JPWO2017033758A1 - 表示装置 - Google Patents

Abstract

シール材が配置されている領域において、広い光透過領域を確保する。アクティブマトリクス基板は、第１配線層に形成された第１配線と、第１配線層とは異なる第２配線層に形成された第２配線と、第１配線層及び第２配線層とは異なる第３配線層に形成され、第１配線及び第２配線に供給される信号とは異なる信号が供給される第３配線と、第１配線または第２配線と第１端子との間を接続する第１接続線２１ａ、２１ｂと、第３配線と第２端子との間を接続する第２接続線２４ｃと、を備える。隣接する２本の第１接続線２１ａ、２１ｂの一方は、少なくとも一部が第１配線層及び第２配線層のうちの一方の配線層に形成され、他方は、少なくとも一部が他方の配線層に形成されている。シール領域であって、第１接続線２１ａ、２１ｂ及び第２接続線２４ｃが重畳している領域において、２本の第１接続線２１ａ、２１ｂの少なくとも一部は、平面視で重畳している。

Description

本発明は、表示装置に関する。

特許文献１には、共通電極を複数に分割して、分割した複数の共通電極をタッチ電極として活用するタッチ検出機能付き液晶表示装置が開示されている。特許文献１のタッチ検出機能付き液晶表示装置では、コントローラでタッチ位置を検出するために、分割された複数の共通電極とコントローラとの間を、複数の信号配線で接続している。

特開２０１５−６４８５４号公報

液晶表示装置は、一対の基板で液晶層を挟み込み、液晶材料が外部に漏れ出ないように、液晶層の外周をシール材で封止している。シール材としては、例えば光を照射することによって硬化する光硬化樹脂が用いられる。このシール材を形成する領域には、表示制御用のゲート線とコントローラとを接続するゲート引き出し線、及び表示制御用のソース線とコントローラとを接続するソース引き出し線が少なくとも配置されている。

特許文献１のタッチ検出機能付き液晶表示装置では、シール材を形成する領域にさらに、タッチ位置を検出するための信号配線とコントローラとを接続する信号引き出し線が配置される。このため、シール材として光硬化樹脂を用いた場合、ゲート引き出し線、ソース引き出し線、及び信号引き出し線が配置されていない光透過領域が狭くなるため、シール材の形成工程において、光硬化樹脂に光が十分当たらずに、硬化不良が生じる場合がある。

本発明は、シール材が配置されている領域において、広い光透過領域を確保可能な表示装置を提供することを目的とする。

本発明の一実施形態における表示装置は、アクティブマトリクス基板と前記アクティブマトリクス基板に対向する対向基板と、前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板の間に配置された表示機能層と、光を照射することによって硬化する材料からなり、前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板の間に前記表示機能層を封入するシール材と、を備え、前記アクティブマトリクス基板は、第１配線層に形成された第１配線と、前記第１配線層とは異なる第２配線層に形成された第２配線と、前記第１配線層及び前記第２配線層とは異なる第３配線層に形成され、前記第１配線及び前記第２配線に供給される信号とは異なる信号が供給される第３配線と、前記第１配線または前記第２配線に電気的に接続された第１端子と、前記第３配線と電気的に接続された第２端子と、前記第１配線または前記第２配線と前記第１端子との間を接続する第１接続線と、前記第３配線と前記第２端子との間を接続する第２接続線と、を備え、隣接する２本の前記第１配線または隣接する２本の前記第２配線にそれぞれ接続される２本の前記第１接続線の一方は、少なくとも一部が前記第１配線層及び前記第２配線層のうちの一方の配線層に形成され、前記２本の前記第１接続線の他方は、少なくとも一部が前記第１配線層及び前記第２配線層のうちの他方の配線層に形成されており、前記第１接続線及び前記第２接続線は、前記シール材が配置されているシール領域において、平面視で一部が重畳しており、前記シール領域であって、前記第１接続線及び前記第２接続線が重畳している領域において、前記２本の前記第１接続線の少なくとも一部は、平面視で重畳している。

本実施形態の開示によれば、シール領域であって、第１接続線及び第２接続線が重畳している領域において、異なる層に配置され、隣接している２本の第１接続線の少なくとも一部は、平面視で重畳しているので、広い光透過領域を確保することができる。

図１は、第１の実施形態における表示装置の概略構成の一例を示す平面図である。 図２は、対向電極の配置例を示す図である。 図３は、図１の一点鎖線で囲まれた領域の拡大図である。 図４は、シール領域において、第１接続線と第２接続線が平面視で一部重畳している領域を含む領域の拡大平面図である。 図５は、図４のＶ−Ｖ切断線における断面図である。 図６は、本実施形態の光透過領域を示す平面図である。 図７は、第２の実施形態において、シール領域において、第１接続線と第２接続線が平面視で一部重畳している領域を含む領域の拡大平面図である。 図８は、第３の実施形態において、シール領域において、第１接続線と第２接続線が平面視で一部重畳している領域を含む領域の拡大平面図である。 図９は、図８のＩＸ−ＩＸ切断線における断面図である。 図１０は、第４の実施形態において、ソース線用検査パターンの配置位置を示す平面図である。 図１１は、第４の実施形態の変形構成において、ソース線用検査パターン及びタッチセンサ用検査パターンの配置位置を示す平面図である。 図１２は、タッチセンサ用検査パターンの拡大図である。 図１３は、異なる層に形成されている２種類の第１接続線が平面視で重なっていない比較構成における光透過領域を示す平面図である。

本発明の一実施形態における表示装置は、アクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板に対向する対向基板と、前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板の間に配置された表示機能層と、光を照射することによって硬化する材料からなり、前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板の間に前記表示機能層を封入するシール材と、を備え、前記アクティブマトリクス基板は、第１配線層に形成された第１配線と、前記第１配線層とは異なる第２配線層に形成された第２配線と、前記第１配線層及び前記第２配線層とは異なる第３配線層に形成され、前記第１配線及び前記第２配線に供給される信号とは異なる信号が供給される第３配線と、前記第１配線または前記第２配線に電気的に接続された第１端子と、前記第３配線と電気的に接続された第２端子と、前記第１配線または前記第２配線と前記第１端子との間を接続する第１接続線と、前記第３配線と前記第２端子との間を接続する第２接続線と、を備え、隣接する２本の前記第１配線または隣接する２本の前記第２配線にそれぞれ接続される２本の前記第１接続線の一方は、少なくとも一部が前記第１配線層及び前記第２配線層のうちの一方の配線層に形成され、前記２本の前記第１接続線の他方は、少なくとも一部が前記第１配線層及び前記第２配線層のうちの他方の配線層に形成されており、前記第１接続線及び前記第２接続線は、前記シール材が配置されているシール領域において、平面視で一部が重畳しており、前記シール領域であって、前記第１接続線及び前記第２接続線が重畳している領域において、前記２本の前記第１接続線の少なくとも一部は、平面視で重畳している（第１の構成）。

第１の構成によれば、異なる配線層に形成されている、隣接する２本の第１接続線は、シール領域であって、第１接続線及び第２接続線が重畳している領域において、平面視で一部が重畳しているので、第１接続線及び第２接続線が配置されていない広い光透過領域を確保することができる。これにより、シール材が硬化不足となることを抑制することができる。

第１の構成において、前記シール領域であって、前記第１接続線及び前記第２接続線が重畳している領域において、前記２本の前記第１接続線は、平面視で線幅全体が重畳している構成としても良い（第２の構成）。

第２の構成によれば、２本の第１接続線は平面視で線幅全体が重畳しているので、より広い光透過領域を確保することができる。これにより、シール材が硬化不足となることをより効果的に抑制することができる。

第１または第２の構成において、前記第３配線及び前記第２接続線は、少なくとも一部が透明導電膜により形成されている構成としても良い（第３の構成）。

第３の構成によれば、第２接続線の少なくとも一部を透明導電膜により形成することにより、光透過領域を広くすることができる。

第３の構成において、前記第３配線及び前記第２接続線は、少なくとも一部が金属膜及び前記透明導電膜が積層されることによって形成されており、前記金属膜の線幅は、前記透明導電膜の線幅よりも狭い構成としても良い（第４の構成）。

第４の構成によれば、金属膜と透明導電膜の積層構造とすることにより、透明導電膜のみで形成する構成と比べて、抵抗を小さくすることができる。また、金属膜の線幅を透明導電膜の線幅よりも狭くすることにより、透光部分を確保することができる。

第１から第４のいずれかの構成において、前記第２接続線は、前記シール領域と前記第２端子との間において、少なくとも一部が前記第１配線層または前記第２配線層に形成されている構成としても良い（第５の構成）。

第５の構成によれば、第３配線層に形成されている第２接続線を、第１配線層または第２配線層の線に繋ぎ換えて構成することができる。

第５の構成において、前記シール領域と前記第２端子との間において隣接する２本の前記第２接続線の少なくとも一部は、前記第１配線層及び前記第２配線層に交互に形成されている構成としても良い（第６の構成）。

第６の構成によれば、隣接する２本の第２接続線の少なくとも一部を異なる配線層に交互に形成するので、同じ配線層に構成する構成と比べて、線間の短絡を抑制することができる。

第６の構成において、隣接する２本の前記第２接続線は、前記第１配線層及び前記第２配線層に交互に形成されている部分の少なくとも一部が平面視で重畳する構成としても良い（第７の構成）。

第７の構成によれば、光透過領域をさらに広くすることができる。

第６または第７の構成において、前記第２接続線のうち、前記第３配線層に形成されている部分と、前記第１配線層または前記第２配線層に形成されている部分の境界は、前記シール領域、または前記シール領域と表示領域の間の領域にある構成としても良い（第８の構成）。

第８の構成によれば、第２接続線のうち第３配線層に形成されている部分は、対向面側に対向基板がある領域にある。従って、第３配線層が第１配線層や第２配線層よりも上層にあり、保護層が少ない場合であっても、配線腐食が生じる可能性は低くなる。

第８の構成において、前記アクティブマトリクス基板は、前記第３配線層に形成されている前記第２接続線と、前記第１配線層または前記第２配線層に形成されている前記第２接続線との境界に形成されている第２接続線用スイッチング素子をさらに備える構成としても良い（第９の構成）。

第１から第９のいずれかの構成において、前記アクティブマトリクス基板は、前記第１端子と電気的に接続されている第１接続線用スイッチング素子をさらに備え、前記第１接続線用スイッチング素子は、前記第１端子を挟んで前記第１接続線とは反対側に配置されている構成としても良い（第１０の構成）。

第１０の構成によれば、シール領域やシール領域よりも内側（表示領域側）に第１接続線用スイッチング素子を配置する構成と比べると、表示領域に近い領域に第１接続線用スイッチング素子を配置する必要がないので、額縁領域を縮小することができる。

第５の構成において、前記第２接続線のうち、前記第３配線層に形成されている部分と、前記第１配線層または前記第２配線層に形成されている部分の境界は、前記シール領域に対して表示領域とは反対側の領域にある構成としても良い（第１１の構成）。

第１１の構成によれば、シール領域で第３配線層に形成されている第２接続線を、第１配線層または第２配線層の線に繋ぎ換える構成と比べて、シール領域において第１接続線を形成する領域を広く確保することができる。

第１０または第１１の構成において、前記アクティブマトリクス基板は、前記第２端子と電気的に接続されている第２接続線用スイッチング素子をさらに備え、前記第２接続線用スイッチング素子は、前記第２端子を挟んで前記第２接続線とは反対側に配置されている構成としても良い（第１２の構成）。

第１２の構成によれば、第２接続線用スイッチング素子をシール領域に形成する構成と比べて、光透過領域を広くすることができる。

第１から第１２のいずれかの構成において、前記アクティブマトリクス基板は、前記第１接続線と前記第２接続線が平面視で重畳している領域において、前記第１接続線と前記第２接続線との間に設けられている絶縁膜をさらに備え、前記絶縁膜は有機膜としても良い（第１３の構成）。

第１から第１３のいずれかの構成において、前記アクティブマトリクス基板は、複数のタッチセンサ用電極をさらに備え、前記第３配線は、前記タッチセンサ用電極と接続されている構成としても良い（第１４の構成）。

第１４の構成によれば、タッチセンサ用電極を備えた表示装置において、広い光透過領域を確保することができる。これにより、シール材が硬化不足となることを抑制することができる。

第１の構成において、前記２本の前記第１接続線の線幅は３μｍであり、前記２本の前記第１接続線の少なくとも一部は、平面視で２μｍ以上重畳している構成としても良い（第１５の構成）。

第１５の構成によれば、シール材が硬化不足とならない十分な広さの光透過領域を確保することができる。

［実施の形態］
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。なお、説明を分かりやすくするために、以下で参照する図面においては、構成が簡略化または模式化して示されたり、一部の構成部材が省略されたりしている。また、各図に示された構成部材間の寸法比は、必ずしも実際の寸法比を示すものではない。

［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態における表示装置１００の概略構成の一例を示す平面図である。この表示装置１００は、タッチ位置検出機能を有し、例えば携帯電話機、携帯情報端末、ゲーム機、デジタルカメラ、プリンタ、カーナビゲーション、情報家電等に用いられるディスプレイである。

この表示装置１００は、アクティブマトリクス基板１と、対向基板２と、アクティブマトリクス基板１及び対向基板２に挟まれた表示機能層である液晶層（不図示）と、液晶層をアクティブマトリクス基板１及び対向基板２に封入するシール材３（図５参照）とを備える液晶ディスプレイである。図１に示すように、表示装置１００は全体として縦長な矩形状である。表示装置１００の長辺方向はＹ軸方向と一致しており、短辺方向はＸ軸方向と一致している。

図１において、点線で囲まれた領域が画像を表示可能な表示領域１０である。表示領域１０の外側は、画像を表示不可能な非表示領域である。

アクティブマトリクス基板１及び対向基板２は、ほぼ透明なガラス基板を備えている。図１に示すように、対向基板２の長辺寸法は、アクティブマトリクス基板１の長辺寸法よりも短い。このため、アクティブマトリクス基板１の長辺方向における一方の端部（図２に示す下側の端部）には、所定範囲にわたって対向基板２が重なり合わない領域が存在する。この領域に、駆動回路１１が配置されている。駆動回路１１は、図示しないＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）を介して、外部の制御回路に接続されている。

アクティブマトリクス基板１には、複数のゲート線（第１配線）１２及び複数のソース線（第２配線）１３が配置されている。ゲート線１２は、Ｘ軸方向に延在し、Ｙ軸方向に複数配置されている。ソース線１３は、Ｙ軸方向に延在し、Ｘ軸方向に複数配置されている。ゲート線１２は第１配線層に形成されており、ソース線１３は、第１配線層とは異なる第２配線層に形成されている。ゲート線１２及びソース線１３はそれぞれ、例えばアルミニウム、銅、チタン、モリブデン、クロム等の金属膜、あるいはこれらの合金や積層膜により形成される。

図１に示すように、ゲート線１２とソース線１３は交差している。ゲート線１２とソース線１３とが交差する位置の近くには、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（不図示）が配置されている。薄膜トランジスタのゲート電極は、ゲート線１２に接続され、ソース電極はソース線１３に接続されている。また、薄膜トランジスタのドレイン電極は、画素電極（不図示）に接続されている。

本実施形態における表示装置１００は、液晶層に含まれる液晶分子の駆動方式がＩＰＳ方式やＦＦＳ方式などの横電界駆動方式である。横電界駆動方式を実現するため、電界を形成するための画素電極及び対向電極（共通電極と呼ばれることもある）は、アクティブマトリクス基板１に形成されている。

図２は、対向電極３１の配置例を示す図である。対向電極３１は、矩形状であり、表示領域１０に、マトリクス状に複数配置されている。この対向電極３１は、タッチ位置を検出するためのタッチセンサ電極としても機能する。なお、図示は省略するが、対向電極３１には、横電界を生じさせるためのスリットが複数設けられている。

各対向電極３１は、Ｙ軸方向に延びるタッチセンサ用配線（第３配線）１４、及び第２接続線２４を介して、駆動回路１１と接続されている。タッチセンサ用配線１４は、第１配線層及び第２配線層とは異なる第３配線層に形成されており、ゲート線１２及びソース線１３に供給される信号とは異なる信号が供給される。タッチセンサ用配線１４及び第２接続線２４は、例えば銅、チタン、モリブデン、アルミニウム、クロム等の金属膜、あるいはこれらの合金や積層膜により形成される。なお、図２では、第２接続線２４を直線形状で示しているが、実際には、図１に示すように、直線形状ではない。

タッチ位置の検出方法について簡単に説明しておく。対向電極３１は、隣接する対向電極３１等との間に寄生容量が形成されているが、人の指等が表示装置１００の表示画面に触れると、人の指等との間で容量が形成されるため、静電容量が増加する。タッチ位置検出制御の際、駆動回路１１は、タッチセンサ用配線１４を介して、タッチ駆動信号を対向電極３１に供給し、タッチセンサ用配線１４を介してタッチ検出信号を受信する。これにより、静電容量の変化を検出して、タッチ位置を検出する。このタッチ位置検出方法は、いわゆる自己容量方式である。

アクティブマトリクス基板１には、表示領域１０の短辺方向の両外側に、一対のゲートドライバ１５が配置されている。各ゲート線１２は、ゲートドライバ１５と接続されている。ゲートドライバ１５は、ゲートドライバ駆動用配線１６を介して、ゲートドライバ駆動用信号端子１７と接続されている。ゲートドライバ１５は、外部の制御回路からゲートドライバ駆動用配線１６を介して入力される走査信号を、各ゲート線１２に所定のタイミングで供給して各ゲート線１２を順次に走査する走査回路を有している。

上述したように、液晶層をアクティブマトリクス基板１及び対向基板２に封入するために、シール材３が設けられている。シール材３には、光を照射することによって硬化する光硬化樹脂が用いられている。光硬化樹脂は、紫外線を照射することによって硬化する樹脂であっても良いし、可視光を照射することによって硬化する樹脂でも良い。また、紫外線や可視光以外の光を照射することによって硬化する樹脂でも良い。さらに、光硬化性及び熱硬化性の両方を有するシール材であっても良い。

ここでは、シール材３が配置されている領域をシール領域２０と呼ぶ。図１では、一部しか示していないが、シール領域２０は、表示領域１０の外側であって、表示領域１０を取り囲むように形成されている。

図３は、図１の一点鎖線で囲まれた領域の拡大図である。アクティブマトリクス基板１には、ソース線用検査パターン１８が設けられている。ソース線用検査パターン１８には、ソース線１３の短絡や断線を検出するために、ソース線１３への信号の供給を制御するためのスイッチング素子（検査用ＴＦＴ）が複数設けられている。ソース線用検査パターン１８は、ソース線検査信号入力用端子１９と接続されている。ソース線検査信号入力用端子１９には、外部の制御回路から、ソース線検査信号が入力される。

ソース線１３は、表示領域１０内に設けられている。表示領域１０の外側である非表示領域には、第１接続線２１が設けられている。第１接続線２１は、非表示領域において、ソース線１３とソース線用信号出力端子（第１端子）２６とを接続するための線である。すなわち、ソース線１３は、第１接続線２１を介してソース線用信号出力端子２６と電気的に接続されている。第１接続線２１は、例えばアルミニウム、銅、チタン、モリブデン、クロム等の金属膜、あるいはこれらの合金や積層膜により形成される。

第１接続線２１のうち、ソース線１３とソース線用検査パターン１８との間の部分は、ソース線１３と同じ第２配線層に形成されている。一方、第１接続線２１のうち、ソース線用検査パターン１８とソース線用信号出力端子２６との間の部分は、ソース線１３と同じ第２配線層に形成されている線と、ゲート線１２と同じ第１配線層に形成されている線が存在する。ここでは、ソース線用検査パターン１８とソース線用信号出力端子２６との間において、第１配線層に形成されている第１接続線２１を第１接続線２１ａと呼び、第２配線層に形成されている第１接続線２１を第１接続線２１ｂと呼ぶ。また、第１接続線２１ａと第１接続線２１ｂを区別する必要が無い場合には、第１接続線２１と総称する。

第１接続線２１ａと第１接続線２１ｂは、交互に配置されている。すなわち、隣接する２本のソース線１３の一方は、第１接続線２１ａと接続されており、他方は第１接続線２１ｂと接続されている。図１及び図３では、便宜上、隣接する第１接続線２１ａと第１接続線２１ｂを離間した状態で示しているが、後述するように、本実施形態では、隣接する第１接続線２１ａと第１接続線２１ｂの一部は平面視で重畳している。

アクティブマトリクス基板１には、タッチセンサ用検査パターン２２が設けられている。本実施形態では、タッチセンサ用検査パターン２２を２箇所に配置しているが、２箇所に限定されることはない。タッチセンサ用検査パターン２２には、タッチセンサ用配線１４の短絡や断線を検出するために、タッチセンサ用配線１４への信号の供給を制御するためのスイッチング素子（検査用ＴＦＴ）が複数設けられている。タッチセンサ用検査パターン２２は、タッチセンサ検査信号入力用端子２３と接続されている。タッチセンサ検査信号入力用端子２３には、外部の制御回路から、タッチセンサ検査信号が入力される。なお、２箇所のタッチセンサ用検査パターン２２のそれぞれにおいて、同じタッチセンサ検査信号を入力するための配線は、互いに接続されていても良い。このような構成にすると、２箇所のタッチセンサ用検査パターン２２において、タッチセンサ検査信号の伝達性の差を抑制できるため、検査時の表示ムラを低減することができる。さらに、タッチセンサ用検査パターン２２や対向電極３１の特定部分が帯電しないように、電荷を分散させやすくする効果もある。このとき、この接続配線を、第３配線層を用いて形成することで、工程を追加することなく製造することができる。

タッチセンサ用配線１４は、表示領域１０内に設けられている。表示領域１０の外側である非表示領域には、第２接続線２４が設けられている。第２接続線２４は、非表示領域において、タッチセンサ用配線１４とタッチセンサ用信号出力端子（第２端子）２５とを接続するための線である。すなわち、タッチセンサ用配線１４は、第２接続線２４を介してタッチセンサ用信号出力端子２５と電気的に接続されている。

第２接続線２４のうち、タッチセンサ用配線１４とタッチセンサ用検査パターン２２との間の部分は、タッチセンサ用配線１４と同じ第３配線層に形成されている。一方、第２接続線２４のうち、タッチセンサ用検査パターン２２とタッチセンサ用信号出力端子２５との間の部分は、ゲート線１２と同じ第１配線層に形成されている線と、ソース線１３と同じ第２配線層に形成されている線が存在する。ここでは、タッチセンサ用検査パターン２２とタッチセンサ用信号出力端子２５との間において、第１配線層に形成されている第２接続線２４を第２接続線２４ａと呼び、第２配線層に形成されている第２接続線２４を第２接続線２４ｂと呼ぶ。また、第３配線層に形成されている第２接続線２４を第２接続線２４ｃと呼ぶ。第２接続線２４ａ、第２接続線２４ｂ、及び第２接続線２４ｃを区別する必要が無い場合には、第２接続線２４と総称する。

すなわち、タッチセンサ用配線１４と接続されている第２接続線２４ｃは、タッチセンサ用検査パターン２２で、第１配線層に形成されている第２接続線２４ａまたは第２配線層に形成されている第２接続線２４ｂに繋ぎ換えられている。

図３では、第１配線層に形成されている線、第２配線層に形成されている線、及び第３配線層に形成されている線を、線の太さによって区別している。すなわち、第３配線層に形成されている線、第１配線層に形成されている線、第２配線層に形成されている線の順に、線が太くなるように図示している。

第２接続線２４ａと第２接続線２４ｂは、交互に配置されている。すなわち、隣接する２本の第２接続線２４ｃの一方は、第２接続線２４ａと接続されており、他方は第２接続線２４ｂと接続されている。

なお、第１接続線２１や第２接続線２４のような接続線は、引き出し線と呼ばれることもある。

図３に示すように、タッチセンサ用検査パターン２２は、シール領域２０、すなわち、アクティブマトリクス基板１と対向する対向基板２が設けられている領域に形成されている。すなわち、第３配線層に形成されている第２接続線２４ｃは、対向基板２の無い領域には形成されていない。一方、第１配線層に形成されている第２接続線２４ａ及び第２配線層に形成されている第２接続線２４ｂは、図３に示すように、対向基板２の無い領域にも形成されている。

図５を用いて後述するように、第２接続線２４ｃが形成されている第３配線層は、第１配線層及び第２配線層と比べて、アクティブマトリクス基板１のガラス基板から最も遠い位置にある。第２接続線２４ｃを保護する絶縁膜は、第２絶縁膜５５（図５参照）だけなので、対向基板２の無い領域に第２接続線２４ｃを形成すると、配線腐食が生じる懸念がある。また、駆動回路１１を実装した後に、駆動回路１１の不良等によって駆動回路１１を交換する必要が生じた場合、対向基板２の無い領域に第２接続線２４ｃが形成されていると、第２接続線２４ｃは欠損しやすい。

しかしながら、本実施形態では、第２接続線２４ｃは、対向基板２の無い領域には形成されていないので、上述した配線腐食や欠損等の不具合の発生を抑制することができる。また、隣接する第２接続線２４ｃは、異なる層に形成されている第２接続線２４ａ及び第２接続線２４ｂに交互に繋ぎ換えられているので、第２接続線２４ａだけ、または第２接続線２４ｂだけに繋ぎ換えられた場合と比べて、線幅や線の間隔を広くすることができる。これにより、断線や短絡を低減することができるので、製造時の歩留まりを向上させることができる。

一方、第１配線層に形成されている第２接続線２４ａ及び第２配線層に形成されている第２接続線２４ｂは、第１絶縁膜５３、平坦化膜５４、及び第２絶縁膜５５により保護されているので（図５参照）、対向基板２の無い領域に形成されていても、上述した配線腐食や欠損等の不具合は発生しにくい。

なお、第２接続線２４ｃから第２接続線２４ａまたは第２接続線２４ｂへの繋ぎ換えは、シール領域２０で行っているが、シール領域２０と表示領域１０との間で行っても良い。

また、第３配線層に形成されている第２接続線２４ｃは、第１配線層に形成されている第２接続線２４ａだけに繋ぎ換えられる構成としても良いし、第２配線層に形成されている第２接続線２４ｂだけに繋ぎ換えられる構成としても良い。第２接続線２４ｃをどの層の線に繋ぎ換えるかは、第２接続線２４の本数や、駆動回路１１のサイズ、液晶ディスプレイの外形（額縁領域の大きさ）によって、適宜決定することができる。例えば、図５を用いて後述するように、第１配線層に形成されている第２接続線２４ａは、第２配線層に形成されている第２接続線２４ｂよりも保護層が多いため、第２接続線２４ｃを第２接続線２４ａだけに繋ぎ換えると、配線腐食等の懸念をより低減することができる。

上述したように、タッチセンサ用検査パターン２２は、シール領域２０、すなわち、アクティブマトリクス基板１と対向する対向基板２が設けられている領域に形成されている。タッチセンサ用検査パターン２２が形成されている領域と対向する対向基板２側の領域には、ブラックマトリクスが設けられている。タッチセンサ用配線１４の断線や短絡の検査を行う際には、駆動回路１１は実装されておらず、タッチセンサ用検査パターン２２に含まれる複数のスイッチング素子（検査用ＴＦＴ）は、駆動回路チップに覆われていない。このため、タッチセンサ用検査パターン２２が形成されている領域と対向する対向基板２側の領域にブラックマトリクスが形成されていない場合には、検査環境によっては、外光がスイッチング素子（検査用ＴＦＴ）に入射し、スイッチング素子の特性が変動する可能性がある。しかしながら、本実施形態では、タッチセンサ用検査パターン２２が形成されている領域と対向する対向基板２側の領域には、ブラックマトリクスが設けられているので、検査時のスイッチング素子の特性の変動を抑制することができる。

図３に示すように、シール領域２０において、第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂと、第２接続線２４ｃは交差している。すなわち、シール領域において、第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂと、第２接続線２４ｃは、平面視で一部が重畳している。

図４は、シール領域２０において、第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂと、第２接続線２４ｃが平面視で一部重畳している領域を含む領域の拡大平面図である。本実施形態では、シール領域２０内で第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂと、第２接続線２４とが重畳している領域において、異なる層に形成されている第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂが平面視で一部が重畳している。

ここでは、第１接続線２１ａの線幅は３μｍであり、隣接する第１接続線２１ａ間の間隔ｈ１は６μｍである。また、第１接続線２１ｂの線幅は３μｍであり、隣接する第１接続線２１ｂ間の間隔ｈ２は６μｍである。第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂは平行であり、一部が重畳している。第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂの重なり幅ｈ３は１μｍである。また、第２接続線２４ｃの線幅は３μｍであり、隣接する第２接続線２４ｃ間の間隔ｈ４は９．５μｍである。

ただし、第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂの重なり幅ｈ３は１μｍ未満でも良いし、１μｍ以上３μｍ未満であっても良い。また、第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂの線幅は、同じでなくても良い。さらに、第１接続線２１ａ、第１接続線２１ｂ、及び第２接続線２４ｃの線幅や隣接する線間の間隔が上述した数値に限定されることはない。

図５は、図４のＶ−Ｖ切断線における断面図である。アクティブマトリクス基板１のガラス基板５１の上には、第１接続線２１ａが形成されている。第１接続線２１ａは、ゲート線１２及びゲート電極と同じ第１配線層に形成されている。

ゲート絶縁膜５２は、第１接続線２１ａを覆うように形成されている。ゲート絶縁膜５２は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）や酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）からなる。

ゲート絶縁膜５２の上には、第１接続線２１ｂが形成されている。第１接続線２１ｂは、ソース線１３及びソース電極と同じ第２配線層に形成されている。

上述したように、第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂは、平面視で一部が重なっており、その重なり幅ｈ３は、例えば１μｍである。

第１絶縁膜５３は、第１接続線２１ｂを覆うように形成されている。第１絶縁膜５３は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）や酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）からなる。

第１絶縁膜５３の上には、絶縁膜である平坦化膜５４が形成されている。平坦化膜５４は有機膜であって、例えば感光性を有するアクリル系樹脂材料などからなる。平坦化膜５４は、第１接続線２１ａ、第１接続線２１ｂと第２接続線２４との間の静電容量を低減するために、比誘電率が低い（例えば２〜４）材料で、厚膜（例えば１〜４μｍ）に形成することが好ましい。

平坦化膜５４の上には、第２接続線２４ｃが形成されている。

第２絶縁膜５５は、第２接続線２４ｃを覆うように形成されている。第２絶縁膜５５は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）や酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）からなる。表示領域１０では、第２絶縁膜５５の上に対向電極３１が形成されている。対向電極３１は、第２絶縁膜５５に形成されているコンタクトホールを介して、タッチセンサ用配線１４と接続されている。また、表示領域１０に設けられている画素電極は、第２接続線２４ｃと同様に平坦化膜５４の上に形成され、第２絶縁膜５５で覆われている。

第２絶縁膜５５の上には、シール材３が設けられている。なお、図５では、シール領域２０に配置されているスペーサは省略している。

シール材３を挟んでアクティブマトリクス基板１と反対側には対向基板２が設けられている。対向基板２のガラス基板５６にはブラックマトリクス５７が形成されており、ブラックマトリクス５７とシール材３との間には、オーバーコート層５８が形成されている。なお、対向基板２の表示領域１０には、カラーフィルタ（不図示）が形成されている。

上述したように、シール材３には、光を照射することによって硬化する光硬化樹脂が用いられている。光は、アクティブマトリクス基板１のガラス基板５１側から照射する。第１接続線２１ａ、第１接続線２１ｂ、及び第２接続線２４は、光透過性の低い不透明な金属膜により形成されているため、ガラス基板５１側から照射された光は、第１接続線２１ａ、第１接続線２１ｂ、及び第２接続線２４が形成されていない領域Ｓ１を介してシール材３に到達する。図５に示すように、第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂの一部が重なっていることにより、第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂが重なっていない構成と比べて、第１接続線２１ａ、第１接続線２１ｂ、及び第２接続線２４が形成されていない領域Ｓ１（以下、光透過領域Ｓ１と呼ぶ）を広くすることができる。これにより、シール材３に十分な光を照射することができるので、表示装置１００の製造時に、シール材３が硬化不足となるのを抑制することができる。

異なる層に形成されている第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂが平面視で一部重なっている本実施形態における光透過領域Ｓ１の広さと、第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂが平面視で重なっていない比較構成における光透過領域Ｓ２の広さの違いについて説明する。図６は、本実施形態の光透過領域Ｓ１を示す平面図である。また、図１３は、第１接続線１３１ａ及び第１接続線１３１ｂが平面視で重なっていない比較構成における光透過領域Ｓ２を示す平面図である。光透過領域Ｓ２は、第１接続線１３１ａ、第１接続線１３１ｂ、及び第２接続線１３２ｃで囲まれた領域である。

図１３に示す比較構成において、シール領域における光透過領域Ｓ２の割合は約２５％である。一方、図６に示す本実施形態の構成によれば、シール領域２０における光透過領域Ｓ１の割合は約３３％である。この３３％という値は、図１３に示す比較構成において、第２接続線１３２ｃを除外した場合の光透過領域の割合と同等であり、本出願の発明者によって、シール材３の硬化不足は生じないことが確認されている。

すなわち、本実施形態における表示装置１００によれば、タッチ検出機能の無い表示装置に対して、タッチ位置を検出するための構成であるタッチセンサ用配線１４及び第２接続線２４を配置した構成であっても、シール領域２０において、タッチ検出機能の無い表示装置と同等の光透過領域の割合を維持することができる。これにより、シール材３の硬化不足を抑制することができるので、高品質の表示装置を提供することができる。

なお、比較構成と比べて広い光透過領域Ｓ１を確保するためには、平面視で隣接する第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂの少なくとも一部が重畳していれば良い。しかしながら、アクティブマトリクス基板１を製造する際に、第１接続線２１ａが形成される第１配線層に対する、第１接続線２１ｂが形成される第２配線層のアライメントずれが１μｍ程度生じる場合がある。また、第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂの線幅のばらつきが１μｍ程度生じる場合がある。このアライメントずれや線幅のばらつきは、表示装置の製造時に、液晶パネルを多面取りできる、大きいマザーガラスにおいて顕著となる。

第１接続線２１ａと第１接続線２１ｂの重なり幅ｈ３を１μｍ未満とした場合、上述したアライメントずれや線幅のばらつき等によって、光透過領域を十分に確保できない可能性がある。従って、第１接続線２１ａと第１接続線２１ｂの重なり幅ｈ３は少なくとも１μｍ以上であることが好ましい。より好ましくは、第１接続線２１ａと第１接続線２１ｂの重なり幅ｈ３は、２μｍ以上である。

なお、図３に示すように、シール領域２０には、第１配線層に形成されている第２接続線２４ａ、及び第２配線層に形成されている第２接続線２４ｂが形成されている領域がある。具体的には、シール領域２０のうち、タッチセンサ用検査パターン２２とタッチセンサ用信号出力端子２５との間の領域には、第２接続線２４ａ及び第２接続線２４ｂが形成されている。この領域において、隣接する第２接続線２４ａ及び第２接続線２４ｂの一部を重畳させる構成とすれば、光透過領域Ｓ１をさらに広くすることができ、シール材３の硬化不足をより効果的に抑制することができる。

＜第２の実施形態＞
図７は、第２の実施形態において、シール領域２０において、第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂと、第２接続線２４ｃが平面視で一部重畳している領域を含む領域の拡大平面図である。第２の実施形態では、隣接する２本のソース線１３とそれぞれ接続されている第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂは完全に重なっている。すなわち、第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂの線幅は、第１の実施形態と同様に３μｍであるが、第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂの重なり幅ｈ３は３μｍである。

この場合のシール領域２０における光透過領域Ｓ１の割合は、約５０％である。すなわち、第２の実施形態の構成によれば、第１の実施形態の構成と比べて、光透過領域Ｓ１を広くすることができるので、シール材３の硬化不足をより効果的に抑制することができる。

なお、本出願の発明者による実験によれば、光透過領域Ｓ１の割合が３３％あれば、シール材３の硬化不足は生じないという結果が得られている。従って、隣接する２本のソース線１３とそれぞれ接続されている第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂを完全に重ねる構成において、第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂの線幅を広くしつつ、光透過領域の面積比率を３３％に維持する構成とすることもできる。第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂの線幅を広くすることにより、第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂの断線を抑制することができるので、製造時の歩留まりを向上させることができる。なお、第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂの線幅を広くする代わりに、第２接続線２４の線幅を広くするようにしても良い。

また、図３に示すように、シール領域２０には、第１配線層に形成されている第２接続線２４ａ、及び第２配線層に形成されている第２接続線２４ｂが形成されている領域がある。この領域において、隣接する２本の第２接続線２４ｃとそれぞれ接続されている第２接続線２４ａ及び第２接続線２４ｂを完全に重ねる構成とすれば、光透過領域Ｓ１をさらに広くすることができ、シール材３の硬化不足をより効果的に抑制することができる。

＜第３の実施形態＞
図８は、第３の実施形態において、シール領域２０において、第１接続線２１ａ及び第１接続線２１ｂと、第２接続線２４ｃが平面視で一部重畳している領域を含む領域の拡大平面図である。図９は、図８のＩＸ−ＩＸ切断線における断面図である。

本実施形態では、図９に示すように、第２接続線２４ｃは、金属膜８１と透明導電膜８２の二層により形成されている。具体的には、金属膜８１の下に透明導電膜８２が形成されている。金属膜８１は、光透過性が低い不透明な金属の膜であって、例えば銅、チタン、モリブデン、アルミニウム、クロム等やこれらの合金である。透明導電膜８２は、例えばＩＴＯである。ただし、透明導電膜８２がＩＴＯに限定されることはなく、ＩＺＯ等の他の透明導電材料により形成されていても良い。透明導電膜８２は、画素電極と同じ層に形成されるため、画素電極と同じ材料を用いて、同じ工程でパターン形成することができる。

また、第２接続線２４ｃと同様に、第３配線層に形成されているタッチセンサ用配線１４も金属膜と透明導電膜の二層により形成されている。

金属膜８１の線幅は、透明導電膜８２の線幅よりも狭い。例えば、金属膜８１の線幅は３μｍであり、透明導電膜８２の線幅は５μｍである。ただし、これらの数値は一例であって、例えば、透明導電膜の線幅は５μｍ以上（例えば７μｍ以上）であっても良い。

銅やアルミニウムのような金属と比べて、ＩＴＯの抵抗は１桁以上高い。従って、タッチセンサ用配線１４及び第２接続線２４ｃの全てをＩＴＯのような透明導電膜で形成した場合には、信号の伝達性が低くなる。しかしながら、本実施形態では、金属膜８１と透明導電膜８２の二層によりタッチセンサ用配線１４及び第２接続線２４ｃを構成しているので、透光部分を確保しつつ、低抵抗かつ冗長性に優れた配線とすることができる。

ここで、冗長性を活かして、シール領域２０における第２接続線２４ｃの金属膜８１の線幅を細くし（例えば２μｍ）、シール領域２０より内側（表示領域１０側）の領域の金属膜８１の線幅を太く（例えば４μｍ）しても良い。シール領域２０における金属膜８１の線幅を細くすることにより、シール材３に光を照射することができる光透過領域Ｓ１を広くすることができる。また、シール領域２０より内側の領域の金属膜８１の線幅を太くすることにより、抵抗を低くすることができ、また、金属膜８１の断線を抑制することができるので、製造時の歩留まりを向上させることができる。

＜第４の実施形態＞
図１０は、第４の実施形態において、ソース線用検査パターン１８の配置位置を示す平面図である。図１０において、図３と同じ構成部分については、同じ符号を付している。第１の実施形態では、ソース線用検査パターン１８は、シール領域２０の内側に形成されていたが、本実施形態では、駆動回路１１を実装する領域１０１に形成されている。より詳細には、ソース線用信号出力端子２６を挟んで第１接続線２１ａ、２１ｂとは反対側に、ソース線用検査パターン１８が形成されている。

ソース線用検査パターン１８を駆動回路１１の実装領域１０１に配置する構成によれば、表示領域１０に近い領域にソース線用検査パターン１８を配置する必要がないので、額縁領域を縮小することができる。また、ソース線用検査パターン１８とソース線検査信号入力用端子１９との間を接続する配線１０２をシール領域２０に形成する必要がないので、接続線（第１接続線２１ａ、２１ｂ、第２接続線２４ｃ）のレイアウトの自由度が向上する。

さらに、図３に示すように、ソース線用検査パターン１８を表示領域１０に近い領域に形成した場合には、接続線の断線を検出できない部分（ソース線用検査パターン１８とソース線用信号出力端子２６との間）がある。しかしながら、本実施形態の構成によれば、ソース線用検査パターン１８とソース線用信号出力端子２６との間の接続線の断線も検出することができる。

なお、図１０に示す構成では、タッチセンサ用検査パターン２２は、駆動回路１１を実装する領域１０１には配置していない。これにより、ソース線用検査パターン１８を配置する領域として、タッチセンサ用信号出力端子２５の下の領域（タッチセンサ用信号出力端子２５に対して第２接続線２４ａ、２４ｂとは反対側の領域）も使用することができる。このため、ソース線用検査パターン１８をＸ軸方向の広い領域に配置することができるため、ソース線用検査パターン１８内の断線や短絡等の不良を抑制することができる。また、ソース線１３の本数が多い高精細な表示装置の検査も実施することが可能となる。

＜第４の実施形態の変形構成＞
図１１は、第４の実施形態の変形構成において、ソース線用検査パターン１８及びタッチセンサ用検査パターン２２の配置位置を示す平面図である。図１１において、図３及び図１０と同じ構成部分については、同じ符号を付している。この変形構成例では、ソース線用検査パターン１８だけでなく、タッチセンサ用検査パターン２２も駆動回路１１を実装する領域１０１に形成されている。より詳細には、タッチセンサ用検査パターン２２は、タッチセンサ用信号出力端子２５に対して、第２接続線２４ａ、２４ｂとは反対側に形成されている。すなわち、第２接続線２４ｃは、第２接続線２４ａまたは第２接続線２４ｂと、シール領域２０に対して表示領域１０とは反対側の領域で繋ぎ換えられている。

この構成によれば、第３配線層に形成されている第２接続線２４ｃは、対向基板２の無い領域で、第１配線層に形成されている第２接続線２４ａまたは第２配線層に形成されている第２接続線２４ｂに繋ぎ換えられている。これにより、シール領域２０で第２接続線２４ｃを第２接続線２４ａまたは第２接続線２４ｂに繋ぎ換える構成と比べて、第１接続線２１ａ、２１ｂを形成する領域を広く確保することができる。

すなわち、シール領域２０で第２接続線２４ｃを第２接続線２４ａまたは第２接続線２４ｂに繋ぎ換える構成（図３参照）では、第１接続線２１ａが形成されている第１配線層に第２接続線２４ａが存在し、第１接続線２１ｂが形成されている第２配線層に第２接続線２４ｂが存在する。しかし、図１１に示す構成によれば、シール領域２０に配置される第２接続線２４は、第３配線層に形成されている第２接続線２４ｃだけとなる。これにより、第１接続線２１ａ、２１ｂの間隔を広げたり、額縁領域を縮小することができる。

ソース線用検査パターン１８及びタッチセンサ用検査パターン２２を駆動回路１１の実装領域１０１に形成する場合、その形成領域は、駆動回路１１のサイズに制限される。駆動回路１１の幅が表示領域１０の幅よりも狭い場合、例えば、スイッチング素子（検査用ＴＦＴ）を複数段にわたって千鳥配置する必要がある。

図１２は、タッチセンサ用検査パターン２２の部分拡大図である。図１２に示す例では、タッチセンサ用検査パターン２２に含まれる複数のスイッチング素子（検査用ＴＦＴ）１２１が４段にわたって千鳥配置されている。なお、図示は省略するが、ソース線用検査パターン１８に含まれる複数のスイッチング素子（検査用ＴＦＴ）についても同様に、複数段にわたって千鳥配置される。

ここで、タッチセンサ用配線１４及び第２接続線２４の断線や短絡不良を検出する検査方法の一例について説明しておく。まず初めに、第１共通配線１２２ａ及び／または第２共通配線１２２ｂから、所定のタッチセンサ用配線１４を介して対向電極３１に電圧を印加して、特定パターンを表示させる。隣接するタッチセンサ用配線１４の一方は、スイッチング素子１２１を介して第１共通配線１２２ａと接続されており、他方は、スイッチング素子１２１を介して第２共通配線１２２ｂと接続されている。そして、検査員による目視判定または画像処理による判定により、特定パターンが正常に表示されているかを確認することにより、断線や短絡不良を検出する。なお、この検査を行う際には、ゲートドライバ１５とソース線用検査パターン１８とを用いて、画素電極に基準電位を供給する。

特定パターンとしては、例えば、ストライプ状のパターンや市松模様のパターンがある。ストライプ状のパターンとは、複数行にわたって配置されている対向電極３１に対応する画素について、１行毎に白表示と黒表示を交互に表示する表示パターンである。また、市松模様パターンとは、マトリクス状に配置されている対向電極３１に対応する画素について、行方向及び列方向のいずれの方向においても、隣接する２つの対向電極の一方に対応する画素は白表示とし、他方に対応する画素は黒表示とする表示パターンである。ここで、白表示とは、表示装置の背面（アクティブマトリクス基板１のガラス基板側）に配置した光源（バックライト）からの光を透過させるような表示であり、黒表示用とは、光源からの光を透過させない表示である。

ストライプ状のパターンや市松模様のパターンを表示するためには、スイッチング素子１２１に接続する共通配線１２２は、図１２の第１共通配線１２２ａ及び第２共通配線１２２ｂのように、少なくとも２本あれば良い。図１２では、第１共通配線１２２ａ及び第２共通配線１２２ｂとは別に、スイッチング素子１２１のオン／オフを制御するためのオン／オフ制御配線１２３を示している。検査時に、オン／オフ制御配線１２３には、同じ信号が入力される。

なお、スイッチング素子１２１に検査信号を入力するための共通配線１２２の本数を増やせば、種々のパターンを表示させることができ、検査精度を高くすることができる。例えば、共通配線１２２を４本にすると、同じ配線層で形成した隣接配線の短絡も検出することができる。一方、共通配線１２２の本数を増やすと、その配置領域を確保するために、狭額縁化に対応できなくなったり、接続線幅のレイアウトが困難になる可能性がある。このため、共通配線１２２の本数は、ＦＰＣ端子領域や液晶ディスプレイの外形（額縁領域の大きさ）等によって、適宜設定する。

以上、上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。例えば、各実施形態及びその変形構成における技術的特徴は、適宜組み合わせることができる。

上述した各実施形態では、表示装置１００として、タッチセンサ機能付き液晶ディスプレイを例に挙げて説明したが、タッチセンサ機能付き液晶ディスプレイに限定されることはない。例えば、表示装置１００は、タッチパネルを内蔵しない有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）ディスプレイであっても良い。表示装置１００が有機ＥＬディスプレイの場合、第１配線はゲート線、第２配線はソース線、第３配線は、発光期間中に有機ＥＬ層に電流を供給する配線にそれぞれ対応させることができる。例えば、国際公開第2013/157285号の実施形態８に開示されているアクティブマトリクス型有機ＥＬディスプレイにおいて、ゲートバスライン１１３、データバスライン１１２、発光制御線１２１をそれぞれ、第１配線、第２配線、第３配線に対応させることができる。

上述した各実施形態において、ゲート線１２は、Ｘ軸方向に延在し、Ｙ軸方向に複数配置されており、ソース線１３は、Ｙ軸方向に延在し、Ｘ軸方向に複数配置されていた。しかし、ゲート線１２がＹ軸方向に延在し、Ｘ軸方向に複数配置されており、ソース線１３がＸ軸方向に延在し、Ｙ軸方向に複数配置されている構成であっても良い。

上述した各実施形態において、第１配線はゲート線１２、第２配線はソース線１３、第３配線はタッチセンサ用配線１４であるものとして説明したが、第１配線〜第３配線がこれらの線に限定されることはない。

液晶ディスプレイの液晶層に含まれる液晶分子の駆動方式は、ＩＰＳ方式やＦＦＳ方式などの水平配向の横電界駆動方式として説明したが、他の方式であっても良い。例えば、誘電率異方性が負の液晶と垂直配向膜を用いた横電界駆動方式であっても良い。

ここで、液晶の配向方法として、配向膜上にポリマーによる配向支持層を形成する方法が知られている。ＶＡ方式（垂直配向方式）の液晶ディスプレイでは、例えばＰＳＡ（Polymer Sustained Alignment）技術として実用化されている。詳しくは、液晶中に光重合性のモノマーを添加しておき、液晶に電圧を印加した状態（液晶分子を垂直方向から傾斜させた状態）で、光または熱によりモノマーをポリマー化させる。このとき、配向膜（ＶＡ方式の場合は垂直配向膜）上に、液晶分子の初期配向の方向をわずかに（２〜３度）垂直配向から傾斜させるようなポリマー層が形成される。

このようなポリマーを利用した配向方法は、ＩＰＳ方式やＦＦＳ方式などの横電界駆動方式の場合にも利用されている。横電界方式の場合は、ラビングや光配向によって配向処理された水平配向膜上にポリマーを形成するが、モノマーのポリマー化は、液晶に電圧を印加しない状態で行う。このポリマー化の際に画素電極や対向電極に電荷が蓄積されていると、液晶が好ましくない配向状態でポリマー化されることになり、表示ムラやコントラスト低下の原因となる。このため、液晶に電圧が印加されないように、タッチセンサ用配線１４、第２接続線２４、及びタッチセンサ用検査パターン２２に含まれるスイッチング素子１２１を用いて、画素電極や対向電極３１の電荷を分散させることができる。すなわち、タッチセンサ用配線１４、第２接続線２４、及びタッチセンサ用検査パターン２２に含まれるスイッチング素子１２１は、タッチセンサ用配線１４及び第２接続線２４の断線や短絡不良等の検査のためだけでなく、上述した画素電極や対向電極３１の電荷の分散のためにも用いることができる。

タッチ位置の検出方法は、いわゆる自己容量方式であったが、相互容量方式であっても良い。すなわち、相互容量方式のタッチ位置検出機能を有する表示装置にも、本発明を適用することができる。

検査時に表示する特定パターンは、上述したストライプパターンや市松模様パターンに限定されることはない。

上述した説明では、ソース線１３は、表示領域１０内に設けられており、ソース線１３と接続される第１接続線２１は、非表示領域に設けられているものとした。しかし、ソース線１３は、表示領域１０内だけでなく、非表示領域にも配置される長さであっても良い。また、ソース線１３は、第１接続線２１を介してソース線用信号出力端子２６と接続されているものとして説明したが、ソース線１３と第１接続線２１とを区別せずに、全てをソース線と呼ぶこともできる。ゲート線１２及びタッチセンサ用配線１４についても同様である。

１…アクティブマトリクス基板、２…対向基板、３…シール材、１０…表示領域、１１…駆動回路、１２…ゲート線、１３…ソース線、１４…タッチセンサ用配線、１８…ソース線用検査パターン、２０…シール領域、２１ａ、２１ｂ…第１接続線、２２…タッチセンサ用検査パターン、２３…タッチセンサ検査信号入力用端子、２４ａ、２４ｂ、２４ｃ…第２接続線、２５…タッチセンサ用信号出力端子、２６…ソース線用信号出力端子、８１…金属膜、８２…透明導電膜、１００…表示装置

Claims (15)

1. アクティブマトリクス基板と、
   前記アクティブマトリクス基板に対向する対向基板と、
   前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板の間に配置された表示機能層と、
   光を照射することによって硬化する材料からなり、前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板の間に前記表示機能層を封入するシール材と、
   を備え、
   前記アクティブマトリクス基板は、
   第１配線層に形成された第１配線と、
   前記第１配線層とは異なる第２配線層に形成された第２配線と、
   前記第１配線層及び前記第２配線層とは異なる第３配線層に形成され、前記第１配線及び前記第２配線に供給される信号とは異なる信号が供給される第３配線と、
   前記第１配線または前記第２配線に電気的に接続された第１端子と、
   前記第３配線と電気的に接続された第２端子と、
   前記第１配線または前記第２配線と前記第１端子との間を接続する第１接続線と、
   前記第３配線と前記第２端子との間を接続する第２接続線と、
   を備え、
   隣接する２本の前記第１配線または隣接する２本の前記第２配線にそれぞれ接続される２本の前記第１接続線の一方は、少なくとも一部が前記第１配線層及び前記第２配線層のうちの一方の配線層に形成され、前記２本の前記第１接続線の他方は、少なくとも一部が前記第１配線層及び前記第２配線層のうちの他方の配線層に形成されており、
   前記第１接続線及び前記第２接続線は、前記シール材が配置されているシール領域において、平面視で一部が重畳しており、
   前記シール領域であって、前記第１接続線及び前記第２接続線が重畳している領域において、前記２本の前記第１接続線の少なくとも一部は、平面視で重畳している、表示装置。
2. 前記シール領域であって、前記第１接続線及び前記第２接続線が重畳している領域において、前記２本の前記第１接続線は、平面視で線幅全体が重畳している、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第３配線及び前記第２接続線は、少なくとも一部が透明導電膜により形成されている、請求項１または２に記載の表示装置。
4. 前記第３配線及び前記第２接続線は、少なくとも一部が金属膜及び前記透明導電膜が積層されることによって形成されており、
   前記金属膜の線幅は、前記透明導電膜の線幅よりも狭い、請求項３に記載の表示装置。
5. 前記第２接続線は、前記シール領域と前記第２端子との間において、少なくとも一部が前記第１配線層または前記第２配線層に形成されている、請求項１から４のいずれか一項に記載の表示装置。
6. 前記シール領域と前記第２端子との間において隣接する２本の前記第２接続線の少なくとも一部は、前記第１配線層及び前記第２配線層に交互に形成されている、請求項５に記載の表示装置。
7. 隣接する２本の前記第２接続線は、前記第１配線層及び前記第２配線層に交互に形成されている部分の少なくとも一部が平面視で重畳している、請求項６に記載の表示装置。
8. 前記第２接続線のうち、前記第３配線層に形成されている部分と、前記第１配線層または前記第２配線層に形成されている部分の境界は、前記シール領域、または前記シール領域と表示領域の間の領域にある、請求項６または７に記載の表示装置。
9. 前記アクティブマトリクス基板は、前記第３配線層に形成されている前記第２接続線と、前記第１配線層または前記第２配線層に形成されている前記第２接続線との境界に形成されている第２接続線用スイッチング素子をさらに備える、請求項８に記載の表示装置。
10. 前記アクティブマトリクス基板は、前記第１端子と電気的に接続されている第１接続線用スイッチング素子をさらに備え、
    前記第１接続線用スイッチング素子は、前記第１端子を挟んで前記第１接続線とは反対側に配置されている、請求項１から９のいずれか一項に記載の表示装置。
11. 前記第２接続線のうち、前記第３配線層に形成されている部分と、前記第１配線層または前記第２配線層に形成されている部分の境界は、前記シール領域に対して表示領域とは反対側の領域にある、請求項５に記載の表示装置。
12. 前記アクティブマトリクス基板は、前記第２端子と電気的に接続されている第２接続線用スイッチング素子をさらに備え、
    前記第２接続線用スイッチング素子は、前記第２端子を挟んで前記第２接続線とは反対側に配置されている、請求項１０または１１に記載の表示装置。
13. 前記アクティブマトリクス基板は、前記第１接続線と前記第２接続線が平面視で重畳している領域において、前記第１接続線と前記第２接続線との間に設けられている絶縁膜をさらに備え、
    前記絶縁膜は有機膜である、請求項１から１２のいずれか一項に記載の表示装置。
14. 前記アクティブマトリクス基板は、複数のタッチセンサ用電極をさらに備え、
    前記第３配線は、前記タッチセンサ用電極と接続されている、請求項１から１３のいずれか一項に記載の表示装置。
15. 前記２本の前記第１接続線の線幅は３μｍであり、前記２本の前記第１接続線の少なくとも一部は、平面視で２μｍ以上重畳している、請求項１に記載の表示装置。

Images