JP2003066859A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents
表示装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2003066859A JP2003066859A JP2001258310A JP2001258310A JP2003066859A JP 2003066859 A JP2003066859 A JP 2003066859A JP 2001258310 A JP2001258310 A JP 2001258310A JP 2001258310 A JP2001258310 A JP 2001258310A JP 2003066859 A JP2003066859 A JP 2003066859A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- display device
- organic
- active matrix
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 190
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 159
- 239000002585 base Substances 0.000 description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 6
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 5
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229920006132 styrene block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000854908 Homo sapiens WD repeat-containing protein 11 Proteins 0.000 description 1
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100020705 WD repeat-containing protein 11 Human genes 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229920000468 styrene butadiene styrene block copolymer Polymers 0.000 description 1
- -1 styrene-ethylene butylene-styrene Chemical class 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/127—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
- H10K59/1275—Electrical connections of the two substrates
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アクティブマトリクス基板と対向基板との間
の信頼性の高い接着強度を実現する表示装置を提供す
る。 【解決手段】 表示装置は、アクティブマトリクス基板
と対向基板とを具備し、アクティブマトリクス基板は、
第１ベース基板と、第１ベース基板上に設けられた複数
の第１画素電極と、を含んでおり、対向基板は、第２ベ
ース基板と、第２ベース基板に対して第１画素電極側に
形成された電極層と、電極層に対して第１画素電極側に
形成された電気光学媒体と、電気光学媒体上において複
数の第１画素電極のそれぞれと対向するようにそれぞれ
設けられた複数の第２画素電極と、を含んでおり、各第
１画素電極を対向する第２画素電極と電気的に接続する
導電接続手段をさらに具備している。
の信頼性の高い接着強度を実現する表示装置を提供す
る。 【解決手段】 表示装置は、アクティブマトリクス基板
と対向基板とを具備し、アクティブマトリクス基板は、
第１ベース基板と、第１ベース基板上に設けられた複数
の第１画素電極と、を含んでおり、対向基板は、第２ベ
ース基板と、第２ベース基板に対して第１画素電極側に
形成された電極層と、電極層に対して第１画素電極側に
形成された電気光学媒体と、電気光学媒体上において複
数の第１画素電極のそれぞれと対向するようにそれぞれ
設けられた複数の第２画素電極と、を含んでおり、各第
１画素電極を対向する第２画素電極と電気的に接続する
導電接続手段をさらに具備している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自発光型の表示装
置に関し、特に、電界発光層とアクティブマトリクス基
板とを組み合わせた電界発光型の表示装置に関する。
置に関し、特に、電界発光層とアクティブマトリクス基
板とを組み合わせた電界発光型の表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＯＡ機器、ＡＶ機器、携帯端末機器等に
おいて、高品質表示、薄型化および低消費電力化が可能
な表示装置として電界発光型の表示装置が用いられてい
る。
おいて、高品質表示、薄型化および低消費電力化が可能
な表示装置として電界発光型の表示装置が用いられてい
る。
【０００３】この電界発光型の表示装置の一つに有機電
界発光装置（有機ＥＬ表示装置）がある。この有機ＥＬ
表示装置においては、ＸＹマトリクス状に配置された有
機ＥＬ素子を単純マトリクス駆動（パッシブ駆動）によ
って駆動して画像を表示する技術が知られている。この
単純マトリクス駆動は線順次駆動を行なう際の走査線の
数に限界があるため、より駆動能力の優れたアクティブ
マトリクス駆動が提案されている。
界発光装置（有機ＥＬ表示装置）がある。この有機ＥＬ
表示装置においては、ＸＹマトリクス状に配置された有
機ＥＬ素子を単純マトリクス駆動（パッシブ駆動）によ
って駆動して画像を表示する技術が知られている。この
単純マトリクス駆動は線順次駆動を行なう際の走査線の
数に限界があるため、より駆動能力の優れたアクティブ
マトリクス駆動が提案されている。
【０００４】このアクティブマトリクス駆動型の有機Ｅ
Ｌ表示装置は、アクティブマトリクス基板を備えてお
り、このアクティブマトリクス基板は透光性を有するベ
ース基板を有している。このベース基板上には、ａ−Ｓ
ｉ，ポリシリコン等により構成される薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）が画素一つに対して少なくとも一つ以上設け
られている。このベース基板上にはさらにこのＴＦＴを
選択してＯＮするための複数の走査電極線および複数の
信号電極線が設けられており、ＴＦＴの上には有機ＥＬ
層が形成されている。
Ｌ表示装置は、アクティブマトリクス基板を備えてお
り、このアクティブマトリクス基板は透光性を有するベ
ース基板を有している。このベース基板上には、ａ−Ｓ
ｉ，ポリシリコン等により構成される薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）が画素一つに対して少なくとも一つ以上設け
られている。このベース基板上にはさらにこのＴＦＴを
選択してＯＮするための複数の走査電極線および複数の
信号電極線が設けられており、ＴＦＴの上には有機ＥＬ
層が形成されている。
【０００５】特開平１０−１８９２５２号公報には、こ
の有機ＥＬ表示装置の視認性および信頼性を向上させる
ために、有機ＥＬ層からの発光を効率良く外部に取り出
すことができる構成が開示されている。この有機ＥＬ表
示装置は、アクティブマトリクス基板を備えており、こ
のアクティブマトリクス基板はベース基板を有してい
る。このベース基板上には、金属電極（陰極）が形成さ
れており、この金属電極（陰極）上には有機ＥＬ層およ
び透明電極層（陽極）が順次形成されている。この構成
によれば、表示光は有機ＥＬ層に対して透明電極層側に
出射されるので、開ロ率が向上する。
の有機ＥＬ表示装置の視認性および信頼性を向上させる
ために、有機ＥＬ層からの発光を効率良く外部に取り出
すことができる構成が開示されている。この有機ＥＬ表
示装置は、アクティブマトリクス基板を備えており、こ
のアクティブマトリクス基板はベース基板を有してい
る。このベース基板上には、金属電極（陰極）が形成さ
れており、この金属電極（陰極）上には有機ＥＬ層およ
び透明電極層（陽極）が順次形成されている。この構成
によれば、表示光は有機ＥＬ層に対して透明電極層側に
出射されるので、開ロ率が向上する。
【０００６】しかしながらこの構成の場合、耐環境性に
劣る有機ＥＬ層の上に、この有機ＥＬ層にダメージを与
えないように透明電極層（陽極）を形成しようとする
と、この透明電極層（陽極）の成膜条件を最適化するこ
とが困難となるので、良質の透明電極を得ることが難し
いという問題がある。この透明電極層（陽極）となるＩ
ＴＯ膜を最適な成膜条件である１５０℃から２００℃の
成膜温度において成膜しようとすると、有機ＥＬ層にダ
メージを与えるという問題もある。例えばスパッタ法に
よってこのＩＴＯ膜を形成すると、有機ＥＬ層にダメー
ジを与える。また、この耐環境性に劣る有機ＥＬ層から
水分および酸素を遮断するバリア層を別途設ける必要が
あるという問題もある。
劣る有機ＥＬ層の上に、この有機ＥＬ層にダメージを与
えないように透明電極層（陽極）を形成しようとする
と、この透明電極層（陽極）の成膜条件を最適化するこ
とが困難となるので、良質の透明電極を得ることが難し
いという問題がある。この透明電極層（陽極）となるＩ
ＴＯ膜を最適な成膜条件である１５０℃から２００℃の
成膜温度において成膜しようとすると、有機ＥＬ層にダ
メージを与えるという問題もある。例えばスパッタ法に
よってこのＩＴＯ膜を形成すると、有機ＥＬ層にダメー
ジを与える。また、この耐環境性に劣る有機ＥＬ層から
水分および酸素を遮断するバリア層を別途設ける必要が
あるという問題もある。
【０００７】特開２０００−１７３７７０号公報には、
これらの問題を解決する有機ＥＬ表示装置が開示されて
いる。この有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬの開口率を向
上させることができ、かつ外部からの水分および酸素を
遮断する遮断性に優れている。この有機ＥＬ表示装置
は、アクティブマトリクス基板と対向基板との間に有機
ＥＬ層が挟持された構成を有している。アクティブマト
リクス基板上には陰極電極が形成されており、この陰極
電極上に有機ＥＬ層の一部を構成する有機層又は高分子
層が形成されている。対向基板上には陽極電極が形成さ
れており、この陽極電極上に有機ＥＬ層の一部を構成す
る有機層又は高分子層が形成されている。アクティブマ
トリクス基板と対向基板とは、両者の有機層／又は高分
子層が対向するように配置して、この有機層又は高分子
層を熱圧着することによって一体的に貼り合わされてい
る。このような構成により、有機ＥＬ層に対してアクテ
ィブマトリクス基板の反対側から表示光を取り出すこと
が容易になり、アクティブマトリックス基板側に形成さ
れた電極線、ＴＦＴ等によって表示光が遮られることが
無くなるので、開ロ率が大きくなり高明度な画像を得る
ことが可能となる。また、アクティブマトリクス基板と
対向基板とに有機ＥＬ層が挟持されているので、この対
向基板によって有機ＥＬ層を外部の水分および酸素から
完全に遮断することが可能になる。
これらの問題を解決する有機ＥＬ表示装置が開示されて
いる。この有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬの開口率を向
上させることができ、かつ外部からの水分および酸素を
遮断する遮断性に優れている。この有機ＥＬ表示装置
は、アクティブマトリクス基板と対向基板との間に有機
ＥＬ層が挟持された構成を有している。アクティブマト
リクス基板上には陰極電極が形成されており、この陰極
電極上に有機ＥＬ層の一部を構成する有機層又は高分子
層が形成されている。対向基板上には陽極電極が形成さ
れており、この陽極電極上に有機ＥＬ層の一部を構成す
る有機層又は高分子層が形成されている。アクティブマ
トリクス基板と対向基板とは、両者の有機層／又は高分
子層が対向するように配置して、この有機層又は高分子
層を熱圧着することによって一体的に貼り合わされてい
る。このような構成により、有機ＥＬ層に対してアクテ
ィブマトリクス基板の反対側から表示光を取り出すこと
が容易になり、アクティブマトリックス基板側に形成さ
れた電極線、ＴＦＴ等によって表示光が遮られることが
無くなるので、開ロ率が大きくなり高明度な画像を得る
ことが可能となる。また、アクティブマトリクス基板と
対向基板とに有機ＥＬ層が挟持されているので、この対
向基板によって有機ＥＬ層を外部の水分および酸素から
完全に遮断することが可能になる。
【０００８】特開２００１−３５６６３号公報には、有
機ＥＬ層の開口率を向上させる有機ＥＬ表示装置が開示
されている。この有機ＥＬ表示装置は、アクティブマト
リクス基板（背面側ガラス基板）と対向基板（表示用ガ
ラス基板）とを備えており、表示用ガラス基板上には、
透明電極、有機材料層（有機ＥＬ層）および金属電極が
順次形成されている。背面側ガラス基板上には、電界効
果トランジスタとこの電界効果トランジスタに接続され
た接続用金属電極とが設けられている。アクティブマト
リクス基板の接続用金属電極と対向基板の金属電極と
は、相互に位置合わせをして加熱して貼り合わせること
によって接続されている。
機ＥＬ層の開口率を向上させる有機ＥＬ表示装置が開示
されている。この有機ＥＬ表示装置は、アクティブマト
リクス基板（背面側ガラス基板）と対向基板（表示用ガ
ラス基板）とを備えており、表示用ガラス基板上には、
透明電極、有機材料層（有機ＥＬ層）および金属電極が
順次形成されている。背面側ガラス基板上には、電界効
果トランジスタとこの電界効果トランジスタに接続され
た接続用金属電極とが設けられている。アクティブマト
リクス基板の接続用金属電極と対向基板の金属電極と
は、相互に位置合わせをして加熱して貼り合わせること
によって接続されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た特開２０００−１７３７７０号公報に記載されている
ように、有機ＥＬ層を構成する有機層又は高分子層を熱
圧着する構成では、熱圧着される有機層または高分子層
の界面に気泡を巻き込みやすいという問題がある。しか
も、熱圧着工程において有機層又は高分子層をガラス転
移温度（又は相転移温度）にまで加熱して軟化させるた
めにこの有機層又は高分子層の厚みの分布が変化してし
まうおそれがあり、有機ＥＬ表示装置を安定して製造す
ることが困難であるという問題がある。
た特開２０００−１７３７７０号公報に記載されている
ように、有機ＥＬ層を構成する有機層又は高分子層を熱
圧着する構成では、熱圧着される有機層または高分子層
の界面に気泡を巻き込みやすいという問題がある。しか
も、熱圧着工程において有機層又は高分子層をガラス転
移温度（又は相転移温度）にまで加熱して軟化させるた
めにこの有機層又は高分子層の厚みの分布が変化してし
まうおそれがあり、有機ＥＬ表示装置を安定して製造す
ることが困難であるという問題がある。
【００１０】前述した特開２００１−３５６６３号公報
に記載されているように、アクティブマトリクス基板の
接続用金属電極と対向基板の金属電極とを加熱して接続
する構成では、金属電極同士を接触した状態で加熱して
いるために、その接着強度が弱く、両者を確実に接続す
ることが出来ないおそれがある。
に記載されているように、アクティブマトリクス基板の
接続用金属電極と対向基板の金属電極とを加熱して接続
する構成では、金属電極同士を接触した状態で加熱して
いるために、その接着強度が弱く、両者を確実に接続す
ることが出来ないおそれがある。
【００１１】本発明の目的は、アクティブマトリクス基
板と対向基板との間の信頼性の高い接着強度を実現する
表示装置を提供することにある。
板と対向基板との間の信頼性の高い接着強度を実現する
表示装置を提供することにある。
【００１２】本発明の他の目的は、安定して製造するこ
とができる表示装置を提供することにある。
とができる表示装置を提供することにある。
【００１３】本発明のさらに他の目的は、有機ＥＬ層の
内部に気泡を巻き込むことなく製造することができる表
示装置を提供することにある。
内部に気泡を巻き込むことなく製造することができる表
示装置を提供することにある。
【００１４】本発明のさらに他の目的は、有機ＥＬ層の
厚み分布に変化を与えることなく製造することができる
表示装置を提供することにある。
厚み分布に変化を与えることなく製造することができる
表示装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る表示装置
は、アクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリ
クス基板に対向するように配置された対向基板とを具備
する表示装置であって、該アクティブマトリクス基板
は、第１ベース基板と、該第１ベース基板上に設けられ
た複数の第１画素電極と、を有しており、該対向基板
は、第２ベース基板と、該第２ベース基板に対して該第
１画素電極側に形成された電極層と、該電極層に対して
該第１画素電極側に形成された電気光学媒体と、該複数
の第１画素電極のそれぞれと対向するように該電気光学
媒体上にそれぞれ設けられた複数の第２画素電極と、を
有しており、該アクティブマトリクス基板の各第１画素
電極と該対向基板の各第２画素電極とをそれぞれ電気的
に接続する導電接続手段をさらに具備しており、そのこ
とにより上記目的が達成される。
は、アクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリ
クス基板に対向するように配置された対向基板とを具備
する表示装置であって、該アクティブマトリクス基板
は、第１ベース基板と、該第１ベース基板上に設けられ
た複数の第１画素電極と、を有しており、該対向基板
は、第２ベース基板と、該第２ベース基板に対して該第
１画素電極側に形成された電極層と、該電極層に対して
該第１画素電極側に形成された電気光学媒体と、該複数
の第１画素電極のそれぞれと対向するように該電気光学
媒体上にそれぞれ設けられた複数の第２画素電極と、を
有しており、該アクティブマトリクス基板の各第１画素
電極と該対向基板の各第２画素電極とをそれぞれ電気的
に接続する導電接続手段をさらに具備しており、そのこ
とにより上記目的が達成される。
【００１６】前記アクティブマトリクス基板は、各第１
画素電極にそれぞれ接続された複数のスイッチング素子
と、各スイッチング素子にそれぞれ接続された複数の電
極配線と、をさらに含んでいてもよい。
画素電極にそれぞれ接続された複数のスイッチング素子
と、各スイッチング素子にそれぞれ接続された複数の電
極配線と、をさらに含んでいてもよい。
【００１７】前記電気光学媒体は、有機電界発光層（有
機ＥＬ層）を含んでいてもよい。
機ＥＬ層）を含んでいてもよい。
【００１８】前記電気光学媒体は、無機電界発光層を含
んでいてもよい。
んでいてもよい。
【００１９】前記電極層は、透明電極であり、前記第２
ベース基板は、透明基板であり、前記電気光学媒体から
発光した光は、該透明電極と前記第２ベース基板とを透
過して前記表示装置の外部に出射されてもよい。
ベース基板は、透明基板であり、前記電気光学媒体から
発光した光は、該透明電極と前記第２ベース基板とを透
過して前記表示装置の外部に出射されてもよい。
【００２０】前記導電接続手段は、異方導電性接着剤を
含んでいてもよい。
含んでいてもよい。
【００２１】前記導電接続手段は、前記第１画素電極毎
にパターニングされた導電性接着剤を含んでいてもよ
い。
にパターニングされた導電性接着剤を含んでいてもよ
い。
【００２２】前記アクティブマトリクス基板と前記対向
基板との間の空間を密閉する周辺封止材をさらに具備し
ていてもよい。
基板との間の空間を密閉する周辺封止材をさらに具備し
ていてもよい。
【００２３】本発明に係る表示装置の製造方法は、前記
アクティブマトリクス基板を形成する工程と、前記対向
基板を形成する工程と、該アクティブマトリクス基板の
各第１画素電極と該対向基板の各第２画素電極とをそれ
ぞれ電気的に接続する工程と、を包含し、そのことによ
り上記目的が達成される。
アクティブマトリクス基板を形成する工程と、前記対向
基板を形成する工程と、該アクティブマトリクス基板の
各第１画素電極と該対向基板の各第２画素電極とをそれ
ぞれ電気的に接続する工程と、を包含し、そのことによ
り上記目的が達成される。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本実施の形態に係るアクテ
ィブマトリクス型の表示装置について、図面を参照しな
がら詳細に説明する。本実施の形態に係る表示装置は、
ＯＡ機器、ＡＶ機器、携帯端末機器等において、高品質
表示、薄型化および低消費電力化を可能とする表示装置
である。
ィブマトリクス型の表示装置について、図面を参照しな
がら詳細に説明する。本実施の形態に係る表示装置は、
ＯＡ機器、ＡＶ機器、携帯端末機器等において、高品質
表示、薄型化および低消費電力化を可能とする表示装置
である。
【００２５】図１は、実施の形態に係る表示装置１００
の全体構成の概略を示す断面図である。この表示装置１
００は、アクティブマトリクス基板１０１とこのアクテ
ィブマトリックス基板１０１に対向配置された対向基板
１０２とを備えている。図２は、この表示装置１００の
アクティブマトリクス基板１０１の断面図である。図３
は、この表示装置１００の対向基板１０２の上下を反転
した断面図である。このアクティブマトリクス基板１０
１は、透光性を有する第１ベース基板１０４を有してい
る。この第１ベース基板１０４上には画素配列層１０５
が設けられている。この画素配列層１０５は、第１ベー
ス基板１０４上に格子状に形成された電極配線１０６
と、この電極配線１０６における各交点近傍にそれぞれ
接続されたスイッチング素子としての複数の薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）１０７と、電極配線１０６と薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）１０７とを覆うように第１ベース基
板１０４のほぼ全面に形成された保護膜（平坦化膜であ
ってもよい）１０８と、保護膜１０８上にマトリックス
状に形成された複数の第１画素電極１１０とを有してい
る。保護膜１０８には、各第１画素電極１１０に対応す
る貫通孔（コンタクトホール）１０９が形成されてお
り、各第１画素電極１１０は、このコンタクトホール１
０９を介して各ＴＦＴ１０７とそれぞれ電気的に接続さ
れている。
の全体構成の概略を示す断面図である。この表示装置１
００は、アクティブマトリクス基板１０１とこのアクテ
ィブマトリックス基板１０１に対向配置された対向基板
１０２とを備えている。図２は、この表示装置１００の
アクティブマトリクス基板１０１の断面図である。図３
は、この表示装置１００の対向基板１０２の上下を反転
した断面図である。このアクティブマトリクス基板１０
１は、透光性を有する第１ベース基板１０４を有してい
る。この第１ベース基板１０４上には画素配列層１０５
が設けられている。この画素配列層１０５は、第１ベー
ス基板１０４上に格子状に形成された電極配線１０６
と、この電極配線１０６における各交点近傍にそれぞれ
接続されたスイッチング素子としての複数の薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）１０７と、電極配線１０６と薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）１０７とを覆うように第１ベース基
板１０４のほぼ全面に形成された保護膜（平坦化膜であ
ってもよい）１０８と、保護膜１０８上にマトリックス
状に形成された複数の第１画素電極１１０とを有してい
る。保護膜１０８には、各第１画素電極１１０に対応す
る貫通孔（コンタクトホール）１０９が形成されてお
り、各第１画素電極１１０は、このコンタクトホール１
０９を介して各ＴＦＴ１０７とそれぞれ電気的に接続さ
れている。
【００２６】図１および図３を参照すると、対向基板１
０２は、透光性の第２ベース基板１１１を有しており、
この第２ベース基板１１１上には、画素配列層１０５の
全面に対向するように透光性の電極層１１２が形成され
ている。電極層１１２上には、有機ＥＬ層１１３が形成
されている。この有機ＥＬ層１１３上には、複数の第１
画素電極１１０のそれぞれと対向するようにそれぞれ設
けられた複数の第２画素電極１１４が形成されている。
０２は、透光性の第２ベース基板１１１を有しており、
この第２ベース基板１１１上には、画素配列層１０５の
全面に対向するように透光性の電極層１１２が形成され
ている。電極層１１２上には、有機ＥＬ層１１３が形成
されている。この有機ＥＬ層１１３上には、複数の第１
画素電極１１０のそれぞれと対向するようにそれぞれ設
けられた複数の第２画素電極１１４が形成されている。
【００２７】図１を参照すると、各第１画素電極１１０
と各第１画素電極１１０にそれぞれ対向する各第２画素
電極１１４とは導電接続剤１０３によってそれぞれ電気
的に接続されており、アクティブマトリクス基板１０１
と対向基板１０２との間の空間が両者の間の周縁部に設
けられた封止材１１５によって封止されている。
と各第１画素電極１１０にそれぞれ対向する各第２画素
電極１１４とは導電接続剤１０３によってそれぞれ電気
的に接続されており、アクティブマトリクス基板１０１
と対向基板１０２との間の空間が両者の間の周縁部に設
けられた封止材１１５によって封止されている。
【００２８】このアクティブマトリクス基板１０１は、
液晶表示装置を製造する過程で形成されるＴＦＴを用い
た基板を形成するプロセスと同じプロセスによって形成
することが可能である。アクティブマトリクス基板１０
１の第１ベース基板１０４としては、無アルカリガラス
基板、石英基板、Ｓｉ基板、ＰＥＴ、ポリスルホン、ポ
リカーボネート、ポリイミド、エポキシ等のプラスチッ
ク基板、又は可撓性を有するフィルム基板等を使用する
ことができる。
液晶表示装置を製造する過程で形成されるＴＦＴを用い
た基板を形成するプロセスと同じプロセスによって形成
することが可能である。アクティブマトリクス基板１０
１の第１ベース基板１０４としては、無アルカリガラス
基板、石英基板、Ｓｉ基板、ＰＥＴ、ポリスルホン、ポ
リカーボネート、ポリイミド、エポキシ等のプラスチッ
ク基板、又は可撓性を有するフィルム基板等を使用する
ことができる。
【００２９】このアクティブマトリクス基板１０１を形
成する場合には、まず、第１ベース基板１０４の上に、
電極配線１０６とＴＦＴ１０７とを周知の方法によって
形成する。有機ＥＬ表示装置においては、有機ＥＬ層１
１３を電流駆動する必要があるので、一画素当たりに複
数個のＴＦＴ１０７を形成することが一般的である。Ｔ
ＦＴ１０７の構造は、順スタガ型でも逆スタガ型でもど
ちらでもよい。対向基板１０２に形成された有機ＥＬ層
１１３を駆動するためのＴＦＴの駆動能力を考慮すれ
ば、ＴＦＴ１０７は、アモルファスＳｉよりもポリＳｉ
を活性層に用いる事が好ましい。また、有機半導体を活
性層に用いたＴＦＴであっても良い。
成する場合には、まず、第１ベース基板１０４の上に、
電極配線１０６とＴＦＴ１０７とを周知の方法によって
形成する。有機ＥＬ表示装置においては、有機ＥＬ層１
１３を電流駆動する必要があるので、一画素当たりに複
数個のＴＦＴ１０７を形成することが一般的である。Ｔ
ＦＴ１０７の構造は、順スタガ型でも逆スタガ型でもど
ちらでもよい。対向基板１０２に形成された有機ＥＬ層
１１３を駆動するためのＴＦＴの駆動能力を考慮すれ
ば、ＴＦＴ１０７は、アモルファスＳｉよりもポリＳｉ
を活性層に用いる事が好ましい。また、有機半導体を活
性層に用いたＴＦＴであっても良い。
【００３０】次に、第１ベース基板１０４上に形成され
た電極配線１０６とＴＦＴ１０７とを覆うように第１ベ
ース基板１０４のほぼ全面に保護膜１０８（平坦化膜）
を形成する。この保護膜１０８としては、ポリイミドや
アクリル等の絶縁性樹脂膜、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ2等の無
機膜、或いは、それらの積層膜を用いることができる。
最後に、この保護膜１０８上に複数の第１画素電極１１
０を形成すると、アクティブマトリックス基板１０１が
形成される。この第１画素電極１１０には各種金属膜
（Ａｌ、Ｍｏ、Ｔ等）または導電性酸化膜（ＩＴＯ、Ｓ
ｎＯ2等）が用いられ、通常のフォトリソグラフィ技術
でパターニングされる。
た電極配線１０６とＴＦＴ１０７とを覆うように第１ベ
ース基板１０４のほぼ全面に保護膜１０８（平坦化膜）
を形成する。この保護膜１０８としては、ポリイミドや
アクリル等の絶縁性樹脂膜、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ2等の無
機膜、或いは、それらの積層膜を用いることができる。
最後に、この保護膜１０８上に複数の第１画素電極１１
０を形成すると、アクティブマトリックス基板１０１が
形成される。この第１画素電極１１０には各種金属膜
（Ａｌ、Ｍｏ、Ｔ等）または導電性酸化膜（ＩＴＯ、Ｓ
ｎＯ2等）が用いられ、通常のフォトリソグラフィ技術
でパターニングされる。
【００３１】なお本実施の形態の表示装置においては、
従来の表示装置のようにアクティブマトリクス基板の表
面を平坦化する工程は必要でない。従来は、アクティブ
マトリクス基板上に有機ＥＬ層を直接形成しており、こ
の有機ＥＬ層を均一に安定して形成するために、或いは
この有機ＥＬ層に均一な電界を印加できるように、アク
ティブマトリクス基板の表面を平坦化する必要がある。
これに対して、本実施の形態においては、後述するよう
に有機ＥＬ層は対向基板上に形成し、アクティブマトリ
クス基板上には形成しないために、従来のようにアクテ
ィブマトリックス基板の表面を平坦化する必要がない。
従来の表示装置のようにアクティブマトリクス基板の表
面を平坦化する工程は必要でない。従来は、アクティブ
マトリクス基板上に有機ＥＬ層を直接形成しており、こ
の有機ＥＬ層を均一に安定して形成するために、或いは
この有機ＥＬ層に均一な電界を印加できるように、アク
ティブマトリクス基板の表面を平坦化する必要がある。
これに対して、本実施の形態においては、後述するよう
に有機ＥＬ層は対向基板上に形成し、アクティブマトリ
クス基板上には形成しないために、従来のようにアクテ
ィブマトリックス基板の表面を平坦化する必要がない。
【００３２】対向基板１０２の透光性を有する第２ベー
ス基板１１１としては、ガラス基板、石英基板、プラス
チック基板等の透明な基板を用いることができる。な
お、後の工程で、対向基極１０２とアクティブマトリク
ス基板１０１とは互いに貼り合わされるので、アクティ
ブマトリクス基板１０１の第１ベース基板１０４と対向
基極１０２の第２ベース基板１１１とは、同じ材料を用
いることが有効である。また、第１ベース基板１０４と
第２ベース基板１１１とで材料が異なる場合には、貼り
合わされた両基板の反りを抑制するために、少なくとも
熱膨張係数の近い材料を選択して用いることが好まし
い。
ス基板１１１としては、ガラス基板、石英基板、プラス
チック基板等の透明な基板を用いることができる。な
お、後の工程で、対向基極１０２とアクティブマトリク
ス基板１０１とは互いに貼り合わされるので、アクティ
ブマトリクス基板１０１の第１ベース基板１０４と対向
基極１０２の第２ベース基板１１１とは、同じ材料を用
いることが有効である。また、第１ベース基板１０４と
第２ベース基板１１１とで材料が異なる場合には、貼り
合わされた両基板の反りを抑制するために、少なくとも
熱膨張係数の近い材料を選択して用いることが好まし
い。
【００３３】対向基板１０２の第２ベース基板１１１上
に、電極層１１２、有機ＥＬ層１１３および第２画素電
極１１４を順に形成する。このうち第２ベース基板１１
１及び電極層１１２は、透明な材質によって形成されて
いるために、有機ＥＬ層１１３から発光される表示光が
第２ベース基板１１１側の外部に取り出される。
に、電極層１１２、有機ＥＬ層１１３および第２画素電
極１１４を順に形成する。このうち第２ベース基板１１
１及び電極層１１２は、透明な材質によって形成されて
いるために、有機ＥＬ層１１３から発光される表示光が
第２ベース基板１１１側の外部に取り出される。
【００３４】有機ＥＬ層１１３は、少なくとも再結合領
域および発光領域を有するものが用いられる。この再結
合領域および発光領域は通常、発光層に存在するため、
有機ＥＬ層１１３として発光層のみを用いてもよいが、
必要に応じ、この発光層以外に、例えば正孔注入層、電
子注入層、有機半導体層、電子障壁層、付着改善層等も
有機ＥＬ層１１３として用いることができる。また、電
極層１１２と第２画素電極１１４とは、有機ＥＬ層１１
３に対してそれぞれ陽極と陰極の役割を果たす。
域および発光領域を有するものが用いられる。この再結
合領域および発光領域は通常、発光層に存在するため、
有機ＥＬ層１１３として発光層のみを用いてもよいが、
必要に応じ、この発光層以外に、例えば正孔注入層、電
子注入層、有機半導体層、電子障壁層、付着改善層等も
有機ＥＬ層１１３として用いることができる。また、電
極層１１２と第２画素電極１１４とは、有機ＥＬ層１１
３に対してそれぞれ陽極と陰極の役割を果たす。
【００３５】以下に、有機ＥＬ層１１３、電極層１１２
（陽極）および第２画素電極１１４（陰極）の代表的な
構成例を示す。もちろん、本発明はこれらの構成に限定
されるものではない。 電極層１１２（陽極）／有機ＥＬ層１１３（正孔注入
層／正孔輸送層／発光層）／第２画素電極１１４（陰
極） 電極層１１２（陽極）／有機ＥＬ層１１３（正孔注入
層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層）／第２画素電極
１１４（陰極） 電極層１１２（陽極）／有機ＥＬ層１１３（有機半導
体層／発光層）／第２画素電極１１４（陰極） 電極層１１２（陽極）／有機ＥＬ層１１３（有機半導
体層／電子障壁層／発光層）／第２画素電極１１４（陰
極） これらの中で、有機ＥＬ層１１３として低分子有機ＥＬ
材料を用いる場合は、の構成が好ましく、高分子有
機ＥＬ材料を用いる場合は、の構成が好ましい。そ
れぞれの具体的な有機ＥＬ材料については周知のものを
用いることができるので説明を省略する。
（陽極）および第２画素電極１１４（陰極）の代表的な
構成例を示す。もちろん、本発明はこれらの構成に限定
されるものではない。 電極層１１２（陽極）／有機ＥＬ層１１３（正孔注入
層／正孔輸送層／発光層）／第２画素電極１１４（陰
極） 電極層１１２（陽極）／有機ＥＬ層１１３（正孔注入
層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層）／第２画素電極
１１４（陰極） 電極層１１２（陽極）／有機ＥＬ層１１３（有機半導
体層／発光層）／第２画素電極１１４（陰極） 電極層１１２（陽極）／有機ＥＬ層１１３（有機半導
体層／電子障壁層／発光層）／第２画素電極１１４（陰
極） これらの中で、有機ＥＬ層１１３として低分子有機ＥＬ
材料を用いる場合は、の構成が好ましく、高分子有
機ＥＬ材料を用いる場合は、の構成が好ましい。そ
れぞれの具体的な有機ＥＬ材料については周知のものを
用いることができるので説明を省略する。
【００３６】このような電極層１１２（陽極）上に有機
ＥＬ層１１３を形成する方法としては、高分子有機ＥＬ
材料を用いる場合は、スピンコーティングを始めとする
各種塗布法、転写法、スクリーン印刷法、インクジェッ
ト法等が使用される。低分子有機ＥＬ材料を用いる場合
は、主に蒸着法等が使用される。
ＥＬ層１１３を形成する方法としては、高分子有機ＥＬ
材料を用いる場合は、スピンコーティングを始めとする
各種塗布法、転写法、スクリーン印刷法、インクジェッ
ト法等が使用される。低分子有機ＥＬ材料を用いる場合
は、主に蒸着法等が使用される。
【００３７】また、画素毎にＲＧＢのカラー表示を行な
う為に、ＲＧＢの各色に応じた有機ＥＬ材料を含む有機
ＥＬ層を各色の画素毎に作り分けても良い。さらに、第
２ベース基板１１１と電極層１１２との間の界面にカラ
ーフィルタを設けても良い。
う為に、ＲＧＢの各色に応じた有機ＥＬ材料を含む有機
ＥＬ層を各色の画素毎に作り分けても良い。さらに、第
２ベース基板１１１と電極層１１２との間の界面にカラ
ーフィルタを設けても良い。
【００３８】また陽極としての電極層１１２には、スパ
ッタ法により１５０〜２００℃の成膜温度において形成
されるＩＴＯ膜が好ましい。また陰極としての第２画素
電極１１４には、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｌｉ、Ａ
ｇ、Ｉｎ又はこれら金属の合金を使用することができる
が、Ａｌ又はＡｌ合金を用いることが好ましい。この第
２画素電極１１４は、有機ＥＬ層１１３にダメージを与
えないように、画素の位置に対応して微細な孔が格子状
に設けられた薄い金属性蒸着マスクを用いて、マスク蒸
着法によってパターン形成する。なお、この第２画素電
極１１４のパターニング方法はこれに限定される訳では
ない。
ッタ法により１５０〜２００℃の成膜温度において形成
されるＩＴＯ膜が好ましい。また陰極としての第２画素
電極１１４には、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｌｉ、Ａ
ｇ、Ｉｎ又はこれら金属の合金を使用することができる
が、Ａｌ又はＡｌ合金を用いることが好ましい。この第
２画素電極１１４は、有機ＥＬ層１１３にダメージを与
えないように、画素の位置に対応して微細な孔が格子状
に設けられた薄い金属性蒸着マスクを用いて、マスク蒸
着法によってパターン形成する。なお、この第２画素電
極１１４のパターニング方法はこれに限定される訳では
ない。
【００３９】本実施の形態においては対向基板に有機Ｅ
Ｌ層を形成する構成を有しているので、有機ＥＬ層１１
３上に陰極となる第２画素電極１１４として金属膜を成
膜する。この金属膜は常温において成膜することが可能
なので、前述した特開平１０−１８９２５２号公報に記
載された、アクティブマトリックス基板に有機ＥＬ層を
形成し、この有機ＥＬ層上に陽極となるＩＴＯ膜を１５
０℃〜２００℃において成膜する構成に比較して、有機
ＥＬ層１１３へのダメージを小さくすることができる。
Ｌ層を形成する構成を有しているので、有機ＥＬ層１１
３上に陰極となる第２画素電極１１４として金属膜を成
膜する。この金属膜は常温において成膜することが可能
なので、前述した特開平１０−１８９２５２号公報に記
載された、アクティブマトリックス基板に有機ＥＬ層を
形成し、この有機ＥＬ層上に陽極となるＩＴＯ膜を１５
０℃〜２００℃において成膜する構成に比較して、有機
ＥＬ層１１３へのダメージを小さくすることができる。
【００４０】図４は、実施の形態に係るアクティブマト
リクス基板１０１と対向基板１０２とを貼り合わせる工
程を説明する図である。前述したようにして形成したア
クティブマトリクス基板１０１と対向基板１０２とを、
第１画素電極１１０と第２画素電極１１４とが対向する
ように配置し、この第１画素電極１１０と第２画素電極
１１４とが電気的及び物理的に接続するように導電材料
を介して貼り合わせる。
リクス基板１０１と対向基板１０２とを貼り合わせる工
程を説明する図である。前述したようにして形成したア
クティブマトリクス基板１０１と対向基板１０２とを、
第１画素電極１１０と第２画素電極１１４とが対向する
ように配置し、この第１画素電極１１０と第２画素電極
１１４とが電気的及び物理的に接続するように導電材料
を介して貼り合わせる。
【００４１】この導電材料としては、以下のものを使用
することが可能である。 （１）アクティブマトリクス基板１０１上に、規則的或
いは不規則的に配置された接着性導電性粒子 （２）絶縁性接着樹脂中に導電性粒子／又は導電性柱が
規則的或いは不規則的に分散された異方導電性接着剤 （３）厚み方向にのみ接着性を有する異方導電性ゴムシ
ート （４）画素毎にパターン配置されかつ接着性を有する導
電性接続材 本実施の形態においては、（２）および（４）について
具体的に説明する。
することが可能である。 （１）アクティブマトリクス基板１０１上に、規則的或
いは不規則的に配置された接着性導電性粒子 （２）絶縁性接着樹脂中に導電性粒子／又は導電性柱が
規則的或いは不規則的に分散された異方導電性接着剤 （３）厚み方向にのみ接着性を有する異方導電性ゴムシ
ート （４）画素毎にパターン配置されかつ接着性を有する導
電性接続材 本実施の形態においては、（２）および（４）について
具体的に説明する。
【００４２】図１および図４は、（４）の導電性接続材
１０３によって第１画素電極１１０と第２画素電極１１
４とを電気的及び物理的に接続する例を示してる。図１
および図４に示すように各第１画素電極１１０上にパタ
ーニング配置された導電性接続材１０３としては、スク
リーン印刷またはインクジェット印刷によって第１画素
電極１１０上に配置された金属（例えば半田、インジウ
ム）または導電性接着剤、若しくは、フォトリソグラフ
ィ技術によって第１画素電極１１０上にパターンニング
された導電性樹脂を用いることができる。後者の導電性
樹脂の場合、例えばアクリル等の感光性樹脂にカーボン
等の導電性顔料を混入した感光性導電樹脂を用いると、
各第１画素電極１１０上に高精度にパターン配置をする
ことが可能である。また、軟化温度の低い感光性樹脂を
用いることで、低温における熱圧着が可能になる。な
お、導電接続材１０３が存在しないアクティブマトリッ
クス基板１０１と対向基板１０２との間の隙間には、不
活性な絶縁性物質やガスを充填させておくことも信頼性
の観点から有効である。
１０３によって第１画素電極１１０と第２画素電極１１
４とを電気的及び物理的に接続する例を示してる。図１
および図４に示すように各第１画素電極１１０上にパタ
ーニング配置された導電性接続材１０３としては、スク
リーン印刷またはインクジェット印刷によって第１画素
電極１１０上に配置された金属（例えば半田、インジウ
ム）または導電性接着剤、若しくは、フォトリソグラフ
ィ技術によって第１画素電極１１０上にパターンニング
された導電性樹脂を用いることができる。後者の導電性
樹脂の場合、例えばアクリル等の感光性樹脂にカーボン
等の導電性顔料を混入した感光性導電樹脂を用いると、
各第１画素電極１１０上に高精度にパターン配置をする
ことが可能である。また、軟化温度の低い感光性樹脂を
用いることで、低温における熱圧着が可能になる。な
お、導電接続材１０３が存在しないアクティブマトリッ
クス基板１０１と対向基板１０２との間の隙間には、不
活性な絶縁性物質やガスを充填させておくことも信頼性
の観点から有効である。
【００４３】このように、第１画素電極１１０と第２画
素電極１１４とが導電性接続材１０３によって接続され
るので、この第１画素電極１１０と第２画素電極１１４
との間において信頼性の高い接続強度を得ることができ
る。
素電極１１４とが導電性接続材１０３によって接続され
るので、この第１画素電極１１０と第２画素電極１１４
との間において信頼性の高い接続強度を得ることができ
る。
【００４４】図５は、第１画素電極１１０と第２画素電
極１１４とを電気的に接続する導電接続手段として、
（２）において前述した異方導電性接着剤を用いた表示
装置２００の断面図である。図１を参照して前述した表
示装置１００の構成要素と同一の構成要素には同一の参
照符号を付している。これらの構成要素の詳細な説明は
省略する。
極１１４とを電気的に接続する導電接続手段として、
（２）において前述した異方導電性接着剤を用いた表示
装置２００の断面図である。図１を参照して前述した表
示装置１００の構成要素と同一の構成要素には同一の参
照符号を付している。これらの構成要素の詳細な説明は
省略する。
【００４５】図５に示すように、アクティブマトリクス
基板１０１と対向基板１０２とは、異方導電性接着剤２
０１によって接着されている。この異方導電性接着剤２
０１は、絶縁性接着樹脂２０２と導電性粒子２０３とを
含んでいる。この異方導電性接着剤２０１は、絶縁性接
着樹脂２０２に導電性粒子２０３を分散させたものを用
いることができる。導電性粒子２０３として使用できる
材料としては、Ａｕなどの金属粒子にＮｉメッキを施し
た金属粒子、カーボン粒子、プラスチック粒子にＮｉ／
Ａｕメッキを施した金属膜被覆プラスチック粒子、ＩＴ
Ｏ等の透明導電性粒子、Ｎｉ粒子をポリウレタンに混合
させた導電粒子複合プラスチック等がある。本実施の形
態においては、上下基板、即ち、アクティブマトリクス
基板１０１と対向基板１０２との厚みのバラツキを吸収
するとともに、有機ＥＬ層１１３に悪影響を与えないよ
うに、弾力性に優れた金属膜被覆プラスチック粒子を用
いることが好ましい。
基板１０１と対向基板１０２とは、異方導電性接着剤２
０１によって接着されている。この異方導電性接着剤２
０１は、絶縁性接着樹脂２０２と導電性粒子２０３とを
含んでいる。この異方導電性接着剤２０１は、絶縁性接
着樹脂２０２に導電性粒子２０３を分散させたものを用
いることができる。導電性粒子２０３として使用できる
材料としては、Ａｕなどの金属粒子にＮｉメッキを施し
た金属粒子、カーボン粒子、プラスチック粒子にＮｉ／
Ａｕメッキを施した金属膜被覆プラスチック粒子、ＩＴ
Ｏ等の透明導電性粒子、Ｎｉ粒子をポリウレタンに混合
させた導電粒子複合プラスチック等がある。本実施の形
態においては、上下基板、即ち、アクティブマトリクス
基板１０１と対向基板１０２との厚みのバラツキを吸収
するとともに、有機ＥＬ層１１３に悪影響を与えないよ
うに、弾力性に優れた金属膜被覆プラスチック粒子を用
いることが好ましい。
【００４６】絶縁性接着樹脂２０２としては、２液硬化
型、熱硬化型、熱可塑型、光硬化型のものがあり、樹脂
の材料としてはエポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリ
ウレタン、ＳＢＳ（スチレン−ブタジエン−スチレンブ
ロック共重合体）、ＳＥＢＳ（スチレン−エチレンブチ
レン−スチレンブロック共重合体）、ＰＶＢ（ポリビニ
ルブチラール）等を用いることができる。なお、本実施
の形態においては、有機ＥＬ層１１３の耐熱性を考慮し
て、１００℃以下において接着が可能な低温処理タイプ
の接着樹脂を用いることが好ましく、接着性等の信頼性
の観点からは２液硬化型または低温熱硬化型のエポキシ
樹脂を用いるのが最適である。
型、熱硬化型、熱可塑型、光硬化型のものがあり、樹脂
の材料としてはエポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリ
ウレタン、ＳＢＳ（スチレン−ブタジエン−スチレンブ
ロック共重合体）、ＳＥＢＳ（スチレン−エチレンブチ
レン−スチレンブロック共重合体）、ＰＶＢ（ポリビニ
ルブチラール）等を用いることができる。なお、本実施
の形態においては、有機ＥＬ層１１３の耐熱性を考慮し
て、１００℃以下において接着が可能な低温処理タイプ
の接着樹脂を用いることが好ましく、接着性等の信頼性
の観点からは２液硬化型または低温熱硬化型のエポキシ
樹脂を用いるのが最適である。
【００４７】このように、第１画素電極１１０と第２画
素電極１１４とが異方導電性接着剤２０１によって接着
されるので、第１画素電極１１０と第２画素電極１１４
との間において信頼性の高い接着強度を得ることが出来
る。
素電極１１４とが異方導電性接着剤２０１によって接着
されるので、第１画素電極１１０と第２画素電極１１４
との間において信頼性の高い接着強度を得ることが出来
る。
【００４８】このような導電材料をアクティブマトリク
ス基板１０１側に配置した後、対向基板１０２を低温の
熱処理によって貼り合わせることで、本実施の形態の表
示装置の基本構造が完成する。両基板を貼り合わせる際
には、気体や液体等の流体物によって圧力を加えるプレ
ス方式を採用すれば、両基板に対して均一な押圧を加え
ることができ有用である。また、オートクレーブを用い
る方法も有用である。最後にアクティブマトリクス基板
１０１と対応基板１０２との間の空間を、エポキシ樹脂
等の封止材１１５（シール材）によって密閉すること
で、パネル（表示装置１００または２００）の内部を完
全に外部と遮断すると、更に信頼性が向上するため有用
である。
ス基板１０１側に配置した後、対向基板１０２を低温の
熱処理によって貼り合わせることで、本実施の形態の表
示装置の基本構造が完成する。両基板を貼り合わせる際
には、気体や液体等の流体物によって圧力を加えるプレ
ス方式を採用すれば、両基板に対して均一な押圧を加え
ることができ有用である。また、オートクレーブを用い
る方法も有用である。最後にアクティブマトリクス基板
１０１と対応基板１０２との間の空間を、エポキシ樹脂
等の封止材１１５（シール材）によって密閉すること
で、パネル（表示装置１００または２００）の内部を完
全に外部と遮断すると、更に信頼性が向上するため有用
である。
【００４９】本実施の形態に係る表示装置の場合、画素
配列層１０５は、第１ベース基板１０４上に形成され、
電界発光層（有機ＥＬ層１１３）は、第２ベース基板１
１１上に形成される。即ち、画素配列層１０５と電界発
光層（有機ＥＬ層１１３）とは異なる基板上に形成され
るため、画素配列層１０５と有機ＥＬ層１１３とのそれ
ぞれの製造条件を最適化することが可能になる。
配列層１０５は、第１ベース基板１０４上に形成され、
電界発光層（有機ＥＬ層１１３）は、第２ベース基板１
１１上に形成される。即ち、画素配列層１０５と電界発
光層（有機ＥＬ層１１３）とは異なる基板上に形成され
るため、画素配列層１０５と有機ＥＬ層１１３とのそれ
ぞれの製造条件を最適化することが可能になる。
【００５０】前述したように特開２０００−１７３７７
０号公報に記載の技術においては、有機ＥＬ層を構成す
る有機膜の一部をアクティブマトリクス基板側に形成
し、有機ＥＬ層を構成する有機膜の残りの一部を対向基
板側に形成し、このアクティブマトリクス基板と対向基
板とを貼り合わせているので、この有機ＥＬ層の内部に
接着界面が存在することになる。従って、有機ＥＬ層の
内部に気泡を巻き込んだり、有機ＥＬ層の厚み分布が均
一でなくなるという問題が生じ得る。これに対して本実
施の形態によれば、有機ＥＬ層１１３は対向基板１０２
上のみに形成されているので有機ＥＬ層１１３の内部に
接着界面は存在しないから、有機ＥＬ層１１３の内部に
気泡を巻き込んだり、有機ＥＬ層の厚み分布が均一でな
くなるという問題を起こすことはない。従って、表示装
置を安定して製造することができる。
０号公報に記載の技術においては、有機ＥＬ層を構成す
る有機膜の一部をアクティブマトリクス基板側に形成
し、有機ＥＬ層を構成する有機膜の残りの一部を対向基
板側に形成し、このアクティブマトリクス基板と対向基
板とを貼り合わせているので、この有機ＥＬ層の内部に
接着界面が存在することになる。従って、有機ＥＬ層の
内部に気泡を巻き込んだり、有機ＥＬ層の厚み分布が均
一でなくなるという問題が生じ得る。これに対して本実
施の形態によれば、有機ＥＬ層１１３は対向基板１０２
上のみに形成されているので有機ＥＬ層１１３の内部に
接着界面は存在しないから、有機ＥＬ層１１３の内部に
気泡を巻き込んだり、有機ＥＬ層の厚み分布が均一でな
くなるという問題を起こすことはない。従って、表示装
置を安定して製造することができる。
【００５１】有機ＥＬ層１１３のアクティブマトリクス
基板１０１側の表面には、第２画素電極１１４がパター
ン配置されている。この第２画素電極１１４の面積によ
って有機ＥＬ層１１３の発光面積が決定される。従っ
て、第２画素電極１１４と第１画素電極１１０とを接続
する導電接続剤１０３の面積の均一性が悪くても、この
パターン配置された第２画素電極１１４に基づいた所定
の面積に応じて有機ＥＬ層１１３に電界を印加するので
有機ＥＬ層１１３の発光面積は均一になる。このため、
導電接続剤１０３の面積の均一性が悪くても表示装置１
００の表示品位に悪影響を与えることはない。
基板１０１側の表面には、第２画素電極１１４がパター
ン配置されている。この第２画素電極１１４の面積によ
って有機ＥＬ層１１３の発光面積が決定される。従っ
て、第２画素電極１１４と第１画素電極１１０とを接続
する導電接続剤１０３の面積の均一性が悪くても、この
パターン配置された第２画素電極１１４に基づいた所定
の面積に応じて有機ＥＬ層１１３に電界を印加するので
有機ＥＬ層１１３の発光面積は均一になる。このため、
導電接続剤１０３の面積の均一性が悪くても表示装置１
００の表示品位に悪影響を与えることはない。
【００５２】また、アクティブマトリクス基板１０１と
対向基板１０２とを接続する導電性材料として前述した
（１）〜（４）の導電性材料を用いているので、面内方
向への絶縁性、即ち、隣接する画素電極間の絶縁性を保
ったまま、互いに対向する第１画素電極１１０と第２画
素電極１１４とを電気的に接続することができる。この
ため、隣接する画素電極間の電気的クロストークを回避
することができる。
対向基板１０２とを接続する導電性材料として前述した
（１）〜（４）の導電性材料を用いているので、面内方
向への絶縁性、即ち、隣接する画素電極間の絶縁性を保
ったまま、互いに対向する第１画素電極１１０と第２画
素電極１１４とを電気的に接続することができる。この
ため、隣接する画素電極間の電気的クロストークを回避
することができる。
【００５３】また、本実施の形態に係る表示装置におい
ては、電極層１１２は第２ベース基板１１１上に形成さ
れ、有機ＥＬ層１１３は電極層１１２上に形成される。
この電極層１１２は、この有機ＥＬ層１１３が形成され
る前に形成される。従って、成膜に１５０〜２００℃程
度の高温が必要とされるＩＴＯ等の透明な電極層１１２
（陽極）を形成する際に、この有機ＥＬ層１１３の耐熱
性および製造工程におけるさまざまな環境に対する耐性
を表す耐プロセス性（耐薬品性、耐薬品性等）を気にす
る必要がない。
ては、電極層１１２は第２ベース基板１１１上に形成さ
れ、有機ＥＬ層１１３は電極層１１２上に形成される。
この電極層１１２は、この有機ＥＬ層１１３が形成され
る前に形成される。従って、成膜に１５０〜２００℃程
度の高温が必要とされるＩＴＯ等の透明な電極層１１２
（陽極）を形成する際に、この有機ＥＬ層１１３の耐熱
性および製造工程におけるさまざまな環境に対する耐性
を表す耐プロセス性（耐薬品性、耐薬品性等）を気にす
る必要がない。
【００５４】従って、電極層１１２を有機ＥＬ層１１３
に対してＴＦＴ１０７の反対側に形成することが容易に
なる。このため、有機ＥＬ層１１３において発光した光
を有機ＥＬ層１１３に対してＴＦＴ１０７の反対側に取
り出すことが容易になり、アクティブマトリクス基板１
０１に形成されている電極配線１０６またはスイッチン
グ素子としてのＴＦＴ１０７によって表示光が遮られる
ことが無く、明るい表示画像を容易に得ることができ
る。例えば、１５０ｐｐｉ（ｐｉｘｅｌ ｐｅｒｉｎｃ
ｈ）程度の解像度を有する表示装置の場合、アクティブ
マトリクス基板１０１内のＴＦＴ１０７やバスラインの
種々のレイアウトに係わらず、８０％以上の開口率を容
易に得ることができる。
に対してＴＦＴ１０７の反対側に形成することが容易に
なる。このため、有機ＥＬ層１１３において発光した光
を有機ＥＬ層１１３に対してＴＦＴ１０７の反対側に取
り出すことが容易になり、アクティブマトリクス基板１
０１に形成されている電極配線１０６またはスイッチン
グ素子としてのＴＦＴ１０７によって表示光が遮られる
ことが無く、明るい表示画像を容易に得ることができ
る。例えば、１５０ｐｐｉ（ｐｉｘｅｌ ｐｅｒｉｎｃ
ｈ）程度の解像度を有する表示装置の場合、アクティブ
マトリクス基板１０１内のＴＦＴ１０７やバスラインの
種々のレイアウトに係わらず、８０％以上の開口率を容
易に得ることができる。
【００５５】なお本発明は、画素配列層１０５を有する
アクティブマトリクス基板１０１と、有機ＥＬ層１１３
を有する対向基板１０２とが、別々に形成された後で両
基板が貼り合わされることが重要であり、アクティブマ
トリクス基板１０１の詳細な構造や、有機ＥＬ層１１３
の構成については何ら限定されるものではなく、上述の
実施の形態を自由に変形させて応用することが可能であ
る。
アクティブマトリクス基板１０１と、有機ＥＬ層１１３
を有する対向基板１０２とが、別々に形成された後で両
基板が貼り合わされることが重要であり、アクティブマ
トリクス基板１０１の詳細な構造や、有機ＥＬ層１１３
の構成については何ら限定されるものではなく、上述の
実施の形態を自由に変形させて応用することが可能であ
る。
【００５６】また、本発明では、表示媒体として有機電
界発光層を用いた例を中心に説明してきたが、無機材料
からなる無機電界発光層、高分子分散型液晶層等、電気
信号によって発光又は光変調作用が生じるいわゆる電気
光学媒体を表示媒体として使用する各種の表示装置に適
用することが可能である。
界発光層を用いた例を中心に説明してきたが、無機材料
からなる無機電界発光層、高分子分散型液晶層等、電気
信号によって発光又は光変調作用が生じるいわゆる電気
光学媒体を表示媒体として使用する各種の表示装置に適
用することが可能である。
【００５７】以上のように本実施の形態によれば、第１
画素電極１１０と第２画素電極１１４とが導電接続剤１
０３または異方導電接着剤２０１によって接着されるの
で、第１画素電極１１０と第２画素電極１１４との間の
信頼性の高い接着強度を実現することができる。
画素電極１１０と第２画素電極１１４とが導電接続剤１
０３または異方導電接着剤２０１によって接着されるの
で、第１画素電極１１０と第２画素電極１１４との間の
信頼性の高い接着強度を実現することができる。
【００５８】また本実施の形態によれば、画素配列層１
０５と電気光学媒体（有機ＥＬ層１１３）とが異なる基
板上で形成されるため、互いに制限を受けずにそれぞれ
の製造条件を最適化することが可能になる。
０５と電気光学媒体（有機ＥＬ層１１３）とが異なる基
板上で形成されるため、互いに制限を受けずにそれぞれ
の製造条件を最適化することが可能になる。
【００５９】さらに本実施の形態によれば、アクティブ
マトリクス基板１０１と対向基板１０２とを接続する導
電接続剤１０３の面積の均一性が悪くても、第２画素電
極１１４のパターン形状に応じた所定の面積に応じて有
機ＥＬ層１１３に電界を印加するので、有機ＥＬ層１１
３の発光面積を均一にすることができる。また、従来例
に示した表示装置のように有機ＥＬ層の内部に気泡を巻
き込んだり、有機ＥＬ層の厚み分布に変化を与えたりす
ることもなく、安定して表示装置を製造することが可能
となる。
マトリクス基板１０１と対向基板１０２とを接続する導
電接続剤１０３の面積の均一性が悪くても、第２画素電
極１１４のパターン形状に応じた所定の面積に応じて有
機ＥＬ層１１３に電界を印加するので、有機ＥＬ層１１
３の発光面積を均一にすることができる。また、従来例
に示した表示装置のように有機ＥＬ層の内部に気泡を巻
き込んだり、有機ＥＬ層の厚み分布に変化を与えたりす
ることもなく、安定して表示装置を製造することが可能
となる。
【００６０】さらに本実施の形態によれば、アクティブ
マトリクス基板１０１に形成されている電極配線１０６
やスイッチング素子（ＴＦＴ１０７）によって有機ＥＬ
層１１３が発光する表示光が遮られることが無く、明る
い表示画像を容易に得ることができる。
マトリクス基板１０１に形成されている電極配線１０６
やスイッチング素子（ＴＦＴ１０７）によって有機ＥＬ
層１１３が発光する表示光が遮られることが無く、明る
い表示画像を容易に得ることができる。
【００６１】さらに本実施の形態によれば、面内方向へ
の絶縁性、即ち、隣接する画素電極間の絶縁性を保った
まま、第１画素電極１１０と第２画素電極１１４とを電
気的に接続することができる。
の絶縁性、即ち、隣接する画素電極間の絶縁性を保った
まま、第１画素電極１１０と第２画素電極１１４とを電
気的に接続することができる。
【００６２】さらに本実施の形態によれば、封止材１１
５を形成することによって、アクティブマトリクス基板
１０１と対向基板１０２との間の空間を外部と完全に遮
断することができるので、電気光学媒体、特に有機ＥＬ
層の品質劣化を回避することができる。
５を形成することによって、アクティブマトリクス基板
１０１と対向基板１０２との間の空間を外部と完全に遮
断することができるので、電気光学媒体、特に有機ＥＬ
層の品質劣化を回避することができる。
【００６３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、アクティ
ブマトリクス基板と対向基板との間の信頼性の高い接着
強度を実現する表示装置を提供することができる。
ブマトリクス基板と対向基板との間の信頼性の高い接着
強度を実現する表示装置を提供することができる。
【００６４】また本発明によれば、安定して製造するこ
とができる表示装置を提供することができる。
とができる表示装置を提供することができる。
【００６５】さらに本発明によれば、有機ＥＬ層の内部
に気泡を巻き込むことなく製造することができる表示装
置を提供することができる。
に気泡を巻き込むことなく製造することができる表示装
置を提供することができる。
【００６６】さらに本発明によれば、有機ＥＬ層の厚み
分布に変化を与えることなく製造することができる表示
装置を提供することができる。
分布に変化を与えることなく製造することができる表示
装置を提供することができる。
【図１】実施の形態に係る表示装置の全体構成の概略を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】実施の形態に係る表示装置のアクティブマトリ
クス基板の断面図である。
クス基板の断面図である。
【図３】実施の形態に係る表示装置の対向基板の断面図
である。
である。
【図４】実施の形態に係る表示装置の製造方法を説明す
る図である。
る図である。
【図５】実施の形態に係る他の表示装置の断面図であ
る。
る。
１００、２００ 表示装置
１０１ アクティブマトリックス基板
１０２ 対向基板
１０３ 導電接続剤
１１０ 第１画素電極
１１２ 電極層
１１３ 有機ＥＬ層
１１４ 第２画素電極
２０１ 異方導電接着剤
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/04 Ｈ０５Ｂ 33/04
33/06 33/06
33/10 33/10
33/14 33/14 Ａ
Ｚ
(72)発明者 山原 基裕
大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ
ャープ株式会社内
Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB15 AB17 AB18 BA06
BB07 CB01 DA01 DB03 EB00
EC00 FA02 GA04
5C094 AA10 AA31 AA43 BA03 BA27
CA19 CA25 DA12 DB01 DB05
EA02 EA05 EB02 FA02 FB01
FB02 FB12 FB14 FB20 GB10
5G435 AA14 AA17 BB05 CC09 EE36
EE42 HH12 HH14 KK05
Claims (9)
- 【請求項１】 アクティブマトリクス基板と、該アクテ
ィブマトリクス基板に対向するように配置された対向基
板とを具備する表示装置であって、 該アクティブマトリクス基板は、第１ベース基板と、 該第１ベース基板上に設けられた複数の第１画素電極
と、 を有しており、 該対向基板は、第２ベース基板と、 該第２ベース基板に対して該第１画素電極側に形成され
た電極層と、 該電極層に対して該第１画素電極側に形成された電気光
学媒体と、 該複数の第１画素電極のそれぞれと対向するように該電
気光学媒体上にそれぞれ設けられた複数の第２画素電極
と、 を有しており、 該アクティブマトリクス基板の各第１画素電極と該対向
基板の各第２画素電極とをそれぞれ電気的に接続する導
電接続手段をさらに具備していることを特徴とする表示
装置。 - 【請求項２】 前記アクティブマトリクス基板は、各第
１画素電極にそれぞれ接続された複数のスイッチング素
子と、 各スイッチング素子にそれぞれ接続された複数の電極配
線と、 をさらに含んでいる、請求項１に記載の表示装置。 - 【請求項３】 前記電気光学媒体は、有機電界発光層
（有機ＥＬ層）を含んでいる、請求項１に記載の表示装
置。 - 【請求項４】 前記電気光学媒体は、無機電界発光層を
含んでいる、請求項１に記載の表示装置。 - 【請求項５】 前記電極層は、透明電極であり、 前記第２ベース基板は、透明基板であり、 前記電気光学媒体から発光した光は、該透明電極と前記
第２ベース基板とを透過して前記表示装置の外部に出射
される、請求項１に記載の表示装置。 - 【請求項６】 前記導電接続手段は、異方導電性接着剤
を含んでいる、請求項１〜５のいずれかに記載の表示装
置。 - 【請求項７】 前記導電接続手段は、前記第１画素電極
毎にパターニングされた導電性接着剤を含んでいる、請
求項１〜５のいずれかに記載の表示装置。 - 【請求項８】 前記アクティブマトリクス基板と前記対
向基板との間の空間を密閉する周辺封止材をさらに具備
している、請求項１〜７のいずれかに記載の表示装置。 - 【請求項９】 請求項１に記載の表示装置の製造方法で
あって、 前記アクティブマトリクス基板を形成する工程と、 前記対向基板を形成する工程と、 該アクティブマトリクス基板の各第１画素電極と該対向
基板の各第２画素電極とをそれぞれ電気的に接続する工
程と、 を包含する表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001258310A JP2003066859A (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | 表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001258310A JP2003066859A (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | 表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003066859A true JP2003066859A (ja) | 2003-03-05 |
Family
ID=19085855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001258310A Pending JP2003066859A (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | 表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003066859A (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003208105A (ja) * | 2002-01-10 | 2003-07-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置およびその製造方法 |
| JP2004006343A (ja) * | 2002-05-03 | 2004-01-08 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 有機電界発光素子とその製造方法 |
| JP2004303522A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Fujitsu Display Technologies Corp | 表示装置及びその製造方法 |
| FR2864701A1 (fr) * | 2003-12-26 | 2005-07-01 | Lg Philips Co Ltd | Dispositif d'affichage electroluminescent organique et son procede de fabrication |
| JP2005266616A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Hideki Matsumura | 光学的表示装置及びその製造方法 |
| JP2006004731A (ja) * | 2004-06-17 | 2006-01-05 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| KR100603836B1 (ko) | 2004-11-30 | 2006-07-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
| KR100606821B1 (ko) | 2004-05-21 | 2006-08-01 | 엘지전자 주식회사 | 접착형 유기 ｅｌ 디스플레이 및 그 제작 방법 |
| US7105999B2 (en) | 2002-07-05 | 2006-09-12 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same |
| KR100653265B1 (ko) | 2004-04-19 | 2006-12-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
| WO2006132847A1 (en) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electronic device including a first workpiece, a second workpiece, and a conductive member substantially directly bonded to the first and second workpieces |
| KR100711001B1 (ko) | 2003-12-29 | 2007-04-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 |
| JP2007250519A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
| US7557512B2 (en) | 2003-12-02 | 2009-07-07 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and driving apparatus |
| JP2009282368A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Panasonic Corp | 表示装置 |
| US7755279B2 (en) | 2002-02-22 | 2010-07-13 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and fabricating method thereof |
| JP2011028283A (ja) * | 2010-09-14 | 2011-02-10 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
| US8237359B2 (en) | 2008-06-24 | 2012-08-07 | Panasonic Corporation | Display apparatus |
| JP2014078383A (ja) * | 2012-10-10 | 2014-05-01 | Sekisui Chem Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05273286A (ja) * | 1992-03-26 | 1993-10-22 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | プリント配線板の電気検査用アダプターボードおよびそれを用いた電気検査方法 |
| JPH113048A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-01-06 | Canon Inc | エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法 |
| JPH11148058A (ja) * | 1997-11-17 | 1999-06-02 | Seiko Epson Corp | 異方導電性接着剤、それを用いた液晶表示装置および電子機器 |
| JP2000048952A (ja) * | 1998-07-30 | 2000-02-18 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子モジュール |
| JP2000082870A (ja) * | 1998-09-07 | 2000-03-21 | Advanced Display Inc | 実装部品およびこれを使用した液晶表示パネル、並びにこの液晶表示パネルの製造方法 |
| JP2001117509A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-27 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2001223239A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品装置及びその製造方法 |
| JP2002082633A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-03-22 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ表示体及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
-
2001
- 2001-08-28 JP JP2001258310A patent/JP2003066859A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05273286A (ja) * | 1992-03-26 | 1993-10-22 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | プリント配線板の電気検査用アダプターボードおよびそれを用いた電気検査方法 |
| JPH113048A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-01-06 | Canon Inc | エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法 |
| JPH11148058A (ja) * | 1997-11-17 | 1999-06-02 | Seiko Epson Corp | 異方導電性接着剤、それを用いた液晶表示装置および電子機器 |
| JP2000048952A (ja) * | 1998-07-30 | 2000-02-18 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子モジュール |
| JP2000082870A (ja) * | 1998-09-07 | 2000-03-21 | Advanced Display Inc | 実装部品およびこれを使用した液晶表示パネル、並びにこの液晶表示パネルの製造方法 |
| JP2001117509A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-27 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2001223239A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品装置及びその製造方法 |
| JP2002082633A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-03-22 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ表示体及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003208105A (ja) * | 2002-01-10 | 2003-07-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置およびその製造方法 |
| US7755279B2 (en) | 2002-02-22 | 2010-07-13 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and fabricating method thereof |
| JP2004006343A (ja) * | 2002-05-03 | 2004-01-08 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 有機電界発光素子とその製造方法 |
| US7105999B2 (en) | 2002-07-05 | 2006-09-12 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same |
| JP2004303522A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Fujitsu Display Technologies Corp | 表示装置及びその製造方法 |
| US7557512B2 (en) | 2003-12-02 | 2009-07-07 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and driving apparatus |
| FR2864701A1 (fr) * | 2003-12-26 | 2005-07-01 | Lg Philips Co Ltd | Dispositif d'affichage electroluminescent organique et son procede de fabrication |
| KR100711001B1 (ko) | 2003-12-29 | 2007-04-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 |
| JP2005266616A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Hideki Matsumura | 光学的表示装置及びその製造方法 |
| KR100653265B1 (ko) | 2004-04-19 | 2006-12-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
| KR100606821B1 (ko) | 2004-05-21 | 2006-08-01 | 엘지전자 주식회사 | 접착형 유기 ｅｌ 디스플레이 및 그 제작 방법 |
| JP2006004731A (ja) * | 2004-06-17 | 2006-01-05 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| KR100603836B1 (ko) | 2004-11-30 | 2006-07-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
| WO2006132847A1 (en) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electronic device including a first workpiece, a second workpiece, and a conductive member substantially directly bonded to the first and second workpieces |
| WO2006132845A1 (en) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electronic device including workpieces and a conductive member therebetween |
| JP2007250519A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
| JP2009282368A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Panasonic Corp | 表示装置 |
| US8237359B2 (en) | 2008-06-24 | 2012-08-07 | Panasonic Corporation | Display apparatus |
| JP2011028283A (ja) * | 2010-09-14 | 2011-02-10 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
| JP2014078383A (ja) * | 2012-10-10 | 2014-05-01 | Sekisui Chem Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003066859A (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
| KR102045733B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법 | |
| US7965034B2 (en) | Organic electroluminescence display device comprising a contact electrode with elasticity and fabricating method thereof | |
| US7202930B2 (en) | Liquid crystal display panel and method for fabricating the same | |
| US7663306B2 (en) | Electrooptic device, method for producing the same, and elecronic apparatus | |
| KR100754874B1 (ko) | 양면 표시 표시장치 | |
| JP3406727B2 (ja) | 表示装置 | |
| US11552161B2 (en) | Display panels and methods for manufacturing the same | |
| US8502333B2 (en) | Display device utilizing conductive adhesive to electrically connect IC substrate to non-display region and manufacturing method of the same | |
| TW200421922A (en) | Light-emitting device and electronic apparatus | |
| JP2003202588A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| US20100078627A1 (en) | Organic light-emitting device | |
| JP2003202587A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| KR20010062339A (ko) | 발광장치 | |
| JP4214660B2 (ja) | 直視型表示装置 | |
| US10985347B2 (en) | Display apparatus | |
| US20030122978A1 (en) | Liquid crystal display device having single bodied compensating pattern and method of fabricating the same | |
| US7567028B2 (en) | Organic electroluminescent device having supporting plate and method of fabricating the same | |
| JP3025256B1 (ja) | 表示パネルへのｔｃｐフィルムの実装方法 | |
| US20030127972A1 (en) | Dual-panel active matrix organic electroluminscent display | |
| US8323065B2 (en) | Organic electro-luminescence display device and manufacturing method thereof | |
| KR20150006706A (ko) | 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법 | |
| WO2021051641A1 (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN100401525C (zh) | 有机电致发光显示器件及其制造方法 | |
| KR20070104090A (ko) | 액상의 유기 반도체물질을 이용한 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040618 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051228 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060818 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061017 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061211 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070122 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070622 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071016 |