JP2859051B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関し、特
に表示むらを抑えた液晶表示装置に関するものである。
に表示むらを抑えた液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、薄膜トランジスタを用いたアクテ
ィブマトリックス型液晶表示装置は、脚光を浴びてお
り、すでに携帯用ＴＶ、ビデオモニター、液晶プロジェ
クターとして商品化されている。これらの技術動向を詳
細に説明したものとして、日経ＢＰ社が発行した「フラ
ットパネル・ディスプレイ １９９１」がある。この中
には、色々な構造の液晶表示装置が開示されているが、
ここではＴＦＴを利用したアクティブ・マトリックス液
晶表示装置で以下に説明をしてゆく。
ィブマトリックス型液晶表示装置は、脚光を浴びてお
り、すでに携帯用ＴＶ、ビデオモニター、液晶プロジェ
クターとして商品化されている。これらの技術動向を詳
細に説明したものとして、日経ＢＰ社が発行した「フラ
ットパネル・ディスプレイ １９９１」がある。この中
には、色々な構造の液晶表示装置が開示されているが、
ここではＴＦＴを利用したアクティブ・マトリックス液
晶表示装置で以下に説明をしてゆく。
【０００３】このアクティブ・マトリックス液晶表示装
置は、例えば図９の如き構成を有する。先ず透明な絶縁
性基板、例えばガラス基板がある。このガラス基板上に
は、ＴＦＴの一構成要素となるゲート（５１）および補
助容量電極（５２）が、例えばＭｏ−Ｔａ合金等より形
成されている。更に全面にはＳｉＮｘから成る膜が積層
されている。続いて前記ゲート（５１）に対応するＳｉ
Ｎｘ膜上には、アモルファス・シリコン膜（５３）およ
びＮ+型のアモルファス・シリコン膜（５４）が積層さ
れ、この２層のアモルファス・シリコン膜（５３），
（５４）の間には、半導体保護膜（５５）が設けられて
いる。続いてＮ+型のアモルファス・シリコン膜（５
４）上には、それぞれソース電極（５６）およびドレイ
ン電極（５７）（ここでソースとドレインが反対で呼ば
れることもある。）が、例えばＭｏとＡｌの積層体で設
けられている。更には前記補助容量電極（５２）に対応
する前記ＳｉＮｘ膜上に、例えばＩＴＯより成る表示電
極（５８）が設けられ、前記ソース電極（５６）と電気
的に接続されている。更には全面にパシベーション膜が
必要によって設けられ、配向膜が設けられている。
置は、例えば図９の如き構成を有する。先ず透明な絶縁
性基板、例えばガラス基板がある。このガラス基板上に
は、ＴＦＴの一構成要素となるゲート（５１）および補
助容量電極（５２）が、例えばＭｏ−Ｔａ合金等より形
成されている。更に全面にはＳｉＮｘから成る膜が積層
されている。続いて前記ゲート（５１）に対応するＳｉ
Ｎｘ膜上には、アモルファス・シリコン膜（５３）およ
びＮ+型のアモルファス・シリコン膜（５４）が積層さ
れ、この２層のアモルファス・シリコン膜（５３），
（５４）の間には、半導体保護膜（５５）が設けられて
いる。続いてＮ+型のアモルファス・シリコン膜（５
４）上には、それぞれソース電極（５６）およびドレイ
ン電極（５７）（ここでソースとドレインが反対で呼ば
れることもある。）が、例えばＭｏとＡｌの積層体で設
けられている。更には前記補助容量電極（５２）に対応
する前記ＳｉＮｘ膜上に、例えばＩＴＯより成る表示電
極（５８）が設けられ、前記ソース電極（５６）と電気
的に接続されている。更には全面にパシベーション膜が
必要によって設けられ、配向膜が設けられている。
【０００４】一方、図示していないが、前記ガラス基板
と対向して、ガラス基板が設けられ、このガラス基板上
に配向膜、対向電極および遮光膜が設けられている。更
に、この一対のガラス基板間に液晶が注入され、液晶表
示装置と成る。つぎに駆動方法について説明する。図１
１はＴＦＴ−ＬＣＤを駆動する信号波形のタイミングチ
ャートである。同図においてＶGおよびＶIDは走査線お
よび信号線の信号であり、それぞれＴＦＴのゲート、ド
レインに印加される。周知のように、ＮＴＳＣ方式のビ
デオ信号はインタレースされた２つのフィールドからな
り、第１フィールドと第２フィールドをあわせて１フレ
ームとし１枚の絵を構成する。一般に、ＴＦＴ−ＬＣＤ
でビデオ表示をする場合には、１フィールド期間（１／
６０秒）ごとに交流反転する３０Ｈｚの映像信号をノン
インタレース（奇数行と偶数行の画像信号を同一行に重
ねて書く）方式等で液晶に印加する。
と対向して、ガラス基板が設けられ、このガラス基板上
に配向膜、対向電極および遮光膜が設けられている。更
に、この一対のガラス基板間に液晶が注入され、液晶表
示装置と成る。つぎに駆動方法について説明する。図１
１はＴＦＴ−ＬＣＤを駆動する信号波形のタイミングチ
ャートである。同図においてＶGおよびＶIDは走査線お
よび信号線の信号であり、それぞれＴＦＴのゲート、ド
レインに印加される。周知のように、ＮＴＳＣ方式のビ
デオ信号はインタレースされた２つのフィールドからな
り、第１フィールドと第２フィールドをあわせて１フレ
ームとし１枚の絵を構成する。一般に、ＴＦＴ−ＬＣＤ
でビデオ表示をする場合には、１フィールド期間（１／
６０秒）ごとに交流反転する３０Ｈｚの映像信号をノン
インタレース（奇数行と偶数行の画像信号を同一行に重
ねて書く）方式等で液晶に印加する。
【０００５】選択期間Ｔ1（１水平走査期間）において
