KR102223676B1 - 디스플레이 장치 - Google Patents
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Abstract
디스플레이 장치를 개시한다. 본 발명은 화상이 표시되는 디스플레이부가 형성된 액티브 영역과, 액티브 영역으로부터 바깥쪽으로 연장된 회로 영역과, 회로 영역으로부터 바깥쪽으로 연장된 씰링 영역을 가지는 기판;과, 기판을 커버하는 밀봉부;와, 기판과 밀봉부 사이에 배치된 씰링부;를 포함하되, 씰링부는 씰링 영역 상에 형성되는 제 1 씰링부와, 제 1 씰링부로부터 연장되며, 회로 영역 상에 형성되는 제 2 씰링부를 포함한다.
Description
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것이다.
통상적으로, 유기 발광 디스플레이 장치(organic light emitting display device)와 같은 디스플레이 장치는 스마트 폰, 태블릿 퍼스널 컴퓨터, 랩 탑, 디지털 카메라, 캠코더, 휴대 정보 단말기와 같은 모바일 기기용 디스플레이 장치나, 초박형 텔레비전과 같은 전자/전기 제품에 이용할 수 있다.
디스플레이 장치는 화상을 표시하는 디스플레이부를 보호하기 위하여 씰링(sealing)을 해야 한다. 이를 위하여, 상하 기판 사이에 씰링재를 개재하고, 소정의 에너지를 인가하여 씰링재를 용융시키는 것에 의하여 복수의 기판을 접합하게 된다. 씰링시, 씰링되는 부분의 구조적 강도를 유지할 필요가 있다.
본 발명의 실시예들은 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따른 디스플레이 장치는,
화상이 표시되는 디스플레이부가 형성된 액티브 영역과, 상기 액티브 영역으로부터 바깥쪽으로 연장된 회로 영역과, 상기 회로 영역으로부터 바깥쪽으로 연장된 씰링 영역을 가지는 기판;
상기 기판을 커버하는 밀봉부; 및
상기 기판과 밀봉부 사이에 배치된 씰링부;를 포함하되,
상기 씰링부는 상기 씰링 영역 상에 형성되는 제 1 씰링부와, 상기 제 1 씰링부로부터 연장되며, 상기 회로 영역 상에 형성되는 제 2 씰링부를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 회로 영역에는 상기 액티브 영역의 소자와 전기적으로 연결된 회로 배선과, 상기 회로 배선과 전기적으로 연결되며, 외부로부터 전원을 인가하는 전원 배선을 포함하며, 상기 제 2 씰링부의 적어도 일부는 상기 회로 배선과 직접적으로 접촉된다.
일 실시예에 있어서, 상기 회로 배선과 전원 배선은 서로 다른 층에 배치되며, 상기 회로 배선의 적어도 일부는 상기 전원 배선 상에 중첩되며, 상기 회로 배선의 일 단이 전원 배선에 접속되는 부분에는 돌기부가 형성된다.
일 실시예에 있어서, 상기 돌기부는 상기 회로 배선의 일단과 전원 배선이 접속되는 부분을 커버하며, 상기 밀봉부를 향하여 돌출된다.
일 실시예에 있어서, 상기 돌기부는 회로 배선의 적어도 일부와, 상기 전원 배선의 적어도 일부에 걸쳐서 연장된다.
일 실시예에 있어서, 상기 돌기부의 적어도 일부는 상기 회로 배선의 일단에 중첩되며, 상기 돌기부의 외면은 상기 제 2 씰링부에 직접적으로 접촉된다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 2 씰링부의 적어도 일부는 상기 전원 배선에 직접적으로 접촉된다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 2 씰링부는 상기 전원 배선 상에 형성된 제 1 부분과, 상기 돌기부와 회로 배선이 중첩된 부분 상에 형성된 제 2 부분과, 상기 회로 배선 상에 형성된 제 3 부분을 포함하며, 상기 제 1 부분, 제 2 부분, 및 제 3 부분은 일체로 형성된다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 2 씰링부는 기판과 밀봉부 사이에 배치되며, 상기 전원 배선, 회로 배선, 및 돌기부를 다같이 매립한다.
일 실시예에 있어서, 상기 디스플레이부는, 반도체 활성층, 적어도 하나의 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함하는 적어도 하나의 박막 트랜지스터; 및 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되며, 제 1 전극, 중간층, 및 제 2 전극을 가지는 유기 발광 소자;를 포함하되, 상기 전원 배선은 상기 소스 전극이나, 드레인 전극과 동일한 소재로 형성되며, 상기 회로 배선은 상기 제 1 전극과 동일한 소재로 형성된다.
일 실시예에 있어서,상기 돌기부의 적어도 일부는 상기 회로 배선의 일단에 중첩되며, 상기 돌기부의 외면에는 금속막이 직접적으로 접촉된다.
일 실시예에 있어서, 상기 금속막은 상기 돌기부의 외면을 감싸게 형성된다.
일 실시예에 있어서, 상기 금속막의 외면에는 상기 제 2 씰링부가 직접적으로 접촉된다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 2 씰링부의 적어도 일부는 상기 전원 배선에 직접적으로 접촉된다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 2 씰링부는 상기 전원 배선 상에 형성된 제 1 부분과, 상기 금속막, 돌기부, 및 회로 배선이 중첩된 부분 상에 형성된 제 2 부분과, 상기 회로 배선 상에 형성된 제 3 부분을 포함하며, 상기 제 1 부분, 제 2 부분, 및 제 3 부분은 일체로 형성된다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 2 씰링부는 기판과, 밀봉부 사이에 배치되며, 상기 전원 배선, 회로 배선, 돌기부, 및 금속막을 다같이 매립한다.
일 실시예에 있어서, 상기 디스플레이부는, 반도체 활성층, 적어도 하나의 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함하는 적어도 하나의 박막 트랜지스터; 및 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되며, 제 1 전극, 중간층, 및 제 2 전극을 가지는 유기 발광 소자;를 포함하되, 상기 전원 배선은 상기 소스 전극이나, 드레인 전극과 동일한 소재로 형성되며, 상기 회로 배선은 상기 제 1 전극과 동일한 소재로 형성되며, 상기 금속막은 상기 제 2 전극과 동일한 소재로 형성된다.
일 실시예에 있어서, 상기 돌기부는 디스플레이부 각각의 픽셀을 한정하는 픽셀 정의막과 동일한 소재로 형성된다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 1 씰링부와 제 2 씰링부는 일체로 형성된다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 1 씰링부의 바깥쪽으로는 보강재가 더 형성된다.
