JP2009098418A - アクティブマトリクス基板及び電子表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マトリクス状に配列した複数の画素を有するアクティブマトリクス基板であって、各画素に含まれる画素構成電極のうち少なくともソース電極、ゲート電極、保持容量電極のいずれかひとつは、隣接する画素間で共有していることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【選択図】図1
Description
本発明は、マトリクス状に配列した複数の画素を有するアクティブマトリクス基板であって、各画素に含まれる画素構成電極のうち少なくともソース電極、ゲート電極、保持容量電極のいずれかひとつは、隣接する画素間で共有していることを特徴とするアクティブマトリクス基板である。
本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法は、従来のアクティブマトリクス基板の製造方法と変わることはない。各種の回路構成要素を形成するための基板上にフォトリソグラフィー法や印刷法により電極層、信号線層、絶縁体層、半導体層などを形成していけばよい。本発明のアクティブマトリクス基板は、各種の回路構成要素を隣接する画素同士で共有化できる特徴があるので、比較的幅広のパターンしか形成できない印刷法でも良好に製造できる。印刷法には、インクジェット印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷などがあるが、電極の形成にはインクジェット印刷法が好ましい。また、絶縁層や半導体の形成には、スクリーン印刷法を用いてもよい。
(実施例1)
実施例1のアクティブマトリクス基板を図2に示す。図2は、アクティブマトリクス基板の2画素分の信号線及び電極の平面図である。図2は、図1同様、断面図で表したとき上層になるソース電極、ドレイン電極に関するものを実線で、下層になるゲート電極、保持容量電極に関するものを破線で表している。但し、図の簡略化のため、ゲート電極71,72の上部に配置されて、ゲート電極71,72からの信号に応じてそれぞれソース電極51,52からドレイン電極61,62に電流を供給する半導体91,92は省略している(以下の実施例においても、実線と破線は上記のように使い分けている。また、半導体を記載する場合は、点線で表示した。)。この実施例におけるアクティブマトリクス基板1は、左右2つの画素に対しそれぞれソース電極51,52、ドレイン電極61,62、ゲート電極71,72、を備えている。しかし、2つの画素に対する保持容量電極8は、一体化して左右両方の画素で共有してひとつとなっている。そして、保持容量電極8と導通する共通信号線4も左右両方の画素に一本となっている。この共通信号線4は、左右2つの画素に対応するアクティブマトリクス基板1の2列の画素列に対し1本でよいことになる。なお、この実施例では、ソース信号線2がソース電極51,52を兼ねているが、ソース電極51,52をドレイン電極61,62に対向するようにソース信号線2から突出させてもよい。
実施例2のアクティブマトリクス基板を図3に示す。図3は、アクティブマトリクス基板の2画素分の信号線及び電極の平面図であり、半導体は図2同様省略している。このアクティブマトリクス基板1は、ソース信号線2、ゲート信号線31,32、共通信号線4が実施例1のアクティブマトリクス基板と同じように配置されているが、ソース電極51,52が左右両側のゲート信号線31,32の上部付近でソース信号線に直交する方向に形成され、ドレイン電極61,62はこのソース電極51,52と対向して形成される。ソース電極51,52とドレイン電極61,62が対向した部分の上に半導体が配置されてゲート回路が形成され、それぞれの画素の左右両側に配置されることになる。そして、このゲート回路部分は、ちょうどゲート信号線31,32の上部に重なるようになっているので、特にゲート電極を形成しなくてもゲート信号線31,32をゲート電極と兼用できる。この場合も、保持容量電極8とこれと導通する共通信号線4は、左右両方の画素の間に跨るように一体化して形成される。これにより、保持容量電極8は2つの画素に対しひとつとなり、共通信号線4は2列の画素列に対し一本となる。
実施例3のアクティブマトリクス基板を図4に示す。図4は、アクティブマトリクス基板の4画素分の信号線及び電極の平面図であり、半導体は図2同様省略している。このアクティブマトリクス基板1は、ソース信号線21,22が図の上下両端側に、ゲート信号線31,32が4画素の左右両端側に、共通信号線4は中央部にゲート信号線31,32と平行に配置されている。この場合も、実施例1のアクティブマトリクス基板と同じように、ソース信号線21,22がそれぞれ2画素分のソース電極の機能を兼ねている。ゲート信号線31からはゲート電極71,73がそれぞれソース信号線21,22の右側下層に形成されており、ゲート信号線32からはゲート電極72,74がそれぞれソース信号線21,22の左側下層に形成されている。そして、それぞれの画素のドレイン電極61〜64は、ソース信号線21,22及びゲート信号線31,32と重ならないように、それぞれ4つの画素上に広がっている。ソース電極とドレイン電極とが対向してその間に半導体が形成される位置は、ゲート電極71〜74が配置されているほぼ真上の上層部であり、ふたつの実施例1のアクティブマトリクス基板のうち、ひとつが180度回転して互いに結合したような構造になっている。ここで、実施例1のアクティブマトリクス基板と異なっているのは、4つの画素分の保持容量電極8が一体に形成されていることである。共通信号線4は、4画素の中央をゲート信号線と平行に形成され、2画素列分に一本となっている。
