CN101859044A - 具有提高的显示质量的显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种具有提高的显示质量的显示装置。该显示装置包括下偏振板、阵列基板、相对基板、液晶层和上偏振板。阵列基板包括像素电极和下配向层。像素电极具有平面型电极部分和从该平面型电极部分沿第一方向延伸的多个分支电极部分，第一方向相对于第一偏振板成约45度。下配向层形成在像素电极上并沿第一方向配向。相对基板包括面对像素电极的平面型公共电极和上配向层。上配向层形成在公共电极上并沿与第一方向相反的方向配向。

Description

具有提高的显示质量的显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置，更具体地，本发明涉及具有提高的显示质量的显示装置。
背景技术
液晶显示(LCD)装置是一种利用液晶显示图像的平板显示装置。与其它类型的显示装置相比，LCD装置相对薄和轻并具有低的功耗，从而以相对低的驱动电压操作。因此，LCD装置广泛用于各种数据处理应用中。LCD装置包括显示板，在显示板中形成有电场产生电极，例如像素电极、公共电极等。液晶层插设在显示板之间。电压施加到电场产生电极以在液晶层中产生电场。液晶层的液晶分子的配向由电场决定。从而控制入射光的偏振以显示图像。
垂直配向(VA)模式的LCD装置可以具有相对高的对比度，其中当没有施加电场时液晶分子的长轴相对于上显示板和下显示板垂直配向。然而，VA模式的LCD会具有相对差的视角，因此当从锐角观看时使用者不能满意地观看。
此外，为了获得宽的视角，已经发展了图案化垂直配向(PVA)模式的LCD装置，其中通过电场发生电极形成开口部分。此外，发展了微切口(microslit)模式的LCD装置或超垂直配向(SVA)模式的LCD装置，其中对于配向层使用光配向工艺而不是摩擦工艺，降低开口率的切口部分从上基板的公共电极移除。
然而，透射率会被切口部分降低，增加了用于形成微切口部分的掩膜工艺，并且光配向工艺会变得复杂。因此，LCD装置的制造成本会增加，LCD装置的产量会降低。
发明内容
本发明的示范性实施例提供了一种通过简化的制造工艺制造的显示装置，并具有相对高的透射率、高对比度和较高的可见度。
根据本发明的一个方面，显示装置包括下偏振板、阵列基板、相对基板、液晶层和上偏振板。下偏振板具有第一偏振轴。阵列基板设置在下偏振板上。阵列基板包括像素电极和下配向层。像素电极具有平面型电极部分以及从该平面型电极部分沿第一方向延伸的多个分支电极部分，该第一方向相对于第一偏振轴为约45度。下配向层形成在像素电极上并沿第一方向配向。相对基板包括平面型公共电极和上配向层。平面型公共电极面对像素电极。上配向层形成在公共电极上并沿与第一方向相反的方向配向。液晶层设置在阵列基板和相对基板之间，并具有当电场关闭时垂直配向的液晶分子。设置在相对基板上的上偏振板具有基本上垂直于第一偏振轴的第二偏振轴。
在本发明的示范性实施例中，下配向层可以在第一方向摩擦，上配向层可以在与第一方向相反的方向上摩擦。这里，液晶包括向列液晶，当电场施加到该液晶时，其长轴可以沿与电场方向垂直的方向布置。在这种情况下，液晶分子可以配向成具有约80度至约89.9度的预倾斜角。
根据本发明的另一个方面，显示装置包括下偏振板、阵列基板、相对基板、液晶层和上偏振板。下偏振板具有第一偏振轴。阵列基板设置在下偏振板上。阵列基板包括像素电极和下配向层。像素电极具有在第一方向与第一偏振轴之间延伸的多个分支电极部分，该第一方向相对于第一偏振轴成约45度。下配向层形成在像素电极上。相对基板包括平面型公共电极和上配向层。平面型公共电极面对像素电极。上配向层形成在公共电极上，并沿与第一偏振轴垂直的第二偏振轴方向配向。液晶层设置在阵列基板和相对基板之间，并具有当电场关闭时垂直布置的液晶分子。上偏振板设置在相对基板上，并具有基本上垂直于第一偏振轴的第二偏振轴。
根据本发明的一些示范性实施例，平面型电极部分和分支电极部分设置为相对于偏振轴成小于约45度的角度，在低灰度和中高灰度处互补地操作，可以提高侧面可视性。此外，在垂直配向(VA)模式的显示装置中，可以获得高透射率和高对比度。
附图说明
通过参照附图详细描述，本发明的示范性实施例的上述和其它的特征将变得更加明显，附图中：
图1是示出根据本发明示范性实施例的显示装置的阵列基板的平面图；
图2是具有如图1所示的阵列基板的显示装置的沿I-I’线剖取的截面图；
图3是示出图1的像素电极的平面图；
图4是示出图2的相对基板的摩擦方向的平面图；
图5是示出根据以下参照图3所述的像素电极的第二区域中的灰度的液晶分子运动的示意图；
图6是示出在如以下参照图3所述的像素电极的第一区域和第二区域中透射率随沿第二方向的位置变化的曲线图；
图7是示出电压和透射率之间的关系的曲线图，其中观察了如以下参照图1至图5所述的显示装置；
图8是示出根据本发明示范性实施例的像素电极的平面图；
图9和图10是分别示出根据本发明示范性实施例的显示装置的像素电极670和870的平面图；
图11是示出根据本发明示范性实施例的显示装置的像素电极的平面图；
图12是示出当从图11的平面图观察时在像素电极的左区域中透射率随沿第一方向的位置变化的曲线图；
图13是示出当从图11的平面图观察时在像素电极右区域中透射率随沿第一方向的位置变化的曲线图；
图14和图15是示出根据本发明示范性实施例的像素电极的平面图；
图16是示出根据本发明示范性实施例的显示装置的像素电极的平面图；
图17是示出根据本发明示范性实施例的显示装置的像素电极的平面图；
图18是示出根据本发明示范性实施例的显示装置的像素电极的平面图；
图19是示出根据本发明示范性实施例的显示装置的像素电极的平面图；以及
图20是示出根据本发明示范性实施例的显示装置的像素电极的平面图。
具体实施方式
在下文将参照附图更充分地描述本发明的示范性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，而不应被解释为限于这里阐述的示范性实施例。在附图中，为了清楚，层和区域的尺寸及相对尺寸可以被夸大。
应当理解，当称一元件或层在另一元件或层的“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，其可以直接在另一元件或层上、直接连接到或耦接到另一元件或层，或者可以存在插入的元件。
在下文，将参照附图详细地解释本发明的示范性实施例。
图1是示出根据本发明示范性实施例的显示装置(图2，100)的阵列基板的平面图。图2是具有如图1所示的阵列基板的显示装置100的沿I-I’线剖取的截面图。
参照图1和图2，显示装置100包括下偏振板5、阵列基板101、相对基板201、液晶层103和上偏振板7。
阵列基板101可以包括下基板110、栅极线111、存储线(未示出)、栅极绝缘层121、沟道层125(其也可以被称为有源层)、数据线131、开关元件SW、钝化膜151、有机绝缘层153、像素电极170和下配向层181。尽管上述示范性实施例以阵列基板101作为示例讨论，但是阵列基板101可以被一基板替代，在该基板处穿过像素电极170形成分支电极部分173。
栅极金属沉积在玻璃材料或塑料材料的下基板110上，然后蚀刻栅极金属，在单元像素区域的平行和水平方向(在下文，第二方向D02)形成栅极线111。
存储线与栅极线一起形成。形成栅极绝缘层121以覆盖栅极线111和存储线。
半导体层和源极金属层依次形成在栅极绝缘层121上，然后蚀刻半导体层和源极金属层以形成如图1和图2所示的数据线131、源极电极132、沟道层125和漏极电极135。数据线131在栅极绝缘层121上沿单元像素区域的垂直方向(在下文，第一方向)D01延伸，第一方向D01垂直于第二方向D02。
栅极线111与数据线131交叉以限定基本矩形的区域。像素电极170形成在该矩形区域上。因此，该矩形区域可以被定义为单元像素区域。备选地，单元像素区域的形状可以形成为各种其它形状，例如Z形、V形等。
栅极电极112、栅极绝缘层121、沟道层125、源极电极132和漏极电极135形成开关元件SW，其为三端元件。
形成钝化膜151以覆盖数据线131，有机绝缘层153形成在钝化膜151上。部分地暴露漏极电极135的一部分的接触孔穿过有机绝缘层153和钝化膜151形成。可以省略有机绝缘层153。
下偏振板5可以设置在下基板110的背表面处。下偏振板5可以具有第一偏振轴P01，该第一偏振轴P01关于第一方向D01形成约45度的角度。
图3是示出图1的像素电极170的平面图。
参照图1、图2和图3，透光导电材料层(例如铟锡氧化物(ITO)和/或铟锌氧化物(IZO))沉积在有机绝缘层153上。透光导电材料层通过接触孔接触漏极电极135。蚀刻透光导电材料层以形成像素电极170。
像素电极170包括彼此一体地形成的平面型电极部分171和分支电极部分173。平面型电极部分171具有平行于第一方向D01设置在单元像素区域上的矩形形状。在平面型电极部分171上没有形成切口或开口部分。形成平面型电极部分171的区域被定义为第一区域。
分支电极部分173从平面型电极部分171的边缘沿第一方向D01延伸。因此，分支电极部分173在关于第一偏振轴P01形成约45度角的方向延伸。这里，分支电极部分173的宽度可以为约0.5μm至约15μm，分支电极部分173之间的间隔可以为约0.5μm至约15μm。其上形成有分支电极部分173的区域被定义为第二区域。第二区域连接到第一区域的下部。
因此，单元像素区域可以分为第一区域和第二区域，在第一区域和第二区域中液晶104的运动彼此不同。液晶分子104的运动会极大地影响低灰度时第二区域内单元像素区域的电压-透射率(V-T)曲线，液晶分子104的运动会极大地影响中灰度和高灰度时第一区域内单元像素区域的V-T曲线。因此，第一区域定义为高区域，第二区域定义为低区域。在一个单元像素区域内，第二区域与第一区域的比例可以为约10％至约90％。
形成下配向层181以覆盖像素电极170。例如，聚酰亚胺类聚合物的混合物沉积在像素电极170上，然后固化和配向处理该聚合物的混合物，从而可以形成下配向层181。
配向工艺是在向液晶施加电场时预先确定液晶(图5，104)的倾斜方向的工艺。这里，摩擦工艺用作配向工艺的一个示例。备选地，不进行摩擦工艺而使聚合物的混合物被光配向，从而可以进行配向工艺。这里，在第一方向D01上摩擦下配向层181(如“RUb1”所示)。因此，在第一方向D01上摩擦第一区域和第二区域。
图4是示出图2的相对基板201的摩擦方向的平面图。
参照图2和图4，相对基板201可以包括上基板210、遮光图案221、滤色器图案231、涂覆层241、公共电极251和上配向层261。
遮光图案221对应于栅极线111、数据线131、开关元件SW和存储线形成在上基板210上。因此，滤色器图案231对应于光没有被遮挡的单元像素区域形成。滤色器图案231可以包括例如红滤色器、绿滤色器和蓝滤色器。红滤色器、绿滤色器和蓝滤色器以提到的次序沿第一方向D01设置在每个单元像素区域上。
涂覆层241覆盖滤色器图案231和遮光图案221。公共电极251形成在涂覆层241上。公共电极251的材料与像素电极170的材料相同。公共电极251是与平面型电极部分171相同的平面型。没有穿过公共电极251形成切口或开口部分。
上配向层261形成在公共电极251上。上配向层261的材料与下配向层181的材料相同。上配向层261在第一方向D01的相反方向上摩擦(示为“Rub2”)。因此，阵列基板的摩擦方向与相对基板的摩擦方向相差约180度。
上偏振板7可以设置在相对基板201上。上偏振板7具有垂直于第一偏振轴P01的第二偏振轴P02。液晶层103设置在下配向层181和上配向层261之间。液晶层包括液晶分子104。在电场施加在像素170和公共电极251之间之前，液晶分子104的长轴沿基本垂直于阵列基板101和相对基板201的垂直方向布置。当关闭电场时由于摩擦工艺，液晶分子104的长轴可以关于垂直方向倾斜约0.1度至约2度的角度。也就是，液晶分子104可以配向为具有约88度至约88.9度的预倾斜角。备选地，液晶分子104的长轴可以关于垂直方向倾斜约0.1度至约10度的角度。也就是，液晶分子104可以配向为具有约80度至约88.9度的预倾斜角。
当下配向层181和上配向层261被如上所述摩擦并且液晶分子104沿垂直方向配向时，其被称为“摩擦垂直配向(RVA)模式”。
当向液晶施加电场时，液晶分子104的长轴垂直于电场方向设置。液晶分子104可以具有负各向异性的介电常数。
图5是解释在如以上参照图3所述的像素电极170的第二区域内液晶分子104的运动随灰度变化的示意图。图6是示出在参照图3所述的像素电极的第一区域和第二区域中透射率随沿第二方向D02的位置变化的曲线图。
在图6中，曲线“G8”表示在第一区域上随着从单元像素左侧沿第二方向D02的位置而变化的透射率结果。图6示出当介电常数(Δε)为约-3.8、各向异性折射率(Δn)为约0.0822、分支电极部分173的宽度(W)与电极部分的间隔距离(S)的比例为约3/4时，当施加约6V的像素电压并在300ms之后观察的观察结果。
曲线“G4”表示在第二区域上随着从单元像素左侧沿第二方向D02的位置而变化的透射率结果。如图6所示，除了其边缘之外，第一区域具有相对均匀的亮度。第二区域在分支电极部分173的位置处具有最大透射率以及在分支电极部分173之间具有最小透射率。如上所述，第一区域的透射率不同于第二区域的透射率，对应于第一区域和第二区域的透射率差异可以根据灰度而产生。单元像素区域的V-T曲线概括了第一区域和第二区域影响的结果。
液晶分子104的倾斜方向(其从显示装置100的前方观察)在图5中示出。当电场关闭时，液晶分子104以黑状态BL1垂直配向。在该配向状态下，液晶分子104可以观察为在第一区域和第二区域内具有基本圆形的形状。
当驱动信号施加到像素电极170并实现全白状态WH1时，在第一区域和第二区域中液晶分子104的长轴布置为垂直于电场方向。在第一区域中，液晶分子104的长轴根据摩擦方向布置为与第一方向D01平行，该第一方向D01是与第一偏振轴P01成一角度的方向。在第二区域中，在分支电极部分173之间形成边缘场，在分支电极部分173与公共电极251之间产生边缘场。在全白状态WH1下，在垂直于第一方向D01的第二方向D02主要产生边缘场。因此，在全白状态WH1下，在第二区域中液晶分子104的长轴沿第一方向D01布置。
在黑状态BL1和全白状态WH1之间的第一灰度状态GR1下，像素电极170与公共电极251之间的垂直电场较低，分支电极部分173与公共电极251之间的边缘场较高。因此，在其中设置有平面型电极部分171的第一区域，液晶分子104的长轴关于阵列基板倾斜，并沿第一方向D01倾斜。在第二区域中，液晶分子104的长轴可以受到摩擦的配向方向和边缘场影响。结果，如图5所示，液晶分子104设置为关于第一偏振轴P01形成小于约45度的第一角度。在第一灰度状态GR1和全白状态WH1之间的第二灰度状态GR01中，第一区域中液晶分子104的长轴沿第一方向D01倾斜。在第二区域中，液晶分子104的长轴倾斜以关于第一偏振轴P01的方向形成第二角度。第二角度可以大于第一角度，并小于约45度。
如上所述，液晶分子104的第三效率根据分支电极部分173的灰度而控制。这里，第三效率表示通过电场使液晶分子104的长轴布置在关于第一偏振轴P01成约45度至约135度角的方向上的效率。当液晶分子104的长轴布置在关于第一偏振轴P01成约45度至约135度角的方向上时，可以看出获得了最大亮度。
图7是示出电压与透射率之间的关系的曲线图，其中观察了如以上参照图1至图5所述的显示装置100。
在图7中，曲线“G1”示出了当在前侧观看显示装置100时对于施加电压的透射率的结果。曲线“G3”示出了当以上侧视角观看显示装置100时对于施加电压的透射率的结果。曲线“G2”示出了当以下侧视角观看显示装置100时对于施加电压的透射率。上侧视角表示液晶分子104长轴的倾斜方向的相反方向，即第一方向D01的相反方向的视角。下侧视角表示液晶分子104长轴倾斜的方向，即第一方向D01。
参照图7，在上侧视角，曲线“G3”与曲线“G1”间隔开；然而，可以看出，曲线“G3”靠近曲线“G1”。因此，能够防止常规RVA模式在上视角的过白状态。
可以看出，在下侧视角，曲线“G2”小于曲线“G1”；然而，曲线“G2”靠近曲线“G1”，与曲线“G1”相比，不存在对应于曲线“G2”的灰度反转。因此，在下侧视角处，可以防止对应于常规RVA模式的灰度反转。因此，根据LCD装置的上、下侧处的视角可以增强可视性。此外，液晶分子104在任意灰度沿第二方向D02对称布置。因此，提高了第二方向D02的视角。
因此，根据本发明的示范性实施例，提高了显示装置100的可视性。此外，显示装置100以VA模式驱动，并且显示装置100具有高的对比度。此外，没有穿过像素电极170和公共电极251形成宽宽度的切口，与PVA模式的LCD装置相比，显示装置100可以具有高透射率。
图8是示出图3的像素电极170的变形实施例的平面图。
参照图8，分支电极部分473可以形成在平面型电极部分471的另外边缘。在图8中，单元像素区域还包括连接到第一区域上部的第三区域，在第二区域和第三区域上的分支电极部分473可以与平面型电极部分471一体地形成。形成在第二区域上的分支电极部分473被定义为第一分支电极476，形成在第三区域上的分支电极部分473被定义为第二分支电极475。
在这种情况下，第一分支电极476和第二分支电极475关于第一区域对称，与图1和图3的像素电极170相比，可以提高其可视性。
图9和图10是分别示出根据本发明示范性实施例的显示装置的像素电极670和870的平面图。
参照图9和图10，除了像素电极670和870为V形之外，显示装置与以上参照图1至图7描述的显示装置100基本相同。因此，在图9和图10中使用相同的附图标记来指代与图1至图7中部件相同或相似的部件。
这里，单元像素区域具有基本V形。像素电极670和870的每条对称线设置为与第一方向D01平行。因此，平面型电极部分671和871也具有基本V形。分支电极部分673和873分别从平面型电极部分671和871的边缘沿第一方向D01的相反反向延伸。
在如图9所示的像素电极670中，分支电极部分673从平面型电极部分671的边缘平行于第一方向D01的相反方向延伸。结果，与视角一致，V-T曲线可以类似于图7的描述而变化。
在如图10所示的像素电极870中，分支电极873从平面型电极部分871的边缘沿第一方向D01的相反方向延伸。在图10中，分支电极部分873和第一方向D01形成小于约45度的锐角。结果，与视角一致，V-T曲线可以类似于图7的描述而变化，可以进一步增大视角。
根据本发明的示范性实施例，例如以上参照图9和图10谈论的那些，像素电极670和870的边线(outer line)并不分别垂直于第一偏振轴P01和第二偏振轴P02，从而形成约45度的角度。因此，与以上参照图1和图2讨论的示范性实施例相比，可以减少纹理的产生。
图11是示出根据本发明示范性实施例的显示装置的像素电极1070的平面图。
参照图11，除了像素电极1070没有平面型电极部分、下配向层181没有被摩擦、偏振轴和分支电极部分1075之间的角度改变之外，显示装置与图1至图7的显示装置100基本相同。因此，在图11中使用相同的附图标记来指代与图1至图7中示出的部件相同或相似的部件。
这里，像素电极包括支撑电极部分1071和分支电极部分1075。支撑电极部分1071将单元像素区域分为两个区域，每个区域沿第二偏振轴P02设置。每个分支电极部分1075分别从支撑电极部分1071延伸。单元像素区域由支撑电极部分1071分为左区域和右区域。
在左区域中，分支电极部分1075和第一偏振轴P01在负方向形成约20度至约30度的角度。在右区域中，分支电极部分1075和第一偏振轴P01在正方向形成约20度至约30度的角度。在这种情况下，负方向可以表示当从平面图观看时的逆时针方向，正方向可以表示当从平面图观看时的顺时针方向。
这里，在下配向层181处不进行摩擦工艺；然而，在上配向层处沿第二偏振轴P02进行摩擦工艺。因此，液晶分子1004的长轴会受到上配向层的摩擦方向和分支电极1075影响，可以确定液晶分子1004的配向方向。因此，当电场施加到像素电极时，当从平面图观看时液晶分子1004可以指向分支电极部分1075的延伸方向和摩擦方向Rub2之间的角度。
