DE102023127017A1

DE102023127017A1 - Lichtemittierende anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE102023127017A1
Application number: DE102023127017.6A
Authority: DE
Inventors: Sungbin Shim; Sangpil Park
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2022-10-25
Filing date: 2023-10-04
Publication date: 2024-04-25
Also published as: GB202314536D0; GB2624296A; KR20240057896A; CN117939946A; US20240138232A1

Abstract

Eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung enthält eine Schaltungsschicht, die eine Hilfsleistungselektrode enthält, die an einem Substrat angeordnet ist, mindestens eine Schutzschicht, die die Schaltungsschicht abdeckt, einen Kontaktabschnitt, der die mindestens eine Schutzschicht durchläuft, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode freizulegen, und ein Metallmuster, das am Kontaktabschnitt und der mindestens einen Schutzschicht bei einem Umfang des Kontaktabschnitts angeordnet ist.

Description

Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der Koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2022-0138671 , eingereicht am 25. Oktober 2022, die hier durch Bezugnahme vollständig mit aufgenommen ist.
HINTERGRUND
Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung.
Diskussion des verwandten Gebiets
Mit dem Fortschreiten einer informationsorientierten Gesellschaft haben Nachfragen und Anforderungen an Anzeigevorrichtungen, die konfiguriert sind, Bilder anzuzeigen, in vielerlei Hinsicht zugenommen und es existierte eine Zunahme der verschiedenen Typen verfügbarer Vorrichtungen. Entsprechend werden nun Anzeigevorrichtungen wie z. B. eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD), eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung (OLED), eine Mikroleuchtdiode (Mikro-LED), eine Quantenpunktanzeigevorrichtung (QD) oder dergleichen verwendet.
Unter diesen Anzeigevorrichtungen werden lichtemittierende Anzeigevorrichtungen abhängig von einem Material einer lichtemittierenden Schicht in anorganische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen und organische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen eingestuft. Zum Beispiel kann die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung selbstleuchtend sein, wobei Löcher und Elektronen in eine Emissionsschicht von einer Anodenelektrode zur Lochinjektion und einer Kathodenelektrode zur Elektroneninjektion eingespeist werden und Licht abgestrahlt wird, wenn Exzitonen, in denen die eingespeisten Löcher und Elektronen kombiniert sind, von einem erregten Zustand zu einem Grundzustand fallen, um dadurch ein Bild anzuzeigen.
Die lichtemittierende Anzeigevorrichtung kann gemäß einer Richtung, in der Licht abgestrahlt wird, in einen oben abstrahlenden Typ, einen unten abstrahlenden Typ oder einen Doppelabstrahltyp unterteilt sein.
Wenn die lichtemittierende Anzeigevorrichtung der oben abstrahlende Typ ist, kann eine durchsichtige Elektrode oder eine halbdurchlässige Elektrode als eine Kathode verwendet werden, um Licht von der lichtemittierenden Schicht zu einem oberen Abschnitt abzustrahlen. Die Kathodenelektrode besitzt ein dünnes Profil (oder eine dünne Dicke), um das Transmissionsmaß zu verbessern, wodurch ein elektrischer Widerstand erhöht wird. Insbesondere kann für große lichtemittierende Anzeigevorrichtungen ein Spannungsabfall größer werden, wenn eine Entfernung von einer Spannungsversorgungsanschlussfläche zunimmt, und dies kann Probleme einer Leuchtdichteuneinheitlichkeit der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung verursachen.
Um das Problem eines Spannungsabfalls, der durch die Zunahme des Widerstands der Kathodenelektrode verursacht wird, zu überwinden, wird eine Kathodenkontaktstruktur vorgeschlagen, die eine Hinterschnittform besitzt, um eine getrennte Hilfselektrode mit der Kathodenelektrode elektrisch zu verbinden.
Der oben beschriebene Inhalt der Hintergrundtechnologie kann für eine Ableitung der vorliegenden Offenbarung durch Erfinder festgehalten werden oder kann Technologieinformationen sein, die durch ein Praktizieren von Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung gelernt werden. Allerdings muss der oben beschriebene Inhalt der Hintergrundtechnologie kein Stand der Technik sein, der vor einer Anmeldung der vorliegenden Offenbarung zur Öffentlichkeit veröffentlicht wurde.
ZUSAMMENFASSUNG
Die Kathodenkontaktstruktur ist implementiert, um eine Kontaktfläche zwischen einer Hilfselektrode und einer Kathodenelektrode zu erhöhen und einen Wasserübertragungspfad zu blockieren, der durch eine Hinterschnittstruktur verursacht wird. Die Kathodenkontaktstruktur wurde derart implementiert, dass die Hinterschnittstruktur in einem Inselmuster gebildet ist und ein Hinterschnittbereich über eine gesamte Kante der Hinterschnittstruktur gebildet ist. Allerdings kann ein Problem bestehen, wobei eine Verringerung der Haftkraft zwischen verschiedenen Materialschichten, die die Hinterschnittstruktur konfigurieren, in einem Ablösephänomen resultieren kann.
Außerdem wurde in der Kathodenkontaktstruktur die Hinterschnittstruktur unter Verwendung einer Passivierungsschicht und einer Deckschicht implementiert, die jeweils relativ gute Haftcharakteristiken aufweisen, um einen direkten Kontakt zwischen einer Bankschicht und der Passivierungsschicht zu vermeiden. Allerdings kann, weil sich ein Aperturverhältnis der Bankschicht bei einem Umfang der Hinterschnittstruktur erhöht und sich eine Gesamtfläche der Kathodenkontaktstruktur erhöht, ein Problem bestehen, weil ein Aperturverhältnis eines Pixels verringert wird.
Ein Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist darauf gerichtet, eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung zu schaffen, in der sich eine Kathodenkontaktfläche gleichförmig erhöhen kann und eine Fläche einer Kathodenkontaktstruktur abnehmen kann.
Zusätzliche Vorteile und Merkmale der Offenbarung werden teilweise in der folgenden Beschreibung dargelegt und werden teilweise für einschlägige Fachleute aufgrund einer Auseinandersetzung mit dem Folgenden ersichtlich oder können aus einem Praktizieren der Offenbarung gelernt werden. Die Aufgaben und weitere Vorteile der Offenbarung können durch die Struktur realisiert und erreicht werden, die insbesondere in der schriftlichen Beschreibung und ihren Ansprüchen sowie den beigefügten Zeichnungen aufgezeigt wird.
Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen gegeben.