ＴＦＴがオンすると表示電極電位ＶPは信号線の電位Ｖ
IDと等しくなる。選択期間Ｔ2ではＴＦＴがオフし液晶
容量（および保持容量）に書き込まれた信号は保持され
るが、ＴＦＴがオフする瞬間にＶPはある電圧ΔＶだけ
シフトする。これは図１０の等価回路を用いるとＴＦＴ
のゲート・ソース間の寄生容量ＣGSと液晶容量ＣLCおよ
び保持容量ＣSCの間の容量カップリングによるもので、
その大きさは、
ＴＦＴがオンすると表示電極電位ＶPは信号線の電位Ｖ
IDと等しくなる。選択期間Ｔ2ではＴＦＴがオフし液晶
容量（および保持容量）に書き込まれた信号は保持され
るが、ＴＦＴがオフする瞬間にＶPはある電圧ΔＶだけ
シフトする。これは図１０の等価回路を用いるとＴＦＴ
のゲート・ソース間の寄生容量ＣGSと液晶容量ＣLCおよ
び保持容量ＣSCの間の容量カップリングによるもので、
その大きさは、
【０００６】
【数１】
【０００７】と表される。ここで、ΔＶGは走査線の電
位の変化量である。このシフト電圧は映像信号の極性に
関係なく常に表示電極電位ＶPを下げることになる。そ
こで、カラーフィルター側の共通電極電位ＶCOMを信号
線の中心電位ＶCに対してこのシフト電圧分だけ低く設
定する。これによって、液晶に印加される電圧は斜線部
で示される領域になりほぼ正負対称な波形となる。
位の変化量である。このシフト電圧は映像信号の極性に
関係なく常に表示電極電位ＶPを下げることになる。そ
こで、カラーフィルター側の共通電極電位ＶCOMを信号
線の中心電位ＶCに対してこのシフト電圧分だけ低く設
定する。これによって、液晶に印加される電圧は斜線部
で示される領域になりほぼ正負対称な波形となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】一般に図９の如き、セ
ルがガラス基板にマトリックス状に配置されるが、この
セルは全て同じ特性とならず、基板伸縮やパターンずれ
によりバラツキを生じる。従ってＶCOMを使ってこの非
対称性を調整しても、調整しきれないセルが必ず生じ、
これがフリッカー（画面のちらつき）として認識され
る。
ルがガラス基板にマトリックス状に配置されるが、この
セルは全て同じ特性とならず、基板伸縮やパターンずれ
によりバラツキを生じる。従ってＶCOMを使ってこの非
対称性を調整しても、調整しきれないセルが必ず生じ、
これがフリッカー（画面のちらつき）として認識され
る。
【０００９】本願はこのフリッカーを減少させることを
目的とする。
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題に
鑑みて成され、例えばゲートライン（１１）から突出し
たゲート（１２）は、ドレインライン（２１）およびこ
れと隣接した表示電極（１３）右側辺の間に設け、これ
と同じ形状の突出片（１４）を、ゲート（１２）と同様
にゲートライン（１１）から一体で突出させ、表示電極
（１３）と重畳させるように設ける。一方、ソース電極
（２２）は、ドレインライン（２１）の形成と同時に設
ける場合と、表示電極（１３）をトランジスタのソース
領域に直接延在させる場合の２種類があるが、ソース電
極として機能する（表示電極（１３）または表示電極と
コンタクトするソース電極（２２））領域とゲートの重
畳面積、突出片（１４）と重畳する表示電極（１３）ま
たは重畳電極（３０）の重畳面積を同じにすることで解
決するものである。
鑑みて成され、例えばゲートライン（１１）から突出し
たゲート（１２）は、ドレインライン（２１）およびこ
れと隣接した表示電極（１３）右側辺の間に設け、これ
と同じ形状の突出片（１４）を、ゲート（１２）と同様
にゲートライン（１１）から一体で突出させ、表示電極
（１３）と重畳させるように設ける。一方、ソース電極
（２２）は、ドレインライン（２１）の形成と同時に設
ける場合と、表示電極（１３）をトランジスタのソース
領域に直接延在させる場合の２種類があるが、ソース電
極として機能する（表示電極（１３）または表示電極と
コンタクトするソース電極（２２））領域とゲートの重
畳面積、突出片（１４）と重畳する表示電極（１３）ま
たは重畳電極（３０）の重畳面積を同じにすることで解
決するものである。
【００１１】第１の実施例は、ゲート（１２）および突
出片（１４）に表示電極（１３）が延在されるもので、
特にゲート（１２）および突出片（１４）の頭部（２
５）およびその上部に対応する表示電極に第１の切欠部
（２３）を、ゲートライン（１１）と隣接した表示電極
（１３）の２つの角部に第２の切欠部（２４）を設ける
ことで解決するものである。
出片（１４）に表示電極（１３）が延在されるもので、
特にゲート（１２）および突出片（１４）の頭部（２
５）およびその上部に対応する表示電極に第１の切欠部
（２３）を、ゲートライン（１１）と隣接した表示電極
（１３）の２つの角部に第２の切欠部（２４）を設ける
ことで解決するものである。
【００１２】第２の実施例は、ゲート（１２）および突
出片（１４）にソース電極（２２）および重畳電極（３
０）を設けるものであり、第１の実施例の前記第１の切
欠部から前記第２の切欠部に渡った領域に切欠部（３
１）を設けることで解決するものである。第３の実施例
は、ゲート（１２）にはソース電極（２２）が、突出片
（１４）には表示電極（１３）が設けられ、突出片（１
４）がある表示電極（１３）には、前記第１の実施例の