본 발명의 일 측면에 따른 디스플레이 장치는 회로 패턴 영역에서의 기판과 밀봉부 사이의 접착 강도를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 효과는 상술한 내용 이외에도, 도면을 참조하여 이하에서 설명할 내용으로부터도 도출될 수 있음은 물론이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 확대 도시한 단면도이다.
도 3은 비교예와 실시예에 따른 씰링부에 대한 낙추 충격 강도를 테스트한 결과를 도시한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 확대 도시한 부분 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 확대 도시한 단면도이다.
도 3은 비교예와 실시예에 따른 씰링부에 대한 낙추 충격 강도를 테스트한 결과를 도시한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 확대 도시한 부분 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고, 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성 요소들은 용어들에 의하여 한정되어서는 안된다. 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, “포함한다” 또는 “가지다” 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면 번호를 부여하고, 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)를 개략적으로 도시한 구성도이다.
본 실시예에 있어서, 상기 디스플레이 장치(100)는 유기 발광 디스플레이 장치(organic light emitting display device, OLED)를 예를 들어 설명하나, 소정의 전원이 인가되어서 화상을 구현하는 디스플레이 장치, 예컨대, 액정 디스플레이 장치(liquid crystal display device, LCD)나, 전계 방출 디스플레이 장치(field emission display device, FED)나, 전자 종이 디스플레이 장치(electronic paper display device, EPD) 등 어느 하나의 디스플레이 장치에 한정되는 것은 아니다.
도면을 참조하면, 상기 디스플레이 장치(100)는 기판(110)과, 상기 기판(110) 상에 설치된 밀봉부(120)를 포함한다.
상기 기판(110)은 강성(rigidity)을 가지는 글래스 기판이나, 폴리머 기판이나, 유연성(flexbility)을 가지는 필름이나, 금속 기판이나, 이들의 복합 기판일 수 있다. 상기 밀봉부(120)는 글래스 기판이거나, 수지 기판이거나, 유연성을 가지는 필름이거나, 유기막과 무기막이 교대로 적층된 박막층일 수 있다. 상기 기판(110) 상에는 화상을 표시하는 디스플레이부(130)가 형성된다.
상기 기판(110)과, 밀봉부(120)이 서로 마주보는 면에는 씰링부(sealing portion, 140)가 설치된다. 상기 씰링부(140)는 상기 기판(110)과 밀봉부(120)의 가장자리를 따라 형성되어 있다. 상기 씰링부(140)와 기판(110) 사이에는 금속 패턴층(150)이 더 형성될 수 있다.
상기 씰링부(140)는 레이저에 의하여 용융되는 물질로 구성될 수 있다. 예컨대, 상기 씰링부(140)는 글래스 프릿(glass frit)을 포함한다. 일 실시예에 있어서, 상기 씰링부(140)는 소정의 열 에너지를 인가하는 것에 의하여 용융 및 경화되는 물질이라면, 어느 하나에 한정되는 것은 아니다. 상기 금속 패턴층(150)은 레이저의 열을 흡수하거나, 레이저를 반사시켜 씰링부(140)에 열을 전달할 수 있다.
상기 씰링부(140)의 바깥쪽으로는 보강재(160)가 더 형성될 수 있다. 상기 보강재(160)는 상기 씰링부(140)의 합착 강도를 보조하기 위한 것이며, 접착력이 있는 소재로 형성된다. 상기 보강재(160)는 유기 실런트인 우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 또는 무기 실런트인 실리콘 등으로 이루어질 수 있다.
상기 기판(110), 밀봉부(120), 및 씰링부(140)에 의하여 밀폐된 내부 공간(S)에는 흡습제나 충진재 등이 배치될 수 있다.
상기 밀봉부(120) 상에는 다양한 기능을 하는 기능막(170)을 형성할 수 있다. 예컨대, 상기 기능막(170)은 편광판이나, 터치 스크린(touch screen)이나, 커버 윈도우(cover window)중 적어도 어느 하나를 포함한다.
터치 스크린의 경우, 상기 밀봉부(120) 상에 직접적으로 터치 스크린 패턴이 형성된 온-셀 터치 스크린 패널(on-cell touch screen panel)일 수 있다. 편광판의 경우, 외광이 상기 디스플레이부(130)로부터 반사되어 나오는 것을 방지한다. 커버 윈도우의 경우, 디스플레이 장치(100)를 보호한다.
상기 디스플레이 장치(100)는 화상을 표시하는 디스플레이부(130)와 관계없는 영역인 데드 스페이스(dead space)의 축소, 이를테면, 씰링부(140)가 형성되는 씰링 영역의 폭을 줄이거나, 또는, 개별적인 디스플레이 장치로 분리하기 위한 영역인 컷팅 영역의 마진(margin)을 줄이는 것이 필요하다.
상기 씰링부(140)의 폭이 줄어들게 되면, 상기 기판(110)과 밀봉부(120)의 접착력이 저하될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 데드 스페이스를 줄이면서, 기판(110)과 밀봉부(120)의 접착력을 향상시키기 위하여, 상기 씰링부(140)는 회로 배선이 배치되는 회로 영역으로 연장될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(200)의 일부를 확대 도시한 단면도이다.
도면을 참조하면, 디스플레이 장치(200)는 기판(201)과, 상기 기판(201) 상에 설치되는 밀봉부(202)를 포함한다.
상기 기판(201)은 액티브 영역(active area, AA)과, 상기 액티브 영역(AA)의 바깥쪽으로 연장된 회로 영역(circuit area, CA)과, 상기 회로 영역(CA)의 바깥쪽으로 연장된 씰링 영역(cell seal area, CSA)을 포함한다.
상기 액티브 영역(AA)은 화상을 표시하는 영역을 포함하며, 상기 회로 영역(CA)은 액티브 영역(AA)의 소자와 전기적으로 신호를 전달하는 회로 패턴이 형성된 영역을 포함하며, 씰링 영역(CSA)은 기판(201)과 밀봉부(202)를 씰링하는 영역을 포함한다.
상기 기판(201)은 글래스 기판이나, 폴리머 기판이나, 플렉서블 필름이나, 금속 기판이나, 이들의 복합 기판일 수 있다. 상기 기판(201)은 투명하거나, 불투명하거나, 반투명할 수 있다.
상기 기판(201) 상에는 배리어층(203)이 형성될 수 있다. 상기 배리어층(203)은 상기 기판(201)의 표면을 평활하게 하고, 수분이나, 외기의 침투를 방지하는 역할을 한다. 상기 배리어층(203)은 실리콘 옥사이드와 같은 무기막이나, 폴리이미드와 같은 유기막이나, 무기막 및 유기막이 적층된 구조일 수 있다.
상기 액티브 영역(AA) 및 회로 영역(CA)에는 적어도 하나의 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된다. 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 복수로 구성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 두 종류의 박막 트랜지스터(TFT)가 각각 액티브 영역(AA) 및 회로 영역(CA)에 배치된 경우를 예로 들어 설명하도록 한다. 이는 예시적인 것일 뿐, 이에 한정되지 않는다.
액티브 영역(AA)에 배치된 제 1 박막 트랜지스터(TFT1)는 제 1 반도체 활성층(204), 제 1 게이트 전극(205), 제 1 소스 전극(206), 및 제 1 드레인 전극(207)을 포함한다. 상기 제 1 게이트 전극(205)과, 제 1 반도체 활성층(204) 사이에는 이들 간의 절연을 위한 제 1 게이트 절연막(208) 및 제 2 게이트 절연막(209)이 개재되어 있다.
회로 영역(CA)에 배치된 제 2 박막 트랜지스터(TFT2)는 제 2 반도체 활성층(210), 제 2 게이트 전극(211), 제 2 소스 전극(212), 및 제 2 드레인 전극(213)을 포함한다. 상기 제 2 게이트 전극(212)과 제 2 반도체 활성층(210) 사이에는 이들 간의 절연을 위한 제 1 게이트 절연막(208)이 개재되어 있다.
제 1 박막 트랜지스터(TFT1)와 제 2 박막 트랜지스터(TFT2)를 서로 비교할 때, 상기 제 1 박막 트랜지스터(TFT1)는 반도체 활성층과 게이트 전극 사이에 제 2 게이트 절연막(209)이 더 포함되어 있다. 즉, 제 1 박막 트랜지스터(TFT1)는 제 2 박막 트랜지스터(TFT2)보다 두꺼운 게이트 절연막을 가지고 있다. 두꺼운 게이트 절연막을 가지고 있는 경우, 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압의 구동 범위가 더 넓어질 수 있다.
제 1 박막 트랜지스터(TFT1)는 유기 발광 소자(OLED)를 구동하는 구동 박막 트랜지스터일 수 있다. 구동 박막 트랜지스터의 구동 범위가 넓어진다는 것은 유기 발광 소자(OLED)로부터 발광되는 빛이 보다 풍부한 계조를 가질 수 있도록 제어할 수 있다는 것을 의미한다.
상기 제 1 게이트 전극(205)과, 제 2 게이트 전극(211)는 동일한 층에 형성되어 있지 않다. 따라서, 제 1 박막 트랜지스터(TFT1)와, 제 2 박막 트랜지스터(TFT2)를 인접하게 배치하여도, 간섭이 발생하지 않기 때문에 동일한 면적에 보다 많은 소자를 배치할 수 있다.
상기 제 1 반도체 활성층(204) 및 제 2 반도체 활성층(210)은 배리어층(203) 상에 형성될 수 있다. 상기 제 1 반도체 활성층(204) 및 제 2 반도체 활성층(210)은 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 폴리 실리콘(poly silicon)과 같은 무기 반도체나, 유기 반도체가 사용될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 1 반도체 활성층(204) 및 제 2 반도체 활성층(210)는 산화물 반도체로 형성될 수 있다. 예컨대, 산화물 반도체는 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf)과 같은 4, 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함한다.
제 1 게이트 절연막(208)은 배리어층(203) 상에 형성되며, 상기 제 1 반도체 활성층(204) 및 제 2 반도체 활성층(210)을 커버한다.
제 2 게이트 전극(211)은 제 1 게이트 절연막(208) 상에 형성되며, 제 2 반도체 활성층(210)의 일 부분과 중첩될 수 있다.
제 2 게이트 절연막(209)은 상기 제 2 게이트 전극(211)을 커버한다.
상기 제 1 게이트 전극(205)은 제 2 게이트 절연막(209) 상에 형성되며, 제 1 반도체 활성층(204)의 일 부분과 중첩될 수 있다.
상기 제 1 게이트 전극(205) 및 제 2 게이트 전극(211)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo, Cr 등의 단일막, 또는, 다층막을 포함하거나, Al:Nd, Mo:W와 같은 합금을 포함한다.
상기 제 1 게이트 절연막(208) 및 제 2 게이트 절연막(209)은 실리콘 산화물이나, 실리콘 질화물이나, 금속 산화물과 같은 무기막을 포함한다. 상기 제 1 게이트 절연막(208) 및 제 2 게이트 절연막(209)은 단일층, 또는 복층으로 형성될 수 있다.
층간 절연막(214)은 상기 제 1 게이트 전극(205)을 커버한다. 상기 층간 절연막(214)은 실리콘 산화물, 또는, 실리콘 질화물 등과 같은 무기막으로 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 층간 절연막(214)은 유기막으로 형성할 수 있다.
상기 층간 절연막(214) 상에는 제 1 소스 전극(206)과, 제 1 드레인 전극(207)이 형성되며, 이들은 콘택 홀을 통하여 제 1 반도체 활성층(204)과 콘택된다. 또한, 상기 층간 절연막(214) 상에는 제 2 소스 전극(212)과, 제 2 드레인 전극(213)이 형성되며, 이들은 콘택 홀을 통하여 제 2 반도체 활성층(210)과 콘택된다. 제 1 소스 전극(206), 제 2 소스 전극(212), 제 1 드레인 전극(207), 및 제 2 드레인 전극(213)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 전도성 물질 등을 포함한다.
상기와 같은 박막 트랜지스터(TFT)의 구조는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 형태의 박막 트랜지스터(TFT)의 구조가 적용 가능하다. 예를 들면, 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 탑 게이트(top gate) 구조로 형성된 것이나, 제 1 게이트 전극(205)이 제 1 반도체 활성층(204) 하부에 배치된 바텀 게이트(bottom gate) 구조로 형성될 수 있다.
회로 영역(CA)에는 커패시터(215)가 형성될 수 있다. 상기 액티브 영역에 커패시터가 형성될 수 있음은 물론이다.
상기 커패시터(215)는 제 1 커패시터 전극(216), 제 2 커패시터 전극(217), 및, 이들 사이에 개재되는 제 2 게이트 절연막(209)을 포함한다. 상기 제 1 커패시터 전극(216)은 제 2 게이트 전극(211)과 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 상기 제 2 커패시터 전극(217)은 제 1 게이트 전극(205)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.
평탄화막(218)은 상기 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2), 및 커패시터(215)을 커버한다. 상기 평탄화막(218)은 상기 층간 절연막(214) 상에 형성된다. 상기 평탄화막(218)은 그 위에 형성될 유기 발광 소자(OLED)의 발광 효율을 높이기 위하여 박막의 단차를 없애고, 평탄화시키는 역할을 한다. 상기 평탄화막(218)은 제 1 드레인 전극(207)의 일부를 노출시키는 관통홀을 가질 수 있다.
상기 평탄화막(218)은 절연체로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 평탄화막(218)은 무기물, 유기물, 또는 유기/무기 복합물로 단층 또는 복수층의 구조로 형성될 수 있으며, 다양한 증착 방법에 의하여 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 평탄화막(218)은 아크릴계 수지(polyacrlates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 벤조사이클로부(benzocyclobutene, BCB) 등과 같은 유기물, 또는, 실리콘 질화물(SiNx) 등과 같은 무기물로 형성될 수 있다.
상기 평탄화막(218)과, 층간 절연막(214)중 어느 하나는 생략할 수 있다.
유기 발광 소자(OLED)는 상기 평탄화막(218) 상에 형성된다. 상기 유기 발광 소자(OLED)는 제 1 전극(219), 유기 발광층을 포함하는 중간층(220), 및 제 2 전극(221)을 포함한다.
픽셀 정의막(222)은 상기 평탄화막(218) 및 상기 제 1 전극(219)의 일부를 커버하며, 픽셀 영역(pixel Area, PA)과 비픽셀 영역(non-pixel area, NPA)을 정의한다. 상기 픽셀 정의막(222)은 유기물이나, 무기물로 형성하게 된다. 이를테면, 상기 픽셀 정의막(222)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 벤조사이클로부텐, 아크릴 수지, 페놀 수지 등과 같은 유기물이나, SiNx와 같은 무기물로 형성할 수 있다. 상기 픽셀 정의막(222)은 단일막, 또는, 다중막으로 구성될 수 있다.
유기 발광 소자(OLED)의 제 1 전극(219)과, 제 2 전극(221)에서 주입되는 정공과 전자는 중간층(220)의 유기 발광층에서 결합하면서 빛이 발생할 수 있다.
상기 중간층(220)은 유기 발광층을 구비할 수 있다. 선택적인 다른 예로서, 상기 중간층(220)은 유기 발광층(emissive layer)을 구비하고, 그 외에 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 전자 수송층(electron transport layer, ETL), 전자 주입층(electron injection layer, EIL)중 적어도 어느 하나를 더 구비할 수 있다. 본 실시예에서는 이에 한정되지 않고, 상기 중간층(220)이 유기 발광층을 구비하고, 기타 다양한 기능층을 더 구비할 수 있다.
상기 중간층(220) 상에는 제 2 전극(221)이 형성될 수 있다. 상기 제 2 전극(221)은 제 1 전극(219)과 전계를 형성하여, 상기 중간층(220)에서 광이 방출될 수 있게 한다. 제 1 전극(219)은 픽셀마다 패터닝될 수 있으며, 제 2 전극(221)은 모든 픽셀에 걸쳐 공통된 전압이 인가되도록 형성될 수 있다.
제 1 전극(219) 및 제 2 전극(221)은 투명 전극 또는 반사형 전극을 구비할 수 있다.
제 1 전극(219)은 애노우드로 기능하는 것으로서, 다양한 도전성 소재로 형성될 수 있다. 상기 제 1 전극(219)은 투명 전극이나, 반사형 전극으로 형성될 수 있다.
이를테면, 상기 제 1 전극(219)이 투명 전극으로 사용시, 상기 제 1 전극(219)은 ITO, IZO, ZnO, In2O3 등의 투명 도전막을 포함한다. 상기 제 1 전극(219)이 반사형 전극으로 사용시, 상기 제 1 전극(219)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성하고, 이후, 상기 반사막의 상부에 ITO, IZO, ZnO, In2O3 등의 투명 도전막을 형성할 수 있다.
상기 제 2 전극(221)은 캐소우드로 기능할 수 있다. 상기 제 2 전극(221)은 제 1 전극(219)과 마찬가지로 투명 전극, 또는,반사형 전극으로 형성될 수 있다.
예컨대, 상기 제 2 전극(221)이 투명 전극으로 사용시, 일 함수가 작은 금속, 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 화합물이 중간층(220) 상에 증착되고, 이후, 상기 금속 및 이들의 화합물 위에 ITO, IZO, ZnO, In2O3 등의 투명 도전막이 더 형성할 수 있다. 상기 제 2 전극(221)이 반사형 전극으로 사용시, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 화합물로 형성할 수 있다.
상기 제 1 전극(219)은 애노우드로, 상기 제 2 전극(221)은 캐소우드로 기능할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제 1 전극(219)이 캐소우드로, 제 2 전극(221)이 애노우드로 기능할 수 있다.
각 유기 발광 소자(OLED)마다 하나의 픽셀을 형성할 수 있으며, 각 픽셀별로 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 색을 구현할 수 있다. 그러나, 본 개시는 이에 한정되지 않는다. 상기 중간층(220)은 픽셀의 위치에 관계없이 제 1 전극(219) 전체에 공통으로 형성될 수 있다. 이때, 유기 발광층은 예를 들어 적색, 녹색, 및 청색의 빛을 방출하는 발광 물질을 포함하는 층이 수직으로 적층되거나, 적색, 녹색, 및 청색의 빛을 방출하는 발광 물질이 혼합되어 형성될 수 있다. 백색광을 방출할 수 있다면, 다른 색의 조합이 가능함은 물론이다. 방출된 백색광을 소정의 컬러로 변환하는 색변환층이나, 컬러 필터를 더 구비할 수 있다.
보호층(미도시)은 제 2 전극(221) 상에 배치될 수 있다. 보호층은 유기 발광 소자(OLED)를 커버한다. 보호층(미도시)은 무기 절연막 및/또는 유기 절연막을 사용할 수 있다.