图12是示出当从图11的平面图观看时在像素电极1070的左区域中透射率随沿第一方向D01的位置变化的曲线图。图13是示出当从图11的平面图观看时在像素电极1070的右区域中透射率随沿第一方向D01的位置变化的曲线图。
在图12和图13中，起始点对应于支撑电极部分1071，横轴表示从支撑电极部分1071到左侧或右侧的距离，纵轴表示透射率。位置-透射率(P-T)曲线在图12和图13中示出，其示出了分支电极部分1075与第一偏振轴P01之间的角度的参数。
参照图12和图13，当分支电极1075和第一偏振轴形成的角度为约20度至约30度时，可以看到透射率较高。
这里，分支电极部分1075相对于第一偏振轴P01形成小于约45度的角度。因此，液晶分子1004的长轴会受到使液晶分子沿上配向层的摩擦方向(也就是，第二偏振轴P02方向)和分支电极部分1075的延伸方向配向的力影响。结果，在全白状态WH1下，液晶分子1004的长轴布置在关于第一偏振轴P01成约45度的方向上。
在黑状态BL1下，液晶分子1004的长轴垂直配向。
在黑状态BL1和全白状态WH1之间的灰度状态下，液晶分子1004的长轴设置在第一偏振轴和第一方向D01之间，第一方向D01与第一偏振轴P01形成约45度的角度。因此，该显示装置的V-T曲线具有基本上类似于参照图7所述的曲线的图案。因此，在显示装置的低灰度时可以防止上侧视角的极端白的状态，并可以去除对应于下侧视角的灰度反转。因此，该显示装置可以具有提高的可视性、高的透射率和高的对比度。
图14和图15是示出图11的像素电极1070的各种结构的平面图。
在图14中，单元像素区域分为沿第二偏振轴P02串联布置的第一区域A1和第二区域A2。像素电极1270包括支撑电极部分1271和两个分支电极部分1273和1275。在第一区域A1中，分支电极部分1273和第一偏振轴P01形成约45度的角度。在第二区域A2中，分支电极部分1275和第一偏振轴P01形成约20度至约45度的角度。
在图15中，单元像素区域分为沿第二偏振轴P02串联布置的第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3。像素电极1470包括支撑电极部分1471和三个分支电极部分1473、1475和1477。在第一区域A1中，分支电极部分1473和第一偏振轴P01形成约45度的角度。在第二区域A2和第三区域A3中，分支电极部分1477、1475和第一偏振轴P01形成约20度至约30度的角度。
液晶分子1204、1404的长轴和第一偏振轴P01之间的角度根据第一区域上的灰度而变化，在全白状态WH1下液晶分子1204、1404的长轴和第一偏振轴P01形成约45度的角度，可以获得最大亮度。
液晶分子1204、1404的长轴和第一偏振轴P01之间的角度根据第二区域上的灰度而变化，在全白状态WH1下液晶分子1204、1404的长轴和第一偏振轴P01形成不超过约45度的角度。
通过液晶分子1204、1404在第一区域上的运动，可以获得与参照图7所述的V-T曲线相似的结果。在第二区域中，与本实施例的显示装置相对应的V-T曲线在低灰度处由液晶分子1204、1404的运动进一步补偿，可以获得接近于如图7所示的曲线“G1”的结果。
图16是根据本发明示范性实施例的显示装置的像素电极的平面图。
参照图16，像素电极2470具有矩形的形状，并包括平面型电极部分2472、第一分支电极部分2474、第二分支电极部分2476和第三分支电极部分2478。当从平面图观察时，像素电极2470可以分为上区域和下区域。当从平面图观察时，下区域分为第一下区域和第二下区域。当从平面图观察时，第一下区域分为左下区域和右下区域。
平面型电极部分2472设置在像素电极2470的上区域上。没有穿过平面型电极部分2472形成切口或开口部分。其中形成平面型电极部分2472的区域被定义为第一畴区域(first domain region)。根据本发明的示范性实施例，摩擦方向Rub2与第二方向D02相反。因此，第一畴区域通过摩擦工艺形成下畴(lower domain)。
第一分支电极部分2474设置在像素电极2470的左下区域处。多个切口或多个开口部分穿过第一分支电极部分2474沿第一方向D01形成。第一分支电极部分2474在相对于第一偏振轴P01成约45度角的方向上延伸。在第一分支电极部分2474中，切口的长度Is为约34.75μm，切口的宽度Ws为约3μm，切口之间的间隔Ss为约5μm。其上形成第一分支电极部分2474的区域被定义为第二畴区域。根据本发明的示范性实施例，摩擦方向Rub2与第二方向D02相反。因此，边缘场通过切口形成，存储公共电极线STL设置在像素电极2470下面，第二畴区域可以形成右畴。
第二分支电极部分2476设置在像素区域2470的右下区域处。多个切口或多个开口部分穿过第二分支电极部分2476沿第一方向D01的相反方向形成。第二分支电极部分2476在相对于第一偏振轴P01成约45度角的方向上延伸。在第二分支电极部分2476中，切口的长度Is为约34.75μm，切口的宽度Ws为约3μm，切口之间的间隔Ss为约5μm。其上形成第二分支电极部分2476的区域被定义为第三畴区域。根据本发明的示范性实施例，摩擦方向Rub2与第二方向D02相反。因此，边缘场通过切口形成，存储公共电极线STL设置在像素电极2470下面，第三畴区域可以形成左畴。
第三分支电极部分2478设置在像素区域2470的第一下区域处。多个切口或多个开口部分穿过第三分支电极部分2478沿第二方向D02的相反方向形成。第三分支电极部分2478在相对于第一偏振轴P01成约45度角的方向上延伸。在第三分支电极部分2478中，切口的长度IL为约14μm，切口的宽度WL为约3μm，切口之间的间隔SL为约3μm。其上形成第三分支电极部分2478的区域被定义为第四畴区域。根据本发明的示范性实施例，摩擦方向Rub2与第二方向D02相反。因此，边缘场通过切口形成，存储公共电极线STL设置在像素电极2470下面，第四畴区域可以形成上畴。
根据本发明的示范性实施例，可以形成下配向层(未示出)以覆盖像素电极2470。例如，聚酰亚胺类聚合物的混合物沉积在像素电极2470上，然后固化和配向处理该聚合物混合物，从而可以形成下配向层。根据本发明的示范性实施例，当从平面图观看时摩擦方向Rub2是与第二方向D02相反的方向。公共电极形成在与阵列基板(其中形成有像素电极2470)相对的相对基板(例如，滤色器基板)上。公共电极具有与平面型电极部分2472相同的平面形状。例如，没有穿过公共电极形成切口或开口部分。根据本发明的示范性实施例，不对相对基板进行摩擦工艺，相对基板与具有像素电极2470的阵列基板相对。
如上所述，根据本发明的示范性实施例，多个切口穿过阵列基板的像素电极的一部分形成，然后沿一个方向进行摩擦工艺以将像素电极分为摩擦垂直配向区域和切口区域。没有穿过形成在与阵列基板相对的相对基板上的公共电极形成切口图案，还省略了摩擦工艺。
例如，由于没有穿过相对基板的公共电极形成切口并省略了摩擦工艺，所以液晶指向矢(director)的方位角方向由阵列基板的切口的力和摩擦力确定。因此，可以独立实现液晶畴。
图17是根据本发明示范性实施例的显示装置的像素电极的平面图。
参照图17，像素电极2570具有矩形形状，并包括平面型电极部分2572、第一分支电极部分2574、第二分支电极部分2576和第三分支电极部分2578。在图17中，“STL2”表示存储公共电极线。当从平面图观看时，具有矩形形状的像素电极2570可以分为上区域和设置在上区域下面的下区域。当从平面图观察时，下区域分为第一下区域和设置在第一下区域下面的第二下区域。当从平面图观察时，第一下区域分为左下区域和右下区域。
平面型电极部分2572设置在像素电极2570的上区域上。与平面型电极部分2572重叠的存储公共电极线STL2设置在平面型电极部分2572下面。没有穿过平面型电极部分2572形成切口或开口部分。形成平面型电极部分2572的区域被定义为第一畴区域。根据本发明的示范性实施例，摩擦方向Rub2与第二方向D02相反。因此，第一畴区域通过摩擦工艺形成下畴。
第一分支电极部分2574设置在像素电极2570的左下区域处。存储公共电极线STL2设置在第一分支电极部分2574的外侧。存储公共电极线STL2可以与第一分支电极部分2574部分重叠。根据本发明的示范性实施例，对应于第一分支电极部分2574的存储公共电极线STL2的宽度基本上大于对应于平面型电极部分2572的存储公共电极线STL2的宽度。多个切口或多个开口部分穿过第一分支电极部分2574基本平行于第一方向D01形成。第一分支电极部分2574在相对于第一偏振轴P01成约45度角的方向上延伸。在第一分支电极部分2574中，切口的长度Is为约34.75μm，切口的宽度Ws为约3μm，切口之间的间隔Ss为约5μm。其上形成第一分支电极部分2574的区域被定义为第二畴区域。根据本发明的示范性实施例，摩擦方向Rub2与第二方向D02相反。因此，边缘场通过切口形成，存储公共电极线STL2设置在像素电极2570下面，第二畴区域可以形成右畴。
第二分支电极部分2576设置在像素区域2570的右下区域处。存储公共电极线STL2设置在第二分支电极部分2576的外侧。存储公共电极线STL2可以与第二分支电极部分2576部分重叠。根据本发明的示范性实施例，对应于第二分支电极部分2576的存储公共电极线STL2的宽度基本上大于对应于平面型电极部分2572的存储公共电极线STL2的宽度。多个切口或多个开口部分穿过第二分支电极部分2576基本平行于第一方向D01形成。第二分支电极部分2576在相对于第一偏振轴P01成约45度角的方向上延伸。在第二分支电极部分2576中，切口的长度Is为约34.75μm，切口的宽度Ws为约3μm，切口之间的间隔Ss为约5μm。其上形成第二分支电极部分2576的区域被定义为第三畴区域。根据本发明的示范性实施例，摩擦方向Rub2与第二方向D02相反。因此，边缘场通过切口形成，存储公共电极线STL2设置在像素电极2570下面，第三畴区域可以形成左畴。
第三分支电极部分2578设置在像素区域2570的第二下区域处。存储公共电极线STL2设置在第三分支电极部分2578的外侧。存储公共电极线STL2可以与第三分支电极部分2578部分重叠。多个切口或多个开口部分穿过第三分支电极部分2578基本平行于第二方向D02形成。第三分支电极部分2578在相对于第一偏振轴P01成约45度角的方向上延伸。在第三分支电极部分2578中，切口的长度IL为约14μm，切口的宽度WL为约3μm，切口之间的间隔SL为约3μm。其上形成第三分支电极部分2578的区域被定义为第四畴区域。根据本发明的示范性实施例，摩擦方向Rub2与第二方向D02相反。因此，边缘场通过切口形成，存储公共电极线STL2设置在像素电极2570下面，第四畴区域可以形成上畴。
如上所述，根据本发明的示范性实施例，当从第一至第三分支电极部分2574、2576、2578的平面图观看时，存储公共电极线STL2暴露到像素电极2570的外侧。因此，可以最小化边缘场。此外，当从平面型电极部分2572的平面图观看时，存储公共电极线STL2与像素电极2570重叠。因此，可以最小化边缘场。
图18是示出根据本发明示范性实施例的显示装置的像素电极的平面图。
参照图18，像素电极2670具有矩形形状，并包括平面型电极部分2672、第一分支电极部分2674和第二分支电极部分2676。当从平面图观看时，具有矩形形状的像素电极2670可以分为上区域以及与上区域接触的下区域。当从平面图观察时，下区域分为左下区域和右下区域。
平面型电极部分2672设置在像素电极2670的上区域上。没有穿过平面型电极部分2672形成切口或开口部分。其中形成平面型电极部分2672的区域被定义为第一畴区域。根据本发明的示范性实施例，摩擦方向Rub2与第二方向D02相反。因此，第一畴区域通过摩擦工艺形成下畴。
第一分支电极部分2674设置在像素电极2670的左下区域处。多个切口或多个开口部分穿过第一分支电极部分2674基本平行于第一方向D01形成。第一分支电极部分2674在相对于第一偏振轴P01成约45度角的方向上延伸。在第一分支电极部分2674中，切口的长度Is为约34.75μm，切口的宽度Ws为约3μm，切口之间的间隔Ss为约5μm。其上形成第一分支电极部分2674的区域被定义为第二畴区域。根据本发明的示范性实施例，摩擦方向Rub2与第二方向D02相反。因此，边缘场通过切口形成，存储公共电极线STL设置在像素电极2670下面，第二畴区域可以形成右畴。
第二分支电极部分2676设置在像素区域2670的右下区域处。多个切口或多个开口部分穿过第二分支电极部分2676基本平行于第一方向D01形成。第二分支电极部分2676在相对于第一偏振轴P01成约45度角的方向上延伸。在第二分支电极部分2676中，切口的长度Is为约34.75μm，切口的宽度Ws为约3μm，切口之间的间隔Ss为约5μm。其上形成第二分支电极部分2676的区域被定义为第三畴区域。根据本发明的示范性实施例，摩擦方向Rub2与第二方向D02相反。因此，边缘场通过切口形成，存储公共电极线STL设置在像素电极2670下面，第三畴区域可以形成左畴。
根据本发明的示范性实施例，形成平面型电极部分和分支电极部分以定义三个畴，从而提高透射率。平面型电极部分2672限定第一畴，第一分支电极部分2674限定第二畴，第二分支电极部分2676限定第三畴。
