JP2011100011A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示装置を構成するアレイ基板の異なる配線層の接続構造において、接続部材が酸化物導電膜では、耐腐食性に優れるが、接続抵抗が高抵抗という問題があった。接続部材が金属膜の場合は、接続抵抗は低抵抗であるが、シール材より外側の領域では、大気中に含まれる水分の影響で腐食が起き易いという問題があった。
【解決手段】 液晶表示装置１００は、走査配線２、信号配線５と同一層からなる異なる２層を電気的に接続する接続部Ｍ、Ｎにおいて、接続部材８を、シール材４０に囲まれた領域５１の接続部Ｍでは、低抵抗な金属膜からなる接続部材８ａで構成することにより、接続抵抗の低抵抗化を図り、シール材４０より外側の領域５６の接続部Ｎでは、少なくとも表面が側壁面も含めて耐腐食性に優れた酸化物導電膜からなる接続部材８ｂで構成することにより、耐腐食性を向上する。
【選択図】 図１

Description

この発明は、表示装置において、アレイ基板上の層の異なる配線の接続構造に関するものである。特に、半透過型液晶表示装置に好適なものである。

近年、従来のブラウン管に代わって、液晶、エレクトロルミネセンス、微粒子や油滴を用いた電子ペーパー等の原理を利用した薄型で平面形状の表示パネルを有する新しい表示装置が多く使用されるようになった。これらの新しい表示装置の代表である液晶表示装置は、薄型、軽量だけでなく、低電圧駆動できる特徴を有している。液晶表示装置は、２枚の基板の間のシール材に囲まれた領域に表示媒体の液晶を封入して形成される。片方の基板は、複数の画素がマトリクス状に配置されて表示領域を構成するアレイ基板である。もう片方の基板は、カラーフィルタや遮光膜（ブラックマトリクス）、対向電極等が形成されたカラーフィルタ基板である。なお、液晶モードによっては、対向電極はアレイ基板に形成される。

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）型液晶表示装置は、アレイ基板上の各画素に、スイッチング素子であるＴＦＴが設けられ、各画素が独立して液晶を駆動する電圧を保持できるので、クロストークの少ない高画質な表示が可能である。また、各画素には、ＴＦＴのＯＮ、ＯＦＦを制御する走査配線（ゲート配線）と、画像データ入力用の信号配線（ソース配線）を設ける必要がある。各画素は走査配線と信号配線に囲まれた領域が対応する。

特に、半透過型液晶表示装置は、各画素に透過領域と反射領域の両方を設け、画素電極を透過電極と反射電極の２種類構成とすることで、屋内ではバックライトを利用した明るい表示が可能な透過モードとして、屋外では太陽光等の外光を利用して反射モードとして利用できるものである。例えば、特許文献１に開示されている。半透過型液晶表示装置は、特に、使用場所や時間帯によって、周囲の明るさ環境が大幅に変わる携帯機器や、車載用途に好適なものである。

これらの液晶表示装置は、少ない製造工程を実現するために、回路構成において、走査配線の層と、信号配線の層を電気的に接続する必要がある接続部では、絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、画素電極の層からなる接続部材で接続する接続構造が、例えば、特許文献２、３に開示されている。

特開２００９−００８８９２号公報 特開平１１−２４２２４１号公報 特開平１０−３１９４３３号公報

しかしながら、従来の接続構造では、接続部材が、透過型の画素電極の層で使用されるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の酸化物導電膜では、耐腐食性に優れるが、接続抵抗が高抵抗という問題があった。接続部材が、走査配線、信号配線、または反射型の画素電極の層で使用されるＡｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ等、およびこれらの合金の金属膜の場合は、接続抵抗は低抵抗であるが、シール材より外側の領域では、大気中に含まれる水分の影響で腐食が起き易いという問題があった。

この発明は、上記の様な問題点を解決するためになされたものであり、特に、接続部の低抵抗化と、耐腐食性に優れた表示装置を提供することを目的としている。

本発明の表示装置は、接続部の接続部材を領域によって異なる構成とするもので、シール材に囲まれた領域内では、低抵抗な金属膜で構成し、シール材より外側の領域では、少なくとも表面が側壁面も含めて耐腐食性に優れたＩＴＯ等の酸化物導電膜で構成するものである。

