JP2006156403A - 有機電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents
有機電界発光素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006156403A JP2006156403A JP2005345623A JP2005345623A JP2006156403A JP 2006156403 A JP2006156403 A JP 2006156403A JP 2005345623 A JP2005345623 A JP 2005345623A JP 2005345623 A JP2005345623 A JP 2005345623A JP 2006156403 A JP2006156403 A JP 2006156403A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- connection
- organic electroluminescent
- data
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 116
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 32
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 135
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 56
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 48
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 43
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 35
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 35
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 34
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 22
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 18
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 13
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 13
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 11
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 10
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 10
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- MGTYKZBWBMDCNO-UHFFFAOYSA-N [In].O=S Chemical compound [In].O=S MGTYKZBWBMDCNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/127—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Abstract
【解決手段】本発明による有機電界発光素子は、有機電界発光ダイオードとアレイ素子を各々異なる基板に構成することによって、アレイ素子の製造段階と有機電界発光ダイオードの製造段階のいずれかの工程で不良が発生したとしても、不良が発生した基板を除去して、良品の2枚の基板が合着される。また、アレイ素子が形成される第1基板のパッド部において、耐腐食性を有する透明導電性物質が露出される構造を提案する。
【選択図】 図8
Description
図示したように、第1方向にゲート配線GLが形成されており、この第1方向と交差する第2方向に形成されて、相互に一定間隔離隔されたデータ配線DL及び電力供給配線PSLが形成されている。ゲート配線GL、データ配線DL、電力供給配線PSLは、1つのサブ画素領域SPを定義する。
さらに、本発明は、腐食を防ぐことから接触不良を防いで、生産性を向上させることを他の目的とする。
前記連結パターンの一部は、前記シールパターンの下部に位置する。
ここで、前記導電性物質は、透明である。
第2基板171には、全面に第1電極175が形成されている。第1電極175の下部に、画像を表示する表示領域DAには、各サブ画素領域SPの境界に対応して隔壁181が形成されている。前記隔壁181により取り囲まれた内部には、各サブ画素領域SP別に、有機発光層187が形成されているが、有機発光層187は、赤色R、緑色G、青色Bの有機発光層187a、187b、187cを含む。前記有機発光層187の下部に、各サブ画素領域SP別に分離された状態の第2電極190が形成されている。前記第1電極175と第2電極190は、陽極と陰極のうち、相互に異なる1になる。陽極は、陰極より大きい仕事関数を有する。
一方、発光方式によって、第1電極175と第2電極のうちの1つは、透明であって、他の1つは、不透明である。例えば、第1電極175と第2電極が各々、陽極と陰極である場合、第1電極175として、透明導電性金属、すなわち、インジウムースズーオキサイドITOとインジウムージンクーオキサイドIZOが使用されて、第2電極190として、仕事関数の値が低い不透明金属物質、すなわち、アルカリ金属とアルカリ土類金属、アルミニウムAl、アルミニウム合金AlNd、銅Cu、モリブデンMo、チタンTiと、これらの合金が使用される。
第1基板101上の表示領域DAには、図面には示してないが、ゲート配線(図示せず)とデータ配線(図示せず)が交差して定義される各サブ画素領域SP別に、スイッチング薄膜トランジスタ(図示せず)と駆動薄膜トランジスタTrを含むアレイ素子が形成されている。前記アレイ素子及びゲート配線(図示せず)とデータ配線(図示せず)を覆って保護層145が形成されていて、前記保護層145の上部に、前記アレイ素子のうち、駆動薄膜トランジスタTrの一電極135と接触する連結電極155が形成されている。
マスクを利用した露光、前記フォトレジストの現像による前記第1金属層と第2金属層(図示せず)の露出、前記露出された第1金属層と第2金属層(図示せず)のエッチング、残っているフォトレジストのストリップまたは、アッシング等、一連のフォトーエッチング工程(以下、マスク工程と称する。)を実施して、前記第1金属層と第2金属層(図示せず)をパターニングする。
307:データ連結配線
314:ゲート絶縁膜
330:データ配線
338:データパッド電極
338a:データパッド電極の下部層
338b:データパッド電極の上部層
345:保護層
351:データパッドコンタクトホール
353:第2連結コンタクトホール
356:連結パターン
371:第2基板
375:第1電極
393:シールパターン
DA:表示領域
DPA:データパッド部
NA:非表示領域
Claims (56)
- 相互に向かい合う多数のサブ画素領域が定義された第1基板と第2基板;
前記第1基板上に位置するゲート配線と;
前記第1基板に位置して、前記ゲート配線と交差して前記画素領域を定義するデータ配線と;
前記ゲート配線及びデータ配線に連結されたアレイ素子と;
前記アレイ素子に連結されて、前記サブ画素領域に位置する連結電極と;
前記ゲート配線に連結されて、下部層と上部層を有するゲートパッド電極と;
前記データ配線に連結されて、下部層と上部層を有して、前記ゲート配線と同一層に位置するデータパッド電極と;
前記第2基板上に位置する有機電界発光ダイオードを含み、前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極の上部層各々は、前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極の下部層を露出するゲートパッドコンタクトホール及びデータパッドコンタクトホールを有する有機電界発光素子。 - 前記下部層は、耐腐食性を有する物質を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記下部層は、透明導電性物質を含むことを特徴とする請求項2に記載の有機電界発光素子。
- 前記上部層は、アルミニウムAl、アルミニウム合金AlNd、銅Cu、モリブデンMo、チタンTiのいずれか1つを含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記上部層は、多層構造を有することを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記データ配線に連結されるデータ連結配線をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記データ配線とデータ連結配線を連結する連結パターンをさらに含み、前記連結パターンは、前記連結電極と同一層に位置することを特徴とする請求項6に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1基板と第2基板を合着するシールパターンをさらに含み、前記連結パターンは、シールパターンによって取り囲まれることを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光素子。
- 前記連結パターンの一部は、前記シールパターンの下部に位置することを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光素子。
- 前記シールパターンによって取り囲まれる第1基板と第2基板間の空間は、真空雰囲気または、不活性気体雰囲気を有することを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光素子。
- 前記ゲート配線上に位置するゲート絶縁膜と、前記データ配線上に位置する保護層をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光素子。
- 前記ゲート絶縁膜と保護層は、前記ゲートパッドコンタクトホール及びデータパッドコンタクトホールを有することを特徴とする請求項11に記載の有機電界発光素子。
- 前記保護層は、前記データ配線を露出する第1連結コンタクトホールを有して、前記ゲート絶縁膜と保護層は、前記データ連結配線を露出する第2連結コンタクトホールを有して、前記連結パターンは、前記第1連結コンタクトホールと第2連結コンタクトホール各々を通じて前記データ配線及びデータ連結配線に連結されることを特徴とする請求項11に記載の有機電界発光素子。
- 前記保護層は、前記アレイ素子を露出するドレインコンタクトホールを有して、前記連結電極は、前記ドレインコンタクトホールを通じて前記アレイ素子に連結されることを特徴とする請求項13に記載の有機電界発光素子。
- 前記アレイ素子は、スイッチング薄膜トランジスタと前記連結電極に連結される駆動薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請求項14に記載の有機電界発光素子。
- 前記有機電界発光ダイオードは、前記第2基板上に、順に位置する第1電極、有機発光層、第2電極を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記サブ画素領域内の第1電極上に位置するスペーサーをさらに含み、前記スペーサーは、前記スペーサーを覆う第2電極部分と前記連結電極を接触させるために、第1高さを有することを特徴とする請求項16に記載の有機電界発光素子。
- 前記隣接するサブ画素領域間の第1画素電極上に位置する隔壁をさらに含み、前記隔壁は、前記第1高さより低い第2高さを有することを特徴とする請求項17に記載の有機電界発光素子。
- 前記第2電極は、アルカリ金属とアルカリ土類金属のうちの1つを含むことを特徴とする請求項16に記載の有機電界発光素子。
- 前記第2電極と連結電極は、前記第1電極に比べて、仕事関数の値が低い物質で構成されることを特徴とする請求項16に記載の有機電界発光素子。
- 前記連結電極は、アルミニウムAl、アルミニウム合金AlNd、銅Cu、モリブデンMo、チタンTiのいずれか1つを含むことを特徴とする請求項20に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1電極は、インジウムースズーオキサイドITOとインジウムージンクーオキサイドIZOのうちの1つを含むことを特徴とする請求項20に記載の有機電界発光素子。
- 第1基板上に、下部層と上部層を有するゲート配線と、ゲート配線の一端のゲートパッド電極とデータパッド電極を形成する段階と;
前記ゲート配線、ゲートパッド電極、データパッド電極を覆うゲート絶縁膜を形成する段階と;
前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート配線と交差してサブ画素領域を定義するデータ配線を形成する段階と;
前記ゲート配線及びデータ配線に連結されるアレイ素子を形成する段階と;
前記アレイ素子上に、保護層を形成する段階と;
前記サブ画素領域内の保護層上に、連結電極を形成する段階と;
前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極の下部層を露出する段階と;
前記第2基板上に、有機電界発光ダイオードを形成する段階と;
前記第1基板と第2基板を合着する段階とを含む有機電界発光素子の製造方法。 - 前記連結電極を形成する段階は、
導電性物質とフォトレジストを塗布する段階と;
前記フォトレジストをパターニングして、フォトレジストパターンを形成する段階と;
前記導電性物質をフォトレジストパターンにパターニングする段階を含むことを特徴とする請求項23に記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極の下部層を露出する段階は、
前記連結電極を形成する前、前記保護層及びゲート絶縁膜をパターニングして、前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極の上部層各々を露出するゲートパッドコンタクトホール及びデータパッドコンタクトホールを形成する段階と;
前記連結電極を形成した後、前記フォトレジストパターンを使用して、ゲートパッド電極及びデータパッド電極の上部層をエッチングする段階を含むことを特徴とする請求項24に記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極の下部層を露出した後、前記フォトレジストパターンを除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項25に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記下部層は、耐腐食性を有する導電性物質を含むことを特徴とする請求項23に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記下部層は、透明導電性物質を含むことを特徴とする請求項27に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記上部層は、アルミニウムAl、アルミニウム合金AlNd、銅Cu、モリブデンMo、チタンTiのいずれか1つを含むことを特徴とする請求項23に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記上部層は、多層構造を有することを特徴とする請求項23に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記ゲート配線の形成時、前記データ配線に連結されるデータ連結配線を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項23に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記連結電極の形成時、前記データ配線とデータ連結配線を連結する連結パターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項31に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1基板と第2基板は、シールパターンを使用して合着されて、前記連結パターンは、前記シールパターンによって取り囲まれることを特徴とする請求項32に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記連結パターンの一部は、前記シールパターンの下部に位置することを特徴とする請求項33に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1基板と第2基板は、真空雰囲気または、不活性気体雰囲気で合着されることを特徴とする請求項23に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記保護層をパターニングして、前記データ配線を露出する第1連結コンタクトホールを形成して、前記ゲート絶縁膜及び保護層をパターニングして、前記データ連結配線を露出する第2連結コンタクトホールを形成する段階をさらに含み、前記連結パターンは、前記第1連結コンタクトホールと第2連結コンタクトホール各々を通じて前記データ配線及びデータ連結配線と連結されることを特徴とする請求項32に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記保護層をパターニングして、前記アレイ素子を露出するドレインコンタクトホールを形成する段階をさらに含み、前記連結電極は、前記ドレインコンタクトホールを通じて前記アレイ素子に連結されることを特徴とする請求項23に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記アレイ素子を形成する段階は、スイッチング薄膜トランジスタと前記連結電極に連結される駆動薄膜トランジスタを形成する段階を含むことを特徴とする請求項23に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記有機電界発光ダイオードを形成する段階は、前記第2基板上に、順に第1電極、有機発光層、第2電極を形成する段階を含むことを特徴とする請求項23に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記サブ画素領域内の第1電極上に、スペーサーを形成する段階をさらに含み、前記スペーサーは、前記スペーサーを覆う第2電極部分と前記連結電極を接触させるために、第1高さを有することを特徴とする請求項39に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記スペーサーの形成時、前記隣接するサブ画素領域間の第1画素電極上に、隔壁を形成する段階をさらに含み、前記隔壁は、前記第1高さより低い第2高さを有することを特徴とする請求項40に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 有機絶縁物質とフォトレジストを塗布する段階と;
第1フォトレジストパターンと、前記第1フォトレジストパターンより高い高さの第2フォトレジストパターンを形成する段階と;
前記第1フォトレジストパターンと第2フォトレジストパターンで前記有機絶縁物質をエッチングして、前記第1フォトレジストパターンの下部に、第1有機絶縁パターンを形成して、前記第2フォトレジストパターンの下部に、前記スペーサーを形成する段階と;
前記第1フォトレジストパターンを完全に除去して、前記第2フォトレジストパターンを一部除去する段階と;
前記第1有機絶縁パターンを一部除去して、前記隔壁を形成する段階を含むことを特徴とする請求項41に記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 前記第2電極は、アルカリ金属とアルカリ土類金属のうちの1つを含むことを特徴とする請求項39に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第2電極と連結電極は、前記第1電極に比べて、仕事関数の値が低い物質で構成されることを特徴とする請求項39に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記連結電極は、アルミニウムAl、アルミニウム合金AlNd、銅Cu、モリブデンMo、チタンTiのいずれか1つを含むことを特徴とする請求項44に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1電極は、インジウムースズーオキサイドITOとインジウムージンクーオキサイドIZOのうちの1つを含むことを特徴とする請求項44に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- ゲート配線と、前記ゲート配線と交差してサブ画素領域を定義するデータ配線と、前記サブ画素領域内に位置する、少なくとも1つの薄膜トランジスタと、ゲートパッド及びデータパッドを含む第1基板と;
前記薄膜トランジスタに連結される有機電界発光ダイオードを含む第2基板を含み、前記ゲートパッド及びデータパッドは、多層構造を有して、前記ゲートパッド及びデータパッドの露出された部分は、耐腐食性を有する導電性物質とを含む有機電界発光素子。 - 前記導電性物質は、透明であることを特徴とする請求項47に記載の有機電界発光素子。
- 前記データ配線に連結されるデータ連結配線と、前記データ配線とデータ連結配線を連結する連結パターンをさらに含むことを特徴とする請求項47に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1基板と第2基板を合着するシールパターンをさらに含み、前記連結パターンは、シールパターンによって取り囲まれることを特徴とする請求項49に記載の有機電界発光素子。
- 前記有機電界発光ダイオードは、前記第2基板上に、順に位置する第1電極、有機発光層、第2電極を含むことを特徴とする請求項47に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1電極上に位置するスペーサーをさらに含み、前記第2電極の一部は、前記スペーサーを覆うことを特徴とする請求項51に記載の有機電界発光素子。
- 前記第2電極は、アルカリ金属とアルカリ土類金属のうちの1つを含むことを特徴とする請求項51に記載の有機電界発光素子。
- 前記有機電界発光ダイオードは、前記薄膜トランジスタを連結する連結電極をさらに含むことを特徴とする請求項47に記載の有機電界発光素子。
- 前記連結電極は、アルミニウムAl、アルミニウム合金AlNd、銅Cu、モリブデンMo、チタンTiのいずれか1つを含むことを特徴とする請求項54に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1電極は、インジウムースズーオキサイドITOとインジウムージンクーオキサイドIZOのうちの1つを含むことを特徴とする請求項47に記載の有機電界発光素子。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040099089A KR100603836B1 (ko) | 2004-11-30 | 2004-11-30 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006156403A true JP2006156403A (ja) | 2006-06-15 |
JP4333922B2 JP4333922B2 (ja) | 2009-09-16 |
Family
ID=36371629
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005345623A Active JP4333922B2 (ja) | 2004-11-30 | 2005-11-30 | 有機電界発光素子 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7309955B2 (ja) |
JP (1) | JP4333922B2 (ja) |
KR (1) | KR100603836B1 (ja) |
CN (1) | CN100395894C (ja) |
DE (1) | DE102005056911B4 (ja) |
FR (1) | FR2878650B1 (ja) |
GB (1) | GB2420651B (ja) |
TW (1) | TWI315589B (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008210770A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Lg Display Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
JP2009025453A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Casio Comput Co Ltd | 表示パネル及びその製造方法 |
JP2009098533A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Sony Corp | 表示装置 |
WO2010098392A1 (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-02 | パナソニック電工株式会社 | 面状発光装置 |
JP2011100011A (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-19 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置 |
WO2011125950A1 (ja) * | 2010-04-07 | 2011-10-13 | 住友化学株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
KR101073552B1 (ko) | 2009-10-09 | 2011-10-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
WO2013011602A1 (ja) * | 2011-07-19 | 2013-01-24 | パナソニック株式会社 | 表示装置、及び表示装置の製造方法 |
CN103578358A (zh) * | 2012-07-25 | 2014-02-12 | 乐金显示有限公司 | 塑料面板和使用该塑料面板的平板显示设备 |
KR101811702B1 (ko) * | 2010-10-27 | 2017-12-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20180094503A (ko) * | 2007-02-14 | 2018-08-23 | 소니 주식회사 | 표시 장치 |
JP2020521180A (ja) * | 2017-05-23 | 2020-07-16 | 深▲せん▼市華星光電技術有限公司Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | マイクロ発光ダイオード表示パネル及びその製造方法 |
US11803072B2 (en) * | 2020-02-06 | 2023-10-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7485893B2 (en) * | 2005-07-08 | 2009-02-03 | Lg Display Co., Ltd. | Display device |
KR100742642B1 (ko) * | 2005-07-11 | 2007-07-25 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 유기 전계 발광 디스플레이 패널, 패널 어레이 및 이의제조 방법 |
KR100638143B1 (ko) | 2005-10-12 | 2006-10-25 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법 |
US8017950B2 (en) * | 2005-12-29 | 2011-09-13 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electro-luminescence display device and method of manfacturing the same |
KR100713227B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2007-05-02 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이장치 및 그 제조방법 |
KR101254644B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-04-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계발광 표시장치와 그의 제조 방법 |
KR20080006316A (ko) * | 2006-07-12 | 2008-01-16 | 삼성전자주식회사 | 유기 박막 트랜지스터와 그의 제조 방법 |
KR101318242B1 (ko) * | 2007-01-26 | 2013-10-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시소자의 제조 방법 |
KR100805124B1 (ko) * | 2007-03-05 | 2008-02-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치 |
KR100836472B1 (ko) | 2007-03-22 | 2008-06-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
KR101496215B1 (ko) * | 2008-03-17 | 2015-02-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판과 이의 제조 방법 |
DE102008026216B4 (de) * | 2008-05-30 | 2010-07-29 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronische Schaltung |
KR100953540B1 (ko) * | 2008-06-11 | 2010-04-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR100953539B1 (ko) * | 2008-06-11 | 2010-04-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101287478B1 (ko) * | 2009-06-02 | 2013-07-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 산화물 박막트랜지스터를 구비한 표시소자 및 그 제조방법 |
KR101641363B1 (ko) * | 2010-02-22 | 2016-08-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
KR101664182B1 (ko) * | 2010-04-27 | 2016-10-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
KR20120032904A (ko) * | 2010-09-29 | 2012-04-06 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101815255B1 (ko) * | 2010-12-16 | 2018-01-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 이에 적용되는 입력패드 |
KR101860036B1 (ko) * | 2011-11-15 | 2018-06-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 씨오지 타입 플렉서블 유기발광소자 |
KR101968929B1 (ko) * | 2012-09-11 | 2019-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 센서 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 센싱 표시 패널 |
KR102025835B1 (ko) * | 2012-11-26 | 2019-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
GB2510480B (en) * | 2012-12-21 | 2016-02-03 | Lg Display Co Ltd | Display device |
KR102020353B1 (ko) | 2013-03-20 | 2019-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102077141B1 (ko) | 2013-05-29 | 2020-02-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR102223676B1 (ko) | 2014-06-24 | 2021-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102320186B1 (ko) * | 2014-07-18 | 2021-10-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR102204785B1 (ko) * | 2014-07-25 | 2021-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
KR102192227B1 (ko) * | 2014-10-02 | 2020-12-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 패드 구조 및 이를 포함하는 표시장치 |
KR102317553B1 (ko) * | 2015-08-28 | 2021-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN105789115A (zh) * | 2016-04-26 | 2016-07-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 过孔的制作方法、阵列基板及其制作方法、显示装置 |
KR102404573B1 (ko) * | 2016-05-27 | 2022-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR20180041281A (ko) * | 2016-10-13 | 2018-04-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20180061866A (ko) * | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 봉지 유닛 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
CN107966841B (zh) * | 2017-12-28 | 2020-06-02 | 友达光电(昆山)有限公司 | 一种显示装置 |
CN110459505B (zh) * | 2018-05-07 | 2022-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 过孔连接结构及阵列基板的制造方法、阵列基板 |
KR102528500B1 (ko) * | 2018-07-19 | 2023-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102602739B1 (ko) | 2018-09-07 | 2023-11-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
US11957015B2 (en) * | 2018-09-25 | 2024-04-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
KR20200108176A (ko) * | 2019-03-07 | 2020-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US11598989B2 (en) * | 2019-07-31 | 2023-03-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Backlight unit and display device including the same |
KR20210018591A (ko) * | 2019-08-06 | 2021-02-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102182538B1 (ko) * | 2019-09-20 | 2020-11-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
KR20210054636A (ko) * | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20220060019A (ko) * | 2020-11-02 | 2022-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
CN114188379A (zh) * | 2021-12-02 | 2022-03-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6175186B1 (en) * | 1996-02-26 | 2001-01-16 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent element and method for manufacturing the same |
JP4208281B2 (ja) * | 1998-02-26 | 2009-01-14 | キヤノン株式会社 | 積層型光起電力素子 |
US6825488B2 (en) * | 2000-01-26 | 2004-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US6608449B2 (en) * | 2000-05-08 | 2003-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Luminescent apparatus and method of manufacturing the same |
US6828587B2 (en) * | 2000-06-19 | 2004-12-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US6699728B2 (en) * | 2000-09-06 | 2004-03-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Patterning of electrodes in oled devices |
JP2003066859A (ja) | 2001-08-28 | 2003-03-05 | Sharp Corp | 表示装置およびその製造方法 |
KR100834342B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2008-06-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법 |
KR100433992B1 (ko) * | 2002-04-25 | 2004-06-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
KR100464864B1 (ko) * | 2002-04-25 | 2005-01-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
KR20030086165A (ko) * | 2002-05-03 | 2003-11-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
US7105999B2 (en) * | 2002-07-05 | 2006-09-12 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same |
US7109650B2 (en) * | 2002-07-08 | 2006-09-19 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Active matrix organic electroluminescent display device and method of fabricating the same |
KR100473590B1 (ko) * | 2002-07-25 | 2005-03-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
KR100478759B1 (ko) * | 2002-08-20 | 2005-03-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
KR100489591B1 (ko) * | 2002-11-13 | 2005-05-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
TWI272872B (en) | 2002-12-13 | 2007-02-01 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Dual panel-type organic electroluminescent display device and method of fabricating the same |
KR100497095B1 (ko) * | 2002-12-26 | 2005-06-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 어레이 기판 및 그 제조방법 |
KR100497096B1 (ko) * | 2002-12-26 | 2005-06-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 어레이 기판 및 그 제조방법 |
KR100484092B1 (ko) * | 2002-12-26 | 2005-04-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
KR100503129B1 (ko) * | 2002-12-28 | 2005-07-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
KR101026812B1 (ko) * | 2003-11-28 | 2011-04-04 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 |
KR100529846B1 (ko) * | 2003-12-26 | 2005-11-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
KR100621865B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2006-09-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 |
DE102004031109B4 (de) * | 2003-12-30 | 2016-03-31 | Lg Display Co., Ltd. | Organisches Lumineszenzdisplay vom Doppeltafeltyp sowie Verfahren zum Herstellen desselben |
KR20050068794A (ko) * | 2003-12-30 | 2005-07-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
KR100573132B1 (ko) * | 2004-02-14 | 2006-04-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
KR100653265B1 (ko) * | 2004-04-19 | 2006-12-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
-
2004
- 2004-11-30 KR KR1020040099089A patent/KR100603836B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-11-07 GB GB0522687A patent/GB2420651B/en active Active
- 2005-11-07 US US11/267,284 patent/US7309955B2/en active Active
- 2005-11-11 TW TW094139616A patent/TWI315589B/zh active
- 2005-11-16 CN CNB2005101153857A patent/CN100395894C/zh active Active
- 2005-11-18 FR FR0511700A patent/FR2878650B1/fr active Active
- 2005-11-29 DE DE102005056911A patent/DE102005056911B4/de active Active
- 2005-11-30 JP JP2005345623A patent/JP4333922B2/ja active Active
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102007710B1 (ko) | 2007-02-14 | 2019-08-07 | 소니 주식회사 | 표시 장치 |
KR20180094503A (ko) * | 2007-02-14 | 2018-08-23 | 소니 주식회사 | 표시 장치 |
US7811147B2 (en) | 2007-02-26 | 2010-10-12 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and fabrication method thereof |
JP2008210770A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Lg Display Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
JP2009025453A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Casio Comput Co Ltd | 表示パネル及びその製造方法 |
US7985968B2 (en) | 2007-10-19 | 2011-07-26 | Sony Corporation | Display device |
JP2009098533A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Sony Corp | 表示装置 |
JP4506810B2 (ja) * | 2007-10-19 | 2010-07-21 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
US9076981B2 (en) | 2009-02-26 | 2015-07-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Planar light emitting device having structure for brightness uniformity and a compact area of non-light emitting part |
US8648382B2 (en) | 2009-02-26 | 2014-02-11 | Panasonic Corporation | Planar light emitting device having structure for brightness uniformity and a compact area of non-light emitting part |
WO2010098392A1 (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-02 | パナソニック電工株式会社 | 面状発光装置 |
JP2010198980A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 面状発光装置 |
US8604463B2 (en) | 2009-10-09 | 2013-12-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same |
KR101073552B1 (ko) | 2009-10-09 | 2011-10-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP2011100011A (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-19 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置 |
WO2011125950A1 (ja) * | 2010-04-07 | 2011-10-13 | 住友化学株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
KR101811702B1 (ko) * | 2010-10-27 | 2017-12-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
CN103003861A (zh) * | 2011-07-19 | 2013-03-27 | 松下电器产业株式会社 | 显示装置以及显示装置的制造方法 |
KR101407814B1 (ko) | 2011-07-19 | 2014-06-17 | 파나소닉 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
JP5609989B2 (ja) * | 2011-07-19 | 2014-10-22 | パナソニック株式会社 | 表示装置、及び表示装置の製造方法 |
WO2013011602A1 (ja) * | 2011-07-19 | 2013-01-24 | パナソニック株式会社 | 表示装置、及び表示装置の製造方法 |
CN103578358A (zh) * | 2012-07-25 | 2014-02-12 | 乐金显示有限公司 | 塑料面板和使用该塑料面板的平板显示设备 |
CN103578358B (zh) * | 2012-07-25 | 2016-10-05 | 乐金显示有限公司 | 塑料显示面板和使用该塑料显示面板的平板显示设备 |
JP2020521180A (ja) * | 2017-05-23 | 2020-07-16 | 深▲せん▼市華星光電技術有限公司Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | マイクロ発光ダイオード表示パネル及びその製造方法 |
US11803072B2 (en) * | 2020-02-06 | 2023-10-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7309955B2 (en) | 2007-12-18 |
TW200620733A (en) | 2006-06-16 |
DE102005056911A1 (de) | 2006-06-01 |
GB0522687D0 (en) | 2005-12-14 |
CN100395894C (zh) | 2008-06-18 |
GB2420651A (en) | 2006-05-31 |
DE102005056911B4 (de) | 2011-08-18 |
TWI315589B (en) | 2009-10-01 |
FR2878650A1 (fr) | 2006-06-02 |
FR2878650B1 (fr) | 2011-10-14 |
KR20060060179A (ko) | 2006-06-05 |
KR100603836B1 (ko) | 2006-07-24 |
US20060113903A1 (en) | 2006-06-01 |
GB2420651B (en) | 2007-05-02 |
CN1783508A (zh) | 2006-06-07 |
JP4333922B2 (ja) | 2009-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4333922B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
KR101980780B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
KR20230021050A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
JP4057517B2 (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
JP3917131B2 (ja) | デュアルパネルタイプ有機電界発光素子及びその製造方法 | |
KR101927334B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
KR20180068634A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
US20070284595A1 (en) | Organic light emitting device and method for fabricating the same | |
US10403696B2 (en) | Organic light emitting display device and method of fabricating the same | |
KR20130018501A (ko) | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
JP2007156504A (ja) | 有機電界発光素子とその製造方法 | |
EP3018714A1 (en) | Organic light-emitting diode display and method for manufacturing the same | |
JP2005197228A (ja) | 有機電界発光素子とその製造方法 | |
KR20180013226A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
KR101100891B1 (ko) | 박막트랜지스터 기판 및 이를 포함한 디스플레이장치 | |
KR101071712B1 (ko) | 유기전계발광 소자 및 그의 제조 방법 | |
KR20200032594A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR20090068505A (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조 방법 | |
US7271017B2 (en) | Organic electroluminescent display device and fabricating method thereof | |
KR101469477B1 (ko) | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
JP2007013184A (ja) | デュアルパネルタイプの有機電界発光素子及びその製造方法 | |
KR100474000B1 (ko) | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 | |
KR101992914B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
KR20090041871A (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조 방법 | |
KR20100035455A (ko) | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090413 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090424 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090525 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090618 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120703 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4333922 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130703 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |