ＴＦ
Ｔ基板１に対して所定の間隔をあけて対向配置された対
向基板（第２の基板）２と、ＴＦＴ基板１と対向基板２
との間に挟持され封入された液晶層３とを備えている。
液晶層３は、負の誘電率異方性を有するとともにホメオ
トロピック配向させられた液晶物質からなる。
【００１７】ＴＦＴ基板１は、ガラス基板などの透明な
部材からなる支持体１１と、前記支持体１１上に画素ご
とに設けられ駆動素子であるＴＦＴ１２と、ＴＦＴ１２
を覆ってこれを保護する窒化シリコンからなるパッシベ
ーション層１３と、パッシベーション層１３上に設けら
れ例えばアクリル樹脂からなるオーバコート層１４と、
オーバコート層１４上に設けられて例えばＩＴＯ（酸化
インジウム＋酸化スズ）からなる画素電極１５と、を備
えている。パッシベーション層１３は、ＴＦＴ１２の形
成領域以外の部位では、支持体１１上に直接形成されて
いる。ここでオーバコート層１４に溝を形成することに
より、画素電極１５に溝状の凹部１６が設けられてい
る。画素電極１５は、凹部１６の底部においてはパッシ
ベーション層１３上に直接堆積しており、また、凹部１
６の側面にも連続的に形成されている。したがって、凹
部１６の深さは、オーバコート層１４の厚さと同等であ
る。また、ここに示す例では、凹部１６の断面形状は略
矩形となっている。
部材からなる支持体１１と、前記支持体１１上に画素ご
とに設けられ駆動素子であるＴＦＴ１２と、ＴＦＴ１２
を覆ってこれを保護する窒化シリコンからなるパッシベ
ーション層１３と、パッシベーション層１３上に設けら
れ例えばアクリル樹脂からなるオーバコート層１４と、
オーバコート層１４上に設けられて例えばＩＴＯ（酸化
インジウム＋酸化スズ）からなる画素電極１５と、を備
えている。パッシベーション層１３は、ＴＦＴ１２の形
成領域以外の部位では、支持体１１上に直接形成されて
いる。ここでオーバコート層１４に溝を形成することに
より、画素電極１５に溝状の凹部１６が設けられてい
る。画素電極１５は、凹部１６の底部においてはパッシ
ベーション層１３上に直接堆積しており、また、凹部１
６の側面にも連続的に形成されている。したがって、凹
部１６の深さは、オーバコート層１４の厚さと同等であ
る。また、ここに示す例では、凹部１６の断面形状は略
矩形となっている。
【００１８】凹部１６の幅は５μｍ以上とすることが好
ましい。凹部１６の幅は、代表的には１０μｍ程度であ
る。凹部１６の深さ（オーバコート層１４の厚さ）は１
μｍ以上とすることが好ましい。また、後述する図３
（ａ），（ｂ）に示すように、画素電極１５は略長方形
であり、溝状の凹部１６は、画素電極１５の長辺方向に
その両端まで延び、画素電極１５をほぼ２分している。
ましい。凹部１６の幅は、代表的には１０μｍ程度であ
る。凹部１６の深さ（オーバコート層１４の厚さ）は１
μｍ以上とすることが好ましい。また、後述する図３
（ａ），（ｂ）に示すように、画素電極１５は略長方形
であり、溝状の凹部１６は、画素電極１５の長辺方向に
その両端まで延び、画素電極１５をほぼ２分している。
【００１９】画素電極１５は、画素ごとに設けられるも
のであって、パッシベーション層１３とオーバコート層
１４とを貫通するコンタクトホール１７により、対応す
るＴＦＴ１２のソース電極と電気的に接続する。
のであって、パッシベーション層１３とオーバコート層
１４とを貫通するコンタクトホール１７により、対応す
るＴＦＴ１２のソース電極と電気的に接続する。
【００２０】なお、ここでは画素電極１５の形状が略長
方形であるとしたが、本発明において画素電極の形状
は、略長方形に限定されるものではない。画素電極の形
状は、正方形及び長方形を含めて略矩形であることが望
ましいが、さらには、三角形、平行四辺形や、各種多角
形などの形状とすることができる。
方形であるとしたが、本発明において画素電極の形状
は、略長方形に限定されるものではない。画素電極の形
状は、正方形及び長方形を含めて略矩形であることが望
ましいが、さらには、三角形、平行四辺形や、各種多角
形などの形状とすることができる。
【００２１】ＴＦＴ１２は、ゲートバスライン５１と、
ゲートバスライン５１を覆うように形成された酸化膜
（ゲート絶縁膜）５２と、酸化膜５２を介してゲートバ
スライン５１上に設けられたチャネル領域５３と、チャ
ネル領域５３の両端に設けられたドレイン電極５４及び
ソース電極５５とから構成されている。ドレイン電極５
４は、不図示のドレインバスラインに接続している。
ゲートバスライン５１を覆うように形成された酸化膜
（ゲート絶縁膜）５２と、酸化膜５２を介してゲートバ
スライン５１上に設けられたチャネル領域５３と、チャ