在本发明的示范性实施例中，描述了对应于平面型电极部分2672的区域与对应于第一分支电极部分2674和第二分支电极部分2676的区域的比例基本上彼此相等。备选地，对应于平面型电极部分2672的区域与对应于第一分支电极部分2674和第二分支电极部分2676的区域的比例可以彼此不同。例如，对应于平面型电极部分2672的区域可以大于对应于第一分支电极部分2674和第二分支电极部分2676的区域。备选地，对应于平面型电极部分2672的区域可以小于对应于第一分支电极部分2674和第二分支电极部分2676的区域。例如，对应于第一分支电极部分2674和第二分支电极部分2676的区域可以在像素电极2670内占约10％至约70％的比率。
图19是示出根据本发明示范性实施例的显示装置的像素电极的平面图。
参照图19，像素电极2770具有矩形形状，并包括平面型电极部分2772、第一分支电极部分2774和第二分支电极部分2776。当从平面图观看时，具有矩形形状的像素电极2770可以分为中间区域、与中间区域的左侧部分接触的左区域以及与中间区域的右侧部分接触的右区域。
平面型电极部分2772设置在像素电极2770的中间区域上。没有穿过平面型电极部分2772形成切口或开口部分。其中形成平面型电极部分2772的区域被定义为第一畴区域。根据本发明的示范性实施例，摩擦方向Rub2与第二方向D02相反。因此，第一畴区域通过摩擦工艺形成下畴。
第一分支电极部分2774设置在像素电极2770的左侧区域处。多个切口或多个开口部分穿过第一分支电极部分2774形成。第一分支电极部分2774在相对于第一偏振轴P01成约45度角的方向上延伸。在第一分支电极部分2774中，切口的长度Is为约34.75μm，切口的宽度Ws为约3μm，切口之间的间隔Ss为约5μm。其上形成第一分支电极部分2774的区域定义为第二畴区域。根据本发明的示范性实施例，摩擦方向Rub2与第二方向D02相反。因此，边缘场通过切口形成，存储公共电极线STL设置在像素电极2770下面，第二畴区域可以形成右畴。
第二分支电极部分2776设置在像素区域2770的右侧区域处。多个切口或多个开口部分穿过第二分支电极部分2776沿第一方向D01的相反方向形成。第二分支电极部分2776在相对于第一偏振轴P01成约45度角的方向上延伸。在第二分支电极部分2776中，切口的长度Is为约34.75μm，切口的宽度Ws为约3μm，切口之间的间隔Ss为约5μm。其上形成第二分支电极部分2776的区域被定义为第三畴区域。根据本发明的示范性实施例，摩擦方向Rub2与第二方向D02相反。因此，边缘场通过切口形成，存储公共电极线STL设置在像素电极2770下面，第三畴区域可以形成左畴。
图20是根据本发明示范性实施例的显示装置的像素电极的平面图。
参照图20，像素电极2870具有矩形形状，并包括平面型电极部分2872、第一分支电极部分2874和第二分支电极部分2876。当从平面图观看时，具有矩形形状的像素电极2870可以分为上区域以及与上区域接触的下区域。当从平面图观察时，下区域分为左下区域以及与左下区域接触的右下区域。
平面型电极部分2872设置在像素电极2870的上区域上。没有穿过平面型电极部分2872形成切口或开口部分。其中形成平面型电极部分2872的区域被定义为第一畴区域。根据本发明的示范性实施例，摩擦方向Rub2与第二方向D02相反。因此，第一畴区域通过摩擦工艺形成下畴。
第一分支电极部分2874设置在像素电极2870的左下区域处。多个切口或多个开口部分穿过第一分支电极部分2874基本平行于交叉方向形成，该交叉方向与第一方向D01交叉预定角度。第一分支电极部分2874在相对于第一偏振轴P01成约10度至约40度的角θs的方向上延伸。在第一分支电极部分2874中，切口的长度Is为约34.75μm，切口的宽度Ws为约3μm，切口之间的间隔Ss为约5μm。其上形成第一分支电极部分2874的区域被定义为第二畴区域。根据本发明的示范性实施例，摩擦方向Rub2与第二方向D02相反。因此，边缘场通过切口形成，存储公共电极线STL设置在像素电极2870下面，第二畴区域可以形成右畴。
第二分支电极部分2876设置在像素区域2870的右下区域处。多个切口或多个开口部分穿过第二分支电极部分2876基本平行于第一方向D01形成。第二分支电极部分2876在相对于第一偏振轴P01成约45度角的方向上延伸。在第二分支电极部分2876中，切口的长度Is为约34.75μm，切口的宽度Ws为约3μm，切口之间的间隔Ss为约5μm。其上形成第二分支电极部分2876的区域被定义为第三畴区域。根据本发明的示范性实施例，摩擦方向Rub2与第二方向D02相反。因此，边缘场通过切口形成，存储公共电极线STL2设置在像素电极2870下面，第三畴区域可以形成左畴。
通常，畴根据切口的力和摩擦的力形成。因此，在本发明的示范性实施例中，左、右切口的宽度和间隔，左、右切口的长度，左、右切口的角度等可以随摩擦力而变化。例如，根据摩擦力，左、右切口和下切口的切口宽度和间隔可以形成为约2μm至约8μm。下切口的长度可以为约25μm。此外，根据摩擦力，左、右切口的方向可以相对于摩擦方向的垂直方向倾斜约±20度。
因此，RVA模式的显示装置可以具有提高的可视性、高对比度和高透射率。因此，本发明的示范性实施例可以提高制造工艺简单的RVA模式显示装置的显示质量。
前述是对本发明的示范性实施例的说明，不应被解释为限制。

Claims (22)

1.一种显示装置，包括：
下偏振板，具有第一偏振轴；
阵列基板，设置在所述下偏振板上，该阵列基板包括：
像素电极，具有平面型电极部分以及从该平面型电极部分沿第一方向延伸的多个分支电极部分，该第一方向相对于所述第一偏振轴成45度至90度之间的角度；和
下配向层，形成在所述像素电极上且沿所述第一方向配向；
相对基板，包括：
平面型公共电极，面对所述像素电极；以及
上配向层，形成在所述公共电极上且沿与所述第一方向相反的方向配向；
液晶层，设置在所述阵列基板和所述相对基板之间，并具有当电场关闭时垂直配向的液晶分子；以及
上偏振板，设置在所述相对基板上，具有基本上垂直于所述第一偏振轴的第二偏振轴。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第一方向是关于第一偏振轴成45度的角度。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中所述下配向层在第一摩擦方向上摩擦，所述上配向层在所述第一摩擦方向的相反方向上摩擦。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中所述液晶层包括向列液晶分子，当施加电场时该向列液晶分子的长轴沿与电场方向垂直的方向布置。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中所述液晶分子配向为具有约80度至约89.9度的预倾倾角。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中所述分支电极部分从所述平面型电极部分的边缘平行于所述第一方向延伸。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中所述分支电极部分包括：
多个第一分支电极，从边缘沿与所述第一方向相反的方向延伸；以及
多个第二分支电极，从所述边缘平行于所述第一方向延伸。
8.如权利要求1所述的显示装置，其中所述平面型电极部分具有V形，所述分支电极部分从所述平面型电极部分的边缘沿与所述第一方向相反的方向延伸。
9.如权利要求8所述的显示装置，其中所述分支电极部分从所述平面型电极部分的边缘在所述第一方向与所述第一偏振轴之间的角度上延伸。
10.如权利要求1所述的显示装置，其中所述阵列基板还包括：
信号线，向所述像素电极传送驱动信号；以及
开关元件，电连接到所述信号线和所述像素电极。
11.一种显示装置，包括：
下偏振板，具有第一偏振轴；
阵列基板，设置在所述下偏振板上，该阵列基板包括：
像素电极，具有在第一方向与所述第一偏振轴的方向之间的方向上延伸的多个分支电极部分，该第一方向相对于所述第一偏振轴为45度；和
下配向层，形成在所述像素电极上；和
相对基板，包括：
平面型公共电极，面对所述像素电极；和
上配向层，形成在所述公共电极上并沿垂直于所述第一偏振轴的第二偏振轴方向配向；
液晶层，设置在所述阵列基板和所述相对基板之间，并具有当电场关闭时垂直配向的液晶分子；以及
上偏振板，设置在所述相对基板上并具有所述第二偏振轴。
12.如权利要求10所述的显示装置，其中所述下配向层没有被摩擦，并且
当电场施加到所述像素电极时，当从平面图观看时所述液晶分子指向所述分支电极部分的延伸方向与所述上配向层的摩擦方向之间的角度。
13.如权利要求10所述的显示装置，其中所述分支电极部分的延伸方向和所述第一偏振轴形成不小于20度且不大于30度的第一角度。
14.如权利要求13所述的显示装置，其中所述液晶层包括向列液晶分子，当施加电场时该向列液晶分子基本垂直于所述电场的方向配向。
15.如权利要求13所述的显示装置，其中在设置所述像素电极的单元像素区域内，所述分支电极部分关于所述第二偏振轴的两侧对称。
16.如权利要求15所述的显示装置，其中所述单元像素区域包括多个子区域，在所述子区域中的至少两个子区域内所述分支电极部分和所述第一偏振轴形成不同的角度。
17.如权利要求16所述的显示装置，其中所述分支电极部分以所述第一角度设置在所述单元像素区域的所述子区域中的第一子区域内，并且所述分支电极部分设置在所述子区域中的第二子区域内且相对于所述第一偏振轴成大于所述第一角度的第二角度，所述第二子区域沿所述第二偏振轴方向接触所述第一子区域的下部。
18.如权利要求17所述的显示装置，其中在所述子区域中的第三子区域处，所述分支电极部分设置为相对于所述第一偏振轴形成第三角度，该第三角度大于第一角度，该第三子区域沿所述第二偏振轴方向接触所述第一子区域的上部。
19.一种显示装置，包括：
下偏振板，具有第一偏振轴；
阵列基板，设置在所述下偏振板上，该阵列基板包括：
像素电极，具有平面型电极部分和从该平面型电极部分沿第一方向延伸的多个分支电极部分，该第一方向相对于所述第一偏振轴成锐角；和
下配向层，形成在所述像素电极上，沿所述第一方向配向，并沿第一摩擦方向摩擦；
相对基板，包括：
平面型公共电极，面对所述像素电极；和
上配向层，形成在所述公共电极上，沿与所述第一方向相反的方向配向，并在与所述第一摩擦方向相反的第二摩擦方向上摩擦；
液晶层，设置在所述阵列基板和所述相对基板之间，并具有当电场关闭时垂直配向的液晶分子；以及
上偏振板，设置在所述相对基板上并具有基本上垂直于所述第一偏振轴的第二偏振轴。
20.如权利要求19所述的显示装置，其中所述平面型电极部分具有V形，所述分支电极部分从所述平面型电极部分的边缘沿与所述第一方向相反的方向延伸。
21.如权利要求20所述的显示装置，其中所述分支电极部分从所述平面型电极部分的边缘沿所述第一方向与所述第一偏振轴之间的角度延伸。
22.如权利要求19所述的显示装置，其中所述分支电极部分从所述平面型电极部分的边缘平行于所述第一方向延伸。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103135240A (zh) * 2011-11-30 2013-06-05 乐金显示有限公司 玻璃图案化延迟器立体3d显示装置及其制造方法
CN105759516A (zh) * 2016-05-17 2016-07-13 厦门天马微电子有限公司 液晶显示面板及液晶显示装置
CN105911778A (zh) * 2015-02-25 2016-08-31 三星显示有限公司 具有提高的抗纹理性和侧向可视性的液晶显示器
WO2016161666A1 (zh) * 2015-04-07 2016-10-13 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及液晶显示设备
CN107305304A (zh) * 2016-04-19 2017-10-31 三星显示有限公司 液晶显示设备
WO2020199245A1 (zh) * 2019-04-02 2020-10-08 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及显示面板
CN112904622A (zh) * 2021-01-27 2021-06-04 福州大学 一种液晶显示三畴配向层的光配向方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101333614B1 (ko) * 2010-06-25 2013-11-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
JP6100153B2 (ja) * 2013-12-11 2017-03-22 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置及び電子機器
KR20150108984A (ko) * 2014-03-18 2015-10-01 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102159774B1 (ko) 2014-03-19 2020-09-25 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN105988246B (zh) * 2015-03-03 2019-09-06 群创光电股份有限公司 显示面板
US10247982B2 (en) * 2015-06-03 2019-04-02 Apple Inc. Electronic device display with switchable film structures