第１および第２の切欠部を設け、ゲート（１２）がある
表示電極（１３）には、第２の実施例の切欠部を設ける
ことで解決するものである。
出片（１４）にソース電極（２２）および重畳電極（３
０）を設けるものであり、第１の実施例の前記第１の切
欠部から前記第２の切欠部に渡った領域に切欠部（３
１）を設けることで解決するものである。第３の実施例
は、ゲート（１２）にはソース電極（２２）が、突出片
（１４）には表示電極（１３）が設けられ、突出片（１
４）がある表示電極（１３）には、前記第１の実施例の
第１および第２の切欠部を設け、ゲート（１２）がある
表示電極（１３）には、第２の実施例の切欠部を設ける
ことで解決するものである。
【００１３】第４の実施例は、第３の実施例と逆であ
り、ゲート（１２）には表示電極（１３）がソース電極
として延在され、突出片（１４）には重畳電極（３０）
が延在されるものであり、突出片がある表示電極（１
３）には、前記第２の実施例の切欠部を設け、ゲート電
極がある表示電極には、第１の実施例の第１および第２
の切欠部を設けることで解決するものである。
り、ゲート（１２）には表示電極（１３）がソース電極
として延在され、突出片（１４）には重畳電極（３０）
が延在されるものであり、突出片がある表示電極（１
３）には、前記第２の実施例の切欠部を設け、ゲート電
極がある表示電極には、第１の実施例の第１および第２
の切欠部を設けることで解決するものである。
【００１４】
【作用】図１の第１の切欠部（２３）の縦幅Ｙ（および
横幅Ｘ）は、縦方向（および横方向）のアライメント精
度、基板（ガラスやこの面に形成された表示電極、ゲー
トおよびゲートライン）の縦方向（および横方向）の伸
縮、すなわちずれを考慮したマージンである。
横幅Ｘ）は、縦方向（および横方向）のアライメント精
度、基板（ガラスやこの面に形成された表示電極、ゲー
トおよびゲートライン）の縦方向（および横方向）の伸
縮、すなわちずれを考慮したマージンである。
【００１５】つまりゲート（１２）および突出片（１
４）の頭部側辺（２５）が第１の切欠部（２３）縦側辺
の中央に、またゲートの左側辺（２６）および突出片の
右側辺（２７）が第１の切欠部（２３）横側辺の中央に
きたとき、斜線で示した左右の重畳面積が同じになるよ
うに設定すれば、ゲート（１２）（または突出片（１
４））または表示電極（１３）が縦にＹ／２以内、横に
Ｘ／２以内でずれても、一方の重畳面積が増え、他方の
重畳面積が同じ面積だけ減少するので、ゲートラインと
表示電極間の容量、つまり並行接続された２つのソース
−ゲート間の容量Ｃ GSは常に一定となる。従ってＶCOM
の調整幅は、面内バラツキは無く、均一な表示が得られ
る。
４）の頭部側辺（２５）が第１の切欠部（２３）縦側辺
の中央に、またゲートの左側辺（２６）および突出片の
右側辺（２７）が第１の切欠部（２３）横側辺の中央に
きたとき、斜線で示した左右の重畳面積が同じになるよ
うに設定すれば、ゲート（１２）（または突出片（１
４））または表示電極（１３）が縦にＹ／２以内、横に
Ｘ／２以内でずれても、一方の重畳面積が増え、他方の
重畳面積が同じ面積だけ減少するので、ゲートラインと
表示電極間の容量、つまり並行接続された２つのソース
−ゲート間の容量Ｃ GSは常に一定となる。従ってＶCOM
の調整幅は、面内バラツキは無く、均一な表示が得られ
る。
【００１６】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。図１乃至
図４のＡ−Ａ線に対応する断面図は、図５乃至図８とな
る。基本的構造は全て同じであるので、まず図１および
図５を参照しながら説明してゆく。先ず、透明な絶縁性
基板（１０）が図５の如く設けられ、この上には、複数
本のゲートライン（１１）が設けられる。このゲートラ
イン（１１）は、例えば約１５００ÅのＣｒまたは表面
が陽極酸化されたＡｌ等より成り、一点鎖線で示される
ように左右に延在されている。このゲートライン（１
１）からは、垂直に突出した領域を設け、これをＴＦＴ
のゲート（１２）としている。またゲート（１２）は、
後述する表示電極（１３）の右側辺に重畳するように設
けられ、左側辺には、前記ゲート（１２）と同じよう
に、ゲートライン（１１）と一体で突出して設けられた
突出片（１４）が設けられている。ここでゲートライン
（１１）、ゲート（１２）および突出片（１４）は、一
体で設けられているが、別工程で設けられてもよく、こ
の際は、ゲートラインとゲート、ゲートラインと突出片
は電気的にコンタクトする必要がある。またここでゲー
トライン（１１）から突出したゲート（１２）は、その
付け根に於て幅を狭く形成し括れているが、この限りで
ない。またゲートライン（１１）と平行に補助容量ライ
ン（１５）が、一点鎖線のように設けられ、表示電極
（１３）と重畳する部分は補助容量電極（１６）とな
る。ここでこの補助容量ライン（１５）、（１６）は、
ゲートラインと同時に形成される。
図４のＡ−Ａ線に対応する断面図は、図５乃至図８とな
る。基本的構造は全て同じであるので、まず図１および
図５を参照しながら説明してゆく。先ず、透明な絶縁性
基板（１０）が図５の如く設けられ、この上には、複数
本のゲートライン（１１）が設けられる。このゲートラ
イン（１１）は、例えば約１５００ÅのＣｒまたは表面
が陽極酸化されたＡｌ等より成り、一点鎖線で示される
ように左右に延在されている。このゲートライン（１
