CN102129142B - 横向电场模式液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种横向电场模式液晶显示装置。其中提供一种结构，用于通过稳定地控制在其中液晶分子在反向方向上旋转的梳齿状电极的末端部分中的域而在横向电场模式的液晶显示装置中获得高透射比。在横向电场模式的液晶显示装置中，公共电极和像素电极被形成在相同层上，伸出部分被设置在与梳齿状电极成钝角的方向上，并且与像素电极或公共电极的梳齿状电极的末端部中的扫描线基本上平行，浮置电极在梳齿状电极的延伸方向上延伸，以在所述末端部与梳齿状电极重叠，并且液晶反向旋转锁定结构由梳齿状电极的伸出部分和浮置电极形成。

Description

横向电场模式液晶显示装置
相关申请的交叉引用
本申请基于并要求于2010年1月19日提交的日本专利申请No.2010-009379的优先权，该日本专利申请的公开内容通过引用全部并入本申请中。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置，并且更具体地，涉及一种能够获得高数值孔径率的横向电场模式的有源矩阵液晶显示装置。
背景技术
通常，液晶显示装置(LCD)具有薄型、轻量、以及低功耗的特点。特别地，有源矩阵液晶显示装置(AM-LCD)被认为是高分辨率平板显示器，其驱动通过有源元件来以矩阵形式形成的在长度和宽度方向上进行布置的单独的像素。尤其是使用薄膜晶体管(TFT)作为用于切换单独的像素的有源元件的显示装置(TFT-LCD)，正在广泛普及。
许多有源矩阵液晶显示装置使用扭转向列(TN)液晶的光电效应，其通过对被夹在两个基板之间的液晶施加与基板面大致垂直的电场而使液晶分子移位来显示图像。这被称作“垂直电场模式”。同时，“横向电场模式”液晶显示装置也是之前就已经公知的，其通过施加与基板面大致平行的电场而使液晶分子在大致平行于基板面的平面内移位，从而显示图像。与在垂直电场型液晶显示装置的情况中一样，各种修改也可以被应用于横向电场模式液晶显示装置，并且将在下面示出其示例。
日本未审专利公开No.2002-323706(专利文献1)披露了如下的一种结构，其中，通过将绝缘层夹持在高于总线(数据线)的位置(即，靠近液晶层的位置)处来放置用于产生用于驱动液晶的横向电场的像素电极和公共电极(均被形成为梳齿状)，其中，所述总线(数据线)将信号供应至用于驱动每个像素的有源元件(参见权利要求1、第一实施例、图1和图2)。利用此结构，可以通过覆盖总线而形成公共电极来阻断来自总线的电场，从而可以防止由于垂直串扰而导致的不良显示。此外，可以认为，可以通过利用透明导电性材料形成公共电极来提高数值孔径。
图19A-19C示出了典型的横向电场模式的有源矩阵液晶显示装置的结构的示例。图19A是平面图，图19B是沿着图19A中的A-A’线截取的截面图，并19C是沿着图19A中的B-B’线截取的截面图。此外，图20A、图20B、图20C和图20D是示出了液晶显示装置的制造步骤的主要部分的平面图。所有这些图示都仅关于一个像素区域而示出。
利用该液晶显示装置，如图19A和图20B所示，每个像素区域均被形成在由多条栅极总线155和多条漏极总线156所包围的矩形范围中，其中，所述多条栅极总线155在图的横向(左右)方向上延伸，所述多条漏极总线156在图的垂直(上下)方向上延伸，并且多个像素以矩阵形式被布置成一个整体。与在栅极总线155的情况中一样，多条公共总线153通过在图的横向方向上延伸而形成。与每个像素相对应地，在栅极总线155与漏极总线156之间的每个交叉点处均形成有薄膜晶体管(TFT)145。薄膜晶体管145的漏极电极141、源极电极142、和半导体膜143被形成为如图20B所示的相应的图案(形状)。
用于产生液晶驱动电场的像素电极171和公共电极172中的每一个均具有互相啮合的梳齿状部分(在每个像素区域内伸出的细条部分)。在像素电极171中存在两个梳齿状部分，且在此情况中，在公共电极172中存在单个梳齿状部分。如图19B所示，像素电极171经由接触孔161而被电连接至薄膜晶体管145的源极电极142，所述接触孔161开口穿过有机层间膜160和保护性绝缘膜159。公共电极172经由接触孔162而被电连接至公共总线153，所述接触孔162开口穿过有机层间膜160、保护性绝缘膜159、和层间绝缘膜157。薄膜晶体管145的源极电极142的一部分经由层间绝缘膜157而与公共总线153重叠，并且重叠部分为像素区域形成存储电容器。
液晶显示装置的截面结构如图19B和图19C中所示。通过将液晶120插入在有源矩阵基板与对向基板之间来使有源矩阵基板和对向基板接合并形成为一体。
有源矩阵基板包括透明的玻璃基板111以及形成在玻璃基板111的内表面上的公共总线153、栅极总线155、漏极总线156、薄膜晶体管145、像素电极171、和公共电极172。公共总线153和栅极总线155被直接形成在玻璃基板111的内表面上，并且被层间绝缘膜157覆盖。薄膜晶体管145的漏极电极141、源极电极142和半导体膜143以及漏极总线156被形成在层间绝缘膜157上。因此，公共总线153和栅极总线155通过层间绝缘膜157而与漏极电极141、源极电极142、半导体膜143和漏极总线156电绝缘。形成在玻璃基板111上的这些结构除了接触孔161和接触孔162之外都被保护性绝缘膜159覆盖。由于接触孔161和接触孔162而产生的台阶通过形成在保护性绝缘膜159上的有机层间膜160而变平。像素电极171和公共电极172被形成在有机层间膜160上。如上所述，像素电极171经由接触孔161而被电连接至源极电极142，并且公共电极172经由接触孔162而被电连接至公共总线153。图19B和图19C的截面图为模型图示，并非是实际层次结构的忠实再现。