実施例4のアクティブマトリクス基板を図5に示す。図5は、アクティブマトリクス基板の2画素分の信号線及び電極の平面図であり、半導体は図2同様省略している。このアクティブマトリクス基板1は、ソース電極51,52とドレイン電極61,62がそれぞれの画素の隣接する側で対向して配置され、ゲート信号線を兼ねるゲート電極7がふたつの画素の境界部に形成されている。ゲート電極7は、ソース電極51,52とドレイン電極61,62の対向部の下層にソース信号線に直交する方向に配置されている。このアクティブマトリクス基板では、ゲート信号線を兼ねるゲート電極7の本数が1画素当たり1/2に低減でき、アクティブマトリクス基板の駆動に用いられるゲート信号制御用ドライバコストの低減および、アクティブマトリクス駆動周期の低減が期待できる。
実施例5のアクティブマトリクス基板を図6に示す。図6は、アクティブマトリクス基板の2画素分の信号線及び電極の平面図であり、半導体は図2同様省略している。このアクティブマトリクス基板1は、ソース信号線がふたつの画素の境界部に形成されて、ふたつの画素のソース電極を兼ねて形成されている。このアクティブマトリクス基板1では、1画素当たりのソース信号線5の本数が1/2に低減でき、アクティブマトリクス基板の駆動に用いられるソース信号制御用ドライバコストの低減が期待できる。さらに、図のy方向に関して、2画素中にラインが1本/スペースが3つとなるため、1画素中にラインが1本/スペースが2つである従来のアクティブマトリクス基板に比べて、面積利用効率を高める事ができる。
実施例6のアクティブマトリクス基板を図7、図8に示す。図7、図8は、アクティブマトリクス基板の2画素分の信号線及び電極の平面図であり、図7は半導体を図2同様省略して、図8は半導体を形成した図である。このアクティブマトリクス基板1は、ソース電極5を隣接する画素同士で共有している。さらに、半導体9も隣接する画素同士で共有している。この場合には、1画素当たりのソース電極は1/2となり、半導体も2画素にひとつ形成すればよい。この為、半導体の形成工程における微細精度が緩和され、製造が容易になる。
本発明のアクティブマトリクス基板の製造例を示す。まず、以下の工程1〜工程4によって電極形成方法を説明する。
<工程1>
はじめに濡れ性変化材料を、スピンコート法などによって基板全面に塗布し、乾燥させて基板上に下地層を形成する。濡れ性変化材料とは、濡れ性変化材料へのエネルギー付与により、後述する機能液に対する濡れ性が変化する材料のことである。ここでいう濡れ性とは、機能液の接触角が大きくなり機能液をはじく性質である疎機能液性、又は機能液の接触角が小さくなり機能液となじむ性質である親機能液性のいずれかの状態になる性質を示している。濡れ性変化材料は、具体的には高分子材料であり、高分子を構成する側鎖に疎水性基を有している材料である。濡れ性変化材料として特に好適な化合物の1つに、ポリイミド骨格を有する主鎖に疎水性基を有する側鎖を結合させた高分子化合物が挙げられる。電気絶縁性に優れたポリイミドを用いることで、電気絶縁性に優れる下地層上に微細パターンが形成できるという利点がある。また、側鎖の疎水性基として好適なものには、フッ素原子を含むフルオロアルキル基及びフッ素原子を含まない炭化水素基などが挙げられる。これらの高分子化合物からなる濡れ性変化材料は、紫外線などのエネルギー付与により疎水性基の結合を切断し、紫外線照射部に親水性基を形成することで、機能液に対する濡れ性が疎機能液性から親機能液性に変化する。本実施例ではポリイミド骨格を有する主鎖に炭化水素基を有する側鎖が結合した高分子化合物を用いている。
次に下地層への紫外光によるエネルギー付与により、親機能液性領域を作製する。紫外光照射時に下地層上にフォトマスクを設け、紫外光が下地層に当たらない領域を設けた。エネルギー付与手段としては、熱、紫外光、電子線、及びプラズマなどが考えられるが、ここでは紫外光を用いた。紫外光によるエネルギー付与によって上述の通り、下地層中の濡れ性変化材料の高分子化合物側鎖の疎水性基が脱離し、疎機能液性から親機能液性に濡れ性が変化する。フォトマスクは、紫外光を遮断する素材からなる遮光体である。フォトマスクは、下地層の上部に設けられる。フォトマスクによって紫外光が遮られずに下地層に照射される領域は、疎機能液性領域から親機能液性領域に変化する。反対に、フォトマスクによって紫外光が遮られた下地層上の領域は、濡れ性が変化せず疎機能液領域のままである。
次に下地層上に形成された親機能液性領域に機能液供給手段を用いて選択的に機能液を供給した。機能液供給手段としては、インクジェット法及びディスペンサ法の利用が考えられるが、ここではインクジェット法を用いている。インクジェット装置は、従来から使用されているものであり、定盤と、ステージと、液滴吐出ヘッドと、液滴吐出ヘッドに接続されたX軸方向移動機構と、ステージに接続されたY軸方向移動機構と、制御装置を備えている。ステージは基板を支持する目的で備えられており、吸着機構などの基板の固定機構を備えている。この基板に液滴吐出ヘッドを用いて基板上に機能性材料含有インクを塗布する。また、基板上に塗布された機能性材料含有インクの溶媒を乾燥させるための熱処理機構が付随していても良い。液滴吐出ヘッドは複数の吐出ノズルを備えたヘッドであり、複数の吐出ノズルが液滴吐出ヘッドの下面にX軸方向に一定間隔で並んでいる。この吐出ノズルからステージに支持されている基板に対して機能性材料含有インクが吐出される。液滴吐出ヘッドの液滴吐出機構には例えばピエゾ方式等が採用され、この場合制御装置に接続された液滴吐出ヘッド中のピエゾ素子に電圧を印加することで液滴が吐出する。
機能液供給工程後、親機能液性領域を覆うAgナノメタルインクの溶媒成分を蒸発させた。溶媒成分の蒸発は、加熱などによって乾燥を促進させても良いし、自然乾燥でもよい。機能液の溶媒が蒸発することにより、機能液に分散又は溶解していた機能性材料が親機能液領域上に付着し、機能性材料パターンとなる。本実施例では対流伝熱式オーブンを用いた。さらにインク乾燥工程後、得られた機能性材料パターンに対して熱処理を加える。この熱処理により、乾燥工程後に機能性材料パターンに残留する分散剤が除去され、微粒子間の電気的接触性を向上させる。ここでも対流伝熱式オーブンを用いて熱処理を行っており、熱処理後導電性に優れた電極パターンが形成できる。
上記製造工程を適用して、図8に示すアクティブマトリクス基板を作成した。作成方法について説明する。はじめに、図13に示すように、濡れ性変化材料をスピンコート法によって基板全面に塗布し、乾燥させることにより基板201上に定着させて下地層202を形成した。ここでは、基板201としてガラス基板を用いたが、シリコン及びプラスチックなどの材料を用いても良い。
図8に示すアクティブマトリクス基板上に、スクリーン印刷法を用いてスルーホールを有する層間絶縁膜及び画素電極を形成し、図9に示す積層構造体を形成した。スルーホールの開口径は40μmに設計した。図8に示す構成ではソース電極の共有化により、図16に示す構成よりもドレイン電極面積を57μm×82μmと広げる事ができ、この構成においてスルーホールを介して画素電極とドレイン電極の良好なコンタクトを得る事ができた。この構成によって全印刷プロセスによる解像度200PPI相当の画素電極を付加したアクティブマトリクス基板が形成できた。なおここでは保持容量電極をゲート電極と同一層上に形成したが、保持容量電極をソース電極、ドレイン電極と同一層上に形成しても良い。この場合にも図10に示すように保持容量電極を共有化することもできる。
2:ソース信号線
3,31,32:ゲート信号線
4,41,42:共通信号線
5,51,52,53,54:ソース電極
6,61,62,63,64:ドレイン電極
7,71,72,73,74:ゲート電極
8,81,82:保持容量電極
9,91,92,93,94:半導体
10:基板
11:ゲート絶縁膜
12:層間絶縁膜
13,131,132,133,134:画素電極
14,141,142:スルーホール
201:基板
202:下地層
203:インク液との親和性領域
204:インク液との非親和性領域
206:インクジェットノズル
207:インク液滴
208,208a,208b:基板上のインク
C:保持容量電極と共通信号線との接続点
D:ドレイン電極と画素電極との接続点
G:ゲート信号線とゲート電極との接続点
S:ソース信号線とソース電極との接続点
Claims (7)
- マトリクス状に配列した複数の画素を有するアクティブマトリクス基板であって、各画素に含まれる画素構成電極のうち少なくともソース電極、ゲート電極、保持容量電極のいずれかひとつは、隣接する画素間で共有していることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
- 前記ゲート電極から送られる信号に対応して、ソース電極からドレイン電極に電流を供給する半導体が、隣接する画素間で共有していることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記ドレイン電極と絶縁膜を介して積層される画素電極とを導通するために絶縁膜上に形成されるスルーホールが、隣接する画素間で共有していることを特徴とする請求項1又は2に記載のアクティブマトリクス。
- 前記複数の画素が形成する各画素列又は各画素行に対応している信号線であるソース信号線、ゲート信号線、及び共通信号線のうち少なくとも一種の信号線を、隣接する2つの画素列又は画素行において共有していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記隣接する画素間で共有している画素構成電極、前記半導体、前記スルーホールが形成されている絶縁膜、及び前記隣接する2つの画素列又は画素行において共有している信号線、のうち少なくともひとつは、印刷法により形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記印刷法は、インクジェット印刷法であることを特徴とする請求項5に記載のアクティブマトリクス基板。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板を備えたことを特徴とする電子表示装置。
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