JP3101454B2 - Tn液晶表示素子 - Google Patents
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Description
(TNと略称する)液晶表示素子に関し、特に視角特性
を改善して表示品質を向上したTN液晶表示素子に関す
る。
晶表示素子いわゆる液晶セルは、液晶の特定な分子配列
を電界等の外部からの作用によって別の異なる分子配列
に状態変化させて、その間の光学的特性の変化を視覚的
な変化として表示に利用している。液晶分子をある特定
の配列状態にするために液晶を挟む電極を備えたガラス
基板の表面には配向処理を行うのが普通である。
む透明電極を形成したガラス基板をラビングし、その際
に、ラビングの方向が上下の基板間で互いに直交するよ
うに行い、液晶セルがネガ表示の場合にはセルを挟む平
行偏光子の偏光板をその偏光軸がどちらか一方のラビン
グ方向と平行になるように配置し、またポジ表示の場合
には、直交偏光子の偏光板の偏光軸が基板のラビング方
向と平行になるように配置される。
配向処理をすると、液晶分子の配向方向が一様なため
に、観測者から画面を見たときの表示が見やすい角度が
特定の角度範囲に制限される視角特性を有する。
角特性を表す等コントラスト曲線の一例である。図7
(A)において、円の中心部を液晶セルの表示点とし、
そこを中心に同心円状に液晶セルに対する垂線からの角
度を取り、放射線状に水平面内の観測位置を角度φで示
す。
スト線で、それぞれの曲線にはコントラスト値が示され
ている。図7(A)で示されるように、コントラストの
高い視角領域は特定の角度領域に偏っていることがわか
る。従って、このような液晶セルはある方向からは見え
やすく、別の方向からは見えにくいといった視角依存性
を持つことになる。
示装置として利用した場合には、表示画面に対してある
角度(図7(A)の例ではφ=45°付近)ではコント
ラストが極端に低下し、甚だしい場合には表示の明暗が
反転してしまう。
ラビングの際に図7(B)で示すようなプレチルトが生
じるからである。液晶がプレチルトを持つ方向は、図7
(B)の矢印のラビングするベクトル方向に一致する。
はプレチルトしている方向に立ち上がってくるために、
その方向から観測した場合に、旋光性が解消されやすく
なる。従って、ベクトルの終端方向すなわち、液晶分子
が立ち上がる方向(チルトアップしている方向)が一番
見やすく、その逆の方向が最も見にくくなる。
術によれば、TN液晶表示素子において、特定の方向に
表示品質が悪くなる視角特性を示していた。
方向にわたってほぼ一様な視角特性が得られるようなよ
り高い表示品質のTN液晶表示素子を提供することにあ
る。なお、本発明におけるTN液晶はSTN(スーパー
ツイストネマチック)液晶も広義に含む。
子は、対向配置された一対の基板と、前記一対の基板上
に設けられ、液晶層を挟んで互いに重なり合って表示領
域を形成する一対の透明電極とを有し、前記一対の透明
電極の内の一方の透明電極において、前記表示領域にお
ける透明電極の一部が取り除かれたスリットを設け、前
記スリットは、その長手方向が無電界時の前記液晶層の
中心部の液晶分子の配向方向と直交する方向に延在する
形状を有する。
設けたことによって、一対の電極の表示領域で、電圧印
加時にはスリットの両側で互いに逆方向の斜め電界が同
時に形成されるので、それぞれ液晶分子の立ち上がり方
向が逆になり、互いの領域の視角依存性が補完されて、
表示領域全体として視角依存性が低減する。
るTN液晶表示素子の構造とその動作について説明す
る。先ず、図1により、本発明の基本概念を示す。図1
の(A)はTN液晶セルに電圧が印加されない状態の液
晶分子配列を示し、図1の(B)は電圧が印加された状
態での液晶分子配列を示す。この図1を参照して、本発
明において視角依存性が低減する原理について説明す
る。
れ、それぞれの内側表面に透明電極3、4が形成されて
いる。上下の透明電極3、4でTN液晶層5を挟持して
表示領域を形成する。
配向処理によって、図1(A)の無電界時には分子長軸
方向が一方の透明電極から他方の透明電極に向かって次
第に回転して、上端と下端とでは液晶分子6の配向方向
が水平面内で直交することになる。
リットが設けてあることである。図1の例では、上の透
明電極3に電極の一部を取り除いたスリット7が設けて
ある。スリット7は下部透明電極4に設けてもよい。
電極3、4間に所定の電圧を印加した場合には、スリッ
トのエッジ部分には、図1(A)の破線の矢印のような
電気力線8(いわゆるフリンジ電界)が発生する。すな
