WO2014024783A1 - 表示装置 - Google Patents

Abstract

　本発明は、シール材の未硬化に起因する不具合の発生と、アライメントずれに起因する不良品の発生とを抑制でき、更に、アライメントずれが発生した場合における個体間でのシール材の硬化時間及び消費電力のばらつきを小さくできる表示装置を提供する。本発明は、第１基板及び第２基板と、第１及び第２基板の間のシールとを備える表示装置であって、第１基板は、複数の導電層と、複数のバスラインと、対応するバスラインに各々接続された第１及び第２引き出し線（１８ａ）とを含み、第１及び第２引き出し線（１８ａ）は、それぞれ、シールの下に第１部分（１８ａａ）及び第２部分（１８ａｂ）を含み、第１及び第２部分（１８ａａ、ａｂ）は、互いに異なる導電層に設けられ、第１方向に延在し、第１及び第２部分（１８ａａ、ａｂ）の一方は、他方に部分的に重なり、第１部分（１８ａａ）に対する第２部分（１８ａｂ）の位置は、周期的に変化する表示装置である。

Description

表示装置

本発明は、表示装置に関する。より詳しくは、互いに対向する２つの基板間にシールを備えた表示装置に好適な表示装置に関するものである。

アクティブマトリクス型の表示装置（例えば、アクティブマトリクス型の液晶ディスプレイ）は、通常、複数の画素が配列された表示部と、その周囲の額縁部と、アクティブマトリクス基板（以下、アレイ基板とも言う。）とを備えている。アレイ基板は、一般的に、表示部に対応する領域（以下、表示領域とも言う。）内に、バスライン等の配線と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイッチング素子とを有し、額縁部に対応する領域（以下、額縁領域とも言う。）内に、バスラインに接続された引き出し線を有している。最近では、デザイン性の向上、装置の小型化等の観点から、額縁部を狭くすることが求められている。額縁部に関する技術としては、例えば、以下が挙げられる。

ゲート絶縁膜を挟んで互いに交差されるようにゲートライン及びデータラインが形成された表示領域と、表示領域の４辺を囲む第１、第２、第３、及び第４周辺領域を含む表示基板と、液晶を挟んで表示基板と対向する対向基板と、表示基板と対向基板との間のエッジに形成され表示基板と対向基板を結合させるシールラインと、ゲートラインの第１端部と隣接した表示基板の第１周辺領域に実装される駆動チップとを含む表示装置であって、表示基板は、データラインと駆動チップとを接続するために、ゲート絶縁膜を挟んで互いに交互に配置される第１及び第２データ信号印加線を含み、第１データ信号印加線は、シールラインが露出されるように一部領域が第２データ信号印加線と重なるように形成される表示装置が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。

また、配線基板と、対向基板と、シール材と、で囲まれた空間に封入された液晶を有した液晶表示装置であって、配線基板上には、シール材の内側に配置された表示領域に形成された複数の走査信号用配線と、表示領域に形成され、走査信号用配線とゲート絶縁膜を介して交差する複数の表示信号用配線と、表示領域の外側に配置されたコモン信号用配線と、が形成されている液晶表示装置が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。コモン信号用配線は、少なくとも２層の導電層を含み、シール材のパターン下において少なくとも１層の導電層のパターン幅が変化している。

更に、第１電極及び外部接続用端子を備えた第１基板と、第２電極を備えた第１基板とを環状のシール材によって接合して形成される液晶装置が開示されている（例えば、特許文献３参照。）。

特開２００８－１５２２６１号公報 特開２００７－４７２５９号公報 国際公開第９９／５２０１１号

図１９及び２０を参照して、本発明者らが検討を行った比較形態１に係る表示装置について説明する。

比較形態１に係る表示装置に含まれるアレイ基板は、図１９に示すように、引き出し線１０１８ａ、１０１８ｂを有している。引き出し線１０１８ａ、１０１８ｂは、額縁領域内において、交互に配置され、シール（図示せず）に覆われている。シールの材料（以下、シール材とも言う。）は、光硬化性（例えば紫外線硬化性）を有し、シールは、シール材の硬化物を含んでいる。引き出し線１０１８ａは、ゲートバスラインと同じ導電層に設けられており、引き出し線１０１８ｂは、ソースバスラインと同じ導電層に設けられている。

以下、ゲートバスラインを含む導電層をゲート層、ソースバスラインを含む導電層をソース層とも言う。

比較形態１によれば、全ての引き出し線が同じ導電層に設けられた場合に比べて、より狭い領域内に複数の引き出し線を配置することができ、額縁部をより狭くすることができる。しかしながら、比較形態１において、隣接する引き出し線が重なり合っていない場合、シール材を充分に硬化することができず、パネルの強度の低下、表示不良等の不具合が発生することがある。これは、光透過領域を充分に確保できず、アレイ基板側からシール材に光（例えば紫外線）を照射しても大部分の光は引き出し線に遮られてしまうためである。なお、アレイ基板側から光を照射するのは、アレイ基板に対向する対向基板には通常、ＢＭ等の遮光部材が形成されているためである。

他方、図２０に示すように、比較形態１において、隣接する引き出し線を完全に重なり合わせた場合は、光透過領域を確保することはできるが、個体（製品）によって、シール材の硬化時間、及び、消費電力が大きくばらついてしまう。これは、アレイ基板を製造する際のフォトリソ工程においてゲート層及び／又はソース層のアライメントが設計通りにいかなかった場合、個体によって、引き出し線１０１８ａと引き出し線１０１８ｂとが重なり合った領域の面積がばらつきやすく、また、引き出し線間の隙間の面積がばらつきやすいためである。また、図２０に示す場合は、隣接する引き出し線が完全に重なり合うため、寄生容量が大きくなり、消費電力が大きくなってしまう。

次に、図２１及び２２を参照して、本発明者らが検討を行った比較形態２、３に係る表示装置について説明する。

比較形態２に係る表示装置に含まれるアレイ基板は、図２１に示すように、引き出し線１１１８ａ、１１１８ｂを有し、比較形態３に係る表示装置に含まれるアレイ基板は、図２２に示すように、引き出し線１２１８ａ、１２１８ｂを有している。比較形態２、３は、引き出し線の平面パターンが異なることを除いて、比較形態１と実質的に同じである。引き出し線１１１８ｂは、引き出し線１１１８ａに部分的に重なっている。引き出し線１２１８ａは、ジグザグに折れ曲がっており、引き出し線１２１８ｂは、引き出し線１２１８ａに部分的に重なっている。引き出し線１２１８ｂは、引き出し線１２１８ａの一方の側方に位置する部分を有しているが、他方の側方に位置する部分は有していない。比較形態２、３によれば、隣接する引き出し線が部分的に重なり合うため、図２０に示した場合に比べて、寄生容量を小さくすることができる。また、光透過領域を確保することもできる。しかしながら、図２０に示した場合と同様に、アライメントずれが発生した場合における個体間でのシール材の硬化時間及び消費電力のばらつきが大きい。更に、アライメントずれが発生した場合、設計通りに作製された標準品に比べて寄生容量がより大きい製品が作製される可能性があり、不良品が生じる可能性がある。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、シール材の未硬化に起因する不具合の発生と、アライメントずれに起因する不良品の発生とを抑制でき、更に、アライメントずれが発生した場合における個体間でのシール材の硬化時間及び消費電力のばらつきを小さくできる表示装置を提供することを目的とするものである。

本発明者らは、上記現状に鑑みて、シール材の未硬化に起因する不具合の発生と、アライメントずれに起因する不良品の発生とを抑制でき、更に、アライメントずれが発生した場合における個体間でのシール材の硬化時間及び消費電力のばらつきを小さくできる表示装置について種々検討したところ、シールの下における引き出し線の平面パターンに着目した。そして、シールの下において、２つの引き出し線（第１及び第２引き出し線）にそれぞれ、第１部分及び第２部分を設け、第１及び第２部分を互いに異なる導電層に設け、第１及び第２部分を平面視において第１方向に延在させ、第１及び第２部分の一方を他方に部分的に重ねることにより、光透過領域を充分に確保できることを見いだした。また、第１部分が第２部分の一方の側方に位置する１以上の第３部分と、第２部分の他方の側方に位置する１以上の第４部分とを有するように第１部分を配置し、１以上の第３部分及び１以上の第４部分を第１方向において交互に配置し、第２部分が第１部分の一方の側方に位置する１以上の第５部分と、第１部分の他方の側方に位置する１以上の第６部分とを有するように第２部分を配置し、１以上の第５部分及び１以上の第６部分を第１方向において交互に配置することにより、設計通りに作製された標準品に比べて寄生容量がより大きい製品が作製されるのを防止でき、また、アライメントずれが発生した場合における個体間での光透過領域の面積及び寄生容量の大きさのばらつきを小さくできることを見いだした。以上の結果、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。

すなわち、本発明のある側面は、表示部と、
前記表示部内に配列された複数の画素と、
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に設けられたシールとを備える表示装置であって、
前記第１基板は、絶縁基板と、
前記絶縁基板上に設けられた複数の導電層と、
前記表示部に対応する領域（表示領域）内に設けられた複数のバスラインと、
前記領域（表示領域）外に設けられ、対応するバスラインに各々接続された複数の引き出し線とを含み、
前記複数の引き出し線は、第１引き出し線及び第２引き出し線を含み、
前記第１引き出し線及び前記第２引き出し線は、それぞれ、前記シールの下に第１部分及び第２部分を含み、
前記第１及び第２部分は、前記複数の導電層の内で互いに異なる層に設けられ、平面視において第１方向に延在し、
前記第１及び第２部分の一方は、前記第１及び第２部分の他方に部分的に重なり、
前記第１部分は、平面視において、前記第２部分の一方の側方に位置する１以上の第３部分と、前記第２部分の他方の側方に位置する１以上の第４部分とを含み、
前記１以上の第３部分及び前記１以上の第４部分は、前記第１方向において交互に配置され、
前記第２部分は、平面視において、前記第１部分の一方の側方に位置する１以上の第５部分と、前記第１部分の他方の側方に位置する１以上の第６部分とを含み、
前記１以上の第５部分及び前記１以上の第６部分は、前記第１方向において交互に配置される表示装置（以下、本発明に係る表示装置とも言う。）である。

本発明に係る表示装置は、このような構成要素を必須として含む限り、その他の構成要素により特に限定されるものではないが、前記第１基板は、前記絶縁基板上に設けられた１以上の絶縁膜を含んでもよく、前記複数の導電層と、前記１以上の絶縁膜とは、交互に積層されてもよい。前記１以上の絶縁膜の各々の機能は特に限定されないが、前記１以上の絶縁膜の各々は、通常、ゲート絶縁膜又は層間絶縁膜として機能する。

なお、本明細書においては、明確化の観点から、バスラインと引き出し線の境界を表示領域の輪郭線上に設定し、バスラインは、表示領域内にあるものとし、引き出し線は、額縁領域内にあるものとする。

本発明に係る表示装置における好ましい実施形態について以下に説明する。なお、以下の好ましい実施形態は、適宜、互いに組み合わされてもよく、以下の２以上の好ましい実施形態を互いに組み合わせた実施形態もまた、好ましい実施形態の一つである。

前記第１及び第２部分の少なくとも一方は、平面視において蛇行した状態で配置されてもよい。

寄生容量をより小さくする観点からは、前記第１及び第２部分は各々、平面視において蛇行した状態で配置されることが好ましい。

同様の観点からは、前記第１基板は、前記第１部分が設けられた導電層と、前記第２部分が設けられた導電層との間に、２以上の絶縁膜を含むことが好ましい。

前記第１及び第２部分の前記少なくとも一方は、平面視において波形状に形成されてもよい。これにより、第１及び／又は第２部分をダイツーダイ（Ｄｉｅ－ｔｏ－Ｄｉｅ）比較検査に好適なパターンに形成することができる。

前記波形の種類は特に限定されず、例えば、正弦波、のこぎり波、矩形波、三角波、台形波等が挙げられるが、なかでも、三角波、台形波が好適である。すなわち、前記第１及び第２部分の前記少なくとも一方は、平面視において台形波状又は三角波状に形成されることが好ましい。光透過領域を効率的に確保する観点からは、台形波状が好ましく、アライメントずれに起因する不具合を効果的に抑制する観点からは、三角波状が好ましい。他方、のこぎり波の場合は、鋭角的に折れ曲がった部分が形成され、矩形波の場合は、直角に折れ曲がった部分が形成される。そのため、のこぎり波状又は矩形波状の第１及び／又は第２部分が複数設けられた場合、折れ曲がった部分と、該折れ曲がった部分を含む第１又は第２部分に隣接する第１又は第２部分との間の間隔が狭くなるおそれがある。したがって、互いに隣接する第１又は第２部分間の間隔が狭くなるのを防止する観点からは、前記第１及び第２部分の前記少なくとも一方は、平面視において正弦波状、台形波状又は三角波状に形成されることが好ましい。

前記複数の引き出し線は、前記第１引き出し線を複数含み、
前記複数の第１引き出し線に含まれる複数の第１部分は、前記第１方向に直交する第２方向に並んで配置され、
前記複数の第１部分は各々、平面視において台形波状に形成され、前記第１方向に平行な平坦部と、前記第１方向に対して斜めに延在する傾斜部とを含み、
前記複数の第１部分に含まれる複数の平坦部の各々の一端は、同じ第１仮想線上に位置し、
前記複数の平坦部の各々の他端は、同じ第２仮想線上に位置し、
前記第１仮想線は、前記第２仮想線と実質的に平行であり、
前記第１方向と、前記複数の第１部分に含まれる複数の傾斜部とのなす角は各々、１５°以下であることが好ましい。
これにより、狭い領域に多数の引き出し線を効率的に配置することができる。また、各第１部分の幅と、隣接する第１部分間の各間隔とが場所によって変化するのを効果的に抑制することができる。

なお、この実施形態において、実質的に平行とは、第１仮想線の第２仮想線に対するなす角が０．１°以下であることを意味し、０．０３°以下であることが好ましい。また、前記複数の第１部分は各々、平面視において蛇行した状態で配置されてもよい。

また、前記なす角の上限値を１５°に設定した理由は、以下の通りである。
傾斜部の幅が平坦部の幅よりも０．１μｍ以上小さくならず、かつ、互いに隣接する第１部分の傾斜部間の間隔がそれらの平坦部間の間隔よりも０．１μｍ以上小さくならないようにするためには、前記なす角は、１１．ｘ°（≒１２°）以下に設定される必要がある。この０．１μｍという値は、製造工程で使用するマスクの設計において一般に用いられる図面上の最小単位であるため、０．１μｍ以上の寸法差がなければ設計寸法が実質的に異ならないことを意味する。したがって、傾斜部の幅を平坦部の幅と実質的に同じにし、かつ、傾斜部間の間隔を平坦部間の間隔と実質的に同じにするためには、前記なす角は、１２°以下であることが特に好ましい。そして、この１２°という角度に実用上の許容範囲を考慮して、１５°という上限値を設定した。

なお、前記なす角を１５°に設定した場合では、傾斜部の幅と平坦部の幅との差を０．１μｍ以下にすると、傾斜部間の間隔と平坦部間の間隔との差が０．１μｍ～０．２μｍ程度生じ、他方、傾斜部間の間隔と平坦部間の間隔との差を０．１μｍ以下にすると、傾斜部の幅と平坦部の幅との差が０．１μｍ～０．２μｍ程度生じる。しかしながら、この程度の差は、マスクの製造誤差（一般的には０．２μｍ～０．３μｍ）を考慮すると、実用上、許容範囲内である。

本発明によれば、シール材の未硬化に起因する不具合の発生と、アライメントずれに起因する不良品の発生とを抑制でき、更に、アライメントずれが発生した場合における個体間でのシール材の硬化時間及び消費電力のばらつきを小さくできる表示装置を実現することができる。

実施形態１の表示装置に含まれる液晶パネルの平面模式図である。 実施形態１の表示装置に含まれる引き出し線の平面模式図である。 実施形態１の表示装置に含まれる引き出し線の平面模式図である。 実施形態１の表示装置に含まれる引き出し線の平面模式図である。 図２中のＡ－Ｂ線における実施形態１の表示装置に含まれる液晶パネルの断面模式図である。 実施形態２の表示装置に含まれる引き出し線の平面模式図である。 実施形態１、２に係る引き出し線の平面パターンと、各パターンについて重なり面積及び光透過部面積を計測した結果とを示す。 比較形態１～３に係る引き出し線の平面パターンと、各パターンについて重なり面積及び光透過部面積を計測した結果とを示す。 実施形態３の表示装置に含まれる液晶パネルの平面模式図である。 実施形態４の表示装置に含まれる液晶パネルの平面模式図である。 実施形態４の表示装置に含まれる引き出し線の平面模式図である。 図１１中のＣ－Ｄ線における実施形態４の表示装置に含まれる液晶パネルの断面模式図である。 実施形態１～４の変形例に含まれる引き出し線の平面模式図である。 実施形態１～４の変形例に含まれる引き出し線の平面模式図である。 実施形態１～４の変形例に含まれる引き出し線の平面模式図である。 実施形態１～４の変形例に含まれる引き出し線の平面模式図である。 実施形態１～４の変形例に含まれる引き出し線の平面模式図である。 実施形態１～４の変形例に含まれる引き出し線の平面模式図である。 比較形態１の表示装置に含まれる引き出し線の平面模式図である。 比較形態１の表示装置に含まれる引き出し線の平面模式図である。 比較形態２の表示装置に含まれる引き出し線の平面模式図である。 比較形態３の表示装置に含まれる引き出し線の平面模式図である。

以下に実施形態を掲げ、本発明を図面に参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

各実施形態において、ソースバスラインを含む導電層をソース層、ゲートバスラインを含む導電層をゲート層とも言う。

また、各実施形態において、ｎ及びｍは各々、自然数を表す。

本明細書において、ある引き出し線（その部分を含む。）が平面視において蛇行した状態で配置されるとは、以下の状態を意味する。すなわち、ある引き出し線（その部分を含む。）の長手方向の仮想中心線と、第１方向（延在方向）に延在し、かつ、該仮想中心線に交差するある仮想線（直線）とを規定したときに、平面視において、該仮想中心線が、該仮想線の一方の側方に位置する１以上の第１線分と、該仮想線の他方の側方に位置する１以上の第２線分とを含み、該１以上の第１線分と、該１以上の第２線分とが第１方向（延在方向）において交互に配置されている状態を意味する。したがって、この状態において、前記引き出し線、又は、その部分は、例えば折れ線グラフや三角波、台形波のように直線的に折れ曲がっていてもよいし、例えば平滑線や正弦波のように曲線状に曲がっていてもよい。また、この状態において、前記引き出し線、又は、その部分の曲がり具合（例えば、折れ曲がる角度や曲率等）も特に限定されない。

（実施形態１）
図１～５を参照して、実施形態１の表示装置について説明する。まず、図１を参照して、実施形態１の表示装置の全体の構造について説明する。

実施形態１の表示装置は、アクティブマトリクス駆動方式、かつ、透過型の液晶ディスプレイであり、図１に示すように、液晶パネル１と、液晶パネル１の後方に配置されたバックライト（図示せず）と、液晶パネル１及びバックライトユニットを駆動及び制御する制御部（図示せず）と、液晶パネル１を制御部に接続するフレキシブル基板（図示せず）とを備えている。

液晶パネル１は、画像を表示する表示部２を含み、表示部２には、複数の画素３が配置されている。画素３は、行方向及び列方向にマトリクス状に配置されている。各画素３は、複数色（例えば、赤、緑及び青の３色）の縦長のサブ画素４から構成されている。

液晶パネル１は、アクティブマトリクス基板（アレイ基板）１０と、アレイ基板１０に対向する対向基板５０と、基板１０、５０の間に設けられた液晶層（図示せず）及びシール６２と、アレイ基板１０の液晶層側の表面上に設けられた配向膜（図示せず）と、対向基板５０の液晶層側の表面上に設けられた配向膜（図示せず）と、アレイ基板１０上に実装され、ソースドライバ及びゲートドライバとして機能するドライバチップ５とを有している。また、液晶パネル１、アレイ基板１０及び対向基板５０は、表示部２に対応する領域（表示領域）７と、表示領域７の周囲の領域（額縁領域）８とを含んでいる。なお、ドライバチップ５は、後述するソースバスライン及びゲートバスライン用の駆動回路である。

シール６２は、表示領域７を取り囲むように額縁領域８内に形成されている。また、シール６２は、基板１０、５０を互いに接着するとともに、液晶層を基板１０、５０の間に封止している。

シール６２の材料（シール材）の種類は特に限定されず、一般的なシール材を使用することができ、例えば、光硬化性を有さず、熱硬化性を有するシール材（以下、熱硬化型シール材とも言う。）、熱硬化性を有さず、光硬化性（例えば紫外線硬化性）を有するシール材（以下、光硬化型シール材とも言う。）、光硬化性（例えば紫外線硬化性）及び熱硬化性を有するシール材（以下、光・熱併用型シール材とも言う。）が挙げられる。液晶の注入方法として、滴下注入法（ＯＤＦ法）を採用する場合は、光硬化型シール材及び光・熱併用型シール材が好適であり、真空注入法を採用する場合は、熱硬化型シール材が好適である。シール材は一般的には、アクリル樹脂及び／又はエポキシ樹脂を含む。光・熱併用型シール材の具体例としては、例えば、エポキシアクリル系樹脂を主成分とするフォトレックＳシリーズ（積水化学工業社製）が挙げられる。

アレイ基板１０は、液晶ディスプレイの背面側に設けられ、対向基板５０は、観察者側に設けられている。各基板１０、５０の液晶層とは反対側の表面上には、偏光板（図示せず）が貼り付けられている。これらの偏光板は、通常はクロスニコルに配置されている。ドライバチップ５は、アレイ基板１０の対向基板５０に対向しない領域、すなわち対向基板５０からはみ出した領域（以下、張り出し領域とも言う。）にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）技術により実装されている。

アレイ基板１０は、張り出し領域内に形成された端子２６、２７ａ、２７ｂ、２８、２９、３０と、表示領域７を縦断するように設けられた少なくとも４ｍ本のソースバスライン１２ａ、１２ｂと、表示領域７を横断するように設けられた少なくとも２ｎ本のゲートバスライン１３と、表示領域７を横断するように設けられた少なくとも２ｎ本のコモンバスライン１７と、額縁領域８内に形成された少なくとも２ｍ本の引き出し線１８ａと、額縁領域８内に形成された少なくとも２ｍ本の引き出し線１８ｂと、額縁領域８内に形成された少なくとも２ｎ本の引き出し線１８ｃと、表示領域７を囲むように額縁領域８内に形成された共通幹配線１６と、額縁領域８内に形成された入力配線２５とを有している。各ゲートバスライン１３は、対応する引き出し線１８ｃ及び端子２６を介して、ドライバチップ５の第一出力部に接続されている。端子２８、３０が設けられた領域（図１中の太い二点鎖線で囲まれた領域）にフレキシブル基板が実装されている。ドライバチップ５は、複数の入力部を有し、各入力部には、フレキシブル基板、端子２８、入力配線２５及び端子２９を介して、制御部から、信号又は電力が供給される。共通幹配線１６には、フレキシブル基板及び端子３０を介して、制御部から共通信号が供給される。なお、共通信号とは、全ての画素に共通して印加される信号である。コモンバスライン１７は、額縁領域８内において共通幹配線１６に接続されており、コモンバスライン１７には、共通幹配線１６から共通信号が印加される。

ソースバスライン１２ａ及び１２ｂは、交互に配置されており、引き出し線１８ａ及び１８ｂは、それぞれ、表示領域７の上側及び下側に配置されている。各ソースバスライン１２ａは、対応する引き出し線１８ａ及び端子２７ａを介して、ドライバチップ５の第二出力部に接続されている。各引き出し線１８ａは、対応するソースバスラインからアレイ基板１０のエッジ１０ａに向かって延伸された後、エッジ１０ａに沿って張り出し領域に向かって延伸されている。各ソースバスライン１２ｂは、対応する引き出し線１８ｂ及び端子２７ｂを介して、ドライバチップ５の第三出力部に接続されている。各引き出し線１８ｂは、対応するソースバスラインからアレイ基板１０のエッジ１０ｂに向かって延伸された後、エッジ１０ｂに沿って張り出し領域に向かって延伸されている。エッジ１０ｂは、エッジ１０ａに対向するエッジである。各引き出し線１８ａ、１８ｂの少なくとも一部は、シール６２に覆われている。

ドライバチップ５から最も遠いソースバスラインを１番目のソースバスラインとすると、引き出し線１８ａは、４ｍ－３番目のソースバスラインに接続された引き出し線１８ａａと、４ｍ－１番目のソースバスラインに接続された引き出し線１８ａｂとを含んでいる。他方、引き出し線１８ｂは、４ｍ－２番目のソースバスラインに接続された引き出し線１８ｂａと、４ｍ番目のソースバスラインに接続された引き出し線１８ｂｂとを含んでいる。

各サブ画素４は、ソースバスライン１２ａ、１２ｂ及びコモンバスライン１７によって区画される領域（以下、サブ画素領域とも言う。）に対応している。

アレイ基板１０は、複数のＴＦＴ（図示せず）と、各ＴＦＴに接続された透明な画素電極（図示せず）とを有している。ＴＦＴ及び画素電極は、各サブ画素領域に設けられている。各ＴＦＴは、ソースバスライン１２ａ又は１２ｂと、ゲートバスライン１３とに接続されている。

各引き出し線１８ａａ、１８ｂａの少なくとも一部は、ソースバスライン１２ａ、１２ｂを含むソース層に設けられており、好ましくは、各引き出し線１８ａａ、１８ｂａの全部は、ソース層に設けられている。他方、各引き出し線１８ａｂ、１８ｂｂの少なくとも一部は、ゲートバスライン１３を含むゲート層に設けられている。好ましくは、各引き出し線１８ａｂ、１８ｂｂは、共通幹配線１６の外側に位置し、かつ、ゲート層に設けられた部分と、該部分及び対応するソースバスラインの間に位置し、かつ、ソース層に設けられた部分とを含み、これらの部分は、コンタクトホールを通して互いに接続されている。

引き出し線１８ｃは、ソース層に設けられた引き出し線と、ゲート層に設けられた引き出し線とを含み、これらは交互に配置されている。

図２～４を参照して、シール６２が存在する領域（図１中の太い破線で囲まれた領域）における引き出し線１８ａの平面パターンについて詳述する。引き出し線１８ｂについても引き出し線１８ａと同様に形成されているため、引き出し線１８ｂについての説明は省略する。

シール６２の下において、引き出し線１８ａａは、ゲート層に設けられ、引き出し線１８ａｂは、ソース層に設けられており、引き出し線１８ａｂは、引き出し線１８ａａに部分的に重なるように配置されている。図２～４に示すように、各引き出し線１８ａａ、１８ａｂは、左右方向（上記第１方向に対応する方向。以下、延在方向とも言う。）に延在しており、平面視において蛇行した状態で配置されている。延在方向は、アレイ基板１０のエッジ１０ａと実質的に平行である。複数の引き出し線１８ａａは、互いに実質的に平行となるように、延在方向に直交する方向（上記第２方向に対応する方向）に並んで配置され、複数の引き出し線１８ａｂは、互いに実質的に平行となるように、延在方向に直交する方向に並んで配置されている。

また、各引き出し線１８ａａ、１８ａｂは、平面視において波形状に形成されている。より詳細には、各引き出し線１８ａａ、１８ａｂは、平面視において台形波状に形成されており、延在方向に平行な複数の平坦部と、延在方向に対して斜めに延在する複数の傾斜部とを有している。

また、引き出し線１８ａａに対する引き出し線１８ａｂの位置が周期的に変化している。より詳細には、各引き出し線１８ａａは、平面視において、引き出し線１８ａｂの一方の側方（図２では上側）に位置する複数の部分４１ａ（上記第３部分に対応する部分）と、引き出し線１８ａｂの他方の側方（図２では下側）に位置する複数の部分４１ｂ（上記第４部分に対応する部分）とを有し、部分４１ａ、４１ｂは、延在方向において、交互に配置されている。また、各引き出し線１８ａｂは、平面視において、引き出し線１８ａａの一方の側方（図２では上側）に位置する複数の部分４２ａ（上記第５部分に対応する部分）と、引き出し線１８ａａの他方の側方（図２では下側）に位置する複数の部分４２ｂ（上記第６部分に対応する部分）とを有し、部分４２ａ、４２ｂは、延在方向において、交互に配置されている。このように、部分４１ａ及び４２ａは、それぞれ、引き出し線１８ａｂ及び１８ａａから上側にはみ出すように配置されており、部分４１ｂ及び４２ｂは、それぞれ、引き出し線１８ａｂ及び１８ａａから下側にはみ出すように配置されている。また、引き出し線１８ａａと引き出し線１８ａｂは、延在方向に平行な軸を中心にして一方を１８０°回転すると他方に完全に重なる関係にある。

各引き出し線１８ａａ、１８ａｂの幅は特に限定されず、適宜設定することができるが、例えば、図３及び４に示すように、３μｍに設定してもよい。引き出し線１８ａａ間の各々の間隔と、引き出し線１８ａｂ間の各々の間隔とは特に限定されず、適宜設定することができるが、例えば、図３及び４に示すように、５μｍに設定してもよい。平坦部間において、光透過部の幅は特に限定されず、適宜設定することができるが、例えば、図２に示すように、３μｍに設定してもよい。引き出し線１８ａｂの平坦部と、引き出し線１８ａａの平坦部とが互いに重なり合う領域の幅は特に限定されず、適宜設定することができるが、例えば、図２に示すように、１．５μｍに設定してもよい。平坦部の長さは特に限定されず、適宜設定することができるが、例えば、図３及び４に示すように、３０μｍに設定してもよい。また、平坦部を形成せずに、各引き出し線１８ａａ、１８ａｂを平面視において三角波状に形成してもよい。延在方向と、傾斜部とのなす角は特に限定されず、適宜設定することができるが、例えば、図３及び４に示すように、略３°に設定してもよい。

次に、図５を参照して、液晶パネル１の断面構造について詳述する。

図５に示すように、アレイ基板１０は、ガラス基板、プラスチック基板等の透明な絶縁基板１１を有している。絶縁基板１１上にはゲート層が形成されており、引き出し線１８ａｂの一部、引き出し線１８ｂｂの一部、ゲートバスライン１３、コモンバスライン１７、及び入力配線は、ゲート層に設けられている。また、図１に示したように、共通幹配線１６の引き出し線１８ａ、１８ｂに交差する部分（以下、下層部とも言う。）１６ａもゲート層に設けられている。ゲート層は、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、これらの合金等の材料を含む導電膜から形成されている。ゲート層は、これらの導電膜の積層膜から形成されてもよい。

ゲート層上には、ゲート絶縁膜３１が形成されている。ゲート絶縁膜３１は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン等の無機絶縁材料を含む絶縁膜から形成されている。ゲート絶縁膜３１は、これらの絶縁膜の積層膜を用いて形成されてもよい。

ゲート絶縁膜３１上には、半導体層（図示せず）が形成されている。半導体層の材料としては、例えば、シリコン等の１４属元素の半導体、酸化物半導体等が挙げられるが、なかでも酸化物半導体が好適である。酸化物半導体は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、アルミニウム（Ａｌ）及びシリコン（Ｓｉ）からなる群より選ばれる少なくとも一種の元素と、酸素（Ｏ）とを含むことが好ましく、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＯを含むことがより好ましい。酸化物半導体を用いた場合は、アモルファスシリコンを用いた場合に比べて、ＴＦＴの移動度を高くすることができる。そのため、精細度が高くなったとしても、すなわち、サブ画素（又は画素）当たりのＴＦＴのオン時間が短くなったとしても、液晶層に充分に電圧を印可することができる。また、酸化物半導体を用いた場合は、アモルファスシリコンを用いた場合に比べて、ＴＦＴのオフ状態でのリーク電流を減少することができる。そのため、高精細度の場合もそうでない場合も、低周波駆動、停止期間を設ける駆動等の駆動を採用でき、その結果、消費電力を低減することができる。半導体層の結晶性は特に限定されず、半導体層は、単結晶、多結晶、非晶質、又は、微結晶であってもよく、これらの２種以上の結晶構造を含んでもよい。

ゲート絶縁膜３１及び半導体層上にはソース層が形成されており、引き出し線１８ａａ、１８ｂａ、ソースバスライン１２ａ、１２ｂ及びＴＦＴのドレイン電極（図示せず）は、ソース層に設けられている。また、図１に示したように、共通幹配線１６の下層部１６ａ以外の部分であって、引き出し線１８ｃに交差する部分（以下、上層部とも言う。）１６ｂもソース層に設けられている。ソース層は、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、これらの合金等の材料を含む導電膜から形成されている。ソース層は、これらの導電膜の積層膜から形成されてもよい。

ソース層及び画素電極上には、層間絶縁膜３２が形成されている。層間絶縁膜３２は、無機絶縁膜３２ａと、無機絶縁膜３２ａ上に積層された有機絶縁膜３２ｂとを含んでいる。無機絶縁膜３２ａの材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン等の無機絶縁材料が挙げられる。有機絶縁膜３２ｂの材料としては、例えば、感光性アクリル樹脂等の感光性樹脂が挙げられる。層間絶縁膜３２は、有機絶縁膜３２ｂを含んでいなくてもよい。

画素電極は、層間絶縁膜３２上に形成されており、層間絶縁膜３２を貫通するコンタクトホール（図示せず）を通してドレイン電極に接続されている。画素電極の材料としては、例えば、インジウム酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電材料が挙げられる。なお、画素電極は、ゲート絶縁膜３１上に形成される場合もある。この場合、画素電極は、その一部がドレイン電極上に重畳することによってドレイン電極に接続される。

図２及び５に示すように、シール６２の下において、引き出し線１８ｂは、引き出し線１８ａに部分的に重なっている。

図１に示したように、共通幹配線１６の下層部１６ａ及び上層部１６ｂは、層間絶縁膜３２上に設けられた透明導電部材（図示せず）を介して互いに接続されている。より詳細には、透明導電部材は、ゲート絶縁膜３１及び層間絶縁膜３２を貫通するコンタクトホール３７を通して下層部１６ａに接続され、層間絶縁膜３２を貫通するコンタクトホール３８を通して上層部１６ｂに接続されている。

図５に示すように、対向基板５０は、ガラス基板、プラスチック基板等の透明な絶縁基板５１と、遮光部材として機能するブラックマトリクス（ＢＭ）５２と、複数色のカラーフィルタ（図示せず）と、複数の柱状のスペーサ（図示せず）とを有している。ＢＭ５２は、額縁領域８と、バスラインに対向する領域とを遮光するように形成されている。各カラーフィルタは、表示領域７内に設けられ、ＢＭ５２で区画された領域、すなわち、ＢＭ５２の開口を覆うように形成されている。対向基板５０は、全てのカラーフィルタを覆うオーバーコート膜を有していてもよい。柱状のスペーサは、ＢＭ５２上の遮光領域内に配置されている。

なお、本実施形態において、液晶モードは特に限定されないが、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ－ｄｏｍｅｉｎ　ＶＡ）モード等の縦電界を利用する液晶モードの場合、対向基板５０は、通常、ＢＭ５２及びカラーフィルタ上に、共通信号が印加される対向電極を有する。

本実施形態では、シール６２に重なる領域内において、引き出し線１８ａａ、１８ｂａは、ソース層に設けられており、引き出し線１８ａｂ、１８ｂｂは、ゲート層に設けられており、引き出し線１８ａｂ及び１８ｂｂは、それぞれ、引き出し線１８ａａ及び１８ｂａに部分的に重なっている。したがって、光透過領域を充分に確保することができる。

また、部分４１ａ、４１ｂは、延在方向において、交互に配置されており、部分４２ａ、４２ｂは、延在方向において、交互に配置されている。また、引き出し線１８ｂについても、引き出し線１８ａと同様に形成されている。そのため、ゲート層及び／又はソース層のアライメントずれが発生し、部分４１ａ及び４１ｂの一方の面積が減少したとしても、他方の面積が増加する。部分４２ａ、４２ｂについても同様のことが言える。したがって、設計通りに作製された標準品に比べて寄生容量がより大きい製品が作製されるのを防止でき、また、製品による特性値（例えば、光透過領域の面積、寄生容量の大きさ等）のばらつきを小さくすることができる。なお、延在方向と全く同じ方向にアライメントがずれた場合以外であれば、アライメントずれの方向に関わらずこれらの効果を奏することができる。

また、引き出し線１８ａａ及び１８ａｂの各々が蛇行した状態で配置されているため、本実施形態は、後述する実施形態２に比べて、寄生容量をより小さくすることができる。

更に、各引き出し線１８ａａ、１８ａｂは、平面視において波形状に形成されている。そのため、アレイ基板の検査工程において、隣接する同一パターン同士を比較するダイツーダイ比較検査を用いて、引き出し線１８ａａ、１８ａｂの欠陥（例えば、断線不良、リーク不良等）の有無を検査することができる。また、各引き出し線１８ａａ、１８ａｂは、同じ形状（繰り返し単位）が繰り返される形状（繰り返し形状）に形成されることがより好ましい。これにより、最小の繰り返し単位ごとに、又は、複数の繰り返し単位ごとに、ダイツーダイ比較検査を効率的に行うことができる。

そして、各引き出し線１８ａａ及び１８ａｂは、平面視において台形波状に形成され、平坦部を有する。そのため、本実施形態は、後述する実施形態２、５に比べて、各引き出し線が折れ曲がる回数を少なくすることができ、より大きな光透過領域を確保することができる。このパターンは、アレイ基板のエッジに沿う引き出し線部分のように、伸びる距離が長い引き出し線部分に好適である。

（実施形態２）
図６を参照して、実施形態２の表示装置について説明する。

本実施形態では、シールの下における引き出し線の平面パターンが異なることを除いて、実施形態１と実質的に同じである。したがって、本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態１と重複する内容については説明を省略する。

図６に示すように、本実施形態の表示装置は、引き出し線１８ａａ、１８ｂａに対応する引き出し線１１８ａと、引き出し線１８ａｂ、１８ｂｂに対応する引き出し線１１８ｂとを有している。シール（図示せず）の下において、引き出し線１１８ａは、ゲート層に設けられ、引き出し線１１８ｂは、ソース層に設けられており、引き出し線１１８ｂは、引き出し線１１８ａに部分的に重なっている。したがって、光透過領域を充分に確保することができる。

また、引き出し線１１８ｂは、三角波状に形成され、ジグザグに蛇行した状態で配置されているが、引き出し線１１８ａは、直線状に形成されている。各引き出し線１１８ｂは、延在方向に平行な平坦部を有さず、延在方向に対して斜めに延在する複数の傾斜部を有している。反対に、引き出し線１１８ａが三角波状に形成され、引き出し線１１８ｂが直線状に形成されてもよい。

また、引き出し線１１８ａに対する引き出し線１１８ｂの位置が周期的に変化している。より詳細には、引き出し線１１８ａは、平面視において、引き出し線１１８ｂの一方の側方（図６では上側）に位置する複数の部分１４１ａ（上記第３部分に対応する部分）と、引き出し線１１８ｂの他方の側方（図６では下側）に位置する複数の部分１４１ｂ（上記第４部分に対応する部分）とを有し、部分１４１ａ、１４１ｂは、延在方向において、交互に配置されている。また、引き出し線１１８ｂは、平面視において、引き出し線１１８ａの一方の側方（図６では上側）に位置する複数の部分１４２ａ（上記第５部分に対応する部分）と、引き出し線１１８ａの他方の側方（図６では下側）に位置する複数の部分１４２ｂ（上記第６部分に対応する部分）とを有し、部分１４２ａ、１４２ｂは、延在方向において、交互に配置されている。したがって、実施形態１と同様に、設計通りに作製された標準品に比べて寄生容量がより大きい製品が作製されるのを防止でき、また、製品による特性値（例えば、光透過領域の面積、寄生容量の大きさ等）のばらつきを小さくすることができる。

（実施形態１、２の効果の検証）
ここで、図７及び８を参照して、実施形態１、２の効果を検証した結果について説明する。図７及び８に、実施形態１、２及び比較形態１～３に係る引き出し線の平面パターンと、各パターンについて重なり面積及び光透過部面積を計測した結果とを示す。

比較形態１に係るパターンでは、ゲート層に設けられた引き出し線と、ソース層に設けられた引き出し線とがともに直線状に形成され、ソース層に設けられた引き出し線がゲート層に設けられた引き出し線に完全に重なっている。

比較形態２に係るパターンでは、ゲート層に設けられた引き出し線と、ソース層に設けられた引き出し線とがともに直線状に形成され、ソース層に設けられた引き出し線がゲート層に設けられた引き出し線に部分的に重なっている。

比較形態３に係るパターンでは、ゲート層に設けられた引き出し線がジグザグに形成され、ソース層に設けられた引き出し線が直線状に形成されている。ゲート層の引き出し線は、ソース層の引き出し線の右側に位置する部分を有するが、左側に位置する部分を有していない。また、ソース層の引き出し線は、ゲート層の引き出し線の左側に位置する部分を有するが、右側に位置する部分を有していない。

実施形態１に係るパターンでは、ゲート層に設けられた引き出し線と、ソース層に設けられた引き出し線とがともにジグザグに形成されている。実施形態２に係るパターンでは、ソース層に設けられた引き出し線がジグザグに形成され、ゲート層に設けられた引き出し線が直線状に形成されている。実施形態１、２では、ゲート層の引き出し線に対するソース層の引き出し線の位置が周期的に変化している。

各パターンにおいて、各引き出し線の幅は、３μｍに設定し、同じ層に設けられた引き出し線間の間隔は、３μｍに設定した。図７及び８中、重なり面積は、ゲート層の引き出し線と、ソース層の引き出し線とが互いに重なる領域の面積を示し、光透過部面積は、いずれの引き出し線も存在しない領域の面積を示す。ゲート層の引き出し線及びソース層の引き出し線によって形成される容量（寄生容量）の大きさは、重なり面積の大きさに比例する。

まず、図７及び８に図示された状態の各パターンについて重なり面積及び光透過部面積を計測した（Ｔｙｐの列を参照。）。この結果は、設計通りに作製された標準品における結果に相当する。そして、図７及び８に図示された状態からゲート層の引き出し線又はソース層の引き出し線を図７及び８の左右方向に所定の距離（アライメントズレ量の欄に記載の値）だけ移動させたパターンについて重なり面積及び光透過部面積を計測した。この結果は、アレイ基板を製造する際のフォトリソ工程においてゲート層及び／又はソース層のアライメントが設計通りにいかなかった製品における結果に相当する。

その結果、比較形態１に係るパターンでは、光透過部の面積は充分確保できるが、寄生容量が大きいため消費電力が大きくなることが分かった。

比較形態２、３に係るパターンでは、寄生容量を小さくでき、また、光透過部の面積を確保することができる。しかしながら、アライメントがずれた時の重なり面積及び光透過部面積の変化が大きいことが分かった。また、標準品に比べて寄生容量がより大きい製品が作製される可能性がある。例えば、重なり面積＝１３５μｍ^２の標準品が不良品でなく、重なり面積＝１５５μｍ^２の製品が不良品である場合、比較形態２、３ではアライメントずれに起因する不良品が発生する可能性がある。

実施形態１、２に係るパターンでは、光透過部の面積を確保できる。更に、アライメントがずれた時の重なり面積及び光透過部面積の変化も小さいことが分かった。また、アライメントがずれたとしても、標準品に比べて寄生容量がより大きい製品が作製されることがない。そのため、重なり面積＝１３５μｍ^２の標準品が不良品でない場合、実施形態１、２ではアライメントずれに起因する不良品が発生しない。

更に、図１９に示したパターンに比べて、実施形態１、２に係るパターンは、シール検査を実施しやすいという利点も有する。シール検査では、通常、シールの位置及び幅が適正であるか、シールが途切れていないか、シール材が充分に硬化しているか等をルーペ、顕微鏡等の観察機器で検査する。

そして、実施形態１に係るパターンは、実施形態２に係るパターンに比べて容量をより小さくすることができるので、実施形態１は、実施形態２よりも低消費電力化に有利であることが分かった。

（実施形態３）
図９を参照して、実施形態３の表示装置について説明する。

本実施形態では、上述の特徴的な引き出し線のパターンをソースバスライン用の引き出し線ではなく、ゲートバスライン用の引き出し線に適用している。なお、本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態１と重複する内容については説明を省略する。

本実施形態の表示装置に含まれる液晶パネル２０１は、表示部２０２を含み、表示部２０２には、複数の画素２０３が配置されている。各画素２０３は、複数色（例えば、赤、緑及び青の３色）の横長のサブ画素２０４から構成されている。

液晶パネル２０１は、アレイ基板２１０と、対向基板２５０と、シール２６２と、ソースドライバ及びゲートドライバとして機能するドライバチップ２０５とを有している。また、液晶パネル２０１、アレイ基板２１０及び対向基板２５０は、表示部２０２に対応する領域（表示領域）２０７と、表示領域２０７の周囲の領域（額縁領域）２０８とを含んでいる。

アレイ基板２１０は、少なくとも２ｍ本のソースバスライン２１２と、少なくとも４ｎ本のゲートバスライン２１３ａ、２１３ｂと、少なくとも４ｎ本のコモンバスライン２１７と、少なくとも２ｎ本の引き出し線２１８ａと、少なくとも２ｎ本の引き出し線２１８ｂと、少なくとも２ｍ本の引き出し線２１８ｃと、ゲート層に設けられた共通幹配線２１６とを有している。各ソースバスライン２１２は、対応する引き出し線２１８ｃに接続されている。図９中の太い二点鎖線で囲まれた領にフレキシブル基板が実装されている。

ゲートバスライン２１３ａ及び２１３ｂは、交互に配置されており、引き出し線２１８ａ及び２１８ｂは、それぞれ、表示領域２０７の右側及び左側に配置されている。各ゲートバスライン２１３ａは、対応する引き出し線２１８ａに接続されている。各引き出し線２１８ａは、対応するゲートバスラインからアレイ基板２１０のエッジ２１０ａに向かって延伸された後、エッジ２１０ａに沿って張り出し領域に向かって延伸されている。各ゲートバスライン２１３ｂは、対応する引き出し線２１８ｂに接続されている。各引き出し線２１８ｂは、対応するゲートバスラインからアレイ基板２１０のエッジ２１０ｂに向かって延伸された後、エッジ２１０ｂに沿って張り出し領域に向かって延伸されている。各引き出し線２１８ａ、２１８ｂの少なくとも一部は、シール２６２に覆われている。

ドライバチップから最も遠いゲートバスラインを１番目のゲートバスラインとすると、引き出し線２１８ａは、４ｎ－３番目のゲートバスラインに接続された引き出し線２１８ａａと、４ｎ－１番目のゲートバスラインに接続された引き出し線２１８ａｂとを含んでいる。他方、引き出し線２１８ｂは、４ｎ－２番目のゲートバスラインに接続された引き出し線２１８ｂａと、４ｎ番目のゲートバスラインに接続された引き出し線２１８ｂｂとを含んでいる。

各引き出し線２１８ａａ、２１８ｂａの少なくとも一部は、ソース層に設けられており、好ましくは、各引き出し線２１８ａａ、２１８ｂａのほとんど全部は、ソース層に設けられている。他方、各引き出し線２１８ａｂ、２１８ｂｂの少なくとも一部は、ゲート層に設けられている。好ましくは、各引き出し線２１８ａｂ、２１８ｂｂは、共通幹配線２１６の外側の部分（以下、外側部とも言う。）と、共通幹配線２１６に交差する部分（以下、交差部とも言う。）と、交差部及び対応するゲートバスラインの間の部分（以下、接続部とも言う。）とを含み、外側部は、ゲート層に設けられており、交差部は、ソース層に設けられており、接続部は、ゲート層に設けられており、外側部及び交差部は、コンタクトホールを通して互いに接続されており、交差部及び接続部は、コンタクトホールを通して互いに接続されている。

また、引き出し線２１８ｃは、ソース層に設けられた引き出し線と、ゲート層に設けられた引き出し線とを含み、これらは交互に配置されている。

本実施形態において、引き出し線２１８ａ、２１８ｂは、シール２６２の下において、実施形態１の引き出し線１８ａ、１８ｂと同様の平面パターンを有している。したがって、本実施形態においても、実施形態１と同様の効果を奏することができる。

（実施形態４）
図１０を参照して、実施形態４の表示装置について説明する。

本実施形態では、上述の特徴的な引き出し線のパターンをゲート層及びソース層ではなく、他の導電層に設けている。なお、本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態１と重複する内容については説明を省略する。

本実施形態の表示装置は、水平配向モードの液晶ディスプレイの一種であるフリンジフィールドスイッチング（ＦＦＳ：Ｆｒｉｎｇｅ　Ｆｉｅｌｄ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶ディスプレイである。水平配向モードでは、誘電率異方性が正又は負の液晶分子に対して基板面に水平方向（平行な方向）の電界（横電界）を印加して該液晶分子の配向を制御する。

本実施形態の表示装置に含まれる液晶パネル３０１は、表示部３０２を含み、図１０に示すように、液晶パネル３０１は、アレイ基板３１０と、対向基板３５０と、シール３６２と、アレイ基板３１０の液晶層側の表面上に設けられた水平配向膜（図示せず）と、対向基板３５０の液晶層側の表面上に設けられた水平配向膜（図示せず）と、ソースドライバ及びゲートドライバとして機能するドライバチップ３０５とを有している。また、液晶パネル３０１、アレイ基板３１０及び対向基板３５０は、表示部３０２に対応する領域（表示領域）３０７と、表示領域３０７の周囲の領域（額縁領域）３０８とを含んでいる。

アレイ基板３１０は、全てのサブ画素領域、すなわち表示領域３０７を覆うように形成された透明な共通電極３１５と、少なくとも４ｍ本のソースバスライン３１２ａ、３１２ｂと、少なくとも２ｎ本のゲートバスライン３１３と、少なくとも２ｎ本のコモンバスライン３１７と、少なくとも２ｍ本の引き出し線３１８ａと、少なくとも２ｍ本の引き出し線３１８ｂと、少なくとも２ｎ本の引き出し線３１８ｃと、共通幹配線３１６とを有している。各ゲートバスライン３１３は、対応する引き出し線３１８ｃに接続されている。図１０中の太い二点鎖線で囲まれた領域にフレキシブル基板が実装されている。

共通電極３１５には、各サブ画素領域内において、互いに平行なスリット（細長い開口、図示せず）が形成されている。共通電極３１５は、額縁領域３０８内において、共通幹配線３１６上に形成されたコンタクトホール３３６を通して共通幹配線３１６に接続されており、共通電極３１５には、共通幹配線３１６から共通信号が印加される。

また、コモンバスライン３１７は、共通電極３１５の直上又は直下に設けられており、共通電極３１５に直に接することによって、共通電極３１５に接続されている。コモンバスライン３１７は、共通電極３１５の抵抗を低減して、シャドーイング等の表示不良を抑制するために設けられている。

ドライバチップ３０５から最も遠いソースバスラインを１番目のソースバスラインとすると、引き出し線３１８ａは、４ｍ－３番目のソースバスラインに接続された引き出し線３１８ａａと、４ｍ－１番目のソースバスラインに接続された引き出し線３１８ａｂとを含んでいる。他方、引き出し線３１８ｂは、４ｍ－２番目のソースバスラインに接続された引き出し線３１８ｂａと、４ｍ番目のソースバスラインに接続された引き出し線３１８ｂｂとを含んでいる。

各引き出し線３１８ａａ、３１８ｂａの少なくとも一部は、コモンバスライン３１７を含む導電層（以下、コモン層とも言う。）に設けられている。好ましくは、各引き出し線３１８ａａ、３１８ｂａは、共通幹配線３１６の外側に位置し、かつ、コモン層に設けられた部分と、該部分及び対応するソースバスラインの間に位置し、かつ、ソース層に設けられた部分とを含み、これらの部分は、コンタクトホールを通して互いに接続されている。他方、各引き出し線３１８ａｂ、３１８ｂｂの少なくとも一部は、ゲート層に設けられている。好ましくは、各引き出し線３１８ａｂ、３１８ｂｂは、共通幹配線３１６の外側に位置し、かつ、ゲート層に設けられた部分と、該部分及び対応するソースバスラインの間に位置し、かつ、ソース層に設けられた部分とを含み、これらの部分は、コンタクトホールを通して互いに接続されている。

また、引き出し線３１８ｃは、コモン層に設けられた引き出し線と、ゲート層に設けられた引き出し線とを含み、これらは交互に配置されている。

図１１を参照して、シール３６２が存在する領域（図１０中の太い破線で囲まれた領域）における引き出し線３１８ａの平面パターンについて詳述する。引き出し線３１８ｂについても引き出し線３１８ａと同様に形成されているため、引き出し線３１８ｂについての説明は省略する。

シール３６２の下において、引き出し線３１８ａａは、ゲート層に設けられ、引き出し線３１８ａｂは、コモン層に設けられている。図１１に示すように、各引き出し線３１８ａａ、３１８ａｂは、左右方向（上記第１方向に対応する方向。以下、延在方向とも言う。）に延在しており、平面視において蛇行した状態で配置されている。複数の引き出し線３１８ａａは、互いに実質的に平行となるように、延在方向に直交する方向（上記第２方向に対応する方向）に並んで配置され、複数の引き出し線３１８ａｂは、互いに実質的に平行となるように、延在方向に直交する方向に並んで配置されている。

また、各引き出し線３１８ａａ、３１８ａｂ、平面視において台形波状に形成されており、延在方向に平行な複数の平坦部と、延在方向に対して斜めに延在する複数の傾斜部とを有している。

また、引き出し線３１８ａａに対する引き出し線３１８ａｂの位置が周期的に変化している。

平坦部間において、光透過部の幅は特に限定されず、適宜設定することができるが、例えば、図１１に示すように、３μｍに設定してもよい。引き出し線３１８ａｂの平坦部と、引き出し線３１８ａａの平坦部とが互いに重なり合う領域の幅は特に限定されず、適宜設定することができるが、例えば、図１１に示すように、１．５μｍに設定してもよい。

本実施形態では、シール３６２の下において、引き出し線３１８ａｂは、引き出し線３１８ａａに部分的に重なっている。また、引き出し線３１８ａａ、３１８ａｂは各々、平面視において蛇行した状態で配置されている。更に、引き出し線３１８ａに対する引き出し線３１８ｂの位置が周期的に変化している。したがって、本実施形態においても、実施形態１において説明した効果を奏することができる。

次に、図１２を参照して、液晶パネル３０１の断面構造について詳述する。

図１２に示すように、アレイ基板３１０は、透明な絶縁基板３１１を有している。絶縁基板３１１上にはゲート層が形成されており、引き出し線３１８ａｂの一部、引き出し線３１８ｂｂの一部及びゲートバスライン３１３は、ゲート層に設けられている。

ゲート層上には、ゲート絶縁膜３３１が形成されている。

ゲート絶縁膜３３１上には、半導体層（図示せず）が形成されている。

ゲート絶縁膜３３１及び半導体層上にはソース層が形成されており、各引き出し線の一部、ソースバスライン３１２ａ、３１２ｂ及びＴＦＴのドレイン電極（図示せず）は、ソース層に設けられている。

ソース層上には、層間絶縁膜３３２が形成されている。層間絶縁膜３３２は、無機絶縁膜３３２ａと、無機絶縁膜３３２ａ上に積層された有機絶縁膜３３２ｂとを含む。層間絶縁膜３３２は、有機絶縁膜３３２ｂを含んでいなくてもよい。

層間絶縁膜３３２上には、画素電極（図示せず）が形成されており、層間絶縁膜３３２を貫通するコンタクトホール（図示せず）を通してドレイン電極に接続されている。なお、画素電極は、ゲート絶縁膜３３１上に形成される場合もある。この場合、画素電極は、その一部がドレイン電極上に重畳することによってドレイン電極に接続される。

画素電極上には、層間絶縁膜３３４が形成されている。層間絶縁膜３３４の材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン等の無機絶縁材料が挙げられる。

共通電極３１５及びコモン層は、層間絶縁膜３３４上に設けられている。引き出し線３１８ａａの少なくとも一部、引き出し線３１８ｂａの少なくとも一部及びコモンバスライン３１７は、コモン層に設けられている。共通電極３１５の材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電材料が挙げられる。コモン層は、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、これらの合金等の材料を含む導電膜から形成されている。コモン層は、これらの導電膜の積層膜から形成されてもよい。

共通電極３１５及びコモン層の配置場所は、画素電極の配置場所と入れ替わってもよい。この場合、各サブ画素領域内の互いに平行なスリットは、共通電極３１５ではなく、画素電極に形成される。

本実施形態では、シール３６２の下において、引き出し線３１８ａと引き出し線３１８ｂとの間に、ゲート絶縁膜３３１に加えて少なくとも層間絶縁膜３３２（好ましくは層間絶縁膜３３２及び３３４）が配置されている。したがって、実施形態１に比べて、寄生容量をより小さくすることができる。

以下、本実施形態の変形例について説明する。

ゲート層に設けられた引き出し線は、ソース層に設けられてもよい。

特にシール３６２に重ならない領域内には、ゲート層、ソース層及びコモン層にそれぞれ設けられた３種類の引き出し線が配置されてもよい。

本実施形態のように、ＦＦＳ方式等の横電界の表示方式においては、コモン層に設けられた引き出し線は、コモン層の代わりに、共通電極を含む導電層に設けられてもよい。この場合、共通電極を含む導電層は、Ｍｏ等の材料を含む導電膜から形成されることが好ましい。また、この場合は、コモンバスラインを省略してもよい。

本実施形態の表示装置は、反射型の液晶ディスプレイ、又は、有機ＥＬディスプレイであってもよく、コモン層に設けられた引き出し線は、画素電極を含む導電層に設けられてもよい。この場合、画素電極を含む導電層は、Ａｌ、銀（Ａｇ）等の材料を含む導電膜から形成されることが好ましい。

以下、各実施形態における変形例について説明する。
図１３～１８に示す変形例は、シールの下における引き出し線の平面パターンが異なることを除いて、各実施形態と実質的に同じである。

図１３に示すように、各実施形態の表示装置は、引き出し線４１８ａ、４１８ｂを有してもよい。シール（図示せず）の下において、引き出し線４１８ａは、より下層の導電層に設けられており、引き出し線４１８ｂは、より上層の導電層に設けられている。各引き出し線４１８ａ、４１８ｂは、左右方向（上記第１方向に対応する方向。以下、延在方向とも言う。）に延在しており、平面視において蛇行した状態で配置されている。

各引き出し線４１８ａ、４１８ｂは、平面視において三角波状に形成されている。各引き出し線４１８ａ、４１８ｂは、延在方向に平行な平坦部を有さず、延在方向に対して斜めに延在する複数の傾斜部を有している。各引き出し線の折れ曲がる角度は特に限定されず、適宜設定することができるが、例えば、図１４に示すように、略１７４°に設定してもよい。

各引き出し線４１８ａ、４１８ｂは、平面視において三角波状に形成され、平坦部を有さないため、本変形例は、図２に示した場合に比べて、折れ曲がる回数を多くすることができ、また、引き出し線４１８ａに対する引き出し線４１８ｂの位置の変化の周期をより小さくすることができる。その結果、アライメントずれに起因する製品による特性値のばらつきをより効果的に小さくすることができる。このパターンは、シールのコーナー部近傍の引き出し線部分のように、同じ延在方向に伸びる距離が短く、かつ、多段階に折れ曲がる引き出し線部分に好適である。なお、引き出し線が多段階に折れ曲がるとは、その延在方向が狭い領域内で度々変わることを意味する。

図１５に示すように、各実施形態の表示装置は、引き出し線５１８ａ、５１８ｂを有してもよい。シール（図示せず）の下において、引き出し線５１８ａは、より下層の導電層に設けられており、引き出し線５１８ｂは、より上層の導電層に設けられている。各引き出し線５１８ａ、５１８ｂは、左右方向（上記第１方向に対応する方向。以下、延在方向とも言う。）に延在しており、平面視において蛇行した状態で配置されている。

また、各引き出し線５１８ａ、５１８ｂは、平面視において台形波状に形成されており、延在方向に平行な複数の平坦部と、延在方向に対して斜めに延在する複数の傾斜部とを有している。

図２に示した場合では、互いに隣接する引き出し線１８ａａ、１８ａｂは、平坦部において、互いに重なっていた。他方、本変形例では、引き出し線５１８ａの平坦部は、それに隣接する引き出し線５１８ｂの平坦部に重なっていない。平坦部間の各隙間の大きさは特に限定されず、適宜設定することができるが、例えば、図１５に示すように、０．５μｍに設定してもよい。

図１６に示すように、各実施形態の表示装置は、引き出し線６１８ａ、６１８ｂを有してもよい。シール（図示せず）の下において、引き出し線６１８ａは、より下層の導電層に設けられており、引き出し線６１８ｂは、より上層の導電層に設けられている。各引き出し線６１８ａ、６１８ｂは、左右方向（上記第１方向に対応する方向。以下、延在方向とも言う。）に延在しており、平面視において蛇行した状態で配置されている。

また、各引き出し線６１８ａ、６１８ｂは、平面視において台形波状に形成されており、延在方向に平行な複数の平坦部と、延在方向に対して斜めに延在する複数の傾斜部とを有している。本変形例では、延在方向と、傾斜部とのなす角は、略１２°に設定されている。

図１７に示すように、各実施形態の表示装置は、引き出し線７１８ａ、７１８ｂを有してもよい。シール（図示せず）の下において、引き出し線７１８ａは、より下層の導電層に設けられており、引き出し線７１８ｂは、より上層の導電層に設けられている。各引き出し線７１８ａ、７１８ｂは、左右方向（上記第１方向に対応する方向。以下、延在方向とも言う。）に延在しており、平面視において蛇行した状態で配置されている。

また、各引き出し線７１８ａ、７１８ｂは、平面視において台形波状に形成されており、延在方向に平行な複数の平坦部と、延在方向に対して斜めに延在する複数の傾斜部とを有している。本変形例では、延在方向と、傾斜部とのなす角は、略４５°に設定されている。

本変形例のように、各引き出し線の折れ曲がる角度を大きくすくと、同じ導電層に設けられた引き出し線の傾斜部間の間隔が狭くなる。例えば、引き出し線７１８ａの平坦部間の各間隔と、引き出し線７１８ｂの平坦部間の各間隔とを５μｍに設定した場合、引き出し線７１８ａの傾斜部間の各間隔と、引き出し線７１８ｂの傾斜部間の各間隔は、４．１μｍと狭くなってしまう。

傾斜部間の間隔が小さくなるのを防止する観点からは、各実施形態の表示装置は、図１８に示すように、引き出し線８１８ａ、８１８ｂを有してもよい。シール（図示せず）の下において、引き出し線８１８ａは、より下層の導電層に設けられており、引き出し線８１８ｂは、より上層の導電層に設けられている。各引き出し線８１８ａ、８１８ｂは、左右方向（上記第１方向に対応する方向。以下、延在方向とも言う。）に延在しており、平面視において蛇行した状態で配置されている。

また、各引き出し線８１８ａ、８１８ｂは、平面視において台形波状に形成されており、延在方向に平行な複数の平坦部と、延在方向に対して斜めに延在する複数の傾斜部とを有している。

本変形例では、同じ導電層に設けられた複数の引き出し線において傾斜部の位置が徐々に変化しており、これにより、傾斜部間の間隔を確保している。また、各引き出し線は、長さが互いに異なる２種類の平坦部を含み、同じ導電層に設けられた複数の引き出し線において２種類の平坦部の長さの配分が異なっている。

ただし、各実施形態の表示装置においては、数百～数千本の引き出し線が形成されることが多いため、額縁領域が狭い場合は、本変形例をレイアウトできない場合もある。したがって、狭い領域に多数の引き出し線を効率的に配置し、各引き出し線の幅と、同じ層に設けられた引き出し線間の各間隔とが場所によって変化するのを効果的に抑制する観点からは、図１７に示したように、同じ導電層に設けられた引き出し線に含まれる複数の平坦部の各々の一端は、同じ仮想線（直線）４３上に位置し、他端は、同じ仮想線（直線）４４上に位置し、仮想線４３は、仮想線４４と実質的に平行であることが好ましく、図１６に示したように、延在方向と、各傾斜部とのなす角は、１５°以下であることが好ましい。なお、仮想線４３が仮想線４４と実質的に平行であるとは、仮想線４３の仮想線４４に対するなす角が０．１°以下であることを意味し、０．０３°以下であることが好ましい。

各実施形態において、引き出し線のパターンは、引き出し線の本数（解像度）、パネルサイズ、額縁領域の幅等に応じて適宜変形することができる。

また、各実施形態において、上述の特徴的な引き出し線のパターンは、少なくともシール形成部に形成されていればよく、シール形成部以外において、引き出し線のパターンは特に限定されない。例えば、上述の特徴的なパターンに図１９に示したパターンを組み合わせてもよいし、上述の特徴的なパターンに１つの導電層（例えば、ゲート層又はソース層）のみに設けられた引き出し線のパターンを組み合わせてもよい。

また、各実施形態では、アレイ基板のエッジに沿って張り出し領域に延伸された引き出し線（例えば、引き出し線１８ａ、１８ｂ等）が表示領域の上下又は左右に配置されていたが、表示領域の一側方（例えば上側、下側、右側又は左側）のみに配置されてもよい。例えば、実施形態１において、ソースバスラインに接続された引き出し線は全て、表示領域の上側に配置されてもよい。

また、各実施形態の表示装置は、モノクロ表示装置であってもよく、その場合は、各画素を複数のサブ画素に分割する必要はない。

また、各実施形態では、液晶ディスプレイについて主に説明したが、本発明に係る表示装置の種類は液晶ディスプレイに特に限定されない。例えば、マイクロカプセル型電気泳動方式の電子ペーパや、有機又は無機ＥＬディスプレイ等であってもよい。

より詳細には、各実施形態の表示装置は、上記第１基板に対応し、一般的な有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ基板と、上記第２基板に対応し、有機ＥＬ基板に対向する対向基板と、有機ＥＬ基板及び対向基板の間に設けられたシールとを有する有機ＥＬディスプレイであってもよい。一般的な有機ＥＬ素子は、水分や酸素等により劣化しやすい。そこで、有機ＥＬ素子の保護のために、対向基板及びシールを設け、有機ＥＬ基板及び対向基板の間を密閉している。ここで、シールの材料としては、例えば、フリットガラス等が挙げられる。更に、両基板の接着強度を向上する観点から、シールは、フリットガラスが硬化した部分と、樹脂が硬化した部分とを含んでもよい。この樹脂部分は、フリットガラス部分の内側及び外側（すなわち、表示領域側及び基板のエッジ側）のいずれか一方側又は両側に設けられる。樹脂の具体例としては、例えば、光硬化性及び／又は熱硬化性のエポキシ樹脂、光硬化性及び／又は熱硬化性のアクリル樹脂、このような樹脂を含む組成物等が挙げられる。

また、各実施形態に適用可能な液晶ディスプレイの表示方式も特に限定されず、適宜、設定することができる。例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）方式、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ－Ｄｏｍｅｉｎ　Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式、櫛歯構造を各々有する共通電極及び画素電極を用いた面内スイッチング（ＩＰＳ：Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式、ＴＢＡ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ　Ｂｅｎｄ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式等の表示方式であってもよい。なお、ＴＢＡ方式においては、液晶層は、負の誘電率異方性を有するネマチック液晶分子を含み、該液晶分子は、電圧無印加時、垂直配向し、アレイ基板は、一対の電極（例えば、櫛歯構造を各々有する共通電極及び画素電極）を含み、該電極の間に発生する横電界によって液晶分子をベンド状に配向させる。なかでも、液晶ディスプレイの表示方式としては、アレイ基板が、透明な共通電極と、透明な画素電極と、両電極間の誘電体とを備え（以下、このような構造を透明Ｃｓ構造とも言う。）、これらの部材によって保持容量が形成される表示方式が好適であり、そのような表示方式としては、例えば、透明Ｃｓ構造を備えたＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ　Ｐｉｎｗｈｅｅｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式が挙げられる。なお、透明Ｃｓ構造を備えたＣＰＡ方式においては、液晶層は、負の誘電率異方性を有するネマチック液晶分子を含み、該液晶分子は、電圧無印加時、垂直配向し、アレイ基板は、透明な共通電極と、該共通電極上の層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上の透明な画素電極とを備え、対向基板は、画素電極に対向する透明な対向電極と、該対向電極上に設けられた点状の突起（リベット）とを備え、該画素電極と該対向電極との間に発生する縦電界によって突起を中心に液晶分子を放射状に配向させる。なお、点状の突起（リベット）を形成する代わりに、対向電極に円形、十字型、多角形等の形状の開口を形成することによって、該開口を中心に液晶分子を放射状に配向させることもできる。

また、各実施形態では、透過型の液晶ディスプレイについて説明したが、各液晶ディスプレイの液晶パネルは、外光を反射することで表示を行う反射表示部を備えていてもよい。

更に、上述した実施形態は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、適宜組み合わされてもよい。また、各実施形態の変形例は、他の実施形態に組み合わされてもよい。

１、２０１、３０１：液晶パネル
２、２０２、３０２：表示部
３、２０３：画素
４、２０４：サブ画素
５、２０５、３０５：ドライバチップ
７、２０７、３０７：表示領域
８、２０８、３０８：額縁領域
１０、２１０、３１０：アクティブマトリクス基板（アレイ基板）
１０ａ、１０ｂ、２１０ａ、２１０ｂ：エッジ
１１、５１、３１１：絶縁基板
１２ａ、１２ｂ、２１２、３１２ａ、３１２ｂ：ソースバスライン
１３、２１３ａ、２１３ｂ、３１３：ゲートバスライン
３１５：共通電極
１６、２１６、３１６：共通幹配線
１６ａ：下層部
１６ｂ：上層部
１７、２１７、３１７：コモンバスライン
１８ａ、１８ａａ、１８ａｂ、１８ｂ、１８ｂａ、１８ｂｂ、１８ｃ、１１８ａ、１１８ｂ、２１８ａ、２１８ａａ、２１８ａｂ、２１８ｂ、２１８ｂａ、２１８ｂｂ、２１８ｃ、３１８ａ、３１８ａａ、３１８ａｂ、３１８ｂ、３１８ｂａ、３１８ｂｂ、３１８ｃ、４１８ａ、４１８ｂ、５１８ａ、５１８ｂ、６１８ａ、６１８ｂ、７１８ａ、７１８ｂ、８１８ａ、８１８ｂ：引き出し線
２５：入力配線
２６、２７ａ、２７ｂ、２８、２９、３０：端子
３１、３３１：ゲート絶縁膜
３２、３３２、３３４：層間絶縁膜
３２ａ、３３２ａ：無機絶縁膜
３２ｂ、３３２ｂ：有機絶縁膜
３７、３８、３３６：コンタクトホール
４１ａ、４１ｂ、４２ａ、４２ｂ、１４１ａ、１４１ｂ、１４２ａ、１４２ｂ：部分
４３、４４：仮想線
５０、２５０、３５０：対向基板
５２：ブラックマトリクス（ＢＭ）
６２、２６２、３６２：シール

Claims (7)

1. 表示部と、
   前記表示部内に配列された複数の画素と、
   第１基板と、
   前記第１基板に対向する第２基板と、
   前記第１基板及び前記第２基板の間に設けられたシールとを備える表示装置であって、
   前記第１基板は、絶縁基板と、
   前記絶縁基板上に設けられた複数の導電層と、
   前記表示部に対応する領域内に設けられた複数のバスラインと、
   前記領域外に設けられ、対応するバスラインに各々接続された複数の引き出し線とを含み、
   前記複数の引き出し線は、第１引き出し線及び第２引き出し線を含み、
   前記第１引き出し線及び前記第２引き出し線は、それぞれ、前記シールの下に第１部分及び第２部分を含み、
   前記第１及び第２部分は、前記複数の導電層の内で互いに異なる層に設けられ、平面視において第１方向に延在し、
   前記第１及び第２部分の一方は、前記第１及び第２部分の他方に部分的に重なり、
   前記第１部分は、平面視において、前記第２部分の一方の側方に位置する１以上の第３部分と、前記第２部分の他方の側方に位置する１以上の第４部分とを含み、
   前記１以上の第３部分及び前記１以上の第４部分は、前記第１方向において交互に配置され、
   前記第２部分は、平面視において、前記第１部分の一方の側方に位置する１以上の第５部分と、前記第１部分の他方の側方に位置する１以上の第６部分とを含み、
   前記１以上の第５部分及び前記１以上の第６部分は、前記第１方向において交互に配置される表示装置。
2. 前記第１及び第２部分は各々、平面視において蛇行した状態で配置される請求項１記載の表示装置。
3. 前記第１基板は、前記第１部分が設けられた導電層と、前記第２部分が設けられた導電層との間に、２以上の絶縁膜を含む請求項１又は２記載の表示装置。
4. 前記第１及び第２部分の前記少なくとも一方は、平面視において波形状に形成される請求項１～３のいずれかに記載の表示装置。
5. 前記第１及び第２部分の前記少なくとも一方は、平面視において台形波状に形成される請求項４記載の表示装置。
6. 前記複数の引き出し線は、前記第１引き出し線を複数含み、
   前記複数の第１引き出し線に含まれる複数の第１部分は、前記第１方向に直交する第２方向に並んで配置され、
   前記複数の第１部分は各々、平面視において台形波状に形成され、前記第１方向に平行な平坦部と、前記第１方向に対して斜めに延在する傾斜部とを含み、
   前記複数の第１部分に含まれる複数の平坦部の各々の一端は、同じ第１仮想線上に位置し、
   前記複数の平坦部の各々の他端は、同じ第２仮想線上に位置し、
   前記第１仮想線は、前記第２仮想線と実質的に平行であり、
   前記第１方向と、前記複数の第１部分に含まれる複数の傾斜部とのなす角は各々、１５°以下である請求項１～５のいずれかに記載の表示装置。
7. 前記第１及び第２部分の前記少なくとも一方は、平面視において三角波状に形成される請求項４記載の表示装置。

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