JPH10268349A - 液晶表示素子及びこれを用いた液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示素子及びこれを用いた液晶表示装置Info
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- JPH10268349A JPH10268349A JP7331097A JP7331097A JPH10268349A JP H10268349 A JPH10268349 A JP H10268349A JP 7331097 A JP7331097 A JP 7331097A JP 7331097 A JP7331097 A JP 7331097A JP H10268349 A JPH10268349 A JP H10268349A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の液晶表示素子では、ゲート電極３とド
レイン電極５間の寄生容量Ｃｇｄ及び、画素電極６と補
助容量電極８との間に形成されるＣｓ容量等が、製造工
程での設計値のずれにより変化し、液晶表示パネルの表
示特性に影響を与えるという問題があった。 【解決手段】 液晶表示素子の中央部に走査信号線１を
配置し、走査信号線１を中心に対称形となるように薄膜
トランジスタを形成し、同様にして液晶に電圧を印加す
る画素電極６も２分割して、走査信号線１を中心に対称
形となるように配置すると共に、液晶に補助的に電圧を
印加する補助容量電極８を、走査信号線１を中心に対称
形に配置した画素電極６と重なり合うように対称形に形
成して、寄生容量の製造工程でのずれを吸収する構造の
液晶表示素子としたものである。
レイン電極５間の寄生容量Ｃｇｄ及び、画素電極６と補
助容量電極８との間に形成されるＣｓ容量等が、製造工
程での設計値のずれにより変化し、液晶表示パネルの表
示特性に影響を与えるという問題があった。 【解決手段】 液晶表示素子の中央部に走査信号線１を
配置し、走査信号線１を中心に対称形となるように薄膜
トランジスタを形成し、同様にして液晶に電圧を印加す
る画素電極６も２分割して、走査信号線１を中心に対称
形となるように配置すると共に、液晶に補助的に電圧を
印加する補助容量電極８を、走査信号線１を中心に対称
形に配置した画素電極６と重なり合うように対称形に形
成して、寄生容量の製造工程でのずれを吸収する構造の
液晶表示素子としたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、映像や情報機器
などに用いる液晶表示パネルの表示部を構成する液晶表
示素子及びこれを用いた液晶表示装置に関するものであ
る。
などに用いる液晶表示パネルの表示部を構成する液晶表
示素子及びこれを用いた液晶表示装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図３は、液晶表示装置にマトリクス状に
配置されている従来の液晶表示素子を示すレイアウト図
である。図において、１は走査信号線、２は走査信号線
１に交差するように配置されたデータ信号線、３は走査
信号線１に接続され、薄膜トランジスタを構成するゲー
ト電極、４はデータ信号線２に接続され、薄膜トランジ
スタを構成するソース電極、５は薄膜トランジスタを構
成するドレイン電極、６はドレイン電極５に接続された
画素電極、７は薄膜トランジスタを構成する半導体層で
ある。８は液晶の収束性を高める目的で画素電極６の周
辺に設けられた補助容量電極である。
配置されている従来の液晶表示素子を示すレイアウト図
である。図において、１は走査信号線、２は走査信号線
１に交差するように配置されたデータ信号線、３は走査
信号線１に接続され、薄膜トランジスタを構成するゲー
ト電極、４はデータ信号線２に接続され、薄膜トランジ
スタを構成するソース電極、５は薄膜トランジスタを構
成するドレイン電極、６はドレイン電極５に接続された
画素電極、７は薄膜トランジスタを構成する半導体層で
ある。８は液晶の収束性を高める目的で画素電極６の周
辺に設けられた補助容量電極である。
【０００３】図３に示すように、液晶表示素子は、ゲー
ト電極３とソース電極４とドレイン電極５からなる薄膜
トランジスタＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓ
ｉｓｔｏｒ）と、液晶表示装置の対向基板との間に注入
封止されている液晶に電圧を印加する画素電極６と、液
晶の収束性を高める目的で画素電極６の周辺に設けられ
た補助容量電極８から構成されている。液晶表示装置
は、この液晶表示素子をマトリクス状に配置した液晶表
示パネル基板と、ブラックマトリクス層、カラーフィル
タ層、トップコート層からなる透明基板との間に、液晶
を注入封止したものである。
ト電極３とソース電極４とドレイン電極５からなる薄膜
トランジスタＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓ
ｉｓｔｏｒ）と、液晶表示装置の対向基板との間に注入
封止されている液晶に電圧を印加する画素電極６と、液
晶の収束性を高める目的で画素電極６の周辺に設けられ
た補助容量電極８から構成されている。液晶表示装置
は、この液晶表示素子をマトリクス状に配置した液晶表
示パネル基板と、ブラックマトリクス層、カラーフィル
タ層、トップコート層からなる透明基板との間に、液晶
を注入封止したものである。
【０００４】従来の液晶表示素子においては、液晶表示
素子１つにつき、１つの薄膜トランジスタで画素電極６
を駆動している。液晶表示素子は、図３に示すような構
成であって、半導体層７を介して、ドレイン電極５に電
圧を印加し、薄膜トランジスタのドレイン電極５から、
液晶表示素子内の画素電極６に電圧を印加する。
素子１つにつき、１つの薄膜トランジスタで画素電極６
を駆動している。液晶表示素子は、図３に示すような構
成であって、半導体層７を介して、ドレイン電極５に電
圧を印加し、薄膜トランジスタのドレイン電極５から、
液晶表示素子内の画素電極６に電圧を印加する。
【０００５】図４は、図３に示す液晶表示素子のＡ−Ａ
´断面を示す断面図である。図において、３〜７は図３
におけるものと同一のものである。９はガラス基板、１
０はゲート絶縁膜、１１は保護膜である。液晶表示素子
は、図４に示すように形成される。ガラス基板９上にま
ず画素電極６を駆動させるためのスイッチング素子を構
成するゲート電極３を形成し、次いでゲート絶縁膜１
０、半導体層７をゲート電極３の上部に形成する。ま
た、ゲート電極３と同一層にて、またはゲート絶縁膜１
０をはさんで、ゲート電極３の上層または下層に、画素
電極６と重なりあう形で、補助容量電極（図示せず）を
形成する。そして、ゲート絶縁膜１０及び半導体層７の
上部に、画素電極６に電圧を印加するドレイン電極５及
びソース電極４を形成する。さらに、ドレイン電極５及
びソース電極４の上層または下層に、ドレイン電極５と
接続する形で、画素電極６を形成する。そして最後に、
ガラス基板９上に形成した薄膜を保護する目的で、保護
膜１１を形成する。
´断面を示す断面図である。図において、３〜７は図３
におけるものと同一のものである。９はガラス基板、１
０はゲート絶縁膜、１１は保護膜である。液晶表示素子
は、図４に示すように形成される。ガラス基板９上にま
ず画素電極６を駆動させるためのスイッチング素子を構
成するゲート電極３を形成し、次いでゲート絶縁膜１
０、半導体層７をゲート電極３の上部に形成する。ま
た、ゲート電極３と同一層にて、またはゲート絶縁膜１
０をはさんで、ゲート電極３の上層または下層に、画素
電極６と重なりあう形で、補助容量電極（図示せず）を
形成する。そして、ゲート絶縁膜１０及び半導体層７の
上部に、画素電極６に電圧を印加するドレイン電極５及
びソース電極４を形成する。さらに、ドレイン電極５及
びソース電極４の上層または下層に、ドレイン電極５と
接続する形で、画素電極６を形成する。そして最後に、
ガラス基板９上に形成した薄膜を保護する目的で、保護
膜１１を形成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】液晶表示素子において
は、ゲート電極３とドレイン電極５間の寄生容量Ｃｇ
ｄ、画素電極６と補助容量電極８との間に形成されるＣ
ｓ容量等が発生する。そして、このような寄生容量の収
束性や、画素電極６に対する液晶の応答速度が、液晶表
示パネルの表示特性に重大な影響を与えており、時とし
て液晶表示パネルの歩留まりを低下させる原因になって
いる。従来の液晶表示素子においては、液晶表示素子内
の全てを埋めつくすような形状で、画素電極６を形成
し、その画素電極６を１つの薄膜トランジスタで駆動す
る構成としている。
は、ゲート電極３とドレイン電極５間の寄生容量Ｃｇ
ｄ、画素電極６と補助容量電極８との間に形成されるＣ
ｓ容量等が発生する。そして、このような寄生容量の収
束性や、画素電極６に対する液晶の応答速度が、液晶表
示パネルの表示特性に重大な影響を与えており、時とし
て液晶表示パネルの歩留まりを低下させる原因になって
いる。従来の液晶表示素子においては、液晶表示素子内
の全てを埋めつくすような形状で、画素電極６を形成
し、その画素電極６を１つの薄膜トランジスタで駆動す
る構成としている。
【０００７】画素電極６に対する液晶の応答速度を向上
させるためには、薄膜トランジスタの駆動能力を向上さ
せることが一例として上げられる。これは、薄膜トラン
ジスタのサイズを変更することにより、実現可能である
が、液晶表示素子という限られた領域内での遮光領域が
増加することを意味し、液晶表示素子の開口率（液晶表
示素子内での表示領域）の観点からは望ましくない。ま
た、前述したような液晶表示素子の製造過程において
は、設計値と異なる層間のズレが生じてしまう。そし
て、層間のズレのみならず、露光時のパターンのズレも
同様にして起こりうる。そして、設計値と異なるズレが
生じた場合、前述の寄生容量が変化し、結果として表示
ムラ等が発生し、液晶表示装置の品質が低下する。
させるためには、薄膜トランジスタの駆動能力を向上さ
せることが一例として上げられる。これは、薄膜トラン
ジスタのサイズを変更することにより、実現可能である
が、液晶表示素子という限られた領域内での遮光領域が
増加することを意味し、液晶表示素子の開口率（液晶表
示素子内での表示領域）の観点からは望ましくない。ま
た、前述したような液晶表示素子の製造過程において
は、設計値と異なる層間のズレが生じてしまう。そし
て、層間のズレのみならず、露光時のパターンのズレも
同様にして起こりうる。そして、設計値と異なるズレが
生じた場合、前述の寄生容量が変化し、結果として表示
ムラ等が発生し、液晶表示装置の品質が低下する。
【０００８】このように、従来の液晶表示素子では、液
晶表示素子の製造過程における層間のズレによる品質低
下を防ぐため、層間のズレを見込んだ設計が必要不可欠
であり、さらにその上で、液晶表示素子の製造過程にお
ける、層間のズレまたは、露光時のパターンのズレを減
少させるため、製造過程においてのアライメント精度の
向上が必要不可欠であった。しかし、層間のズレを見込
んだ設計を行うには、液晶表示素子という限られた領域
内での遮光領域が増加することを意味し、液晶表示素子
の開口率の観点からは望ましくない。また、寄生容量の
増減を見込んだ液晶表示素子の設計を行うことは、極め
て困難であった。以上のことより、トランジスタの駆動
能力を向上し、寄生容量の変化の影響を受けにくい液晶
表示素子の設計が望まれている。
晶表示素子の製造過程における層間のズレによる品質低
下を防ぐため、層間のズレを見込んだ設計が必要不可欠
であり、さらにその上で、液晶表示素子の製造過程にお
ける、層間のズレまたは、露光時のパターンのズレを減
少させるため、製造過程においてのアライメント精度の
向上が必要不可欠であった。しかし、層間のズレを見込
んだ設計を行うには、液晶表示素子という限られた領域
内での遮光領域が増加することを意味し、液晶表示素子
の開口率の観点からは望ましくない。また、寄生容量の
増減を見込んだ液晶表示素子の設計を行うことは、極め
て困難であった。以上のことより、トランジスタの駆動
能力を向上し、寄生容量の変化の影響を受けにくい液晶
表示素子の設計が望まれている。
【０００９】この発明は、上述のような課題を解決する
ためになされたものであり、薄膜トランジスタの駆動能
力を向上させ、画素電極の応答時間を短縮することがで
きる液晶表示素子を得ることを第一の目的とする。ま
た、製造工程による設計値のズレによる寄生容量の変化
の影響をうけにくい構造の液晶表示素子を得ることを第
二の目的とする。また、そのような液晶表示素子を用い
た液晶表示装置を得ることを第三の目的とする。さら
に、液晶表示素子間で製造工程による設計値のズレを吸
収できるような構造の液晶表示装置を得ることを第四の
目的とする。
ためになされたものであり、薄膜トランジスタの駆動能
力を向上させ、画素電極の応答時間を短縮することがで
きる液晶表示素子を得ることを第一の目的とする。ま
た、製造工程による設計値のズレによる寄生容量の変化
の影響をうけにくい構造の液晶表示素子を得ることを第
二の目的とする。また、そのような液晶表示素子を用い
た液晶表示装置を得ることを第三の目的とする。さら
に、液晶表示素子間で製造工程による設計値のズレを吸
収できるような構造の液晶表示装置を得ることを第四の
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる液晶表
示素子においては、第一の信号線に接続された第一の電
極と、第二の信号線に接続された第二の電極と、第一の
電極と一部が重なるように第二の電極と対向して配置さ
れた第三の電極をそれぞれ有すると共に、第一の信号線
の両側に配置された一対の薄膜トランジスタと、第一の
信号線の両側に配置され、一対の薄膜トランジスタの第
三の電極にそれぞれ接続された一対の画素電極と、この
一対の画素電極とそれぞれ一部が重なるように第一の信
号線の両側に配置された一対の補助容量電極を備え、製
造工程における配置のずれが生じても一対の薄膜トラン
ジスタの第一の電極と第三の電極の重なり部の面積の和
が一定になると共に、一対の画素電極と補助容量電極の
重なり部の面積の和が一定になるものである。また、画
素電極及び補助容量電極は、第一の信号線の長手方向の
中心線を対称軸とするほぼ線対称に配置されているもの
である。
示素子においては、第一の信号線に接続された第一の電
極と、第二の信号線に接続された第二の電極と、第一の
電極と一部が重なるように第二の電極と対向して配置さ
れた第三の電極をそれぞれ有すると共に、第一の信号線
の両側に配置された一対の薄膜トランジスタと、第一の
信号線の両側に配置され、一対の薄膜トランジスタの第
三の電極にそれぞれ接続された一対の画素電極と、この
一対の画素電極とそれぞれ一部が重なるように第一の信
号線の両側に配置された一対の補助容量電極を備え、製
造工程における配置のずれが生じても一対の薄膜トラン
ジスタの第一の電極と第三の電極の重なり部の面積の和
が一定になると共に、一対の画素電極と補助容量電極の
重なり部の面積の和が一定になるものである。また、画
素電極及び補助容量電極は、第一の信号線の長手方向の
中心線を対称軸とするほぼ線対称に配置されているもの
である。
【００１１】さらに、薄膜トランジスタは、第一の信号
線の長手方向の中心線を対称軸とするほぼ線対称に配置
されているものである。また、補助容量電極は、画素電
極側に突起部を有し、この突起部が画素電極と重なって
いるものである。また、補助容量電極は、画素電極を囲
むコ字型に形成され、コ字型に画素電極と重なっている
ものである。
線の長手方向の中心線を対称軸とするほぼ線対称に配置
されているものである。また、補助容量電極は、画素電
極側に突起部を有し、この突起部が画素電極と重なって
いるものである。また、補助容量電極は、画素電極を囲
むコ字型に形成され、コ字型に画素電極と重なっている
ものである。
【００１２】さらにまた、薄膜トランジスタの第二の電
極は、第二の信号線と平行な部分を有し、第三の電極は
第二の電極の第二の信号線と平行な部分に対向して設け
られているものである。また、薄膜トランジスタの第一
の電極は、第一の信号線と平行な部分を有し、この部分
と第三の電極が重なっているものである。
極は、第二の信号線と平行な部分を有し、第三の電極は
第二の電極の第二の信号線と平行な部分に対向して設け
られているものである。また、薄膜トランジスタの第一
の電極は、第一の信号線と平行な部分を有し、この部分
と第三の電極が重なっているものである。
【００１３】また、この発明に係わる液晶表示装置にお
いては、液晶表示素子がマトリクス状に配置されると共
に、液晶表示素子の補助容量電極は、隣接する別の液晶
表示素子と共用されるものである。加えて、液晶表示素
子の補助容量電極は、長手方向の中心線を対称軸として
ほぼ線対称の形状であるものである。
いては、液晶表示素子がマトリクス状に配置されると共
に、液晶表示素子の補助容量電極は、隣接する別の液晶
表示素子と共用されるものである。加えて、液晶表示素
子の補助容量電極は、長手方向の中心線を対称軸として
ほぼ線対称の形状であるものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の液晶表示素子
の構成を示すレイアウト図である。図２は、この発明の
実施の形態による液晶表示素子を示す別のレイアウト図
である。図において、１〜８は上記従来装置におけるも
のに相当するものであるが、レイアウト及び形状が以下
に説明するごとく異なっている。図１に示すように液晶
表示素子は、次のように形成される。薄膜トランジスタ
を形成する土台となるガラス基板上に、走査信号線１及
び走査信号線１に接続されているゲート電極３を形成す
る。また、ゲート電極３と同一の工程または、絶縁膜を
はさんでゲート電極３を形成する工程と前後する工程
で、補助容量電極８を形成する。次に、ゲート絶縁膜と
半導体層７を形成し、その後、画素電極６及びソース電
極４、ドレイン電極５を形成する。そして、ガラス基板
９上の薄膜を保護する目的で、最後に保護膜１１を設け
る。
の構成を示すレイアウト図である。図２は、この発明の
実施の形態による液晶表示素子を示す別のレイアウト図
である。図において、１〜８は上記従来装置におけるも
のに相当するものであるが、レイアウト及び形状が以下
に説明するごとく異なっている。図１に示すように液晶
表示素子は、次のように形成される。薄膜トランジスタ
を形成する土台となるガラス基板上に、走査信号線１及
び走査信号線１に接続されているゲート電極３を形成す
る。また、ゲート電極３と同一の工程または、絶縁膜を
はさんでゲート電極３を形成する工程と前後する工程
で、補助容量電極８を形成する。次に、ゲート絶縁膜と
半導体層７を形成し、その後、画素電極６及びソース電
極４、ドレイン電極５を形成する。そして、ガラス基板
９上の薄膜を保護する目的で、最後に保護膜１１を設け
る。
【００１５】図１に示すように、液晶表示素子のレイア
ウトは、液晶表示素子の中央部に走査信号線１を配置
し、走査信号線１を中心に対称形となるように薄膜トラ
ンジスタを形成する。ここで、ソース電極４は、データ
信号線２と平行な部分を有し、この平行な部分に対向す
るようにドレイン電極を設けると共に、ゲート電極３
は、走査信号線１と平行な部分を有し、この平行な部分
とドレイン電極５が重なる構成とする。すなわち、デー
タ信号線２の方向にソース電極４とドレイン電極５を配
置する構成とするものである。同様にして、液晶に電圧
を印加する画素電極６も二分割して、走査信号線１を中
心に対称形となるように配置する。この発明の実施の形
態による液晶表示素子においては、液晶に電圧を印加す
る画素電極６を走査信号線１を中心に二分割し、それぞ
れの画素電極６を別個の薄膜トランジスタで駆動させる
ことにより、画素電極６の応答速度を向上させ、結果と
して、Ｃｓ容量の収束性を向上させる液晶表示素子を実
現することが可能となる。
ウトは、液晶表示素子の中央部に走査信号線１を配置
し、走査信号線１を中心に対称形となるように薄膜トラ
ンジスタを形成する。ここで、ソース電極４は、データ
信号線２と平行な部分を有し、この平行な部分に対向す
るようにドレイン電極を設けると共に、ゲート電極３
は、走査信号線１と平行な部分を有し、この平行な部分
とドレイン電極５が重なる構成とする。すなわち、デー
タ信号線２の方向にソース電極４とドレイン電極５を配
置する構成とするものである。同様にして、液晶に電圧
を印加する画素電極６も二分割して、走査信号線１を中
心に対称形となるように配置する。この発明の実施の形
態による液晶表示素子においては、液晶に電圧を印加す
る画素電極６を走査信号線１を中心に二分割し、それぞ
れの画素電極６を別個の薄膜トランジスタで駆動させる
ことにより、画素電極６の応答速度を向上させ、結果と
して、Ｃｓ容量の収束性を向上させる液晶表示素子を実
現することが可能となる。
【００１６】また、ゲート電極３とドレイン電極５との
間の寄生容量Ｃｇｄは、液晶表示素子内で分割した画素
電極６の上段と下段とで、同一の値をとるように設計す
る。製造工程において、層間のズレにより、Ｃｇｄの容
量が変化しても、１つの液晶表示素子内に走査信号線１
をはさんで上下に対称形となっているので、１つの液晶
表示素子のゲート電極３とドレイン電極５との間の寄生
容量は均一化される。よって、液晶表示パネル全体とし
ては、製造工程間のパターンのズレを平均化した容量が
形成され、表示ムラ等の発生しにくい高品質な液晶表示
装置を実現することが可能である。さらに、液晶に補助
的に電圧を印加する補助容量電極８は、走査信号線１を
中心に対称形に配置した画素電極６と重なり合うように
形成する。そして、補助容量電極８と、画素電極６が重
なり合った領域に発生する寄生容量がＣｓ容量となる。
この時、補助容量電極８は、液晶表示素子内で分割され
た画素電極６と重なり合う形で、走査信号線１に対して
上に位置する画素電極６では画素電極６の上部に、走査
信号線１に対して下に位置する画素電極６では画素電極
６の下部に、配置されている。
間の寄生容量Ｃｇｄは、液晶表示素子内で分割した画素
電極６の上段と下段とで、同一の値をとるように設計す
る。製造工程において、層間のズレにより、Ｃｇｄの容
量が変化しても、１つの液晶表示素子内に走査信号線１
をはさんで上下に対称形となっているので、１つの液晶
表示素子のゲート電極３とドレイン電極５との間の寄生
容量は均一化される。よって、液晶表示パネル全体とし
ては、製造工程間のパターンのズレを平均化した容量が
形成され、表示ムラ等の発生しにくい高品質な液晶表示
装置を実現することが可能である。さらに、液晶に補助
的に電圧を印加する補助容量電極８は、走査信号線１を
中心に対称形に配置した画素電極６と重なり合うように
形成する。そして、補助容量電極８と、画素電極６が重
なり合った領域に発生する寄生容量がＣｓ容量となる。
この時、補助容量電極８は、液晶表示素子内で分割され
た画素電極６と重なり合う形で、走査信号線１に対して
上に位置する画素電極６では画素電極６の上部に、走査
信号線１に対して下に位置する画素電極６では画素電極
６の下部に、配置されている。
【００１７】そして、画素電極６と補助容量電極８とで
発生するＣｓ容量の領域は、走査信号線１に対して上部
のＣｓ容量と下部のＣｓ容量とで、走査信号線１を中心
に対称形となるように、レイアウトする。さらに、走査
信号線１の上部に形成した補助容量電極８を、前段の走
査信号線１によって選択される液晶表示素子と共有する
形でレイアウトする。同様にして、走査信号線１の下部
に形成した補助容量電極８を、次段の走査信号線１によ
って選択される液晶表示素子と共有する形でレイアウト
する。この時、補助容量電極８の形状は、液晶表示素子
の境界部を中心に、選択液晶表示素子とその前段の液晶
表示素子とで、また、選択液晶表示素子とその次段の液
晶表示素子とで対称形となるようにレイアウトする。
発生するＣｓ容量の領域は、走査信号線１に対して上部
のＣｓ容量と下部のＣｓ容量とで、走査信号線１を中心
に対称形となるように、レイアウトする。さらに、走査
信号線１の上部に形成した補助容量電極８を、前段の走
査信号線１によって選択される液晶表示素子と共有する
形でレイアウトする。同様にして、走査信号線１の下部
に形成した補助容量電極８を、次段の走査信号線１によ
って選択される液晶表示素子と共有する形でレイアウト
する。この時、補助容量電極８の形状は、液晶表示素子
の境界部を中心に、選択液晶表示素子とその前段の液晶
表示素子とで、また、選択液晶表示素子とその次段の液
晶表示素子とで対称形となるようにレイアウトする。
【００１８】このような構成にすることにより、製造過
程において層間のズレが生じた場合でも、走査信号線１
を中心にレイアウトされている画素電極６と補助容量電
極８とで形成されるＣｓ容量は、走査信号線１を中心に
レイアウトされている片方のズレの増減を、走査信号線
１を介して対称形に配置してあるもう片方のＣｓ容量で
吸収することが可能となり、Ｃｓ容量値を液晶表示パネ
ル全体で均一化することが可能となる。なお、補助容量
電極８の形状は、図１のように一部を画素電極６に重な
り合わせた形状と、図２に示すように、画素電極６の周
辺を囲うように、ブラックマトリクスの働きを兼ねるよ
うにした形状にする場合の２通りがあるが、いずれの場
合でも、選択液晶表示素子と隣接する前段液晶表示素
子、次段液晶表示素子とで、対称形とする。
程において層間のズレが生じた場合でも、走査信号線１
を中心にレイアウトされている画素電極６と補助容量電
極８とで形成されるＣｓ容量は、走査信号線１を中心に
レイアウトされている片方のズレの増減を、走査信号線
１を介して対称形に配置してあるもう片方のＣｓ容量で
吸収することが可能となり、Ｃｓ容量値を液晶表示パネ
ル全体で均一化することが可能となる。なお、補助容量
電極８の形状は、図１のように一部を画素電極６に重な
り合わせた形状と、図２に示すように、画素電極６の周
辺を囲うように、ブラックマトリクスの働きを兼ねるよ
うにした形状にする場合の２通りがあるが、いずれの場
合でも、選択液晶表示素子と隣接する前段液晶表示素
子、次段液晶表示素子とで、対称形とする。
【００１９】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に示すような効果を奏する。第一の
信号線の両側に配置された一対の薄膜トランジスタと、
第一の信号線の両側に配置され、一対の薄膜トランジス
タの第三の電極にそれぞれ接続された一対の画素電極
と、この一対の画素電極とそれぞれ一部が重なるように
第一の信号線の両側に配置された一対の補助容量電極を
備え、製造工程における配置のずれが生じても一対の薄
膜トランジスタの第一の電極と第三の電極の重なり部の
面積の和が一定になると共に、一対の画素電極と補助容
量電極の重なり部の面積の和が一定になるので、二つの
薄膜トランジスタによる駆動能力の向上により画素電極
の応答時間を短縮させることができると共に、製造工程
における配置のずれによる寄生容量の変化の影響を受け
ず、表示特性の向上及び歩留まりの向上ができる。ま
た、画素電極及び補助容量電極は、第一の信号線の長手
方向の中心線を対称軸とするほぼ線対称に配置されてい
るので、画素電極と補助容量電極の重なり部の製造工程
におけるずれを互いに吸収できるようにすることができ
る。
れているので、以下に示すような効果を奏する。第一の
信号線の両側に配置された一対の薄膜トランジスタと、
第一の信号線の両側に配置され、一対の薄膜トランジス
タの第三の電極にそれぞれ接続された一対の画素電極
と、この一対の画素電極とそれぞれ一部が重なるように
第一の信号線の両側に配置された一対の補助容量電極を
備え、製造工程における配置のずれが生じても一対の薄
膜トランジスタの第一の電極と第三の電極の重なり部の
面積の和が一定になると共に、一対の画素電極と補助容
量電極の重なり部の面積の和が一定になるので、二つの
薄膜トランジスタによる駆動能力の向上により画素電極
の応答時間を短縮させることができると共に、製造工程
における配置のずれによる寄生容量の変化の影響を受け
ず、表示特性の向上及び歩留まりの向上ができる。ま
た、画素電極及び補助容量電極は、第一の信号線の長手
方向の中心線を対称軸とするほぼ線対称に配置されてい
るので、画素電極と補助容量電極の重なり部の製造工程
におけるずれを互いに吸収できるようにすることができ
る。
【００２０】さらに、薄膜トランジスタは、第一の信号
線の長手方向の中心線を対称軸とするほぼ線対称に配置
されているので、第一の電極と第三の電極の重なり部の
製造工程におけるずれを互いに吸収できるようにするこ
とができる。また、補助容量電極は、画素電極側に突起
部を有し、この突起部が画素電極と重なっているので、
画素電極と補助容量電極の重なり部の製造工程における
ずれを互いに吸収して設計値どおりにすることができ
る。また、補助容量電極は、画素電極を囲むコ字型に形
成され、コ字型に画素電極と重なっているので、画素電
極と補助容量電極の重なり部の製造工程におけるずれを
互いに吸収して設計値どおりにすることができる。
線の長手方向の中心線を対称軸とするほぼ線対称に配置
されているので、第一の電極と第三の電極の重なり部の
製造工程におけるずれを互いに吸収できるようにするこ
とができる。また、補助容量電極は、画素電極側に突起
部を有し、この突起部が画素電極と重なっているので、
画素電極と補助容量電極の重なり部の製造工程における
ずれを互いに吸収して設計値どおりにすることができ
る。また、補助容量電極は、画素電極を囲むコ字型に形
成され、コ字型に画素電極と重なっているので、画素電
極と補助容量電極の重なり部の製造工程におけるずれを
互いに吸収して設計値どおりにすることができる。
【００２１】さらにまた、薄膜トランジスタの第二の電
極は、第二の信号線と平行な部分を有し、第三の電極は
第二の電極の第二の信号線と平行な部分に対向して設け
られているので、第一の電極と第三の電極の重なり部の
製造工程におけるずれを互いに吸収して設計値どおりに
することができる。また、薄膜トランジスタの第一の電
極は、第一の信号線と平行な部分を有し、この部分と第
三の電極が重なっているので、第一の電極と第三の電極
の重なり部の製造工程におけるずれを互いに吸収して設
計値どおりにすることができる。
極は、第二の信号線と平行な部分を有し、第三の電極は
第二の電極の第二の信号線と平行な部分に対向して設け
られているので、第一の電極と第三の電極の重なり部の
製造工程におけるずれを互いに吸収して設計値どおりに
することができる。また、薄膜トランジスタの第一の電
極は、第一の信号線と平行な部分を有し、この部分と第
三の電極が重なっているので、第一の電極と第三の電極
の重なり部の製造工程におけるずれを互いに吸収して設
計値どおりにすることができる。
【００２２】また、液晶表示素子がマトリクス状に配置
されると共に、液晶表示素子の補助容量電極は、隣接す
る別の液晶表示素子と共用されるので、電極数を少なく
することができる。加えて、液晶表示素子の補助容量電
極は、長手方向の中心線を対称軸としてほぼ線対称の形
状であるので、製造工程におけるずれを液晶表示素子間
で吸収することができる。
されると共に、液晶表示素子の補助容量電極は、隣接す
る別の液晶表示素子と共用されるので、電極数を少なく
することができる。加えて、液晶表示素子の補助容量電
極は、長手方向の中心線を対称軸としてほぼ線対称の形
状であるので、製造工程におけるずれを液晶表示素子間
で吸収することができる。
【図１】 この発明の実施の形態による液晶表示素子を
示すレイアウト図である。
示すレイアウト図である。
【図２】 この発明の実施の形態による液晶表示素子を
示す別のレイアウト図である。
示す別のレイアウト図である。
【図３】 従来の液晶表示素子を示すレイアウト図であ
る。
る。
【図４】 図３に示す液晶表示素子のＡ−Ａ´断面を示
す断面図である。
す断面図である。
１ 走査信号線、２ データ信号線、３ ゲート電極、
４ ソース電極、５ ドレイン電極、６ 画素電極、７
半導体層、８ 補助容量電極、１０ ゲート絶縁膜。
４ ソース電極、５ ドレイン電極、６ 画素電極、７
半導体層、８ 補助容量電極、１０ ゲート絶縁膜。
Claims (9)
- 【請求項１】 第一の信号線、この第一の信号線と交差
する第二の信号線、上記第一の信号線に接続された第一
の電極と、上記第二の信号線に接続された第二の電極
と、上記第一の電極と一部が重なるように上記第二の電
極と対向して配置された第三の電極をそれぞれ有すると
共に、上記第一の信号線の両側に配置された一対の薄膜
トランジスタ、上記第一の信号線の両側に配置され、上
記一対の薄膜トランジスタの第三の電極にそれぞれ接続
された一対の画素電極、この一対の画素電極とそれぞれ
一部が重なるように上記第一の信号線の両側に配置され
た一対の補助容量電極を備え、製造工程における配置の
ずれが生じても上記一対の薄膜トランジスタの第一の電
極と第三の電極の重なり部の面積の和が一定になると共
に、上記一対の画素電極と補助容量電極の重なり部の面
積の和が一定になることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】 画素電極及び補助容量電極は、第一の信
号線の長手方向の中心線を対称軸とするほぼ線対称に配
置されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示
素子。 - 【請求項３】 薄膜トランジスタは、第一の信号線の長
手方向の中心線を対称軸とするほぼ線対称に配置されて
いることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれ
か一項記載の液晶表示素子。 - 【請求項４】 補助容量電極は、画素電極側に突起部を
有し、この突起部が画素電極と重なっていることを特徴
とする請求項１〜請求項３のいずれか一項記載の液晶表
示素子。 - 【請求項５】 補助容量電極は、画素電極を囲むコ字型
に形成され、コ字型に画素電極と重なっていることを特
徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項記載の液晶
表示素子。 - 【請求項６】 薄膜トランジスタの第二の電極は、第二
の信号線と平行な部分を有し、第三の電極は上記第二の
電極の第二の信号線と平行な部分に対向して設けられて
いることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一
項記載の液晶表示素子。 - 【請求項７】 薄膜トランジスタの第一の電極は、第一
の信号線と平行な部分を有し、この部分と第三の電極が
重なっていることを特徴とする請求項１〜請求項６のい
ずれか一項記載の液晶表示素子。 - 【請求項８】 請求項１〜請求項７のいずれか一項記載
の液晶表示素子がマトリクス状に配置されると共に、上
記液晶表示素子の補助容量電極は、隣接する別の液晶表
示素子と共用されることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項９】 液晶表示素子の補助容量電極は、長手方
向の中心線を対称軸としてほぼ線対称の形状であること
を特徴とする請求項８記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7331097A JP3231261B2 (ja) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | 液晶表示素子及びこれを用いた液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7331097A JP3231261B2 (ja) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | 液晶表示素子及びこれを用いた液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10268349A true JPH10268349A (ja) | 1998-10-09 |
| JP3231261B2 JP3231261B2 (ja) | 2001-11-19 |
Family
ID=13514479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7331097A Expired - Fee Related JP3231261B2 (ja) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | 液晶表示素子及びこれを用いた液晶表示装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3231261B2 (ja) |
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-
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- 1997-03-26 JP JP7331097A patent/JP3231261B2/ja not_active Expired - Fee Related
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