Um diese und weitere Vorteile zu erreichen und in Übereinstimmung mit dem Zweck der Offenbarung, der hier verkörpert und vereinfacht beschrieben ist, wird eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung geschaffen, die ein Substrat, eine Schaltungsschicht, die eine Hilfsleistungselektrode, die am Substrat angeordnet ist, enthält, mindestens eine Schutzschicht, die die Schaltungsschicht abdeckt, einen Kontaktabschnitt, der die mindestens eine Schutzschicht durchläuft, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode freizulegen, und ein Metallmuster, das am Kontaktabschnitt und der mindestens einen Schutzschicht bei einem Umfang des Kontaktabschnitts angeordnet ist, enthält.
In einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung geschaffen, die ein Substrat, das einen Emissionsbereich und einen Nichtemissionsbereich enthält, eine Hilfsleistungselektrode, die im Nichtemissionsbereich angeordnet ist, eine Hinterschnittstruktur, die an einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode derart angeordnet ist, dass sie einen Hinterschnittbereich enthält, eine erste Schutzschicht, die den Emissionsbereich und die Hilfsleistungselektrode des Nichtemissionsbereichs abdeckt und einen ersten Öffnungsabschnitt enthält, der einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode bei einem Umfang der Hinterschnittstruktur freilegt, eine zweite Schutzschicht, die an der ersten Schutzschicht angeordnet ist, wobei die zweite Schutzschicht einen zweiten Öffnungsabschnitt enthält, der größer als der erste Öffnungsabschnitt ist, ein Metallmuster, das an der Hinterschnittstruktur, dem ersten Öffnungsabschnitt und dem zweiten Öffnungsabschnitt angeordnet ist, und eine Bankschicht, die an der zweiten Schutzschicht angeordnet ist, wobei die Bankschicht einen dritten Öffnungsabschnitt enthält, der einen Abschnitt des Metallmusters freilegt, der die Hilfsleistungselektrode beim Umfang der Hinterschnittstruktur berührt, enthält.
In einer lichtemittierenden Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung, kann eine Hinterschnittstruktur in einer Kathodenkontaktstruktur unter Verwendung einer Passivierungsschicht und einer Deckschicht, die jeweils gute Haftcharakteristiken aufweisen, gebildet sein und ein Metallmuster, das zwischen der Passivierungsschicht und einer Bankschicht angeordnet ist, kann an einem Umfang der Hinterschnittstruktur gebildet sein, während es die Hinterschnittstruktur abdeckt, und somit kann ein Öffnungsbereich der Bankschicht abnehmen und können eine Abdeckcharakteristik einer Kathodenelektrode und der Strukturstabilität der Hinterschnittstruktur verbessert werden. Entsprechend kann sich in einer lichtemittierenden Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung eine Kathodenkontaktfläche gleichförmig erhöhen und kann eine Fläche einer Kathodenkontaktstruktur abnehmen und kann somit ein Aperturverhältnis eines Pixels verbessert werden und können die Anzeigevorrichtungsqualität und die Zuverlässigkeit einer Anzeigevorrichtung erhöht/verbessert werden.
Die Aspekte, die oben erwähnt wurden, können mit dem folgenden optionalen Merkmal unabhängig oder in Kombination kombiniert werden.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Metallmuster mindestens einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode direkt berühren.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die lichtemittierende Anzeigevorrichtung eine Bankschicht an der mindestens einen Schutzschicht beim Umfang des Kontaktabschnitts umfassen.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Metallmuster zwischen der mindestens einen Schutzschicht und der Bankschicht sein.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Bankschicht ein Material umfassen, das sich von einem Material der mindestens einen Schutzschicht unterscheidet.
In einer oder mehreren Ausführungsformen können die mindestens eine Schutzschicht und die Bankschicht jeweils eine geneigte Fläche beim Umfang des Kontaktabschnitts enthalten.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann ein Neigungswinkel zwischen der geneigten Fläche der Bankschicht und der Hilfsleistungselektrode kleiner oder gleich einem Neigungswinkel zwischen der geneigten Fläche der mindestens einen Schutzschicht und der Hilfsleistungselektrode sein.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die lichtemittierende Anzeigevorrichtung eine Hinterschnittstruktur umfassen, die an einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode im Kontaktabschnitt angeordnet ist.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Hinterschnittstruktur einen Hinterschnittbereich enthalten und kann die Hinterschnittstruktur dasselbe Material wie ein Material der mindestens einen Schutzschicht umfassen.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Hinterschnittbereich über eine gesamte Kante der Hinterschnittstruktur gebildet sein.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Hinterschnittstruktur in eine Kathodenkontaktstruktur aufgenommen sein und enthält eine Passivierungsschicht und eine Deckschicht.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die mindestens eine Schutzschicht eine erste Schutzschicht umfassen, die an der Hilfsleistungselektrode angeordnet ist.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die erste Schutzschicht ein anorganisches Isolationsmaterial enthalten.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die mindestens eine Schutzschicht eine zweite Schutzschicht umfassen, die an der ersten Schutzschicht angeordnet ist.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die zweite Schutzschicht ein organisches Isolationsmaterial enthalten.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Hinterschnittstruktur ein erstes Muster, das an einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode angeordnet ist, und ein zweites Muster, das am ersten Muster derart angeordnet ist, dass es vom ersten Muster vorsteht, umfassen.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das erste Muster dasselbe Material wie ein Material der ersten Schutzschicht enthalten.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das zweite Muster dasselbe Material wie ein Material der zweiten Schutzschicht enthalten.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Hinterschnittbereich unter dem zweiten Muster von einer Seitenfläche des ersten Musters vorstehend vorgesehen sein.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Metallmuster mindestens einen Abschnitt der Seitenfläche des ersten Musters abdecken.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Metallmuster mindestens einen Abschnitt jeder einer oberen Oberfläche und einer Seitenfläche des zweiten Musters abdecken.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die lichtemittierende Anzeigevorrichtung einen Dünnschichttransistor, der an der Schaltungsschicht des Substrats angeordnet ist; eine Pixelelektrode, die an der mindestens einen Schutzschicht angeordnet ist und mit dem Dünnschichttransistor verbunden ist; eine Emissionsschicht, die an der Pixelelektrode angeordnet ist; und eine gemeinsame Elektrode, die an der Emissionsschicht angeordnet ist, umfassen.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Metallmuster von der Pixelelektrode getrennt sein.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Metallmuster dasselbe Material wie ein Material mindestens eines Abschnitts der Pixelelektrode umfassen.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die gemeinsame Elektrode das Metallmuster im Kontaktabschnitt direkt berühren.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die gemeinsame Elektrode mit der Hilfsleistungselektrode über das Metallmuster elektrisch verbunden sein.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Metallmuster zwischen der Bankschicht und der ersten Schutzschicht, die durch den zweiten Öffnungsabschnitt der zweiten Schutzschicht freigelegt ist, angeordnet sein.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die lichtemittierende Anzeigevorrichtung eine Pixelelektrode, die an der zweiten Schutzschicht des Emissionsbereichs angeordnet ist; eine Emissionsschicht, die an der Pixelelektrode und der Bankschicht angeordnet ist und im Hinterschnittbereich der Hinterschnittstruktur unterbrochen ist; und eine gemeinsame Elektrode, die an der Emissionsschicht angeordnet ist und mit der Hilfsleistungselektrode über das Metallmuster, das durch die Emissionsschicht freigelegt ist, im Hinterschnittbereich der Hinterschnittstruktur elektrisch verbunden ist, umfassen.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Metallmuster dasselbe Material wie ein Material mindestens eines Abschnitts der Pixelelektrode umfassen und ist von der Pixelelektrode getrennt.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Hinterschnittstruktur ein erstes Muster umfassen, das an einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode angeordnet ist, wobei das erste Muster dasselbe Material wie ein Material der ersten Schutzschicht enthält; und ein zweites Muster, das am ersten Muster derart angeordnet ist, dass es vom ersten Muster vorsteht, wobei das zweite Muster dasselbe Material wie ein Material der zweiten Schutzschicht enthält.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Hinterschnittbereich unter dem zweiten Muster von einer Seitenfläche des ersten Musters vorstehend vorgesehen sein.
In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Metallmuster mindestens einen Abschnitt jeder einer oberen Oberfläche und einer Seitenfläche des zweiten Musters und einer Seitenfläche des ersten Musters abdecken.
Es ist zu verstehen, dass sowohl die vorhergehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende genaue Beschreibung der vorliegenden Offenbarung beispielhaft erläuternd sind und dazu bestimmt sind, eine weitere Erläuterung der Offenbarung, die beansprucht wird, bereitzustellen.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die begleitenden Zeichnungen, die enthalten sind, um ein besseres Verständnis der Offenbarung zu schaffen, und in die Anmeldung mit aufgenommen sind und einen Teil davon bilden, veranschaulichen Ausführungsformen der Offenbarung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, das Prinzip der Offenbarung zu erläutern; es zeigen:

1 ein Blockdiagramm, das eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schematisch veranschaulicht;
2 ein Diagramm, das eine erste Elektrode, eine Hilfsstromversorgungsleitung, eine Bankschicht und einen Kontaktabschnitt jedes Unterpixels in einer lichtemittierenden Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform schematisch veranschaulicht;
3 ein Diagramm, das entlang der Linie I-I' von 2 in einer lichtemittierenden Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung genommen wurde;
4 eine Draufsicht, die einen Kontaktabschnitt veranschaulicht, der in einem Bereich A von
3 einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht ist;
5 eine Querschnittansicht, die entlang der Linie II-II' von 4 in einer lichtemittierenden Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung genommen wurde;
6 eine Querschnittansicht entlang der Linie II-II' von 4 in einer lichtemittierenden Anzeigevorrichtung einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung; und
7 bis 14 Herstellungsprozessdiagramme zum Beschreiben eines Verfahrens zum Herstellen einer lichtemittierenden Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der Offenbarung.

GENAUE BESCHREIBUNG DER OFFENBARUNG
Vorteile und Merkmale der vorliegenden Offenbarung und ihre Implementierungsverfahren werden durch folgende Ausführungsformen, die unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben werden, verdeutlicht. Die vorliegende Offenbarung kann allerdings in verschiedenen Formen verkörpert sein und soll nicht als auf die hier dargelegten Ausführungsformen beschränkt ausgelegt werden. Vielmehr sind diese Ausführungsformen vorgesehen, damit diese Offenbarung gründlich und vollständig ist, und werden Fachleuten den Umfang der vorliegenden Offenbarung vollständig vermitteln. Ferner ist die vorliegende Offenbarung lediglich durch die Umfänge der Ansprüche definiert.
Eine Form, eine Größe, ein Verhältnis, ein Winkel und eine Zahl, die in den Zeichnungen zum Beschreiben von Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung offenbart sind, sind lediglich ein Beispiel und somit ist die vorliegende Offenbarung nicht auf die veranschaulichten Details beschränkt. Ähnliche Bezugszeichen beziehen sich überall im Anmeldungstext auf ähnliche Elemente. In der folgenden Beschreibung wird dann, wenn bestimmt wird, dass die genaue Beschreibung der relevanten bekannten Funktion oder Konfiguration den wichtigen Punkt der vorliegenden Offenbarung unnötig verschleiert, die genaue Beschreibung unterlassen.
Falls ‚umfassen‘, ‚besitzen‘ und ‚enthalten‘, die im vorliegenden Anmeldungstext beschrieben werden, verwendet werden, kann ein weiterer Teil hinzugefügt werden, sofern nicht ‚lediglich-‘ verwendet wird. Die Begriffe einer Singularform können Pluralformen enthalten, sofern nicht das Gegenteil angegeben ist.
Beim Auslegen eines Elements wird das Element ausgelegt, als ob es einen Fehlerbereich enthält, obwohl keine ausdrückliche Beschreibung vorliegt.
Beim Beschreiben einer Positionsbeziehung können z. B. dann, wenn die Positionsbeziehung als ‚auf~‘, ‚über~‘, ‚unter~‘ und ‚neben~‘ beschrieben wird, ein oder mehrere Abschnitte zwischen zwei weiteren Abschnitten angeordnet sein, sofern nicht ‚genau‘ oder ‚direkt‘ verwendet wird.
Beim Beschreiben einer zeitlichen Beziehung, z. B. dann, wenn die zeitliche Reihenfolge als „nach“, „nachfolgend“, „als nächstes“ und „vor“ beschrieben wird, kann ein Fall, der nicht kontinuierlich ist, enthalten sein, sofern nicht „nur“ oder „direkt“ verwendet wird.
Es wird verstanden werden, dass, obwohl hier die Begriffe „erste“, „zweite“ usw. verwendet werden können, um verschiedene Elemente zu beschreiben, die Elemente nicht durch diese Begriffe beschränkt sein sollen. Diese Begriffe werden lediglich verwendet, um ein Element von einem weiteren abzugrenzen. Zum Beispiel könnte ein erstes Element als ein zweites Element bezeichnet werden und könnte entsprechend ein zweites Element als ein erstes Element bezeichnet werden, ohne vom Umfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
Die Ausdrücke „erste horizontale Achsenrichtung“, „zweite horizontale Achsenrichtung“ und „vertikale Achsenrichtung“ sollten nicht lediglich auf der Grundlage einer geometrischen Beziehung interpretiert werden, in der die j eweiligen Richtungen senkrecht zueinander sind, und können als Richtungen gemeint sein, die breitere Richtwirkungen in dem Umfang aufweisen, in dem die Komponenten der vorliegenden Offenbarung funktionell betrieben werden können.