１）からは、垂直に突出した領域を設け、これをＴＦＴ
のゲート（１２）としている。またゲート（１２）は、
後述する表示電極（１３）の右側辺に重畳するように設
けられ、左側辺には、前記ゲート（１２）と同じよう
に、ゲートライン（１１）と一体で突出して設けられた
突出片（１４）が設けられている。ここでゲートライン
（１１）、ゲート（１２）および突出片（１４）は、一
体で設けられているが、別工程で設けられてもよく、こ
の際は、ゲートラインとゲート、ゲートラインと突出片
は電気的にコンタクトする必要がある。またここでゲー
トライン（１１）から突出したゲート（１２）は、その
付け根に於て幅を狭く形成し括れているが、この限りで
ない。またゲートライン（１１）と平行に補助容量ライ
ン（１５）が、一点鎖線のように設けられ、表示電極
（１３）と重畳する部分は補助容量電極（１６）とな
る。ここでこの補助容量ライン（１５）、（１６）は、
ゲートラインと同時に形成される。
【００１７】また前記ゲート（１２）および突出片（１
４）と一体のゲートライン（１１）、補助容量電極と一
体の補助容量ライン（１５）を覆うゲート絶縁膜（１
７）と、前記ゲート（１２）に対応するゲート絶縁膜
（１７）上に積層されたノンドープの非単結晶シリコン
膜（１８）と、このシリコン膜（１８）の両端に積層さ
れたＮ+型の非単結晶シリコン膜（１９）が設けられて
いる 。更には前記突出片（１４）とソースに対応する
Ｎ+型の非単結晶シリコン膜（１９）に延在した２点鎖
線の如き透明電極からなる表示電極（１３）が設けられ
ている。
４）と一体のゲートライン（１１）、補助容量電極と一
体の補助容量ライン（１５）を覆うゲート絶縁膜（１
７）と、前記ゲート（１２）に対応するゲート絶縁膜
（１７）上に積層されたノンドープの非単結晶シリコン
膜（１８）と、このシリコン膜（１８）の両端に積層さ
れたＮ+型の非単結晶シリコン膜（１９）が設けられて
いる 。更には前記突出片（１４）とソースに対応する
Ｎ+型の非単結晶シリコン膜（１９）に延在した２点鎖
線の如き透明電極からなる表示電極（１３）が設けられ
ている。
【００１８】前記ゲート絶縁膜（１７）は、ＳｉＮｘま
たはＳｉＯ2とＳｉＮXの２層より成り前記ガラス基板表
面に約４０００Åの厚さで形成される。またＴＦＴが形
成されるゲート絶縁膜上には、例えばノンドープのアモ
ルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉ層とする。）（１８）
およびＮ+型にドープされたアモルファスシリコン（以
下Ｎ+ａ−Ｓｉ層とする。）（１９）が積層されてい
る。ａ−Ｓｉ層（１８）は、図では点線で示された領域
に、約１０００Åの厚さで形成され、Ｎ+ａ−Ｓｉ層
（１９）は、ソースおよびドレインの領域に、約５００
Åの厚さで形成されている。またａ−Ｓｉ層とＮ+ａ−
Ｓｉ層との間には、約２５００ÅのＳｉＮｘより成る半
導体保護膜が設けられても良い。また透明電極は、約１
０００ÅのＩＴＯよりなる。
たはＳｉＯ2とＳｉＮXの２層より成り前記ガラス基板表
面に約４０００Åの厚さで形成される。またＴＦＴが形
成されるゲート絶縁膜上には、例えばノンドープのアモ
ルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉ層とする。）（１８）
およびＮ+型にドープされたアモルファスシリコン（以
下Ｎ+ａ−Ｓｉ層とする。）（１９）が積層されてい
る。ａ−Ｓｉ層（１８）は、図では点線で示された領域
に、約１０００Åの厚さで形成され、Ｎ+ａ−Ｓｉ層
（１９）は、ソースおよびドレインの領域に、約５００
Åの厚さで形成されている。またａ−Ｓｉ層とＮ+ａ−
Ｓｉ層との間には、約２５００ÅのＳｉＮｘより成る半
導体保護膜が設けられても良い。また透明電極は、約１
０００ÅのＩＴＯよりなる。
【００１９】一方、ａ−Ｓｉ層（１８）は、ドレインラ
ンイに対応する領域にも点線の如く設けられ、ドレイン
ラインとゲートライン、ドレインラインと補助容量ライ
ンの交点における短絡、またはドレインラインの断線救
済のために設けられている。更には、積層体のドレイン
領域と電気的に接続されたドレイン電極（２０）と、こ
のドレイン電極と一体で前記ゲートライン（１１）と交
差する方向に延在された複数本のドレインライン（２
１）がある。
ンイに対応する領域にも点線の如く設けられ、ドレイン
ラインとゲートライン、ドレインラインと補助容量ライ
ンの交点における短絡、またはドレインラインの断線救
済のために設けられている。更には、積層体のドレイン
領域と電気的に接続されたドレイン電極（２０）と、こ
のドレイン電極と一体で前記ゲートライン（１１）と交
差する方向に延在された複数本のドレインライン（２
１）がある。
【００２０】前記ドレイン電極（２０）およびこれと一
体のドレインライン（２１）は、ＭｏとＡｌの２層構造
で成り、下層のＭｏは約１０００Å、上層のＡｌは約７
０００Åで成っている。また表示電極（１３）とソース
電極（２２）は、ＩＴＯで一体と成っている。本発明の
特徴は、ゲート（１２）、突出片（１４）および表示電
極（１３）にある。
体のドレインライン（２１）は、ＭｏとＡｌの２層構造
で成り、下層のＭｏは約１０００Å、上層のＡｌは約７
０００Åで成っている。また表示電極（１３）とソース
電極（２２）は、ＩＴＯで一体と成っている。本発明の
特徴は、ゲート（１２）、突出片（１４）および表示電
