KR20040013495A - 전방위 대칭형 수직배향 액정표시소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전방위 대칭형 수직배열 액정표시소자에 관한 것으로, 본 발명에 따른 VA용 액정표시장치는, 게이트 라인과 데이터라인을 수직교차되어 이루는 지역 및 트랜지스터영역을 화소중앙부에 이동시켜 이부분의 화소내에 엠보싱패턴이 형성 된 것으로, 게이트 및 데이터라인교차부 및 트랜지스터를 화소중앙부에 형성하므 로써 초광시야각을 형성할 수 있으며, 화소내 중앙부 트랜지스터 형성에 따른 디스 클리네이션영역을 감소시킬 수 있다.

Description

전방위 대칭형 수직배향 액정표시소자{Vertical Alingment Liquid Crystal Display of symmetric type to all sides}
본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 모든 모드의 액정표시소자에 응용이 가능한 전방위 대칭형 수직 배향의 액정표시소자에 관한 것이다.
차세대 TV 기술로 주목받고 있는 VA(vertical alignment)기술의 확보를 위한 TFT 및 C/F측 엠보싱(embossing)기술 및 전극 슬리트기술 도입이라는 생산공정의 어려움 및 단가 경쟁력을 확보하고자 한다. 즉, VA 모드로 대표적인 MVA 및 PVA 및 ASV 등 VA 모드 구현을 위한 엠보싱 및 슬리트 전극패턴이라는 각 고유의 특허영역을 확보하고 있으므로 이러한 특허분쟁을 피하면서 생산경쟁력을 갖춘 자사의 우수한 VA 모드 개발이 필요한 시점이다.
이에 본 발명은 상기 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, TFT패턴내에 게이트 및 데이터라인교차부 및 트랜지스터를 화소중앙부에 형성하므로써 돌출형 타입을 갖는 VA용 액정표시소자를 제공함에 그 목적이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 VA용 액정표시장치의 화소내 게이트/데이타라인 및 트랜지스터에 따른 엠보싱 형성 평면도,
도 2a는 도 1의 Ⅱa-Ⅱa선에 따른 단면도이고, 도 2b는 도 1의 Ⅱb-Ⅱbtjs에 따른 단면도이며, 도 2c는 도 1의 Ⅱc-Ⅱc선에 따른 단면도,
도 3은 본 발명에 따른 화소내 게이트라인측 좌/우 단면을 도시한 도면이고, 도 4는 본 발명에 따른 VA용 액정표시장치의 전체 화소의 평면도,
도 4는, 본 발명에 있어서, 게이트와 ITO층간 캐패시터의 형성을 도시한 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 전방위 대칭형 수직배향 액정표시소자에 있어서, 전체 화소의 평면도를 나타낸 도면,
[도면부호의설명]
11 : 게이트라인13 : 데이터라인
15 : 보호막17 : ITO 층
17a : 엠보싱패턴19 : 액정
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 VA용 액정표시장치는, 게이트 라인과 데이터라인을 수직교차되어 이루는 지역 및 트랜지스터영역을 화소중앙부에 이동시켜 이부분의 화소내에 엠보싱패턴이 형성된 것을 특징으로한다.
(실시예)
이하, 본 발명에 따른 VA용 액정표시장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 VA용 액정표시장치의 화소내 게이트/데이타라인 및 트랜지스터에 따른 엠보싱 형성 평면도이고,
도 2a는 도 1의 Ⅱa-Ⅱa선에 따른 단면도이고, 도 2b는 도 1의 Ⅱb-Ⅱbtjs에 따른 단면도이며, 도 2c는 도 1의 Ⅱc-Ⅱc선에 따른 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 화소내 게이트라인측 좌/우 단면을 도시한 도면이고, 도 4도는 본 발명에 따른 VA용 액정표시장치의 전체 화소의 평면도이다.
본 발명에 따른 VA용 액정표시장치는, 도 1에 도시된 바와같이, 게이트라인(11) 및 데이터라인(13)을 교차영역 및 트랜지스터영역을 화소중앙부로 이동시켜 이 부분에서의 TFT층 단차 및 설계(design) 기술을 이용하여 화소내 엠보싱패턴(17a)이 형성될 수 있게 한다.
이때, 도 3에서와 같이, 상기 엠보싱패턴 (17a) 형상은 원형이며, 엠보싱 경사 및 크기는 레진(resin)특성 및 광시야각 특성을 고려하여 경사각(θ)는 0°∼ 45°이내로 조절하며, 크기는 화소단축 크기를 넘지 않도록한다.
또한, 엠보싱영역은 도 2a, 도 2b 및 도 2c에서와 같은 단면적 구조를 갖게 함과 동시에, 전방위 액정수직배향을 표시한 도 3에 의해 광시야 효과를 기대할 수 있는 기반을 확보하게 된다.
하부층 형성에 관련해서는, 도 4에 도시된 바와같이, 엠보싱내 ITO층을 제거하면서 화소내 엠보싱영역상하측에 슬릿 ITO층의 존재로 엠보싱 효과를 부과시킬수 있게 한다.
아울러, 게이트라인(21) 및 데이터라인(23)의 교차영역 및 트랜지스터영역을 화소중앙부에 형성하므로써 엠보싱패턴(27a)상단에 형성된 디스클리레이션 (disclination)영역을 덮게 한다.
한편, 도 2a에서와같이, ITO패턴(17)사이에 디스클리네이션을 칼라필터 블랙매트릭스내부에 숨기게 설계할 수도 있다.
도 5에 도시된 바와같이, 엠보싱패턴(27a) 주변부의 ITO층(미도시)은 디스클리네이션 라인이 데이터라인(23)내부에 형성되도록 패턴굴곡, 위치 및 크기를 조절한다.
상기에서 설명한 바와같이, 본 발명에 따른 전방위 대칭형 수직배향 액정표시장치에 의하면, 전방위 원형 엠보싱을 형성하므로써 초광시야각을 형성할 수 있으며, 화소내 중앙부 트랜지스터 형성에 따른 디스클리네이션영역을 감소시킬 수 있다. 또한, 전방위 원형 엠보싱을 형성하므로써 공정단순화를 기할 수 있다.
한편, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.

Claims (5)

  1. 게이트라인과 데이터라인을 수직교차되어 이루는 지역 및 트랜지스터영역을 화소중앙부에 이동시켜 이부분의 화소내에 엠보싱패턴이 형성된 것을 특징으로하는 전방위 대칭형 수직배향 액정표시장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 상기 엠보싱 형상은 원형이며, 엠보싱 경사 및 크기는 레진특성 및 광시야각 특성을 고려하여 경사는 0°∼ 45°이내로 조절하며, 크기는 화소단축 크기를 넘지 않는 것을 특징으로하는 전방위 대칭형 수직배향 액정표시장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 엠보싱패턴은 중앙에 ITO층을 갖지 않으며, 주변 ITO층을 갖는 것을 특징으로 하는 전방위 대칭형 수직배향 액정표시장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 엠보싱패턴은 중앙부에 형성된 디스글리네이션이 덮여지게 한 것을 특징으로하는 전방위 대칭형 수직배향 액정표시장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 엠보싱패턴 주변부의 ITO층은 디스클리네이션라인이 데이터라인내부에 형성되도록 패턴굴곡, 위치 및 크기를 조절하는 것을 특징으로하는 전방위 대칭형 수직배향 액정표시장치.
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