스페이서(234)는 비픽셀 영역(NPA)에 배치될 수 있다. 상기 스페이서(234)는 상기 기판(201)과 밀봉부(202) 사이에 배치된다. 상기 스페이서(234)는 기판(201)과 밀봉부(202) 사이의 간격을 유지할 수 있다. 상기 스페이서(234)는 외부 충격에 의하여 표시 특성이 저하되지 않기 위하여 설치될 수 있다.
상기 스페이서(234)는 픽셀 정의막(222) 상에 형성될 수 있다. 상기 스페이서(234)는 픽셀 정의막(222)으로부터 밀봉부(202)를 향하여 돌출될 수 있다. 상기 픽셀 정의막(222) 및 스페이서(234)는 감광성 물질을 사용하여 사진 공정 또는 사진 식각 공정을 통하여 일체로 형성될 수 있다. 즉, 하프 톤(half-tone) 마스크를 사용하여 노광 고정을 통하여 노광량을 조절하여 픽셀 정의막(222) 및 스페이서(234)를 동시에 형성할 수 있다.
상기 스페이서(234)의 상부에는 제 2 전극(221) 및/또는 보호층(미도시)이 배치될 수 있다.
상기 회로 영역(CA)에는 다양한 회로 패턴이 형성될 수 있다. 예컨대, 전원 공급 패턴, 정전기 방지 패턴 및 기타 다양한 회로 패턴이 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 회로 영역(CA)에는 회로 배선(223)이 형성된다. 상기 회로 배선(223)은 평탄화막(218) 상에 형성될 수 있다. 상기 회로 배선(223)은 상기 제 1 전극(219)과 동일한 소재로 형성될 수 있다. 상기 회로 배선(223)은 유기 발광 소자(OLED)의 제 2 전극(221)에 전기적으로 연결된 배선일 수 있다.
상기 회로 배선(223)은 전원 배선(224)과 연결된다. 상기 전원 배선(224)은 층간 절연막(214) 상에 형성될 수 있다. 상기 전원 배선(224)은 제 1 소스 전극(206), 제 2 소스 전극(212), 제 1 드레인 전극(207), 및 제 2 드레인 전극(213)과 동일한 소재로 형성될 수 있다. 상기 전원 배선(224)은 외부로부터 전원이 인가되는 배선일 수 있다.
상기 기판(201) 상에는 밀봉부(202)가 결합되어 있다. 상기 밀봉부(202)는 외부의 수분이나 산소 등으로부터 유기 발광 소자(OLED) 및 다른 박막을 보호하는 역할을 한다.
상기 밀봉부(202)는 강성을 가지는 글래스 기판이나, 폴리머 기판이나, 유연성을 가지는 필름일 수 있다. 상기 밀봉부(202)는 유기막과 무기막이 교대로 적층된 구조일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 밀봉부(202) 상에는 터치 스크린의 역할을 할 수 있도록 복수의 터치 전극(235)이 형성될 수 있다. 이외에, 상기 밀봉부(202) 상에는 편광 필름, 컬러 필터, 커버 윈도우와 같은 기능막이 더 형성될 수 있다.
상기 기판(201)과, 밀봉부(202) 사이에는 씰링부(225)가 설치된다. 상기 씰링부(225)는 씰링 영역(CSA) 상에 형성되는 제 1 씰링부(226)와, 상기 제 1 씰링부(226)로부터 연장되며, 회로 영역(CA) 상에 형성되는 제 2 씰링부(227)를 포함한다. 상기 제 1 씰링부(226)와, 제 2 씰링부(227)는 일체로 형성될 수 있다.
상기 씰링 영역(CSA)에는 제 1 씰링부(226)가 형성된다. 상기 제 1 씰링부(226)는 회로 영역(CA)의 둘레를 따라 배치될 수 있다.
상기 제 1 씰링부(226)의 하부에는 금속 패턴층(228)이 형성될 수 있다. 상기 금속 패턴층(228)은 레이저의 열을 흡수하거나, 레이저를 반사시켜서 상기 제 1 씰링부(226)에 열을 전달하는 역할을 한다.
상기 금속 패턴층(228)은 제 2 박막 트랜지스터(TFT2)의 제 2 게이트 전극(211)과 동일한 층에 동일한 물질로 형성될 수 있다. 대안으로는, 상기 금속 패턴층(228)은 제 1 박막 트랜지스터(TFT1)의 제 1 게이트 전극(205)과 동일한 층에 동일한 물질로 형성될 수 있다.
상기 금속 패턴층(228)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo, Cr 등을 포함하는 단일막, 또는 다층막일 수 있다. 상기 금속 패턴층(228)은 Al:Nd, Mo:W와 같은 합금일 수 있다.
상기 금속 패턴층(228) 상에는 적어도 하나의 절연층, 예컨대, 제 1 절연층(230)과, 제 2 절연층(231)을 포함한다. 상기 제 1 절연층(230)과, 제 2 절연층(231)이 금속 패턴층(228) 상에 배치된 경우, 금속 패턴층(228)이 레이저에 의하여 급격한 온도 상승으로 인한 힐록(hillock) 현상 및 기포 발생을 방지할 수 있다.
제 1 절연층(230) 및 제 2 절연층(231)은 복수의 개구(229)를 포함한다. 복수의 개구(229)는 제 1 씰링부(226)와 절연층(230)(231)의 접촉 면적을 넓히기 위한 구성일 수 있다. 이에 따라, 제 1 씰링부(226)와, 절연층(230)(231)의 접합 강도가 향상될 수 있다.
제 1 절연층(230)은 제 2 게이트 절연막(209)과 동일한 물질로 동일한 층에 형성될 수 있다. 제 2 절연층(230)은 층간 절연막(214)과 동일한 물질로 동일한 층에 형성될 수 있다.
상기 회로 영역(CA)에는 제 2 씰링부(227)가 형성된다. 상기 제 2 씰링부(227)의 적어도 일부는 상기 회로 배선(223)과 직접적으로 접촉된다.
본 실시예에 있어서, 상기 회로 배선(223)과 전원 배선(224)은 서로 다른 층에 배치된다.
상기 회로 배선(223)은 평탄화막(218) 상에 형성된다. 상기 회로 배선(223)은 상기 제 1 전극(223)과 동일한 공정에서 동일한 물질로 형성될 수 있다. 상기 전원 배선(224)은 층간 절연막(214) 상에 형성될 수 있다. 상기 제 2 전원 배선(224)은 제 1 소스 전극(206), 제 2 소스 전극(212), 제 1 드레인 전극(207), 및 제 2 드레인 전극(213)과 동일한 공정에서 동일한 물질로 형성될 수 있다.
상기 회로 배선(223)의 적어도 일부는 상기 전원 배선(224)에 중첩된다. 일 실시예에 있어서, 상기 회로 배선(223)의 일단은 상기 전원 배선(224) 상에 접촉된다. 상기 회로 배선(223)의 일단이 상기 전원 배선(224)에 접속되는 부분에는 돌기부(233)가 형성된다.
상기 돌기부(233)는 상기 회로 배선(223)과 전원 배선(224)이 접속되는 부분으로부터 상기 밀봉부(202)를 향하여 돌출된 형상이다. 상기 돌기부(233)는 회로 배선(223)의 적어도 일부와, 상기 전원 배선(224)의 적어도 일부에 걸쳐서 연장될 수 있다. 상기 돌기부(233)는 상기 픽셀 정의막(222)과 동일한 공정에서 동일한 물질로 형성될 수 있다.
상기 돌기부(233)는 클래드층 역할을 할 수 있도록 회로 배선(223)의 일단에 중첩될 수 있다. 상기 돌기부(223)는 회로 배선(223)과 전원 배선(224)이 접속되는 부분을 커버하므로, 상기 회로 배선(223) 일단의 들뜸 현상을 억제할 수 있다. 또한, 상기 돌기부(223)는 상기 회로 배선(223)을 에칭시 인접한 배선 간의 전기적 단락를 방지할 수 있으며, 상기 회로 배선(223)의 가장자리에서의 컬(curl) 발생으로 인한 구동 불량을 줄일 수 있다.
상기 돌기부(233)의 외면에는 상기 제 2 씰링부(227)가 직접적으로 접촉될 수 있다. 상기 돌기부(233)는 상기 제 2 씰링부(227)가 커버한다. 상기 제 2 씰링부(227)의 적어도 일부는 상기 전원 배선(224)에 직접적으로 접촉된다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 2 씰링부(227)는 상기 전원 배선(224) 상에 형성된 제 1 부분과, 상기 돌기부(233)와 회로 배선(223)의 적어도 일부가 중첩된 부분 상에 형성된 제 2 부분과, 상기 회로 배선(223) 상에 형성된 제 3 부분을 포함한다. 상기 제 1 부분, 제 2 부분, 및 제 3 부분은 일체로 형성될 수 있다.
이처럼, 상기 제 2 씰링부(227)는 상기 기판(201)과 밀봉부(202) 사이에 배치되며, 상기 회로 배선(223), 전원 배선(224), 및 돌기부(233)를 다같이 매립하고 있다.
상기 제 1 씰링부(226) 및 제 2 씰링부(227)를 포함하는 씰링부(225)는 글래스 프릿을 포함한다. 상기 글래스 프릿은 글래스 분말에 산화물 분말을 포함한다. 산화물 분말이 포함된 글래스 프릿에 유기물을 첨가하여 젤 상태의 페이스트로 제조하고, 이것을 대략 300℃ 내지 500℃의 온도 범위에서 소성한다. 글래스 프릿을 소성하면, 유기물은 대기 중으로 소멸되고, 젤 상태의 페이스트는 경화되어 고체 상태의 프릿으로 존재할 수 있다.
한편, 상기 씰링 영역(CSA)의 바깥쪽으로는 컷 영역을 포함하는 가장자리 영역(edge area, EA)이 형성될 수 있다. 상기 가장자리 영역(EA)에는 보강재(232)가 형성될 수 있다. 상기 보강재(232)는 상기 제 1 씰링부(232)에 의한 합착 강도를 보조하기 위한 것이며, 접착력이 있는 물질로 형성될 수 있다.
상기 보강재(232)는 유기 실런트인 우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 또는 무기 실런트인 실리콘 등으로 형성될 수 있다. 우레탄계 수지로는 우레탄 아크릴레이트 등을 사용할 수 있다. 아크릴계 수지로는 부틸 아크릴 레이트, 에틸헥실아크레이트 등을 사용할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 보강재(232)는 열에 의하여 경화되는 물질로 구성될 수 있다.
상기 보강재(232)는 상기 제 1 씰링재(226)에 접촉하여 형성되거나, 상기 제 1 씰링재(226)에 대하여 소정 간격 이격되게 배치될 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 디스플레이 장치(100)는 상기 씰링 영역(CSA)에 형성된 제 1 씰링부(226)로부터 회로 패턴이 형성되는 회로 영역(CA)으로 제 2 씰링부(227)가 일체로 연장되므로, 데드 스페이스에 해당되는 씰링 영역(CSA) 및 컷 영역을 포함하는 가장자리 영역(EA)을 줄이면서, 상기 기판(201)과 밀봉부(202)의 접착력을 향상시킬 수 있다.
게다가, 상기 제 2 씰링부(227)의 제 1 부분은 도전재, 예컨대, 티타늄(Ti)/알루미늄(Al)/티타늄(Ti)의 3층 구조로 된 전원 배선(224)에 직접적으로 접촉하며, 상기 제 2 씰링부(227)의 제 2 부분은 절연재, 예컨대, 폴리이미드로 된 돌기부(233)의 외면에 접촉하고 있다. 상기 제 2 씰링부(227)의 제 3 부분은 도전재, 예컨대, ITO/Ag/ITO의 3층 구조로 된 회로 배선(223)에 직접적으로 접촉하고 있다.
이처럼, 상기 제 2 씰링부(227)는 각 영역별로 서로 다른 접촉 구조를 가지므로, 상기 씰링부(225)에 레이저 빔 등의 소정의 열에너지를 인가하여 경화시, 회로 영역(CA)에서의 회로 패턴층의 손상없이 접착력을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 돌기부(233)의 적어도 일부는 상기 회로 배선(223)의 단부에 클래드층으로 형성됨으로써, 에칭에 의하여 형성되는 회로 배선(223)의 쇼트를 방지할 수 있다.
도 3은 비교예와 실시예에 따른 씰링부에 대한 낙추 충격 강도(falling dart impact strength)를 테스트한 결과이고, 표 1은 도 3의 낙추 충격 강도의 값을 정리한 것이다.
| 비교예(A) | 실시예(B) | |
| 기판/밀봉부 두께(mm) | 0.25/0.25 | 0.25/0.25 |
| 씰링부 폭(㎛) | 490 | 540 |
| 최소높이(cm) | 5 | 8 |
| 최대높이(cm) | 9 | 10 |
| 평균높이(cm) | 6.8 | 8.8 |
여기서, 비교예 (A)는 종래의 씰링 영역(CSA)에만 씰링부가 형성된 경우이고, 실시예 (B)는 도 2의 씰링 영역(CSA) 및 회로 영역(CA)에 씰링부(225)가 형성된 경우이다. 낙추 충격 강도 테스트는 200 그램(g)의 우레탄 볼로 된 추를 다른 높이에서 패널에 떨어뜨려 패널의 파손 상태를 확인하는 것이다.
도 3 및 표 1을 참조하면, 비교예 (A)는 기판 및 밀봉부의 두께가 각각 0.25 밀리미터(mm)이고, 씰링 영역에만 형성된 씰링부의 폭은 490 마이크로미터(㎛)이다. 이때, 최저 낙하 높이는 5 센티미터(cm) 이고, 최고 낙하 높이는 9 센티미터(cm)이고, 평균 낙하 높이는 6.8 센티미터(cm)를 나타내 보였다.
실시예 (B)는 기판(201) 및 밀봉부(202)의 두께가 각각 0.25, 0.25 밀리미터(mm)이고, 씰링 영역(CSA) 및 회로 영역(CA)에 걸쳐서 형성된 씰링부(225)의 폭은 540 마이크로미터(㎛)이다. 이때, 최저 낙하 높이는 8 센티미터(cm)이고, 최고 낙하 높이는 10 센티미터(cm)이고, 평균 낙하 높이는 8.8 센티미터(cm)를 나타내 보였다.
상기와 같이, 실시예 (B)는 비교예(A)보다 낙추 강도가 35%정도 향상됨을 알 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(400)의 일부를 확대 도시한 부분 단면도이다.
이하, 도 2와 동일한 용어는 동일한 기능을 하는 동일한 부재로서, 도 2와 중복되는 것에 대한 설명은 최소화하고, 본 실시예의 특징부 위주로 설명하기로 한다.
도면을 참조하면, 기판(401) 상에는 배리어층(403)이 형성될 수 있다. 상기 배리어층(403) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)를 구성하는 소자를 서로 절연시키기 위한 제 1 게이트 절연막(408), 제 2 게이트 절연막(409), 층간 절연막(414)이 적층될 수 있다. 상기 층간 절연막(414) 상에는 평탄화막(418)이 형성될 수 있다. 상기 평탄화막(418) 상에는 픽셀 영역을 한정하는 픽셀 정의막(422)이 형성될 수 있다.
상기 기판(401)과 밀봉부(402) 사이에는 씰링부(425)가 설치된다. 상기 씰링부(425)는 씰링 영역(CSA) 상에 형성되는 제 1 씰링부(426)와, 상기 제 1 씰링부(426)로부터 연장되며, 회로 영역(CA) 상에 형성되는 제 2 씰링부(427)를 포함한다. 상기 제 1 씰링부(426)와, 제 2 씰링부(427)는 일체로 형성될 수 있다.
상기 제 2 씰링부(427)의 적어도 일부는 상기 회로 배선(423)과 직접적으로 접촉된다.
일 실시예에 있어서, 상기 회로 배선(423)과, 전원 배선(424)은 서로 다른 층에 배치될 수 있다. 상기 회로 배선(423)은 평탄화막(418) 상에 형성되는 반면에, 상기 전원 배선(424)은 층간 절연막(414) 상에 형성될 수 있다.
상기 회로 배선(423)의 적어도 일부는 상기 전원 배선(424)에 중첩된다. 상기 회로 배선(423)의 일단은 상기 전원 배선(424) 상에 접촉된다. 상기 회로 배선(423)의 일단이 상기 전원 배선(424)에 접속되는 부분에는 돌기부(433)가 형성된다.
상기 돌기부(433)는 상기 회로 배선(423)과, 전원 배선(424)이 접속되는 부분으로부터 상기 밀봉부(402)를 향하여 돌출된다. 상기 돌기부(433)는 회로 배선(423)의 적어도 일부와 상기 전원 배선(424)의 적어도 일부에 걸쳐서 연장될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 돌기부(433)의 적어도 일부는 상기 회로 배선(423)의 일단에 중첩된다. 상기 돌기부(433) 상에는 금속막(435)이 형성된다. 상기 금속막(435)은 상기 돌기부(433)의 외면에 직접적으로 접촉된다.
일 실시예에 있어서, 상기 금속막(435)은 상기 돌기부(433)의 외면을 감싸게 형성될 수 있다. 상기 금속막(435)은 유기 발광 소자(OLED)의 제 2 전극(421)과 동일한 공정에서 동일한 물질로 형성될 수 있다.
상기 금속막(435)의 외면에는 상기 제 2 씰링부(427)가 직접적으로 접촉된다. 상기 금속막(435)은 상기 제 2 씰링부(427)가 커버한다. 상기 제 2 씰링부(427)의 적어도 일부는 상기 전원 배선(424)에 직접적으로 접촉될 수 있다.
도 2의 실시예와는 달리, 상기 금속막(435)이 형성되는 이유는 다음과 같다.
상기 제 2 씰링부(427)는 글래스 프릿을 포함한다. 상기 돌기부(433)는 폴리이미드와 같은 고분자 수지로 구성된다. 상기 제 2 씰링부(427)는 금속간의 접착력은 우수하나, 고분자 수지와의 접착력은 금속과의 접착력보다 상대적으로 떨어진다. 따라서, 제 2 씰링부(427)와, 돌기부(433) 사이에 금속막(435)를 추가적으로 형성시킴으로써, 접착력을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 돌기부(433)에서 발생될 수 있는 아웃게싱(outgassing)을 줄일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 2 씰링부(427)는 상기 전원 배선(424) 상에 형성된 제 1 부분과, 상기 금속막(435), 돌기부(433), 및 회로 배선(423)의 적어도 일부가 중첩된 부분 상에 형성된 제 2 부분과, 상기 회로 배선(424) 상에 형성된 제 3 부분을 포함한다. 상기 제 1 부분, 제 2 부분, 및 제 3 부분은 일체로 형성될 수 있다.
실질적으로, 상기 제 2 씰링부(427)는 상기 기판(401)과 밀봉부(402) 사이에 배치되며, 상기 전원 배선(424), 회로 배선(423), 돌기부(433), 및 금속막(435)을 다같이 매립하고 있다.
이처럼, 상기 씰링부(425)는 씰링 영역(CSA)에 형성된 제 1 씰링부(426)로부터 회로 패턴이 형성된 회로 영역(CA)으로 제 2 씰링부(427)가 연장되므로, 데드 스페이스를 줄이면서, 상기 기판(401)과 밀봉부(402)의 접착력을 향상시킬 수 있다.
또한, 제 2 씰링부(427)와 돌기부(433) 사이에 금속막(435)이 형성됨으로써, 접착력을 추가적으로 향상시킬 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형 실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.
200...디스플레이 장치 201...기판
208...제 1 게이트 절연막 209...제 2 게이트 절연막
214...층간 절연막 218...평탄화막
219...제 1 전극 220...중간층
221...제 2 전극 222...픽셀 정의막
223...회로 배선 224...전원 배선
225...씰링부 226...제 1 씰링부
227...제 2 씰링부 232...보강재
233...돌기부
208...제 1 게이트 절연막 209...제 2 게이트 절연막
214...층간 절연막 218...평탄화막
219...제 1 전극 220...중간층
221...제 2 전극 222...픽셀 정의막
223...회로 배선 224...전원 배선
225...씰링부 226...제 1 씰링부
227...제 2 씰링부 232...보강재
233...돌기부
Claims (20)
- 화상이 표시되는 디스플레이부가 배치된 액티브 영역과, 상기 액티브 영역으로부터 바깥쪽으로 연장된 회로 영역과, 상기 회로 영역으로부터 바깥쪽으로 연장된 씰링 영역을 가지는 기판;
상기 기판을 커버하는 밀봉부; 및
상기 기판과 밀봉부 사이에 배치된 씰링부;를 포함하되,
상기 씰링부는 상기 씰링 영역 상에 배치된 제 1 씰링부와, 상기 제 1 씰링부로부터 연장되며, 상기 회로 영역 상에 배치된 제 2 씰링부를 포함하되,
상기 회로 영역에는 상기 액티브 영역의 소자와 전기적으로 연결된 회로 배선과, 상기 회로 배선과 전기적으로 연결된 전원 배선이 배치되며, 상기 제 2 씰링부의 적어도 일부는 상기 회로 배선에 직접적으로 접촉되며,
상기 회로 배선과 전원 배선은 서로 다른 층에 배치되며, 상기 회로 배선의 적어도 일부는 상기 전원 배선 상에 중첩되며, 상기 회로 배선의 일 단이 전원 배선에 접속되는 부분에는 돌기부가 배치되며,
상기 돌기부는 상기 회로 배선의 일단과 전원 배선이 접속되는 부분을 커버하며, 상기 밀봉부를 향하여 돌출되고, 상기 회로 배선의 적어도 일부 및 상기 전원 배선의 적어도 일부에 걸쳐서 연장된 디스플레이 장치. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 돌기부의 적어도 일부는 상기 회로 배선의 일단에 중첩되며,
상기 돌기부의 외면은 상기 제 2 씰링부에 직접적으로 접촉된 디스플레이 장치. - 제 6 항에 있어서,
상기 제 2 씰링부의 적어도 일부는 상기 전원 배선에 직접적으로 접촉된 디스플레이 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 제 2 씰링부는 상기 전원 배선 상에 형성된 제 1 부분과, 상기 돌기부와 회로 배선이 중첩된 부분 상에 형성된 제 2 부분과, 상기 회로 배선 상에 형성된 제 3 부분을 포함하며,
상기 제 1 부분, 제 2 부분, 및 제 3 부분은 일체로 형성된 디스플레이 장치. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 2 씰링부는 기판과 밀봉부 사이에 배치되며, 상기 전원 배선, 회로 배선, 및 돌기부를 다같이 매립하는 디스플레이 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 디스플레이부는,
반도체 활성층, 적어도 하나의 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함하는 적어도 하나의 박막 트랜지스터; 및
상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되며, 제 1 전극, 중간층, 및 제 2 전극을 가지는 유기 발광 소자;를 포함하되,
상기 전원 배선은 상기 소스 전극이나, 드레인 전극과 동일한 소재로 형성되며, 상기 회로 배선은 상기 제 1 전극과 동일한 소재로 형성된 디스플레이 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 돌기부의 적어도 일부는 상기 회로 배선의 일단에 중첩되며,
상기 돌기부의 외면에는 금속막이 직접적으로 접촉된 디스플레이 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 금속막은 상기 돌기부의 외면을 감싸게 형성된 디스플레이 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 금속막의 외면에는 상기 제 2 씰링부가 직접적으로 접촉된 디스플레이 장치. - 제 13 항에 있어서,
상기 제 2 씰링부의 적어도 일부는 상기 전원 배선에 직접적으로 접촉된 디스플레이 장치. - 제 14 항에 있어서,
상기 제 2 씰링부는 상기 전원 배선 상에 형성된 제 1 부분과, 상기 금속막, 돌기부, 및 회로 배선이 중첩된 부분 상에 형성된 제 2 부분과, 상기 회로 배선 상에 형성된 제 3 부분을 포함하며,
상기 제 1 부분, 제 2 부분, 및 제 3 부분은 일체로 형성된 디스플레이 장치. - 제 15 항에 있어서,
상기 제 2 씰링부는 기판과, 밀봉부 사이에 배치되며, 상기 전원 배선, 회로 배선, 돌기부, 및 금속막을 다같이 매립하는 디스플레이 장치. - 제 14 항에 있어서,
상기 디스플레이부는,
반도체 활성층, 적어도 하나의 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함하는 적어도 하나의 박막 트랜지스터; 및
상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되며, 제 1 전극, 중간층, 및 제 2 전극을 가지는 유기 발광 소자;를 포함하되,
상기 전원 배선은 상기 소스 전극이나, 드레인 전극과 동일한 소재로 형성되며, 상기 회로 배선은 상기 제 1 전극과 동일한 소재로 형성되며, 상기 금속막은 상기 제 2 전극과 동일한 소재로 형성된 디스플레이 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 돌기부는 디스플레이부 각각의 픽셀을 한정하는 픽셀 정의막과 동일한 소재로 형성된 디스플레이 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 씰링부와 제 2 씰링부는 일체로 형성된 디스플레이 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 씰링부의 바깥쪽으로는 보강재가 더 형성된 디스플레이 장치.
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