具有上述结构的有源矩阵基板的表面(其上形成有像素电极171和公共电极172的面)被取向膜131覆盖，所述取向膜131由有机聚合物膜形成。对取向膜131的表面应用取向处理，所述取向处理用于使液晶分子121的初始方向朝向指定方向(参见图19A中的箭头)定向。
同时，对向基板(滤色基板)包括透明的玻璃基板112、由红(R)、绿(G)、蓝(B)三原色构成的滤色器(未示出)、以及遮光的黑底(未示出)，其中，所述滤色器与每个像素区域相对应地形成在玻璃基板112的内表面上，所述遮光的黑底被形成在除了与像素区域中的每一个相对应的区域以外的区域中。滤色器和黑底被丙烯基保护膜(overcoat film)(未示出)覆盖。在保护膜的内表面上形成有柱状间隔体(未示出)，所述间隔体用于控制有源矩阵基板与对向基板之间的间隙。此外，保护膜的内表面被取向膜132覆盖，所述取向膜132由有机聚合物形成。对取向膜132的表面应用取向处理，所述取向处理用于使液晶分子121的初始方向朝向指定方向(参见图19A中的箭头)定向。
通过使其互相对置且同时使其中形成有取向膜131和取向膜132的表面分别面向内侧，使得具有如上所述的结构的有源矩阵基板和对向基板以指定间隙而彼此叠置。液晶120被提供在两个基板之间的空间中，并且两个基板的外围边缘由密封材料(未示出)密封，用于将液晶120密封在其中。一对偏振板(未示出)被分别设置在两个基板的外侧面上。
如上所述，对取向膜131和取向膜132的表面均一地应用取向处理，使得液晶分子121在未施加电场时沿着取向方向相平行地取向。取向方向被定义为相对于像素电极171和公共电极172的梳齿状部分的延伸方向(在图19A中的顶部到底部的方向)顺时针倾斜15度的方向。
该对偏振板的透射轴的方向被设定为互相正交。该对偏振板的透射轴中的一个被设定为与被均一地应用取向处理的液晶的原始取向方向(未施加电场时的取向方向)相一致。
接下来，将参照图20描述图19中所示的液晶显示装置的制造步骤。
按下列方式制造有源矩阵基板。首先，在玻璃基板111的一个表面上形成铬(Cr)膜，并且对其构图，以形成具有如图20A所示的形状的公共总线153和栅极总线155。之后，在整个玻璃基板111上形成由硅氮化物(SiNx)制成的层间绝缘膜157，以覆盖公共总线153和栅极总线155。随后，在层间绝缘膜157中以岛状图案形成薄膜晶体管的半导体膜143(通常为无定形硅(a-Si)膜)，以经由层间绝缘膜157而与对应的栅极总线155重叠。进一步地，通过在层间绝缘膜157上形成Cr膜且然后对其构图而形成漏极总线156、漏极电极141、和源极电极142(参见图20B)。之后，依次在层间绝缘膜157上以堆叠的方式形成由SiNx制成的保护性绝缘膜159和由感光性丙烯酸树脂制成的有机层间膜160，以覆盖上述结构。随后，形成开口穿过保护性绝缘膜159和有机层间膜160的方形接触孔161，以及开口穿过层间绝缘膜157、保护性绝缘膜159、和有机层间膜160的矩形接触孔162(参见图20C)。进一步地，通过在有机层间膜160上形成ITO(铟锡氧化物)膜作为透明电极材料且然后对其构图，从而形成像素电极171和公共电极172。像素电极171经由接触孔161而与源极电极142形成接触。公共电极172经由接触孔162而与公共总线153形成接触(参见图20D和图19B)。由此，可以制得有源矩阵基板。
按下列方式制造对向基板(滤色基板)。首先，在玻璃基板112的一个表面上形成滤色器和遮光的黑底(均未示出)。之后，在整个玻璃基板112上形成保护膜(未示出)，以覆盖滤色器和黑底。进一步地，在保护膜上形成柱状间隔体(未示出)。由此，制得对向基板。在按上述方式制得的有源矩阵基板和对向基板的表面上分别形成由聚酰亚胺制成的取向膜131和取向膜132。之后，在取向膜131和取向膜132的表面上均一地进行取向处理。随后，在使两个基板以其间具有预定间距(例如，4.5μm)而互相堆叠之后，除了用于注入液晶的孔之外，用密封材料密封这两个基板的外围边缘。然后，在真空腔内将指定的向列液晶(例如，具有0.067的各向异性折射率的向列液晶)从用于注入液晶的孔注入到两个基板之间的空间之后，封闭用于注入液晶的孔。当在使两个基板连接并形成为一体之后将相应的偏振板(未示出)层叠在两个基板的外表面上时，可以完整制得具有图19中所示结构的液晶显示装置。
已知的是，在上述的横向电场模式的液晶显示装置中，在像素电极171和公共电极172的梳齿状部分的末端部分附近产生如下的区域(称为“反向旋转域”)，在所述区域中，液晶分子在与施加液晶驱动电场时的液晶分子的正常旋转方向相反的方向上旋转。
图21是用于示意性描述在图19至图20中所示的液晶显示装置中产生反向旋转域(domain)的原理的图示。为了简化说明，图21仅示出了像素电极171、公共电极172、和液晶分子121，并且示意性图示出由电极171和172的梳齿状部分在像素区域内所产生的液晶电场(电力线)E。
通过液晶分子121的初始取向方向(用箭头示出的取向处理方向)与液晶驱动电场E的方向之间的关系来定义由于液晶驱动电场E而产生的液晶分子121的旋转方向(此旋转发生在几乎平行于有源矩阵基板和对向基板的平面内)。因而，在像素区域中的大多数区域中，其都处于“顺时针方向”。B示出边界域，示出了液晶驱动电场E变化的边界。
然而，液晶驱动电场E在像素电极171的梳齿状部分的末端部分附近如图21所示变成辐射状，从而使液晶分子在图中所示的区域(反向旋转域R)中在“逆时针”方向上旋转。即是说，图中示出的区域是其中液晶分子在“逆时针”方向上旋转的区域(即，反向旋转域R)。
日本未审专利公开Hei 10-307295(专利文献2)披露了如下一种技术，其在施加电场时，通过使产生横向电场的电极弯曲，以利用弯曲部分而故意使液晶驱动(旋转)方向根据每个区域而变化，从而减小显示器中从倾斜视角的着色(参见权利要求1、3、5以及图1-2、4和6)。