ネル領域５３の両端に設けられたドレイン電極５４及び
ソース電極５５とから構成されている。ドレイン電極５
４は、不図示のドレインバスラインに接続している。
【００２２】一方、対向基板２は、ガラス基板などの透
明な部材からなる支持体２１と、支持体２１上に形成さ
れＩＴＯなどからなる対向電極２２とを備えている。対
向電極２２は、対向基板２の一方の面の全面に一様に形
成されている。
明な部材からなる支持体２１と、支持体２１上に形成さ
れＩＴＯなどからなる対向電極２２とを備えている。対
向電極２２は、対向基板２の一方の面の全面に一様に形
成されている。
【００２３】ここでは図示していないが、画素電極１５
の表面及び対向電極２２の表面には、液晶分子３１を垂
直に配向させるための垂直配向膜が塗布されている。さ
らに、通常のＶＡ型液晶表示装置と同様に、カラーフィ
ルタ、偏光板、ブラックマトリクスなどが設けられてい
る。
の表面及び対向電極２２の表面には、液晶分子３１を垂
直に配向させるための垂直配向膜が塗布されている。さ
らに、通常のＶＡ型液晶表示装置と同様に、カラーフィ
ルタ、偏光板、ブラックマトリクスなどが設けられてい
る。
【００２４】次に、このアクティブマトリクス型液晶表
示装置での液晶分子の配向の変化について説明する。図
１に図示された液晶分子３１の配向は、画素電極１５と
対向電極２２との間に電圧を印加したときのものであ
る。図２は、電圧非印加時の液晶分子の配向を説明する
断面図である。さらに図３（ａ），（ｂ）は、電圧印加
時の基板面内方向での液晶分子の配向を説明する模式平
面図である。図３（ａ）では液晶分子３１を分子の実際
の形状を模して棒状で表し、図３（ｂ）では倒れる方向
も含めて表現するために円錐状の記号で表しているが、
図３（ａ），（ｂ）は実質的に同じ内容を示している。
示装置での液晶分子の配向の変化について説明する。図
１に図示された液晶分子３１の配向は、画素電極１５と
対向電極２２との間に電圧を印加したときのものであ
る。図２は、電圧非印加時の液晶分子の配向を説明する
断面図である。さらに図３（ａ），（ｂ）は、電圧印加
時の基板面内方向での液晶分子の配向を説明する模式平
面図である。図３（ａ）では液晶分子３１を分子の実際
の形状を模して棒状で表し、図３（ｂ）では倒れる方向
も含めて表現するために円錐状の記号で表しているが、
図３（ａ），（ｂ）は実質的に同じ内容を示している。
【００２５】電圧を印加しないときは、図２に示すよう
に、液晶分子３１は、ＴＦＴ基板１及び対向基板２に対
して垂直になるように配向している。ここで画素電極１
５と対向電極２２の間に電圧を印加すると、凹部１６内
では液晶分子３１が凹部１６の長手方向に一様に倒れ込
むこととなる。一方、画素電極１５の端部では、図１に
おいて矢印で示すような回り込み電界が発生するので、
液晶分子３１は、図示左端部分では右方向に、図示右端
部分では左方向に配向方向を変える。その結果、基板面
内方向で考えると、図３（ａ），（ｂ）に示すように、
液晶分子３１は、画素電極端では画素電極１５の長辺方
向に対してほぼ直交する方向に倒れ、凹部１６に近づく
につれて連続的に倒れ込む方向が変化し、凹部１６では
長辺方向に倒れ込むようになる。結局、対向基板２側に
は特別の加工を施すことなく、溝状の凹部１６に分割領
域Ａ，Ｂ間の境界が固定されることになり、安定した表
示状態を達成することができる。また、液晶分子３１が
倒れ込む方向が連続的に変化し、かつこの方向の変化の
状態は安定したものであるので、視認特性の異方性が平
均化され、視野角依存性の少ない液晶表示装置が実現さ
れる。
に、液晶分子３１は、ＴＦＴ基板１及び対向基板２に対
して垂直になるように配向している。ここで画素電極１
５と対向電極２２の間に電圧を印加すると、凹部１６内
では液晶分子３１が凹部１６の長手方向に一様に倒れ込
むこととなる。一方、画素電極１５の端部では、図１に
おいて矢印で示すような回り込み電界が発生するので、
液晶分子３１は、図示左端部分では右方向に、図示右端
部分では左方向に配向方向を変える。その結果、基板面
内方向で考えると、図３（ａ），（ｂ）に示すように、
液晶分子３１は、画素電極端では画素電極１５の長辺方
向に対してほぼ直交する方向に倒れ、凹部１６に近づく
につれて連続的に倒れ込む方向が変化し、凹部１６では
長辺方向に倒れ込むようになる。結局、対向基板２側に
は特別の加工を施すことなく、溝状の凹部１６に分割領
域Ａ，Ｂ間の境界が固定されることになり、安定した表
示状態を達成することができる。また、液晶分子３１が
倒れ込む方向が連続的に変化し、かつこの方向の変化の
