JPH0980473A

JPH0980473A - 液晶表示素子

Info

Publication number: JPH0980473A
Application number: JP23109095A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Yanagawa; 和彦柳川; Masuyuki Ota; 益幸太田; Kazuhiro Ogawa; 和宏小川; Keiichiro Ashizawa; 啓一郎芦沢
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1995-09-08
Filing date: 1995-09-08
Publication date: 1997-03-28

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】開口率の向上を図った液晶表示素子を提供す
る。【解決手段】液晶層を介して互いに対向配置される透
明基板のうち遮光層が形成された透明基板と異なる他方
の透明基板の液晶層側の面のマトリックス状に配置され
る各画素領域のそれぞれに、走査信号線からの走査信号
の供給によってオンする薄膜トランジスタと、このオン
された薄膜トランジスタを介して映像信号線からの映像
信号が供給される表示電極と、この表示電極と対向して
配置されかつ基準信号線を介して基準電圧が印加される
基準電極とを備え、前記表示電極と基準電極との間に透
明基板面に平行な電界を生じせしめる液晶表示素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子に係り、特
に、いわゆる横電界方式と称される液晶表示素子に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、いわゆる横電界方式と称される液
晶表示素子が知られるようになってきた。これに対して
従前の液晶表示素子は対比的に縦電界方式と称されるも
のである。

【０００３】すなわち、縦電界方式と称されるものは、
液晶層を介して互いに対向配置される透明基板のそれぞ
れに透明電極を備え、これら各電極によって透明基板と
垂直方向に電界を発生させることによって該液晶層を透
過する光を変調させる構成となっている。

【０００４】これに対して、横電界方式と称されるもの
は、液晶層を介して互いに対向配置される透明基板のう
ちたとえば一方の透明基板に一対の電極（表示電極およ
び基準電極）を備え、これら各電極によって透明基板と
平行な方向に電界を発生させることによって該液晶層を
透過する光を変調させる構成となっている。

【０００５】横電界方式の液晶表示素子は、その表示面
に対して大きな角度方向から該表示面を観察しても鮮明
な画像が得られ、いわゆる広視野角で画像認識できると
いう効果を備えるものである。

【０００６】そして、このような横電界方式をアクティ
ブ・マトリックス型に適用させたものとしては、液晶層
を介して互いに対向配置される透明基板のうち遮光層が
形成された透明基板と異なる他方の透明基板の液晶層側
の面にマトリックス状に配置される各画素領域のそれぞ
れに、走査信号線からの走査信号の供給によってオンす
る薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジス
タを介して映像信号線からの映像信号が供給される表示
電極と、この表示電極と対向して配置されかつ基準信号
線を介して基準電圧が印加される基準電極とを備えた構
成となっている。

【０００７】なお、このような液晶表示装置は、たとえ
ば特許出願公表平５−５０５２４７公報あるいは特公昭
６３−２１９０７公報等の文献に詳述されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た構成の液晶表示素子は、ｘ方向に延在する走査信号線
と基準信号線、およびｙ方向に延在して互いに隣接する
映像信号線とで囲まれた領域を画素領域とするもので、
この関係はｘ方向に並設される各画素領域から構成され
る画素領域群どうしにおいても全く同様となっている。

【０００９】このため、画素領域群に共通な基準信号線
は、隣接する他の画素領域群に共通な走査信号線と近接
配置され、それらの短絡を防ぐため一定の距離を確保し
て配置させなければならないといった制約が課せられて
いた。

【００１０】したがって、必然的に画素領域の面積が制
約され、いわゆる開口率の向上も限界となるに至った。

【００１１】特に、横電界方式においては、液晶層内に
所定の値の電界を発生させなければならない必要から該
画素領域内に複数の表示電極と基準電極とを交互に配置
させなければならない構成となっていることから、開口
率の向上の限界はそれに甘んじられない問題となってい
る。

【００１２】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的は、開口率の向上を図った液
晶表示素子を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単説明すれば、以
下のとおりである。