例如，假定在如下的结构中，其中，第一子区域的液晶分子的初始取向方向和第二子区域中的液晶分子的初始取向方向相同，并且当施加有电压时，每个子区域中的液晶分子在相反的旋转方向上旋转，且同时保持取向方向处于相互对称关系(参见权利要求3)。此外，在此结构中，所期望的是，用于驱动液晶分子的横向电场由平行电极对产生，并且构成平行电极对的电极被弯曲成V形(参见权利要求5)。
如上所述，液晶驱动电场E在梳齿状电极的末端部分附近呈辐射状分布，从而形成如下的区域(反向旋转域)，在所述区域中，液晶分子由于相对于液晶的初始取向方向的关系而导致在与指定旋转方向相反的方向上旋转。因为液晶驱动电场E在梳齿状电极的末端部分附近呈逐渐放射状形式，所以在反向旋转域R与正常域之间所产生的暗区域(边界域B)变大，并且边界域B的位置也不稳定。
因此，当诸如手指按压等的外部压力被施加在显示器表面上时，反向旋转域R的形状(或者边界域B的位置)变得不稳定。因此，即使在外部压力被释放之后，也可以识别出手指按压过的痕迹。此外，还存在由于边界域B的宽度变宽而产生面板透射比损失的问题。即是说，在反向旋转域R对面板透射比有作用的同时，边界域B即使在白显示时(施加电压时)也仍处于暗态。
因此，本发明的示例性目的是要提供如下一种结构，这种结构能够通过稳定地控制在梳齿状电极的末端部分中所产生的、其中液晶分子在反向方向上旋转的域，而在横向电场模式的液晶显示装置中获得高透射比。
发明内容
为了克服前述问题，根据本发明的示例性方面的液晶显示装置是一种横向电场模式的液晶显示装置，其能够通过施加在像素电极与公共电极之间的与基板基本上平行的横向电场，通过旋转平行取向的液晶来进行显示，其中：像素电极和公共电极被形成在相同层上，并且像素电极和公共电极具有基本上互相平行地交替延伸的梳齿状第一部分；在像素电极或公共电极中的第一部分的末端部分中存在至少一个区域，所述一个区域由像素电极和公共电极当中的另一电极的第一部分中的两个和连接所述两个第一部分的第二部分在三侧包围；并且至少在所述一个区域中，存在与第一部分的末端部分相连接的伸出部分，所述伸出部分在通过以第一部分的末端部分作为旋转中心、朝向下述方向、以大于或等于90度至小于180度的范围中的角度旋转后的方向上延伸，其中所朝向的方向是通过锐角旋转使所述第一部分的延伸方向能够与液晶的取向方向重合的方向，并且还存在经由绝缘膜而与所述第一部分的末端部分重叠的浮置电极，所述浮置电极在与所述第一部分的延伸方向大致相同的方向上延伸至比所述第一部分的末端部分更靠近另一电极的第二部分的位置。
图3示出了其效果。所述浮置电极具有与在其中具有末端部分的电极的梳齿状部分的电位基本上相等的电位。反向旋转域可以通过由梳齿状电极的伸出部分、浮置电极、以及与在其中具有末端部分的电极的梳齿状电极部分相对的电极包围的区域而被锁定(以下，封闭区域被称作反向旋转锁定区域)。
作为根据本发明的示例性优点，由现有技术所引起的现象能够得到完全抑制，即，在反向旋转域与正常域之间产生的暗区域(边界域)变大以及其位置变得不稳定这样的现象能够得到完全抑制。因此，能够获得如下一种结构，通过该结构，由于反向旋转锁定区域是稳定的，所以即使在诸如手指按压这样的外部压力被施加在显示器表面上时，在释放外部压力之后，也根本不会留下任何手指按压痕迹等。
此外，可以将浮置电极延伸至极其靠近对置电极的区域或者与对向电极稍微交叠的区域。因而，可以使足够强的横向电场产生到对置电极的区域，从而能够提高光利用效率。此外，即使在形成在浮置电极与梳齿状电极的伸出部分之间的反向旋转锁定区域中，也能够有效地利用透射光，从而也能够改善光利用效率。
此外，在本发明的液晶显示装置中，像素电极和公共电极的第一部分成弯曲结构，包括相对于所述液晶取向方向倾斜特定角度θ的部分以及相对于所述液晶取向方向倾斜特定角度-θ的部分。所述像素电极或所述公共电极的所述第二部分可以被形成为与所述液晶取向方向基本上垂直。
利用这一点，可以获得更宽的视角。
此外，作为本发明的液晶显示装置的所期望的形式，所述第一部分的所述端部中的所述第一部分的弯曲方向可以被设定为与所述另一电极的所述第二部分基本上平行。
这使得能够有效地锁定反向旋转区域，并扩宽正向方向的区域。
本发明能够利用浮置电极和伸出部分来有效地锁定在电极的端部附近的在其中液晶分子在反向方向上旋转的区域，其中，所述浮置电极在与所述梳齿状电极的延伸方向基本上相同的方向上延伸，并且所述伸出部分被设置在所述梳齿状电极的端部；并且本发明能够使所述浮置电极到达所述对置电极的附近。因此，可以在液晶反向旋转区域外侧的几乎所有区域中施加正常状态的横向电场。此外，可以将液晶反向旋转区域封闭成更小的区域，从而能够显著提高光有效利用率。
本发明使得能够在IPS(面内切换)液晶显示装置中获得极高的光利用效率。
附图说明
图1A是示出了根据本发明第一示例性实施例的液晶显示装置的像素的结构的平面图；
图1B是沿着图1A的A-A’线截取的截面图；
图2示出了集中在图1中所示的像素电极的末端部分上的主要部分，其中，所述图1示出了根据本发明第一示例性实施例的液晶显示装置的平面图；
图3是用于描述图2中所示的液晶的行为的图示，其中，所述图2示出了根据本发明第一示例性实施例的液晶显示装置的平面图中的主要部分；
图4是用于描述日本专利申请No.2008-188243的图示；
图5是用于描述根据本发明第一示例性实施例的修改例的图示；
图6是用于描述根据本发明第一示例性实施例的修改例的图示；
图7是用于描述根据本发明第一示例性实施例的修改例的图示；
图8是用于描述根据本发明第一示例性实施例的修改例的图示；
图9是用于描述根据本发明第一示例性实施例的修改例的图示；
图10是用于描述根据本发明第一示例性实施例的修改例的图示；
图11是用于描述根据本发明第一示例性实施例的修改例的图示；
图12是示出了根据本发明第二示例性实施例的液晶显示装置的像素的结构的平面图；
图13示出了集中在图12中所示的像素电极的末端部分上的主要部分，其中，所述图12示出了根据本发明第二示例性实施例的液晶显示装置的平面图；
