DE102005056911A1 - Organisches Elektrolumineszenzdisplay und Herstellverfahren für ein solches - Google Patents
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Abstract
Ein erfindungsgemäßes Elektrolumineszenzdisplay verfügt über ein erstes Substrat (101) und ein zweites Substrat (171), die einander zugewandt sind und über einen Anzeigebereich (DA) und einen diesen umgebenden Nicht-Anzeigebereich (NA) verfügen. Auf dem ersten Substrat ist ein Arrayelement (Tr) ausgebildet, und auf dem zweiten Substrat ist eine Elektrolumineszenzdiode (E) ausgebildet. Das Display verfügt ferner über Gate- und Datenkontaktfleck-Elektroden im Nicht-Anzeigebereich. Die freigelegten Teile derselben bestehen aus einem leitenden Material mit Korrosionsbeständigkeit.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Elektrolumineszenzdisplay und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen, wobei es sich insbesondere um ein organisches Elektrolumineszenzdisplay (OELD) und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen handelt.
- Früher wurden insbesondere Kathodenstrahlröhren zum Anzeigen von Bildern verwendet. Jedoch wurden in den letzten Jahren als Ersatz für diese immer mehr Typen von Flachdisplays entworfen, wie Flüssigkristalldisplays (LCDs), Plasmadisplays (PDPs), Feldemissionsdisplays und Elektrolumineszenzdisplays. Unter diesen Flachdisplays zeigen PDPs Vorteile bei großen Abmessungen, jedoch sind sie schwer und brauchen viel Energie. LCDs zeigen dagegen Vorteile hinsichtlich eines flachen Aufbaus und eines niedrigen Energieverbrauchs, jedoch können sie nicht mit großen Abmessungen gebaut werden. OELD verfügen dagegen über Vorteile hinsichtlich einer kurzen Ansprechzeit, hoher Helligkeit und großer Betrachtungswinkel.
- Die
1 ist ein schematisches Schaltbild eines bekannten OELD. Bei diesem erstreckt sich eine Gateleitung GL entlang einer ersten Richtung, während sich eine Datenleitung DL und eine Spannungsversorgungsleitung PSL getrennt voneinander entlang einer zweiten Richtung, orthogonal zur ersten Richtung, erstrecken. Diese Leitungen bilden einen Sub-Pixelbereich SP. - Im Schnittstellenbereich zwischen einer jeweiligen Gateleitung GL und einer Datenleitung DL ist ein schaltender Dünnschichttransistor SwT als Adressierelement angeordnet, mit dem ein Speicherkondensator CST und die Spannungsversorgungsleitung PSL verbunden sind. Mit dem Speicherkondensator CST und der Spannungsversorgungsleitung PSL als Stromquellenelement ist auch ein Treiber-Dünnschichttransistor verbunden, an den eine organische EL(Elektrolumineszenz)-Diode E angeschlossen ist.
- Wenn der Diode E ein Durchlassstrom zugeführt wird, rekombinieren jeweils ein Elektron und ein Loch, um am p(positiv)-n(negativ)-Übergang zwischen einer die Löcher liefernden Anode und einer die Elektronen liefernden Kathode jeweilige Elektron-Loch-Paare zu erzeugen. Da ein solches Paar eine Energie aufweist, die niedriger als die des Elektrons und des Lochs im getrennten Zustand sind, existiert zwischen dem rekombinierten Zustand und dem getrennten Elektron-Loch-Paar eine Energiedifferenz, die als Lichtenergie emittiert wird.
- Im Allgemeinen sind sowohl ein über den Schalt- und auch den Treiber-Dünnschichttransistor verfügendes Arrayelement als auch die organische EL-Diode auf einem Arraysubstrat ausgebildet, und dieses ist an einem Einschließsubstrat angebracht. Dadurch ist die Herstelleffizienz für ein derartiges OELD verringert. Wenn z.B. entweder ein Arrayelement oder die zugehörige Diode nach der Herstellung einen Defekt zeigt, ist das Arraysubstrat nicht verwendbar, so dass die Herstelleffizienz für derartige OELDs verringert ist.
- Um dieses Problem zu lösen, wurde ein Doppeltafel-OELD vorgeschlagen, bei dem die Arrayelemente und die organische EL-Diode auf verschiedenen Substraten ausgebildet sind.
- Die
2 ist eine Schnittansicht eines derartigen bekannten Doppeltafel-OELD, und die3 ist eine Schnittansicht eines Datenkontaktfleck-Bereichs desselben. - Wie es in den
2 und3 dargestellt ist, sind ein erstes und ein zweites Substrat1 und71 beabstandet voneinander angeordnet. In diesen zwei Substraten1 und71 sind ein Anzeigebereich DA zum Anzeigen von Bildern und ein diesen umgebender Nicht-Anzeigebereich NA ausgebildet. Ein Abdichtungsmuster93 hält das erste und das zweite Substrat1 und71 im Nicht-Anzeigebereich NA aneinander. In einem Sub-Pixelbereich SP auf dem ersten Substrat1 ist ein Arrayelement mit einem Treiber-Dünnschichttransistor Tr und einem Schalt-Dünnschichttransistor (nicht dargestellt) angeordnet. Auf dem zweiten Substrat71 ist im Sub-Pixelbereich SP eine organische EL-Diode E angeordnet, die über eine erste Elektrode75 , eine organische Emissionsschicht87 und eine zweite Elektrode90 verfügt, die sequenziell auf der Innenfläche des zweiten Substrats71 angeordnet sind. Die organische Emissionsschicht87 verfügt über organische Emissionsschichten87a ,87b und87c für rot (R), grün (G) und blau (B) in den jeweiligen Sub-Pixelbereichen SP. Die zweite Elektrode90 ist in jedem Sub-Pixelbereich SP angeordnet. Eine Passivierungsschicht45 bedeckt das Substrat1 mit dem Treiber-Dünnschichttransistor Tr, und sie enthält ein Drain-Kontaktloch47 , das eine Drain-Elektrode35 freilegt. Auf der Passivierungsschicht45 in jedem Sub-Pixelbereich SP ist eine Verbindungs-Elektrode55 angeordnet, die durch das Drain-Kontaktloch47 mit der Drain-Elektrode35 verbunden ist. Ein Verbindungsmuster91 verbindet die Verbindungs-Elektrode55 und die zweite Elektrode90 in jedem Sub-Pixelbereich SP. - In einem Gatekontaktfleck-Bereich GPA des Nicht-Anzeigebereichs NA ist eine Gatekontaktfleck-Elektrode
11 in derselben Schicht wie die Gate-Elektrode9 und die Gateleitung (nicht dargestellt) angeordnet. Die Gatekontaktfleck-Elektrode11 besteht aus demselben Material wie die Gate-Elektrode9 . Im Datenkontaktfleck-Bereich DPA des Nicht-Anzeigebereichs NA ist eine Datenkontaktfleck-Elektrode38 in derselben Schicht wie Source- und Drain-Elektroden33 und35 und die Datenleitung (nicht dargestellt) auf einem Gateiso lator14 angeordnet. Auf der Passivierungsschicht45 sind Gate- und Datenkontaktfleck-Elektrodenanschlüsse57 und60 ausgebildet, die durch die Gate- bzw. Datenkontaktfleck-Kontaktlöcher49 bzw.51 mit den Gate- bzw. Datenkontaktfleck-Elektroden11 bzw.38 in Kontakt stehen. Die Gate- und Datenkontaktfleck-Elektrodenanschlüsse57 und60 bestehen aus demselben Material wie die Verbindungs-Elektrode55 . - Um Grenzflächeneigenschaften und Kontaktwiderstände zwischen der Verbindungs-Elektrode
55 und dem Verbindungsmuster91 sowie zwischen diesem und der zweiten Elektrode90 zu verbessern, bestehen die Verbindungs-Elektrode55 , das Verbindungsmuster91 und die zweite Elektrode90 aus demselben Material. Wenn die zweite Elektrode90 als Kathode wirkt, wird sie aus Aluminium (Al) mit niedriger Arbeitsfunktion hergestellt. Demgemäß werden auch die Verbindungs-Elektrode55 und das Verbindungsmuster91 aus Aluminium hergestellt. - Wenn Aluminium Luft ausgesetzt wird, korrodiert es. Die Verbindungs-Elektrode
55 , das Verbindungsmuster91 und die zweite Elektrode90 aus Aluminium korrodieren jedoch nicht leicht, da sie im durch das Abdichtmuster93 eingeschlossenen Anzeigebereich DA angeordnet sind. Anders gesagt, befindet sich der Raum zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat, der durch das Abdichtmuster93 umschlossen ist, in einem Vakuumzustand, oder er ist mit einem Inertgas gefüllt. Jedoch sind die Gate- und Datenkontaktfleck-Elektrodenanschlüsse57 und60 , die aus demselben Material wie die Verbindungs-Elektrode55 , also Aluminium, bestehen, Luft ausgesetzt, weswegen sie leicht korrodieren. - Ferner werden die Gate- und Datenkontaktfleck-Elektroden
11 und38 im Allgemeinen aus einem Material mit niedrigem spezifischem Widerstand hergestellt, um Signalverzögerungen zu vermeiden, wie Aluminium, einer Aluminiumlegierung (z.B. AlNd), aus Aluminium/Molybdän (Mo) oder einer Aluminiumlegierung (AlNd)/Molybdän, so dass sie leicht korrodieren, wenn sie Luft ausgesetzt sind, was selbst dann gilt, wenn die Gate- und Datenkontaktfleck-Elektrodenanschlüsse57 und60 nicht in den Gate- bzw. Datenkontaktfleck-Bereichen GPA bzw. DPA ausgebildet sind. Insbesondere kann selbst dann, wenn die Gate- und die Datenkontaktfleck-Elektroden11 und38 über eine Doppelschichtstruktur verfügen, bei der die obere Schicht aus Molybdän und die untere Schicht aus entweder Aluminium oder einer Aluminiumlegierung (z.B. Al/Nd) bestehen, die untere Schicht Luft ausgesetzt sein, so dass sie korrodiert, da die obere Schicht bei einem Prozess zum Ausbilden der Kontaktlöcher47 ,49 und51 gemeinsam mit der Passivierungsschicht45 geätzt werden kann. - Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein OELD und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen anzugeben, bei denen die Korrosion eines Kontaktfleckbereichs verhindert ist und die Herstelleffizienz verbessert ist.
- Diese Aufgabe ist durch die OELDs gemäß den beigefügten unabhängigen Ansprüche 1 und 47 sowie das Verfahren gemäß dem Anspruch 23 gelöst.
- Nachfolgend wird die Erfindung anhand von durch Figuren veranschaulichten Ausführungsformen näher erläutert.
-
1 ist ein schematisches Schaltbild eines OELD gemäß dem Stand der Technik; -
2 ist eine Schnittansicht eines Doppeltafel-OELD gemäß dem Stand der Technik; -
3 ist eine Schnittansicht eines Datenkontaktfleck-Bereichs des OELD der2 ; -
4A ist eine Schnittansicht eines Doppeltafel-OELD gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung; -
4B ist eine Schnittansicht eines Datenkontaktfleck-Bereichs des OELD der4A ; -
5A ist eine Schnittansicht eines Doppeltafel-OELD gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung; -
5B ist eine Schnittansicht eines Datenkontaktfleck-Bereichs des OELD der5A ; -
6 ist eine Schnittansicht eines Doppeltafel-OELD gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung; -
7 und8 sind Schnittansichten entlang den Linien VII-VII und VIII-VIII in der6 ; und -
9A bis9H sowie10A bis10H sind Schnittansichten entlang der Linien VII-VII und VIII-VIII in der6 zum Veranschaulichen eines Verfahrens zum Herstellen eines ersten Substrats des OELD gemäß der dritten Ausführungsform der Erfindung. - Wie es in den
4A und4B zu einem Doppeltafel-OELD gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung dargestellt ist, verfügt diese über ein erstes und ein zweites Substrat101 und171 , die voneinander beabstandet einander gegenüber stehen. Bei diesen zwei Substraten101 und171 sind ein Anzeigebereich DA und ein diesen umgebender Nicht-Anzeigebereich Da ausgebildet. Im Nicht-Anzeigebereich NA ist ein den Anzeigebereich DA umgebendes Abdichtmuster193 vorhanden. - An der Innenseite des zweiten Substrats
171 ist eine OELD EL-Diode E vorhanden, die über eine erste Elektrode175 , eine organische Emissionsschicht187 und eine zweite Elektrode190 verfügt, die aufeinanderfolgend auf der Innenseite des zweiten Substrats171 angeordnet sind. - Die erste Elektrode
175 ist auf der gesamten Innenseite des zweiten Substrats171 angeordnet. Auf dieser ersten Elektrode175 sind ein erstes und ein zweites Isoliermuster177 und178 ausgebildet. Auf dem ersten Isoliermuster177 ist ein zwischen benachbarten Sub-Pixelbereichen SP angeordneter Trennsteg181 ausgebildet, und auf dem zweiten Isoliermuster178 ist ein Abstandshalter184 ausgebildet, der über eine größere Höhe als der Trennsteg181 verfügt, so dass die zweite Elektrode190 mit der Verbindungs-Elektrode175 in Kontakt steht. Die organische Emissionsschicht187 verfügt über Emissionsschichten187a ,187b und187c für rot(R), grün(G) und blau(b). Die organische Elektrode187 ist in jedem Sub-Pixelbereich SP angeordnet und durch den Trennsteg181 umgeben. Auch ist die zweite Elektrode190 auf der organischen Elektrode187 in jedem Sub-Pixelbereich SP angebracht und durch den Trennsteg181 umgeben. - Auf dem Gebiet der OELD-Technologie werden die Begriffe Anode und Kathode austauschbar verwendet, wobei die Anode im Allgemeinen aus einem Material mit einer Arbeitsfunktion besteht, die höher als die der Kathode ist. So kann die erste Elektrode
175 im OELD entweder als Kathode oder als Anode wirken, und wenn sie als Kathode fungiert, fungiert die zweite Elektrode190 als Anode. Wenn dagegen die erste und die zweite Elektrode175 und190 als Anode bzw. Kathode fungieren, kann die erste Elektrode175 über eine höhere Arbeitsfunktion als die zweite Elektrode190 verfügen. In diesem Fall kann die erste Elektrode175 aus einem transparenten, leitenden Material wie Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO) bestehen, und die zweite Elektrode160 kann aus einem undurchsichtigen, leitenden Material bestehen, wie einem Alkalimetall, einem Erdalkalimetall, Aluminium (Al) einer Aluminiumlegierung (z.B. AlNd), Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Titan (Ti) oder einer Legierung dieser Materialien. Alternativ kann es gerade umgekehrt sein. - Auf der Innenfläche des zweiten Substrats
171 ist in jedem Sub-Pixelbereich SP ein Abstandshalter184 mit einer Höhe über der des Trennstegs181 angeordnet, so dass die zweite Elektrode190 mit der Verbindungs-Elektrode155 auf dem ersten Substrat101 in Kontakt steht. Die organische Elektrode187 in jedem Sub-Pixelbereich SP ist durch den Abstandshalter184 getrennt. Auch ist die zweite Elektrode190 im Sub-Pixelbereich SP kontinuierlich, und sie verfügt über einen ersten Abschnitt auf der organischen Emissionsschicht187 sowie einen zweiten Abschnitt, der den Abstandshalter184 bedeckt. Der zweite Abschnitt, über den der Abstandshalter184 über steht, steht mit der Verbindungs-Elektrode155 in Kontakt. - Obwohl es in den Zeichnungen nicht dargestellt ist, befinden sich auf der Innenseite des ersten Substrats
101 eine Gateleitung sowie eine Datenleitung und eine Spannungsversorgungsleitung, die die Gateleitung schneiden, wodurch ein Sub-Pixelbereich SP gebildet ist. Auch ist auf der Innenseite des ersten Substrats101 ein Arrayelement mit einem Treiber-Dünnschichttransistor Tr und einem Schalt-Dünnschichttransistor (nicht dargestellt) angebracht. Der Treiber-Dünnschichttransistor Tr verfügt über eine Gate-Elektrode109 auf dem ersten Substrat101 , einen diese bedeckenden Gateisolator114 , eine Halbleiterschicht120 auf diesem sowie eine Source- und eine Drain-Elektrode133 und135 auf der Halbleiterschicht120 . Die Halbleiterschicht120 verfügt über eine aktive Schicht120a und eine Ohm'sche Kontaktschicht120b . Eine Passivierungsschicht145 ist so angeord net, dass sie das Arrayelement und die Datenleitung bedeckt. Die Verbindungs-Elektrode155 ist im Sub-Pixelbereich SP auf der Passivierungsschicht145 angeordnet, und sie steht durch ein Drainkontaktloch147 mit der Drain-Elektrode135 in Kontakt. - Im Nicht-Anzeigebereich NA des ersten Substrats
101 sind eine Gate- und eine Datenkontaktfleck-Elektrode111 und138 am jeweiligen Ende einer Gate- bzw. einer Datenleitung angeordnet. Auf der Gatekontaktfleck-Elektrode111 sind ein Gateisolator114 und die Passivierungsschicht145 mit einem Gatekontaktfleck-Kontaktloch149 angeordnet. Auf der Datenkontaktfleck-Elektrode138 ist die Passivierungsschicht145 mit einem Datenkontaktfleck-Kontaktloch151 angeordnet. Auf der Passivierungsschicht145 sind Gate- und Datenkontaktfleck-Elektrodenanschlüsse157 und160 angeordnet, die durch die Gate- und Datenkontaktfleck-Kontaktlöcher149 bzw.151 mit den Gate- bzw. Datenkontaktfleck-Elektroden111 und138 in Kontakt stehen. - Die mit der zweiten Elektrode
190 in Kontakt stehende Verbindungs-Elektrode155 kann wegen Schnittstelleneigenschaften und Kontaktwiderständen zwischen diesen beiden aus demselben Material wie die zweite Elektrode190 bestehen. Die Verbindungs-Elektrode155 und die zweite Elektrode190 können aus einem leitenden Material wie Aluminium, einer Aluminiumlegierung (z.B. AlNd), Kupfer, Molybdän, Titan oder einer Legierung hiervon bestehen. - Die Gate- und Datenkontaktfleck-Elektrodenanschlüsse
157 und160 , die der Luft ausgesetzt sind, bestehen aus einem leitenden Material mit Korrosionsbeständigkeit, wie ITO oder IZO. - Das durch die
5A und5B veranschaulichte OELD der zwei ten Ausführungsform ist mit Ausnahme von Strukturen der Gate- und Datenkontaktflecke demjenigen gemäß der ersten Ausführungsform ähnlich. Daher wird eine detaillierte Erläuterung zu Teilen weggelassen, die solchen bei der ersten Ausführungsform ähnlich sind. - Wie es aus den
5A und5B erkennbar ist, verfügen die Gate- und die Datenkontaktfleck-Elektrodenanschlüsse257 und260 über eine Doppelschichtstruktur. Untere Schichten257a und260a derselben können aus demselben Material wie die Verbindungs-Elektrode255 und die zweite Elektrode290 bestehen. Anders gesagt, können die unteren Schichten257a und260a aus einem leitenden Material mit niedriger Arbeitsfunktion bestehen, wie Aluminium oder einer Aluminiumlegierung (z.B. AlNd). Die oberen Schichten257b und260b der Gate- und der Datenkontaktfleck-Elektrodenanschlüsse257 und260 können aus einem leitenden Material mit Korrosionsbeständigkeit bestehen, wie ITO ider IZO. Die Korrosion der Gate- und der Datenkontaktfleck-Elektrodenanschlüsse257 und260 kann dadurch minimiert oder verhindert werden, dass die korrosionsbeständigen oberen Schichten257b und260b auf den unteren Schichten257a und260a hergestellt werden, die für Korrosion anfällig sind. - Bei der ersten und der zweiten Ausführungsform, wie sie oben beschrieben sind, wird ein transparentes, leitendes Material mit Korrosionsbeständigkeit, wie ITO oder IZO, dazu verwendet, zu verhindern, dass die Gate- und die Datenkontaktfleck-Elektrodenanschlüsse unter Lufteinwirkung korrodieren. Um eine derartig korrosionsbeständige Schicht herzustellen, ist ein zusätzlicher Maskenprozess erforderlich.
- Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die
6 ein OELD gemäß einer dritten Ausführungsform beschrieben, bei dem Korrosionsvorgänge der Gate- und der Datenkontaktflecke mi nimiert oder verhindert werden können, ohne dass ein zusätzlicher Maskenprozess erforderlich wäre. - Wie es in der
6 dargestellt ist, verfügt das OELD über einen Anzeigebereich DA, in dem mehrere Sub-Pixelbereiche SP angeordnet sind, sowie einen Nicht-Anzeigebereich NA, in dem Gate- und Datenkontaktflecke angeordnet sind, die mit Treibersignalen versorgt werden. Die Sub-Pixelbereiche SP werden durch die einander schneidenden Gate- und Datenleitungen305 und330 gebildet. - Obwohl es in der
6 nicht dargestellt ist, ist in jedem Sub-Pixelbereich SP ein Arrayelement mit einem Schalt-Dünnschichttransistor und einem Treiber-Dünnschichttransistor auf einem ersten Substrat angeordnet, und eine organische EL-Diode mit einer ersten Elektrode, einer organischen Emissionsschicht und einer zweiten Elektrode ist auf einem dem ersten Substrat zugewandten zweiten Substrat angeordnet. - Die Gateleitung
305 erstreckt sich entlang einer ersten Richtung in einen Gatekontaktfleck-Bereich GPA des Nicht-Anzeigebereichs NA, und an ihrem einen Ende ist im Gatekontaktfleck-Bereich GPA eine Gatekontaktfleck-Elektrode309 angeordnet. - Die Datenleitung
330 erstreckt sich entlang einer zweiten Richtung, die die erste Richtung schneidet, in einen Grenzbereich zwischen dem Anzeigebereich DA und dem Nicht-Anzeigebereich NA. Von der Datenleitung330 ist eine Datenverbindungsleitung307 beabstandet, die sich entlang der zweiten Richtung im Nicht-Anzeigebereich NA erstreckt, und an einem Ende derselben ist in einem Datenkontaktfleck-Bereich DPA eine Datenkontaktfleck-Elektrode338 angeordnet. Die Datenverbindungsleitung307 und die Datenkontaktfleck-Elektrode338 bestehen aus demselben Material wie die Gateleitung305 . - Die Datenverbindungsleitung
307 ist über ein Verbindungsmuster356 , das sich über den Grenzbereich zwischen dem Anzeigebereich DA und dem Nicht-Anzeigebereich NA erstreckt, mit der Datenleitung330 verbunden. Um die Datenleitung330 und die Datenverbindungsleitung307 zu verbinden, steht das Verbindungsmuster356 über ein erstes Verbindungskontaktloch352 mit einem Ende der Datenleitung330 in Kontakt, und es steht durch ein zweites Verbindungskontaktloch353 mit dem anderen Ende der Datenverbindungsleitung307 in Kontakt. Ein Teil des Verbindungsmusters356 liegt unter einem Abdichtmuster393 , und der andere Teil des Verbindungsmusters356 ist durch das Abdichtmuster393 umgeben, und so ist das Verbindungsmuster356 nicht der Luft ausgesetzt. Anders gesagt, ist das Verbindungsmuster356 durch eine Kontur des Abdichtmusters393 umgeben. Demgemäß korrodiert das Verbindungsmuster356 nicht, da der Raum zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat, der durch das Abdichtmuster393 umschlossen ist, evakuiert ist oder mit einem Inertgas gefüllt ist. - Anhand der
7 und8 wird nun das OELD gemäß der dritten Ausführungsform näher erläutert, das der ersten und der zweiten Ausführungsform mit Ausnahme der Schichtungsstrukturen der Gate- und Datenkontaktflecke und der Verbindungsstrukturen der Datenleitung und der Datenverbindungsleitung ähnlich ist. Demgemäß wird eine detaillierte Erläuterung ähnlicher Teile weggelassen. - Wie es aus den
7 und8 erkennbar ist, ist in einem Anzeigebereich DA eines ersten Substrats301 ein Arrayelement mit einem Treiber-Dünnschichttransistor Tr und einem Schalt-Dünnschichttransistor (nicht dargestellt) in jedem Sub-Pixelbereich SP angeordnet. Der Treiber-Dünnschichttransistor Tr verfügt über eine Gate-Elektrode309 an der Innenseite des ersten Substrats301 , einen Gateisolator314 auf der Gate-Elektrode309 , eine Halbleiterschicht320 auf dem Gateisolator314 sowie eine Source- und eine Drain-Elektrode333 und335 auf der Halbleiterschicht320 . Auf dem gesamten ersten Substrat301 mit dem Treiber-Dünnschichttransistor Tr ist eine Passivierungsschicht345 angeordnet. - In einem Gatekontaktfleck-Bereich GPA eines Nicht-Anzeigebereichs NA des ersten Substrats
301 erstreckt sich eine Gatekontaktfleck-Elektrode311 ausgehend von einer Gateleitung (305 in der6 ), wobei sie an einem Ende derselben angeordnet ist. Auch ist im Nicht-Anzeigebereich NA eine Datenverbindungsleitung307 angeordnet, die mit der Datenleitung330 verbunden ist, und eine Datenkontaktfleck-Elektrode338 erstreckt sich ausgehend von der Datenverbindungsleitung307 , wobei sie an einem Ende derselben in einem Datenkontaktfleck-Bereich GPA angeordnet ist. Die Datenverbindungsleitung307 und die Datenkontaktfleck-Elektrode338 bestehen aus demselben Material wie die Gateleitung und die Gatekontaktfleck-Elektrode311 , und sie sind in derselben Schicht wie diese angeordnet. - Die Gateleitung, die Gatekontaktfleck-Elektrode
311 , die Datenverbindungsleitung307 und die Datenkontaktfleck-Elektrode338 verfügen über mindestens zwei Schichten. Untere Schichten307a ,311a und338a der Gateleitung, der Datenverbindungsleitung307 , der Gatekontaktfleck-Elektrode311 und der Datenkontaktfleck-Elektrode338 können aus einem transparenten, leitenden Material mit Korrosionsbeständigkeit bestehen, wie ITO oder IZO. Die oberen Schichten307b ,311b und338b können aus einem leitenden Material mit kleinem spezifischem Widerstand bestehen, wie Aluminium oder einer Aluminiumlegierung (z.B. AlNd). Obwohl in den7 und8 eine obere Schicht307b ,311b und338b mit einschichtigem Aufbau dargestellt ist, kann es sich um eine Doppelschicht handeln, wie eine solche aus Aluminium/Molybdän (Mo) oder einer Aluminiumlegierung (z.B. AlNd)/Molybdän. - Der Gateisolator
314 und die Passivierungsschicht345 sind sequenziell auf der Gateleitung, der Datenverbindungsleitung307 , der Gatekontaktfleck-Elektrode311 und der Datenkontaktfleck-Elektrode338 angeordnet. Im Gate- und im Datenkontaktfleck-Bereich GPA bzw. DPA verfügen der Gateisolator314 und die Passivierungsschicht345 über Gate- bzw. Datenkontaktfleck-Kontaktlöcher349 bzw.351 , die die Gate- bzw. Datenkontaktfleck-Elektroden311 bzw.338 freilegen. Insbesondere sind die oberen Schichten311b und338b der Gate- und der Datenkontaktfleck-Elektroden311 und338 entfernt, um über die Gate- und Datenkontaktfleck-Kontaktlöcher349 und351 zu verfügen, so dass die unteren Schichten311a und338a durch diese hindurch frei liegen. Da die oberen Schichten311b und338b korrosionsanfällig sind, und da die unteren Schichten311a und338a korrosionsbeständig sind, werden die oberen Schichten311b und338b geätzt, um die unteren Schichten331a und338a freizulegen. Demgemäß kann die Korrosion der Gate- und der Datenkontaktfleck-Elektroden311 und338 minimiert oder verhindert werden. - Ferner verfügt die Passivierungsschicht
345 über ein erstes Verbindungskontaktloch352 , das ein Ende der Datenleitung330 freilegt, und die Passivierungsschicht345 und der Gateisolator314 verfügen über ein zweites Verbindungskontaktloch353 , das das andere Ende der Datenverbindungsleitung307 freilegt, und so steht ein Verbindungsmuster356 durch das erste und zweite Verbindungskontaktloch352 und353 mit der Datenleitung330 bzw. der Datenverbindungsleitung307 in Kontakt. Demgemäß ist die Datenleitung330 durch das Verbindungsmuster356 mit der Datenverbindungsleitung307 verbunden. - Ein Teil des Verbindungsmusters
356 liegt unter einem Ab dichtmuster393 , und sein anderer Teil ist durch dieses umgeben. Der andere Teil des Verbindungsmusters356 , der in einem durch das Abdichtmuster393 umschlossenen Raum zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat frei liegt, wird nicht korrodiert, da dieser Raum evakuiert ist oder mit einem Inertgas gefüllt ist. Auch korrodiert der Teil des Verbindungsmusters356 unter dem Abdichtmuster393 nicht, da er aufgrund desselben nicht mit der Außenluft in Kontakt steht. Demgemäß kann das Verbindungsmuster35b , das der Luft nicht ausgesetzt ist, aus einem leitenden Material mit niedrigem spezifischem Widerstand hergestellt werden, auch wenn dieses Material korrosionsanfällig ist. - Wie oben beschrieben, verfügen die Gate- und die Datenkontaktfleck-Elektroden bei der dritten Ausführungsform über untere Schichten mit Korrosionsbeständigkeit, wobei diese unteren Schichten der Luft ausgesetzt sind. Ferner ist das Verbindungsmuster aufgrund des Abdichtmusters gegen die Luft abgeschirmt. Daher kann die Korrosion der Gate- und der Datenkontaktfleck-Elektroden sowie des Verbindungsmusters minimiert oder verhindert werden.
- Anhand der
9A bis9H sowie10A bis10H wird nun ein Verfahren zum Herstellen eines ersten Substrats eines Doppeltafel-OELD gemäß der dritten Ausführungsform der Erfindung erläutert. - Wie es aus den
9A und10A erkennbar ist, wird ein erstes leitendes Material mit Korrosionsbeständigkeit, wie ITO oder IZO, auf einem ersten Substrat301 abgeschieden, um eine erste Schicht (eine untere Schicht) herzustellen. Anschließend wird ein zweites leitendes Material mit kleinem spezifischem Widerstand auf der ersten Schicht abgeschieden, um eine zweite Schicht (eine obere Schicht) herzustellen. Die zweite Schicht kann über einschichtigen Aufbau aus z.B. - Aluminium, einer Aluminiumlegierung (z.B. AlNd), Kupfer, Molybdän oder Titan oder eine mehrschichtige Struktur aus mindestens zweien der obigen Materialien verfügen.
- Zum Strukturieren der ersten und der zweiten Schicht wird ein Maskenprozess (d.h. ein Fotolithografieprozess) ausgeführt, bei dem ein Fotoresist auf der ersten und der zweiten Schicht abgeschieden wird, Licht mit einer Maske aufgestrahlt wird, der Fotoresist entwickelt wird, die erste und die zweite Schicht geätzt werden und der restliche Fotoresist abgezogen oder verascht wird. Mittels des Maskenprozesses werden eine Gateleitung (
305 in der6 ), eine sich ausgehend von dieser erstreckende Gate-Elektrode309 , eine Gatekontaktfleck-Elektrode311 in einem Gatekontaktfleck-Bereich GPA, eine Datenverbindungsleitung307 in einem Nicht-Anzeigebereich NA sowie eine Datenkontaktfleck-Elektrode338 in einem Datenkontaktfleck-Bereich DPA ausgebildet. Die Gateleitung, die Datenverbindungsleitung307 , die Gate-Elektrode309 , die Gatekontaktfleck-Elektrode311 und die Datenkontaktfleck-Elektrode338 verfügen jeweils über die erste strukturierte Schicht (die untere Schicht)307a ,309a ,311a bzw.338a sowie die strukturierte zweite Schicht (die obere Schicht)307b ,309b ,311b bzw.338b . - Wie es in den
9B und10B dargestellt ist, wird auf dem gesamten Substrat101 mit der Gate-Elektrode309 ein anorganisches Isoliermaterial abgeschieden, um einen Gateisolator314 auszubilden. Das organische Isoliermaterial kann z.B. Siliciumoxid (SiO2) oder Siliciumnitrid (SiNx) sein. - Wie es in den
9C und10C dargestellt ist, werden amorphes Silicium (a-Si) und mit einem Fremdstoff dotiertes amorphes Silicium (N+-a-Si) sequenziell auf dem Gateisolator314 abgeschieden und dann mit einem Maskenprozess strukturiert, um eine Halbleiterschicht320 auszubilden, die über eine aktive Schicht320a aus dem amorphen Silicium und eine Ohm'sche Kontaktschicht320b aus dem Fremdstoff-dotierten amorphen Silicium verfügt. - Wie es in den
9D und10D dargestellt ist, wird auf dem Substrat301 mit der Halbleiterschicht320 ein drittes leitendes Material abgeschieden, das mit einem Maskenprozess strukturiert wird, um eine Datenleitung330 sowie eine Source- und eine Drain-Elektrode333 und335 auszubilden. Das dritte leitende Material kann Aluminium, eine Aluminiumlegierung (z.B. AlNd), Chrom, Molybdän, Titan, Kupfer oder eine Kupferlegierung sein. Auch können die Datenleitung330 sowie die Source- und die Drain-Elektrode333 und335 über eine Mehrschichtstruktur aus mindestens zweien der obigen Materialien verfügen. Die Datenleitung330 schneidet die Gateleitung, um in einem Anzeigebereich DA einen Sub-Pixelbereich SP zu bilden. Die Source- und die Drain-Elektrode333 und335 sind voneinander beabstandet, und sie stehen mit der darunter vorhandenen Ohm'schen Kontaktschicht320b in Kontakt. Die Gate-Elektrode309 , der Gateisolator314 , die Halbleiterschicht320 sowie die Source- und die Drain-Elektrode333 und335 bilden einen Treiber-Dünnschichttransistor Tr. Obwohl es in den Zeichnungen nicht dargestellt ist, wird gleichzeitig mit dem Treiber-Dünnschichttransistor Tr ein Schalt-Dünnschichttransistor hergestellt, der eine ähnliche Struktur wie der Treiber-Dünnschichttransistor Tr aufweist. - Wie es in den
9E und10E dargestellt ist, wird auf dem gesamten Substrat301 mit der Datenleitung330 ein organisches oder ein anorganisches Isoliermaterial abgeschieden, um eine Passivierungsschicht345 auszubilden. Das organische Isoliermaterial kann z.B. Benzocyclobuten (BCB) oder ein Fotoacryl sein, und das anorganische Isoliermaterial kann z.B. Siliciumoxid (SiO2) oder Siliciumnitrid (SiNx) sein. Die Passivierungsschicht345 wird mit einem Maskenprozess strukturiert, um ein die Drain-Elektrode355 freilegendes Drainkontaktloch347 und ein erstes Verbindungskontaktloch352 , das ein Ende der Datenleitung330 freilegt, auszubilden. Auch wird der Gateisolator314 gemeinsam mit der Passivierungsschicht345 strukturiert, um ein die Gatekontaktfleck-Elektrode311 freilegendes Gatekontaktfleck-Kontaktloch349 , ein die Datenkontaktfleck-Elektrode338 freilegendes Datenkontaktfleck-Kontaktloch351 und ein das andere Ende der Datenverbindungsleitung307 freilegendes zweites Verbindungskontaktloch353 auszubilden. - Wie es in den
9F und10F dargestellt ist, wird auf der Passivierungsschicht345 ein viertes leitendes Material abgeschieden, auf dem ein Fotoresist abgeschieden wird. Das vierte leitende Material kann ein solches sein, wie es für die zweite Elektrode (390 in der7 ) verwendet wird, wie Aluminium oder eine Aluminiumlegierung (z.B. AlNd) mit niedriger Arbeitsfunktion. Am Fotoresist werden Belichtungs- und Entwicklungsprozesse ausgeführt, um ein Fotoresistmuster359 auszubilden. Dann wird die vierte Schicht aus dem leitenden Material mit dem Fotoresistmuster359 strukturiert, um eine Verbindungselektrode355 , die durch das Drainkontaktloch347 mit der Drain-Elektrode335 in Kontakt steht, und ein Verbindungsmuster356 auszubilden, das mit der Datenleitung330 und der Datenverbindungsleitung307 durch das erste bzw. zweite Verbindungskontaktloch352 bzw.353 in Kontakt steht. Das Fotoresistmuster359 verbleibt noch auf der Verbindungs-Elektrode355 und dem Verbindungsmuster356 . - Wie es in den
9G und10G dargestellt ist, wird ein Trocken- oder Nassätzvorgang ausgeführt, während das Fotoresistmuster359 noch auf der Verbindungs-Elektrode355 und dem Verbindungsmuster35G vorhanden ist. Durch diesen Ätzprozess werden die zweiten Schichten (die oberen Schichten)311b und338b der Gate- bzw. Datenkontaktfleck-Elektroden311 bzw.338 , die durch die Gate- bzw. Datenkontaktfleck-Kontaktlöcher349 bzw.351 hindurch frei liegen, entfernt, wodurch die ersten Schichten (die unteren Schichten)311a und338a der Gate- bzw. der Datenkontaktfleck-Elektroden311 bzw.338 freigelegt werden. Anders gesagt, werden die zweiten Schichten311b und338b mit kleinem spezifischem Widerstand, die korrosionsanfällig sind, durch den Ätzprozess entfernt, und es werden die ersten Schichten311a und338b mit Korrosionsbeständigkeit freigelegt. - Wie es aus den
9H und10H erkennbar ist, wird abschließend das Fotoresistmuster (359 in den9G und10G ) durch einen Abhebe- oder Veraschungsprozess entfernt. - Durch diesen Prozess wird das erste Substrat-Doppeltafel-OELD gemäß der dritten Ausführungsform hergestellt.
- Nun wird unter Bezugnahme auf die
7 und8 ein Herstellverfahren für das zweite Substrat für dieses Doppeltafel-OELD beschrieben. - Wie es aus diesen Figuren erkennbar ist, wird die erste Elektrode
375 auf dem gesamten zweiten Substrat371 hergestellt. Dabei wird die erste Elektrode375 aus einem transparenten, leitenden Material wie ITO oder IZO mit hoher Arbeitsfunktion hergestellt. Wenn die erste Elektrode375 über eine höhere Arbeitsfunktion als die zweite Elektrode390 verfügt, wirken sie als Anode bzw. Kathode. - Auf der ersten Elektrode
375 wird ein anorganisches Isoliermaterial abgeschieden und strukturiert, um ein erstes und ein zweites Isoliermuster377 und378 auszubilden. Das erste Isoliermuster377 wird zwischen benachbarten Sub-Pixelbereichen SP ausgebildet, und das zweite Isoliermuster378 wird in einem jeweiligen Sub-Pixelbereich SP ausgebildet. - Auf dem Substrat
371 mit den Isoliermustern377 und378 wird ein organisches Isoliermaterial abgeschieden, das zum Ausbilden eines Trennstegs381 und eines Abstandshalters384 strukturiert wird. Der Trennsteg381 wird auf dem ersten Isoliermuster377 ausgebildet, und der Abstandshalter384 wird auf dem zweiten Isoliermuster378 ausgebildet. Der Abstandshalter384 verfügt über eine größere Höhe als der Trennsteg381 , so dass die zweite Elektrode390 mit der Verbindungs-Elektrode355 in Kontakt steht. - Um den Trennsteg
381 und den Abstandshalter384 mit verschiedenen Höhen auszubilden, kann ein Beugungs- oder ein Halbton-Belichtungsverfahren verwendet werden. Beispielsweise wird ein Fotoresist auf dem für den Trennsteg381 und den Abstandshalter384 verwendeten organischen Isoliermaterial abgeschieden. Dann wird eine Beugungs- oder Halbtonbelichtung am Fotoresist ausgeführt, um erste und zweite Fotoresistmuster entsprechend den ersten bzw. den zweiten Isoliermustern377 bzw.378 auszubilden, und es werden Teile des Fotoresists, mit Ausnahme derjenigen für die ersten und zweiten Fotoresistmuster, entfernt. Das zweite Fotoresistmuster verfügt über eine größere Höhe als das erste. Dann wird das durch das erste und das zweite Fotoresistmuster freigelegte organische Isoliermaterial entfernt, um unter ihnen erste und zweite organische Isoliermuster auszubilden. Dann wird das erste Fotoresistmuster durch einen Abhebe- oder Veraschungsprozess entfernt. Das zweite Fotoresistmuster wird dabei nur teilweise entfernt, und es verbleibt auf dem zweiten organischen Isoliermuster. Dann wird das erste organische Isoliermuster bis auf eine vorbestimmte Dicke partiell entfernt. Jedoch wird es wegen des zweiten Fotoresistmusters nicht vollständig entfernt. Demgemäß verfügt das zweite organische Isoliermuster über eine größere Höhe als das erste Isoliermuster. Dann wird das zweite Fotoresistmus ter entfernt. Durch diesen Prozess werden der Trennsteg381 und der Abstandshalter384 , entsprechend dem ersten bzw. zweiten organischen Isoliermuster, gebildet. - Nach dem Herstellen des Trennstegs
381 und des Abstandshalters384 werden sequenziell organische Emissionsmaterialien für rot (R), grün (G) und blau (B) aufgetragen, um organische Emissionsschichten387a ,387b und387c für R, G und B in jeweiligen Sub-Pixelbereichen SP auszubilden. Wenn die organische Emissionsschicht387 durch ein Verdampfungsverfahren unter Verwendung einer Abschirmungsmaske, also nicht durch ein Beschichtungsverfahren, hergestellt wird, müssen der Trennsteg381 und das erste Isoliermuster377 nicht ausgebildet werden. - Dann wird in jedem Sub-Pixelbereich SP die zweite Elektrode
390 auf der organischen Emissionsschicht387 hergestellt. Diese zweite Elektrode390 wird durch den Trennsteg371 abgetrennt. Die zweite Elektrode390 ist im Sub-Pixelbereich SP kontinuierlich, und sie verfügt über einen ersten Teil auf der organischen Emissionsschicht387 sowie einen zweiten Teil, der den Abstandshalter384 bedeckt. Der zweite Teil, über den der Abstandshalter384 übersteht, steht mit der Verbindungs-Elektrode355 in Kontakt. Wenn die zweite Elektrode390 als Kathode fungiert, kann sie aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung (z.B. AlNd) mit einer niedrigeren Arbeitsfunktion als der der ersten Elektrode375 bestehen. - Obwohl es in den Zeichnungen nicht dargestellt ist, werden, wenn die erste und die zweite Elektrode
375 und390 als Anode bzw. Kathode fungieren, zwischen der ersten Elektrode375 und der organischen Emissionsschicht387 eine Löcherinjektionsschicht und eine Löcherlaufschicht ausgebildet, und zwischen der zweiten Elektrode390 und der organischen Emissionsschicht387 werden eine Elektroneninjektionsschicht und eine Elektronenlaufschicht ausgebildet. - Entlang einem Umfangsteil des ersten oder zweiten Substrats
301 bzw.371 wird ein Abdichtmuster393 hergestellt. Im Vakuum oder in einem Inertgas werden das erste und das zweite Substrat301 und371 durch das Abdichtmuster393 so miteinander verbunden, dass der überstehende Teil der zweiten Elektrode390 auf dem Abstandshalter384 mit dem Verbindungsmuster355 in Kontakt gelangt. Dadurch wird das Doppeltafel-OELD fertig gestellt. - Bei den oben beschriebenen OELDs wird für die Schichten der Gate- und der Datenkontaktflecke, die Luft ausgesetzt werden, ein leitendes Material mit Korrosionsbeständigkeit verwendet. So kann die Korrosion der Gate- und Datenkontaktflecke minimiert oder verhindert werden.
Claims (56)
- Elektrolumineszenzdisplay mit: – einem ersten Substrat (
101 ;201 ;301 ) und einem zweiten Substrat (171 ;271 ;371 ), die einander zugewandt sind und über eine Vielzahl von Sub-Pixelbereichen (SP) verfügen; – einer Gateleitung auf dem ersten Substrat; – einer Datenleitung, die die Gateleitung schneidet, um an jeder Schnittstelle einen Sub-Pixelbereich auf dem ersten Substrat zu bilden; – einem Arrayelement (Tr), das mit den Gate- und Datenleitungen verbunden ist; – einer Verbindungs-Elektrode, die mit dem Arrayelement verbunden ist und im Sub-Pixelbereich angeordnet ist; – einer Gatekontaktfleck-Elektrode, die elektrisch mit der Gateleitung verbunden ist; – einer Datenkontaktfleck-Elektrode, die elektrisch mit der Datenleitung verbunden ist und in derselben Schicht wie die Gatekontaktfleck-Elektrode angeordnet ist; und – einer Elektrolumineszenzdiode (E) auf dem zweiten Substrat; dadurch gekennzeichnet, dass – die Gatekontaktfleck-Elektrode und die Datenkontaktfleck-Elektrode jeweils über eine untere und eine obere Schicht verfügen, wobei die oberen Schichten über Gate- bzw. Datenkontaktfleck-Kontaktlöcher verfügen, die die unteren Schichten jeweils freilegen. - Display nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die untere Schicht aus einem leitenden Material mit Korrosionsbeständigkeit besteht.
- Display nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die untere Schicht aus einem transparenten, leitenden Material besteht.
- Display nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die obere Schicht aus Aluminium (Al), einer Aluminiumlegierung (z.B. AlNd), Kupfer (Cu), Molybdän (Mo) oder Titan (Ti) besteht.
- Display nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die obere Schicht eine Mehrschichtstruktur aufweist.
- Display nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine Datenverbindungsleitung mit der Datenleitung verbunden ist.
- Display nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass ein Verbindungsmuster vorhanden ist, das die Datenleitung und die Datenverbindungsleitung verbindet und in derselben Schicht wie die Verbindungs-Elektrode angeordnet ist.
- Display nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass ein Abdichtmuster zum Befestigen des ersten und des zweiten Substrats aneinander vorhanden ist, wobei das Verbindungsmuster durch eine Kontur des Abdichtmusters umgeben ist.
- Display nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass ein Teil des Verbindungsmusters unter dem Abdichtmuster liegt.
- Display nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Raum zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat, der durch das Abdichtmuster umschlossen ist, evakuiert oder mit einem Inertgas gefüllt ist.
- Display nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass ein Gateisolator auf der Gateleitung und eine Passivierungsschicht auf der Datenleitung vorhanden sind.
- Display nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Gateisolator und die Passivierungsschicht gemeinsam mit den oberen Schichten der Gate- und der Datenkontaktfleck-Elektroden über Gate- und Datenkontaktfleck-Kontaktlöcher verfügen.
- Display nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Passivierungsschicht über ein erstes Verbindungskontaktloch verfügt, das die Datenleitung freilegt, und sie und der Gateisolator ein zweites Verbindungskontaktloch aufweisen, das die Datenverbindungsleitung freilegt, wobei das Verbindungsmuster durch das erste und das zweite Verbindungskontaktloch mit der Datenleitung bzw. der Datenverbindungsleitung in Kontakt steht.
- Display nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Passivierungsschicht über ein Drainkontaktloch verfügt, das das Arrayelement freilegt, und das die Verbindungs-Elektrode durch dieses hindurch mit dem Arrayelement in Kontakt steht.
- Display nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Arrayelement über einen mit der Verbindungs-Elektrode verbundenen Treiber-Dünnschichttransistor und einen Schalt-Dünnschichttransistor verfügt.
- Display nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem zweiten Substrat eine erste Elektrode, eine Emissionsschicht und eine zweite Elektrode sequenziell angeordnet sind.
- Display nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass auf der ersten Elektrode im Sub-Pixelbereich ein Abstandshalter mit einer ersten Höhe vorhanden ist, um mit einem Teil der zweiten Elektrode, der den Abstandshalter bedeckt, und der Verbindungs-Elektrode in Kontakt zu stehen.
- Display nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass auf der ersten Elektrode zwischen benachbarten Sub-Pixelbereichen ein Trennsteg mit einer zweiten Höhe, die kleiner als die erste Höhe ist, vorhanden ist.
- Display nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Elektrode aus einem Alkalimetall oder einem Erdalkalimetall besteht.
- Display nach Anspruch l6, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Elektrode und die Verbindungs-Elektrode aus einem leitenden Material mit einer Arbeitsfunktion bestehen, die kleiner als die des Materials der ersten Elektrode ist.
- Display nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungs-Elektrode aus Aluminium (Al), einer Aluminiumlegierung (z.B. AlNd), Kupfer (Cu), Molybdän (Mo) oder Titan (Ti) besteht.
- Display nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Elektrode aus einem transparenten, leitenden Material besteht, wozu Indiumzinnoxid (ITO) und Indiumzinkoxid (IZO) gehören.
- Verfahren zum Herstellen eines Elektrolumineszenzdisplays, mit den folgenden Schritten: – Herstellen einer Gateleitung, einer Gatekontaktfleck-Elektrode an einem Ende derselben sowie einer Datenkontaktfleck-Elektrode jeweils mit einer unteren und einer oberen Schicht auf einem ersten Substrat; – Herstellen eines Gateisolators, der die Gateleitung sowie die Gate- und die Datenkontaktfleck-Elektroden bedeckt; – Herstellen einer Datenleitung auf dem Gateisolator, die die Gateleitung schneidet, um einen Sub-Pixelbereich zu bilden; – Herstellen eines mit den Gate- und den Datenleitungen verbundenen Arrayelements; – Herstellen einer Passivierungsschicht auf dem Arrayelement; – Herstellen einer Verbindungs-Elektrode auf der Passivierungsschicht im Sub-Pixelbereich; – Freilegen der unteren Schichten der Gate- und der DatenkontaktfleckElektroden; – Herstellen einer Elektrolumineszenzdiode auf einem zweiten Substrat; und – Befestigen des ersten und des zweiten Substrats aneinander.
- Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass zum Herstellen der Verbindungs-Elektrode die folgenden Schritte gehören: – Abscheiden eines leitenden Materials und eines Fotoresists auf diesem; – Strukturieren des Fotoresists zum Ausbilden eines Fotoresistmuster; und – Strukturieren des leitenden Materials mit dem Fotoresistmuster.
- Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass zum Freilegen der unteren Schichten der Gate- und der DatenkontaktfleckElektroden die folgenden Schritte gehören: – Strukturieren der Passivierungsschicht und des Gateisolators zum Ausbilden von Gate- und Datenkontaktfleck-Kontaktlöchern, die die oberen Schichten der Gate- bzw. der Datenkontaktfleck-Elektroden freilegen, bevor die Verbindungs-Elektrode hergestellt wird; und – Ätzen der oberen Schichten der Gate- und Datenkontakt fleck-Elektrode mit dem Fotoresistmuster nach dem Herstellen der Verbindungs-Elektrode.
- Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass das Fotoresistmuster entfernt wird, nachdem die unteren Schichten der Gate- und der Datenkontaktfleck-Elektroden freigelegt wurden.
- Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass die untere Schicht aus einem leitenden Material mit Korossionsbeständigkeit hergestellt wird.
- Verfahren nach Anspruch 27, die untere Schicht aus einem transparenten, leitenden Material hergestellt wird.
- Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass die obere Schicht aus Aluminium (Al) einer Aluminiumlegierung (z.B. AlNd), Kupfer (Cu), Molybdän (Mo) oder Titan (Ti) hergestellt wird.
- Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass die obere Schicht mit Mehrschichtstruktur hergestellt wird.
- Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass im selben Prozess mit dem Herstellen der Datenleitung eine mit dieser verbundene Datenverbindungsleitung hergestellt wird.
- Verfahren nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, dass im selben Prozess mit dem Herstellen der Verbindungs-Elektrode ein Verbindungsmuster hergestellt wird, das die Datenleitung und die Datenverbindungsleitung verbindet.
- Verfahren nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, dass das erste und das zweite Substrat durch ein Abdichtmuster aneinander befestigt werden, wobei das Verbindungsmuster durch eine Kontur des Abdichtmusters umschlossen wird.
- Verfahren nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, dass ein Teil des Verbindungsmusters unter dem Abdichtmuster liegt.
- Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass das erste und das zweite Substrat im Vakuum oder einem Inertgas aneinander befestigt werden.
- Verfahren nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, dass die Passivierungsschicht strukturiert wird, um ein die Datenleitung freilegendes erstes Verbindungskontaktloch auszubilden, und sie und der Gateisolator strukturiert werden, um ein zweites Verbindungskontaktloch auszubilden, das die Datenverbindungsleitung freilegt, wobei das Verbindungsmuster durch das erste und das zweite Verbindungskontaktloch mit der Datenleitung bzw. der Datenverbindungsleitung in Kontakt steht.
- Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Passivierungsschicht strukturiert wird, um ein das Arrayelement freilegendes Drainkontaktloch auszubilden, wobei die Verbindungs-Elektrode durch dieses hindurch mit dem Arrayelement in Kontakt steht.
- Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass es zum Herstellen des Arrayelements gehört, einen mit der Verbindungs-Elektrode verbundenen Treiber-Dünnschichttransistor sowie einen Schalt-Dünnschichttransistor herzustellen.
- Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass es zum Herstellen der Elektrolumineszenzdiode gehört, eine erste Elektrode, eine Emissionsschicht und eine zweite Elektrode sequenziell auf dem zweiten Substrat herzustellen.
- Verfahren nach Anspruch 39, dadurch gekennzeichnet, dass im Sub-Pixelbereich auf der ersten Elektrode ein Abstandshalter mit einer ersten Höhe so hergestellt wird, dass er mit einem Teil der den Abstandshalter bedeckenden zweiten Elektrode und der Verbindungs-Elektrode in Kontakt steht.
- Verfahren nach Anspruch 40, dadurch gekennzeichnet, dass auf der ersten Elektrode zwischen benachbarten Sub-Pixelbereichen im selben Prozess wie dem des Herstellens des Abstandshalters ein Trennsteg mit einer zweiten Höhe, die kleiner als die erste Höhe ist, hergestellt wird.
- Verfahren nach Anspruch 41, dadurch gekennzeichnet, dass zum Herstellen des Abstandshalters und des Trennstegs die folgenden Schritte gehören: – Abscheiden eines organischen Isoliermaterials und eines Fotoresists auf diesem; – Ausbilden eines ersten und eines zweiten Fotoresistmusters, wobei das zweite Fotoresistmuster höher als das erste ist; – Ätzen des organischen Isoliermaterials mit dem ersten und dem zweiten Fotoresistmuster, um unter dem ersten Fotoresistmuster ein erstes organisches Isoliermuster auszubilden und unter dem zweiten Fotoresistmuster den Abstandshalter auszubilden; – vollständiges Entfernen des ersten Fotoresistmusters und teilweises Entfernen des zweiten Fotoresistmusters; und – teilweises Entfernen des ersten organischen Isoliermusters, um den Trennsteg auszubilden.
- Verfahren nach Anspruch 39, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Elektrode aus einem Alkalimetall oder einem Erdalkalimetall hergestellt wird.
- Verfahren nach Anspruch 39, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Elektrode und die Verbindungs-Elektrode aus einem leitenden Material mit einer Arbeitsfunktion, die niedriger als die des Materials der ersten Elektrode ist, hergestellt werden.
- Verfahren nach Anspruch 44, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungs-Elektrode aus Aluminium (Al), einer Aluminiumlegierung (z.B. AlNd), Kupfer (Cu), Molybdän (Mo) oder Titan (Ti) hergestellt wird.
- Verfahren nach Anspruch 44, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Elektrode aus einem transparenten, leitenden Material, wozu Indiumzinnoxid (ITO) und Indiumzinkoxid (IZO) gehören, hergestellt wird.
- Elektrolumineszenzdisplay mit: – einem ersten Substrat (
101 ;201 ;301 ) mit einem Arrayelement mit einer Gateleitung, einer diese schneidenden Datenleitung, um einen Sub-Pixelbereich (SP) zu bilden, mindestens einem Dünnschichttransistor (Tr) im Sub-Pixelbereich, einem Gatekontaktfleck und einem Datenkontaktfleck; und –einem zweiten Substrat (171 ;271 ;371 ) mit einer Elektrolumineszenzdiode, die elektrisch mit dem Dünnschichttransistor verbunden ist; dadurch gekennzeichnet, dass – die Gate- und Datenkontaktflecke über eine mehrschichtige Struktur verfügen und freigelegte Teile derselben aus einem leitenden Material mit Korrosionsbeständigkeit bestehen. - Display nach Anspruch 47, dadurch gekennzeichnet, dass das leitende Material transparent ist.
- Display nach Anspruch 47, dadurch gekennzeichnet, dass eine mit der Datenleitung verbundene Datenverbindungsleitung vorhanden ist und ein Verbindungsmuster die Datenleitung und die Datenverbindungsleitung verbindet.
- Display nach Anspruch 49, dadurch gekennzeichnet, dass das erste und das zweite Substrat durch ein Abdichtmuster miteinander verbunden sind, das das Verbindungsmuster umschließt.
- Display nach Anspruch 47, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrolumineszenzdiode über eine erste Elektrode, eine Emissionsschicht und eine zweite Elektrode, die aufeinanderfolgend auf dem zweiten Substrat angeordnet sind, verfügt.
- Display nach Anspruch 51, dadurch gekennzeichnet, dass auf der ersten Elektrode ein Abstandshalter vorhanden ist, der mit einem Teil der zweiten Elektrode, der ihn bedeckt, in Kontakt steht.
- Display nach Anspruch 51, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Elektrode aus einem Alkalimetall oder einem Erdalkalimetall besteht.
- Display nach Anspruch 47, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrolumineszenzdiode über eine Verbindungs-Elektrode elektrisch mit dem Dünnschichttransistor verbunden ist.
- Display nach Anspruch 54, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungs-Elektrode aus Aluminium (Al), einer Aluminiumlegierung (z.B. AlNd), Kupfer (Cu), Molybdän (Mo) oder Titan (Ti) besteht.
- Display nach Anspruch 51, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Elektrode aus einem transparenten, leitenden Material besteht, wozu Indiumzinnoxid (ITO) und Indiumzinkoxid (IZO) gehören.
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