【００１４】すなわち、液晶層を介して互いに対向配置
される透明基板のうち遮光層が形成された透明基板と異
なる他方の透明基板の液晶層側の面のマトリックス状に
配置される各画素領域のそれぞれに、走査信号線からの
走査信号の供給によってオンする薄膜トランジスタと、
このオンされた薄膜トランジスタを介して映像信号線か
らの映像信号が供給される表示電極と、この表示電極と
対向して配置されかつ基準信号線を介して基準電圧が印
加される基準電極とを備え、前記表示電極と基準電極と
の間に透明基板面に平行な電界を生じせしめる液晶表示
素子において、前記基準信号線は、ｘ方向に並設される
各画素領域によって構成される画素領域群に共通となっ
ているとともに、該画素領域群に対してｙ方向に隣接す
る他の画素領域群に共通な基準信号線と共有されて前記
それぞれの画素領域群の間に配置され、かつ、前記遮光
層は、基準信号線を共有してｙ方向に隣接する互いの画
素領域毎に前記基準信号線の形成領域を含めて開口させ
たパターンとして構成されていることを特徴とするもの
である。

【００１５】

【作用】このように構成した液晶表示素子は、まず、ｘ
方向に並設される各画素領域からなる画素領域群におい
て、隣接する他の画素領域群と基準信号線を共有させた
ものとなっている。このことから、ｙ方向に並設される
基準信号線は従来の約半分に減少させることができるこ
とから、それによって閉められていた領域を画素領域側
に分担させることによって、該画素領域の面積を大きく
することができるようになる。

【００１６】また、基準信号線を共有してｙ方向に隣接
する各画素領域で、該基準信号線周辺でのドメイン発生
領域は、主に表示電極と基準信号線の交差部周辺に限定
される。このため、液晶層を介して配置される他の透明
基板側の遮光層は、前記基準信号線に相当する部分に遮
光層を形成しなくても済むように該各画素領域毎に開口
させたパターンとして形成することができるようにな
る。このことは、相対向する透明基板の液晶を介した配
置において、少なくともｙ方向に大きな裕度をもった遮
光層を形成することができ、開口面積の大きな遮光層を
形成できることになる。

【００１７】したがって、このようなことから、開口率
の大幅な向上を図ることができるようになる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明による液晶表示素子の実施例に
ついて図面を用いて説明する。

【００１９】実施例１．図２は、いわゆる横電界方式の
液晶表示素子とその駆動回路とを示す概略図である。

【００２０】同図に示すように、液晶表示素子１があ
り、この液晶表示素子１の液晶を介して互いに対向配置
される透明基板のうち一方の透明基板１Ａの液晶側の面
に、そのｘ方向（行方向）に延在しｙ方向（列方向）に
並設される走査信号線２が形成され、この走査信号線２
と絶縁されてｙ方向に延在しｘ方向に並設される映像信
号線３が形成されている。

【００２１】そして、いわゆる横電界方式においては、
上述した信号線の他にｘ方向に延在しｙ方向に並設され
る基準信号線４が前記映像信号線３と絶縁されて形成さ
れている。

【００２２】ここで、基準信号線４は互いに隣接する走
査信号線２の中央に位置づけられており、互いに隣接す
る映像信号線３の間の領域において、これら基準信号線
４に対する一方の側の走査信号線２との間の領域および
他方の側の走査信号線２との間の領域にそれぞれ画素領
域を形成するようになっている。

【００２３】このため、走査信号線２と基準信号線４と
の配置関係は、図中（−）ｙ方向へ、走査信号線２、こ
の走査信号線２から離間された基準信号線４、この基準
信号線４から離間された走査信号線２、この走査信号線
２に近接された走査信号線２、この走査信号線２から離
間された基準信号線４、この基準信号線４から離間され
た走査信号線２、この走査信号線２に近接された走査信
号線２、……というように順次配列されている。

【００２４】なお、このようにして形成される各画素領
域は、それがマトリックス状に配置されて表示面を構成
するようになるが、それらの詳細な構成は後に詳述す
る。

【００２５】液晶表示素子１には、その外部回路として
垂直走査回路５および映像信号駆動回路６が備えられ、
該垂直走査回路５によって前記走査信号線２のそれぞれ
に順次走査信号（電圧）が供給され、そのタイミングに
合わせて映像信号駆動回路６は映像信号線３に映像信号
（電圧）が供給されるようになっている。

【００２６】なお、垂直走査回路５および映像信号駆動
回路６は、液晶駆動電源回路７から電源が供給されてい
るとともに、ＣＰＵ８からの画像情報がコントローラ９
によってそれぞれ表示データおよび制御信号に分けられ
て入力されるようになっている。