图14是用于描述图13中所示的液晶的行为的图示，其中，所述图13示出了根据本发明第二示例性实施例的液晶显示装置的平面图中的主要部分；
图15是示出了根据本发明第三示例性实施例的液晶显示装置的像素的结构的平面图；
图16是示出了根据本发明第四示例性实施例的液晶显示装置的像素的结构的平面图；
图17是示出了根据本发明第五示例性实施例的液晶显示装置的像素的结构的平面图；
图18是示出了根据本发明第六示例性实施例的液晶显示装置的像素的结构的平面图；
图19A-19C是示出了一般横向电场模式的有源矩阵液晶显示装置的结构的示例的图示，其中，图19A是像素的平面图，图19B是沿着图19A的A-A’线截取的截面图，并且19C是沿着图19A的B-B’线截取的截面图；
图20是示出了图19中所示的液晶显示装置的制造步骤的主要部分平面图；以及
图21是示出了在通过在像素电极与公共电极之间施加电压而施加液晶驱动电场时，图19中所示的液晶显示装置的像素区域的上侧的状态的图示。
具体实施方式
日本专利申请No.2008-188243提出了如下一种技术，该技术将IPS的梳齿状电极的末端分为两个分支，并且锁定(lock in)在划分的电极中的其中液晶分子在与规定方向不同的方向上旋转的区域。图4示出了此情况的主要思想。像素电极的梳齿状部分(第一部分3)的末端被分为两个分支，并且在与梳齿的延伸方向不同的方向上提供有伸出部分26。在伸出部分26与公共电极的梳齿状电极部分(第一部分4)之间，所谓的正向方向的电场22在伸出部分26的下侧区域中起作用，用于引起在与液晶分子15由于电场16而旋转的方向相同的方向(以下被称为正向方向)上的旋转动作，其中，所述电场16是施加在像素电极的第一部分3与公共电极的第一部分4之间的电场。
同时，用于使液晶分子在与正向方向相反的方向上旋转的电场20在区域27中起作用，其中，所述区域27由像素电极的末端的两分支部分、公共电极的第一部分4、和公共电极的连接梳齿状电极的第二部分6包围。通过在像素电极的伸出部分26与公共电极的第一部分4之间起作用的反向方向电场，可以使整个区域27的液晶分子15在反向方向上稳定地旋转。此外，在区域27外侧的区域中，液晶分子15可以在正向方向上旋转。这使得能够在梳齿状电极的末端部分中有效地控制液晶，从而能够提高光利用效率。
在日本专利申请No.2008-188243中披露的相关技术可以锁定带有两个分支部分的反向旋转区域，并且有效地利用该区域。然而，当除两个分支部分之外的与梳齿状电极基本上平行地延伸的部分处于与对置电极(图中的公共电极)所处的层相同的层中时，就工艺控制而言，不能将它们放置得太靠近。根据通常的LCD涉及规则，必需具有大约5μm的距离(或者在高度控制的工艺中甚至必需为大约2μm)，但是反向旋转锁定区域27变大这么多的量。此外，尽管正向方向电场起作用，但梳齿状电极末端部与对置电极之间的距离也会被隔开，从而形成其中未充分施加电场的区域18。由于这些因素，光利用效率变低。
本发明的特征在于一种横向电场模式的液晶显示装置，其通过与基板基本上平行的、施加在像素电极与公共电极之间的电场而使平行(homogeneously)取向的液晶分子旋转来进行显示，其中：像素电极和公共电极被形成在相同层上，并且像素电极和公共电极具有基本上互相平行地交替延伸的梳齿状第一部分；在像素电极或公共电极的第一部分的末端部分中存在至少一个区域，所述一个区域由像素电极和公共电极当中的另一电极的第一部分中的两个和连接所述两个第一部分的第二部分在三侧包围；并且至少在所述一个区域中，存在与第一部分的末端部分相连接的伸出部分，所述伸出部分在通过以第一部分的末端部分作为旋转中心、朝向下述方向、以大于或等于90度至小于180度的范围中的角度旋转后的方向上延伸，其中所朝向的方向是通过锐角旋转使所述第一部分的延伸方向能够与液晶的取向方向重合的方向，并且还存在经由绝缘膜而与所述第一部分的末端部分重叠的浮置电极，所述浮置电极在与所述第一部分的延伸方向大致相同的方向上延伸至比所述第一部分的末端部分更靠近另一电极的第二部分的位置。
以下，将逐一描述具体示例性实施例的细节。
(第一示例性实施例)
将参照图1A、图1B、图2和图3来描述第一示例性实施例。图1A是示出了根据本发明第一示例性实施例的液晶显示装置的像素的结构的平面图。图1B是沿着图1A的A-A’线截取的截面图。图2是图1的像素的梳齿状电极的上部端部(像素电极的第一部分3)附近的部分的放大图。图3是用于描述图2中所示的液晶的行为的图示。
以下，将遵照图1A和图1B中所示的第一示例性实施例的像素的制作次序来对其进行详细描述。
首先，用第一金属层(例如，250nm的Cr)在玻璃基板100上形成扫描线1、公共信号布线12、和反向旋转锁定浮置电极7。
然后，形成栅极绝缘膜101(例如，500nm的SiNx)和薄膜半导体层13(例如，200nm/50nm的a-Si/n-a-Si)，并且对所述薄膜半导体层13构图而只留下TFT部分，所述TFT部分被提供作为像素的切换元件。进一步地，用第二金属层(例如，250nm的Cr)形成由第二金属层制成的数据线2、TFT的源极/漏极电极30、以及像素电极部分31。
然后，将TFT的源极/漏极30作为掩模来去除TFT的n-a-Si部分。
之后，形成保护性绝缘膜102(例如，600nm的SiNx)，并且形成用于连接像素电极的通孔14和用于连接公共电极的通孔11。
进一步地，用透明电极(例如，80nm的ITO)，在其上形成如下图案，所述图案由像素电极的第一部分3、像素电极的第二部分5、公共电极的第一部分4、公共电极的第二部分6、用于屏蔽数据线2的公共电极的第一部分8、以及像素电极的末端的伸出部分10构成。通过上述方法形成了TFT阵列。
制备对向玻璃基板107，在其上形成有RGB色层105和保护层104作为滤色器。以使液晶层的厚度成为3.5μm的方式，在滤色器的保护层104上提供柱状间隔体(未示出)。
