WO2017094746A1

WO2017094746A1 - 液晶表示装置

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Publication number: WO2017094746A1
Application number: PCT/JP2016/085475
Authority: WO
Inventors: 貴子小出; 箕浦　潔; 中村　浩三; 坂井　彰; 雅浩長谷川
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2015-12-02
Filing date: 2016-11-30
Publication date: 2017-06-08
Also published as: US20180348553A1

Abstract

本発明は、表示品位がよく、生産性に優れた半透過型の液晶表示装置を提供する。本発明の液晶表示装置は、透過領域及び反射領域が設けられた液晶表示装置であって、バックライトユニットと、バックライトユニット側から順に、第一基板と、第一配向膜と、誘電率異方性が正である液晶分子を含む液晶層と、第二配向膜と、第二基板とを有する液晶表示パネルとを備え、第一基板は、透過領域と反射領域に設けられた第一電極と、透過領域に設けられた第二電極とを有し、第一基板又は第二基板は、反射領域に第三電極を有し、第一電極は、透過領域に少なくとも一つの第一線状電極部を有し、液晶層への電圧無印加時に、透過領域での液晶分子の捩れ角θ１、反射領域での液晶分子の捩れ角θ２は、所定の角度であり、反射領域の第一配向膜及び第二配向膜に隣接する液晶分子のいずれか一方の配向方位は、透過領域の第一配向膜に隣接する液晶分子と平行である。

Description

液晶表示装置

本発明は、液晶表示装置に関する。より詳しくは、半透過型の液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、液晶層への光の透過方法により、反射型と透過型に大別される。反射型の液晶表示装置は、装置内部に反射板を有し、外部からの入射光を反射板で反射し、反射光が液晶層を透過することで表示を行う。透過型の液晶表示装置は、バックライトユニットを備え、バックライトユニットから出射された光が液晶層を透過することで表示を行う。反射型の液晶表示装置は、バックライトユニットを必要としないため、低消費電力化、薄型化、軽量化が達成できる。一方で、透過型の液晶表示装置は、装置内に光源を有するため、暗い環境下でも視認性がよい。

近年、室内での視認性だけでなく、外光視認性も考慮し、反射型と透過型の両方の利点を併せもつ液晶表示装置として、半透過型の液晶表示装置が提案されている。なかでも、視野角特性に優れることから、イン・プレーン・スイッチング（ＩＰＳ：Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、フリンジ・フィールド・スイッチング（ＦＦＳ：Ｆｒｉｎｇｅ　Ｆｉｅｌｄ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード等の水平配向モードが検討されている（例えば、特許文献１等）。

しかしながら、水平配向モードの場合、特許文献１に記載されているように、例えば、透過領域がノーマリブラックである場合、反射領域がノーマリホワイトとなり、透過領域と反射領域とで明暗が逆転する明暗反転が起こるという問題点があった。この問題に対して、透過領域と反射領域とで、異なる電極を設け、ライン反転駆動により明暗表示を行う方法が検討されている（例えば、非特許文献２等）。別の方法として、反射領域に位相差板（インセルリターダー）を配置することで、透過領域をλ／２条件とし、反射領域をλ／４条件とすることが検討されている（例えば、非特許文献１、非特許文献３等）。また、透過領域をフリンジ電界で駆動し、反射領域をフリンジ電界又は垂直電界で駆動することで、インセルリターダーを設けず、液晶層の厚みが単一である半透過型の液晶表示装置を得ることが検討されている（例えば、非特許文献４等）。

特開２００３－３４４８３７号公報

Ｈｉｒｏｔａｋａ　Ｉｍａｙａｍａ、"Ｎｏｖｅｌ　Ｐｉｘｅｌ　Ｄｅｓｉｇｎ　ｆｏｒ　ａ　Ｔｒａｎｓｆｌｅｃｔｉｖｅ　ＩＰＳ－ＬＣＤ　ｗｉｔｈ　ａｎ　Ｉｎ－Ｃｅｌｌ　Ｒｅｔｅｒｄｅｒ"、Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｆｏｒ　ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ　ＤＩＧＥＳＴ（米国）、２００７、５７．１Ｔａｋｅｈｉｒｏ　Ｏｃｈｉａｉ、"Ｌｏｗ　Ｃｏｓｔ　Ｒｅｔｅｒｄｅｒ－ｌｅｓｓ　ＩＰＳ－ＬＣＤ　"、Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｆｏｒ　ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ　ＤＩＧＥＳＴ（米国）、２００７、３４．５ＬＳｈｏｉｃｈｉ　Ｈｉｒｏｔａ、"Ｔｒａｎｓｆｌｅｃｔｉｖｅ　ＬＣＤ　Ｃｏｍｂｉｎｉｎｇ　Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅ　ＩＰＳ　ａｎｄ　Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ　　Ｉｎ－Ｃｅｌｌ　Ｒｅｔｅｒｄｅｒ　ＥＣＢ"、Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｆｏｒ　ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ　ＤＩＧＥＳＴ（米国）、２００７、５７．４ＬＪｕｎｇ　Ｈｗａ　Ｈｅｒ、"Ｔｒａｎｓｆｌｅｃｔｉｖｅ　Ｆｒｉｎｇｅ－Ｆｉｅｌｄ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ　ｗｉｔｈｏｕｔ　Ａｎｙ　Ｒｅｔｅｒｄｅｒ"、Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｆｏｒ　ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ　ＤＩＧＥＳＴ（米国）、２０１０、Ｐ－１３９

上記非特許文献１では、透過領域、反射領域ともにＩＰＳモード用の電極配置とし、透過領域の液晶リタデーション値をλ／２、反射領域に位相差板（インセルリターダー）を設けて、λ／４条件とし、反射領域全体で広帯域円偏光板として機能させることが開示されている。

上記非特許文献２には、ＩＰＳモードの半透過型の液晶表示装置に対して、反射領域と透過領域とに異なる電極を設け、印加する電圧の高さを変えてライン反転駆動により表示を行うことが開示されている。黒表示時は、透過領域に低電圧を、反射領域に高電圧を印加し、白表示時は、透過領域に高電圧を、反射領域に低電圧を印加することで、表示を行うことが開示されている。

上記非特許文献３には、透過領域の液晶リタデーション値をλ／２とし、ＩＰＳモードの水平配向により、黒表示及び白表示を行うことが開示されている。また、反射領域の液晶リタデーション値をλ／４とし、黒表示は、ＩＰＳモードの水平配向により行い、白表示は、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モードにより表示を行うことが開示されている。ＥＣＢモードは、液晶の複屈折性を利用したもので、液晶分子への印加電圧によってリタデーションを変化させ、位相差板との組合せにより光の透過不透過をコントロールする表示モードである。

上記非特許文献４には、透過領域の液晶分子の初期配向方位と上基板の偏光板の偏光軸とを平行とし、反射領域の液晶分子の初期配向方位と上基板の偏光板の偏光軸とのなす角を４５°とし、高いプレチルト角を与えて液晶リタデーション値をλ／４とすることで、インセルリターダーを設けずに表示を行うことが開示されている。

しかしながら、上記非特許文献１及び３では、反射領域の液晶層の厚さは、リタデーションがλ／４と薄くなるため、上下基板間でリーク電流が発生することがあった。また、上記非特許文献１のＩＰＳモード等の水平配向モードでは、配向膜と液晶分子とのアンカリングが強すぎて液晶分子が動きにくく、液晶分子の応答性が不充分であった。上記非特許文献２では、ライン反転駆動を行っており、透過領域と反射領域とで、異なる電極を配置するため、生産性を改善する余地があった。上記非特許文献４では、液晶層のリタデーションλ／４を実現するために、活性高分子（リアクティブメソゲン）にＵＶ照射を行い、プレチルト角を５０°程度と高くする必要があり、実現・量産が困難であった。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、表示品位がよく、生産性に優れた半透過型の液晶表示装置を提供することを目的とするものである。

本発明者らは、水平配向モードの半透過型の液晶表示装置について、透過領域と反射領域とで明暗反転させずに表示を行う方法を検討した。そして、電圧無印加時に、反射領域の上下基板に対する液晶分子の配向をツイスト配向とすることで、インセルリターダーを設けずとも、透過領域と反射領域とで明暗反転せずに白黒表示を行うことができることを見出した。更に、反射領域での上基板の液晶分子の配向方位と下基板の液晶分子の配向方位との成す角を３０°以上、８０°以下とすることで、反射領域の液晶層の厚みを透過領域の液晶層の厚みの半分以上にできることから、反射領域での液晶分子の応答性を改善し、上下基板間でのリーク電流の発生を抑制できることを見出した。これにより、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達することができた。

すなわち、本発明の一態様は、透過領域及び反射領域が設けられた液晶表示装置であって、バックライトユニットと、バックライトユニット側から順に、第一基板と、第一配向膜と、誘電率異方性が正である液晶分子を含む液晶層と、第二配向膜と、第二基板とを有する液晶表示パネルとを備え、上記第一基板は、上記透過領域と上記反射領域に設けられた第一電極と、上記透過領域に設けられた第二電極とを有し、上記第一基板又は上記第二基板は、上記反射領域に第三電極を有し、上記第一電極は、上記透過領域に少なくとも一つの第一線状電極部を有し、上記液晶層への電圧無印加時に、上記透過領域での液晶分子の捩れ角θ１は、０°以上、３０°未満であり、かつ、上記反射領域での液晶分子の捩れ角θ２は、３０°以上、８０°以下であり、上記反射領域の上記第一配向膜に隣接する液晶分子及び上記反射領域の上記第二配向膜に隣接する液晶分子のいずれか一方の配向方位は、上記透過領域の上記第一配向膜に隣接する液晶分子と平行である液晶表示装置であってもよい。なお、「電圧無印加時」とは、液晶層に印加する電圧が０Ｖの場合の他に、液晶分子の閾値未満の電圧を印加する場合も含む。本明細書中、「平行である」とは、二つの方位のなす角が０°であってもよく、０°から時計回り又は反時計回りに０°～３０°の角度をなしてもよい。

本発明の液晶表示装置は、水平配向モードの半透過型の液晶表示装置であるので、視野角特性に優れ、消費電力が低く、屋内外での視認性に優れる。また、反射領域の上下基板に対する液晶分子の配向方位をツイスト配向とすることで、反射領域にインセルリターダーを設けずとも白黒表示を行うことができるので生産性が高い。更に、反射領域の液晶層の厚みを透過領域の液晶層の厚みの半分以上にできるため、反射領域での液晶分子の応答性を改善し、上下基板間でのリーク電流の発生を抑制できる。