Der Ausdruck „mindestens ein“ soll derart verstanden werden, dass er sämtliche Kombinationen eines oder mehrerer der zugeordneten gelisteten Elemente enthält. Zum Beispiel bezeichnet die Bedeutung von „mindestens eines eines ersten Elements, eines zweiten Elements und eines dritten Elements“ die Kombination von allen vorgeschlagenen Elementen aus zwei oder mehreren des ersten Elements, des zweiten Elements und des dritten Elements sowie das erste Element, das zweite Element oder das dritte Element.
Merkmale verschiedener Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder insgesamt aneinandergekoppelt oder miteinander kombiniert werden und können unterschiedlich miteinander interagieren und technisch angesteuert werden, wie Fachleute hinreichend verstehen können. Die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können unabhängig voneinander ausgeführt werden oder können in einer voneinander abhängigen Beziehung gemeinsam ausgeführt werden.
Im Folgenden wird eine bevorzugte Ausführungsform einer lichtemittierenden Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen genau beschrieben. Wo möglich werden überall in den Zeichnungen dieselben Bezugszeichen verwendet, um auf dieselben oder ähnliche Teile Bezug zu nehmen. Da ein Maßstab jedes von Elementen, die in den begleitenden Zeichnungen gezeigt sind, zur Vereinfachung der Beschreibung von einem tatsächlichen Maßstab verschieden ist, ist die vorliegende Offenbarung nicht auf den gezeigten Maßstab beschränkt.
1 ist ein Blockdiagramm, das eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schematisch veranschaulicht.
Unter Bezugnahme auf 1 kann die lichtemittierende Anzeigevorrichtung 100 einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Anzeigetafel 110, einen Bildprozessor 120, eine Zeitablaufsteuereinheit 130, einen Datentreiber 140, einen Abtasttreiber 150 und einen Stromversorgungsabschnitt 160 enthalten.
Die Anzeigetafel 110 kann ein Bild anzeigen, das einem Datensignal DATA, das vom Datentreiber 140 geliefert wird, ein Abtastsignal, das vom Abtasttreiber 150 geliefert wird, und Energie, die vom Stromversorgungsabschnitt 160 geliefert wird, entspricht.
Die Anzeigetafel 110 kann ein Unterpixel SP enthalten, das bei jedem Schnittpunkt von mehreren Gate-Leitungen GL und mehreren Datenleitungen DL angeordnet ist. Eine Struktur des Unterpixels SP kann abhängig vom Typ der Anzeigevorrichtung 100 variieren.
Zum Beispiel können die Unterpixel SP in einem oben abstrahlenden Verfahren, einem unten abstrahlenden Verfahren oder einem Doppelabstrahlverfahren gemäß der Struktur gebildet sein. Die Unterpixel SP beziehen sich auf eine Einheit, die Licht ihrer eigenen Farbe mit oder ohne einen spezifischen Typ eines Farbfilters abstrahlen kann. Die Unterpixel SP können ein rotes Unterpixel, ein grünes Unterpixel und ein blaues Unterpixel enthalten. Alternativ kann das Unterpixel SP ein rotes Unterpixel, ein blaues Unterpixel, ein weißes Unterpixel und ein grünes Unterpixel enthalten. Die Unterpixel SP können eine oder mehrere weitere lichtemittierende Flächen gemäß lichtemittierenden Eigenschaften aufweisen.
Das eine oder die mehreren Unterpixel SP können eine Pixeleinheit bilden. Zum Beispiel kann eine Pixeleinheit rote, grüne und blaue Unterpixel enthalten und können die roten, die grünen und die blauen Unterpixel wiederholt angeordnet sein. Alternativ kann eine Pixeleinheit rote, grüne, blaue und weiße Unterpixel enthalten, wobei die roten, die grünen, die blauen und die weißen Unterpixel wiederholt angeordnet sein können oder die roten, die grünen, die blauen und die wei-ßen Unterpixel in einem Vierfachtyp angeordnet sein können. In der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können der Farbtyp, der Anordnungstyp, die Anordnungsreihenfolge usw. der Unterpixel in verschiedenen Formen konfiguriert sein, die von den Leuchteigenschaften, der Lebensdauer der Vorrichtung, den Spezifikationen der Vorrichtung und dergleichen abhängen, wobei sie nicht darauf beschränkt sind.
Die Anzeigetafel 110 kann in eine Anzeigevorrichtungsfläche AA zum Anzeigen eines Bilds durch Anordnen der Unterpixel SP und einer Nichtanzeigefläche NA in der Nähe der Anzeigevorrichtungsfläche AA unterteilt sein. Der Abtasttreiber 150 kann an der Nichtanzeigefläche NA der Anzeigetafel 110 vorgesehen sein. Zusätzlich kann die Nichtanzeigefläche NA eine Kontaktfläche enthalten.
Der Bildprozessor 120 kann ein Datenaktivierungssignal DE zusammen mit dem Datensignal DATA, das von der Außenseite geliefert wird, ausgegeben. Der Bildprozessor 120 kann ein oder mehrere eines Vertikalsynchronisationssignals, eines Horizontalsynchronisationssignals und eines Taktsignals zusätzlich zum Datenaktivierungssignal DE ausgegeben.
Die Zeitablaufsteuereinheit 130 kann das Datensignal DATA sowie ein Ansteuersignal vom Bildprozessor 120 empfangen. Das Ansteuersignal kann das Datenaktivierungssignal DE enthalten. Alternativ kann das Ansteuersignal ein Vertikalsynchronisationssignal, ein Horizontalsynchronisationssignal und ein Taktsignal enthalten. Die Zeitablaufsteuereinheit 130 kann ein Datenzeitablaufsteuersignal-DDC zum Steuern des Betriebszeitablaufs des Datentreibers 140 und ein Gate-Zeitsteuerungssignals GDC zum Steuern des Betriebszeitablaufs des Abtasttreibers 150 auf der Grundlage des Ansteuersignals ausgegeben.
Der Datentreiber 140 kann das Datensignal DATA durch Abtasten und Zwischenspeichern (eine Signalsicherung) des Datensignals DATA, das von der Zeitablaufsteuereinheit 130 geliefert wird, in Reaktion auf das Datenzeitablaufsteuersignal DDC das von der Zeitablaufsteuereinheit 130 geliefert wird, in eine Gamma-Bezugsspannung umsetzen und kann die Gamma-Bezugsspannung ausgeben.
Der Datentreiber 140 kann das Datensignal DATA über die Datenleitungen DL ausgegeben. Der Datentreiber 140 kann in Form einer integrierten Schaltungs-IC implementiert sein. Zum Beispiel kann der Datentreiber 140 mit der Kontaktfläche, die in der Nichtanzeigefläche NA der Anzeigetafel 110 angeordnet ist, über eine flexible dünne Schaltungsschicht elektrisch verbunden sein.
Der Abtasttreiber 150 kann das Abtastsignal in Reaktion auf das Gate-Zeitsteuerungssignal GDC ausgegeben, das von der Zeitablaufsteuereinheit 130 geliefert wird. Der Abtasttreiber 150 kann das Abtastsignal über die Gate-Leitungen GL ausgegeben. Der Abtasttreiber 150 kann in Form einer integrierten Schaltungs-IC implementiert sein oder kann in einem Gate-in-Tafel-Schema GIP-Schema implementiert sein.
Der Stromversorgungsabschnitt 160 kann eine Hochpotential spannung und eine Niederpotentialspannung zum Ansteuern der Anzeigetafel 110 ausgegeben. Der Stromversorgungsabschnitt 160 kann die Hochpotentialspannung zur Anzeigetafel 110 über eine erste Stromversorgungsleitung EVDD (eine Ansteuerstromversorgungsleitung oder eine Pixelstromversorgungsleitung) liefern und kann die Niederpotentialspannung zur Anzeigetafel 110 über eine zweite Stromversorgungsleitung EVSS (eine Hilfsstromversorgungsleitung oder eine gemeinsame Stromversorgungsleitung) liefern.
2 ist eine Draufsicht, die eine erste Elektrode, eine Hilfsstromversorgungsleitung, eine Bankschicht und einen Kontaktabschnitt von Unterpixeln in der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schematisch veranschaulicht.
Unter Bezugnahme auf 2 in Verbindung mit 1 kann die Anzeigetafel 110 der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung 100 der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung in die Anzeigevorrichtungsfläche AA und die Nichtanzeigefläche NA unterteilt sein und kann die mehreren Unterpixel SP1, SP2, SP3 und SP4, die durch den Schnittpunkt zwischen der Gate-Leitung GL und der Datenleitung DL definiert sind, am Substrat der Anzeigevorrichtungsfläche AA enthalten.
Wie in 2 gezeigt ist, können die mehreren Unterpixel SP1, SP2, SP3 und SP4 das erste Unterpixel SP1, das zweite Unterpixel SP2, das dritte Unterpixel SP3 und das vierte Unterpixel SP4 enthalten. Zum Beispiel kann das erste Unterpixel SP1 rotes Licht abstrahlen, kann das zweite Unterpixel SP2 grünes Licht abstrahlen, kann das dritte Unterpixel SP3 blaues Licht abstrahlen und kann das vierte Unterpixel SP4 weißes Licht abstrahlen, jedoch nicht notwendigerweise. Es ist möglich, das vierte Unterpixel SP4 zum Abstrahlen von weißem Licht auszulassen. Es ist möglich, die Unterpixel zu konfigurieren, die mindestens zwei von rotem Licht, grünem Licht, blauem Licht, gelbem Licht, Magentalicht und Zyanlicht abstrahlen. Außerdem kann die Anordnungsreihenfolge der Unterpixel SP1, SP2, SP3 und SP4 unterschiedlich geändert werden.
Eine Pixelelektrode PE (oder eine Anodenelektrode oder eine erste Elektrode) kann in jedem der mehreren Unterpixel SP1, SP2, SP3 und SP4 angeordnet sein. Eine Bankschicht BA, die einen Kantenabschnitt der Pixelelektrode PE abdeckt (oder überlagert) und eine Öffnung definiert, die den mehreren Unterpixeln SP1, SP2, SP3 und SP4 entspricht, kann an der Pixelelektrode PE angeordnet werden. Dann können eine lichtemittierende Schicht (oder eine organische lichtemittierende Schicht) und eine gemeinsame Elektrode (oder eine Kathodenelektrode oder eine zweite Elektrode) an der Pixelelektrode PE und der Bankschicht BA sequenziell gestapelt werden.
Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können, um einen Widerstand einer gemeinsamen Elektrode, die vollständig über eine Frontoberfläche einer Anzeigetafel 110 gebildet ist, zu verringern, eine Hilfsstromversorgungsleitung EVSS (eine gemeinsame Stromversorgungsleitung oder eine zweite Stromversorgungsleitung), die eine Hilfsleistung (oder eine Spannung niedrigen Pegels) zur gemeinsamen Elektrode überträgt, und eine Hilfsleistungselektrode AXE, die die gemeinsame Elektrode mit der Hilfsstromversorgungsleitung EVSS verbindet, vorgesehen sein.
Die Hilfsstromversorgungsleitung EVSS kann derart angeordnet sein, dass sie in einer ersten Richtung (oder einer Längsrichtung) der Anzeigetafel 110 verläuft. Zum Beispiel kann die Hilfsstromversorgungsleitung EVSS zu einer Datenleitung DL parallel angeordnet sein. Alternativ kann die Hilfsstromversorgungsleitung EVSS als ein Netztyp angeordnet sein, der in der ersten Richtung (oder der Längsrichtung) und einer zweiten Richtung (oder einer Breitenrichtung) der Anzeigetafel 110 verläuft, jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt.
Die Hilfsstromversorgungsleitung EVSS kann zwischen benachbarten Unterpixeln SP angeordnet sein. Die Hilfsstromversorgungsleitung EVSS kann mit der gemeinsamen Elektrode über die Hilfsleistungselektrode AXE elektrisch verbunden sein und kann eine Hilfsleistung zur gemeinsamen Elektrode über die Hilfsleistungselektrode AXE übertragen.
Die Hilfsleistungselektrode AXE kann als ein Körper mit der Hilfsstromversorgungsleitung EVSS vorgesehen sein. Die Hilfsleistungselektrode AXE kann dasselbe Material wie die Hilfsstromversorgungsleitung EVSS oder ein verschiedenes Material enthalten. Die Hilfsleistungselektrode AXE kann aus demselben Material an derselben Schicht wie die Hilfsstromversorgungsleitung EVSS gebildet sein. Zum Beispiel kann die Hilfsleistungselektrode AXE in einer Form gebildet sein, wobei eine Teilfläche der Hilfsstromversorgungsleitung EVSS vergrößert ist, jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt. Die Hilfsleistungselektrode AXE kann die gemeinsame Elektrode berühren und kann mit der gemeinsamen Elektrode elektrisch verbunden sein und kann somit die gemeinsame Elektrode mit einer Hilfsleistung versorgen, die über die Hilfsstromversorgungsleitung EVSS geliefert wird. Eine Bankschicht BA kann einen Kontaktabschnitt CA definieren, der einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode AXE freilegt, um die Hilfsleistungselektrode AXE mit der gemeinsamen Elektrode elektrisch zu verbinden.