在其上形成有阵列的TFT基板和滤色器基板上均涂覆并烘焙取向膜103，并且在图1的液晶初始取向方向9上对两个基板进行摩擦处理。层叠两个基板，并将液晶109注入到其中。对于液晶109而言，使用满足Δn＝0.086且Δε＝9的液晶材料，并且使其在液晶初始取向方向9上平行取向。
进一步地，在玻璃基板100和对向玻璃基板107的外侧层叠两个偏振板106和110，这里两个偏振板106和110具有朝向液晶初始取向方向9定向的一个偏振轴。由此，液晶面板能够在未对液晶109施加电压的状态下获得良好的黑显示。
进一步地，通过驱动扫描线1和数据线2而在像素电极的第一部分3与公共电极的第一部分4之间施加电压，可以施加基本上平行于基板的电场(横向电场)16。这使得能够通过使液晶109的液晶分子15旋转来控制显示。
像素电极的第一部分3、公共电极的第一部分4、以及公共电极的屏蔽数据线2的第一部分8在像素的中心附近弯曲。像素电极的第一部分3的上半部分相对于液晶初始取向方向9顺时针倾斜θ，并且像素电极的第一部分3的下半部分相对于液晶初始取向方向9顺时针倾斜-θ。由此，在像素电极的第一部分3与公共电极的第一部分4之间，在附图中的像素的上半部分中施加有在从水平方向(扫描线1的延伸方向)顺时针旋转θ的方向上的电场；并且在像素电极的第一部分3与公共电极的第一部分4之间的在图中的像素的下半部分中施加有在从水平方向顺时针旋转-θ的方向上的电场。在本示例性实施例中，设定θ＝15度。
通过这样的电场，在像素的上部部分和下部部分中，液晶分子15在彼此相反的反向方向上旋转。因而，液晶分子可以彼此光学补偿，从而能够获得宽视角，而无灰度反转且无着色。
公共电极的第二部分6将公共电极的第一部分4与用于屏蔽数据线2的公共电极的第一部分8相连接，并且将它们经由通孔11而连接至公共信号布线12。此外，公共电极的第二部分6被形成为覆盖扫描线1，以将其屏蔽。由此，来自扫描线1的电场将不会施加影响，从而能够确保像素的有效显示区域较宽。
用于屏蔽数据线2的公共电极的第一部分8屏蔽数据线2的电场，以抑制器对显示单元施加的影响。与此同时，公共电极的第一部分8扮演与公共电极的第一部分4相当的角色，即，具有在像素电极的第一部分3与其本身之间施加横向电场的功能。
将参照图2和图3来描述与本发明第一示例性实施例有关的主要部分。
在像素电极的第一部分3的上部端部上，在以大于或等于90度至小于180度的范围内的角度旋转后的方向上形成伸出部分10，其处于通过以所述端部作为起始点、从像素电极的第一部分3的延伸方向24朝向液晶初始取向方向9经过锐角旋转后的方向上(即，如下的方向，以所述方向通过进行锐角旋转使从第一部分3的端部朝向基部的方向(图的左斜下方向)与液晶初始取向方向9重合)。在此情况中，使伸出部分10在与水平方向(扫描线1的延伸方向)相同的方向上延伸，即，在从像素电极的第一部分3转过θ+90度的角度的方向上延伸，以便获得最高的光利用效率。
期望使像素电极的末端的伸出部分10尽可能地靠近公共电极的第一部分4形成。在本示例性实施例中，像素电极的第一部分3与公共电极的第一部分4之间在水平方向上的间隙被设定为10μm。由于诸如曝光这样的制造工艺方面的限制，而必需使像素电极与公共电极隔开大约6μm。因此，此情况中的伸出部分10从像素电极的第一部分的末端延伸出4μm。
根据经验可知，用于延伸伸出部分10的长度将至少为2μm或更多，且更期望为4μm或更多。由此，能够使在图中伸出部分10的上侧的反向旋转锁定区域28中的反向电场20以及在图中伸出部分10的下侧区域中的正向方向电场22形成得足够强。因此，能够使液晶的取向稳定。
在其中像素电极与公共电极之间的电极间隙较窄的情况中，可以通过将公共电极的第一部分4的形状改变成如图5所示的弯钩形状来确保伸出部分10的长度。
进一步地，形成在像素电极的第一部分3的延伸方向上延伸的反向旋转锁定浮置电极7。反向旋转锁定浮置电极7由第一金属层形成，并且经由栅极绝缘膜101和保护性绝缘膜102而与像素电极的第一部分3电容耦合。
可以使反向旋转锁定浮置电极7到达比像素电极的第一部分3的端部更靠近公共电极的第二部分6的位置。优选的是，反向旋转锁定浮置电极7与公共电极的第二部分6不重叠。由此，反向旋转锁定浮置电极7只与像素电极有主要电容，并且因为其未与公共电极重叠，所以与公共电极只有小电容。由于电容耦合量的关系，其将具有与像素电极的电位几乎相等的电位。
由此，在图3中，反向旋转锁定浮置电极7和像素电极的末端的伸出部分10将具有像素电极的电位。与该区域相对的公共电极的第一部分4和第二部分6包围的区域是用于使液晶109的液晶分子15在图中的顺时针方向上旋转的电场20，并且可以将此域视为反向旋转锁定区域28。
同时，在反向旋转锁定区域28的边界外侧，对应于图中伸出部分10的下侧的区域中，强电场22在伸出部分10与公共电极的第一部分4之间起作用。由像素电极的第一部分(梳齿状电极部分)3与公共电极的第一部分(梳齿状电极部分)4之间的所期望的电场16在液晶109的液晶分子15中所引起的旋转方向(被称作正向方向；该图中的逆时针方向)与由强电场22所引起的液晶109的液晶分子15的旋转方向互相配合。因此，能够使液晶分子15在伸出部分10下侧的区域中无扰动地在正向方向上旋转。
此外，在对应于反向旋转锁定浮置电极7的图的左侧的部分中，电极7几乎等于像素电极的电位。因而，可以在屏蔽数据线2的公共电极的第一电极部分8与公共电极的第二部分6之间、有效地直至公共电极的第二部分6的边缘地施加使液晶分子15在正向方向上旋转的有效电场23。
以上结构使得能够在图中反向旋转锁定区域28下侧和左侧的区域中引起几近于理想的正向方向旋转，从而能够提高光利用效率。
此外，经证实，通过图19-21中所示的结构引起的现象能够得到完全抑制，即，在反向旋转域与正常域之间产生的暗区域(边界域)变大以及其位置变得不稳定这样的现象能够得到完全抑制。因而，能够获得如下一种结构，通过该结构，因为反向旋转锁定区域是稳定的，所以即使在诸如手指按压这样的外部压力被施加在显示器表面上时，在释放外部压力之后，也根本不会产生任何手指按压痕迹等。
此外，用相同层形成像素电极和公共电极。这样，通过用透明导电性膜形成像素电极的第一部分3和公共电极的第一部分4，在两个电极上通过的光都可以得到利用。因而，在光利用效率方面具有优点。通过用相同层形成像素电极和公共电极，只需要对透明导电性膜进行一次形成处理。因此，可以简化制造步骤。
同时，为了用相同层形成像素电极和公共电极，必需使像素电极的第一部分3与公共电极的第二部分6隔开指定距离。在本示例性实施例中，两个电极都用ITO形成且同时隔开6μm。
在这一点上，对于图4中所示的在日本专利申请No.2008-188243中提出的技术而言，除了6μm以外，还需要基本上平行于被分成两个分支的电极的梳齿的延伸方向延伸的长度(基本上等于电极之间的间隙)。这样，两个分支的分叉点将与公共电极的连接部分(第二部分)隔开大约10-16μm，从而使反向旋转锁定区域27的面积增大。此反向旋转锁定区域27可以通过利用液晶分子15的旋转来利用光。然而，与施加有正向方向电场的区域的下侧和左侧相比，施加电场的效率稍低，从而透射比稍微劣化。
此外，在图4的上侧延伸的、形成在两分支电极的左上方的区域18与电极的端部隔开。因而，电场21较弱，从而液晶的液晶分子不能充分旋转。因此，不能获得大的光透射比。
同时，在应用本发明的第一示例性实施例的情况中，像素电极的第一部分3的端部仅仅需要与公共电极的第二部分6隔开6μm。这样，可以更小的尺寸来制作反向旋转锁定区域28。因此，可以确保在正向方向上旋转的、在伸出部分10下侧的正常域的区域更宽。
此外，可以使具有与像素电极的电位几乎相等的电位的反向旋转锁定浮置电极7到达极其靠近公共电极的第二部分6的位置。因此，可以在屏蔽数据线2的公共电极的第一部分8与公共电极的第二部分6之间、有效地直至公共电极的第二部分6的边缘地施加使液晶分子15在正向方向上旋转的有效电场23。因而，与日本专利申请No.2008-188243的情况不同，没有产生诸如区域18这样的区域。因此，能够提高在反向旋转锁定区域外侧的光利用效率。
通过以上所描述的，第一示例性实施例能够获得优良的光利用效率，甚至比在日本专利申请No.2008-188243的情况中还要好。
在第一示例性实施例中，通过延伸至像素电极的第一部分3来直线地形成反向旋转锁定浮置电极7。然而，并非必需以直线形式。如图6所示，还可以沿着像素电极的伸出部分10在反向旋转锁定浮置电极7中形成伸出部分7a。
此外，如图7所示，通过使反向旋转锁定浮置电极7的伸出部分7a沿着像素电极的伸出部分10延伸而处在伸出部分10上，可以将伸出部分7a形成为更靠近公共电极的第一部分4。在此情况中，由第一金属层形成的反向旋转锁定浮置电极7的台阶垂直地紧靠摩擦方向，使得取向控制变得更加困难。然而，存在电场的控制变得稳定这样的优点。
此外，虽然在第一示例性实施例中反向旋转锁定浮置电极7被形成为不与公共电极的第二部分6重叠，但也可以通过对与取向中的发散度(divergence)有关的裕度等加以考虑，而采用如图8所示两者稍微互重叠的结构。在此情况中，期望反向旋转锁定浮置电极7与公共电极的第二部分6的重叠区域与其与像素电极的重叠区域相比足够小，从而使反向旋转锁定浮置电极7几乎等于像素电极的电位。
此外，虽然在第一示例性实施例中是成直线地沿着像素电极的第一部分3的延伸方向而形成反向旋转锁定浮置电极7的，但也可以使反向旋转锁定浮置电极7在端部处弯曲，或者可以使延伸的部分在与像素电极的第一部分3的延伸方向稍微不同的方向上延伸。在此情况中，能够稳定地形成反向旋转锁定区域28，并且能够适当地在其外侧形成正向方向旋转区域。然而，当反向旋转锁定浮置电极7在沿着像素电极的第一部分3的方向上延伸时，可以获得最大的光利用效率。即使在将反向旋转锁定浮置电极7形成为与像素电极的第一部分3的延伸方向偏离时，也期望其处于相对于在液晶初始取向方向9与像素电极的第一部分3的延伸部分之间形成的角度θ的±2θ内。由此，能够稳定地锁定反向旋转锁定区域28。
此外，虽然在第一示例性实施例中，像素电极的第一部分3和像素电极的末端的伸出部分10被弯曲成曲折(zigzag)形状，但这些部分也可以如图10所示以曲线方式弯曲。在此情况中，也对反向旋转锁定区域28的锁定效果无影响。
此外，虽然在第一示例性实施例中，未将像素电极的第一部分3延伸至比像素电极的第一部分的末端的延伸部分10更靠近公共电极的第二部分6的位置，但也可以采用在其中，像素电极的第一部分3的末端部分3a沿着反向旋转锁定浮置电极7被稍微拉出的结构。
此外，虽然参照其中在由像素电极的第一部分3、公共电极的第一部分4、以及公共电极的第二部分6在三侧包围的区域中、反向旋转锁定区域28由像素电极的第一部分的末端的伸出部分10和反向旋转锁定浮置电极7锁定的情况来描述第一示例性实施例，但同样可以在由像素电极在三侧包围的公共电极的第一部分的末端部分的区域中实施。
(第二示例性实施例)
将参照图12、图13和图14来描述本发明的第二示例性实施例。图12示出了根据本发明第二示例性实施例的液晶显示装置的像素的结构的平面图。图13是图12的像素的梳齿状电极的上部端部(像素电极的第一部分3)附近的部分的放大图。图14是用于描述图13中所示的液晶的行为的图示。
根据图12中所示的本发明第二示例性实施例的像素是通过与第一示例性实施例的过程相同的过程而制成的。虽然在第一示例性实施例中像素电极的第一部分3、公共电极的第一部分4、和屏蔽数据线2的公共电极的第一部分8在像素的中心被弯曲，但在第二示例性实施例中，像素电极的第一部分3、公共电极的第一部分4、和屏蔽数据线2的公共电极的第一部分8在像素的中心未被弯曲，而是成直线地形成。
液晶初始取向方向9被设定为从像素电极的第一部分3的延伸方向逆时针转过15度的方向，并且使液晶分子在该方向上平行取向。
将参照图13来描述与本发明第二实施例有关的主要部分。