WO2017057209A1 (ja) * 2015-10-02 2017-04-06 シャープ株式会社 液晶表示パネル及びその製造方法
KR102423536B1 (ko) 2016-02-17 2022-07-21 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN111538189B (zh) * 2020-05-25 2023-05-02 Tcl华星光电技术有限公司 一种像素电极及液晶显示面板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020021396A1 (en) * 2000-04-19 2002-02-21 Jang-Jin Yoo In-plane switching LCD panel
US20030043336A1 (en) * 2001-08-31 2003-03-06 Fujitsu Limited Liquid crystal display and method of manufacturing the same
CN1452003A (zh) * 2002-04-15 2003-10-29 富士通显示技术株式会社 液晶显示用基板以及具有该基板的液晶显示装置
CN101042503A (zh) * 1997-06-12 2007-09-26 夏普株式会社 液晶显示装置
CN101114088A (zh) * 2006-07-25 2008-01-30 中华映管股份有限公司 多域水平配向式液晶显示面板

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6128061A (en) * 1997-12-08 2000-10-03 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP4156342B2 (ja) * 2002-10-31 2008-09-24 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2007327997A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Epson Imaging Devices Corp 液晶装置、及び電子機器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101042503A (zh) * 1997-06-12 2007-09-26 夏普株式会社 液晶显示装置
US20020021396A1 (en) * 2000-04-19 2002-02-21 Jang-Jin Yoo In-plane switching LCD panel
US20030043336A1 (en) * 2001-08-31 2003-03-06 Fujitsu Limited Liquid crystal display and method of manufacturing the same
CN1452003A (zh) * 2002-04-15 2003-10-29 富士通显示技术株式会社 液晶显示用基板以及具有该基板的液晶显示装置
CN101114088A (zh) * 2006-07-25 2008-01-30 中华映管股份有限公司 多域水平配向式液晶显示面板

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9817240B2 (en) 2011-11-30 2017-11-14 Lg Display Co., Ltd. Glass patterned retarder stereoscopic 3D display device and method of fabricating the same
CN103135240B (zh) * 2011-11-30 2015-06-24 乐金显示有限公司 玻璃图案化延迟器立体3d显示装置及其制造方法
CN103135240A (zh) * 2011-11-30 2013-06-05 乐金显示有限公司 玻璃图案化延迟器立体3d显示装置及其制造方法
CN105911778A (zh) * 2015-02-25 2016-08-31 三星显示有限公司 具有提高的抗纹理性和侧向可视性的液晶显示器
GB2546041B (en) * 2015-04-07 2021-06-23 Shenzhen China Star Optoelect Array substrate and liquid crystal display device
WO2016161666A1 (zh) * 2015-04-07 2016-10-13 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及液晶显示设备
GB2546041A (en) * 2015-04-07 2017-07-05 Shenzhen China Star Optoelect Array substrate and liquid crystal display device
CN107305304A (zh) * 2016-04-19 2017-10-31 三星显示有限公司 液晶显示设备
CN107305304B (zh) * 2016-04-19 2022-04-22 三星显示有限公司 液晶显示设备
CN105759516B (zh) * 2016-05-17 2019-06-04 厦门天马微电子有限公司 液晶显示面板及液晶显示装置
CN105759516A (zh) * 2016-05-17 2016-07-13 厦门天马微电子有限公司 液晶显示面板及液晶显示装置
WO2020199245A1 (zh) * 2019-04-02 2020-10-08 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及显示面板
CN112904622A (zh) * 2021-01-27 2021-06-04 福州大学 一种液晶显示三畴配向层的光配向方法
CN112904622B (zh) * 2021-01-27 2022-08-12 福州大学 一种液晶显示三畴配向层的光配向方法

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Publication number Publication date
KR20100112422A (ko) 2010-10-19
US20100259712A1 (en) 2010-10-14
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