Der Kontaktabschnitt CA kann zwischen benachbarten Unterpixeln SP angeordnet sein. Zum Beispiel kann der Kontaktabschnitt CA für jedes von Unterpixeln SP1 bis SP4, die eine Pixel einheit konfigurieren, in einer Richtung parallel zu einer Gate-Leitung GL vorgesehen sein. Alternativ kann der Kontaktabschnitt CA für jedes von beliebigen mehreren Unterpixeln vorgesehen sein. Alternativ kann der Kontaktabschnitt CA für jede horizontale Linie in einer Richtung parallel zu einer Datenleitung DL vorgesehen sein. Alternativ kann der Kontaktabschnitt CA für jede von beliebigen mehreren horizontalen Linien gebildet sein, jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt.
3 ist ein Diagramm, das entlang der Linie I-I' von 2 in einer lichtemittierenden Anzeigevorrichtung 100 einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung genommen wurde.
Unter Bezugnahme auf 3 kann die lichtemittierende Anzeigevorrichtung 100 einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat SUB, eine lichtundurchlässige Schicht LS, eine Pufferschicht BUF, einen Dünnschichttransistor (TFT) TR, eine Gate-Isolationsschicht GI, eine Zwischenschichtisolationsschicht ILD, eine Hilfsleistungselektrode AXE, eine Passivierungsschicht PAS (oder eine erste Schutzschicht), eine Deckschicht OC (oder eine zweite Schutzschicht), eine lichtemittierende Vorrichtung ED, eine Bankschicht BA und einen Kontaktabschnitt CA enthalten.
Das Substrat SUB kann ein Basissubstrat sein und kann ein Glas- oder Kunststoffmaterial enthalten. Zum Beispiel kann das Substrat SUB ein Kunststoffmaterial wie z. B. Polyimid (PI), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethylennaphthalat (PEN) oder Polycarbonat (PC) enthalten und kann eine flexible Eigenschaft aufweisen, jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt.
Ein Schaltungselement, das verschiedene Leitungen, den TFT TR und einen Speicherkondensator enthält, kann am Substrat SUB für jedes von mehreren Unterpixeln SP1 bis SP4 vorgesehen sein. Zum Beispiel können die Leitungen eine Gate-Leitung GL, eine Datenleitung DL, eine erste Stromversorgungsleitung EVDD (eine Ansteuerstromversorgungsleitung oder eine Pixelstromversorgungsleitung), eine zweite Stromversorgungsleitung EVSS (eine Hilfsstromversorgungsleitung oder eine gemeinsame Stromversorgungsleitung) und eine Bezugsleitung enthalten. Zum Beispiel kann der TFT TR einen Ansteuer-TFT, einen Schalt-TFT und einen Erfassungs-TFT enthalten, jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt.
Die lichtundurchlässige Schicht LS kann am Substrat SUB angeordnet sein. Die lichtundurchlässige Schicht LS kann mindestens teilweise oder vollständig angeordnet sein, um mit dem TFT TR zu überlappen. Die lichtundurchlässige Schicht LS kann mit einer aktiven Schicht ACT des TFT TR überlappen. Zum Beispiel kann die lichtundurchlässige Schicht LS derart, dass sie mindestens teilweise oder vollständig mit einem Kanalbereich der aktiven Schicht ACT überlappt, in einer Ebene angeordnet sein. Die lichtundurchlässige Schicht LS kann verhindern oder mindestens verringern, dass externes Licht in die aktive Schicht ACT eindringt. Alternativ können die verschiedenen Leitungen, die aus demselben Material an derselben Schicht wie die lichtundurchlässige Schicht LS gebildet sind, am Substrat SUB angeordnet sein. In diesem Fall können die lichtundurchlässige Schicht LS und die Leitungen durch denselben Prozess gleichzeitig gebildet werden, jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt.
Die Pufferschicht BUF kann am Substrat SUB angeordnet sein, um die lichtundurchlässige Schicht LS abzudecken. Die Pufferschicht BUF kann durch Stapeln einer einzelnen Schicht oder mehrerer anorganischer Schichten gebildet sein. Zum Beispiel kann die Pufferschicht BUF aus einer einzelnen Schicht gebildet sein, die Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrid (SiNx) und Siliziumoxinitrid (SiOxNy) enthält. Alternativ kann die Pufferschicht BUF aus einer Mehrfachschicht gebildet sein, wobei mindestens zwei von SiOx, SiNx und SiOxNy gestapelt sind. Die Pufferschicht BUF kann vollständig über einer oberen Oberfläche des Substrats SUB gebildet sein, um Ionen oder Störstellen, die vom Substrat SUB diffundiert werden, zu blockieren und das Eindringen von Wasser in die lichtemittierende Vorrichtung ED zu verhindern oder mindestens zu verringern.
Der TFT TR und der Speicherkondensator können an der Pufferschicht BUF angeordnet sein. Der TFT TR kann in jedem der mehreren Unterpixel SP1 bis SP4 an der Pufferschicht BUF angeordnet sein. Zum Beispiel kann der TFT TR die aktive Schicht ACT, eine Gate-Elektrode GA, die mit der aktiven Schicht ACT mit der Gate-Isolationsschicht GI dazwischen überlappt, eine erste Source/Drain-Elektrode SD1 und eine zweite Source/Drain-Elektrode SD2 enthalten. Außerdem kann der Speicherkondensator in einer Dreifachstruktur gebildet sein, wobei eine erste Kondensatorelektrode, die die lichtundurchlässige Schicht LS oder einen Teil der oder die gesamte Leitung, die an derselben Schicht wie die lichtundurchlässige Schicht LS angeordnet ist, verwendet, eine zweite Kondensatorelektrode, die unter Verwendung desselben Materials gemustert ist wie die Gate-Elektrode GA des TFT TR, und eine dritte Kondensatorelektrode, die unter Verwendung desselben Materials wie die erste und die zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 des TFT TR gemustert ist, miteinander überlappen. Allerdings sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt und kann der Speicherkondensator abhängig vom Fall mit mehreren verschiedenen Schichten implementiert sein. Alternativ können verschiedene Leitungen an der Pufferschicht BUF angeordnet sein. Zum Beispiel können die verschiedenen Leitungen eine Gate-Leitung GL, eine Datenleitung DL, eine erste Stromversorgungsleitung EVDD (eine Ansteuerstromversorgungsleitung oder eine Pixelstromversorgungsleitung), eine zweite Stromversorgungsleitung EVSS (eine Hilfsstromversorgungsleitung oder eine gemeinsame Stromversorgungsleitung) und eine Bezugsleitung enthalten, die dasselbe Material enthalten wie die Gate-Elektrode GA oder die erste und die zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2, jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt.
Die aktive Schicht ACT des TFT TR kann ein siliziumbasiertes oder oxidbasiertes Halbleitermaterial enthalten und kann an der Pufferschicht BUF gebildet sein. Die aktive Schicht ACT kann einen Kanalbereich, der mit der Gate-Elektrode GA überlappt, und einen Source/Drain-Bereich, der mit der ersten und der zweiten Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 verbunden ist, enthalten, jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt.