極（１３）にある。
【００２１】ゲート（１２）および突出片（１４）は、
斜線で示した重畳領域の如く表示電極（１３）と重畳さ
れており、このゲート（１２）および突出片（１４）の
頭部およびその付け根（ゲートラインと隣接した表示電
極の２つの角部）に対応する表示電極（１３）には、第
１の切欠部（２３）および第２の切欠部（２４）が設け
られている。またこの表示電極の右および左側辺に設け
られた第１と第２の切欠部は、左右対象に形成され、ま
たゲートおよび突出片の頭部側辺（上側辺）（２５）
は、第１の切欠部の縦幅Ｙの中央に来るように設けら
れ、またゲートの左側辺（２６）および突出片の右側辺
（２７）は、第１および第２の切欠部の横幅Ｘの中央に
くるように設けられている。その結果、切欠部の中央に
頭部（２５）および側辺（２６）、（２７）を設けるこ
とで、左右の重畳面積は等しくなる。
斜線で示した重畳領域の如く表示電極（１３）と重畳さ
れており、このゲート（１２）および突出片（１４）の
頭部およびその付け根（ゲートラインと隣接した表示電
極の２つの角部）に対応する表示電極（１３）には、第
１の切欠部（２３）および第２の切欠部（２４）が設け
られている。またこの表示電極の右および左側辺に設け
られた第１と第２の切欠部は、左右対象に形成され、ま
たゲートおよび突出片の頭部側辺（上側辺）（２５）
は、第１の切欠部の縦幅Ｙの中央に来るように設けら
れ、またゲートの左側辺（２６）および突出片の右側辺
（２７）は、第１および第２の切欠部の横幅Ｘの中央に
くるように設けられている。その結果、切欠部の中央に
頭部（２５）および側辺（２６）、（２７）を設けるこ
とで、左右の重畳面積は等しくなる。
【００２２】仮に基板、ゲート、突出片および表示電極
の熱膨張または収縮、ゲートおよび突出片のパターンず
れ、表示電極のパターンずれにより、ゲートおよび突出
片が表示電極より相対的に右方向にＸ／２以内でずれた
としても、右の重畳面積が増えた分だけ左の重畳面積が
減少し、またゲートおよび突出片が表示電極より相対的
に上下方向にＹ／２以内でずれても、縦方向の重畳長さ
は常に一定となっている。従って左右の重畳領域の総面
積は、同じで、若干のズレ（Ｘ／２以内、Ｙ／２以内）
に対してもＣGSが一定となる様に構成されている。従っ
て、ＶCOMの調整幅は、面内バラツキが無く、均一な表
示が得られる。
の熱膨張または収縮、ゲートおよび突出片のパターンず
れ、表示電極のパターンずれにより、ゲートおよび突出
片が表示電極より相対的に右方向にＸ／２以内でずれた
としても、右の重畳面積が増えた分だけ左の重畳面積が
減少し、またゲートおよび突出片が表示電極より相対的
に上下方向にＹ／２以内でずれても、縦方向の重畳長さ
は常に一定となっている。従って左右の重畳領域の総面
積は、同じで、若干のズレ（Ｘ／２以内、Ｙ／２以内）
に対してもＣGSが一定となる様に構成されている。従っ
て、ＶCOMの調整幅は、面内バラツキが無く、均一な表
示が得られる。
【００２３】更には図示を省略したが、必要によっては
ファイナルパシベーションが、また配向膜が形成され、
対向するガラス基板には、遮光膜、対向電極および配向
膜等が設けられる。そしてスペーサを介してこの２枚の
ガラス基板の周辺がシールされ、中に液晶が注入されて
本装置が得られる。次に第２の実施例を図２およびこの
Ａ−Ａ線に対応する断面図（図６）を参照しながら説明
する。
ファイナルパシベーションが、また配向膜が形成され、
対向するガラス基板には、遮光膜、対向電極および配向
膜等が設けられる。そしてスペーサを介してこの２枚の
ガラス基板の周辺がシールされ、中に液晶が注入されて
本装置が得られる。次に第２の実施例を図２およびこの
Ａ−Ａ線に対応する断面図（図６）を参照しながら説明
する。
【００２４】前実施例は、ソース電極として表示電極が
活用されたが、本実施例では、ドレインライン（２１）
と同一工程でなるメタルでソース電極（２２）を形成
し、同時に島状の重畳電極（３０）が形成されたもので
ある。本質的な構成は、同じであるので、異なる部分の
みについて説明してゆく。まず表示電極（１３）は、第
１の実施例で説明した第１の切欠部から第２の切欠部に
渡り切り欠かれた切欠部（３１）が設けられ、ＴＦＴの
ソースと表示電極の電気的接続は、ドレインラインと同
一工程でなるこのソース電極（２２）で達成されてい
る。また突出片（１４）とは、ソース電極（２２）と同
一工程でなる重畳電極（３０）が重畳している。本実施
例は、前実施例と同様に、ゲートおよび突出片、ソース
電極および重畳電極が縦方向または横方向にずれても、
Ｙ／２以内、Ｘ／２以内であれば左右の重畳部の総面積
は、同じで、若干のズレ（Ｘ／２以内、Ｙ／２以内）に
対してもＣGSが一定となる様に構成されている。従っ
て、ＶCOMの調整幅は、面内バラツキが無く、均一な表
示が得られる。
活用されたが、本実施例では、ドレインライン（２１）
と同一工程でなるメタルでソース電極（２２）を形成
し、同時に島状の重畳電極（３０）が形成されたもので
ある。本質的な構成は、同じであるので、異なる部分の
みについて説明してゆく。まず表示電極（１３）は、第
１の実施例で説明した第１の切欠部から第２の切欠部に
渡り切り欠かれた切欠部（３１）が設けられ、ＴＦＴの
ソースと表示電極の電気的接続は、ドレインラインと同
一工程でなるこのソース電極（２２）で達成されてい
る。また突出片（１４）とは、ソース電極（２２）と同
一工程でなる重畳電極（３０）が重畳している。本実施
例は、前実施例と同様に、ゲートおよび突出片、ソース
電極および重畳電極が縦方向または横方向にずれても、
Ｙ／２以内、Ｘ／２以内であれば左右の重畳部の総面積
は、同じで、若干のズレ（Ｘ／２以内、Ｙ／２以内）に
対してもＣGSが一定となる様に構成されている。従っ
て、ＶCOMの調整幅は、面内バラツキが無く、均一な表
示が得られる。
【００２５】ここで図６に於て、表示電極は、ａ−Ｓｉ
（１９）に延在されているが、ａ−Ｓｉ（１９）手前で
終端しても良い。また表示電極の上に更に絶縁層を形成
し、この上にａ−Ｓｉ（１８）、（１９）を形成し、コ
ンタクト孔を介してソース電極（２２）と表示電極を電
気的に接続してもよい。次に第３の実施例を図３および
このＡ−Ａ線に対応する断面図（図７）を参照しながら
説明する。
（１９）に延在されているが、ａ−Ｓｉ（１９）手前で
終端しても良い。また表示電極の上に更に絶縁層を形成
し、この上にａ−Ｓｉ（１８）、（１９）を形成し、コ
ンタクト孔を介してソース電極（２２）と表示電極を電
気的に接続してもよい。次に第３の実施例を図３および
このＡ−Ａ線に対応する断面図（図７）を参照しながら
説明する。
【００２６】本実施例は、第１の実施例と第２の実施例
を組み合わせたものであり、突出片（１４）は、第１の
実施例のように、表示電極（１３）と重畳し、ソース電
極（２２）は、第２の実施例のように、ドレイン電極
（２０）と同一工程で達成されている。従って、左の重
畳部に対応する表示電極の上下には、第１の実施例と同
様に第１および第２の切欠部が設けられている。また右
の重畳部に対応する表示電極には、第２の実施例のよう
に、頭部から付け根に渡る切欠部（３１）が設けられて
いる。
を組み合わせたものであり、突出片（１４）は、第１の
実施例のように、表示電極（１３）と重畳し、ソース電
極（２２）は、第２の実施例のように、ドレイン電極
（２０）と同一工程で達成されている。従って、左の重
畳部に対応する表示電極の上下には、第１の実施例と同
様に第１および第２の切欠部が設けられている。また右
の重畳部に対応する表示電極には、第２の実施例のよう
に、頭部から付け根に渡る切欠部（３１）が設けられて
いる。
【００２７】ここでは、ゲートと重畳するソース電極
（２２）、突出片（１４）と重畳する表示電極は、形成
工程が別であるため、この２つのマスクずれや熱膨張お
よび収縮によるずれは、補償できないが、ゲートライン
（ゲートや突出片）のずれに対しては補償が可能であ
る。最後に第４の実施例を説明する。本実施例は、図４
および図８から見ても明らかなように、第３の実施例の
逆で、表示電極（１３）がＴＦＴのソース領域に延在
し、突出片（１４）には重畳電極（３０）が設けられて
いる。従って、切欠部（２３）、（２４）と切欠部（３
１）は、前実施例とは逆に配置されている。
（２２）、突出片（１４）と重畳する表示電極は、形成
工程が別であるため、この２つのマスクずれや熱膨張お
よび収縮によるずれは、補償できないが、ゲートライン
（ゲートや突出片）のずれに対しては補償が可能であ
る。最後に第４の実施例を説明する。本実施例は、図４
および図８から見ても明らかなように、第３の実施例の
逆で、表示電極（１３）がＴＦＴのソース領域に延在
し、突出片（１４）には重畳電極（３０）が設けられて
いる。従って、切欠部（２３）、（２４）と切欠部（３
１）は、前実施例とは逆に配置されている。
【００２８】一方、図５乃至図８において、左右の重畳
面積が同じであれば、この左右の容量は同じであるとし
て扱ってきたが、正確に述べれば、ａ−Ｓｉの分だけ異
なってくる。具体的に述べると、図５において、右の重
畳部は、ゲートと表示電極の間に、ゲート絶縁膜（１
７）とａ−Ｓｉ（１８）、（１９）が積層されている
が、左の重畳部は、突出片（１４）と表示電極（１３）
の間には、ゲート絶縁膜しか積層されていない。従っ
て、左側の重畳部のほうが単位体積当りの容量値が若干
大きく、正確に言えば、若干アンバランスを生じること
になる。従ってこのずれによるアンバランスが問題とな
る場合は、図３に示したように図番（４０）の点線のよ
うに（図７には不図示）、ａ−Ｓｉ（１９）、（１９）
を積層することで、第１乃至第４の実施例の若干のアン
バランスは解決できる。また、トランジスタ不良でトラ
ンジスタにレーザを当てて常時黒表示をさせる時、トラ
ンジスタにレーザを当てられない場合、突出片の方にレ
ーザを当てることができる。
面積が同じであれば、この左右の容量は同じであるとし
て扱ってきたが、正確に述べれば、ａ−Ｓｉの分だけ異
なってくる。具体的に述べると、図５において、右の重
畳部は、ゲートと表示電極の間に、ゲート絶縁膜（１
７）とａ−Ｓｉ（１８）、（１９）が積層されている
が、左の重畳部は、突出片（１４）と表示電極（１３）
の間には、ゲート絶縁膜しか積層されていない。従っ
て、左側の重畳部のほうが単位体積当りの容量値が若干
大きく、正確に言えば、若干アンバランスを生じること
になる。従ってこのずれによるアンバランスが問題とな
る場合は、図３に示したように図番（４０）の点線のよ
うに（図７には不図示）、ａ−Ｓｉ（１９）、（１９）
を積層することで、第１乃至第４の実施例の若干のアン
バランスは解決できる。また、トランジスタ不良でトラ
ンジスタにレーザを当てて常時黒表示をさせる時、トラ
ンジスタにレーザを当てられない場合、突出片の方にレ