実施形態１に係る液晶表示装置の一例を示した断面模式図であり、電圧無印加時を表す。図１に示した液晶表示装置の電圧印加時における断面模式図である。図１に示した液晶表示装置の電圧無印加時における平面模式図である。図１に示した液晶表示装置の電圧印加時における平面模式図である。第一電極の形状の例を示した平面模式図である。第一線状電極部の幅と第一線状電極部間の距離を変えた場合の印加電圧に対する透過領域の透過率を示したグラフである。５Ｖでの電圧－透過率曲線の傾きを示したグラフである。第一線状電極部の幅（Ｌ）に対する透過率（％）の変化を示したグラフである。第一基板の構成の一例を示した断面模式図である。第一基板の構成の他の一例を示した断面模式図である。図１に示した液晶表示装置の電圧無印加時における斜視図である。図１に示した液晶表示装置の電圧印加時における斜視図である。反射領域における、液晶リタデーション値とツイスト角との関係を示したシミュレーション図である。構成１及び構成２の反射領域の反射率を比較したグラフである。構成１の場合に液晶分子の配向方位による反射率の変化を比較したグラフである。反射領域の液晶分子のツイスト角を説明した模式図である。印加電圧と反射率の誘電率異方性（Δε）に対する依存性を示したグラフである。液晶分子の誘電率異方性（Δε）と粘度との関係を示したグラフである。白想定電圧が３Ｖである場合及び５Ｖである場合のそれぞれについて、反射率及び予想反射率を示したグラフである。画素間遮光層の配置の一例を示した平面模式図である。液晶リタデーション値と反射率との波長依存性を示したグラフである。カラーフィルタの製造工程の一例を説明した模式図である。カラーフィルタの製造工程の一例を説明した模式図である。実施形態２に係る液晶表示装置の一例を示した断面模式図であり、電圧無印加時を表す。図２３に示した液晶表示装置の電圧印加時における断面模式図である。図２３に示した液晶表示装置の電圧無印加時における平面模式図である。図２３に示した液晶表示装置の電圧印加時における平面模式図である。図２３に示した液晶表示装置の電圧無印加時における斜視図である。図２３に示した液晶表示装置の電圧印加時における斜視図である。実施形態２の変形例１に係る液晶表示装置の一例を示した断面模式図であり、電圧無印加時を表す。実施形態３に係る液晶表示装置の一例を示した断面模式図であり、電圧無印加時を表す。図３０に示した液晶表示装置の電圧印加時における断面模式図である。図３０に示した液晶表示装置の電圧無印加時における平面模式図である。図３０に示した液晶表示装置の電圧印加時における平面模式図である。反射領域がＩＰＳモードである場合の実施形態１及び２に係る液晶表示装置の平面模式図である。透過領域がＩＰＳモードである場合の実施形態１及び２に係る液晶表示装置の平面模式図である。反射領域及び透過領域がＩＰＳモードである場合の実施形態１及び２に係る液晶表示装置の平面模式図である。透過領域がＩＰＳモードである場合の実施形態３に係る液晶表示装置の平面模式図である。

以下、本発明の実施形態について説明する。本発明は、以下の実施形態に記載された内容に限定されるものではなく、本発明の構成を充足する範囲内で、適宜設計変更を行うことが可能である。

（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る液晶表示装置の一例を示した断面模式図であり、電圧無印加時を表す。図２～図４は、それぞれ、図１に示した液晶表示装置の電圧印加時における断面模式図、電圧無印加時における平面模式図、電圧印加時における平面模式図である。図１は、図３のａ－ｂ線での断面図であり、図２は、図４のｃ－ｄ線での断面図である。図１及び図２中、白抜き矢印は光の経路を示す。図３中、第一配向膜２０に隣接する液晶分子を点線で示し、第二配向膜４０に隣接する液晶分子を実線で示した。図４中、点線の両矢印は、電界の向きを表す。図１及び図２に示したように、実施形態１の液晶表示装置１０００は、バックライトユニット２００と、バックライトユニット２００側から順に、第一基板１０と、第一配向膜２０と、誘電率異方性が正である液晶分子を含む液晶層３０と、第二配向膜４０と、第二基板５０とを有する液晶表示パネル１００とを備える。液晶表示パネル１００は、水平配向モードの半透過型の液晶表示パネルであるので、消費電力が低く、屋内外での視認性に優れる。

上記液晶表示パネル１００は、透過領域Ｔと反射領域Ｒとを有する。透過領域Ｔは、主に室内等の暗い環境下での表示に寄与し、バックライトユニット２００から出射された光が液晶層３０を透過することで表示を行う。反射領域Ｒは、主に屋外等の明るい環境下での表示に寄与し、外部からの入射光を反射し、反射光が液晶層３０を透過することで表示を行う。

第一基板１０は、透過領域Ｔと反射領域Ｒに設けられた第一電極１２と、透過領域Ｔに設けられた第二電極１３とを有する。透過領域Ｔと反射領域Ｒとで、一つの第一電極１２を共有することで生産性が向上する。第一電極１２は、画素電極であってもよいし、共通電極であってもよい。

第一基板１０は、アクティブマトリクス基板（ＴＦＴ基板）であってもよい。ＴＦＴ基板としては、液晶表示装置の分野において通常使用されるものを用いることができる。ＴＦＴ基板を平面視したときの構成としては、図３及び図４に示したように、透明基板上に、複数本の平行なゲート信号線６１；ゲート信号線６１に対して直交する方向に伸び、かつ互いに平行に形成された複数本のソース信号線６２；ゲート信号線６１とソース信号線６２との交点に対応して配置されたＴＦＴ６３等のアクティブ素子；ゲート信号線６１とソース信号線６２とによって区画された領域（画素）がマトリクス状に配置された構成が挙げられる。ＴＦＴ６３がオンのとき、ＴＦＴ６３に接続されたドレイン配線６４は、第一電極１２と電気的に接続される。上記液晶表示パネル１００は、一つの画素内に、透過領域Ｔ及び反射領域Ｒを有することが好ましい。

図３及び図４に示したように、第一電極１２は、透過領域Ｔに少なくとも一つの第一線状電極部１２ａを有する。実施形態１では、第一電極１２は、反射領域Ｒに、少なくとも一つの第二線状電極部１２ｂを有する。図５は、第一電極１２の形状の例を示した平面模式図である。図５の（ａ）は、実施形態１における基本的な電極構造を示した平面模式図である。図５の（ａ）に示したように、第一線状電極部１２ａの延伸方向と第二線状電極部１２ｂの延伸方向とは、直交してもよい。液晶層３０に電圧を印加すると、第一線状電極部１２ａ同士が連結される部分及び第二線状電極部１２ｂ同士が連結される部分（点線で囲んだ部分）では、液晶分子の配向が乱れ、一画素の透過率が低下する。そのため、図５の（ｂ）では、第二線状電極部１２ｂを更に延伸し、第二線状電極部１２ｂ同士が連結される部分が、後述するブラックマトリクスと重なるように形成している。こうすることで、一画素の透過率をより高くすることができる。図５の（ｃ）では、第二線状電極部１２ｂ同士が連結される部分の幅を狭くしている。こうすることで、液晶分子の配向の乱れを抑制することができる。

反射領域Ｒでは、電圧印加時に液晶分子を偏光軸と平行な方位又は直交する方位に配向させ、外部からの入射光（直線偏光）を反射部材１５の表面で直線偏光状態のまま反射することで白表示を行うことができる。第一線状電極部１２ａの延伸方向と第二線状電極部１２ｂの延伸方向とが直交することで、反射領域Ｒに発生する電界の向きを透過領域Ｔに発生する電界の向きと直交させ、電圧印加時に反射領域Ｒの液晶分子を、第一偏光板６０又は第二偏光板７０の偏光軸と平行な方位又は直交する方位に平行配向させることができる。なお、電圧印加時に、液晶分子の配向方位と偏光板の偏光軸とのなす角は、０°であってもよく、０°から時計回り又は反時計回りに０°～３０°の角度をなしてもよい。また、本明細書中、直交するとは、二つの方位のなす角が９０°であってもよく、９０°から時計回り又は反時計回りに０°～３０°の角度をなしてもよい。

第一線状電極部１２ａの幅（Ｌ）は、１．５μｍ以下、３．８μｍ以上であってもよい。また、第一線状電極部１２ａの幅（Ｌ）と隣り合う第一線状電極部１２ａ間の距離（Ｓ）との比（Ｌ／Ｓ比）は、０．１～０．４であるか、又は、１．７～４であってもよい。上記Ｌ／Ｓ比とは、第一線状電極部１２ａの幅（Ｌ）を隣り合う第一線状電極部１２ａ間の距離（Ｓ）で割った値である。

本発明者らは、透過領域Ｔの白表示時の透過率を向上させるために、第一線状電極部１２ａの幅（Ｌ）と隣り合う第一線状電極部１２ａ間の距離（Ｓ）との比を検討した。まず、第一線状電極部１２ａの幅（Ｌ）＋隣り合う第一線状電極部１２ａ間の距離（Ｓ）＝６μｍとし、ＬとＳの値を変えて、シミュレーションを行った。図６は、第一線状電極部１２ａの幅と第一線状電極部１２ａ間の距離を変えた場合の印加電圧に対する透過領域の透過率を示したグラフである。横軸は、液晶層への印加電圧（Ｖ）、縦軸は、透過領域Ｔの透過率（％）である。誘電率異方性（Δε）が７、屈折率異方性（Δｎ）が１．０２の液晶分子を用い、液晶層の厚さ（ｄ）を３４０ｎｍとしてシミュレーションを行った。白表示を行う場合の想定電圧（以下、白想定電圧ともいう）を５Ｖとし、５Ｖまで単調増加する条件を検討した。

次に、図６の結果から、白想定電圧を５Ｖとした場合に着目し、電圧－透過率曲線の傾きを図７にプロットした。図７は、５Ｖでの電圧－透過率曲線の傾きを示したグラフである。横軸は、第一線状電極部１２ａの幅（Ｌ）であり、縦軸は、図６の電圧－透過率曲線の傾きである。図７から、第一線状電極部１２ａの幅（Ｌ）が１．５μｍ以下、又は、３．８μｍ以上のとき、電圧－透過率曲線の傾きは単調増加していることが分かった。電圧－透過率曲線の傾きが単調増加しない範囲では、電圧をかけるほど透過率が低下し、明暗反転が起こり、表示品位が低下することがある。

