TWI634536B - 顯示面板 - Google Patents
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Abstract
一種顯示面板，包括一陣列基板、一對向基板以及一液晶層。對向基板相對於陣列基板設置。液晶層位於陣列基板及對向基板之間。陣列基板包括一第一電極、一第二電極以及數個第三群組。第一電極包括數個第一群組，每一個第一群組具有數條第一分支。第二電極包括數個第二群組，每一個第二群組具有數條第二分支。至少部分之第三群組係分別位於兩相鄰之第一群組及第二群組之間的區域，且這些第三群組不與第一電極及第二電極電性連接。
Description
本發明是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種厚度薄之顯示面板。
於一般常見的顯示面板中，其上、下基板皆需貼附一片偏光片，以限定特定偏振方向之偏振光通過。
然而，此類型之顯示面板在貼附偏光片時，容易會有偏貼錯位之問題，導致液晶效率下降。再者，由於需要外加兩片偏光片，故無法減少液晶面板之厚度。
本發明係有關於一種顯示面板，係於陣列基板中直接製作用以偏光之結構。
根據本發明之一實施例，提出一種顯示面板。顯示面板包括一陣列基板、一對向基板以及一液晶層。對向基板相對於陣列基板設置。液晶層位於陣列基板及對向基板之間。陣列基板包括一第一電極、一第二電極以及數個第三群組。第一電極包括數個第一群組，
每一個第一群組具有數條第一分支。第二電極包括數個第二群組，每一個第二群組具有數條第二分支。至少部分之第三群組係分別位於兩相鄰之第一群組及第二群組之間的區域，且這些第三群組不與第一電極及第二電極電性連接。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
1、1’、2、2’、3、3’、3”‧‧‧顯示面板
10、10’、20、20’、30、30’、30”‧‧‧陣列基板
100‧‧‧第一基底
101‧‧‧閘絕緣層
102‧‧‧絕緣層
110、210、310‧‧‧第一電極
110G1、210G1、310G1‧‧‧第一群組
1101、2101、3101‧‧‧第一分支
1102、2102、3102‧‧‧第一匯集部
1103、2103、3103‧‧‧第一延伸部
120、220、320‧‧‧第二電極
120G2、220G2、320G2‧‧‧第二群組
1201、2201、3201‧‧‧第二分支
1202、2202、3202‧‧‧第二匯集部
1203、2203、3203‧‧‧第二延伸部
130G3、130G3’、230G3、230G3’、330G3、330G3’、330G3”‧‧‧第三群組
1301、1301’、2301、2301’、3301、3301、3301”‧‧‧第三分支
140‧‧‧主動元件
1401‧‧‧閘極
1402‧‧‧源極
1403‧‧‧半導體層
1404‧‧‧汲極
150‧‧‧資料線
160‧‧‧掃描線
170‧‧‧公共電極線
180、280、380‧‧‧畫素電極
190、290、390‧‧‧公共電極
40‧‧‧對向基板
401‧‧‧偏光片
402‧‧‧第二基底
50‧‧‧液晶層
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
D3‧‧‧第三方向
L1‧‧‧第一層
L2‧‧‧第二層
L3‧‧‧第三層
P1、P2、P3‧‧‧子畫素結構
W‧‧‧線柵偏光結構
第1圖是依照本發明之一實施例之顯示面板的示意圖。
第2圖是依照本發明之一實施例之陣列基板中，多個子畫素結構的上視圖。
第3圖是第2圖之陣列基板中，其中一子畫素結構的上視圖。
第4圖是以第3圖中沿切線4-4’之剖面視角，繪示依照本發明之一實施例之顯示面板的剖視圖。
第5A~5B圖是以第3圖中沿切線5-5’之剖面視角，繪示依照本發明之一實施例之不同變形之顯示面板的剖視圖。
第6圖是依照本發明之另一實施例之陣列基板中，多個子畫素結構的上視圖。
第7圖是第6圖之陣列基板中，其中一子畫素結構的上視圖。
第8圖是以第7圖中沿切線8-8’之剖面視角，繪示依照本發明之另一實施例之顯示面板的剖視圖。
