JP2014222483A - 電子部品 - Google Patents

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Abstract

【課題】パッドを形成する導電層間のオーミック接触が可能な電子部品を提供する。【解決手段】電子部品はパッドpを備える。パッドpは、下層透明導電層15aと、下層透明導電層15a上に設けられた絶縁層18bと、絶縁層18bに形成され下層透明導電層15aを露出させるコンタクトホール18cと、下層透明導電層15a上に設けられ絶縁層18bで覆われコンタクトホール18cを取囲んだ金属層19と、絶縁層18b上に設けられコンタクトホール18cを通って下層透明導電層15aに接続された上層透明導電層15bと、を有する。【選択図】図9

Description

本発明の実施形態は、電子部品に関する。
タッチパネルは、ヘイズが小さく透過率が高いといった光学的な特徴や、マルチタッチ対応といったアプリケーションの幅から、携帯電話等のモバイル端末における入力インターフェイスとしてのニーズが拡大している。タッチパネルの位置検出方式は、静電容量方式である。
静電容量方式のタッチパネルは、例えば液晶表示パネルの表示面に貼り合せられ、利用される。タッチパネルは、ガラス基板と、ガラス基板上にITO(インジウム・ティン・オキサイド)で形成された検知電極と、パッドと、を有している。液晶表示パネルの表示面には、タッチパネルのガラス基板が接着材により貼り合せられている。タッチパネルの検知電極側は化粧板で覆われている。化粧板は、接着材によりタッチパネルに貼り合せられている。
タッチパネルにおいて、操作者の指等を化粧板の表面に接触させて入力すると、入力位置に近い部分の検知電極の静電容量が変化する。このため、検知電極は、静電容量の変化状態を電圧変化として検出することにより、入力情報を検出することができる。入力情報はパッドに伝達される。
特開2007−304512号公報
上記パッドは、複数の導電層の複合体で形成されている。しかしながら、導電層間でオーミック接触できない場合がある。
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、パッドを形成する導電層間のオーミック接触が可能な電子部品を提供することにある。
一実施形態に係る電子部品は、
絶縁基板上に設けられた下層透明導電層と、前記下層透明導電層上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層に形成され前記下層透明導電層を露出させるコンタクトホールと、前記下層透明導電層上に設けられ前記絶縁層で覆われ前記コンタクトホールを取囲んだ金属層と、前記絶縁層上に設けられ前記コンタクトホールを通って前記下層透明導電層に接続された上層透明導電層と、を有したパッド、を備えている。
図1は、一実施形態に係る液晶表示装置を示す概略断面図である。 図2は、図1に示した液晶表示パネルの平面図である。 図3は、図2の線A−Aに沿って示す液晶表示パネルの断面図である。 図4は、図1に示したセンシング基板を概略的に示す平面図である。 図5は、上記センシング基板の一部を示す拡大平面図であり、センサモジュールを示す図である。 図6は、図5の線B−Bに沿って示す上記センシング基板の一部を示す断面図であり、センサモジュールを示す図である。 図7は、上記センシング基板の一部を示す拡大平面図であり、一部のパッドを取り出して示す図である。 図8は、図7の線C−Cに沿って示す上記センシング基板の一部を示す断面図であり、パッドを示す図である。 図9は、図7の線D−Dに沿って示す上記センシング基板の一部を示す断面図であり、パッドを示す図である。 図10は、上記センシング基板のパッド群の変形例を示す拡大平面図であり、一部のパッドを取り出して示す図である。
以下、図面を参照しながら一実施形態に係る電子部品及び電子部品を備えた電子機器について詳細に説明する。この実施形態において、電子部品はセンシング基板であり、電子機器は表示装置としての液晶表示装置である。
図1に示すように、液晶表示装置は、画像を表示する表示面を有する表示パネルとしての液晶表示パネル1と、バックライトユニット2と、センシング基板3と、配線基板としてのFPC(フレキシブル配線基板)4と、接着材5と、を備えている。後述するが、センシング基板3は、化粧板としての機能と、タッチパネルとしての機能を備えている。
図1乃至図3に示すように、液晶表示パネル1は、アレイ基板20と、対向基板30と、液晶層40と、第1偏光部60と、表示面Sを有した第2偏光部70とを備えている。アレイ基板20及び対向基板30は、それぞれ矩形状に形成されている。アレイ基板20は、対向基板30よりも大きな寸法に形成されている。
アレイ基板20及び対向基板30は、各々3辺がほぼ重なるように配置されている。アレイ基板20の残る一辺において、アレイ基板20は、対向基板30よりも外側に延出している。より詳しくは、第1方向Xにおいて、アレイ基板20及び対向基板30はほぼ重なるように配置されている。第1方向Xと直交した第2方向Yにおいて、アレイ基板20は、対向基板30よりも外側へ延出している。液晶表示パネル1は、アレイ基板20及び対向基板30に重なった矩形状の表示領域R2を有している。
アレイ基板20は、透明な絶縁基板として、矩形状のガラス基板21を有している。対向基板30から外れたガラス基板21上には駆動回路80が搭載されている。表示領域R2において、ガラス基板21上に複数の画素が設けられている。画素は、第1方向X及び第2方向Yに並んでマトリクス状に設けられている。表示領域R2において、ガラス基板21上に、図示しない複数の信号線及び複数の走査線が格子状に設けられている。
信号線及び走査線の交差部近傍に、スイッチング素子として、例えばTFT(薄膜トランジスタ)22が設けられている。ガラス基板21上には、複数の画素電極23がマトリクス状に形成されている。画素電極23は、ITO(インジウム・ティン・オキサイド)等の透明な導電材料により形成されている。画素は、それぞれTFT22と、このTFTに電気的に接続された画素電極23等とを有している。
TFT22及び画素電極23等が形成されたガラス基板21上に、複数の柱状スペーサ25が複数本形成されている。ガラス基板21及び画素電極23上に、配向膜26が形成されている。
対向基板30は、透明な絶縁基板として、矩形状のガラス基板31を有している。表示領域R2において、ガラス基板31上にカラーフィルタ50が設けられている。カラーフィルタ50は、遮光部51と、周辺遮光部52と、赤色の着色層53と、緑色の着色層54と、青色の複数の着色層55とを有している。
遮光部51は、格子状に形成され、信号線及び走査線に重なって形成されている。周辺遮光部52は、矩形枠状に形成され、表示領域R2の周縁部全周に亘って形成されている。周辺遮光部52は、表示領域R2の外側から漏れる光の遮光に寄与している。
着色層53、54、55は、ガラス基板31、遮光部51及び周辺遮光部52上に形成されている。着色層53、54、55は、第1方向Xに互いに隣接し、交互に並んで配設されている。着色層53、54、55は、それぞれストライプ状に形成され、第2方向Yに延出し、第2方向Yに並んだ画素に重なっている。着色層53、54、55の周縁部は、遮光部51及び周辺遮光部52に重なっている。
カラーフィルタ50上に、ITO等の透明な導電材料により対向電極32が形成されている。対向電極32上には配向膜33が形成されている。
アレイ基板20及び対向基板30は、柱状スペーサ25により所定の隙間を置いて対向配置されている。アレイ基板20及び対向基板30は、表示領域R2の外側である両基板の周縁部に配設されたシール材41により互いに接合されている。
液晶層40は、アレイ基板20及び対向基板30間に挟持され、シール材41で囲まれている。
第1偏光部60はガラス基板21の外面に配置されている。第2偏光部70はガラス基板31の外面に配置されている。上述したように、第2偏光部70の外面に表示面Sが形成されている。
図1に示すように、バックライトユニット2は、アレイ基板20の外面側に配置されている。バックライトユニット2は、第1偏光部60に対向配置された導光板2aと、導光板2aの一側縁に対向配置された光源2bおよび反射板2cと、を有している。
図1及び図4に示すように、センシング基板3は、透明な絶縁基板6と、遮光部としての遮光層7と、センサモジュール10と、パッド群PGと、アライメントパターンM2とを備えている。センシング基板3は、入力領域R1を有している。ここでは、入力領域R1は表示領域R2に重なっている。
絶縁基板6は、液晶表示パネル1の表示面Sに対向して位置している。絶縁基板6は、平型であり、矩形状に形成されている。絶縁基板6は、液晶表示パネル1の表示面S側を装飾するものであり、すなわち液晶表示装置の外観を飾るものである。このため、絶縁基板6は、ガラスで形成され、化粧板として機能している。
絶縁基板6は、ガラスに限らず、アクリル樹脂などの透明な絶縁材料で形成することができる。例えば、アクリル樹脂を利用して絶縁基板6を形成する場合、ガラスを利用する場合に比べて軽量化や低コスト化を図ることができる。また、絶縁基板6は、センサモジュール10の破損を防止するなど、センサモジュール10を機械的に保護し、また、センサモジュール10への湿気の侵入を防止するなど、センサモジュール10を化学的に保護するものでもある。
遮光層7は、第1遮光層7a及び第2遮光層7bが積層して形成されている(図8及び図9)。遮光層7は、絶縁基板6の裏面上に矩形枠状に形成され、入力領域R1を取り囲んでいる。遮光層7は、黒色の額縁を形成し、入力領域R1の外側から漏れる光の遮光に寄与している。
図1、図4、図5及び図6に示すように、センサモジュール10は、遮光層7が形成された絶縁基板6の裏面上に形成され、液晶表示パネル1の表示面Sに対向して位置している。センサモジュール10は、位置検出方式として静電容量方式を利用している。センサモジュール10は、絶縁基板6の表面側からの入力手段による入力情報(入力位置座標情報)を検出するものである。
センサモジュール10は、操作者の指や導体などの入力手段による入力(絶縁基板6の表面の接触)により静電容量が変化する検知電極として、複数の第1検知電極11と、複数の第2検知電極12とを有している。センサモジュール10の電極パターンは、複数の第1検知電極11及び複数の第2検知電極12の他、複数の接続配線16及び複数の接続配線17も含んでいる。
第1検知電極11、第2検知電極12、接続配線16及び接続配線17は、入力領域R1内の絶縁基板6の裏面上に配置され、透明な導電材料として、例えばITO(インジウム・ティン・オキサイド)で形成されている。ここでは、接続配線16はITOを利用する1回目の製造工程で形成され、第1検知電極11、第2検知電極12及び接続配線17はITOを利用する2回目の製造工程で形成されている。
複数の第1検知電極11は、第1方向X及び第2方向Yに並べられている。第1検知電極11は、それぞれ第1方向X及び第2方向Yに沿った対角線を持つ正方形である。第1検知電極11は、第1方向Xに沿って対向し合う第1角部を有している。第1方向Xにおいて、隣合う第1角部同士は接続されている。
この実施形態において、第1検知電極11の正方形の第1角部は潰れ第1短辺13を有している。このため、第1検知電極11は、第1短辺13を有した六角形である。また、隣合う第1短辺13同士は、接続配線16を介して接続されている。接続配線16は、絶縁基板6上に島状に配置されている。
互いに接続された複数の第1検知電極11及び複数の接続配線16は、第1方向Xに延出した第1配線W1を形成している。複数の第1配線W1は、第2方向Yに並べられている。上記のように、複数の第1検知電極11及び複数の接続配線16は、互いに異なる製造工程で形成されている。第1配線W1を利用して静電容量の変化を検出することにより、入力手段による入力位置のX座標を検出することができる。
複数の第2検知電極12は、複数の第1検知電極11に隙間を置いて第1方向X及び第2方向Yに並べられている。第2検知電極12は、それぞれ第1方向X及び第2方向Yに沿った対角線を持つ正方形である。第2検知電極12は、第2方向Yに沿って対向し合う第2角部を有している。第2方向Yにおいて、隣合う第2角部同士は接続されている。
この実施形態において、第2検知電極12の正方形の第2角部は潰れ第2短辺14を有している。このため、第2検知電極12は、第2短辺14を有した六角形である。また、隣合う第2短辺14同士は、接続配線17を介して接続されている。接続配線17は、絶縁基板6上に島状に配置されている。
互いに接続された複数の第2検知電極12及び複数の接続配線17は、第2方向Yに延出した第2配線W2を形成している。複数の第2配線W2は、第1方向Xに並べられている。第2配線W2の複数の第2検知電極12及び複数の接続配線17は、同一の製造工程で一体に形成されている。第2配線W2を利用して静電容量の変化を検出することにより、入力手段による入力位置のY座標を検出することができる。
第1検知電極11及び第2検知電極12間に、格子状のスリットSLが形成され、第1検知電極11と第2検知電極12との電気的な絶縁距離を確保している。
絶縁基板6上には、複数の絶縁層18aが島状に配置されている。複数の絶縁層18aは、絶縁基板6上の複数の第1配線W1及び複数の第2配線W2の複数の交差部に配置され、複数の第1配線W1及び複数の第2配線W2間に介在されている。絶縁層18aは、第1配線W1及び第2配線W2間の短絡を防止するものである。この実施形態において、絶縁層18aは、有機絶縁材料で形成されている。
接続配線16及び接続配線17は、絶縁層18aを介して対向している。ここで、接続配線16は絶縁層18aの下方に位置し、接続配線17は絶縁層18aの上方に位置している。上記のことから、接続配線17をブリッジ配線と言うことができる。
入力領域R1の外側において、絶縁基板6(遮光層7)上には、複数の配線11a及び複数の配線12aが設けられている。複数の配線11aにおいて、一端部は入力領域R1の外側に位置した第1配線W1(第1検知電極11)に接続され、他端部はパッド群PGのパッドpに接続されている。複数の配線12aにおいて、一端部は入力領域R1の外側に位置した第2配線W2(第2検知電極12)に接続され、他端部はパッド群PGのパッドpに接続されている。
このため、センサモジュール10が検知した入力手段による入力位置のX座標及びY座標の情報は、複数の配線11a、12aを介して複数のパッドpに出力される。
図1、図4、及び図7乃至図9に示すように、パッド群PGは、入力領域R1の外側に位置した重畳領域R3に設けられている。重畳領域R3はFPC4(FPC4の接続部)が重ねられる領域である。重畳領域R3は絶縁基板6の一側縁部に設けられている。パッド群PGは、アウターリードボンディングパッド群である。パッド群PGは、遮光層7の上方に設けられている。
パッド群PGの複数のパッドpは、第2方向Yに延出し、第1方向Xに互いに間隔を置いて並べられている。ここでは、複数のパッドpは、第1方向Xに等間隔に配置されている。パッドpは、第2遮光層7b上に設けられている。パッドpは、金属パターン、透明導電パターン又はこれらの複合体で形成されている。この実施形態において、パッドpは、金属パターン及び透明導電パターンの複合体で形成されている。
詳しくは、パッドpは、透明導電パターンとしての下層透明導電層15aと、金属パターンとしての金属層19と、絶縁層18bと、透明導電パターンとしての上層透明導電層15bとを有している。
下層透明導電層15aは第2遮光層7b上に設けられている。下層透明導電層15aは矩形状に形成されている。下層透明導電層15aはITO等を利用して形成することができる。この実施形態において、ITOを利用して接続配線16が形成されるため、下層透明導電層15aは、ITOを利用して接続配線16と同時に形成することができる。
また、下層透明導電層15aを金属層19の台座として利用することができ、金属層19の密着性を上げることができる。なお、下層透明導電層15aに対する金属層19の密着力は、第2遮光層7b(遮光層7)に対する金属層19の密着力より強いものである。
金属層19は、下層透明導電層15a上に設けられ、下層透明導電層15aに接続されている。金属層19はロの字型(矩形枠状)に形成されている。金属層19は、Al(アルミニウム)を含む材料で形成されたAl層と、Al層と下層透明導電層15aとの間に介在されたボトムバリヤメタル層と、を含んでいる。金属層19は、2層構造の金属層である。
Al層は、Alや、Al・Nd(アルミニウム−ネオジウム系合金)などのアルミニウム系合金を利用して形成することができる。ボトムバリヤメタル層は、Mo(モリブデン)や、Mo以外のクロム族元素の金属や、Ti(チタン)を利用して形成することができる。この実施形態において、金属層19は、配線11a、12aと同時に一体に形成されている。このため、配線11a、12aも、Al層とボトムバリヤメタル層との2層構造の金属層で形成されている。
上記のように、パッドpは、Al系の金属層の片面にのみバリヤメタルが存在する金属層19を利用する場合があり得る。金属層19は、下層透明導電層15aと接する側にのみバリヤメタル層(ボトムバリヤメタル層)を有している。これにより、例えば、金属層19の形成にMAMを利用する場合に比べて製造コストを低減することができる。
絶縁層18bは、遮光層7、下層透明導電層15a及び金属層19が形成された絶縁基板6上に設けられている。絶縁層18bは、下層透明導電層15aに対向し、下層透明導電層15aを露出させるコンタクトホール18cを有している。コンタクトホール18cは、金属層19により取囲まれている。このため、金属層19は絶縁層18bによって完全に覆われ、下層透明導電層15aのコンタクトホール18cと対向した領域以外は絶縁層18bによって覆われている。絶縁層18bは有機絶縁材料で形成することができる。この実施形態において、絶縁層18bは、有機絶縁材料を利用して絶縁層18aと同時に形成されている。
上層透明導電層15bは、絶縁層18b上に設けられている。上層透明導電層15bは矩形状に形成されている。上層透明導電層15bは、コンタクトホール18cを通って下層透明導電層15aに接続されている。上層透明導電層15bはITO等を利用して形成することができる。この実施形態において、上層透明導電層15bは、ITOを利用して第1検知電極11、第1検知電極12及び接続配線17と同時に形成されている。
パッドpのFPC4の接続部が接する個所は、下層透明導電層15a及び上層透明導電層15bが重なっている。上層透明導電層15bは、金属層に比べて酸化し難い。このため、信頼性の高いパッドpを得ることができる。
上記のような材料で金属層19を形成しても、上層透明導電層15bを下層透明導電層15aに接触させることにより、上層透明導電層15bを金属層19に接触させること無しにパッドpを形成することができる。そして、熱圧着時の不具合にならないパッドpを得ることができる。
上記のように、金属層19は、表面が極めて酸化され易いAl層を有している。金属層19は、さらに酸化されにくいボトムバリヤメタル層を有している。ボトムバリヤメタル層はAl層の底面を覆っているため、金属層19は、下層透明導電層15aとの良好なオーミック接触が可能となる。
なお、Al層(Al系の金属層)と下層透明導電層15a(ITO)との間にバリヤメタルが介在していない場合、Al層の表面に酸化が起こり、Al層は下層透明導電層15aとオーミック接触できないものである。
図4に示すように、アライメントパターンMは、入力領域R1の外側に位置し、遮光層7の上方に設けられている。アライメントパターンMは、例えば重畳領域R3に設けられている。
アライメントパターンMは、金属パターン、透明導電パターン又はこれらの複合体で形成されている。アライメントパターンMを金属パターンで形成する場合、アライメントパターンMを金属層19と同一材料で同時に形成することができる。アライメントパターンMを透明導電パターンで形成する場合、アライメントパターンMを上層透明導電層15bと同一材料で同時に形成することができる。アライメントパターンMを金属パターン及び透明導電パターンの複合体で形成する場合、アライメントパターンMは、金属層19及び上層透明導電層15bと同一材料で同時に形成することができる。
この実施形態では、アライメントパターンM2は金属パターンで形成されている。
上記のように、何れの場合も、アライメントパターンMをパッド群PGと同一材料で形成することができる。
図1に示すように、FPC4は、図示しないパッド群と、上記パッド群に接続された複数の配線とを有している。FPC4の接続部(パッド群)は絶縁基板6の重畳領域R3に重ねられている。
また、FPC4は、図示しないアライメントパターンを有している。アライメントパターンM及びFPC4のアライメントパターンは、パッド群PGと、FPC4のパッド群との位置合わせのための目印として利用される。
FPC4の接続部は、絶縁基板6の重畳領域R3に機械的に接続されている。FPC4のパッド群は、パッド群PGに電気的に接続されている。例えば、FPC4の接続部は、図示しない熱硬化型の導電接着材を介して絶縁基板6の重畳領域R3に熱圧着されている。
第1配線W1(第1検知電極11)及び第2配線W2(第2検知電極12)は、パッド群PG及びFPC4等を介して外部の電子部品と接続することができる。上記電子部品は、FPC4を介して第1配線W1及び第2配線W2における静電容量の変化を取得することにより、入力位置情報(入力位置座標)を取得することができる。
接着材5は、液晶表示パネル1(表示面S)とセンシング基板3との間に位置している。接着材5にも、透明な材料が利用されている。接着材5は、液晶表示パネル1にセンシング基板3を貼り合せるものである。接着材5としては、紫外線硬化型や熱硬化型の材料を利用することができる。
以上のように構成された一実施形態に係るセンシング基板3及び液晶表示装置によれば、センシング基板3は、パッド群PGを備えている。パッドpは、下層透明導電層15aと、下層透明導電層15a上に設けられた絶縁層18bと、絶縁層18bに形成され下層透明導電層15aを露出させるコンタクトホール18cと、絶縁層18b上に設けられコンタクトホール18cを通って下層透明導電層15aに接続された上層透明導電層15bと、を有している。
パッドpは、下層透明導電層15a上に設けられ絶縁層18bで覆われコンタクトホール18cを取囲んだ金属層19をさらに有している。金属層19は、Alを含む材料で形成されたAl層と、Al層と下層透明導電層15aとの間に介在されたボトムバリヤメタル層と、を含んでいる。
金属層19は、ロの字型に形成されている。上層透明導電層15bを下層透明導電層15aに接触させることにより、上層透明導電層15bを金属層19に接触させること無しにパッドpを形成することができる。そして、Al系の金属層の片面にのみバリヤメタルが存在する金属層19を利用することができる。金属層19は、下層透明導電層15aと接する側にのみバリヤメタル層(ボトムバリヤメタル層)を有している。トップバリヤメタル層を有していないため、例えば、金属層19の形成にMAMやTATを利用する場合に比べて製造コストを低減することができる。
パッドpは下層透明導電層15aを利用している。下層透明導電層15aを金属層19の台座として利用することができるため、金属層19の密着性を上げることができる。さらに、パッドpは上層透明導電層15bを利用している。これにより、信頼性の高いパッドpを得ることができる。
上記のことから、パッドpを形成する導電層間のオーミック接触が可能なセンシング基板3及びセンシング基板3を備えた液晶表示装置を得ることができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
例えば、図10に示すように、金属層19は、例えば下端部が開口したコの字型に形成されてもよい。
金属層19は、MAMや、TATを利用して形成されていてもよい。ここで、MAMは、Mo(モリブデン)/Al(アルミニウム)/Moの略称で3層構造の金属層である。TATは、Ti(チタン)/Al(アルミニウム)/Tiの略称で3層構造の金属層である。上記Alでは、アルミニウム系合金であってもよい。
なお、アライメントパターンMの形成に金属パターンを利用しているため、実装効率上、金属層19無しにパッドpを形成し難い。但し、金属層19無しにパッドpを形成することも可能である。
本発明の実施形態は、上記液晶表示装置に限らず、各種の液晶表示装置に適用可能である。本発明の実施形態に係る電子部品は、センシング基板3に限定されるものではなく、種々変形可能である。さらに、本発明の実施形態に係る電子機器も、液晶表示装置に限定されるものではなく、種々変形可能である。本発明の実施形態に係る表示パネルは、液晶表示パネルに限定されるものではなく種々変形可能であり、例えば有機EL(electroluminescent)表示パネルであってもよい。このため、本発明の実施形態に係る表示装置も、液晶表示装置に限定されるものではなく種々変形可能である。
1…液晶表示パネル、3…センシング基板、6…絶縁基板、7…遮光層、10…センサモジュール、11…第1検知電極、12…第2検知電極、15a…下層透明導電層、15b…上層透明導電層、18a,18b…絶縁層、18c…コンタクトホール、19…金属層、20…アレイ基板、30…対向基板、40…液晶層、PG…パッド群、p…パッド、R1…入力領域、X…第1方向、Y…第2方向。

Claims (5)

  1. 絶縁基板上に設けられた下層透明導電層と、前記下層透明導電層上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層に形成され前記下層透明導電層を露出させるコンタクトホールと、前記下層透明導電層上に設けられ前記絶縁層で覆われ前記コンタクトホールを取囲んだ金属層と、前記絶縁層上に設けられ前記コンタクトホールを通って前記下層透明導電層に接続された上層透明導電層と、を有したパッド、を備えている電子部品。
  2. 前記金属層は、Al(アルミニウム)を含む材料で形成されたAl層と、前記Al層と前記下層透明導電層との間に介在されたボトムバリヤメタル層と、を含んでいる請求項1に記載の電子部品。
  3. 前記金属層は、ロの字型に形成されている請求項1に記載の電子部品。
  4. 前記金属層は、コの字型に形成されている請求項1に記載の電子部品。
  5. 入力手段による入力動作に応じて静電容量結合の強弱が生じる検知電極をさらに備え、
    前記検知電極は、前記下層透明導電層又は上層透明導電層と同一材料で形成されている請求項1に記載の電子部品。
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