本発明によれば、シール材に囲まれた領域内の接続部は、接続抵抗の低抵抗化を図ることができ、シール材より外側の領域の接続部は、耐腐食性に優れた表示装置を得ることができる。

実施の形態１に係る液晶表示装置を模式的に示す平面図である。 実施の形態１に係る液晶表示装置のシール材で囲まれた領域内の接続部を示す平面図である。 図２のＡ−Ａ断面を示す断面図である。 実施の形態１に係る液晶表示装置のシール材より外側の領域の接続部を示す平面図である。 図４のＢ−Ｂ断面を示す断面図である。 図１の保護回路部Ｌ１を示す等価回路図である。 図１の保護回路部Ｌ２を示す等価回路図である。 図１の簡易点灯検査回路を示す等価回路図である。 実施の形態２に係る液晶表示装置のシール材より外側の領域の接続部を示す平面図である。 図９のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。 実施の形態３に係る液晶表示装置のシール材より外側の領域の接続部を示す平面図である。 図１１のＤ−Ｄ断面を示す断面図である。

以下、本発明の表示装置についての実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の実施の形態を説明するための各図において、同一符号は、同一または相当部分を示しているので、原則として重複する説明は省略する。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る液晶表示装置を模式的に示す平面図である。実施の形態１の表示装置は、代表的な液晶表示装置１００である。はじめに、液晶表示装置１００の構成を簡単に説明する。

アレイ基板1０は、ガラス、プラスチック等の透明基板１上に、複数の画素３０がマトリクス状に配置された表示領域５０が設けられる。そして、表示領域５０が含まれるシール材で囲まれた領域５１と、シール材４０の領域と、シール材より外側の領域５６とに分けられる。

シール材より外側の領域５６には、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）技術により、走査配線用駆動回路７０と、信号配線用駆動回路７５が実装されている。また、アレイ基板１０の端部には、走査配線用駆動回路７０、および信号配線用駆動回路７５に基準電圧、クロック、制御信号、画像データ等を供給する外部回路と接続するために、図示していないが、フレキシブル基板９０、９５と接続される複数の端子が設けられている。

小型パネルでは、配線の総本数が比較的少ないので、走査配線用駆動回路７０と信号配線用駆動回路７５を一体化した駆動回路が使用されることが多い。また、フレキシブル基板９０、９５も、まとめて１個にすることが多い。

走査配線２、信号配線５は、それぞれ、走査配線用駆動回路７０、信号配線用駆動回路７５の出力部と接続されている。

画素３０は、走査配線２と、これに並行して走査配線２と同一層からなる共通配線２２が形成されている。走査配線２と共通配線２２の上にはゲート絶縁膜が形成される。ゲート絶縁膜上には、信号配線５が、走査配線２と交差するように形成される。また、各画素３０には、ＴＦＴと、ＴＦＴを介して信号配線５に接続される画素電極７が形成される。また、液晶に印加する電圧を保持するために、共通配線２２と画素電極７との重なり領域に保持容量が形成されている。

アレイ基板１０の表示領域５０に対向して、カラーフィルタ、遮光膜、対向電極等が形成されたカラーフィルタ基板２０が、シール材４０で貼り合わされている。また、アレイ基板１０とカラーフィルタ基板２０との数μｍ程度の隙間には液晶が封入されている。

シール材で囲まれた領域５１内において、共通配線２２は、表示領域５０の左右両端で、共通引き出し配線２４により共通に接続されている。ここで、共通配線２２は走査配線２と同一層で、共通引き出し配線２４は信号配線５と同一層から形成される。このため、共通配線２２と共通引き出し配線２４の異なる２つの層を電気的に接続する接続部Ｍが形成されている。

シール材より外側の領域５６では、表示領域５０を取り囲むように、製造工程中における静電気対策のために、ショートリング２ｂ、５ｂが設けられている。走査配線２と同一層からなるショートリング２ｂと、信号配線５と同一層からなるショートリング５ｂとは、異なる２つの層を電気的に接続する接続部Ｎが形成されている。ここでは、表示領域５０の角部近傍の４箇所に接続部Ｎが設けられている。

また、詳細は後述するが、シール材より外側の領域５６には、簡易点灯検査回路が、走査配線用駆動回路７０、信号配線用駆動回路７５が実装される領域に形成されており、このための簡易点灯検査用端子領域Ｔがある。

次に、図２〜５を用いて、本発明の作用、効果について詳述する。図２は、実施の形態１に係る液晶表示装置のシール材で囲まれた領域内の接続部を示す平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ断面を示す断面図である。図４は、実施の形態１に係る液晶表示装置のシール材より外側の領域の接続部を示す平面図である。図５は、図４のＢ−Ｂ断面を示す断面図である。

はじめに、図２、３を用いて、シール材で囲まれた領域５１内の接続部Ｍの構造について説明する。ここでは、共通配線２２と共通引き出し配線２４とは、ゲート絶縁膜３と保護膜６に空けられたコンタクトホール１１ａと、保護膜６に空けられたコンタクトホール１２ａを介して、接続部材８ａで電気的に接続されている。ゲート絶縁膜３は窒化膜、酸化膜等からなる。また、保護膜６は、ここでは、２層構造となっており、下層６ａは窒化膜、酸化膜等からなり、上層６ｂは有機樹脂膜からなっている。なお、保護膜６は単層構造でも構わない。また、保護膜６がなく、コンタクトホール１２ａがない接続構造も可能である。

このシール材で囲まれた領域５１では、接続部材８ａは大気に触れないので、耐腐食性よりも、接続抵抗の低抵抗化を優先して、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ等、およびこれらの合金の金属膜で形成する。反射型の液晶表示装置１００では、画素電極７と同一層で形成すれば製造工程の増加はない。また、半透過型の液晶表示装置１００では、画素電極７の内、反射領域の反射電極と同一層で形成すれば製造工程の増加はない。

接続部材８ａを、金属膜とすることにより、接続抵抗が低抵抗化でき、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ等、およびこれらの合金の金属膜であれば、走査配線２や信号配線５に使用されるＡｌＮｉＮｄ合金との接続抵抗は、酸化物導電膜であるＩＴＯとＡｌＮｉＮｄ合金との接続抵抗の約１／２以下にできる。あるいは、同一抵抗値ならば、接続部Ｍに必要な領域面積を小さくできるので、表示領域５０の外側の額縁領域の幅を小さくすることができる。

次に、図４、５を用いて、シール材より外側の領域５６における接続部Ｎの構造について説明する。ショートリング２ｂ、５ｂは、製造工程中における静電気対策のために設けられるものである。ショートリング２ｂは、走査配線２と同一層からなり、ショートリング５ｂは、信号配線５と同一層から形成される。そして、ショートリング２ｂとショートリング５ｂは、表示領域５０の角部近傍の４箇所の接続部Ｎで接続されている。

接続部Ｎのように、シール材より外側の領域５６では、大気に触れるので、接続部材８ｂは、低抵抗化よりも耐腐食性を優先して、ＩＴＯ等の酸化物導電膜で形成する。透過型の液晶表示装置１００では、画素電極７と同一層で形成すれば製造工程の増加はない。また、半透過型の液晶表示装置１００では、画素電極７の内、透過領域の透過電極と同一層で形成すれば製造工程の増加はない。

このように、シール材より外側の領域５６の接続部Ｎの構造は、接続部材８の膜組成は異なるが、その他は基本的に、図２、３のシール材４０に囲まれた領域５１の接続部Ｍと同等である。

シール材より外側の領域５６の他の接続部のある領域として、保護回路部Ｌ１、Ｌ２がある。ショートリング５ｂは走査配線２と保護回路部Ｌ１を介して共通に接続される。ショートリング２ｂは信号配線引５と保護回路部Ｌ２を介して共通に接続される。

図６は、図１の保護回路部Ｌ１を示す等価回路図である。図７は、図１の保護回路部Ｌ２を示す等価回路図である。

図６の保護回路部Ｌ１において、ショートリング５ｂは、走査配線２と保護回路を介して接続されている。保護回路は、整流方向が逆向きの２つのダイオードを並列接続した構造である。通常使用する電圧では殆ど電流が流れず、静電気のような±数十Ｖ以上の高電圧が印加されたときに電流が流れるようになっている。