更に、透過率２５％以上を得るための条件を検討した。図８は、第一線状電極部１２ａの幅（Ｌ）に対する透過率（％）の変化を示したグラフである。図８から、白想定電圧を５Ｖとすると、２５％以上の透過率を得るためには、第一線状電極部１２ａの幅（Ｌ）が０．６μｍ～４．８μｍである。図７及び図８の結果から、印加電圧５Ｖまで電圧－透過率曲線の傾きが単調増加し、かつ、透過率２５％以上を満たすためには、Ｌが０．６μｍ～１．５μｍであり、かつ、Ｓが４．５μｍ～５．４μｍであるか、又は、Ｌが３．８μｍ～４．８μｍであり、かつ、Ｓが１．２μｍ～２．２μｍであることが好ましい。また、図８から、透過率２５％以上を得るためには、Ｌ＋Ｓ＝６μｍとした場合に、白想定電圧が４ＶならばＬが０．９μｍ～４．４μｍであり、かつ、Ｓが１．６μｍ～５．１μｍであることが好ましい。白想定電圧が３．５Ｖならば、Ｌが１．３μｍ～４．１μｍであり、かつ、Ｓが１．９μｍ～４．７μｍであることが好ましい。白想定電圧が３Ｖならば、Ｌが２μｍ～３．４μｍであり、かつ、Ｓが２．６μｍ～４μｍであることが好ましい。言い換えると、第一線状電極部の幅（Ｌ）と隣り合う第一線状電極部間の距離（Ｓ）との比（Ｌ／Ｓ比）は、０．１～０．４であるか、又は、１．７～４であることが好ましい。

第二線状電極部１２ｂの幅（Ｌ）は、特に限定されず、第一線状電極部１２ａと同じであっても、異なってもよい。また、反射領域Ｒでは、第二線状電極部１２ｂの幅（Ｌ）と第二線状電極部１２ｂの幅（Ｌ）と隣り合う第二線状電極部１２ｂ間の距離（Ｓ）との組み合わせによらず、白想定電圧が５Ｖまで電圧－透過率曲線の傾きが単調増加するため、Ｌ／Ｓ比は、特に制限されない。

実施形態１では、第一基板１０は、反射領域Ｒに第三電極１４を有する。実施形態１では、第二電極１３と第三電極１４とはつながっており、一つの電極を形成している。第二電極１３及び第三電極１４は、画素電極であってもよいし、共通電極であってもよい。第二電極１３及び第三電極１４が共通電極である場合、第一電極１２は画素電極であり、第二電極１３及び第三電極１４が画素電極である場合、第一電極１２は共通電極である。実施形態１では、透過領域Ｔ、反射領域Ｒ共に、水平配向モードにより表示を行うことができる。

第二電極１３及び第三電極１４は、図１及び図２に示したように、透明基板１１上に形成されてもよい。透過領域Ｔで第一電極１２と第二電極１３とは絶縁層１６を介して積層され、第二電極１３は、面状電極であってもよい。すなわち、透過領域Ｔの電極配置は、ＦＦＳモードの電極配置であってもよい。また、透過領域Ｔで第一電極１２と第二電極１３とは、同一絶縁層上に形成され、第二電極１３は、少なくとも一つの第四線状電極部１３ａを有し、第一線状電極部１２ａと、第四線状電極部１３ａとが対向するように配置されてもよい。すなわち、透過領域Ｔの電極配置は、ＩＰＳモードの電極配置であってもよい。

同様に、反射領域Ｒで第一電極１２と第三電極１４とは絶縁層１６を介して積層され、第三電極１４は、面状電極であってもよい。すなわち、反射領域Ｒの電極配置は、ＦＦＳモードの電極配置であってもよい。また、反射領域Ｒで第一電極１２と第三電極１４とは、同一絶縁層上に形成され、第三電極１４は、少なくとも一つの第三線状電極部１４ａを有し、第二線状電極部１２ｂと、第三線状電極部１４ａとが対向するように配置されてもよい。すなわち、反射領域Ｒの電極配置は、ＩＰＳモードの電極配置であってもよい。

透過領域Ｔ及び反射領域Ｒの少なくとも一方をＦＦＳモード、ＩＰＳモード等の水平配向モードとすることで、液晶表示装置の視野角特性を良好なものとすることができる。

透過領域ＴがＦＦＳモードである場合、第一線状電極部１２ａの幅（Ｌ）は、１．５μｍ以下、３．８μｍ以上であってもよい。また、第一線状電極部１２ａの幅（Ｌ）と隣り合う第一線状電極部１２ａ間の距離（Ｓ）との比は、０．１～０．４であるか、又は、１．７～４であってもよい。

第一電極１２、第二電極１３及び第三電極１４は、透明電極であってもよく、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）等の透明導電材料、又は、それらの合金で形成することができる。

第一基板１０は、反射領域Ｒに反射部材１５を有してもよい。反射部材１５により、液晶層３０を通過して外部から入射された光を、再び液晶層３０を通って外部に出射し、白表示を行うことができる。反射部材１５は、反射領域Ｒに外部から入射した光を反射できるものであればよい。反射部材１５は、例えば、表面に反射構造を有する反射板であってもよく、銀、アルミニウム等の金属の薄膜であってもよい。反射部材１５は、図１及び図２に示したように、第三電極１４のバックライトユニット２００側に配置されてもよい。この場合、透明基板１１上の反射領域Ｒに絶縁層１７を形成し、絶縁層１７上に反射部材１５を配置し、反射部材１５上に第三電極１４を積層してもよい。また、透明基板１１上の反射領域Ｒに反射部材１５を配置し、反射部材１５上に絶縁層１７を形成し、絶縁層１７上に第三電極１４を積層してもよい。

絶縁層１７の厚さを調整することで、透過領域Ｔと反射領域Ｒとで、液晶層３０の厚さを調整することができる。絶縁層１７は、例えば、有機材料を含むもので形成することができる。上記有機材料としては、例えば、アクリル、ポリイミド、ポリカーボネート等が挙げられる。絶縁層１７の反射部材１５側の表面は、凹凸形状を有してもよい。これにより、反射部材１５の液晶層３０側の表面も凹凸となるため、外部からの入射光を効率よく反射することができる。

図９及び図１０は、第一基板１０の構成の一例を示した断面模式図である。図９に示したように、反射部材１５は、第一電極１２と第三電極１４の間に配置されてもよい。この場合、反射部材１５が電気的にフロート状態であれば、第一電極１２と第三電極１４との間に形成される電界に影響を及ぼさない。そこで、反射部材１５は、絶縁層１６に囲まれるように形成されることが好ましい。また、反射部材１５は、第三電極１４上に形成された銀、アルミニウム等の金属等の薄膜であってもよい。更に、図１０に示したように、反射部材１５は、反射電極であってもよい。銀、アルミニウム等の反射性の金属により第三電極１４を形成し、反射部材１５として用いることもできる。

液晶層３０への電圧無印加時に、透過領域Ｔでの液晶分子の捩れ角θ１は、０°以上、３０°未満であり、かつ、反射領域Ｒでの液晶分子の捩れ角θ２は、３０°以上、８０°以下である。「透過領域Ｔでの液晶分子の捩れ角θ１」とは、透過領域Ｔの第一配向膜２０に隣接する液晶分子の配向方位と透過領域Ｔの第二配向膜４０に隣接する液晶分子の配向方位との成す角をいう。また、「反射領域Ｒでの液晶分子の捩れ角θ２」とは、反射領域Ｒの第一配向膜２０に隣接する液晶分子の配向方位と、反射領域Ｒの第二配向膜４０に隣接する液晶分子の配向方位との成す角をいう。透過領域Ｔでは、第一配向膜２０及び第二配向膜４０に隣接する液晶分子の配向を平行配向とし、反射領域Ｒでは、第一配向膜２０及び第二配向膜４０に隣接する液晶分子の配向をツイスト配向とする。このような構成とすることで、反射領域Ｒにインセルリターダーを設けなくても、透過領域Ｔと反射領域Ｒとで明暗反転させずに表示を行うことができるため、生産性が向上する。更に、反射領域Ｒの第一配向膜２０に隣接する液晶分子の配向方位と、反射領域Ｒの第二配向膜４０に隣接する液晶分子の配向方位との成す角θ２を３０°以上、８０°以下とすることで、反射領域Ｒの液晶層の厚みを透過領域Ｔの液晶層の厚みの半分以上にしても、透過領域Ｔと反射領域Ｒとで明暗反転させずに表示を行うことができるため、液晶分子が動きやすく、上下基板間でのリーク電流の発生が抑制でき、生産性が向上する。

液晶層３０への電圧無印加時の第一配向膜２０に隣接する液晶分子の配向方位、及び、第二配向膜４０に隣接する液晶分子の配向方位は、第一配向膜２０及び第二配向膜４０に対して配向処理によって決まる。配向処理方法としては、第一配向膜２０及び第二配向膜４０が光配向膜である場合には、紫外光、可視光等の光（電磁波）を照射する光配向処理が好ましい。

第一配向膜２０及び第二配向膜４０は、光配向性を示す材料から形成された光配向膜であってもよい。光配向性を示す材料とは、光（電磁波）が照射されることによって構造変化を生じ、光配向膜に隣接する液晶分子の配向を規制する性質（配向規制力）を発現する材料や、配向規制力の大きさ及び／又は向きが変化する材料全般を意味する。光配向性を示す材料としては、例えば、二量化（二量体形成）、異性化、光フリース転移、分解等の反応が光照射によって起こる光反応部位を含むものが挙げられる。光照射によって二量化及び異性化する光反応部位（官能基）としては、例えば、シンナメート、４－カルコン、４’－カルコン、クマリン、スチルベン等が挙げられる。光照射によって異性化する光反応部位（官能基）としては、例えば、アゾベンゼン等が挙げられる。光照射によって光フリース転移する光反応部位としては、例えば、フェノールエステル構造等が挙げられる。光照射によって分解する光反応部位としては、例えば、シクロブタン構造等が挙げられる。

また、液晶層３０への電圧無印加時に、反射領域Ｒの第一配向膜２０に隣接する液晶分子及び反射領域Ｒの第二配向膜４０に隣接する液晶分子のいずれか一方の配向方位は、透過領域Ｔの第一配向膜２０に隣接する液晶分子と平行である。これにより、第一配向膜２０及び第二配向膜４０のいずれか一方に配向分割処理を行えばよいため、生産性が向上する。また第一基板１０と第二基板５０とを貼り合わせる際のズレによる不具合が低減される。