在像素电极的第一部分3的上部端部上，在以大于或等于90度至小于180度的范围内的角度旋转后的方向上形成像素电极的末端的伸出部分10，其处于通过以所述端部作为起始点、从像素电极的第一部分3的延伸方向朝向液晶初始取向方向9进行锐角旋转后的方向上(即，如下的方向，以该方向通过锐角旋转使从第一部分3的端部朝向基部的方向(图的向下方向)与液晶初始取向方向9重合)。在此情况中，使伸出部分10在与水平方向(扫描线的延伸方向)相同的方向上延伸，即，在从像素电极的第一部分3转过90度的角度的方向上延伸，以便获得最高的光利用效率。
进一步地，形成在像素电极的第一部分3的延伸方向上延伸的反向旋转锁定浮置电极7。反向旋转锁定浮置电极7由第一金属层形成，并且经由栅极绝缘膜101和保护性绝缘膜102而与像素电极的第一部分3电容耦合。
可以使反向旋转锁定浮置电极7到达比像素电极的第一部分3的端部更靠近公共电极的第二部分6的位置。所期望的是，反向旋转锁定浮置电极7与公共电极的第二部分6不重叠。由此，反向旋转锁定浮置电极7只与像素电极有主要电容，并且因为其未与公共电极重叠，所以与公共电极只有小电容。因此，其将具有与像素电极的电位几乎相等的电位。
由此，如图14所示，反向旋转锁定浮置电极7和像素电极的末端的伸出部分10将具有像素电极的电位。与该区域相对的公共电极的第一部分4和公共电极的第二部分6包围的区域是用于使液晶109的液晶分子15在图中的顺时针方向上旋转的电场，并且可以将此域视为反向旋转锁定区域28。
同时，在反向旋转锁定区域28的边界外侧，对应于图中伸出部分10的下侧的区域中，强电场22在伸出部分10与公共电极的第一部分4之间起作用。由像素电极的第一部分(梳齿状电极部分)3与公共电极的第一部分(梳齿状电极部分)4之间的所期望的电场16所引起的旋转方向(被称作正向方向；该图中的逆时针方向)与由强电场22所引起的液晶109的旋转方向互相配合。因此，能够使液晶分子15在伸出部分10下侧的区域中无扰动地在正向方向上旋转。
此外，在对应于反向旋转锁定浮置电极7的图的左侧的部分中，电极7几乎等于像素电极的电位。因而，可以在屏蔽数据线2的公共电极的第一部分8与公共电极的第二部分6之间、有效地直至公共电极的第二部分6的边缘地施加使液晶分子15在正向方向上旋转的有效电场23。
以上结构使得能够在图中反向旋转锁定区域28下侧和左侧的区域中引起几近于理想的正向方向旋转，从而能够提高光利用效率。
此外，经证实，通过图19-21中所示的结构引起的现象能够得到完全抑制，即，在反向旋转域与正常域之间产生的暗区域(边界域)变大以及其位置变得不稳定这样的现象能够得到完全抑制。因而，能够实现如下一种结构，通过该结构，因为反向旋转锁定区域是稳定的，所以即使在诸如手指按压这样的外部压力被施加在显示器表面上时，在释放外部压力之后，也根本不会产生任何手指按压痕迹等。
如上所述，对于应用本发明的第二示例性实施例而言，取向变得稳定并且能够获得较高的光利用效率。
(第三示例性实施例)
将参照图15来描述本发明的第三示例性实施例。图15是示出了根据本发明第三示例性实施例的液晶显示装置的像素的结构的平面图。
第三示例性实施例与第一示例性实施例的不同在于，在像素电极的第一部分3、公共电极的第一部分4、以及屏蔽数据线2的公共电极的第一部分8的弯曲部分中形成有浮置的域稳定电极25，所述浮置的域稳定电极25被重叠在所述弯曲部分上以电容耦合。由此，使得其中在像素电极的上部部分和下部部分上划分液晶的旋转方向的状态更加稳定，并且形成在像素电极的第一部分3的端部中的反向旋转锁定结构能够更加稳定地起作用。
(第四示例性实施例)
将参照图16来描述本发明的第四示例性实施例。图16是示出了根据本发明第四示例性实施例的液晶显示装置的像素的结构的平面图
第四示例性实施例与第一示例性实施例的不同在于，省去了用于连接公共电极的通孔11。这使得能够使由第二金属层形成的像素电极部分31更宽，并且能够将用于开口部的用于形成通孔11所需的区域加以保留。因此，能够进一步提高光利用效率。
(第五示例性实施例)
将参照图17来描述本发明的第五示例性实施例。图17是示出了根据本发明第五示例性实施例的液晶显示装置的像素的结构的平面图。
第五示例性实施例与第四示例性实施例的不同之处如下所示。即是说，第五示例性实施例被构造成：形成栅极存储器，其形成由第二金属层形成的像素电极部分32，以与扫描线重叠，所述扫描线不是与像素相邻的两条扫描线1中执行切换的那一条；并且形成连接像素电极的第二通孔33，以经由像素电极的第一部分3而与由第二金属层形成的像素电极部分31相连接。此外，为了形成连接部分，公共电极的第二部分6被形成为未整个覆盖扫描线1，而是挖出第二通孔33，用于连接像素电极和与其相连接的ITO像素电极部分。
经由栅极绝缘膜，在栅极存储器与扫描线1之间形成存储电容(栅极存储器)，其中，所述栅极存储器形成由第二金属层形成的像素电极部分32。此外，在栅极存储器与形成在其上的公共电极的第二部分6之间也形成有电容，其中，所述栅极存储器形成由第二金属层形成的像素电极部分32。这使得能够减小在由第二金属层形成的像素电极31与公共信号布线12之间所形成的存储电容，从而能够减小该部分的面积。因此，能够进一步扩大显示区域的面积。
(第六示例性实施例)
将参照图18来描述本发明的第六示例性实施例。图18是示出了根据本发明第六示例性实施例的液晶显示装置的像素的结构的平面图。
第六示例性实施例与第五示例性实施例的不同在于，通过进一步对图案进行挖取，形成公共电极的第二部分6，从而使与栅极存储器重叠的部分尽可能地减小，其中，所述栅极存储器形成由第二金属层形成的像素电极部分32。
在如第五和第六示例性实施例那样在像素内未形成接触孔电极的情况中，所必需的是，从形成在显示装置四侧的公共电极的总线，例如在显示单元外侧的布线引线部分中，只利用在像素内由ITO电极所形成的矩阵中连成的网络，来供应每个像素的ITO的公共电极电位。一般而言，与用于第一和第二金属层的诸如Cr这样的布线金属等相比，ITO电极表现出较高的电阻。因而，存在这样的可能性，即，由于与数据线的耦合等而引起的延迟而使得ITO的公共电极电位在写入操作完成之后可能不会达到指定公共电极电位。