【００２７】また、前記基準信号線４に印加される電圧
も液晶駆動電源回路７から供給されるようになってい
る。この基準信号線に印加される電圧は一定電圧であっ
てもよいが、この実施例では映像信号駆動回路６の耐圧
を小さくする目的で交流電圧としている。

【００２８】図１は、前記画素領域の詳細な構成を示す
平面図を示している、同図では、基準信号線４を間にし
てｙ方向側にそれぞれ配置される２個の画素領域を示し
ている。また、それぞれの画素領域の構成は基準信号線
４、すなわち図中Ｐ−Ｐ線の部分を折り返すことによっ
て重なりあう対称的な構造となっている。

【００２９】また、同図のIII−III線における断面図を
図３に、IV−IV線における断面図を図４に、V−V線にお
ける断面図を図５に示している。

【００３０】図１において、まず、透明基板１Ａの主表
面に、走査信号線２がｘ方向に延在されかつｙ方向に並
設されて形成されている。互いに隣接する走査信号線２
のうち、（＋）ｙ方向側に位置づけられる走査信号線２
はその走査信号線２に対して（−）ｙ方向側に位置づけ
られる画素を担当するとともに、（−）ｙ方向側に位置
づけられる走査信号線２はその走査信号線２に対して
（＋）ｙ方向側に位置づけられる画素を担当するように
なっている。

【００３１】このようにすることによって、ｘ方向に並
設される各画素領域からなる画素領域群において、隣接
する他の画素領域群と基準信号線を共有させたものとな
っている。このことから、ｙ方向に並設される基準信号
線は従来の約半分に減少させることができることから、
それによって閉められていた領域を画素領域側に分担さ
せることができ、該画素領域の面積を大きくすることが
できるようになる。

【００３２】そして、前記それぞれの走査信号線２に挟
まれた領域の中央において、ｘ方向に延在する基準信号
線４が形成されている。ここで、各画素領域はこの基準
信号線４を境にして同様の構成となっていることから、
以下、図中下側の画素領域における構成について説明す
る。

【００３３】前記基準信号線４にはそれと一体となって
（−）ｙ方向に延在された基準電極１４がたとえば３本
当間隔に形成されている。これら各基準電極１４は走査
信号線２に接続されることなく近接して延在され、この
うち両脇の２本は映像信号線３に隣接して配置され、残
りの１本は中央に位置づけられている。

【００３４】さらに、このように走査信号線２、基準信
号線４、および基準電極１４が形成された透明基板１Ａ
の主表面には、これら走査信号線２等をも被ってたとえ
ばシリコン窒化膜からなる絶縁膜１５（図３、図４、図
５参照）が形成されている。この絶縁膜１５は後述する
映像信号線３に対しては走査信号線２および基準信号線
４との絶縁を図るための層間絶縁膜として、薄膜トラン
ジスタＴＦＴに対してはゲート絶縁膜として、蓄積容量
Ｃｓｔｇに対しては誘電体膜として機能するようになっ
ている。

【００３５】この絶縁膜１５の表面には、まず、その薄
膜トランジスタＴＦＴの形成領域において半導体層１６
が形成されている。この半導体層１６はたとえばアモル
ファスＳｉからなり、走査信号線２上において後述する
映像信号線３に近接された部分に重畳されて形成されて
いる。これにより、走査信号線２の一部が薄膜トランジ
スタＴＦＴのゲート電極を兼ねた構成となっている。

【００３６】そして、絶縁膜１５の表面にはそのｙ方向
に延在しかつｘ方向に並設される映像信号線３が形成さ
れている。この映像信号線３は、薄膜トランジスタＴＦ
Ｔを構成する前記半導体層１６の表面の一部にまで延在
されて形成されたドレイン電極３Ａが一体となって備え
られている。

【００３７】さらに、画素領域における絶縁膜１５の表
面には薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極１８Ａに接
続された表示電極１８が形成されている。この表示電極
１８は前記基準電極１４のそれぞれの中央をｙ方向に延
在して形成されている。すなわち、表示電極１８の一端
は前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極１８Ａを兼
ね、そのまま（＋）ｙ方向に延在され、さらに基準信号
線４上を（＋）ｘ方向に延在された後に、（−）ｙ方向
に延在するコ字形状となっている。

【００３８】ここで、表示電極１８の基準信号線４に重
畳される部分は、該基準信号線４との間に前記絶縁膜１
５を誘電体膜とする蓄積容量Ｃｓｔｇを構成している。
この蓄積容量Ｃｓｔｇによってたとえば薄膜トランジス
タＴＦＴがオフした際に表示電極１８に映像情報を長く
蓄積させる効果を奏するようにしている。