ーザを当てることができる。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、ガラス基
板、この基板の上に設けられる膜の伸縮やパターンずれ
等が生じても、本パターンにすることでＣGSを全て同一
とすることができ、フリッカーの無い表示が得られる。
また今後増々大画面となるが、この大型化に伴うセルの
ＣGSは常に一定となり、大画面に成る程本構成は有効と
なる。
板、この基板の上に設けられる膜の伸縮やパターンずれ
等が生じても、本パターンにすることでＣGSを全て同一
とすることができ、フリッカーの無い表示が得られる。
また今後増々大画面となるが、この大型化に伴うセルの
ＣGSは常に一定となり、大画面に成る程本構成は有効と
なる。
【図１】第１の実施例の液晶表示装置の平面図である。
【図２】第２の実施例の液晶表示装置の平面図である。
【図３】第３の実施例の液晶表示装置の平面図である。
【図４】第４の実施例の液晶表示装置の平面図である。
【図５】図１のＡ−Ａ線における断面図である。
【図６】図２のＡ−Ａ線における断面図である。
【図７】図３のＡ−Ａ線における断面図である。
【図８】図４のＡ−Ａ線における断面図である。
【図９】従来の液晶表示装置の平面図である。
【図１０】本発明を説明するための等価回路図である。
【図１１】ＴＦＴ−ＬＣＤを駆動する信号波形のタイミ
ングチャートを示す図である。
ングチャートを示す図である。
１１ ゲートライン １２ ゲート １３ 表示電極 １４ 突出片 １５ 補助容量ライン １６ 補助容量電極 １７ ゲート絶縁膜 １８、１９ ａ−Ｓｉ層 ２０ ドレイン電極 ２１ ドレインライン ２２ ソース電極 ２３ 第１の切欠部 ２４ 第２の切欠部 ３０ 重畳電極 ３１ 切欠部
Claims (6)
- 【請求項１】 透明な絶縁性基板上に形成された複数の
ゲートと、このゲートと一体または電気的に接続された
複数本のゲートラインと、このゲートラインと絶縁層を
介して交差した複数本のドレインラインと、この交点の
近傍に形成された前記ゲートを一構成とするトランジス
タおよびこのトランジスタと電気的に接続された表示電
極とを少なくとも有する液晶表示装置において、 前記表示電極の一側辺と平行に前記ゲートが設けられ、
前記トランジスタのソース領域に対応する前記ゲート上
に前記表示電極または前記ソース電極が重畳し、 前記表示電極の一側辺と対向する他側辺には、前記ゲー
トの突出方向と同じ方向で前記ゲートラインと一体また
は電気的に接続された突出片が設けられ、前記ゲートの
重畳面積と同じになるように、この突出片に前記表示電
極またはソース電極と同一工程で設けられた島状の重畳
電極が設けられることを特徴とした液晶表示装置。 - 【請求項２】 透明な絶縁性基板上に形成された複数の
ゲートと、このゲートと一体または電気的に接続された
複数本のゲートラインと、このゲートラインと絶縁層を
介して交差した複数本のドレインラインと、この交点の
近傍に形成された前記ゲートを一構成とするトランジス
タおよびこのトランジスタと電気的に接続された表示電
極とを少なくとも有する液晶表示装置において、 前記表示電極の一側辺およびその近傍は、前記トランジ
スタのソース領域と電気的に接続するためにこのゲート
上に重畳し、前記表示電極の一側辺と対向するた他側辺
およびその近傍は、前記ゲートと同じ方向に延在し且つ
このゲートと一体または電気的に接続した突出片と重畳
し、 前記ゲートおよび前記突出片の頭部およびこの上部に対
応する前記表示電極部、 前記ゲートラインに隣接した前記表示電極側辺の２つの
角部に対応する前記表示電極部に、切欠部を設け、 前記ゲートまたは前記表示電極が所定の位置からずれて
も、前記ゲートおよび突出片との重畳面積の総和は、前
記所定の位置の重畳面積の総和と実質的に等しいことを
特徴とした液晶表示装置。 - 【請求項３】 透明な絶縁性基板上に形成された複数の
ゲートと、このゲートと一体または電気的に接続された
複数本のゲートラインと、このゲートラインと絶縁層を
介して交差した複数本のドレインラインと、この交点の
近傍に形成された前記ゲートを一構成とするトランジス
タおよびこのトランジスタと電気的に接続された表示電
極とを少なくとも有する液晶表示装置において、 前記表示電極の一側辺およびその近傍と前記ゲートライ
ンから突出して設けられたトランジスタのソース領域を
電気的に接続するためにソース電極を重畳し、前記表示
電極の一側辺と対向する他側辺及びその近傍に、前記ソ
ース電極と同じ方向に延在したこのソース電極と同一工
程で成る島状の重畳電極を設け、 前記ソース電極、前記重畳電極または前記表示電極が所
定位置からずれても、その重畳面積の総和は、前記所定
の位置の重畳面積の総和と実質的に等しいことを特徴と
した液晶表示装置。 - 【請求項４】 透明な絶縁性基板上に形成された複数の
ゲートと、このゲートと一体または電気的に接続された
複数本のゲートラインと、このゲートラインと絶縁層を
介して交差した複数本のドレインラインと、この交点の
近傍に形成された前記ゲートを一構成とするトランジス
タおよびこのトランジスタと電気的に接続された表示電
極とを少なくとも有する液晶表示装置において、 前記表示電極の一側辺およびその近傍と前記ゲートライ
ンから突出して設けられたトランジスタのソース領域を
電気的に接続するためにソース電極を重畳し、前記表示