状態は安定したものであるので、視認特性の異方性が平
均化され、視野角依存性の少ない液晶表示装置が実現さ
れる。
【００２６】なお、図１ではコンタクトホール１７の部
位においても画素電極１５に凹部が形成されているよう
に示されているが、コンタクトホールという用途上、こ
の凹部は溝状に延びているわけではなく、幅と長さがほ
ぼ同じである孔部として形成されるものである。したが
って、コンタクトホール１７は、上述したような液晶分
子３１の配向には関与しない。さらに、コンタクトホー
ル１７に形成される凹部は、画素電極１５の成膜条件等
により充填することが可能である。
位においても画素電極１５に凹部が形成されているよう
に示されているが、コンタクトホールという用途上、こ
の凹部は溝状に延びているわけではなく、幅と長さがほ
ぼ同じである孔部として形成されるものである。したが
って、コンタクトホール１７は、上述したような液晶分
子３１の配向には関与しない。さらに、コンタクトホー
ル１７に形成される凹部は、画素電極１５の成膜条件等
により充填することが可能である。
【００２７】ここで溝状の凹部１６の断面形状について
説明する。図１に示した例では、凹部１６の断面形状は
略矩形であるが、本発明はこれに限定されるわけではな
い。電圧印加時に凹部１６の長手方向に向かって凹部１
６内に液晶分子３１が安定して倒れ込むことができるも
のであれば、例えば逆台形の断面形状とすることができ
る。図４に示すように、基板表面に平行な面と凹部１６
の側面とがなす角をテーパ角θとすると、６０°≦θ≦
９０°とすることが好ましい。θが３０°未満となる
と、凹部１６の斜面が、従来の技術の項で述べた特開平
７−３１１３８３号公報における配向制御傾斜部（凸
部）と同じように機能し、凹部の長手方向への液晶分子
３１の安定した倒れ込みを阻害するおそれがあり、好ま
しくない。
説明する。図１に示した例では、凹部１６の断面形状は
略矩形であるが、本発明はこれに限定されるわけではな
い。電圧印加時に凹部１６の長手方向に向かって凹部１
６内に液晶分子３１が安定して倒れ込むことができるも
のであれば、例えば逆台形の断面形状とすることができ
る。図４に示すように、基板表面に平行な面と凹部１６
の側面とがなす角をテーパ角θとすると、６０°≦θ≦
９０°とすることが好ましい。θが３０°未満となる
と、凹部１６の斜面が、従来の技術の項で述べた特開平
７−３１１３８３号公報における配向制御傾斜部（凸
部）と同じように機能し、凹部の長手方向への液晶分子
３１の安定した倒れ込みを阻害するおそれがあり、好ま
しくない。
【００２８】次に、凹部１６の平面形状について説明す
る。
る。
【００２９】図３（ａ），（ｂ）に示した例では、凹部
１６は、直線状に延びる溝状のものであった。しかし、
本発明において凹部１６の平面形状はこれに限られるも
のではなく、例えば、画素電極に対して斜めに延びるも
のやジグザグに延びるものも含まれる。
１６は、直線状に延びる溝状のものであった。しかし、
本発明において凹部１６の平面形状はこれに限られるも
のではなく、例えば、画素電極に対して斜めに延びるも
のやジグザグに延びるものも含まれる。
【００３０】図３（ａ），（ｂ）に示すように一様な幅
で直線状に延びる凹部１６の場合、その長さが長すぎる
と、電圧印加時に、図５に示すように、凹部１６のいず
れかの位置に節３２が発生し、この節３２をはさんで液
晶分子３１の倒れ込みの方向が正反対になることがあ
る。その結果、図５に太線で示すようなディスクリネー
ションライン３３が発生する。節３２の発生位置も安定
しないので、このような節３２の発生は、配向不良につ
ながり、表示品質の劣化をもたらし得る。そこで、凹部
１６内での液晶分子３１の倒れ込みの方向を規制するた
め、凹部１６の平面形状を変えることが考えられる。
で直線状に延びる凹部１６の場合、その長さが長すぎる
と、電圧印加時に、図５に示すように、凹部１６のいず
れかの位置に節３２が発生し、この節３２をはさんで液
晶分子３１の倒れ込みの方向が正反対になることがあ
る。その結果、図５に太線で示すようなディスクリネー
ションライン３３が発生する。節３２の発生位置も安定
しないので、このような節３２の発生は、配向不良につ
ながり、表示品質の劣化をもたらし得る。そこで、凹部
１６内での液晶分子３１の倒れ込みの方向を規制するた
め、凹部１６の平面形状を変えることが考えられる。
【００３１】図６は、略長方形の画素電極１５の一方の
短辺で幅が狭く、他方の短辺で幅が広くなるように、末
広がり状の溝状の凹部１６を形成した例を示す。このよ
うに構成することにより、幅が狭い側において液晶分子
３１の倒れ込みの方向が規制され、これが幅が広い側に
伝搬するので、全体として、節を生成することなく、凹
部１６での液晶分子の倒れ込みの方向が所定の一方向に
定まることになる。
短辺で幅が狭く、他方の短辺で幅が広くなるように、末
広がり状の溝状の凹部１６を形成した例を示す。このよ
うに構成することにより、幅が狭い側において液晶分子
３１の倒れ込みの方向が規制され、これが幅が広い側に
伝搬するので、全体として、節を生成することなく、凹
部１６での液晶分子の倒れ込みの方向が所定の一方向に
定まることになる。
【００３２】図７に示したものは、節３２の生成を許容
するが節３２の発生位置を固定してしまおうというもの
である。すなわち、一様な幅の直線状の溝として形成さ
れた凹部１６において、節３２を生成したい位置だけ階
段状に凹部１６の幅を狭めたものである。このように構
成することにより、この位置に節３２が安定して形成さ
れる。
するが節３２の発生位置を固定してしまおうというもの
である。すなわち、一様な幅の直線状の溝として形成さ
れた凹部１６において、節３２を生成したい位置だけ階
段状に凹部１６の幅を狭めたものである。このように構
成することにより、この位置に節３２が安定して形成さ
れる。
【００３３】図８に示すものも、節３２の発生位置を固
定したものである。節３２の発生位置で最も幅が狭くな
り、これから画素電極１５の両方の短辺に向かって幅が
広がるように、凹部１６を形成したものである。このよ
うに構成することにより、この位置に節３２が安定して
形成される。
定したものである。節３２の発生位置で最も幅が狭くな
り、これから画素電極１５の両方の短辺に向かって幅が
広がるように、凹部１６を形成したものである。このよ
うに構成することにより、この位置に節３２が安定して
形成される。
【００３４】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示
装置では、さらに視角特性を改善するために、偏光板と
液晶セルとの間に少なくとも１枚の光学補償板を設ける
ようにしてもよい。ここで述べている実施形態の液晶表
示装置では、各液晶セルにおいて電圧無印加時に液晶分
子が垂直配向となっているため、光学補償板として光学
的に負の補償板を使用することが、斜め方向から見たと
きのリタデーションの変化を打ち消す観点から好まし
い。このような補償板は、２軸延伸のような方法で作成
した１枚のフィルムであってもよいし、１軸延伸したフ
ィルムを２枚以上重ねて実質的に光学的に負の１軸補償
板としたものであってもよい。２軸延伸フィルムを用い
る場合も、１軸延伸フィルムを重ねたものを用いる場合
も、同様の効果が得られる。
装置では、さらに視角特性を改善するために、偏光板と
液晶セルとの間に少なくとも１枚の光学補償板を設ける
ようにしてもよい。ここで述べている実施形態の液晶表
示装置では、各液晶セルにおいて電圧無印加時に液晶分
子が垂直配向となっているため、光学補償板として光学
的に負の補償板を使用することが、斜め方向から見たと
きのリタデーションの変化を打ち消す観点から好まし
い。このような補償板は、２軸延伸のような方法で作成
した１枚のフィルムであってもよいし、１軸延伸したフ
ィルムを２枚以上重ねて実質的に光学的に負の１軸補償
板としたものであってもよい。２軸延伸フィルムを用い
る場合も、１軸延伸フィルムを重ねたものを用いる場合
も、同様の効果が得られる。
【００３５】液晶表示装置によっては、電圧を印加する
ことによって液晶分子が倒れる際に、倒れる方向が異な
る部分間の遷移領域が生じることがある。図３（ａ）に
示すように、遷移領域３１’は、例えば、液晶分子が図
示垂直に倒れている状態から図示水平に倒れている状態
へと連続的に変化している領域のことである。この遷移
領域は、直交偏光板のもとでは黒く観察され、液晶表示
装置の明るさの低下をもたらす。また、場合によって
は、遷移領域の動きが遅く、見かけ上の応答速度が遅く
なることがある。このような場合、特に上述した１軸延
伸フィルムが四分の一波長板である場合、境界部の動き
を不可視化させ、見かけ上、速い応答を得ることが可能
である。このとき、四分の一波長板は、液晶セルの両側
に配置し、かつ、光軸が直交偏光板の吸収軸とそれぞれ
４５°の角度をなすように、相互に直交させて配置する
ことが望ましい。
ことによって液晶分子が倒れる際に、倒れる方向が異な
る部分間の遷移領域が生じることがある。図３（ａ）に
示すように、遷移領域３１’は、例えば、液晶分子が図
示垂直に倒れている状態から図示水平に倒れている状態
へと連続的に変化している領域のことである。この遷移
領域は、直交偏光板のもとでは黒く観察され、液晶表示
装置の明るさの低下をもたらす。また、場合によって
は、遷移領域の動きが遅く、見かけ上の応答速度が遅く
なることがある。このような場合、特に上述した１軸延
伸フィルムが四分の一波長板である場合、境界部の動き
を不可視化させ、見かけ上、速い応答を得ることが可能
である。このとき、四分の一波長板は、液晶セルの両側
に配置し、かつ、光軸が直交偏光板の吸収軸とそれぞれ
４５°の角度をなすように、相互に直交させて配置する
ことが望ましい。
【００３６】次に、本発明の第２の実施形態のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置について、図９及び図１０
を用いて説明する。この液晶表示装置は、図１、図２及
び図３（ａ），（ｂ）に示す液晶表示装置とほぼ同様の
構成のものであるが、画素電極１５の両方の長辺（凹部
１６の延びる方向に平行な辺）に沿って、それぞれ土手
状にガイド１８が設けられている点で相違する。このガ
イド１８は、液晶表示装置の製造に際してＴＦＴ基板１
と対向基板２とを対向配置してからこれら基板間に液晶
物質を注入する際に、画素電極１５ごとにその画素電極
１５の領域での液晶の注入方向を一方向にするためのも
のである。具体的には、溝状の凹部１６の延びる方向に
沿った一方向に、液晶が注入される。
ブマトリクス型液晶表示装置について、図９及び図１０
を用いて説明する。この液晶表示装置は、図１、図２及
び図３（ａ），（ｂ）に示す液晶表示装置とほぼ同様の
構成のものであるが、画素電極１５の両方の長辺（凹部
１６の延びる方向に平行な辺）に沿って、それぞれ土手
状にガイド１８が設けられている点で相違する。このガ
イド１８は、液晶表示装置の製造に際してＴＦＴ基板１
と対向基板２とを対向配置してからこれら基板間に液晶
物質を注入する際に、画素電極１５ごとにその画素電極
１５の領域での液晶の注入方向を一方向にするためのも
のである。具体的には、溝状の凹部１６の延びる方向に
沿った一方向に、液晶が注入される。
【００３７】垂直配向型の液晶物質を基板間の空隙にこ
のように一方向に注入した場合には、電圧印加時に液晶
分子が一方向に倒れ込みやすいことが知られている。そ
のため、この液晶表示装置では、凹部１６が一様な幅の
直線状に形成されていても、電圧印加時に、節を発生さ
せることなく液晶分子３１が凹部１６内で一方向に倒れ
込むことになる。これにより、配向欠陥のない画像表示
が可能となる。
のように一方向に注入した場合には、電圧印加時に液晶
分子が一方向に倒れ込みやすいことが知られている。そ
のため、この液晶表示装置では、凹部１６が一様な幅の
直線状に形成されていても、電圧印加時に、節を発生さ
せることなく液晶分子３１が凹部１６内で一方向に倒れ
込むことになる。これにより、配向欠陥のない画像表示
が可能となる。
【００３８】次に、本発明の第３の実施形態のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置について、図１１及び図１
２を用いて説明する。この液晶表示装置は、図１、図２
及び図３（ａ），（ｂ）に示す液晶表示装置とほぼ同様
の構成のものであるが、溝状の凹部１６の側面及び底面
には画素電極１５が形成されていない点で相違する。画
素電極１５において、凹部１６の両側の領域は、相互に
電気的に接続されている。
ブマトリクス型液晶表示装置について、図１１及び図１
２を用いて説明する。この液晶表示装置は、図１、図２
及び図３（ａ），（ｂ）に示す液晶表示装置とほぼ同様
の構成のものであるが、溝状の凹部１６の側面及び底面
には画素電極１５が形成されていない点で相違する。画
素電極１５において、凹部１６の両側の領域は、相互に
電気的に接続されている。
【００３９】図１１及び図１２においては、電圧印加時
の液晶分子３１の配向が示されているが、凹部１６の側
面及び底面に画素電極１５が形成されていないことによ
り、凹部１６の内部には、対向電極２２側からの電界の
影響が及ばない。また、凹部の１６の幅は凹部１６の深
さより一般に大きいから、画素電極１５と対向電極２２
との間に電圧を印加した場合であっても、凹部１６の内
部では液晶分子３１は両基板に対して垂直な状態を保ち
続ける。凹部１６の内部で液晶分子３１が両基板に対し
て垂直に配向していることにより、電圧印加時であって
も、凹部１６の直上の位置の液晶分子３１も両基板に対
して垂直に配向する。これに対し、画素電極１５の図示
左端及び右端の領域では、図示矢印で示すように回り込
み電界が発生するので、液晶分子３１は、それぞれ、右
方向及び左方向に傾くことになる。結局、この液晶表示
装置でも、１つの画素電極１５の領域が、凹部１６の位
置を境界として、相互に配向方向が異なる２つの分割領
域Ａ，Ｂに分割されることになる。ただし、凹部１６の
位置では液晶分子３１が基板に対して垂直になっている
ことにより、配向の方向が連続的に変化する領域は存在
せず、各分割領域において液晶分子３１の配向の方向は
ほぼ一様となっている。
の液晶分子３１の配向が示されているが、凹部１６の側
面及び底面に画素電極１５が形成されていないことによ
り、凹部１６の内部には、対向電極２２側からの電界の
影響が及ばない。また、凹部の１６の幅は凹部１６の深
さより一般に大きいから、画素電極１５と対向電極２２
との間に電圧を印加した場合であっても、凹部１６の内
部では液晶分子３１は両基板に対して垂直な状態を保ち
続ける。凹部１６の内部で液晶分子３１が両基板に対し
て垂直に配向していることにより、電圧印加時であって
も、凹部１６の直上の位置の液晶分子３１も両基板に対
して垂直に配向する。これに対し、画素電極１５の図示
左端及び右端の領域では、図示矢印で示すように回り込
み電界が発生するので、液晶分子３１は、それぞれ、右
方向及び左方向に傾くことになる。結局、この液晶表示
装置でも、１つの画素電極１５の領域が、凹部１６の位
置を境界として、相互に配向方向が異なる２つの分割領
域Ａ，Ｂに分割されることになる。ただし、凹部１６の
位置では液晶分子３１が基板に対して垂直になっている
ことにより、配向の方向が連続的に変化する領域は存在
せず、各分割領域において液晶分子３１の配向の方向は
ほぼ一様となっている。
【００４０】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示
装置では、ＴＦＴ基板あるいは対向基板のいずれかにカ
ラーフィルタを組み込むことが可能である。図１３は、
図１、図２及び図３（ａ），（ｂ）に示す液晶表示装置
において、ＴＦＴ基板にカラーフィルタ及びブラックマ
トリクスを組み込んだ例を示している。ＴＦＴ基板１に
おいて、画素電極１５の領域の下方において、パッシベ
ーション層１３とオーバコート層１４との間に、カラー
フィルタ４２が挿入されている。凹部１６の底面におい
て、画素電極１５はカラーフィルタ４２上に直接形成さ
れている。また、ＴＦＴ１２のチャネル領域を遮光する
ように、ブラックマトリクス４１がパッシベーション層
１３とオーバコート層１４の間に設けられている。
装置では、ＴＦＴ基板あるいは対向基板のいずれかにカ
ラーフィルタを組み込むことが可能である。図１３は、
図１、図２及び図３（ａ），（ｂ）に示す液晶表示装置
において、ＴＦＴ基板にカラーフィルタ及びブラックマ
トリクスを組み込んだ例を示している。ＴＦＴ基板１に
おいて、画素電極１５の領域の下方において、パッシベ
ーション層１３とオーバコート層１４との間に、カラー
フィルタ４２が挿入されている。凹部１６の底面におい
て、画素電極１５はカラーフィルタ４２上に直接形成さ
れている。また、ＴＦＴ１２のチャネル領域を遮光する
ように、ブラックマトリクス４１がパッシベーション層
１３とオーバコート層１４の間に設けられている。
【００４１】一方、図１４は、対向基板２にブラックマ
トリクス４１とカラーフィルタ４２とを設けた例を示し
ている。対向基板２の画素電極１５と対向する位置にお
いて、支持体２１と対向電極２２の間にカラーフィルタ
４２が設けられている。また、ＴＦＴ１２に対向する位
置には、ＴＦＴ１２を遮光するように、支持体２１と対
向電極２２の間にブラックマトリクス４１が設けられて
いる。
トリクス４１とカラーフィルタ４２とを設けた例を示し
ている。対向基板２の画素電極１５と対向する位置にお
いて、支持体２１と対向電極２２の間にカラーフィルタ
４２が設けられている。また、ＴＦＴ１２に対向する位
置には、ＴＦＴ１２を遮光するように、支持体２１と対
向電極２２の間にブラックマトリクス４１が設けられて
いる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、画素電極
側のみに溝状の凹部を設けることにより、対向基板側に
は配向規制用の微細加工を必要とすることなく、一様な
構造の対向電極を使用して、分割領域（配向領域）の境
界位置を安定化させることができるという効果がある。
側のみに溝状の凹部を設けることにより、対向基板側に
は配向規制用の微細加工を必要とすることなく、一様な
構造の対向電極を使用して、分割領域（配向領域）の境
界位置を安定化させることができるという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施形態のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の構成を示す断面図である。
ス型液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図２】図１に示すアクティブマトリクス型液晶表示装
置における電圧非印加時の液晶分子の配向を説明する断
面図である。
置における電圧非印加時の液晶分子の配向を説明する断
面図である。
【図３】（ａ），（ｂ）は、図１に示すアクティブマト
リクス型液晶表示装置における電圧印加時の液晶分子の
配向を説明する模式平面図である。
リクス型液晶表示装置における電圧印加時の液晶分子の
配向を説明する模式平面図である。
【図４】凹部のテーパ角を説明する図である。
【図５】凹部に発生する節によるディスクリネーション
を説明する模式平面図である。
を説明する模式平面図である。
【図６】凹部の平面形状の別の例を示す模式平面図であ
る。
る。
【図７】凹部の平面形状の別の例を示す模式平面図であ
る。
る。
【図８】凹部の平面形状の別の例を示す模式平面図であ
る。
る。
【図９】本発明の第２の実施形態のアクティブディスプ
レイ型液晶表示装置の構成を示す断面図である。
レイ型液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図１０】図９に示すアクティブマトリクス型液晶表示
装置における電圧印加時の液晶分子の配向を説明する模
式平面図である。
装置における電圧印加時の液晶分子の配向を説明する模
式平面図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態のアクティブディス
プレイ型液晶表示装置の構成を示す断面図である。
プレイ型液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図１２】図１１に示すアクティブマトリクス型液晶表
示装置における電圧印加時の液晶分子の配向を説明する
模式平面図である。
示装置における電圧印加時の液晶分子の配向を説明する
模式平面図である。
【図１３】ＴＦＴ基板にカラーフィルタとブラックマト
リクスとを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置
を示す模式断面図である。
リクスとを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置
を示す模式断面図である。
【図１４】対向基板にカラーフィルタとブラックマトリ
クスとを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置を
示す模式断面図である。
クスとを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置を
示す模式断面図である。
【図１５】従来のＶＡ型マルチドメイン液晶表示装置の
構成の一例を示す断面図である。
構成の一例を示す断面図である。
【図１６】図１５に示す液晶表示装置における、配向制
御傾斜部である凸部の配置を模式的に示す平面図であ
る。
御傾斜部である凸部の配置を模式的に示す平面図であ
る。
【図１７】従来のＶＡ型マルチドメイン液晶表示装置の
構成の別の例を示す断面図である。
構成の別の例を示す断面図である。
１ ＴＦＴ基板
２ 対向基板
３ 液晶層
１１，２１ 支持体
１２ ＴＦＴ
１３ パッシベーション層
１４ オーバコート層
１５ 画素電極
１６ 凹部
２２ 対向電極
３１ 液晶分子
３２ 節
３３ ディスクリネーションライン
４１ ブラックマトリクス
４２ カラーフィルタ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 鈴木 成嘉
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気
株式会社内
(72)発明者 石井 俊也
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気
株式会社内
(72)発明者 鈴木 照晃
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気
株式会社内
(72)発明者 松山 博昭
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気
株式会社内
(72)発明者 河田 きよみ
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気
株式会社内
(72)発明者 鈴木 聖二
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気
株式会社内
(72)発明者 平井 良彦
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気
株式会社内
(56)参考文献 特開 平７−43698（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−311383（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−211476（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−139402（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−270024（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/1337
G02F 1/1333
Claims (3)
- 【請求項１】 画素ごとに設けられた略矩形の画素電極
と、前記画素電極ごとに設けられた駆動素子とを有する
第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置され、対
向電極を有する第２の基板と、前記第１の基板と前記第
２の基板との間に挟持された、負の誘電率異方性を有す
るとともにホメオトロピック配向させられた液晶物質か
らなる液晶層と、前記画素電極及び前記対向電極の表面
に塗布された、前記液晶層中の液晶分子を垂直に配向さ
せるための垂直配向膜とを有し、前記対向電極は前記第
２の基板の一方の全面に一様に形成され、前記画素電極
に形成された溝状の凹部が、前記画素電極の１対の対向
する辺の一方から他方に向かって延びて前記画素電極を
２つに分割する垂直配向型マルチドメイン液晶表示装置
において、前記凹部が、画素電極の１対の対向する辺の
一方では幅が狭く他方では幅が広くなるように、末広が
りの形状で前記画素電極に形成されていることを特徴と
する垂直配向型マルチドメイン液晶表示装置。 - 【請求項２】 画素ごとに設けられた略矩形の画素電極
と、前記画素電極ごとに設けられた駆動素子とを有する
第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置され、対
向電極を有する第２の基板と、前記第１の基板と前記第
２の基板との間に挟持された、負の誘電率異方性を有す
るとともにホメオトロピック配向させられた液晶物質か
らなる液晶層と、前記画素電極及び前記対向電極の表面
に塗布された、前記液晶層中の液晶分子を垂直に配向さ
せるための垂直配向膜とを有し、前記対向電極は前記第
２の基板の一方の全面に一様に形成され、前記画素電極
に形成された溝状の凹部が、前記画素電極の１対の対向
する辺の一方から他方に向かって延びて前記画素電極を
２つに分割する垂直配向型マルチドメイン液晶表示装置
において、前記凹部が一定の幅を有する直線状であって
かつ長手方向の中央部では節を生成したい位置に応じて
階段状に幅が狭くなるように形成されていることを特徴
とする垂直配向型マルチドメイン液晶表示装置。 - 【請求項３】 画素ごとに設けられた略矩形の画素電極
と、前記画素電極ごとに設けられた駆動素子とを有する
第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置され、対
向電極を有する第２の基板と、前記第１の基板と前記第
２の基板との間に挟持された、負の誘電率異方性を有す
るとともにホメオトロピック配向さ せられた液晶物質か
らなる液晶層と、前記画素電極及び前記対向電極の表面
に塗布された、前記液晶層中の液晶分子を垂直に配向さ
せるための垂直配向膜とを有し、前記対向電極は前記第
２の基板の一方の全面に一様に形成され、前記画素電極
に形成された溝状の凹部が、前記画素電極の１対の対向
する辺の一方から他方に向かって延びて前記画素電極を
２つに分割する垂直配向型マルチドメイン液晶表示装置
において、前記凹部が、前記凹部の長手方向中央部で幅
が狭く、画素電極の１対の対向する辺のそれぞれに向か
って幅が広がるように形成されていることを特徴とする
垂直配向型マルチドメイン液晶表示装置。
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