第9A~9B圖是以第7圖中沿切線9-9’之剖面視角，繪示依照本發明之另一實施例之不同變形之顯示面板的剖視圖。
第10圖是依照本發明之再一實施例之陣列基板中，多個子畫素結構的上視圖。
第11圖是第10圖之陣列基板中，其中一子畫素結構的上視圖。
第12圖是以第11圖中沿切線12-12’之剖面視角，繪示依照本發明之再一實施例之顯示面板的剖視圖。
第13A~13C圖是以第11圖中沿切線13-13’之剖面視角，繪示依照本發明之再一實施例之不同變形之顯示面板的剖視圖。
以下係提出各種實施例進行詳細說明，本發明並非顯示出所有可能的實施例，未於本發明提出的其它實施態樣也可以應用。再者，圖式上的尺寸比例並非按照實際產品等比例繪製。因此，說明書和圖示內容僅作敘述實施例之用，而非作為限縮本發明保護範圍之用。此外，實施例中之圖式係省略部分元件，以清楚顯示本發明之技術特點。以下是以相同/類似的符號表示相同/類似的元件或步驟做說明。
請參照第1圖，其為依照本發明之一實施例之顯示面板1的示意圖。顯示面板1可為液晶顯示面板，包括陣列基板10、液晶層50以及對向基板40。液晶層50位於陣列基板10及對向基板40之間，可
受電壓驅動而改變其透光率。對向基板40相對於陣列基板10設置，例如是彩色濾光片基板，使顯示面板1能夠顯示彩色。
對向基板40可包括一第二基底402及一偏光片401，第二基底402位於偏光片401與液晶層50之間，然本發明不限於此，亦可將偏光結構形成第二基底402與液晶層50之間以省略偏光片401的設置。於本實施例中，可於陣列基板10中直接製作用以偏光之結構，因此並不需要再貼上一層偏光片於陣列基板10之外側。以下將對此進行詳細說明。
請參照第2圖，其為依照本發明之一實施例之陣列基板10中，多個子畫素結構P1的上視圖。於此，係繪示出2×2個子畫素結構P1為例，每個子畫素結構P1形成於第一基底100上。
請參照第3圖，其為第2圖之陣列基板10中，其中一子畫素結構P1的上視圖。其中，係於子畫素結構P1中形成一線柵偏光結構W，來達成偏光之效果。
本實施例係於子畫素結構中形成一線柵偏光結構W，來達成偏光之效果。線柵偏光結構W包括多條細長形的圖案，這些細長形的圖案舉例為金屬細線。於本實施例中，線柵偏光結構W中的一些細長形的圖案更可集束而作為陣列基板10中所需的電極結構使用。這些細長形的圖案可由一膜層圖案化而單獨形成，或是可與陣列基板10中之導線由相同或不同之膜層圖案化而形成。
第4圖是以第3圖中沿切線4-4’之剖面視角，繪示依照本發明之一實施例之顯示面板1的剖視圖。請同時參考第3圖及第4圖，
陣列基板10包括第一電極110及第二電極120。第一電極110包括多個第一群組110G1，每個第一群組110G1具有數條第一分支1101，為方便說明，第3圖中僅顯示兩個第一群組110G1及六個第一分支1101，但不以此為限。第二電極120包括多個第二群組120G2，每個第二群組120G2具有數條第二分支1201，為方便說明，第3圖中僅顯示兩個第二群組120G2及六個第二分支1201，但不以此為限。陣列基板10還包括多個第三群組130G3，每個第三群組130G3亦可具有數條第三分支1301，為方便說明，第3圖中僅顯示四個第三群組130G3及十二個第三分支1301，但不以此為限。至少一第三群組130G3係位於兩相鄰之第一群組110G1及第二群組120G2之間的區域，第三群組130G3係不與兩相鄰之第一群組110G1及第二群組120G2重疊，但本發明不以此為限，第三群組130G3可與兩相鄰之第一群組110G1及第二群組120G2中之至少一個重疊。
請參閱第3圖，第一群組110G1、第二群組120G2及第三群組130G3大致可依以下方式沿掃描線160之延伸方向(即第一方向D1)依序排列：第一群組→第三群組→第二群組→第三群組→第一群組→第三群組→第二群組→第三群組→......，依此類推。如第3圖所示，三個第三群組130G3分別位於兩相鄰之第一群組110G1及第二群組120G2之間的區域，但不以此為限。在本實施例中，每個第一群組110G1的第一分支1101的數量可為1至50條，每個第二群組120G2的第一分支1201的數量可為1至50條，而每個第三群組130G3的第三分支1301的數量可為1至50條。
於此，這些第一分支1101、第二分支1201及第三分支1301係構成了上述之線柵偏光結構W。一般來說，線柵偏光結構W具有線距(line pitch)和線寬(line width)，而線距尺寸應遠小於照射光之入射波長，線柵偏光結構W才可達成偏光之效果。舉例來說，每條第一分支1101之寬度(即線寬)可為10至1000奈米，且這些第一分支1101彼此間之間距(即線距)可為10至1000奈米。每條第二分支1201之寬度(即線寬)可為10至1000奈米，且這些第二分支1201彼此間之間距(即線距)可為10至1000奈米。每條第三分支1301之寬度(即線寬)可為10至1000奈米，且這些第三分支1301彼此間之間距(即線距)可為10至1000奈米。舉例來說，第一分支1101之寬度、第二分支1201之寬度及第三分支1301之寬度可相等。舉例來說，第一分支1101彼此間之間距、第二分支1201彼此間之間距及第三分支1301彼此間之間距可相等。
另外，如第3圖之所示，每個第一群組110G1中的所有第一分支1101可於一端集結起來，且各個第一群組110G1之間亦互相連接。詳細地說，第一電極110可更包括第一延伸部1103及數個第一匯集部1102，第一延伸部1103係沿第一方向D1延伸。每個第一匯集部1102均連接於第一延伸部1103，且這些第一匯集部1102之數量可與這些第一群組110G1之數量相等。每個第一群組110G1的所有第一分支1101可連接於一個第一匯集部1102，且第一分支1101均自第一匯集部1102沿第二方向D2延伸，第二方向D2可垂直於第一方向D1。
類似地，每個第二群組120G2中的所有第二分支1201可於一端集結起來，且各個第二群組120G2之間亦互相連接。第二電極120可更包括第二延伸部1203及數個第二匯集部1202，第二延伸部1203係沿第一方向D1延伸。每個第二匯集部1202均連接於第二延伸部1203，且這些第二匯集部1202之數量可與這些第二群組120G2之數量相等。每個第二群組120G2的所有第二分支1201可連接於一個第二匯集部1202，且第二分支1201均自第二匯集部1202沿第三方向D3延伸，第三方向D3係與第二方向D2相反。
於本實施例中，第三群組130G3並不與第一電極110及第二電極120電性連接。舉例而言，第一電極110係與陣列基板10中之一主動元件140電性連接，例如是與汲極1404同層製作而提供作為一畫素電極180使用。第二電極120係與一公共電極線170電性連接，例如是透過穿孔(未標示)連接而提供作為一公共電極190使用。每個第三群組130G3係與第一電極110及第二電極120絕緣。於本實施例中，第三群組130G3可為浮置，亦即，第三群組130G3中的每條第三分支1301並沒有連接任何的電訊號。反而，由於第三群組130G3位於兩相鄰之第一群組110G1及第二群組120G2之間的區域，故於畫素電極180(即第一電極110)和第三群組130G3之間可感應生成與第一基底100大致平行的電場，並進一步於第三群組130G3和公共電極190(即第二電極120)之間產生與第一基底100大致平行的電場，由此驅動液晶層50。藉由在兩相鄰之第一群組110G1及第二群組120G2之間
的區域設置第三群組130G3之設計，可有效地提升液晶面板的液晶效率，提高光線的穿透率。
請參照第3圖及第4圖，於陣列基板10中，係於第一基底100上形成掃描線160(此亦形成主動元件140之閘極1401)、公共電極線170等第一層L1結構後，再覆蓋閘絕緣層101。接著，於閘絕緣層101上形成主動元件140之半導體層1403。而後，再於半導體層1403及閘絕緣層101上形成資料線150(此亦形成主動元件140之源極1402)、主動元件140之汲極1404、第一電極110、第二電極120等第二層L2結構。
於本實施例中，主動元件140之汲極1404可與第一電極110及第二電極120由相同之膜層圖案化而形成，例如是以曝光顯影的方式形成。於一實施例中，亦可先形成主動元件140之汲極1404、第一電極110之第一延伸部1103及數個第一匯集部1102、和第二電極120之第二延伸部1203及數個第二匯集部1202，之後，再將多條第一分支1101與第二分支1201之線柵偏光結構W以轉印的方式形成於閘絕緣層101上。
根據上述設計，第一電極110可提供作為畫素電極180使用，且第二電極120可提供作為公共電極190使用。並且，第一電極110和第二電極120係以線柵偏光結構W所呈現，而具備偏光之效果。因此，可減少液晶面板1之整體厚度。此外，亦可減少製程所需的光罩數量，降低生產之成本。再者，此結構不需要再外加一層偏光片於陣列基板10，因此不會有偏貼錯位之問題產生。
第5A~5B圖是以第3圖中沿切線5-5’之剖面視角，繪示依照本發明之一實施例之不同變形之顯示面板1、1’的剖視圖。於本實施例中，第三群組130G3可與第一電極110和第二電極120位於同一層，例如是同樣位於第二層L2。然，第三群組130G3亦可與第一電極110和第二電極120位於不同層，例如是位於第一層L1。
請參照第5A圖，陣列基板10之第三群組130G3是位於第二層L2。於此實施例中，第三群組130G3可與汲極1404、第一電極110及第二電極120由相同之膜層圖案化而形成。於一實施例中，第三群組130G3亦可依照上述將多條第一分支1101與第二分支1201之線柵偏光結構W之轉印的方式，一起將多條第一分支1101、第二分支1201與第三分支1301轉印形成於閘絕緣層101上。由於第一群組110G1、第二群組120G2和第三群組130G3係同樣位於第二層L2，故可使用IPS(板內切換)型顯示技術，由此驅動液晶層50。而藉由浮置的第三群組130G3，更可有效地提升液晶面板的液晶效率，提高光線的穿透率。
請參照第5B圖，顯示陣列基板10’中之第三群組130G3，是位於第一層L1。於此實施例中，第三群組130G3’係與第一電極110及第二電極120由不同之膜層圖案化而形成。進一步地說，以第5B圖為例，共顯示出三個第三群組130G3’。其中，位於左、右兩側之第三群組130G3’係分別與第一群組110G1及第二群組120G2重疊，但位於中間之第三群組130G3’並不與第一群組110G1及第二群組120G2的任何一者重疊。亦即，中間之第三群組130G3’係位於兩相鄰之第一群
組110G1及第二群組120G2之間的區域，然本發明不以此為限，亦可將第三群組130G3’僅設置位於兩相鄰之第一群組110G1及第二群組120G2之間的區域，而與第一群組110G1重疊及與第二群組120G2重疊的區域實質上不設置任何第三群組130G3’。
此處所述之「重疊」，指的是兩物件於垂直第一基底100之投影方向上有所重疊，包含了部分重疊或完全重疊。在本實施例中，位於左側之第三群組130G3’所具有的三條第三分支1301’係與上方之第一群組110G1所具有的三條第一分支1101完全重疊，位於右側之第三群組130G3’所具有的三條第三分支1301’係與上方之第二群組120G2所具有的三條第二分支1201完全重疊，但本發明不以此為限。
於第5B圖之設計下之顯示面板1，，由於第三群組130G3’係位於第一層L1，第一群組110G1和第二群組120G2係位於第二層L2，故可使用FFS(邊緣場切換)型顯示技術，由此驅動液晶層50。而藉由浮置的第三群組130G3’，更可有效地提升液晶面板的液晶效率，提高光線的穿透率。再者，由於第三群組130G3’係與第一群組110G1和第二群組120G2位於不同層，因此還可進一步提高光線的極化率。
請參照第6圖，其為依照本發明之另一實施例之陣列基板20中，多個子畫素結構P2的上視圖。於此，係繪示出2×2個子畫素結構P2為例，每個子畫素結構P2形成於第一基底100上。
請參照第7圖，其為第6圖之陣列基板20中，其中一子畫素結構P2的上視圖。其中，係於子畫素結構P2中形成一線柵偏光結構
W，來達成偏光之效果。第8圖是以第7圖中沿切線8-8’之剖面視角，繪示依照本發明之另一實施例之顯示面板2的剖視圖。
陣列基板20與第3圖之陣列基板10類似，相同的技術特徵在此不贅述，不同之處在於：陣列基板20之第一電極210和第二電極220係位於第一層L1，而非第二層L2。
在本實施例中，第一電極210係與陣列基板20中之一主動元件140電性連接，例如是與汲極1404透過穿孔(未標示)連接而提供作為一畫素電極280使用。第二電極220係與一公共電極線170電性連接，例如是與公共電極線170同層製作而提供作為一公共電極290使用。第三群組230G3可為浮置，亦即，第三群組230G3中的每條第三分支2301並沒有連接任何的電訊號。反而，由於第三群組230G3位於兩相鄰之第一群組210G1及第二群組220G2之間的區域，故於畫素電極280(即第一電極210)和第三群組230G3之間可感應生成與第一基底100大致平行的電場，並進一步於第三群組230G3和公共電極290(即第二電極220)之間產生與第一基底100大致平行的電場，由此驅動液晶層50。藉由在兩相鄰之第一群組210G1及第二群組220G2之間的區域設置第三群組230G3之設計，可有效地提升液晶面板的液晶效率，提高光線的穿透率。
請參照第7圖及第8圖，於陣列基板20中，係於第一基底100上形成掃描線160(此亦形成主動元件140之閘極1401)、公共電極線170、第一電極210、第二電極220等第一層L1結構後，再覆蓋閘絕緣層101。接著，於閘絕緣層101上形成主動元件140之半導體層
1403。而後，再於閘絕緣層101上形成資料線150(此亦形成主動元件140之源極1402)、主動元件140之汲極1404等第二層L2結構。
於本實施例中，主動元件140之閘極1401可與第一電極210及第二電極220由相同之膜層圖案化而形成，例如是以曝光顯影的方式形成。於一實施例中，亦可先形成主動元件140之閘極1401、第一電極210之第一延伸部2103及數個第一匯集部2102、和第二電極220之第二延伸部2203及數個第二匯集部2202，之後，再將多條第一分支2101與第二分支2201之線柵偏光結構W以轉印的方式形成於第一基底100上。
根據上述設計，第一電極210可提供作為畫素電極280使用，且第二電極220可提供作為公共電極290使用。並且，第一電極210和第二電極220係以線柵偏光結構W所呈現，而具備偏光之效果。因此，可減少液晶面板2之整體厚度。此外，亦可減少製程所需的光罩數量，降低生產之成本。再者，此結構不需要再外加一層偏光片於陣列基板20，因此不會有偏貼錯位之問題產生。
第9A~9B圖是以第7圖中沿切線9-9’之剖面視角，繪示依照本發明之一實施例之不同變形之顯示面板2、2’的剖視圖。於本實施例中，第三群組230G3可與第一電極210和第二電極220位於同一層，例如是同樣位於第一層L1。然，第三群組230G3亦可與第一電極210和第二電極220位於不同層，例如是位於第二層L2。
請參照第9A圖，陣列基板20之第三群組230G3是位於第一層L1。於此實施例中，第三群組230G3可與閘極1401、第一電極
210及第二電極220由相同之膜層圖案化而形成。於一實施例中，第三群組230G3亦可依照上述將多條第一分支2101與第二分支2201之線柵偏光結構W之轉印的方式，一起將多條第一分支2101、第二分支2201與第三分支2301轉印形成於第一基底100上，由於第一群組210G1、第二群組220G2和第三群組230G3係同樣位於第一層L1，故可使用IPS(板內切換)型顯示技術，由此驅動液晶層50。而藉由浮置的第三群組230G3，更可有效地提升液晶面板的液晶效率，提高光線的穿透率。
請參照第9B圖，顯示陣列基板20’中之第三群組230G3’是位於第二層L2。於此實施例中，第三群組230G3’係與第一電極210及第二電極220由不同之膜層圖案化而形成。進一步地說，以第9B圖為例，共顯示出三個第三群組230G3’。其中，位於左、右兩側之第三群組230G3’係分別與第一群組210G1及第二群組220G2重疊，但位於中間之第三群組230G3’並不與第一群組210G1及第二群組220G2的任何一者重疊。亦即，中間之第三群組230G3’係位於兩相鄰之第一群組210G1及第二群組220G2之間的區域，然本發明不以此為限，亦可將第三群組230G3’僅設置位於兩相鄰之第一群組210G1及第二群組220G2之間的區域，而與第一群組210G1重疊及與第二群組220G2重疊的區域實質上不設置任何第三群組230G3’。
此處所述之「重疊」，指的是兩物件於垂直第一基底100之投影方向上有所重疊，包含了部分重疊或完全重疊。在本實施例中，位於左側之第三群組230G3’所具有的三條第三分支2301’係與下方之
第一群組210G1所具有的三條第一分支2101完全重疊，位於右側之第三群組230G3’所具有的三條第三分支2301’係與下方之第二群組220G2所具有的三條第二分支2201完全重疊，但本發明不以此為限。
於第9B圖之設計下之顯示面板2’，由於第三群組230G3’係位於第二層L2，第一群組210G1和第二群組220G2係位於第一層L1，故可使用FFS(邊緣場切換)型顯示技術，由此驅動液晶層50。而藉由浮置的第三群組230G3’，更可有效地提升液晶面板的液晶效率，提高光線的穿透率。再者，由於第三群組230G3’係與第一群組210G1和第二群組220G2位於不同層，因此還可進一步提高光線的極化率。
請參照第10圖，其為依照本發明之再一實施例之陣列基板30中，多個子畫素結構P3的上視圖。於此，係繪示出2×2個子畫素結構P3，每個子畫素結構P3形成於第一基底100上。
請參照第11圖，其為第10圖之陣列基板30中，其中一子畫素結構P3的上視圖。其中，係於子畫素結構P3中形成一線柵偏光結構W，來達成偏光之效果。第12圖是以第11圖中沿切線12-12’之剖面視角，繪示依照本發明之另一實施例之顯示面板3的剖視圖。
陣列基板30與第3圖之陣列基板10類似，相同的技術特徵在此不贅述，不同之處在於：陣列基板30之第一電極210和第二電極220不是位於第一層L1，也不是位於第二層L2，而是位於第三層L3。
在本實施例中，第一電極310係與陣列基板30中之一主動元件140電性連接，例如是與汲極1404透過穿孔(未標示)連接而
提供作為一畫素電極380使用。第二電極320係與一公共電極線170電性連接，例如是透過穿孔(未標示)連接而提供作為一公共電極390使用。第三群組330G3可為浮置，亦即，第三群組330G3中的每條第三分支3301並沒有連接任何的電訊號。反而，由於第三群組330G3位於兩相鄰之第一群組310G1及第二群組320G2之間的區域，故於畫素電極380(即第一電極310)和第三群組330G3之間可感應生成與第一基底100大致平行的電場，並進一步於第三群組330G3和公共電極390(即第二電極320)之間產生與第一基底100大致平行的電場，由此驅動液晶層50。藉由在兩相鄰之第一群組310G1及第二群組320G2之間的區域設置第三群組330G3之設計，可有效地提升液晶面板的液晶效率，提高光線的穿透率。
請參照第11圖及第12圖，於陣列基板30中，係先於第一基底100上形成掃描線160(此亦形成主動元件140之閘極1401)、公共電極線170等第一層L1結構後，再覆蓋上閘絕緣層101。接著，於閘絕緣層101上形成主動元件140之半導體層1403。而後，再於閘絕緣層101上形成資料線150(此亦形成主動元件140之源極1402)、主動元件140之汲極1404等第二層L2結構。接著，於覆蓋絕緣層102之後，於絕緣層102上形成第一電極310、第二電極320等第三層L3結構。
於本實施例中，第一電極310係與第二電極320由相同之膜層圖案化而形成，例如是以曝光顯影的方式形成。於一實施例中，亦可先形成第一電極310之第一延伸部3103及數個第一匯集部3102、和第二電極320之第二延伸部3203及數個第二匯集部3202，之後，再
將多條第一分支3101與第二分支3201之線柵偏光結構W以轉印的方式形成於絕緣層102上。
根據上述設計，第一電極310可提供作為畫素電極380使用，且第二電極320可提供作為公共電極390使用。並且，第一電極310和第二電極320係以線柵偏光結構W所呈現，而具備偏光之效果。因此，可減少液晶面板3之整體厚度。此外，亦可減少製程所需的光罩數量，降低生產之成本。再者，此結構不需要再外加一層偏光片於陣列基板30，因此不會有偏貼錯位之問題產生。
第13A~13C圖是以第11圖中沿切線13-13’之剖面視角，繪示依照本發明之一實施例之不同變形之顯示面板3、3’、3”的剖視圖。於本實施例中，第三群組330G3可與第一電極310和第二電極320位於同一層，例如是同樣位於第三層L3。然，第三群組330G3亦可與第一電極310和第二電極320位於不同層，例如是位於第二層L2或是第一層L1。
請參照第13A圖，顯示陣列基板30之第三群組330G3是位於第三層L3。於此實施例中，第三群組330G3可與第一電極310及第二電極320由相同之膜層圖案化而形成。於一實施例中，第三群組330G3亦可依照上述將多條第一分支3101與第二分支3201之線柵偏光結構W之轉印的方式，一起將多條第一分支3101、第二分支3201與第三分支3301轉印形成於絕緣層102上。
於第13A圖之設計下之顯示面板3，由於第一群組310G1、第二群組320G2和第三群組330G3係同樣位於第三層L3，故
可使用IPS(板內切換)型顯示技術，由此驅動液晶層50。而藉由浮置的第三群組330G3，更可有效地提升液晶面板的液晶效率，提高光線的穿透率。
請參照第13B圖及第13C圖，第13B圖顯示陣列基板30’中之第三群組330G3’是位於第二層L2，第13C圖顯示陣列基板30”中之第三群組330G3”是位於第一層L1。於此兩個實施例中，第三群組330G3’係與第一電極310及第二電極320由不同之膜層圖案化而形成。進一步地說，以第13B圖為例，共顯示出三個第三群組330G3’。其中，位於左、右兩側之第三群組330G3’係分別與第一群組310G1及第二群組320G2重疊，但位於中間之第三群組330G3’並不與第一群組310G1及第二群組320G2的任何一者重疊。亦即，中間之第三群組330G3’係位於兩相鄰之第一群組310G1及第二群組320G2之間的區域。此外，以第13C圖為例，共顯示出三個第三群組330G3”。其中，位於左、右兩側之第三群組330G3”係分別與第一群組310G1及第二群組320G2重疊，但位於中間之第三群組330G3”並不與第一群組310G1及第二群組320G2的任何一者重疊。亦即，中間之第三群組330G3”係位於兩相鄰之第一群組310G1及第二群組320G2之間的區域，然本發明不以上述為限，亦可將第三群組330G3’或330G3”僅設置位於兩相鄰之第一群組310G1及第二群組320G2之間的區域，而與第一群組310G1重疊及與第二群組320G2重疊的區域實質上不設置任何第三群組330G3’或330G3”。
以第13B圖為例，位於左側之第三群組330G3’所具有的三條第三分支3301’係與上方之第一群組310G1所具有的三條第一分支3101完全重疊。位於右側之第三群組330G3’所具有的三條第三分支3301’係與上方之第二群組320G2所具有的三條第二分支3201完全重疊。此外，以第13C圖為例，位於左側之第三群組330G3”所具有的三條第三分支3301”係與上方之第一群組310G1所具有的三條第一分支3101完全重疊。位於右側之第三群組330G3”所具有的三條第三分支3301”係與上方之第二群組320G2所具有的三條第二分支3201完全重疊。
於第13B圖及第13C圖之設計下之顯示面板3’、3”，由於第三群組330G3’、330G3”係分別位於第二層L2和第一層L1，第一群組310G1和第二群組320G2係位於第三層L3，故可使用FFS(邊緣場切換)型顯示技術，由此驅動液晶層50。而藉由浮置的第三群組330G3’、330G3”，更可有效地提升液晶面板的液晶效率，提高光線的穿透率。再者，由於第三群組230G3’、330G3”係與第一群組310G1和第二群組320G2位於不同層，因此還可進一步提高光線的極化率。
上述提供之顯示面板，係於陣列基板中直接製作用以偏光之結構，如線柵偏光結構，因此並不需要再貼上一層偏光片於陣列基板，不但減少液晶面板之整體厚度，也不會有偏貼錯位之問題產生。此外，製程所需的光罩數量亦可減少，降低生產之成本。
另一方面，在兩相鄰之第一群組及第二群組之間的區域設置第三群組，且第三群組不與第一電極和第二電極電性連接，在此設計下，更可有效地提升液晶面板的液晶效率，提高光線的穿透率。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
Claims (14)
- 一種顯示面板，包括：一陣列基板，包括：一第一電極，包括複數個第一群組，該些第一群組中之每一個具有複數條第一分支；一第二電極，包括複數個第二群組，該些第二群組中之每一個具有複數條第二分支；以及複數個第三群組，至少部分之該些第三群組係分別位於兩相鄰之第一群組及第二群組之間的區域，且該些第三群組不與該第一電極及該第二電極電性連接，其中該些第一群組、該些第二群組以及該些第三群組構成一線柵偏光結構；一對向基板，相對於該陣列基板設置；以及一液晶層，位於該陣列基板及該對向基板之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該陣列基板更包括：一主動元件，與該第一電極電性連接，其中該主動元件之一汲極係與該第一電極及該第二電極由相同之膜層圖案化而形成。
- 如申請專利範圍第2項所述之顯示面板，其中該些第三群組係與該汲極、該第一電極及該第二電極由相同之膜層圖案化而形成。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該陣列基板更包括：一主動元件，與該第一電極電性連接，其中該主動元件之一閘極係與該第一電極及該第二電極由相同之膜層圖案化而形成。
- 如申請專利範圍第4項所述之顯示面板，其中該些第三群組係與該閘極、該第一電極及該第二電極由相同之膜層圖案化而形成。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該陣列基板更包括：一主動元件；以及一畫素電極，位於該主動元件上並與該主動元件之一汲極電性連接，其中該第一電極係提供作為該畫素電極，且該第一電極係與該第二電極由相同之膜層圖案化而形成。
- 如申請專利範圍第6項所述之顯示面板，其中該些第三群組係與該第一電極及該第二電極由相同之膜層圖案化而形成。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該些第三群組係與該第一電極及該第二電極由不同之膜層圖案化而形成。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該些第三群組為浮置。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中各該第一分支之寬度係為10至1000奈米，該些第一分支彼此間之間距係為10至1000奈米，且各該第一群組中之該些第一分支的數量係為1至50條。
- 如申請專利範圍第10項所述之顯示面板，其中各該第二分支之寬度係為10至1000奈米，該些第二分支彼此間之間距係為10至1000奈米，且各該第二群組中之該些第二分支的數量係為1至50條，其中各該第一分支之寬度與各該第二分支之寬度係為相等。
- 如申請專利範圍第11項所述之顯示面板，其中該些第三群組中之每一個具有複數條第三分支，各該第三分支之寬度係為10至1000奈米，該些第三分支彼此間之間距係為10至1000奈米，且各該第三群組中之該些第三分支的數量係為1至50條，其中該些第一分支彼此間之間距、該些第二分支彼此間之間距以及該些第三分支彼此間之間距係為相等。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該陣列基板更包括：一主動元件，與該第一電極電性連接；以及一資料線以及一掃描線，分別電性連接於該主動元件，其中該些第一群組、該些第二群組及該些第三群組沿該掃描線之沿伸方向之排列順序為第一群組、第三群組、第二群組、第三群組、第一群組、第三群組、第二群組、第三群組。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中：該第一電極更包括一第一延伸部及複數個第一匯集部，各該第一匯集部係連接於該第一延伸部，該些第一匯集部之數量等於該些第一群組之數量，且各該第一群組中之該些第一分支係連接於對應之該第一匯集部，其中該第一延伸部係沿一第一方向延伸，該些第一分支係沿一第二方向延伸；及該第二電極更包括一第二延伸部及複數個第二匯集部，各該第二匯集部係連接於該第二延伸部，該些第二匯集部之數量等於該些第二群組之數量，且各該第二群組中之該些第二分支係連接於對應之該第二匯集部，其中該第二延伸部係沿該第一方向延伸，該些第二分支係沿一第三方向延伸，該第二方向係與該第三方向相反。
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