上記光配向処理では、第一配向膜２０及び第二配向膜４０のいずれか一方に対して、例えば、透過領域Ｔと反射領域Ｒとで、異なる方位から光照射を行うことで、配向分割できる。なお、配向分割処理を行わない第一配向膜２０及び第二配向膜４０の他の一方に対しては、透過領域Ｔと反射領域Ｒとで同じ方位から光照射を行うことができる。

上記配向分割処理の具体的方法としては、例えば、第一配向膜２０又は第二配向膜４０の反射領域Ｒに対応する領域を遮光材料からなるマスクで遮光し、透過領域Ｔに対応する領域に１回目の光照射を行い、次に、透過領域Ｔに対応する領域を上記マスクで遮光し、反射領域Ｒに対応する領域に２回目の光照射を行う方法が挙げられる。上記配向分割処理の他の具体的方法としては、例えば、ワイヤグリッド偏光板を用いる方法が挙げられる。上記ワイヤグリッド偏光板は、光透過性基材と、上記光透過性基材上に形成された複数の金属細線を有し、上記複数の金属細線はワイヤグリッド偏光板に入射される光の波長よりも短い周期で配置されている。上記金属細線は、例えば、クロム等の光吸収性の金属材料により形成される。第一配向膜２０又は第二配向膜４０に上記ワイヤグリッド偏光板を重ねて光照射を行うと、液晶分子は、上記金属細線の延伸方位と直交する方位に配向する。そのため、透過領域Ｔに対応する領域と反射領域Ｒに対応する領域とで、金属細線の延伸方位が異なるワイヤグリッド偏光板を用いることで、１回の光照射で配向分割処理を行うことができるため、生産性が向上する。

上記液晶表示パネル１００は、第一基板１０の液晶層３０と反対側に第一偏光板６０を有し、第二基板５０の液晶層３０と反対側に第二偏光板７０を有してもよい。第一偏光板６０の偏光軸と第二偏光板７０の偏光軸は、直交するように配置される。液晶層３０への電圧無印加時に、透過領域Ｔの第一配向膜２０に隣接する液晶分子の配向方位、及び、透過領域Ｔの第二配向膜４０に隣接する液晶分子の配向方位は、第一偏光板６０の偏光軸又は第二偏光板７０の偏光軸と平行であることが好ましい。

液晶表示装置１０００は、液晶層３０への電圧無印加時に黒表示を行い、液晶層３０への電圧印加時に白表示を行うノーマリブラックモードであってもよい。図３、図４、図１１及び図１２を用いて、ノーマリブラックモードである場合の、白表示及び黒表示について説明する。図１１及び図１２は、それぞれ、図１に示した液晶表示装置の電圧無印加時における斜視図、電圧印加時における斜視図である。図１１及び図１２では、第一配向膜２０、第二配向膜４０及び液晶層３０を抜粋して図示している。

図３及び図１１に示したように、電圧無印加時には、透過領域Ｔでは、第一配向膜２０に隣接する液晶分子と第二配向膜４０に隣接する液晶分子とは平行に配向し、第二偏光板７０の偏光軸と平行な方位に配向する。透過領域Ｔの液晶層３０の厚み方向に存在する液晶分子は、第一配向膜２０に隣接する液晶分子及び第二配向膜４０に隣接する液晶分子に平行に配向するため、黒表示になる。反射領域Ｒでは、第一配向膜２０に隣接する液晶分子と第二配向膜４０に隣接する液晶分子とは角度θ２をなし、ツイスト配向している。反射領域Ｒの液晶層３０の厚み方向に存在する液晶分子は、第一配向膜２０に隣接する液晶分子と第二配向膜４０に隣接する液晶分子との捩れに沿って配向する。反射領域Ｒでは、外部からの入射光を円偏光に変換して反射することで黒表示になる。

図４及び図１２に示したように、電圧印加時には、透過領域Ｔでは、第一配向膜２０に隣接する液晶分子、第二配向膜４０に隣接する液晶分子、及び、液晶層３０の厚み方向に存在する液晶分子は、第一電極１２と第二電極１３との間に形成される横電界により回転する。上記液晶分子の配向方位は、図１２に示したように、第一偏光板６０又は第二偏光板７０の偏光軸と平行な方位又は直交する方位からずれ、例えば、偏光軸と４５°をなすことで、白表示になる。反射領域Ｒでは、第一配向膜２０に隣接する液晶分子、第二配向膜４０に隣接する液晶分子、及び、液晶層３０の厚み方向に存在する液晶分子は、第一電極１２と第三電極１４との間に形成される横電界により回転し、第二偏光板７０の偏光軸と平行に配向する。反射領域Ｒでは、第二偏光板７０を通過した外部からの入射光（直線偏光）を反射することで白表示になる。

液晶層３０への電圧無印加時に、反射領域Ｒの第一配向膜２０に隣接する液晶分子の配向方位と、反射領域の第二配向膜４０に隣接する液晶分子の配向方位との成す角θ２（以下、ツイスト角ともいう）は、３２°以上、４１°以下、又は、５９°以上、６８°以下であることが好ましい。実施形態１では、上記θ２が５９°以上、６８°以下である。実施形態１では、下記式（１）で表される液晶リタデーション値（Δｎｄ）が、１７０ｎｍ以上、２２０ｎｍ以下である場合がより好ましい。実施形態１では、更に、上記θ２が６３．５°であり、かつ、上記液晶リタデーション値が、１９５ｎｍである場合（構成１）が特に好ましい。後述する実施形態２では、上記θ２が３２°以上、４１°以下である。実施形態２では、反射領域Ｒの上記式（１）で表される液晶リタデーション値（Δｎｄ）が、３７５ｎｍ以上、４０５ｎｍ以下である場合がより好ましい。実施形態２では、更に、上記θ２が３６．５°であり、かつ、反射領域Ｒの上記液晶リタデーション値が、３９０ｎｍである場合（構成２）が特に好ましい。液晶リタデーション値（Δｎｄ）は、下記式（１）で表される。
液晶リタデーション値（Δｎｄ）＝液晶分子の誘電率異方性（Δｎ）×液晶層の厚さ（ｄ）　　式（１）

本発明者らは、以下の方法により、上記θ２と反射領域Ｒの液晶リタデーション値の最適な組み合わせを検討した。反射領域Ｒでは、外部からの入射光（直線偏光）が反射部材１５の表面で円偏光となることで、黒表示を行うことができる。そこで、円偏光を液晶層に入射した場合に、通過後の光が直線偏光になる条件を検討した。誘電率異方性（Δε）が７、屈折率異方性（Δｎ）が１．０２の液晶分子を用い、第二線状電極部１２ｂの幅（Ｌ）を２．７μｍ、隣り合う第二線状電極部１２ｂ間の距離（Ｓ）を３．３μｍとして、シンテック社製、ＬＣＤｍａｓｔｅｒを用いて、検討を行った。図１３は、反射領域Ｒにおける、液晶リタデーション値とツイスト角との関係を示したシミュレーション図である。図１３では、縦軸を液晶リタデーション値（Δｎｄ）、横軸を上記θ２とし、反射領域Ｒの液晶層３０に円偏光（Ｓ３＝１）を入射した場合の、出射光の値を示したものである。Ｓ３＝０のとき、反射領域に入射した円偏光は、直線偏光として出射されるため、電圧無印加時において、黒表示とすることができる。

上記θ２が５９°以上、６８°以下であり、かつ、上記式（１）で表される液晶リタデーション値（Δｎｄ）が、１７０ｎｍ以上、２２０ｎｍ以下である場合、反射領域Ｒの第二配向膜４０に隣接する液晶分子の配向方位は、透過領域Ｔの第二配向膜４０に隣接する液晶分子の配向方位と平行であることが好ましい。図１３の結果から、反射領域Ｒの第一配向膜２０に隣接する液晶分子の配向方位、又は、反射領域Ｒの第二配向膜４０に隣接する液晶分子の配向方位と、第一偏光板６０又は第二偏光板７０の偏光軸とのなす角が０°又は９０°となる条件は、上記構成１及び上記構成２の場合である。

図１４は、構成１及び構成２の反射領域の反射率を比較したグラフである。横軸は、波長（ｎｍ）、縦軸は反射領域の反射率（％）である。誘電率異方性（Δε）が７、屈折率異方性（Δｎ）が１．０２の液晶分子を用い、第二線状電極部１２ｂの幅（Ｌ）を２．７μｍ、隣り合う第二線状電極部１２ｂ間の距離（Ｓ）を３．３μｍとしてシミュレーションを行った。図１４より、構成１と構成２とを比較すると、構成１の方が、広帯域で反射率が低いことが分かった。更に、構成１の場合に、反射領域Ｒの第二配向膜４０に隣接する液晶分子の配向方位に対する、反射領域Ｒの第一配向膜２０に隣接する液晶分子の配向方位を検討した。図１５は、構成１の場合に液晶分子の配向方位による反射率の変化を比較したグラフである。図１５中、構成１において、反射領域Ｒの第一配向膜２０に隣接する液晶分子の配向方位に対する、反射領域Ｒの第二配向膜４０に隣接する液晶分子の配向方位が、＋６３．５°の場合を実線で、－６３．５°の場合を破線で示した。図１６は、反射領域の液晶分子のツイスト角を説明した模式図である。図１６中、反射領域Ｒの第一配向膜２０に隣接する液晶分子は点線で示し、反射領域Ｒの第二配向膜４０に隣接する液晶分子は実線で示した。図１５から、構成１の場合には、液晶分子の配向方位が＋６３．５°の方（図１５中の実線）が、－６３．５°の場合（図１５中の破線）よりも、白表示時の反射率が高いことが分かった。

実施形態１では、反射領域Ｒの液晶層３０の厚さは、透過領域Ｔの液晶層３０の厚さと異なる。構成１は、反射領域Ｒの液晶リタデーション値（Δｎｄ）が１９５ｎｍであるため、透過領域Ｔの液晶リタデーション値（Δｎｄ）を一般的な３３０ｎｍ～３４０ｎｍとすると、反射領域Ｒの液晶層３０の厚さは、透過領域Ｔの液晶層３０の厚さよりも薄くなる。

上記液晶分子は、誘電率異方性（Δε）が１．５～３６であってもよい。液晶分子の誘電率異方性（Δε）を１．５～３６とすることで、白表示時に反射領域の反射率を高くすることができる。