この保護回路を構成するダイオードは、画素３０のＴＦＴと同時に形成でき、ＴＦＴのゲート電極とソース電極を接続する接続部８１、またはドレイン電極と接続する接続部８２を設けることで形成することができる。

図７の保護回路部Ｌ２において、ショートリング２ｂは、信号配線５と保護回路を介して接続されている。保護回路Ｌ２は、保護回路部Ｌ１と同様に、整流方向が逆向きの２つのダイオードを並列接続した構造である。

この保護回路Ｌ２のダイオードも、画素３０のＴＦＴと同時に形成でき、ＴＦＴのゲート電極とソース電極を接続する接続部８３、またはドレイン電極と接続する接続部８４を設けることで形成することができる。また、ソース電極、ドレイン電極は信号配線５と同一層からなるので、走査配線２と同一層からなるショートリング２ｂとを接続するために、接続部８５も設けられている。

以上のように、ショートリング２ｂとショートリング５ｂは、表示領域５０の角部近傍の４箇所の接続部Ｎで電気的に接続されて、リング形状となっている。そして、静電気が走査配線２、または信号配線５に生じても、静電気の電荷は、保護回路部Ｌ１、またはＬ２を介してショートリング２ｂ、またはショートリング５ｂに分散されるので、画素３０のＴＦＴの静電気破壊を防止することができる。

また、ショートリング２ｂとショートリング５ｂの接続部Ｎも、図４、５のような単純な接続でなく、保護回路部Ｌ１、Ｌ２と同様な保護回路を有する構成とすることもできる。

なお、実施の形態１では、ショートリング２ｂ、５ｂの接続部Ｎや、保護回路部Ｌ１、Ｌ２は、シール材より外側の領域５６に配置したが、シール材で囲まれた領域５１に配置することもできる。特に、接続部材８ｂは酸化物導電膜であり高抵抗であるので、低抵抗が望ましい接続部は、シール材で囲まれた領域５１内に配置することが望ましい。

次に、シール材より外側の領域５６の他の接続部のある領域として、簡易点灯検査回路について詳述する。ここでは、簡易点灯検査回路は、シール材より外側の領域５６に配置しているが、これは、走査配線用駆動回路７０、および信号配線用駆動回路７５が実装される下部のアレイ基板１０の空き領域を有効活用でき、額縁幅が小さくできるためである。

図８は、図１の簡易点灯検査回路を示す等価回路図である。走査配線用駆動回路７０と信号配線用駆動回路７５の実装される領域に、簡易点灯検査回路が形成されている。また、このための簡易点灯検査用端子領域Ｔがある。

走査配線用駆動回路７０の出力部と入力部に対応した出力端子７１と入力端子７２の間の空き領域に、走査配線用簡易点灯検査回路が形成されている。走査配線用簡易点灯検査回路は、走査配線と同一層からなる検査信号線６１により各走査配線２に接続されたＴＦＴ１が同時にＯＮ、ＯＦＦ制御される。また、走査配線２の偶数番と奇数番を、独立してＯＮ、ＯＦＦ制御できるように、検査信号線６２ａ、６２ｂに分かれている。簡易点灯検査用端子領域Ｔには、検査信号線６１、６２ａ、６２ｂ用の簡易点灯検査用端子６３、６４ａ、６４ｂが設けられている。

ここで、走査配線用簡易点灯検査回路は、走査配線２とＴＦＴ１のドレイン電極を接続する接続部８６、およびソース電極と、走査配線と同一層からなる検査信号線６２ａ、６２ｂとを接続する接続部８７ａ、８７ｂが設けられている。この接続部８６、８７ａ、８７ｂの構造は、図４、５と同等なものである。

また、信号配線用駆動回路７５用の出力部と入力部に対応した出力端子７６と入力端子７７の間の空き領域に、信号配線用簡易点灯検査回路が形成されている。信号配線用簡易点灯検査回路は、走査配線と同一層からなる検査信号線６６により各信号配線５に接続されたＴＦＴ２が同時にＯＮ、ＯＦＦ制御される。また、信号配線５の３原色のＲＧＢに対応して３本毎に、各原色で独立した階調信号を入力できるように、３本の走査配線と同一層からなる検査信号線６７ｒ、６７ｇ、６７ｂに分かれている。

簡易点灯検査用端子領域Ｔには、検査信号線６７ｒ、６７ｇ、６７ｂ、６６用の簡易点灯検査用端子６３、６５ｒ、６５ｇ、６５ｂが設けられている。簡易点灯検査用端子６３は、走査配線用簡易点灯検査回路と信号配線用簡易点灯検査回路のＴＦＴ１、ＴＦＴ２の両方を同時にＯＮ、ＯＦＦ制御するように兼用しているが、別々に端子を設けてもかまわない。

ここで、信号配線用簡易点灯検査回路は、信号配線５とＴＦＴ２のソース電極を接続する接続部８８ｒ、８８ｇ、８８ｂが設けられている。この接続部８８ｒ、８８ｇ、８８ｂの構造は、図４、５と同等なものである。

以上のように、実施の形態１では、シール材で囲まれた領域５１と、シール材より外側の領域５６で接続部材８の膜組成が異なっており、接続抵抗の低抵抗化と、耐腐食性の向上の両立を図ることができる。

なお、シール材４０の領域の接続部材８は、シール材４０で保護されるので、シール材より外側の領域５６よりは腐食が起き難いので、目的に応じて、低抵抗化か耐腐食性の重視する方の膜組成を選択すればよい。

実施の形態２．
図９は、実施の形態２に係る液晶表示装置のシール材より外側の領域における接続部を示す平面図である。図１０は、図９のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。

シール材より外側の領域５６の接続部において、コンタクトホール１１ｂ、１２ｂの底の部分で、走査配線２または信号配線５と同一層との接続部のみ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ等、およびこれらの合金の金属膜８ｃを形成し、その上層にＩＴＯ膜等の酸化物導電膜を用いて接続部材８ｂを形成する。金属膜８ｃは酸化物導電膜からなる接続部材８ｂに完全に覆われているので、シール材より外側の領域５６には、金属膜８ｃは表面に側壁面も含めて露出しない。なお、金属膜８ｃは、コンタクトホール１１ｂ、１２ｂの底の部分だけでなく、その周囲のコンタクトホール１１ｂ、１２ｂの側壁面の一部に延在して形成されていてもよい。

このように、ショートリング２ｂ、５ｂを構成する下層の走査配線２、信号配線５と同一層の金属膜と接続するコンタクトホール１１ｂ、１２ｂの底の部分に金属膜８ｃを形成して、上層を酸化物導電膜からなる接続部材８ｂで覆う。これにより、酸化物導電膜との接続抵抗が高い金属膜（例えば、Ａｌ）をショートリング２ｂ、５ｂに使用する場合に、酸化物導電膜との接続抵抗が低い金属膜８ｃ（例えば、Ｔｉ、Ｍｏ）を介在させることで、実施の形態１よりも接続部の接続抵抗が小さくでき、耐腐食性も確保することができる。

半透過型の液晶表示装置１００では、接続部材８ｂは、画素電極７の透過領域の透過電極と同一層で形成し、金属膜８ｃは、画素電極７の反射領域の反射電極と同一層で形成すれば製造工程の増加はない。ただし、透過電極の層形成は、反射電極の層形成より後工程とする必要がある。

ここでは、両方のコンタクトホール１１ｂ、１２ｂの両方の底部に金属膜８ｃを形成したが、酸化物導電膜との接続抵抗が高い金属膜との組み合わせとなる一方の底部のみに形成する構造でもよい。

実施の形態３．
図１１は、実施の形態３に係る液晶表示装置のシール材より外側の接続部を示す平面図である。図１２は、図１１のＤ−Ｄ断面を示す断面図である。

図１１、１２に示すように、実施の形態３では、シール材４０の外側の大気に触れる接続部の接続部材８ｃは、下層の大部分に金属膜８ｃが形成された構成である。ショートリング２ｂとショートリング５ｂは、コンタクトホール１１ｂ、１２ｂを介して、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ等、およびこれらの合金の金属膜８ｃで接続され、さらに、この上層をＩＴＯ膜等の酸化物導電膜からなる接続部材８ｂで覆う構造である。酸化物導電膜からなる接続部材８ｂは金属膜８ｃよりも大きく全体を覆っており、金属膜８ｃは側壁面も含めて表面に露出しない。

実施の形態３では、シール材より外側の領域５６の接続部においても、金属膜８ｃにより、シール材で囲まれた領域５１の接続部と略同等の低抵抗が実現できるとともに、表面に露出する接続部材８ｃが側壁面も含めて酸化物導電膜で形成されているので、表面に金属膜８ｃが露出せず、耐腐食性も確保できる。

半透過型の液晶表示装置１００では、接続部材８ｂは、画素電極７の透過領域の透過電極と同一層で形成し、金属膜８ｃは、画素電極７の反射領域の反射電極と同一層で形成すれば製造工程の増加はない。ただし、透過電極の層形成は、反射電極の層形成より後工程とする必要がある。

また、以上の実施の形態では、走査配線用駆動回路７０、信号配線用駆動回路７５の出力部に対応する出力端子７１、７６は、それぞれ、走査配線２、信号配線５と同一層で構成した場合を示したが、シール部４０に囲まれた領域５１内に、接続部を設けて走査配線２または信号配線５をどちらか一方の層に変換する接続部を設けた表示装置１００にも適用できる。これにより、駆動回路７０、７５の出力部と接続するアレイ基板１０上の出力端子７１、７６の高さ、構造を同一にできる利点がある。

また、以上の実施の形態では、ＣＯＧ実装の場合を示したが、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）実装や、画素３０のＴＦＴ形成と同時にアレイ基板上１０に駆動回路をポリシリコン等のＴＦＴで形成した表示装置１００にも適用できる。特に、アレイ基板上１０に駆動回路を形成する場合は、シール材より外側の領域５６に配置される駆動回路に、走査配線２の層と信号配線５の層を接続する接続部が多く存在するので特に有効である。

また、以上の実施の形態では、２枚の基板の間のシール材４０に囲まれた領域５１に、表示媒体として液晶を封入した液晶表示装置１００の場合を示したが、表示媒体は液晶に限られない。例えば、表示媒体として微粒子や油滴等を封入した、一般に電子ペーパーと呼ばれる表示装置にも適用できる。

２ 走査配線
２ｂ ショートリング
５ 信号配線
５ｂ ショートリング
７ 画素電極
８、８ａ、８ｂ 接続部材
８ｃ 金属膜
１０ アレイ基板
１１、１１ａ、１１ｂ、１２、１２ａ、１２ｂ コンタクトホール
２０ カラーフィルタ基板
２２ 共通配線
２４ 共通引き出し配線
３０ 画素
４０ シール材
５０ 表示領域
５１ シール材で囲まれた領域
５６ シール材より外側の領域
７０ 走査配線用駆動回路
７５ 信号配線用駆動回路
１００ 液晶表示装置
Ｌ１、Ｌ２ 保護回路部
Ｍ、Ｎ 接続部
Ｔ 簡易点灯検査回路端子領域

Claims (4)

1. 一対の基板間の隙間に、シール材で囲まれて封入される表示媒体を有し、
   片方の前記基板上に、走査配線と、これに交差して形成される信号配線と、
   スイッチング素子と、画素電極とを有する画素がマトリクス状に配置されて表示領域を構成している表示装置において、
   前記走査配線の層と前記信号配線の層とを、絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、接続部材で電気的に接続し、
   前記接続部材は、前記シール材で囲まれた領域では、金属膜で形成され、
   前記シール材より外側の領域では、少なくとも表面に露出する部分が側壁面も含めて酸化物導電膜で形成されていることを特徴とする表示装置。
2. 接続部材は、シール材より外側の領域では、
   少なくとも絶縁膜に設けられたコンタクトホールの底の接続部分では、
   酸化物導電膜と、前記走査配線の層または前記信号配線の層との間に、金属膜が介在していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 接続部材は、シール材より外側の領域では、
   平面視において、前記酸化物導電膜よりも小さい大きさの金属膜が、前記酸化物導電膜の下に直接覆われて形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
4. 画素電極は、反射電極と透過電極を有し、接続部材は、シール材で囲まれた領域では、
   前記反射電極の層からなり、前記シール材より外側の領域では、
   少なくとも表面が前記透過電極の層からなることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の表示装置。

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