電極の一側辺と対向する他側辺及びその近傍に、前記ソ
ース電極と同じ方向に延在したこのソース電極と同一工
程で成る島状の重畳電極を設け、 前記ソース電極及び前記重畳電極の頭部およびこの上部
に対応する前記表示電極部から前記ゲートラインに隣接
した前記表示電極側辺の２つの角部に対応する前記表示
電極部に渡り、切欠部を設け、 前記ソース電極、前記重畳電極または前記表示電極が所
定の位置からずれても、その重畳面積の総和は、前記所
定の位置の重畳面積の総和と実質的に等しいことを特徴
とした液晶表示装置。 - 【請求項５】 透明な絶縁性基板上に形成された複数の
ゲートと、このゲートと一体または電気的に接続された
複数本のゲートラインと、このゲートラインと絶縁層を
介して交差した複数本のドレインラインと、この交点の
近傍に形成された前記ゲートを一構成とするトランジス
タおよびこのトランジスタと電気的に接続された表示電
極とを少なくとも有する液晶表示装置において、 前記表示電極の一側辺およびその近傍と前記ゲートライ
ンから突出して設けられたトランジスタのソース領域を
電気的に接続するために前記表示電極が重畳され、 前記表示電極の一側辺と対向する他側辺およびその近傍
に、前記ゲートと同じ方向に延在したこのドレインライ
ンと同一工程で成る島状の重畳電極を設け、 前記ゲートが所定の位置からずれても、その重畳面積の
総和は、前記所定の位置の重畳面積の総和と実質的に等
しいことを特徴とした液晶表示装置。 - 【請求項６】 透明な絶縁性基板上に形成された複数の
ゲートと、このゲートと一体または電気的に接続された
複数本のゲートラインと、このゲートラインと絶縁層を
介して交差した複数本のドレインラインと、この交点の
近傍に形成された前記ゲートを一構成とするトランジス
タおよびこのトランジスタと電気的に接続された表示電
極とを少なくとも有する液晶表示装置において、 前記表示電極の一側辺およびその近傍と前記ゲートライ
ンから突出して設けられたトランジスタのソース領域を
電気的に接続するために前記表示電極が重畳され、 前記表示電極の一側辺と対向する他側辺およびその近傍
に、前記ゲートと同じ方向に延在したこのドレインライ
ンと同一工程で成る島状の重畳電極を設け、 前記ゲートの頭部およびこの上部に対応する前記表示電
極部、前記ゲートラインに隣接した前記表示電極側辺の
角部に対応する前記表示電極部に、切欠部を設け、 前記ゲートが所定の位置からずれても、その重畳面積の
総和は、前記所定の位置のと重畳面積の総和と実質的に
等しいことを特徴とした液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25837592A JP2859051B2 (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25837592A JP2859051B2 (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06110081A JPH06110081A (ja) | 1994-04-22 |
| JP2859051B2 true JP2859051B2 (ja) | 1999-02-17 |
Family
ID=17319377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25837592A Expired - Fee Related JP2859051B2 (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2859051B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR980010557A (ko) * | 1996-07-19 | 1998-04-30 | 김광호 | 액정 표시 장치의 화소 결함 수리를 위한 화소 구조 |
| JP3036513B2 (ja) | 1998-06-10 | 2000-04-24 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR100796749B1 (ko) | 2001-05-16 | 2008-01-22 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 |
| US7612839B2 (en) | 2005-03-15 | 2009-11-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substance and display device including the same |
| WO2013014885A1 (ja) * | 2011-07-25 | 2013-01-31 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板及びそれを備えた液晶表示パネル |
-
1992
- 1992-09-28 JP JP25837592A patent/JP2859051B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06110081A (ja) | 1994-04-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |