JP3264044B2 - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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Description
する液晶表示素子に関する。
形成した一対の透明基板間に液晶を封入したもので、従
来の液晶表示素子は次のような構成となっている。図7
は従来の液晶表示素子の一部分の断面図であり、ここで
は、TN(ツイステッド・ネマティック)型のものを示
している。
対の透明基板1,2をその周縁部において図示しない枠
状のシール材を介して接合し、この両基板1,2間に液
晶Aを封入したもので、両基板1,2の互いに対向する
面にはそれぞれ透明な絶縁膜3,4が形成されており、
この絶縁膜3,4の上に透明電極5,6が形成されてい
る。
ス方式のものであり、一方の透明基板1に形成された透
明電極5は走査電極、他方の透明基板2に形成された透
明電極6は信号電極である。
ミド等からなる配向膜7,8が形成されている。この配
向膜7,8は、その膜面を一方向にラビングしたラビン
グ処理膜であり、一方の配向膜7と他方の配向膜8とで
は液晶分子を配向させる方向(ラビング方向)がほぼ9
0°ずれている。
Aの分子aは、両基板1,2の配向膜7,8により、こ
の配向膜7,8の膜面に対して適度に傾斜したプレチル
ト状態で所定方向に配向され、両基板1,2間において
ほぼ90°のツイスト角でツイスト配列している。
光板9,10が取り付けられている。TN型の液晶表示
素子には、ポジ表示タイプのものとネガ表示タイプのも
のとがあり、ポジ表示タイプの液晶表示素子では一対の
偏光板9,10の透過軸を互いにほぼ直交させ、ネガ表
示タイプの液晶表示素子では一対の偏光板9,10の透
過軸を互いにほぼ平行にしている。
電極5,6間への電圧の印加により光の透過を制御して
表示するもので、電圧無印加状態、つまり液晶分子aが
ツイスト配列している状態では、一方の偏光板9を通っ
て液晶層に入射した直線偏光がその偏光方向をほぼ90
°旋向されて他方の偏光板10に入射し、また電圧印加
状態、つまり液晶分子aがほぼ垂直に立上り配列した状
態では、前記直線偏光が液晶層での旋向作用を受けずに
入射時の偏光状態のまま他方の偏光板10に入射するた
め、例えばポジ表示タイプの液晶表示素子では、電圧無
印加部を通った光が他方の偏光板10を透過してこの部
分が明表示状態になり、電圧印加部を通った光は他方の
偏光板10で吸収されてこの部分が暗表示状態になる。
ス方式のものであるが、液晶表示素子にはアクティブマ
トリックス型のものもあり、このアクティブマトリック
ス型の液晶表示素子では、その一方の透明基板上に画素
電極とTFT(薄膜トランジスタ)等のアクティブ素子
とをマトリックス状に配列形成し、他方の透明基板上に
対向電極を形成している。
あるが、液晶表示素子には、液晶分子をTN型よりも大
きなツイスト角(180〜270°)でツイスト配列さ
せたSTN(スーパー・ツイステッド・ネマティック)
型のものなど、種々の形式のものがある。
子は、外部からの光(自然光または光源からの光)を利
用して表示するものであるため、消費電力が少なくてす
むという利点があるが、その反面、表示を良好なコント
ラストで見ることができる観察角度(以下、視野角とい
う)が狭いという問題をもっている。本発明は、このよ
うな視野角の狭いという従来の欠点を改善して広い視野
角をもつ液晶表示素子を提供することを目的とするもの
である。
的を達成するために、透明電極と配向膜が形成された一
対の透明基板間に液晶が封入され、前記配向膜の膜面に
は液晶分子をツイスト配向させるラビング処理が施され
ている液晶表示素子において、少なくとも前記一方の透
明基板側の配向膜の膜面には、両基板の透明電極が互い
に対向する画素部ごとに段差が形成され、この段差に基
づいて前記膜面が高さの高い高位領域と高さの低い低位
領域とに区分され、前記高位領域と前記低位領域にはラ
ビング処理により大きさの異なるプレチルト角が付与さ
れていることを特徴とするものである。
ングローラを配向膜の膜面に接触させ、このラビングロ
ーラを一方向に移動させる方法で行われるが、この際、
配向膜の膜面に段差が形成されていると、その膜面の高
さの高い領域では、ラビングローラの表面が強く接触し
て強いラビングの処理が施され、高さの低い領域ではラ
ビングローラの表面が弱く接触して弱いラビングの処理
が施される。
プレチルト角は、その膜面のラビングの処理の強さによ
り変化する。すなわち、配向膜の膜面のラビング処理が
強いと、液晶分子のプレチルト角が小さくなり、ラビン
グ処理が弱いと、液晶分子のプレチルト角が大きくな
る。
とも一方の配向膜の膜面に、画素部ごとに段差が形成さ
れ、この段差に基づいて各画素部ごとの配向膜の膜面に
高さの高い高位領域と高さの低い低位領域とが形成され
ており、したがってその高さの高い高位領域の膜面のラ
ビングの処理が強く、高さの低い低位領域の膜面のラビ
ングの処理が弱い状態となる。そしてそのラビング処理
の強い領域の膜面では液晶分子のプレチルト角が小さ
く、ラビング処理の弱い領域では液晶分子のプレチルト
角が大きくなる。
分子が異なるプレチルト状態でツイスト配向する少なく
とも二つの領域の部分が生じる。液晶表示素子の視野角
は、液晶分子のツイスト配向状態で決まり、したがって
一つの画素部内に、液晶分子が異なるプレチルト状態で
ツイスト配向する少なくとも二つの領域が存在する本発
明の液晶表示素子においてはその視野角が広くなる。
6を参照して説明する。図1ないし図5には本発明をT
N型の液晶表示素子に適用した第1の実施例を示してあ
り、図1は液晶表示素子の一部分の断面図である。
ガラス等からなる一対の透明基板11,12をその周縁
部において図示しない枠状のシール材を介して接合し、
この両基板11,12間に液晶(誘電異方性が正のネマ
ティック液晶)Aを封入したもので、両基板11,12
の互いに対向する面にはそれぞれ透明な絶縁膜13,1
4が形成されており、この絶縁膜13,14の上に、透
明電極15,16が形成されている。
ス型のものであり、一方の透明基板11に形成された透
明電極15は走査電極、他方の透明基板12に形成され
た透明電極16は信号電極である。
は、ポリイミド等からなる配向膜17,18が形成され
ている。この配向膜17,18は、その膜面をラビング
したラビング処理膜であり、両配向膜17,18のラビ
ング方向は互いにほぼ90°ずれている。
液晶Aの分子aは、両基板11,12側の配向膜17,
18の近傍の液晶分子aの各配向方向が前記配向膜1
7,18で規制され、両基板11,12間においてほぼ
90°のツイスト角でツイスト配列している。
それぞれ偏光板19,20が取り付けられており、その
一方の偏光板19は、その透過軸をこの偏光板19に隣
接する透明基板11側での液晶分子配向方向(配向膜1
7のラビング方向)とほぼ平行にして配置され、他方の
偏光板20は、その透過軸を前記一方の偏光板19の透
過軸とほぼ直交(ポジ表示タイプの液晶表示素子の場
合)させるか、あるいはほぼ平行(ネガ表示タイプの液
晶表示素子の場合)させて配置されている。
両基板11,12の透明電極15,16が互いに対向す
る各画素部Gごとにおいて、それぞれ段部17a,18
aを境とする段差が形成されている。
素部Gごとに、段部17a,18aを境として、高さの
高い高位領域Hと、高さの低い低位領域Lとに左右にほ
ぼ二等分されている。
Hの膜面が他方の配向膜18における低位領域Lの膜面
に対向し、一方の配向膜17における低位領域Lの膜面
が他方の配向膜18における高位領域Hの膜面に対向す
る状態となっている。
手段としては、例えばその配向膜17,18の下層の透
明電極15,16の表面に前記段差に対応する段差を形
成し、この透明電極15,16の上に各部ほぼ一定の膜
厚で配向膜17,18の材料を塗布することにより配向
膜17,18の膜面に段差を形成するようにする。
差は、フォトリソグラフィ法により一工程で形成するこ
とも可能であるが、透明電極15,16を二層構造に構
成してその表面に段差を形成する手段を採用することも
可能である。
成する他の手段としては、透明基板11,12の上の電
極形成部分に透明な絶縁膜により段差を形成し、この上
に透明電極15,16を形成することにより電極15,
16の表面に段差を形成し、この段差に基づいて配向膜
17,18の膜面に段差を形成することも可能で、さら
には配向膜17,18の膜厚自体を変えることにより、
その配向膜17,18の膜面に段差を形成することも可
能である。
5,16の表面に段差を形成し、この段差に基づいて配
向膜17,18の膜面に段差を設けた場合を例示してあ
る。ところで、配向膜17,18のラビング処理は、ま
ず透明電極15,16を形成した透明基板11,12の
上に配向膜17,18の材料を塗布してこれを焼成し、
こののち図4に示すように、その配向膜17,18の膜
面にラビングローラRの表面を接触させ、このラビング
ローラRを一定の高さのレベルを保って回転させながら
一方向に移動させて配向膜17,18の膜面をラビング
することにより行われる。
7,18の膜面には段差が形成されていて、高さの高い
高位領域Hと高さの低い低位領域Lとに区分されてお
り、このためその高位領域Hの膜面ではラビングローラ
Rの表面が強く接触して強いラビングの処理が施され、
低位領域Lの膜面では弱く接触して弱いラビングの処理
が施される。
と、液晶分子のプレチルト角との関係を示してあり、こ
の図から明らかなように、ラビングの強さが増すに従っ
てプレチルト角が小さくなる。
膜17,18の膜面が、画素部Gごとに高さの高い高位
領域Hと高さの低い低位領域Lとに区分されおり、した
がってその高さの高い高位領域Hの膜面のラビングの処
理が強く、高さの低い低位領域Lの膜面のラビングの処
理が弱い状態にある。このため各画素部Gごとに液晶分
子aが次のように配向する。
画素部Gを拡大した状態を示してあり、下側の配向膜1
7の膜面はX方向にラビングされ、上側の配向膜18の
膜面は前記X方向とほぼ直交するY方向にラビングされ
ている。そして液晶分子aは、配向膜17,18の膜面
に対してプレチルトした状態でツイスト配向するが、こ
こで配向膜17,18の膜面が各画素部Gごとにラビン
グ処理の強い高位領域Hとラビング処理の弱い低位領域
Lとに区分されており、したがってラビング処理の強い
高位領域Hの膜面での液晶分子aのプレチルト角αは小
さく、ラビング処理の弱い低位領域Lの膜面での液晶分
子aのプレチルト角βは大きくなる。
膜18の低位領域Lとが対向する部分E1 での液晶分子
aの配向状態、および配向膜17の低位領域Lと配向膜
18の高位領域Hとが対向する部分E2 での液晶分子a
の配向状態をそれぞれ示してある。なお、この図3にお
いては、便宜上、配向膜17の膜面での液晶分子aの配
向の向きと、配向膜18の膜面での液晶分子aの配向の
向きとを同一方向に揃えた状態で示してある。
7の膜面での液晶分子aのプレチルト角αが小さく、上
側の配向膜18の膜面での液晶分子aのプレチルト角β
が大きい関係(α<β)があるから、この関係に基づい
て液晶層の中間部分における液晶分子aの中間プレチル
ト角γの向きが下側の配向膜17に向って傾斜する方向
(図における斜め下方)となる。
膜17の膜面での液晶分子aのプレチルト角βが大き
く、上側の配向膜18の膜面での液晶分子aのプレチル
ト角αが小さい関係(β>α)が生じ、この関係に基づ
いて液晶層の中間部分における液晶分子aの中間プレチ
ルト角γの向きが上側の配向膜18に向って傾斜する方
向(図における斜め上方)となる。
晶分子aが異なるプレチルト状態でツイスト配向する二
つの領域の部分が生じる。液晶表示素子の視野角は、液
晶分子aのツイスト配向状態で決まり、したがって一つ
の画素部G内に、それぞれ液晶分子aが異なるプレチル
ト状態でツイスト配向する領域が二つ存在する本実施例
の液晶表示素子においてはその視野角が広くなる。
り、この第2の実施例においては、一方の配向膜17の
膜面はその全域がほぼ水平な平面であり、他方の配向膜
18の膜面に、各画素部Gごとに段差17aを境とする
段差が形成され、高さが高くラビング処理が強い高位領
域Hと、高さが低くラビング処理が弱い低位領域Lとに
区分されている。
配向膜18との間には、一つの画素部G内において、一
方の配向膜17の水平な膜面と他方の配向膜18の低位
領域Lとが対向する部分E1 と、一方の配向膜17の水
平な膜面と他方の配向膜18の低位領域Hとが対向する
部分E2 とが生じる。
配向状態、およびE2 部分での液晶分子の配向状態をそ
れぞれ示してある。なお、この図6においては、便宜
上、配向膜17の膜面での液晶分子aの配向の向きと、
配向膜18の膜面での液晶分子aの配向の向きとを同一
方向に揃えた状態として示してある。
の液晶分子aのプレチルト角をα、配向膜17の低位領
域Lの膜面での液晶分子aのプレチルト角をβとすると
きに、配向膜18の膜面での液晶分子aのプレチルト角
εが、α<ε<βとなるように、配向膜18の膜面に対
するラビング処理の強さが設定されている。
向膜17の膜面での液晶分子aのプレチルト角εと、配
向膜18の膜面での液晶分子aのプレチルト角βとの間
でε<βの関係が生じ、この関係に基づいて液晶層の中
間部分における液晶分子aの中間プレチルト角δ1 の向
きが下側の配向膜17に向って斜めに傾斜する方向(図
における斜め下方)となる。
面での液晶分子aのプレチルト角εと、配向膜18の膜
面での液晶分子aのプレチルト角αとの間でε>αの関
係が生じ、この関係に基づいて液晶層の中間部分におけ
る液晶分子aの中間チルト角δ2 の向きが上側の配向膜
18に向って斜めに傾斜する方向(図における斜め上
方)となる。
厚dが異なり、この液晶層厚dと液晶の屈折率異方性Δ
nとの積Δndの値が異なるため、電気光学的特性が相
違する。
いても、一つの画素部G内で液晶分子aが異なるプレチ
ルト状態でツイスト配向する二つの領域が生じ、またΔ
ndの値も異なるので液晶表示素子の視野角が広がる。
例においても、配向膜の膜面に、画素部Gごとに二段以
上の段差を形成して液晶分子aのプレチルト角が異なる
領域をさらに増すようにしてもよい。
表示素子に適用する場合に限らず、アクティブマトリッ
クス型等の液晶表示素子にも適用することが可能であ
り、さらにTN型に限らず例えばSTN型等の各種の液
晶表示素子に適用することができる。
なくとも一方の透明基板側の配向膜の膜面に、両基板の
透明電極が互いに対向する画素部ごとにそれぞれ段差を
形成し、この段差に基づいて画素部ごとの配向膜の膜面
に、高さの高い高位領域と高さの低い低位領域とを形成
し、高位領域と低位領域にはラビング処理により大きさ
の異なるプレチルト角を付与するようにしたから、各画
素部に、液晶分子のツイスト配向状態が異なる複数の領
域が生じて液晶表示素子の視野角が広くなる利点があ
る。
部分の断面図。
図。
模式的に示す断面図。
するための断面図。
晶分子のプレチルト角との関係を示すグラフ図。
一つ画素部での液晶分子のツイスト配向状態を模式的に
示す断面図。
角 β…配向膜の低位領域の膜面での液晶分子のプレチルト
角
Claims (2)
- 【請求項1】透明電極と配向膜が形成された一対の透明
基板間に液晶が封入され、前記配向膜の膜面には液晶分
子をツイスト配向させるラビング処理が施されている液
晶表示素子において、 少なくとも前記一方の透明基板側の配向膜の膜面には、
両基板の透明電極が互いに対向する画素部ごとに段差が
形成され、この段差に基づいて前記膜面が高さの高い高
位領域と高さの低い低位領域とに区分され、前記高位領
域と前記低位領域にはラビング処理により大きさの異な
るプレチルト角が付与されていることを特徴とする液晶
表示素子。 - 【請求項2】配向膜の膜面の段差は、配向膜の下層の透
明電極の表面に段差を形成することにより設けられてい
ることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14356493A JP3264044B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14356493A JP3264044B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH075466A JPH075466A (ja) | 1995-01-10 |
JP3264044B2 true JP3264044B2 (ja) | 2002-03-11 |
Family
ID=15341687
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14356493A Expired - Fee Related JP3264044B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3264044B2 (ja) |
-
1993
- 1993-06-15 JP JP14356493A patent/JP3264044B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JPH075466A (ja) | 1995-01-10 |
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