在此情况中，作为研究的结果，假定在像素内在像素电极与ITO公共电极之间所形成的电容为C1，且像素电极与扫描线1之间的电容与像素电极与公共信号布线12之间的电容之和为C2，发现偏差ΔVf与偏差ΔVeff之间具有下列关系，其中，所述偏差ΔVf是ITO公共电极电位在像素的写入操作结束那一刻与指定公共电极电位的偏差，所述偏差ΔVeff是与自写入操作结束起的一个帧内在像素电极与公共电极之间的有效电压的时间平均值中不存在延迟时的理想的有效电压之间的偏差。
ΔVeff＝ΔVf·C1/(C1+C2)
作为数次研究的结果，发现当满足C1/(C1+C2)＜1/5时ITO的延迟影响变为在显示方面几乎不会存在任何问题的程度，并且在实际使用中，当满足C1/(C1+C2)＜1/3时就几乎不存在任何问题了。
考虑到上述事实，第六示例性实施例与第五示例性实施例的不同在于，进一步对图案进行挖取，从而使公共电极的第二部分6与栅极存储器的重叠部分尽可能地减小，并且将其定义为C1/(C1+C2)＝1/4，其中，所述栅极存储器形成由第二金属层形成的像素电极部分32。
这使得能够将由于ITO的电阻而引起的延迟的影响抑制到在实际使用中几乎不存在任何问题的程度。
应予以注意的是，本发明并不仅限于以上的示例性实施例的描绘。还可以适当地对结构、版图、形状等进行修改和变化，只要在梳齿状电极的末端部分中提供被弯向梳齿状电极的延伸方向的伸出部分以及沿着梳齿状电极的延伸方向延伸的反向旋转锁定浮置电极即可。
以上披露的全部或部分示例性实施例可以按照下列补充注释来描述，但不限于这些补充注释：
(补充注释1)
一种横向电场模式的液晶显示装置，其通过施加在像素电极与公共电极之间的与基板基本上平行的横向电场而使平行取向的液晶分子旋转来进行显示，其中：像素电极和公共电极被形成在相同层上，并且像素电极和公共电极具有基本上互相平行地交替延伸的梳齿状第一部分；在像素电极或公共电极中的第一部分的末端部分中存在至少一个区域，所述一个区域由像素电极和公共电极当中的另一电极的第一部分中的两个和连接所述两个第一部分的第二部分在三侧包围；并且至少在所述一个区域中，存在与第一部分的末端部分相连接的伸出部分，所述伸出部分在通过以第一部分的末端部分作为旋转中心、朝向下述方向、以大于或等于90度至小于180度的范围中的角度旋转后的方向上延伸，其中所朝向的方向是通过锐角旋转使所述第一部分的延伸方向能够与液晶的取向方向重合的方向，并且还存在经由绝缘膜而与所述第一部分的末端部分重叠的浮置电极，所述浮置电极在与所述第一部分的延伸方向大致相同的方向上延伸至比所述第一部分的末端部分更靠近另一电极的第二部分的位置。
(补充注释2)
如补充注释1所描绘的液晶显示装置，其中：所述像素电极和所述公共电极的所述第一部分成弯曲结构，所述弯曲结构包括相对于所述液晶取向方向倾斜特定角度θ的部分，以及相对于所述液晶取向方向倾斜特定角度-θ的部分；并且所述像素电极和所述公共电极的所述第二部分沿着与所述液晶取向方向基本上正交的方向延伸。
(补充注释3)
如补充注释1或2所描绘的液晶显示装置，其中：所述伸出部分的延伸方向与所述另一电极的所述第二部分基本上平行。
(补充注释4)
如补充注释1至3中任一条所描绘的液晶显示装置，其中：所述浮置电极被形成为与所述第一部分的所述末端部分和所述伸出部分的至少一部分重叠。
(补充注释5)
如补充注释4所描绘的液晶显示装置，其中：所述浮置电极被延伸至比所述伸出部分更靠近所述另一电极的所述第一部分的位置。
工业适用性
本发明可以被用于横向电场模式的有源矩阵液晶显示装置以及使用液晶显示器作为显示装置的任意设备。

Claims (4)

1.一种横向电场模式的液晶显示装置，其能够通过施加在像素电极与公共电极之间的与基板基本上平行的横向电场旋转平行取向的液晶来进行显示，其中：
所述像素电极和所述公共电极被形成在相同的层上，并且每个所述电极具有多个梳齿状第一部分和将每个第一部分的起始末端部分沿着扫描线的延伸方向进行连接的第二部分，
所述像素电极的所述第一部分和所述公共电极的所述第一部分是基本上互相平行地交替延伸的构件；
所述像素电极的所述第一部分具有伸出部分，所述伸出部分在通过以所述第一部分的末端部分作为旋转中心、朝向下述方向、以大于或等于90度至小于180度的范围中的角度旋转后的方向上延伸，其中所朝向的方向是通过锐角旋转使所述第一部分的延伸方向能够与液晶的取向方向重叠的方向，并且设置经由绝缘膜与所述像素电极的所述第一部分的所述末端部分重叠并且沿着与所述像素电极的所述第一部分的延伸方向大致相同的方向延伸的浮置电极，所述浮置电极延伸至比所述像素电极的所述第一部分的所述末端部分更靠近所述公共电极中的所述第二部分的位置，并且所述浮置电极在以下方向上延伸，即，所述浮置电极的弯曲方向与所述像素电极的所述第一部分的延伸方向之间的角度设置在±2θ以内，其中角度θ形成在所述液晶初始取向和所述像素电极的所述第一部分的延伸方向之间。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其中：
所述像素电极和所述公共电极的所述第一部分成弯曲结构，所述弯曲结构通过连接相对于所述液晶取向方向倾斜特定角度θ的部分以及倾斜-θ的部分来形成；并且所述像素电极或所述公共电极的所述第二部分沿着与所述液晶取向方向基本上正交的方向延伸。
3.如权利要求1所述的液晶显示装置，其中：
所述伸出部分的延伸方向与所述另一电极的所述第二部分基本上平行。
4.如权利要求1所述的液晶显示装置，其中：
所述浮置电极被形成为在与所述基板垂直的方向上与所述伸出部分和所述第一部分的所述末端部分的至少一部分重叠。
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