【００３９】なお、前述した薄膜トランジスタＴＦＴの
ドレイン電極３Ａとソース電極１８Ａとの界面に相当す
る半導体層１６の表面にはリン（Ｐ）がドープされて高
濃度層となっており、これにより前記各電極におけるオ
ーミックコンタクトを図っている。この場合、半導体層
１６の表面の全域には前記高濃度層が形成されており、
前記各電極を形成した後に、該電極をマスクとして該電
極形成領域以外の高濃度層をエッチングするようにして
上記の構成とすることができる。

【００４０】そして、このように薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ、映像信号線３、表示電極１８、および蓄積容量Ｃｓ
ｔｇが形成された絶縁膜１５の上面にはたとえばシリコ
ン窒化膜からなる保護膜１９（図３、図４、図５参照）
が形成され、この保護膜１９の上面には配向膜２０が形
成されて、液晶表示素子のいわゆる下側基板を構成して
いる。さらに、この下側基板の液晶層側と反対側の面に
は偏光板２１が配置されている。

【００４１】そして、いわゆる上側基板となる透明基板
１Ｂの液晶側の部分には、図３に示すように、各画素領
域に相当する部分に開口部を有する遮光膜２２が形成さ
れているが、この実施例の場合には、基準信号線４が形
成されている部分には該遮光膜２２が形成されていない
構成となっている。すなわち、図６は、図１に示した構
成に対する遮光膜２２の位置関係を示した図であり、こ
の図から判明するように、基準信号線４を間にして配置
される２つの画素領域をともに囲むようなパターンとし
て遮光膜２２が形成されている。

【００４２】遮光膜２２を特にこのようなパターンとす
ることによって、相対向する透明基板１Ａ、１Ｂの液晶
層を介した配置において、少なくともｙ方向に大きな裕
度をもった遮光層２２を形成できるとともに、開口面積
の大きな遮光層２２を形成することができるようにな
る。

【００４３】なお、この遮光膜２２は、前記薄膜トラン
ジスタＴＦＴへ直接光が照射されるのを防止するための
機能と表示コントラストの向上を図る機能とを備えるも
のとなっている。

【００４４】さらに、遮光膜２２の画素領域に相当する
部分に形成された開口部を被ってカラーフィルタ２３が
形成されている。このカラーフィルタ２３はＸ方向に隣
接する画素領域におけるそれとは異なった色を備えると
ともに、それぞれ遮光膜２２上において境界部を有する
ようになっている。

【００４５】また、このようにカラーフィルタ２３が形
成された面には樹脂膜等からなる平坦膜２４が形成さ
れ、この平坦膜２４の表面には配向膜２５が形成されて
いる。さらに、この上側基板の液晶層側と反対側の面に
は偏光板２６が配置されている。

【００４６】ここで、透明基板１Ａ側に形成された配向
膜２０と偏光板２１、透明基板１Ｂ側に形成された配向
膜２５と偏光板２６との関係を図７を用いて説明する。

【００４７】表示電極１８と基準電極１４との間に印加
される電界の方向２０７に対して、配向膜２０および２
５のいずれのラビング方向２０８の角度はφＬＣとなっ
ている。また、一方の偏光板２１の偏光透過軸方向２０
９の角度はφＰ（＝８５°）となっている。他方の偏光
板２６は、偏光透光軸が偏光板２１と平行になるように
配置している。変更また、液晶層ＬＣとしては、誘電率
異方性Δεが正でその値が７．３（１ｋＨｚ）、屈折率
異方性Δｎが０．０７３（５８９ｎｍ、２０℃）のネマ
チック液晶の組成物を用いている。

【００４８】このような関係からなる配向膜２０、２５
と偏光板２１、２６等の構成は、いわゆるノーマリホワ
イトモードと称されるもので、液晶層ＬＣ内に透明基板
１Ａと平行な電界Ｅを発生せしめることにより、該液晶
層ＬＣを透過する光を遮断しいわゆる黒表示できるよう
になっている。

【００４９】なお、いわゆる横電界方式によって液晶層
の透過光を変調できる構成を採用する限り、上述した配
向膜および偏光板の構成、液晶の材料等は限定されるこ
とがないことはもちろんである。

【００５０】このように構成された液晶表示素子は、ま
ず、ｘ方向に並設される各画素領域からなる画素領域群
において、隣接する他の画素領域群と基準信号線４を共
有させたものとなっている。このことから、ｙ方向に並
設される基準信号線４は従来の約半分に減少させること
ができることから、それによって閉められていた領域を
画素領域側に分担させることによって、該画素領域の面
積を大きくすることができるようになる。

【００５１】また、基準信号線４を共有してｙ方向に隣
接する各画素領域で、該基準信号線４周辺でのドメイン
発生領域は、主に表示電極と基準信号線の交差部周辺に
限定される。このため、液晶層を介して配置される他の
透明基板側の遮光層２２は、前記基準信号線４に相当す
る部分に遮光層を形成しなくても済むように該各画素領
域毎に開口させたパターンとして形成することができる
ようになる。このことは、相対向する透明基板の液晶を
介した配置において、少なくともｙ方向に大きな裕度を
もった遮光層２２を形成することができ、開口面積の大
きな遮光層２２を形成できることになる。

【００５２】したがって、このようなことから、開口率
の大幅な向上を図ることができるようになる。

【００５３】実施例２．図８は、実施例１のように基準
信号線４を共通にすることのない従来の構成において、
遮光膜のパターンを改良することによって開口率の向上
を図った構成図である。

【００５４】すなわち、同図において、透明基板１Ａの
主表面における各画素領域のそれぞれは、図中ｘ方向に
延在して隣接する基準信号線４および走査信号線２とｙ
方向に延在して隣接する映像信号線３とで囲まれる比較
的面積の大きな領域によって構成され、ｘ方向に並設さ
れる各画素領域によって形成される画素領域群はそれぞ
れ対応する基準信号線４を備えるものとなっている。そ
して、それ以外の構成は図１に示した構成と同様になっ
ている。

【００５５】また、透明基板１Ｂ側に形成される遮光膜
２２は、その開口部が図中点線で囲んだ部分に相当する
ようになっている。すなわち、該遮光膜２２は、映像信
号線３および走査信号線２を充分に被った構成となって
いるが、特に、基準信号線４の部分は（−）ｙ方向側の
辺部が遮光膜２２から露呈され、（＋）ｙ方向側の辺部
は遮光膜２２によって被われているようなパターンとし
て形成されている。

【００５６】基準信号線４の画素領域側の少なくとも一
部分を遮光膜２２で被わない趣旨は、実施例１と同様で
あり、これにより、開口面積の大きな遮光層２２を形成
できることになる。

【００５７】実施例３．この実施例では、画素領域にお
ける走査信号線２、基準信号線４、基準電極１４、表示
電極１８等の構成はそのままとし、表示電極と基準電極
との間に電界が印加されない時に一方の透明基板側から
液晶を介して他方の透明基板側へ透過する光が遮断され
るいわゆるノーマリブラックモードの構成としたことに
ある。ここで、図９の特性３２はノーマリブラックモー
ドにおけるＢ−Ｖ特性を示している。

【００５８】このようなノーマリブラックモードを得る
には、各透明基板１Ａ、１Ｂの液晶側にそれぞれ形成さ
れる配向膜２０、２５のラビング方向はそれぞれ平行と
なっているとともに、前記各透明基板１Ａ、１Ｂの液晶
側と反対側の面に形成されるそれぞれの偏光膜２１、２
６はその透過軸が一方において前記ラビング方向と平行
で他方において該ラビング方向と直交している構成とな
っている。

【００５９】このように構成した場合、表示における黒
レベルの低下を防止でき、表示電極１８と基準信号線４
の交差部周辺のドメインによるコントラスト比の低下を
防止できるという効果を奏するようになる。

【００６０】すなわち、表示電極１８と基準電極１４と
の電界印加時に一方の透明基板側から液晶を介して他方
の透明基板側へ透過する光が遮断されるノーマリホワイ
トモードの場合、電界印加時においてその全ての電界が
透明基板と平行となるわけではなく、特に基準信号線４
と表示電極１８の重畳部近傍の領域では斜めになる部分
も有することから、液晶の駆動状況が一様でなく黒レベ
ルの低下をもたらすが、本実施例の場合は、電界を印加
しないで黒表示できることからそのレベルの低下を防止
することができる。なお、図９において、特性３１はノ
ーマリホワイトモードにおけるＢ−Ｖ特性を示してい
る。

【００６１】また、ノーマリホワイトモードの場合、黒
表示の際に電界が斜めになる部分を有することからドメ
インの発生によるコントラスト比の低下をもたらすが、
本実施例の場合は無電界となっていることから、黒表示
の際に液晶分子は配向方向に一様に配向するため、この
ような弊害はなくなる。

【００６２】そして、本実施例のようにノーマリブラッ
クモードとした場合、その電圧印加時に表示電極１８と
基準電極１４との間に生じる電界成分は、上述したよう
に斜めの成分も含まれるが、ある程度の光を透過させる
ために実質的な開口率の向上も図ることができるように
なる。

【００６３】また、このようにノーマリブラックモード
の構成は、実施例２に説明した構成の液晶表示素子にも
適用できることはいうまでもない。

【００６４】

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示素子によれば、開口率の大幅な向
上を図ることができるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示素子の一実施例を示す要
部平面図である。

【図２】本発明による液晶表示素子とその駆動回路との
一実施例を示す構成図である。

【図３】図１のIII−III線における断面図である。

【図４】図１のIV−IV線における断面図である。

【図５】図１のV−V線における断面図である。

【図６】本発明による液晶表示素子の遮光膜の一実施例
を図１との関係で示した平面図である。

【図７】本発明による液晶表示素子の配向膜および偏光
板の関係の一実施例を示す説明図である。

【図８】本発明による液晶表示素子の他の実施例を示す
要部平面図である。

【図９】本発明による液晶表示素子に適用されるノーマ
リホワイトモードとノーマリブラックモードとの特性を
示したグラフである。

【符号の説明】

２……走査信号線、３……映像信号線、４……基準信号
線、１４……基準電極、１８……表示電極、２０、２５
……配向膜、２１、２６……偏光板、２２……遮光膜、
ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、Ｃｓｔｇ……蓄積容量。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者芦沢啓一郎千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製作所電子デバイス事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】液晶層を介して互いに対向配置される透
明基板のうち遮光層が形成された透明基板と異なる他方
の透明基板の液晶層側の面のマトリックス状に配置され
る各画素領域のそれぞれに、走査信号線からの走査信号
の供給によってオンする薄膜トランジスタと、このオン
された薄膜トランジスタを介して映像信号線からの映像
信号が供給される表示電極と、この表示電極と対向して
配置されかつ基準信号線を介して基準電圧が印加される
基準電極とを備え、前記表示電極と基準電極との間に透
明基板面に平行な電界を生じせしめる液晶表示素子にお
いて、前記基準信号線は、ｘ方向に並設される各画素領域によ
って構成される画素領域群に共通となっているととも
に、該画素領域群に対してｙ方向に隣接する他の画素領
域群に共通な基準信号線と共有されて前記それぞれの画
素領域群の間に配置され、かつ、前記遮光層は、基準信
号線を共有してｙ方向に隣接する互いの画素領域毎に前
記基準信号線の形成領域とともに開口させたパターンと
して構成されていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】液晶層を介して互いに対向配置される透
明基板のうち遮光層が形成された透明基板と異なる他方
の透明基板の液晶層側の面のマトリックス状に配置され
る各画素領域のそれぞれに、走査信号線からの走査信号
の供給によってオンする薄膜トランジスタと、このオン
された薄膜トランジスタを介して映像信号線からの映像
信号が供給される表示電極と、この表示電極と対向して
配置されかつ基準信号線を介して基準電圧が印加される
基準電極とを備え、前記表示電極と基準電極との間に透
明基板面に平行な電界を生じせしめる液晶表示素子にお
いて、前記遮光膜は、各画素領域毎に前記基準信号線の形成領
域の幅方向の一部を含んで開口させたパターンとして構
成されていことを特徴とする液晶表示素子。
【請求項３】表示電極と基準電極との間に電界が印加
されない時に一方の透明基板側から液晶を介して他方の
透明基板側へ透過する光が遮断される構成としたことを
特徴とする請求項１あるいは２記載の液晶表示素子。
【請求項４】各透明基板の液晶側に形成される配向膜
のラビング方向はそれぞれ平行となっているとともに、
前記各透明基板の液晶側と反対側の面に形成されるそれ
ぞれの偏光板はその透過軸が一方において前記ラビング
方向と平行で他方において該ラビング方向と直交してい
ることを特徴とする請求項３記載の液晶表示素子。