本発明者らは、誘電率異方性（Δε）の上限を検討した。図１７は、印加電圧と反射率の誘電率異方性（Δε）に対する依存性を示したグラフである。横軸は、液晶層への印加電圧（Ｖ）、縦軸は、反射領域Ｒの反射率（％）である。誘電率異方性（Δε）が７、屈折率異方性（Δｎ）が１．０２の液晶分子を用い、第二線状電極部１２ｂの幅（Ｌ）を２．７μｍ、隣り合う第二線状電極部１２ｂ間の距離（Ｓ）を３．３μｍとしてシミュレーションを行った。図１７から、液晶分子の誘電率異方性（Δε）の値が大きくなると、反射率が高くなることが分かる。誘電率異方性（Δε）が７の液晶分子を用いた場合、印加電圧に対して反射率が単調増加し、白想定電圧を５Ｖで、反射率２４％を達成する。また、誘電率異方性（Δε）が２０の液晶分子を用いた場合、印加電圧５Ｖでの反射率は２９％であり、誘電率異方性（Δε）が７の場合よりも反射率が５％も高くなる。誘電率異方性（Δε）の値を上げると、反射領域の反射率が高くなり、液晶表示パネルの輝度を高くできる。一方で、一般的に誘電率異方性（Δε）が大きくなるにつれ、液晶分子の粘度は高くなる。図１８は、液晶分子の誘電率異方性（Δε）と粘度との関係を示したグラフである。横軸は、誘電率異方性（Δε）、縦軸は、粘度（Ｐａ・Ｓ）である。液晶分子の粘度が高くなると、液晶分子が動きにくくなり、応答速度が低下することがある。図１７から、誘電率異方性（Δε）は、３６であると、白想定電圧を３Ｖとした場合に、誘電率異方性（Δε）が７の液晶分子を用いて、白想定電圧を５Ｖとした場合の反射率（２４％）と同等の反射率が得られる。よって、液晶分子の誘電率異方性（Δε）の好ましい上限は、反射率２４％を達成する３６である。

次に、誘電率異方性（Δε）の下限を検討した。図１９は、白想定電圧が３Ｖである場合及び５Ｖである場合のそれぞれについて、反射率及び予想反射率を示したグラフである。横軸は、誘電率異方性（Δε）、縦軸は、反射領域Ｒの反射率（％）である。半透過型の液晶表示装置では、透過領域を重視し、反射領域は補助的な役割を果たすことが多い。この点を考慮すると、白想定電圧が５Ｖでの反射率（２４％）の半分、すなわち反射率１２％程度までを許容範囲とすることができる。図１９より、液晶分子の誘電率異方性（Δε）の好ましい下限は、反射率１２％を達成する１．５である。

第二基板５０は、カラーフィルタ基板であってもよい。カラーフィルタ基板としては、例えば、画素間遮光層（ブラックマトリクス）５２、カラーフィルタ層５３等を有する構成が挙げられる。カラーフィルタ層５３は、例えば、赤色のカラーフィルタ層５３Ｒ、緑色のカラーフィルタ層５３Ｇ、青色のカラーフィルタ層５３Ｂを含んでもよい。

図２０は、画素間遮光層の配置の一例を示した平面模式図である。上述のように、図５の（ａ）～（ｃ）の点線で囲んだ部分では、液晶分子の配向が乱れ、透過率が低下する。そのため、平面視において、第一線状電極部１２ａ同士が連結される部分、又は、第二線状電極部１２ｂが連結される部分に対応する領域に、ブラックマトリクス５２を配置することで、液晶分子の配向の乱れに起因する表示不良を視認し難くすることができる。

第二基板５０は、液晶層３０と対向する位置に緑色、青色及び赤色のカラーフィルタ層５３を有し、反射領域Ｒでの、緑色のカラーフィルタ層５３Ｇと対向する液晶層３０の厚さをｄ（Ｇ）、青色のカラーフィルタ層５３Ｂと対向する液晶層３０の厚さをｄ（Ｂ）、赤色のカラーフィルタ層５３Ｒと対向する液晶層３０の厚さをｄ（Ｒ）とすると、ｄ（Ｂ）＜ｄ（Ｇ）＜ｄ（Ｒ）であってもよい。

カラーフィルタの色ごとに黒表示を行う際に最適な液晶リタデーション値（Δｎｄ）が異なる。そのため、緑色、青色及び赤色のカラーフィルタを、膜厚を変えるマルチギャップとすることで、黒表示時の反射率を低下させ、更に色付きの発生を低減することができる。図２１は、液晶リタデーション値と反射率との波長依存性を示したグラフである。横軸は、液晶リタデーション値（Δｎｄ）、縦軸は、反射領域Ｒの反射率（％）である。誘電率異方性（Δε）が７、屈折率異方性（Δｎ）が１．０２の液晶分子を用い、第二線状電極部１２ｂの幅（Ｌ）を２．７μｍ、隣り合う第二線状電極部１２ｂ間の距離（Ｓ）を３．３μｍとしてシミュレーションを行った場合、最も好ましい、液晶リタデーション値（Δｎｄ）は、緑色のカラーフィルタと対向する液晶層の液晶リタデーション値Δｎｄ（Ｇ）が１９５ｎｍに対し、青色のカラーフィルタと対向する液晶層の液晶リタデーション値Δｎｄ（Ｂ）が１５２ｎｍ、赤色のカラーフィルタと対向する液晶層の液晶リタデーション値Δｎｄ（Ｒ）が２３７ｎｍである。

図２２を用いて、カラーフィルタ基板の製造工程を説明する。図２２－１、２２－２は、カラーフィルタの製造工程の一例を説明した模式図である。図２２－１、２２－２では、３画素分に対応するカラーフィルタの製造工程を示した。図２２－１の（ａ）に示したように、透明基板５１上に、黒色顔料等を含有する樹脂、又は、金属薄膜等を用いて、画素間遮光層（ブラックマトリクス）５２を形成する。次に、図２２－１の（ｂ）に示したように、透明基板５１及びブラックマトリクス５２上に、例えば、赤色、緑色及び青色の色材（顔料等）を含んだ樹脂を塗布し、ハーフ露光により反射領域の膜厚を薄くして、赤色のカラーフィルタ層５３Ｒ、緑色のカラーフィルタ層５３Ｇ、青色のカラーフィルタ層５３Ｂを形成する。図２２－１の（ｃ）に示したように、カラーフィルタ層５３上にオーバーコート層５４を形成する。反射領域と透過部位の厚さは、同じであることが好ましいが、カラーフィルタ層５３の厚さとオーバーコート層５４の厚さの合計が、反射領域と透過部位とで異なってもよい。更に、図２２－１の（ｄ）に示したように、反射領域のオーバーコート層５４上に透明樹脂を塗布し、ハーフ露光により、マルチギャップ層５５を形成する。マルチギャップ層５５の厚さを調整することで、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のカラーフィルタと対向する液晶層３０の厚さを調整することができる。液晶表示パネルの透過コントラストを確保するため、カラーフィルタ層５３は透過領域Ｔと反射領域Ｒとの境界部分に傾斜面を有することが好ましく、傾斜面は反射領域Ｒに含まれるように設定することが好ましい。その後、図２２－２の（ｅ）に示したように、反射領域Ｒのマルチギャップ層５５上にフォトスペーサー層５６を形成する。フォトスペーサー層５６は、液晶層３０の厚みを規定し、第一基板１０及び第二基板５０の両方に接するメインスペーサーの他、メインスペーサーよりも低く、第一基板１０及び第二基板５０のいずれか一方のみに接するサブスペーサーを含んでいてもよい。また、フォトスペーサー層５６は、図２２－１の（ｄ）のマルチギャップ層５５と同時に形成してもよい。図２２－２の（ｆ）に示したように、第一基板１０と第二基板５０とを貼り合わせることで、各色のカラーフィルタと対向する液晶層３０の厚さｄ（Ｇ）、ｄ（Ｂ）、ｄ（Ｒ）を異ならせ、例えば、ｄ（Ｂ）＜ｄ（Ｇ）＜ｄ（Ｒ）とすることができる。

カラーフィルタ層５３は、更に、黄色（Ｙ）のカラーフィルタ層を含んでもよい。黄色（Ｙ）のカラーフィルタ層は、赤色、緑色、青色のカラーフィルタ層と同様に、透明基板５１及びブラックマトリクス５２上に、黄色の色材（顔料等）を含んだ樹脂を塗布して、形成してもよい。また、マルチギャップ層５５の厚さを調整することで、黄色（Ｙ）のカラーフィルタと対向する液晶層３０の厚さを調整することができる。例えば、黄色のカラーフィルタと対向する液晶層３０の厚さをｄ（Ｙ）とすると、ｄ（Ｂ）＜ｄ（Ｇ）＜ｄ（Ｙ）＜ｄ（Ｒ）であってもよい。

図１及び図２では、第一基板１０側に構造物（絶縁層１７）を設けることで、反射領域Ｒの液晶リタデーション値（Δｎｄ）を調整しているが、第二基板５０側に構造物を設けて、反射領域Ｒの液晶リタデーション値（Δｎｄ）を調整してもよい。第二基板５０側に設ける構造物としては、例えば、マルチギャップ層５５が挙げられる。

バックライトユニット２００としては、液晶表示装置の分野において通常使用されるものを用いることができる。バックライトユニット２００は、液晶パネル１００の背面に配置し、バックライトユニット２００で生じた光を、液晶パネル１００の透過領域Ｔを透過させ、表示装置の観察者側に出射できればよく、直下型であっても、エッジライト型であってもよい。

（実施形態２）
実施形態２では、液晶層３０への電圧無印加時に、反射領域Ｒの第一配向膜２０に隣接する液晶分子の配向方位と、反射領域の第二配向膜４０に隣接する液晶分子の配向方位との成す角θ２が、３２°以上、４１°以下である。実施形態２は、反射領域Ｒの上記式（１）で表される液晶リタデーション値（Δｎｄ）が、３７５ｎｍ以上、４０５ｎｍ以下である場合がより好ましい。更に、上記θ２が３６．５°であり、かつ、反射領域Ｒの上記液晶リタデーション値が、３９０ｎｍである場合（構成２）が特に好ましい。

図２３は、実施形態２に係る液晶表示装置の一例を示した断面模式図であり、電圧無印加時を表す。図２４～図２８は、それぞれ、図２３に示した液晶表示装置の電圧印加時における断面模式図、電圧無印加時における平面模式図、電圧印加時における平面模式図、電圧無印加時における斜視図、電圧印加時における斜視図である。図２３は、図２５のｅ－ｆ線での断面図であり、図２４は、図２６のｇ－ｈ線での断面図である。図２７及び図２８では、第一配向膜２０、第二配向膜４０及び液晶層３０を抜粋して図示している。図２３及び図２４中、白抜き矢印は光の経路を示す。図２５中、第一配向膜２０に隣接する液晶分子を点線で示し、第二配向膜４０に隣接する液晶分子を実線で示した。図２６中、点線の両矢印は、電界の向きを表す。

実施形態２の液晶表示装置２０００Ａは、上記θ２が３２°以上、４１°以下であり、かつ、反射領域Ｒの上記式（１）で表される液晶リタデーション値（Δｎｄ）が、３７５ｎｍ以上、４０５ｎｍ以下であってもよい。反射領域Ｒの第一配向膜２０に隣接する液晶分子の配向方位は、透過領域Ｔの第一配向膜２０に隣接する液晶分子の配向方位と平行であることが好ましい。

液晶表示装置２０００Ａでは、反射領域Ｒの液晶層３０の厚さと透過領域Ｔの液晶層３０の厚さとが等しくてもよく、異なってもよい。上記構成２の場合は、反射領域Ｒの液晶リタデーション値（Δｎｄ）が３９０ｎｍであるため、透過領域Ｔの液晶リタデーション値（Δｎｄ）を３９０ｎｍとすると、反射領域Ｒの液晶層３０の厚さと透過領域Ｔの液晶層３０の厚さとを等しくすることができる。「反射領域Ｒの液晶層３０の厚さと透過領域Ｔの液晶層３０の厚さとが等しい」とは、実質的に等しい厚さであればよく、反射領域Ｒの液晶層３０の厚さと、透過領域Ｔの液晶層３０の厚さとの差が、０ｎｍ～４０ｎｍであってもよい。

図２３、図２５及び図２７に示したように、電圧無印加時には、透過領域Ｔでは、第一配向膜２０に隣接する液晶分子と第二配向膜４０に隣接する液晶分子とは平行に配向し、第二偏光板７０の偏光軸と平行な方位に配向する。透過領域Ｔの液晶層３０の厚み方向に存在する液晶分子は、第一配向膜２０に隣接する液晶分子及び第二配向膜４０に隣接する液晶分子に平行に配向するため、黒表示になる。反射領域Ｒでは、第一配向膜２０に隣接する液晶分子と第二配向膜４０に隣接する液晶分子とは角度θ２をなし、ツイスト配向している。反射領域Ｒの液晶層３０の厚み方向に存在する液晶分子は、第一配向膜２０に隣接する液晶分子と第二配向膜４０に隣接する液晶分子との捩れに沿って配向する。反射領域Ｒでは、外部からの入射光を円偏光に変換して反射することで黒表示になる。

図２４、図２６及び図２８に示したように、電圧印加時には、透過領域Ｔでは、第一配向膜２０に隣接する液晶分子、第二配向膜４０に隣接する液晶分子、及び、透過領域Ｔの液晶層３０の厚み方向に存在する液晶分子は、第一電極１２と第二電極１３との間に形成される横電界により回転する。上記透液晶分子の配向方位は、図２８に示したように、第一偏光板６０又は第二偏光板７０の偏光軸と平行な方位又は直交する方位からずれ、例えば、偏光軸と４５°をなすため、白表示になる。反射領域Ｒでは、第一配向膜２０に隣接する液晶分子、第二配向膜４０に隣接する液晶分子、及び、液晶層３０の厚み方向に存在する液晶分子は、第一電極１２と第三電極１４との間に形成される横電界により回転し、偏光軸と平行に配向する。反射領域Ｒでは、第二偏光板７０を通過した外部からの入射光（直線偏光）を反射することで白表示になる。

（実施形態２の変形例１）
図２９は、実施形態２の変形例１に係る液晶表示装置の一例を示した断面模式図であり、電圧無印加時を表す。実施形態２の変形例１の液晶表示装置２０００Ｂでは、反射領域Ｒの液晶層３０の厚さは、透過領域Ｔの液晶層３０の厚さと異なる。図２９に示したように、液晶表示装置２０００Ｂは、反射領域Ｒの液晶層３０の厚さは、透過領域Ｔの液晶層３０の厚さよりも厚い。上記構成２の場合に、透過領域Ｔの液晶リタデーション値（Δｎｄ）を一般的な３３０ｎｍ～３４０ｎｍとすると、反射領域Ｒの液晶層３０の厚さは、透過領域Ｔの液晶層３０の厚さよりも厚くなる。

（実施形態３）
図３０は、実施形態３に係る液晶表示装置の一例を示した断面模式図であり、電圧無印加時を表す。図３１は、図３０に示した液晶表示装置の電圧印加時における断面模式図である。図３０及び図３１中、白抜き矢印は光の経路を示す。

図３０及び図３１に示したように、実施形態３の液晶表示装置３０００では、第二基板５０は、反射領域Ｒに第三電極１４を有する。実施形態３では、第二電極１３と第三電極１４とは互いに独立した別の電極である。第三電極１４は、反射領域Ｒにおいて、液晶層３０を挟んで第一電極１２と対向するように第二基板５０に設けられ、第三電極１４、及び、反射領域Ｒに形成された第一電極１２は、面状電極である。第二電極１３と第三電極１４とは、共通電極であり、同一の信号が印加されることが好ましい。第二電極１３と第三電極１４とは、例えば、コンタクトホールで接続してもよいし、第一基板１０と第二基板５０とを貼りわせた後に、液晶表示パネルの外部から配線を引いて、第二電極１３と第三電極１４とを繋いでもよい。実施形態３では、電圧印加時に、透過領域Ｔは水平配向モードにより、反射領域Ｒは垂直配向モードにより表示を行う。

図３２及び図３３は、それぞれ、図３０に示した液晶表示装置の電圧無印加時における平面模式図、電圧印加時における平面模式図である。図３２中、第一配向膜２０に隣接する液晶分子を点線で示し、第二配向膜４０に隣接する液晶分子を実線で示した。図３３中、点線の両矢印は、電界の向きを表す。図３０及び図３２に示したように、電圧無印加時には、透過領域Ｔでは、第一配向膜２０に隣接する液晶分子と第二配向膜４０に隣接する液晶分子とは平行に配向する。実施形態１と同様に、透過領域Ｔの液晶層３０の厚み方向に存在する液晶分子は、第一配向膜２０に隣接する液晶分子及び第二配向膜４０に隣接する液晶分子に平行に配向する。上記液晶分子は、第一偏光板６０又は第二偏光板７０の偏光軸と平行な方位又は直交する方位に配向するため、黒表示になる。反射領域Ｒでは、第一配向膜２０に隣接する液晶分子と第二配向膜４０に隣接する液晶分子とは角度θ２をなし、ツイスト配向している。実施形態１と同様に、反射領域Ｒの液晶層３０の厚み方向に存在する液晶分子は、第一配向膜２０に隣接する液晶分子と第二配向膜４０に隣接する液晶分子との捩れに沿って配向する。反射領域Ｒでは、外部からの入射光を円偏光に変換して反射することで黒表示になる。

図３１及び図３３に示したように、電圧印加時には、透過領域Ｔでは、実施形態１と同様に、第一配向膜２０に隣接する液晶分子、第二配向膜４０に隣接する液晶分子、及び、液晶層３０の厚み方向に存在する液晶分子は、第一電極１２と第二電極１３との間に形成される横電界により回転し、白表示になる。反射領域Ｒでは、第一配向膜２０に隣接する液晶分子、第二配向膜４０に隣接する液晶分子、及び、液晶層３０の厚み方向に存在する液晶分子は、第一電極１２と第三電極１４との間に形成される縦電界により、液晶分子は基板面に対して垂直に配向する。反射領域Ｒでは、外部からの入射光（直線偏光）を反射することで白表示になる。

実施形態１及び２では、透過領域Ｔ及び反射領域ＲがＦＦＳモードである場合を図示したが、上述のように、透過領域Ｔ及び／又は反射領域ＲがＩＰＳモードであってもよい。以下に図３４～図３６を用いて、透過領域Ｔ及び／又は反射領域Ｒが、ＩＰＳモードである場合について説明する。図３４～図３６は、実施形態１及び２に係る液晶表示装置の平面模式図であり、それぞれ、反射領域がＩＰＳモードである場合、透過領域がＩＰＳモードである場合、反射領域及び透過領域がＩＰＳモードである場合を表す。

反射領域ＲがＩＰＳモードである場合は、図３４に示したように、反射領域Ｒで第一電極１２と第三電極１４とは、同一絶縁層上に形成され、第三電極１４は、少なくとも一つの第三線状電極部１４ａを有し、第二線状電極部１２ｂと、第三線状電極部１４ａとが対向するように配置される。第三電極１４と第二電極１３とは、同一の信号が印加されれば、その接続方法は特に限定されない。第三電極１４は、例えば、コンタクトホール６５を介して、第二電極１３と同一の信号が印加される。第二電極１３と透過領域ＴがＩＰＳモードである場合は、図３５に示したように、透過領域Ｔで第一電極１２と第二電極１３とは、同一絶縁層上に形成され、第二電極１３は、少なくとも一つの第四線状電極部１３ａを有し、第一線状電極部１２ａと、第四線状電極部１３ａとが対向するように配置される。第二電極１３は、例えば、コンタクトホール６５を介して、第三電極１４と同一の信号が印加される。反射領域Ｒ及び透過領域ＴがＩＰＳモードである場合は、図３６に示したように、反射領域Ｒで第二線状電極部１２ｂと、第三線状電極部１４ａとが対向するように配置され、かつ、透過領域Ｔで第一線状電極部１２ａと、第四線状電極部１３ａとが対向するように配置される。第二電極１３と第三電極１４とは、例えば、同一絶縁層上に形成され、配線６６により同一の信号が印加される。

また、実施形態３では、透過領域ＴがＦＦＳモードである場合を図示したが、上述のように、透過領域ＴがＩＰＳモードであってもよい。図３７は、透過領域がＩＰＳモードである場合の実施形態３に係る液晶表示装置の平面模式図である。図３７に示したように、透過領域ＴがＩＰＳモードである場合は、透過領域Ｔで第一電極１２と第二電極１３とは、同一絶縁層上に形成され、第二電極１３は、少なくとも一つの第四線状電極部１３ａを有し、第一線状電極部１２ａと、第四線状電極部１３ａとが対向するように配置される。第二電極１３は、例えば、コンタクトホール６５を介して、第三電極１４と同一の信号が印加される。なお、第二電極１３と第三電極１４とは、一つの画素内でコンタクトホール６５を介して接続されてもよいし、複数の画素において、コンタクトホール６５を介して接続されてもよい。