わち、スリット7における電気力線は電極面(基板面)
に対して垂直にはならず、斜め電界となる。
(A)の実線の矢印の方向に立ち上がる。これは、あた
かもプレチルト角が有る場合の液晶分子の立ち上がり方
向と同じである。
の配列状態を図1(B)に示す。図1(B)から、スリ
ット7の中央部付近を境に液晶分子6の立ち上がり方向
が左右の領域で逆方向になることが判る。つまり、液晶
分子6は左の領域aでは左方向(右下がり)に傾き、右
の領域bでは逆に右方向(左下がり)に傾くことにな
る。
左側の方向からであり、bの領域では上方右側からの方
向である。また、視認状態が最も悪いのは、以上の逆の
方向である。
も視認状態の良い領域が、最も視認状態の悪い領域を補
償するために、表示領域全体としては視角依存性が低減
し、TN液晶表示素子の表示品質が向上する。他の方向
の視認性については図7(A)の特性で示すように、問
題はない。
電界に対してよりも、斜めの電界に対しての閾値の方が
低くなることが知られている。このことは、本発明にお
いては、スリット付近の液晶分子がそれ以外の液晶分子
よりも電界に対し先に応答するということを示してお
り、本発明における異なる配列の領域が安定に形成され
ることを保証している。
発明の実施例の構造を図2〜図4に示す。図2は、単純
マトリックス型TN液晶表示装置の例である。図2は単
純マトリックス液晶表示装置の1個のマトリックス交差
部の平面図である。
基板(図示せず)の一方の表面上に、行電極ライン10
が形成され、他方のガラス基板の上に列電極ライン20
が形成されている。行電極10と列電極20との交差部
が表示領域21である。また、行電極10あるいは列電
極20の一方に、電極の一部を取り除いた細長いスリッ
ト11が形成されている。
上記電極の上にはそれぞれ配向処理がされた配向膜が形
成される。図2の左側に上下の基板の配向方向22,2
3を示す。この例において、左巻きのカイラル特性を持
つ液晶を用いれば、液晶層中央部の液晶分子の無電界時
の配向方向は図2の矢印24の向きである。
ット11の長手方向の向きは、液晶層中央部の液晶分子
の配向方向24と直交する。図2のI−I’における断
面は、図1で示す断面構造と基本的に対応する。このス
リット11により、スリット11で分割された両側の領
域の電界印加時の液晶分子の傾きが逆転するために、全
体として視角特性が補完され、視角依存性が低減するの
で、いずれの方向からでも視認性が良くなる。
の形状は、図3の(A)で示すように、各列電極20
(あるいは行電極10)において、交差部毎に形成した
不連続のものであってもよいし、また図3の(B)で示
すように、各列電極20(あるいは行電極10)におい
てつながった連続の形状28であってもよい。
示領域21がスリットで分断されるので、分断された表
示領域間を電気的に接続する手段を講じることが好まし
い。なお、ここでスリットの長手方向が液晶層中央部の
液晶分子の配向方向と直交することの有効性について述
べる。前述したように、本発明において必要な斜め電界
は、液晶層の中央部の液晶分子の配向方向に対して平行
な方向の斜め成分を持つものが有効である。このような
理由で、スリットはその長手方向が液晶分子配向方向と
直交するものであることが望ましい。
方向の長さ)がある程度広い場合には、スリット中央部
の電界が極端に弱くなり、電圧印加に対して液晶分子が
反応しなくなる領域が生じ、その領域で表示不良が発生
する。
分な斜め電界が生じなくなってしまい、本発明の効果が
充分に発揮できないことになる。少なくとも、スリット
の幅は、液晶層5の厚み、所謂セルギャップ以上である
ことが望ましい。
て述べる。斜め電界8に対する液晶分子6の応答の対称
性を確保するためには、基板表面と液晶分子のダイレク
タ方向とのなす角度であるプレチルト角は小さいことが
望ましい。少なくとも、斜め電界の傾斜角度より小さい
ことが好ましい。例えば、プレチルト角は実質的に10
°以下がよく、理想的には0°であることが望ましい。
これを実現するためには、以下の方法が考えられる。
もある程度のチルト角を与えるために、図2の22,2
3で示すようなラビング方向を選定する。すなわち、液
晶分子6の頭を少し持ち上げた方向を保ったまま、90
°ツイスト(捻じる)させるが、片方のラビング方向を
逆方向の25とすれば、液晶層の厚さと共にチルト角も
変化しなければならず、液晶内の液晶分子配列の対称性
によって、液晶層中央部の液晶分子のチルト角は0°に
なることがわかる。
ックス液晶表示装置に適用した実施例を示す。図4はT
FTアクティブマトリックス液晶表示装置の数個の画素
の領域の平面図である。なお、アクティブマトリックス
型液晶装置は現在では一般的であるので、その構造につ
いては簡単に言及するに止める。
ず)上に複数のアモルファスシリコン等によるTFT素
子30と、ITO等による透明画素電極31と、さら
に、TFT素子30のソース電極Sとゲート電極Gとに
それぞれ接続するソースライン(信号線)32とゲート
ライン(走査線)33とが形成され、TFT素子30に
よりドレイン電極Dを介して画素電極31を駆動する。
画素電極31の上には図示しない配向膜が形成される。
上記画素電極の形成されたガラス基板の上に、その基板
と対向して、TN液晶層を介してもう一つのガラス基板
が配置され、その基板には、共通電極が形成される。ま
た共通電極の液晶層と接する面は配向処理がされた配向
膜が形成される。
の基板の配向方向が点線40であり、それと直交して上
の基板の配向方向が実線矢印41で示す。矢印42は液
晶層中央部の液晶分子の配向方向を示す。
図示のような実線でしめす細長い形状のスリット34が
形成される。図4のII−II’における断面は、図1
で示す断面構造と基本的に対応する。このスリット34
により、図1を参照して説明したのと同様な作用効果を
生ずる。
設けることも出来る。その配置位置は図4の場合と同様
である。共通電極35側にスリットを設ける場合には、
図5の(A)で示すように、画素部毎に形成した不連続
のスリット36であってもよいし、また図5の(B)で
示すように、ゲートライン方向に連続した形状37であ
ってもよい。
素電極31がスリットで37で分断されるので、分断さ
れた表示領域間を電気的に接続する手段を講じることが
好ましい。
記以外の別の構造も有るが、本発明は別のアクティブマ
トリックス構造でも適用できる。図6は、単純セグメン
ト型TN液晶表示素子に本発明を適用した実施例の平面
図である。図6のセグメント型TN液晶表示素子は数字
の「1」を表示している。「1」の文字の輪郭線で囲ま
れた内側の領域は、上下の透明電極(図示せず)で挟持
された表示領域である。上下の透明電極のいずれか一方
にはスリット50、51、52が形成される。
れ図示しない上下基板のラビングによる配向方向を示
す。この例において、カイラル特性を持つ液晶を用いれ
ば、液晶層中央部の液晶分子の無電界時の配向方向は図
2の矢印55の向きである。
く、スリット50、51、52の長手方向の向きは、液
晶層中央部の液晶分子の配向方向55とは直交する。図
6のIII−III’における断面が図1の断面図に対
応する。
示領域のスリットで挟まれた領域の電界印加時の液晶分
子の傾きが逆転するために、全体として視角特性が補完
され、視角依存性が低減するので、いずれの方向からで
も視認性が良くなる。
施例に限るものではなく、上記開示に基づき当業者であ
れば様々な変更や改良ができることはいうまでもない。
ットを表示領域に設けたことによって、一対の電極の表
示領域で、電圧印加時には液晶分子の立ち上がり方向が
それぞれ逆方向の領域が同時に形成されるので、互いの
領域の視角依存性が補完されて、表示領域全体として視
角依存性が低減し、もっていずれの方向から見ても視認
性が良好となり、表示品質が向上する。
液晶表示素子の平面図である。
ットの形状の例を示す。
型液晶表示装置の平面図である。
るスリットの形状の例を示す。
子の平面図である。
ある。
Claims (4)
- 【請求項1】 対向配置された一対の基板と、前記一対
の基板上に設けられ、液晶層を挟んで互いに重なり合っ
て表示領域を形成する一対の透明電極とを有し、前記一
対の透明電極の内の一方の透明電極において、前記表示
領域における透明電極の一部が取り除かれたスリットを
設け、前記スリットは、その長手方向が無電界時の前記
液晶層の中心部の液晶分子の配向方向と直交する方向に
延在する形状を有することを特徴とするTN液晶表示素
子。 - 【請求項2】 前記液晶層の液晶分子は実質的に10°
以下のプレチルト角を与えられていることを特徴とする
請求項1記載のTN液晶表示素子。 - 【請求項3】 前記スリットの長手方向と直交する方向
の幅は前記液晶層の前記電極間の厚みよりも大きいこと
を特徴とする請求項1記載のTN液晶表示素子。 - 【請求項4】 前記透明電極の一方が多数の表示領域に
分割されており、各表示領域に薄膜トランジスタが接続
されている請求項1〜3のいずれかに記載のTN液晶表
示素子。
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