JP2010066439A - 液晶表示装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】一対の基板を貼り合わせるシール材に照射光を十分に照射でき、しかもシール材の全体に渡ってより均一に照射光を照射してシール材を完全に硬化させて表示特性の向上した液晶表示装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、表示部とその周囲の周辺部とを備える第１基板と、第１基板の表示部に形成される液晶層と、第１基板の周辺部に形成されるシール材１４と、第１基板との間に液晶層を挟持して、シール材１４で第１基板と貼り合わされる第２基板と、第１基板の周辺部に対向する第２基板上、或いは第１基板の周辺部の少なくともどちらか一方に形成される配線２６と、を含み、配線２６がシール材１４とオーバーラップする領域には、シール材１４に沿って複数の開口部７４が規則的に配置され、開口部７４の形状は少なくとも一つの内角が優角である多角形の平面形状である。
【選択図】図７

Description

本発明は、液晶表示装置及び電子機器に関するものである。

液晶表示装置を製造するための従来の液晶注入方法は、２つの基板に液晶物質の液晶分子を配向するための配向膜を塗布して配向処理を実施した後、液晶注入口を有する密封材を周囲に印刷する。次に、２つの基板を位置合わせした後、ホットプレス工程によって２つの基板を結合して、液晶注入口を通じて２つの基板の間に液晶物質を注入し、液晶注入口を封止して液晶セルを作製する。しかし、最近は液晶滴下注入（ＯＤＦ：One Drop Fill）方法が使用されている。これは、密封材を使用して所定の閉郭状枠組のアクティブ領域に液晶を滴下した後、真空状態でアセンブリーして密封材を硬化する方法である。

しかし、このような液晶滴下注入方法は、液晶が封入された状態で密封材を硬化する方法であるので、液晶の物性変形を防止するために常温硬化をしなければならない。従って、ここでは紫外光（Ultra violet）硬化用密封材を使用する。そして、紫外光が密封材に届くようにするために密封材の上部又は下部に光を遮断する遮断膜がないことが好ましい。ところが、色フィルター基板のブラックマトリックスが密封材の上で紫外光を一部遮断し、薄膜トランジスタ基板の金属パターンが紫外光の反射光を一部遮断することによって密封材の硬化を妨げる。その結果、密封材の未硬化による液晶表示装置の品質不良を生じさせて、表示特性の低下を招く。

一方、光硬化性物質からなる密封材を確実に硬化するためには、光が密封材に直接照射されなければならない。そのために、従来は、第２基板の周辺部に形成されるブラックマトリックスの幅を減少させる構造を採用していた。このようなブラックマトリックスは、第１基板の非有効ディスプレイ領域を通過して映像情報を含まない光を遮断することによって、液晶表示装置の表示品質を向上させる役目をする。従って、ブラックマトリックスの幅が減少すれば、液晶表示装置の周辺領域から漏れる光によって光漏れ現象が発生する。この光漏れ現象によって液晶表示装置の表示品質が低下する問題がある。

これを解決する構造として、紫外光を遮蔽する配線に開口部を設ける技術が開示されている（例えば、特許文献１及び２参照）。しかし、形状は特定されていない。

特開２００２−３１１４３９号公報 特開２００３−４３４６２号公報

しかしながら、配線を細くすると、配線上に開口部を設けることにより配線抵抗が上昇し駆動用の信号が適正に伝達されず、クロストーク等の表示不具合を生じるおそれがある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］表示部とその周囲の周辺部とを備える第１基板と、前記第１基板の前記表示部に形成される液晶層と、前記第１基板の前記周辺部に形成されるシール材と、前記第１基板との間に前記液晶層を挟持して、前記シール材で前記第１基板と貼り合わされる第２基板と、前記第１基板の前記周辺部に対向する前記第２基板上、或いは前記第１基板の前記周辺部の少なくともどちらか一方に形成される配線と、を含み、前記配線が前記シール材とオーバーラップする領域には、該シール材に沿って複数の開口部が規則的に配置され、該開口部の形状は少なくとも一つの内角が優角である多角形の平面形状であることを特徴とする液晶表示装置。

これによれば、開口部の形状が同一の面積を有する四角形（正方形、長方形）に対して周辺長が増加することにより光の回り込み（回折）領域が増え、照射範囲を増やすことができる。言い換えれば、同じ照射範囲ならば開口部の面積を小さくすることができる。配線抵抗が開口部を設けることにより上昇することを抑制することができるので、一対の基板を貼り合わせるシール材に照射光を十分に照射でき、しかもシール材の全体に渡ってより均一に照射光を照射してシール材を完全に硬化させて表示特性の向上した液晶表示装置を提供する。

［適用例２］上記液晶表示装置であって、前記開口部の形状は少なくとも一つの凸状端部を有する多角形の平面形状であることを特徴とする液晶表示装置。

これによれば、開口部の形状に凸状端部を有することにより、開口部の平面形状を内角が優角である多角形に容易に形成できる。

［適用例３］上記液晶表示装置であって、前記開口部の形状は十字形の平面形状であることを特徴とする液晶表示装置。

これによれば、開口部の形状に十字形を有することにより、開口部の平面形状を内角が優角である多角形に容易に形成できる。

［適用例４］上記に記載の液晶表示装置を表示部に搭載したことを特徴とする電子機器。

これによれば、開口部の形状が同一の面積を有する四角形（正方形、長方形）に対して周辺長が増加することにより光の回り込み（回折）領域が増え、照射範囲を増やすことができる。言い換えれば、同じ照射範囲ならば開口部の面積を小さくすることができる。配線抵抗が開口部を設けることにより上昇することを抑制する液晶表示装置を表示部に搭載するので、電子機器の表示品質を向上できる。

以下、図面を参照し、液晶表示装置の実施形態について説明する。尚、各実施形態で参照する図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示している。

（第１の実施形態）
先ず、本実施形態の液晶表示装置について、図１〜図４を参照して説明する。
図１は、本実施形態に係る液晶表示装置２の概略構成を示す図である。同図（Ａ）は概略平面図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）のＩ−Ｉ’線で切った概略断面図である。

本実施形態に係る液晶表示装置２は、図１（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、対向する一対の基板の一方の基板としての素子基板（第１基板）１０及び他方の基板としての対向基板（第２基板）１２を備えている。素子基板１０は、表示部Ｅとその周囲の周辺部７０とを備えている。対向基板１２は、所定の位置で一回り大きいサイズの素子基板１０とシール材１４を介して接合されている。シール材１４は、素子基板１０の周辺部７０に形成されている。

シール材１４を介した素子基板１０と対向基板１２との隙間（ギャップ）に、正の誘電異方性を有する液晶が充填され液晶層１６を構成している。即ち、素子基板１０と対向基板１２とにより液晶層１６を挟持している。液晶層１６は、素子基板１０の表示部Ｅに形成されている。対向基板１２と素子基板１０との間隔は柱状のスペーサ１８（図３参照）によって保持されている。尚、液晶層１６は誘電率異法性が正負のいずれの液晶材料を用いてもよい。

シール材１４の外側は、周辺回路領域であり、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路２０及び外部回路と接続するための複数の実装端子２２とが設けられている。又、素子基板１０のＸ軸方向において対向する他の二辺に沿って、それぞれ走査線駆動回路２４が設けられている。素子基板１０の残る一辺に沿って、２つの走査線駆動回路２４を接続する複数の配線２６が設けられている。配線２６は、素子基板１０の周辺部７０に形成されている。

シール材１４の内側には、Ｘ軸方向及びＹ軸方向にマトリクス状に配列した複数の画素を有している。１つの画素は３色のカラーフィルタ２８ｒ（赤）、２８ｇ（緑）、２８ｂ（青）に対応した３つのサブ画素から構成されている。３色のカラーフィルタ２８ｒ，２８ｇ，２８ｂは、同色のカラーフィルタがＹ軸方向に連続するように対向基板１２側に形成されている。又、素子基板１０側にはサブ画素ＳＧ（図２参照）毎に、これを駆動制御するスイッチング素子としての複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子３０が設けられている。即ち、液晶表示装置２はストライプ方式のカラーフィルタ２８を備え、カラー表示を可能としたアクティブ型の表示装置である。

本実施形態では、実際に表示に寄与する複数の画素の領域を表示部Ｅとし、シール材１４と表示部Ｅとの間に、見切り領域３２が設けられている。見切り領域３２には遮光性材料からなる遮光膜が設けられており、液晶表示装置２を電子機器に取付ける際に、表示部Ｅの位置を規定する目安となっている。

このような液晶表示装置２はＬＥＤ等を光源とした照明装置により照明される。より詳細な液晶表示装置２の構造については後述する。

図２は、本実施形態に係る液晶表示装置２の等価回路を示す図である。液晶表示装置２の表示部Ｅ（図１参照）には、図２に示すように、複数のサブ画素領域が平面視マトリクス状に配列されている。各々のサブ画素ＳＧ領域に対応して、画素電極３４と、画素電極３４をスイッチング制御するＴＦＴ素子３０とが設けられている。表示部Ｅには又、複数のデータ線３６と走査線３８とが格子状に延びて形成されている。即ち、サブ画素ＳＧ領域は、データ線３６及び走査線３８によって囲まれた領域に対応している。

ＴＦＴ素子３０のソースにデータ線３６が電気的に接続されており、ゲートには走査線３８が電気的に接続されている。ＴＦＴ素子３０のドレインは画素電極３４と電気的に接続されている。データ線３６はデータ線駆動回路２０に接続されており、データ線駆動回路２０から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各サブ画素ＳＧ領域に供給する。走査線３８は走査線駆動回路２４に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを各サブ画素ＳＧ領域に供給する。データ線駆動回路２０からデータ線３６に供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線３６同士に対してグループ毎に供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３８に対して、走査信号Ｇ１〜Ｇｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。

液晶表示装置２は、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０が走査信号Ｇ１〜Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線３６から供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎが所定のタイミングで画素電極３４に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極３４を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、画素電極３４と液晶層１６を介して対向配置された後述する共通電極４２（図３参照）との間で一定期間保持される。液晶層１６は、画素電極３４と共通電極４２との間に生じる横電界によって駆動される。共通配線３９は、サブ画素ＳＧ毎に配置された各共通電極４２（図３参照）を行毎に電気的に接続した配線である。

図３は、本実施形態に係る画素の構造の概略平面を示す図である。尚、図３では図面を見易くするために画素電極３４より上層の図示を省略している。液晶表示装置２は複数の画素（画素領域）を有する。液晶表示装置２の１つの画素は、３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のカラーフィルタ２８ｒ，２８ｇ，２８ｂに対応する３つのサブ画素ＳＧにより構成されている。各サブ画素ＳＧには、図３に示すように、複数のスリット（隙間）４０が略梯子状に形成された矩形の画素電極３４が設けられている。画素電極３４の外周を取り囲むようにして、走査線３８と複数のデータ線３６とが配置されている。走査線３８とデータ線３６との交差部近傍にＴＦＴ素子３０が形成されており、ＴＦＴ素子３０はデータ線３６及び画素電極３４と電気的に接続されている。又、画素電極３４と平面視で略重なる位置に矩形状の共通電極４２が形成されている。

画素電極３４はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の光透過性を有する導電材料からなる導電膜である。１つのサブ画素ＳＧの画素電極３４に複数本のスリット４０が形成されている。各スリット４０は、データ線３６と交差する方向（図中斜め方向）に延びて、Ｙ軸方向において等間隔に配列するように形成されている。各スリット４０は略同一の幅に形成され、互いに平行である。これにより、画素電極３４は、複数本の帯状電極部３４ａを有することになる。スリット４０が一定の幅を有して等間隔で配列していることから、帯状電極部３４ａも一定の幅を有して等間隔で配列している。
共通電極４２は、ＩＴＯ等の光透過性を有する導電材料からなる平面視矩形状である。

ＴＦＴ素子３０は、走査線３８上に部分的に形成された島状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層４４と、データ線３６を分岐して半導体層４４上に延出されたソース電極４６と、半導体層４４上から画素電極３４の形成領域に延びる矩形状のドレイン電極４８とを備えている。走査線３８は、半導体層４４と対向する位置でＴＦＴ素子３０のゲート電極として機能する。ドレイン電極４８と画素電極３４とは、両者が平面的に重なる位置に形成されたコンタクトホール５０を介して電気的に接続されている。
スペーサ１８は、柱状で対向基板１２と素子基板１０との間隔を保持している。

図４は、本実施形態に係る液晶表示装置２の構造の概略断面を示す図である。詳しくは、図４は図３のIV−IV’線で切った断面図である。図４を参照して、液晶表示装置２の構造を更に詳しく説明する。液晶表示装置２は、画素電極３４を有する素子基板１０と、カラーフィルタ２８を有する対向基板１２とにより、液晶層１６を挟持している。液晶表示装置２は、液晶層１６を挟持して対向する素子基板１０及び対向基板１２と、素子基板１０の外側（液晶層１６と反対側）に配置された偏光板５２と、対向基板１２の外側（液晶層１６と反対側）に配置された導電層５４、位相差層５６、及び偏光板５８と、対向基板１２の内側（液晶層１６側）に配置されたカラーフィルタ２８及び第２配向膜６０と、偏光板５２の外側に設けられて素子基板１０の外面側から照明光を照射する照明装置（図示せず）とを備えて構成されている。

素子基板１０及び対向基板１２としては光透過性を有し、真空プロセスに使用できるものであれば特に限定されるものではなく、その屈折率は通常１．４５〜１．６５の範囲である。かかる光透過性を有する基板としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等のプラスチックからなる合成樹脂基板やガラス板等が挙げられる。

素子基板１０上には、走査線３８が形成されている。この走査線３８を覆って、シリコン酸化物膜等からなる絶縁薄膜６２が形成されている。絶縁薄膜６２上には、島状の半導体層４４と、半導体層４４と一部が重なるようにドレイン電極４８が形成されている。これらの半導体層４４及びドレイン電極４８を覆って、シリコン酸化物膜や樹脂膜からなる第１層間絶縁膜６４が形成されている。第１層間絶縁膜６４上には共通電極４２が形成され、この共通電極４２を覆って、シリコン酸化物膜や樹脂膜からなる第２層間絶縁膜６６が形成されている。第２層間絶縁膜６６上には画素電極３４が形成され、第２層間絶縁膜６６及び第１層間絶縁膜６４を貫通してドレイン電極４８に達するコンタクトホール５０を介して、画素電極３４とドレイン電極４８とが電気的に接続されている。

画素電極３４を覆って、ポリイミド等からなる第１配向膜６８が形成されている。第１配向膜６８は、ラビング処理等の配向処理を施されて液晶分子を所定方向に配向させるようになっている。第１配向膜６８による配向規制方向Ｄ（図３参照）は、本実施形態では、データ線３６の延在方向と平行であり、画素電極３４のスリット４０の延在方向とは交差する方向である。

対向基板１２上には、液晶層１６側に向かってカラーフィルタ２８（２８ｂ，２８ｇ，２８ｒ）と、第２配向膜６０とが順に形成されている。

カラーフィルタ２８は、例えば各色の着色材料を含む感光性樹脂材料を対向基板１２に塗布して、これをフォトリソグラフィ法により露光・現像することにより形成することができる。塗布方法としてはスピンコートやスリットコート等の方法を用いることができる。

カラーフィルタ２８を覆って、ポリイミド等からなる第２配向膜６０が形成されている。第２配向膜６０は、ラビング処理等の配向処理を施されて液晶分子を所定方向に配向させるようになっている。第２配向膜６０による配向規制方向Ｄ（図３参照）は、本実施形態では、データ線３６の延在方向と平行であり、画素電極３４のスリット４０の延在方向とは交差する方向である。

以上、本実施形態の液晶表示装置２は、共通電極４２上に絶縁膜を介して櫛歯状の画素電極３４を形成してスイッチングを行う、所謂ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式と呼ばれる構造である。

次に、本実施形態の液晶表示装置２について、図５〜図１０を参照して更に詳しく説明する。
図５は、本実施形態に係る液晶表示装置２の概略構成を示す平面図である。図６は、図５のVI−VI’線に沿った断面図である。図７は、図５のＡ部の拡大平面図である。図８は、図５のＢ部の拡大平面図である。図９は、図５のＣ部の拡大平面図である。図１０は、開口部としてのＵＶ透過孔７４の拡大平面図である。液晶表示装置２の素子基板１０には、図５に示すように、その中央部分にアレイ状に配列された複数のサブ画素ＳＧ（図１参照）等から構成される表示部Ｅと、表示部Ｅの周囲の周辺部７０には表示部Ｅのサブ画素ＳＧから引き出された配線２６としてのゲート引出し配線２６ａやドレイン引出し配線２６ｂ等の引出し配線や共通電極４２に共通電圧を供給すると共に遮光機能を果たす共通電圧供給配線兼遮光体（以降、遮光体と略す）７２ａ，７２ｂ，７２ｃが形成されている。シール材１４は、これら引出し配線２６ａ，２６ｂや遮光体７２ａ，７２ｂ，７２ｃの上方を横断して形成されている。素子基板１０に形成された表示部Ｅから引き出された引出し配線２６ａ，２６ｂと遮光体７２ａ，７２ｂ，７２ｃとがシール材１４とオーバーラップしている。引出し配線２６ａ，２６ｂと遮光体７２ａ，７２ｂ，７２ｃとがシール材１４とオーバーラップする領域には、シール材１４に沿って複数のＵＶ透過孔７４（図７〜図９参照）が規則的に配置されている。

このような液晶表示装置２の断面図について説明すると、図６に示すように、素子基板１０にはその周辺部７０に遮光体７２ｂ，７２ｃが形成されており、その上に絶縁膜７８が形成されている。対向基板１２には、その周辺部に対向側遮光体８０が形成されており、その上にカラーフィルタ２８が形成されている。対向基板１２には、図示していないが表示部では格子状のブラックストライプが形成され、その周囲の周辺部では帯状の対向側遮光体８０が形成されており、対向側遮光体８０と素子基板１０の遮光体７２ｂ，７２ｃとは対向している。素子基板１０と対向基板１２とは、スペーサ１８（図３参照）と液晶層１６とを介在して周辺部７０のシール材１４で貼り合わせられており、遮光体７２ｂ，７２ｃの上の絶縁膜７８に設けた開口部を介して、遮光体７２ｂ，７２ｃから対向基板１２の導電層５４（図４参照）に共通電圧を供給する複数のトランスファ８４が形成されている。トランスファ８４は銀ペースト等からなり、シール材１４の外側に配置されている。尚、図６では、構成をわかりやすく示すため、第１及び第２配向膜及び各絶縁膜が省略されている。

次に、上述した条件を満足させる実現手段について、具体的に説明する。先ず、シール材１４とオーバーラップする引出し配線２６ａ，２６ｂについては、引出し配線２６ａ，２６ｂは表示部Ｅのそれぞれ異なる走査線３８やデータ線３６から引き出されており、ゲート端子８６やドレイン端子８８までの距離が長い引出し配線はその幅を太くして抵抗値の上昇を防止している。又、単に幅を太くすると隣接する引出し配線間の間隔が狭くなり、シール材硬化のための光が透過し難くなるため、本実施形態では長い引出し配線はその幅を太くすると共に隣接する引出し配線との間隔を広げることを特徴としている。

表示部Ｅの角部に位置する遮光体７２ａについては、次の通りである。素子基板１０のＡ部では、図７に示すように、表示部Ｅの各サブ画素ＳＧの走査線３８からゲート引出し配線２６ａが引き出され、素子基板１０の一辺に複数のゲート端子８６が配列されている。又、データ線３６からドレイン引出し配線２６ｂが引き出され、素子基板１０の他の一辺にドレイン端子８８が配列されている。これら引出し配線間の角部には、多角形状の遮光体７２ａが設けられており、この遮光体７２ａからゲート端子８６及びドレイン端子８８にそれぞれ隣接して共通端子９０が配列されている。多角形状の遮光体７２ａのシール材１４とオーバーラップする部分には、シール材１４の延びる方向に沿って複数のＵＶ透過孔７４を形成している。シール材１４の外側にはトランスファ８４が形成されている。

遮光体７２ｂについては、次の通りである。素子基板１０のＢ部では、図８に示すように、表示部Ｅの各サブ画素ＳＧのデータ線３６からドレイン引出し配線２６ｂが引き出され、素子基板１０の一辺に複数のドレイン端子８８が配列されている。更に、これに隣接して表示部Ｅの各サブ画素ＳＧのデータ線３６からドレイン引出し配線２６ｂが引き出され、素子基板１０の一辺に複数のドレイン端子８８が配列されている。これら引出し配線間には三角形状の遮光体７２ｂが設けられており、この遮光体７２ｂからドレイン端子８８にそれぞれ隣接して共通端子９０が配列されている。三角形状の遮光体７２ｂのシール材１４とオーバーラップする部分には、シール材１４の延びる方向に沿って、複数のＵＶ透過孔７４を形成している。シール材１４の外側にはトランスファ８４が形成されている。

更に、遮光体７２ｃについては、次の通りである。素子基板１０のＣ部では、図９に示すように、帯状の遮光体７２ｃが設けられている。この遮光体７２ｃのシール材１４とオーバーラップする部分には、シール材１４の延びる方向に沿って、複数のＵＶ透過孔７４を形成している。シール材１４の外側にはトランスファ８４が形成されている。

次に、上述したＵＶ透過孔７４について、具体的に説明する。ＵＶ透過孔７４の形状は少なくとも一つの内角が優角である多角形の平面形状である。言い換えると、ＵＶ透過孔７４の形状は、１つの内角が１８０度以上の多角形であることを特徴としている。ＵＶ透過孔７４の形状は、少なくとも一つの凸状端部を有する多角形の平面形状である。これによれば、ＵＶ透過孔７４の形状に凸状端部を有することにより、ＵＶ透過孔７４の平面形状を内角が優角である多角形に容易に形成できる。

例えば、図１０に示すように、同図（Ａ）の開口面積Ａは、平面形状が十字形のＵＶ透過孔７４の開口する面積である。照射面積Ａ’は、ＵＶ透過孔７４を介して紫外光を照射する照射領域７６の面積である。同図（Ｂ）の開口面積Ｂは、平面形状が正方形のＵＶ透過孔７４ａの開口する面積である。照射面積Ｂ’は、ＵＶ透過孔７４ａを介して紫外光を照射する照射領域７６ａの面積である。開口面積Ａ，ＢはＡ＝Ｂの関係にある。照射面積Ａ’，Ｂ’は紫外光の回り込み（回折）によってＡ’＞Ｂ’の関係にある。これにより、同じ開口面積ならば、より広い範囲に紫外光が照射されるので、短時間でシール材１４を硬化させることができる。又、ＵＶ透過孔７４の形状に十字形を用いることにより、ＵＶ透過孔７４の平面形状を内角が優角である多角形に容易に形成できる。

言い換えれば、開口面積Ａ，ＢはＡ＜Ｂの関係で、照射面積Ａ’，Ｂ’はＡ’＝Ｂ’の関係であってもよい。これにより、より少ない開口面積で、シール材１４を硬化させることができる。このようなＵＶ透過孔７４を設けることにより配線抵抗が上昇することを抑制することができる。

即ち、シール材１４とオーバーラップする引出し配線２６ａ，２６ｂや遮光体７２ａ，７２ｂ，７２ｃの形状や配置について工夫を施し、ＵＶ透過孔７４の形状が同一の面積を有する四角形（正方形、長方形）に対して周辺長が増加することにより紫外光の回り込み（回折）領域が増え、照射領域７６を増やすことができる。言い換えれば、同じ面積の照射領域７６ならばＵＶ透過孔７４の面積を小さくすることができる。引出し配線２６ａ，２６ｂや遮光体７２ａ，７２ｂ，７２ｃの抵抗がＵＶ透過孔７４を設けることにより上昇することを抑制することができるので、液晶表示装置２の表示品質を向上できる。

次に、本実施形態の液晶表示装置の製造方法を説明する。
図１１は、液晶滴下貼合わせ法を説明するための工程順のフロー図である。図１２は、図９のXII−XII’線に沿った断面図である。本実施形態では、上述したような図１に示される形状の素子基板１０に対して、（１）シール描画工程において、ディスペンサと素子基板１０との相対的位置を変化させて紫外硬化型樹脂を表示部Ｅの周囲の周辺部７０に幅０．２〜０．６ｍｍ、高さ１０〜５０μｍで描画して環状のシール材１４を形成する（ステップＳ１００）。

次に、（２）液晶滴下・基板貼合わせ工程において、素子基板１０の環状のシール材１４で囲まれた領域に液晶材を滴下して、更に、スペーサ１８が固定形成されてある（固着スペーサ、若しくは、柱付きスペーサ）対向基板１２と素子基板１０とを、真空中で位置合わせしながら、定盤により加圧し、その後、大気圧に戻して大気プレスすることで貼合わせを行う（定盤荷重２００〜３０００Ｎ）（ステップＳ１１０）。

この基板同士を貼り合わせた状態で裏返して、（３）ＵＶ照射・仮硬化工程で素子基板１０からシール材１４にライン状の紫外光を５０００〜８０００ｍＪ／ｃｍ２で一括照射して硬化させる（ステップＳ１２０）。

この際、図９のXII−XII’線に沿った断面図である図１２に示すように、シール材１４に対応した箇所に位置合わせのずれ量を考慮して幅が決定されたＵＶ透過孔を有し、液晶表示パネルの表示領域を遮光するマスクパターン９２を形成したＵＶマスク９４を介して照射することにより、シール材１４の周辺だけに選択的に紫外光が照射される。マスクパターン９２を介して照射することにより、紫外光による表示領域に位置する配向膜の変質等悪影響を防止している。素子基板１０からＵＶマスク９４を介して照射された紫外光は、遮光体７２ｃの箇所では、形成された複数のＵＶ透過孔７４を透過してシール材１４に照射されシール材１４を硬化させる。更に、シール材１４を透過した紫外光は、対向基板１２に形成された対向側遮光体８０で反射して再度シール材１４に進入しシール材１４の硬化に寄与させている。又、複数の引出し配線２６ａ，２６ｂとオーバーラップするシール材１４にも、引出し配線間の隙間を透過した紫外光が照射されシール材１４を硬化させることができる。更に、図７に示される遮光体７２ａ及び図８に示される遮光体７２ｂとオーバーラップするシール材１４にも、それぞれＵＶ透過孔７４を透過した紫外光が照射されシール材１４を硬化させることができる。尚、紫外光の照射は、素子基板１０の法線に対し平行光線であってもよいし、平行光源でなくてもよい。

こうして、シール材１４が仮硬化された後、（４）キュアリング・本硬化工程で基板温度１２０℃、１時間の熱処理によりシール材１４を本硬化させて液晶表示装置が出来上がる（ステップＳ１３０）。

本実施形態によれば、遮光体７２ａ，７２ｂ，７２ｃのシール材１４とオーバーラップする箇所に沿って複数のＵＶ透過孔７４を設けたので、複数のＵＶ透過孔７４を透過して紫外光が紫外硬化型樹脂に照射され、シール材１４を十分に硬化させることができる。しかも、従来の技術では最も硬化不良が起こりやすかった遮光体７２ａ，７２ｂ，７２ｃにそれぞれＵＶ透過孔７４を設けたので、シール材１４の内、紫外光の照射量が全体的により均一化され、シールの硬化状況を均一化することができ硬化不良による表示不良を防止することができる。

更に、本実施形態によれば、引出し配線２６ａ，２６ｂのうち、ゲート端子８６やドレイン端子８８までの距離が長い引出し配線はその幅を太くすると共に隣接する引出し配線との間隔を広げて設定したので、引出し配線間の隙間を透過して十分に紫外光が紫外硬化型樹脂に照射され、シール材１４を十分に均一に硬化させることができる。又、引出し配線の抵抗値も均一に保つことができる。

ここで、単に透過孔を設けたのでは遮光体７２の抵抗値が上昇してしまい、トランスファ８４を介して導電層５４に供給する共通電圧が低下することが想定される。又、単に透過孔を設けたのでは遮光体としての遮光能力が低下して、液晶表示装置として利用する際に表示部の外側から表示部に外光が侵入して表示特性が悪化することが想定される。これに対し、本実施形態では、遮光体７２ａ，７２ｂ，７２ｃに選択的にＵＶ透過孔７４を設けたので、共通電圧供給配線兼遮光体の抵抗値を十分に低く維持し、又遮光性能を十分に維持しつつ、シールの硬化時の硬化不良を低減して表示不良を改善させることができる。

本実施形態によれば、同一の面積を有する四角形（正方形、長方形）に対して周辺長が増加することにより紫外光の回り込み（回折）領域が増え、照射範囲を増やすことができる。言い換えれば、同じ照射範囲ならばＵＶ透過孔の面積を小さくすることができる。配線抵抗がＵＶ透過孔を設けることにより上昇することを抑制することができる。配線抵抗がＵＶ透過孔を設けることにより上昇することを抑制することができるので、液晶表示装置の表示品質を向上できる。

（第２の実施形態）
次に、本実施形態について、説明する。
図１３は、本実施形態に係る液晶表示装置４の構造の概略断面を示す図である。本実施形態に係る対向基板１２には、表示部Ｅでは格子状のブラックストライプが形成され、その周囲の周辺部７０では帯状の配線としての対向側遮光体８０が形成されており、対向側遮光体８０と素子基板１０の遮光体７２とは対向している。本実施形態では、遮光体７２と対向する対向基板１２の周辺部７０に設けられた対向側遮光体８０に、複数のＵＶ透過孔７４を設けたことを特徴としている。第１の実施形態と同じ構成要素については同じ参照番号を付して、その詳細な説明は省略する。

次に、本実施形態の液晶表示装置４の製造方法を説明する。第１の実施形態と同様に、対向基板１２を素子基板１０と位置合わせして貼り合わせた後で、対向基板１２からシール材１４にライン状の紫外光を一括照射して硬化させる。図１３に示すように、シール材１４に対応した箇所に位置合わせのずれ量を考慮して幅が決定されたＵＶ透過孔７４を有し、液晶表示パネルの表示領域を遮光するマスクパターン９２を形成したＵＶマスク９４を対向基板１２の上側に配置して照射することにより、シール材１４の周辺だけに選択的に紫外光を照射する。対向基板１２からＵＶマスク９４を介して照射された紫外光は、対向側遮光体８０に形成した複数のＵＶ透過孔７４を透過してシール材１４に照射されシール材１４を硬化させる。更に、シール材１４を透過した紫外光は、素子基板１０の遮光体７２や引出し配線で反射して再度シール材１４に進入しシール材１４の硬化に寄与させる。こうして、シール材１４が仮硬化された後、熱処理によりシール材１４を本硬化させて液晶表示装置４が出来上がる。

本実施形態によれば、対向側遮光体８０に設けた複数のＵＶ透過孔７４を透過して紫外光が紫外硬化型樹脂に照射され、シール材１４を十分に硬化させることができシール材１４の内、紫外光の照射量が全体的により均一化され、シールの硬化状況を均一化することができ硬化不良による表示不良を防止することができる。

（電子機器）
本実施形態の液晶表示装置２，４を表示部に搭載した電子機器について、図１４を基に説明する。
図１４は、本実施形態に係る電子機器としての携帯電話機１００を示す概略斜視図である。本実施形態の携帯電話機１００は、図１４に示すように、本体１０２とカバー１０４とからなり、カバー１０４が折りたたみできるように本体１０２の一端部に取り付けられている。本体１０２には、略中央部に設けられた表示部１０６と、表示部１０６の下側に配列した操作部１０８と、表示部１０６の上側に設けられた受話部１１０とを備えている。又、送受信用のアンテナ１１２は、本体１０２内に伸縮自在に内蔵されている。表示部１０６には、透過型の液晶表示装置、或いは半透過反射型の液晶表示装置が搭載されている。カバー１０４の内側には、送話部１１４が設けられており、カバー１０４を開いて電話をかけるようになっている。これにより、携帯電話機１００は、表示部１０６に透過型の液晶表示装置、或いは半透過反射型の液晶表示装置を備えているため、適正なカラー表示が可能であり、ＬＥＤからの光と画素との干渉による干渉縞やＬＥＤからの光の強度むらが目立ち難い見映えのよい表示画面で必要な情報を確認することができる携帯電話機１００を提供することができる。

上記実施形態以外の変形例は、以下の通りである。
（変形例１）
図１５は、本変形例に係る開口部を示す概略平面図である。上記実施形態の各液晶表示装置２，４は、図７〜図１０に示すようなＵＶ透過孔７４を採用しているが、これに限定されない。図１５（Ａ）のデルタ方式、同図（Ｂ）の連結方式、及び同図（Ｃ）のスリット方式の各開口部７４においても、同一の面積を有する四角形（正方形、長方形）に対して周辺長が増加することにより紫外光の回り込み（回折）領域が増え、照射範囲を増やすことができる。

（変形例２）
上記実施形態の液晶表示装置２，４を搭載した電子機器は、携帯電話機１００に限定されない。電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型或いはモニタ直視型のビデオレコーダ、カーナゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても見映えのよい表示を行うことができる。

第１の実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す図。 第１の実施形態に係る液晶表示装置の等価回路を示す図。 第１の実施形態に係る画素の構造の概略平面を示す図。 第１の実施形態に係る液晶表示装置の構造の概略断面を示す図。 第１の実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す平面図。 図５のVI−VI’線に沿った断面図。 図５のＡ部の拡大平面図。 図５のＢ部の拡大平面図。 図５のＣ部の拡大平面図。 開口部としてのＵＶ透過孔の拡大平面図。 液晶滴下貼合わせ法を説明するための工程順のフロー図。 図９のXII−XII’線に沿った断面図。 第２の実施形態に係る液晶表示装置の構造の概略断面を示す図。 本実施形態に係る電子機器としての携帯電話機を示す概略斜視図。 本変形例に係る開口部を示す概略平面図。

符号の説明

２，４…液晶表示装置 １０…素子基板（第１基板） １２…対向基板（第２基板） １４…シール材 １６…液晶層 １８…スペーサ ２０…データ線駆動回路 ２２…実装端子 ２４…走査線駆動回路 ２６…配線 ２６ａ…ゲート引出し配線（引出し配線） ２６ｂ…ドレイン引出し配線（引出し配線） ２８…カラーフィルタ ３０…ＴＦＴ素子 ３２…見切り領域 ３４…画素電極 ３４ａ…帯状電極部 ３６…データ線 ３８…走査線 ３９…共通配線 ４０…スリット ４２…共通電極 ４４…半導体層 ４６…ソース電極 ４８…ドレイン電極 ５０…コンタクトホール ５２…偏光板 ５４…導電層 ５６…位相差層 ５８…偏光板 ６０…第２配向膜 ６２…絶縁薄膜 ６４…第１層間絶縁膜 ６６…第２層間絶縁膜 ６８…第１配向膜 ７０…周辺部 ７２…遮光体（共通電圧供給配線） ７４…ＵＶ透過孔（開口部） ７６…照射領域 ７８…絶縁膜 ８０…対向側遮光体 ８４…トランスファ ８６…ゲート端子 ８８…ドレイン端子 ９０…共通端子 ９２…マスクパターン ９４…ＵＶマスク １００…携帯電話機 １０２…本体 １０４…カバー １０６…表示部 １０８…操作部 １１０…受話部 １１２…アンテナ １１４…送話部。

Claims (4)

1. 表示部とその周囲の周辺部とを備える第１基板と、
   前記第１基板の前記表示部に形成される液晶層と、
   前記第１基板の前記周辺部に形成されるシール材と、
   前記第１基板との間に前記液晶層を挟持して、前記シール材で前記第１基板と貼り合わされる第２基板と、
   前記第１基板の前記周辺部に対向する前記第２基板上、或いは前記第１基板の前記周辺部の少なくともどちらか一方に形成される配線と、
   を含み、
   前記配線が前記シール材とオーバーラップする領域には、該シール材に沿って複数の開口部が規則的に配置され、
   該開口部の形状は少なくとも一つの内角が優角である多角形の平面形状であることを特徴とする液晶表示装置。
2. 請求項１に記載の液晶表示装置において、
   前記開口部の形状は少なくとも一つの凸状端部を有する多角形の平面形状であることを特徴とする液晶表示装置。
3. 請求項１又は２に記載の液晶表示装置において、
   前記開口部の形状は十字形の平面形状であることを特徴とする液晶表示装置。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶表示装置を表示部に搭載したことを特徴とする電子機器。

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