実施形態１～３の液晶表示装置は、液晶表示パネル１００及びバックライト２００の他、ＴＣＰ（テープ・キャリア・パッケージ）、ＰＣＢ（プリント配線基板）等の外部回路；視野角拡大フィルム、輝度向上フィルム等の光学フィルム；ベゼル（フレーム）等の複数の部材により構成されるものであり、部材によっては、他の部材に組み込まれていてもよい。既に説明した部材以外の部材については特に限定されず、液晶表示装置の分野において通常使用されるものを用いることができるので、説明を省略する。

以上、本発明の実施形態について説明したが、説明された個々の事項は、すべて本発明全般に対して適用され得るものである。

以下に実施例及び比較例を掲げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

（実施例１）
実施例１では、反射領域Ｒが構成１である液晶表示装置１０００を作製した。実施例１は、実施形態１に係る液晶表示装置の一例と同じ構成である。液晶表示装置１０００は、透過領域Ｔ、反射領域Ｒの電極配置は、ともにＦＦＳモードとした。実施例１では、第一基板１０は、透過領域Ｔ及び反射領域Ｒに、画素電極である第一電極１２を有する。第二基板５０は、ブラックマトリクス５２とカラーフィルタ層５３とを有する。第一基板１０、第二基板５０上には、それぞれ光配向膜である第一配向膜２０、第二配向膜４０を形成した。

第一電極１２は、透過領域Ｔに少なくとも一つの第一線状電極部１２ａを有し、反射領域Ｒに、少なくとも一つの第二線状電極部１２ｂを有する。第一電極１２は、画素電極であり一画素ごとに形成される。第一線状電極部１２ａの延伸方向と、第二線状電極部１２ｂの延伸方向とは直交するように形成した。第一線状電極部１２ａの幅、及び、第二線状電極部１２ｂの幅は、ともに２．７μｍとした。隣り合う第一線状電極部１２ａ間の距離、及び、隣り合う第二線状電極部１２ｂ間の距離は、ともに３．３μｍとした。更に、第一基板１０は、第二電極１３及び第三電極１４を有し、第二電極１３と第三電極１４とは一つの電極を形成する。第二電極１３及び第三電極１４は、共通電極であり、同一の信号が印加される。第一偏光板６０と第二偏光板７０は、偏光軸が互いにクロスニコルとなるように配置した。

第一配向膜２０及び第二配向膜４０に対し、電圧無印加時に、透過領域Ｔでの液晶分子の捩れ角θ１が０°、反射領域Ｒでの液晶分子の捩れ角θ２が６３．５°となるように、配向処理を行った。また、透過領域Ｔでの第一配向膜２０及び第二配向膜４０に隣接する液晶分子の配向方位は、第二偏光板７０の偏光軸と平行とした。更に、反射領域Ｒの第二配向膜４０に隣接する液晶分子の配向方位は、透過領域Ｔの第二配向膜４０に隣接する液晶分子の配向方位と平行となるように配向処理を行った。

上記配向処理は、第一配向膜２０の反射領域Ｒに対応する領域を遮光材料からなるマスクで遮光し、透過領域Ｔに対応する領域に１回目の光照射を行った。次に、透過領域Ｔに対応する領域を上記マスクで遮光し、反射領域Ｒの第一配向膜２０に隣接する液晶分子の配向方位が、透過領域Ｔの第一配向膜２０に隣接する液晶分子の配向方位と６３．５°をなすように、光の照射方向を変えて、反射領域Ｒに対応する領域に２回目の光照射を行った。第二配向膜４０に対しては、透過領域Ｔ、反射領域Ｒ共に同じ方向から光照射を行った。

上記配向処理を行った後、第一基板１０又は第二基板５０のいずれか一方に、液晶分子を含む組成物を滴下し、その後、他方の基板と貼り合わせ、液晶層３０を形成した。上記液晶分子としては、誘電率異方性（Δε）が７、屈折率異方性（Δｎ）が１．０２のものを用いた。透過領域Ｔの液晶リタデーション値（Δｎｄ）は、３４０ｎｍ、反射領域Ｒの液晶リタデーション値（Δｎｄ）は、１９５ｎｍとした。電圧印加を０Ｖとした時に、透過領域Ｔ、反射領域Ｒ共に黒表示であり、電圧印加を４Ｖとした時に、透過領域Ｔ、反射領域Ｒ共に白表示であった。上記配向分割処理は、ワイヤグリッド偏光板を用いて行うこともできる。

（実施例２）
実施例２では、反射領域Ｒが構成２である点、反射領域の液晶層３０の厚さが、透過領域の液晶層３０の厚さと等しい点、第一配向膜２０及び第二配向膜４０に対する配向処理方位が異なる点以外は、実施例１と同様にして液晶表示装置２０００Ａを作製した。実施例２は、実施形態２に係る液晶表示装置の一例と同じ構成である。実施例２では、電圧無印加時に、透過領域Ｔでは、第一配向膜２０及び第二配向膜４０に隣接する液晶分子の配向方位は平行であり、かつ、第二偏光板７０の偏光軸と平行とした。反射領域Ｒの第一配向膜２０に隣接する液晶分子の配向方位は、透過領域Ｔの第一配向膜２０に隣接する液晶分子の配向方位と平行であり、反射領域Ｒの第二配向膜４０に隣接する液晶分子の配向方位は、反射領域Ｒの第一配向膜２０に隣接する液晶分子の配向方位と３６．５°をなすように配向処理を行った。

上記配向処理は、第二配向膜４０の反射領域Ｒに対応する領域を遮光材料からなるマスクで遮光し、透過領域Ｔに対応する領域に１回目の光照射を行った。次に、透過領域Ｔに対応する領域を上記マスクで遮光し、反射領域Ｒの第二配向膜４０に隣接する液晶分子の配向方位が、透過領域Ｔの第二配向膜４０に隣接する液晶分子の配向方位と３６．５°をなすように、光の照射方向を変えて、反射領域Ｒに対応する領域に２回目の光照射を行った。第一配向膜２０に対しては、透過領域Ｔ、反射領域Ｒ共に同じ方向から光照射を行った。透過領域Ｔ、反射領域Ｒの液晶リタデーション値（Δｎｄ）は共に、３９０ｎｍとした。電圧印加時に、透過領域Ｔ、反射領域Ｒ共に黒表示であり、電圧印加時に、透過領域Ｔ、反射領域Ｒ共に白表示であった。上記配向分割処理は、ワイヤグリッド偏光板を用いて行うこともできる。

（実施例３）
実施例３では、反射領域Ｒの液晶層３０の厚さが、透過領域Ｔの液晶層３０の厚さよりも厚い点以外は、実施例２と同様にして実施例３に係る液晶表示装置２０００Ｂを作製した。実施例３は、実施形態２の変形例１に係る液晶表示装置の一例と同じ構成である。透過領域Ｔの液晶リタデーション値（Δｎｄ）は、３４０ｎｍ、反射領域Ｒの液晶リタデーション値（Δｎｄ）は、３９０ｎｍとした。

（実施例４）
実施例４では、反射領域Ｒが垂直配向モードである点以外は、実施例１と同様にして実施例４に係る液晶表示装置３０００を作製した。実施例４は、実施形態３に係る液晶表示装置の一例と同じ構成である。液晶表示装置３０００は、透過領域Ｔの電極配置はＦＦＳモードであり、反射領域Ｒの電極配置は垂直配向モードとした。実施例４では、反射領域Ｒに面状電極を有し、透過領域Ｔに少なくとも一つの第一線状電極部１２ａを有する第一電極１２を用いた。第一基板１０は、反射領域Ｒに面状の第二電極１３を有し、第二電極１３と第三電極１４とは個別の電極である。第二基板５０は、反射領域Ｒに面状の第三電極１４を有する。第一電極１２は画素電極である。第二電極１３及び第三電極１４は、共通電極であり、同一の信号が印加される。電圧無印加時に、透過領域Ｔ、反射領域Ｒ共に黒表示であり、電圧印加時に、透過領域Ｔ、反射領域Ｒ共に白表示であった。なお、実施例４に上記構成２を適用してもよいし、上記構成２を適用し、かつ、反射領域Ｒの液晶層３０の厚さと透過領域Ｔの液晶層３０の厚さを等しくしてもよい。

実施例１～４の透過領域Ｔの電極配置、実施例１～３の反射領域Ｒの電極配置はＦＦＳモードであるが、ＩＰＳモードであっても同様の効果が得られる。本発明は、誘電率異方性が負である液晶分子への転用可能である。

［付記］
本発明の一態様は、透過領域及び反射領域が設けられた液晶表示装置であって、バックライトユニットと、バックライトユニット側から順に、第一基板と、第一配向膜と、誘電率異方性が正である液晶分子を含む液晶層と、第二配向膜と、第二基板とを有する液晶表示パネルとを備え、上記第一基板は、上記透過領域と上記反射領域に設けられた第一電極と、上記透過領域に設けられた第二電極とを有し、上記第一基板又は上記第二基板は、上記反射領域に第三電極を有し、上記第一電極は、上記透過領域に少なくとも一つの第一線状電極部を有し、上記液晶層への電圧無印加時に、上記透過領域での液晶分子の捩れ角θ１は、０°以上、３０°未満であり、かつ、上記反射領域での液晶分子の捩れ角θ２は、３０°以上、８０°以下であり、上記反射領域の上記第一配向膜に隣接する液晶分子及び上記反射領域の上記第二配向膜に隣接する液晶分子のいずれか一方の配向方位は、上記透過領域の上記第一配向膜に隣接する液晶分子と平行である液晶表示装置であってもよい。電圧無印加時に、上記反射領域の上下基板に対する液晶分子の配向をツイスト配向とすることで、インセルリターダーを設けずとも、透過領域と反射領域とで明暗反転せずに白黒表示を行うことができる。更に、上基板の液晶分子の配向方位と下基板の液晶分子の配向方位との成す角を３０°以上、８０°以下とすることで、反射領域の液晶層の厚みを透過領域の液晶層の厚みの半分以上にできることから、反射領域での液晶分子の応答性を改善し、上下基板間でのリーク電流の発生を抑制できる。

更に、上記第一基板の上記液晶層と反対側に第一偏光板を有し、上記第二基板の上記液晶層と反対側に第二偏光板を有し、上記第一偏光板の偏光軸と上記第二偏光板の偏光軸が直交するように配置され、上記液晶層への電圧無印加時に、上記透過領域の上記第一配向膜に隣接する液晶分子の配向方位、及び、上記透過領域の上記第二配向膜に隣接する液晶分子の配向方位は、上記第一偏光板の偏光軸又は第二偏光板の偏光軸と平行であってもよい。

上記第一基板は、上記反射領域に反射部材を有してもよい。上記反射領域材により、上記液晶層を通過して外部から入射された光を、再び上記液晶層を通って外部に出射し、白表示を行うことができる。

上記液晶層への電圧無印加時に、上記θ２は、５９°以上、６８°以下であり、かつ、上記反射領域の上記第二配向膜に隣接する液晶分子の配向方位は、上記透過領域の上記第二配向膜に隣接する液晶分子の配向方位と平行であり、上記反射領域の下記式（１）で表される液晶リタデーション値（Δｎｄ）は、１７０ｎｍ以上、２２０ｎｍ以下であってもよい。
液晶リタデーション値（Δｎｄ）＝液晶分子の屈折率異方性（Δｎ）×液晶層の厚さ（ｄ）　　式（１）

上記液晶層への電圧無印加時に、上記θ２は、３２°以上、４１°以下であり、かつ、上記反射領域の上記第一配向膜に隣接する液晶分子の配向方位は、上記透過領域の上記第一配向膜に隣接する液晶分子の配向方位と平行であり、上記反射領域の下記式（１）で表される液晶リタデーション値（Δｎｄ）は、３７５ｎｍ以上、４０５ｎｍ以下であってもよい。
液晶リタデーション値（Δｎｄ）＝液晶分子の屈折率異方性（Δｎ）×液晶層の厚さ（ｄ）　　式（１）

上記反射領域の液晶層の厚さは、上記透過領域の液晶層の厚さと等しくてもよい。

上記反射領域の液晶層の厚さは、上記透過領域の液晶層の厚さと異なってもよい。

上記第三電極は、上記第一基板に設けられ、上記第一電極は、上記反射領域に少なくとも一つの第二線状電極部を有し、上記第一線状電極部の延伸方向と上記第二線状電極部の延伸方向とが直交してもよい。上記反射領域に発生する電界の向きを上記透過領域に発生する電界の向きと直交させ、電圧印加時に上記反射領域の液晶分子を、上記第一偏光板又は上記第二偏光板の偏光軸と平行な方位又は直交する方位に平行配向させることができる。

上記反射領域で上記第一電極と上記第三電極とは絶縁層を介して積層され、上記第三電極は、面状電極であってもよい。すなわち、上記反射領域は、ＦＦＳモードの電極配置であってもよい。また、上記反射領域で上記第一電極と上記第三電極とは、同一絶縁層上に形成され、上記第三電極は、少なくとも一つの第三線状電極部を有し、上記第二線状電極部と、上記第三線状電極部とが対向するように配置されてもよい。すなわち、上記反射領域は、ＩＰＳモードの電極配置であってもよい。上記反射領域をＦＦＳモード、ＩＰＳモード等の水平配向モードとすることで、上記反射領域の視野角特性を良好なものとすることができる。

上記第三電極は、上記液晶層を挟んで上記第一電極と対向するように上記第二基板に設けられ、上記第三電極、及び、上記反射領域に形成された上記第一電極は、面状電極であってもよい。すなわち、上記反射領域は垂直配向モードにより表示を行ってもよい。

上記第一線状電極部の幅は、１．５μｍ以下、３．８μｍ以上であってもよい。

上記第一線状電極部の幅（Ｌ）と隣り合う第一線状電極部間の距離（Ｓ）との比（Ｌ／Ｓ比）は、０．１～０．４であるか、又は、１．７～４であってもよい。

上記透過領域で上記第一電極と上記第二電極とは絶縁層を介して積層され、上記第二電極は、面状電極であってもよい。すなわち、上記透過領域は、ＦＦＳモードの電極配置であってもよい。また、上記透過領域で上記第一電極と上記第二電極とは、同一絶縁層上に形成され、上記第二電極は、少なくとも一つの第四線状電極部を有し、上記第一線状電極部と、上記第四線状電極部とが対向するように配置されてもよい。すなわち、上記透過領域は、ＩＰＳモードの電極配置であってもよい。上記透過領域をＦＦＳモード、ＩＰＳモード等の水平配向モードとすることで、上記透過領域の視野角特性を良好なものとすることができる。

以上に示した本発明の各態様は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよい。

１０：第一基板
１１：透明基板
１２：第一電極
１２ａ：第一線状電極部
１２ｂ：第二線状電極部
１３：第二電極
１３ａ：第四線状電極部
１４：第三電極
１４ａ：第三線状電極部
１５：反射部材
１６、１７：絶縁層
２０：第一配向膜
３０：液晶層
４０：第二配向膜
５０：第二基板（カラーフィルタ基板）
５１：透明基板
５２：画素間遮光層（ブラックマトリクス）
５３：カラーフィルタ層
５３Ｂ：青色のカラーフィルタ層
５３Ｇ：緑色のカラーフィルタ層
５３Ｒ：赤色のカラーフィルタ層
５４：オーバーコート層
５５：マルチギャップ層
５６：フォトスペーサー層
６０：第一偏光板
６１：ゲート信号線
６２：ソース信号線
６３：ＴＦＴ
６４：ドレイン配線
６５：コンタクトホール
６６：配線
７０：第二偏光板
１００：液晶表示パネル
２００：バックライトユニット
１０００、２０００Ａ、２０００Ｂ、３０００：液晶表示装置
Ｔ：透過領域
Ｒ：反射領域

Claims

透過領域及び反射領域が設けられた液晶表示装置であって、
バックライトユニットと、
バックライトユニット側から順に、第一基板と、第一配向膜と、誘電率異方性が正である液晶分子を含む液晶層と、第二配向膜と、第二基板とを有する液晶表示パネルとを備え、
前記第一基板は、前記透過領域と前記反射領域に設けられた第一電極と、前記透過領域に設けられた第二電極とを有し、
前記第一基板又は前記第二基板は、前記反射領域に第三電極を有し、
前記第一電極は、前記透過領域に少なくとも一つの第一線状電極部を有し、
前記液晶層への電圧無印加時に、前記透過領域での液晶分子の捩れ角θ１は、０°以上、３０°未満であり、かつ、前記反射領域での液晶分子の捩れ角θ２は、３０°以上、８０°以下であり、
前記反射領域の前記第一配向膜に隣接する液晶分子及び前記反射領域の前記第二配向膜に隣接する液晶分子のいずれか一方の配向方位は、前記透過領域の前記第一配向膜に隣接する液晶分子と平行である
ことを特徴とする液晶表示装置。
更に、前記第一基板の前記液晶層と反対側に第一偏光板を有し、前記第二基板の前記液晶層と反対側に第二偏光板を有し、
前記第一偏光板の偏光軸と前記第二偏光板の偏光軸が直交するように配置され、
前記液晶層への電圧無印加時に、前記透過領域の前記第一配向膜に隣接する液晶分子の配向方位、及び、前記透過領域の前記第二配向膜に隣接する液晶分子の配向方位は、前記第一偏光板の偏光軸又は第二偏光板の偏光軸と平行であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
前記第一基板は、前記反射領域に反射部材を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
前記液晶層への電圧無印加時に、前記θ２は、５９°以上、６８°以下であり、かつ、前記反射領域の前記第二配向膜に隣接する液晶分子の配向方位は、前記透過領域の前記第二配向膜に隣接する液晶分子の配向方位と平行であり、
前記反射領域の下記式（１）で表される液晶リタデーション値（Δｎｄ）は、１７０ｎｍ以上、２２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の液晶表示装置。
液晶リタデーション値（Δｎｄ）＝液晶分子の屈折率異方性（Δｎ）×液晶層の厚さ（ｄ）　　式（１）
前記液晶層への電圧無印加時に、前記θ２は、３２°以上、４１°以下であり、かつ、前記反射領域の前記第一配向膜に隣接する液晶分子の配向方位は、前記透過領域の前記第一配向膜に隣接する液晶分子の配向方位と平行であり、
前記反射領域の下記式（１）で表される液晶リタデーション値（Δｎｄ）は、３７５ｎｍ以上、４０５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の液晶表示装置。
液晶リタデーション値（Δｎｄ）＝液晶分子の屈折率異方性（Δｎ）×液晶層の厚さ（ｄ）　　式（１）
前記反射領域の液晶層の厚さは、前記透過領域の液晶層の厚さと等しいことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
前記反射領域の液晶層の厚さは、前記透過領域の液晶層の厚さと異なることを特徴とする請求項４又は５に記載の液晶表示装置。
前記第三電極は、前記第一基板に設けられ、
前記第一電極は、前記反射領域に少なくとも一つの第二線状電極部を有し、
前記第一線状電極部の延伸方向と前記第二線状電極部の延伸方向とが直交することを特徴とする請求項１～７のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記反射領域で前記第一電極と前記第三電極とは絶縁層を介して積層され、
前記第三電極は、面状電極であることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
前記反射領域で前記第一電極と前記第三電極とは、同一絶縁層上に形成され、
前記第三電極は、少なくとも一つの第三線状電極部を有し、前記第二線状電極部と、前記第三線状電極部とが対向するように配置されることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
前記第三電極は、前記液晶層を挟んで前記第一電極と対向するように前記第二基板に設けられ、
前記第三電極、及び、前記反射領域に形成された前記第一電極は、面状電極であることを特徴とする請求項１～７のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記第一線状電極部の幅は、１．５μｍ以下、３．８μｍ以上であることを特徴とする請求項１～１１のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記第一線状電極部の幅（Ｌ）と隣り合う第一線状電極部間の距離（Ｓ）との比（Ｌ／Ｓ比）は、０．１～０．４であるか、又は、１．７～４であることを特徴とする請求項１～１２のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記透過領域で前記第一電極と前記第二電極とは絶縁層を介して積層され、
前記第二電極は、面状電極であることを特徴とする請求項１～１３のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記透過領域で前記第一電極と前記第二電極とは、同一絶縁層上に形成され、
前記第二電極は、少なくとも一つの第四線状電極部を有し、
前記第一線状電極部と、前記第四線状電極部とが対向するように配置されることを特徴とする請求項１～１４のいずれかに記載の液晶表示装置。