Die Gate-Isolationsschicht GI kann an der aktiven Schicht ACT gebildet sein. Die Gate-Isolationsschicht GI kann am Kanalbereich der aktiven Schicht ACT angeordnet sein und kann die aktive Schicht ACT von der Gate-Elektrode GA isolieren. Die Gate-Isolationsschicht GI kann ein anorganisches Isolationsmaterial enthalten. Zum Beispiel kann die Gate-Isolationsschicht GI SiOx, SiNx, SiOxNy oder eine Mehrfachschicht davon enthalten, jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt.
Die Gate-Elektrode GA kann an der Gate-Isolationsschicht GI gebildet sein. Die Gate-Elektrode GA kann derart angeordnet sein, dass sie der aktiven Schicht ACT mit der Gate-Isolationsschicht GI dazwischen zugewandt ist. Außerdem kann die Gate-Elektrode GA eine einzelne Schicht oder eine Mehrfachschicht enthalten, die ein Material enthält, das aus der Gruppe gewählt ist, die aus Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Tantal (Ta) und Wolfram (W) oder einer oder mehreren Legierungen davon besteht. Außerdem kann die zweite Kondensatorelektrode, die einen Abschnitt des Speicherkondensators konfiguriert ist, aus demselben Material wie die Gate-Elektrode GA an der Pufferschicht BUF gebildet sein. In diesem Fall können die Gate-Elektrode GA des TFT TR und die zweite Kondensatorelektrode des Speicherkondensators durch denselben Prozess gleichzeitig gebildet werden, jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt.
Die Zwischenschichtisolationsschicht ILD, die die Gate-Elektrode GA abdeckt, kann an der Pufferschicht BUF gebildet sein. Außerdem kann die Zwischenschichtisolationsschicht ILD derart gebildet sein, dass sie die zweite Kondensatorelektrode des Speicherkondensators abdeckt. Die Zwischenschichtisolationsschicht ILD kann den TFT TR schützen. Die Zwischenschichtisolationsschicht ILD kann ein anorganisches Isolationsmaterial enthalten. Zum Beispiel kann die Zwischenschichtisolationsschicht ILD SiOx, SiNx, SiOxNy oder eine Mehrfachschicht davon enthalten, jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt.
Die erste und die zweite Source/Drain-Elektroden SD1 und SD2 können an der Zwischenschichtisolationsschicht ILD gebildet sein. Ein entsprechender Bereich der Zwischenschichtisolationsschicht ILD kann zum Anbringen der aktiven Schicht ACT an der ersten und der zweiten Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 entfernt werden. Zum Beispiel können die erste und die zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 die aktive Schicht ACT berühren und mit der aktiven Schicht ACT durch ein Kontaktloch elektrisch verbunden werden, das die Zwischenschichtisolationsschicht ILD durchläuft.
Die erste und die zweite Source/Drain-Elektroden SD1 und SD2 können jeweils aus einer einzelnen Schicht oder einer Mehrfachschicht gebildet sein. Wenn jede der ersten und der zweiten Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 aus einer einzelnen Schicht gebildet ist, kann jede der ersten und der zweiten Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 ein Material enthalten, das aus der Gruppe gewählt ist, die aus Cu, Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Nd, Ta und W oder einer oder mehreren Legierungen davon besteht. Alternativ kann, wenn jede der ersten und der zweiten Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 aus einer Mehrfachschicht gebildet ist, jede der ersten und der zweiten Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 aus einer Doppelschicht aus Mo/Al-Nd, Mo/Al, Ti/Al oder Cu/MoTi gebildet sein. Alternativ kann jeweils die erste und die zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 aus einer Dreifachschicht aus Mo/Al-Nd/Mo, Mo/Al/Mo, Ti/Al/Ti, oder MoTi/Cu/MoTi gebildet sein, jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt. Gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können die erste und die zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 dasselbe Material enthalten wie die Gate-Elektrode GA, jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt.
Die Hilfsleistungselektrode AXE kann an der Zwischenschichtisolationsschicht ILD gebildet sein. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Hilfsleistungselektrode AXE als ein Körper mit einer Hilfsstromversorgungsleitung EVSS (der gemeinsamen Stromversorgungsleitung oder einer zweiten Stromversorgungsleitung) vorgesehen sein. Die Hilfsleistungselektrode AXE kann eine Hilfsleistung (eine Spannung niedrigen Pegels oder eine gemeinsame Spannung), die über die Hilfsstromversorgungsleitung EVSS geliefert wird, an eine gemeinsame Elektrode CE (eine Kathodenelektrode oder eine zweite Elektrode) anlegen. Außerdem kann die Hilfsleistungselektrode AXE einen Widerstand der gemeinsamen Elektrode CE zusammen mit der Hilfsstromversorgungsleitung EVSS verringern. Außerdem kann die Hilfsleistungselektrode AXE als die dritte Kondensatorelektrode des Speicherkondensators wirken. Die Hilfsleistungselektrode AXE kann dasselbe Material enthalten wie die Gate-Elektrode GA oder die erste und die zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2. In diesem Fall kann die Hilfsleistungselektrode AXE durch denselben Prozess an derselben Schicht wie die Gate-Elektrode GA gleichzeitig gebildet werden. Alternativ kann die Hilfsleistungselektrode AXE durch denselben Prozess an derselben Schicht wie die erste und die zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 gebildet werden, jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Hilfsleistungselektrode AXE an einer Schicht angeordnet sein, die sich von der Hilfsstromversorgungsleitung EVSS unterscheidet. Ein entsprechender Bereich mindestens einer Isolationsschicht zwischen der Hilfsleistungselektrode AXE und der Hilfsstromversorgungsleitung EVSS kann entfernt werden, um zu ermöglichen, dass die Hilfsleistungselektrode AXE die Hilfsstromversorgungsleitung EVSS berührt. Zum Beispiel kann die Hilfsleistungselektrode AXE die Hilfsstromversorgungsleitung EVSS durch ein Kontaktloch, das die mindestens eine Isolationsschicht durchläuft, berühren und mit ihr elektrisch verbunden sein, jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt.
Der TFT TR, der Speicherkondensator und die Hilfsleistungselektrode AXE können eine Schaltungsschicht (oder eine TFT-Anordnungsschicht) konfigurieren.
Die Passivierungsschicht PAS (oder die erste Schutzschicht) kann an der Zwischenschichtisolationsschicht ILD, die den TFT TR und die Hilfsleistungselektrode AXE enthält, angeordnet sein. Die Passivierungsschicht PAS kann den TFT TR schützen und kann ein anorganisches Isolationsmaterial enthalten. Zum Beispiel kann die Passivierungsschicht PAS SiOx, SiNx, SiOxNy oder eine Mehrfachschicht davon enthalten, jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt.
Die Deckschicht OC (eine zweite Schutzschicht oder eine Planarisierungsschicht) kann an der Passivierungsschicht PAS (oder der ersten Schutzschicht) angeordnet sein. Die Deckschicht OC kann die Höhe einer unteren Stufe ebnen und kann ein organisches Isolationsmaterial enthalten. Zum Beispiel kann die Deckschicht OC mindestens eines von organischen Materialien wie z. B. Fotoacryl, Polyimid, Benzocyclobutenharz und Acrylat enthalten, jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt.
Eine Pixelelektrode PE (eine Anodenelektrode oder eine erste Elektrode) kann an der Deckschicht OC (der zweiten Schutzschicht oder der Planarisierungsschicht) angeordnet sein. Die Pixelelektrode PE kann in jedem der mehreren Unterpixel SP1 bis SP4 an der Deckschicht OC angeordnet sein. Die Pixelelektrode PE kann mit der ersten Source/Drain-Elektrode SD1 des TFT TR durch ein Kontaktloch verbunden sein, das die Deckschicht OC und die Passivierungsschicht PAS durchläuft. Alternativ kann die Pixelelektrode PE mit der zweiten Source/Drain-Elektrode SD2 des TFT TR verbunden sein. Eine Emissionsschicht EL (oder eine organische Emissionsschicht) und eine gemeinsame Elektrode CE (eine Kathodenelektrode oder eine zweite Elektrode) können an der Pixelelektrode PE angeordnet sein. Die Pixelelektrode PE, die Emissionsschicht EL und die gemeinsame Elektrode CE können die lichtemittierende Vorrichtung ED konfigurieren.
Die Pixelelektrode PE (die Anodenelektrode oder die erste Elektrode) kann ein Metall, eine Legierung davon oder eine Kombination eines Metalls und eines Oxidmetalls enthalten. Zum Beispiel kann die Pixelelektrode PE in einer Mehrfachschichtstruktur gebildet sein, die eine durchsichtige leitende Schicht und eine lichtundurchlässige leitende Schicht, die einen hohen Reflexionswirkungsgrad aufweist, enthält. Die durchsichtige leitende Schicht der Pixelelektrode PE kann ein Material, das einen relativ großen Austrittsarbeitswert aufweist, wie z. B. Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO) enthalten und die lichtundurchlässige leitende Schicht kann aus einer einzelnen Schicht oder einer Mehrfachschicht gebildet sein, die ein Material enthält, das aus der Gruppe gewählt ist, die aus Silber (Ag), Al, Cu, Mo, Ti, Ni, Cr, , und W oder einer Legierung davon besteht. Zum Beispiel kann die Pixelelektrode PE in einer Struktur gebildet sein, in der eine durchsichtige leitende Schicht, eine lichtundurchlässige leitende Schicht und eine durchsichtige leitende Schicht sequenziell gestapelt sind, oder kann in einer Struktur gebildet sein, in der eine durchsichtige leitende Schicht und eine lichtundurchlässige leitende Schicht sequenziell gestapelt sind, jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt.
Die Bankschicht BA kann an der Pixelelektrode PE und der Deckschicht OC angeordnet sein. Die Bankschicht BA kann einen Kantenabschnitt der Pixelelektrode PE abdecken und kann einen Öffnungsabschnitt des Unterpixels SP definieren. Die Bankschicht BA kann ein organisches Material wie z. B. Polyimid, Acrylat oder Harz aus der Benzocyclobutengruppe enthalten, j edoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt. Ein Mittenabschnitt der Pixelelektrode PE, der durch die Bankschicht BA freigelegt ist, kann als ein Emissionsbereich definiert sein. Außerdem kann ein Abschnitt, der durch die Bankschicht BA abgedeckt ist, als ein Nichtemissionsbereich definiert sein. Außerdem kann die Bankschicht BA einen Kontaktabschnitt CA definieren, der einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode AXE freilegt, um die Hilfsleistungselektrode AXE mit der gemeinsamen Elektrode CE elektrisch zu verbinden.
Der Kontaktabschnitt CA kann die Passivierungsschicht PAS, die Deckschicht OC und die Bankschicht BA durchlaufen, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode AXE freizulegen. Eine Hinterschnittstruktur UC, die einen Hinterschnittbereich UCA enthält, kann an der Hilfsleistungselektrode AXE angeordnet sein, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist.
Die Hinterschnittstruktur UC kann an einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode AXE angeordnet sein und kann den Hinterschnittbereich UCA enthalten. Die Hinterschnittstruktur UC kann in einem Inselmuster an einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode AXE vorgesehen sein, und die Hilfsleistungselektrode AXE kann bei einem an der Außenseite befindlichen Umfang der Hinterschnittstruktur UC freigelegt sein. Die Hilfsleistungselektrode AXE, die bei dem an der Außenseite befindlichen Umfang der Hinterschnittstruktur UC freigelegt ist, kann die gemeinsame Elektrode CE (die Kathodenelektrode oder die zweite Elektrode) berühren und kann mit ihr im Kontaktabschnitt CA elektrisch verbunden sein. Die Hinterschnittstruktur UC kann dasselbe Material enthalten wie jede der Passivierungsschicht PAS und der Deckschicht OC. Die Hinterschnittstruktur UC kann ein erstes Muster PAS_P, das dasselbe Material wie die Passivierungsschicht PAS enthält, und ein zweites Muster OC_P, das dasselbe Material wie die Deckschicht OC enthält, enthalten. Dies ermöglicht, dass derselbe Musterbildungsansatz bei der Herstellung verwendet wird. Verschiedenes Material könnte abhängig vom Herstellungsprozess verwendet werden. Somit bietet der Ansatz abhängig vom erforderlichen Herstellungsprozess eine verbesserte Flexibilität und bietet einen einfacheren Ansatz, der einen vereinfachten Musterbildungsansatz enthalten kann.
Die Emissionsschicht EL kann an der Pixelelektrode PE und der Bankschicht BA angeordnet sein. Außerdem kann die Emissionsschicht EL am zweiten Muster OC_P der Hinterschnittstruktur UC angeordnet sein. Die Emissionsschicht EL kann an der Hilfsleistungselektrode AXE angeordnet sein, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist. Die Emissionsschicht EL kann im Hinterschnittbereich UCA durch die Hinterschnittstruktur UC, die im Kontaktabschnitt CA angeordnet ist, unterbrochen sein. Zum Beispiel kann die Emissionsschicht EL ein Material enthalten, das keine gute Stufenabdeckung (d. h. eine Höhe-zu-Breite-Verhältnis des Füllstoffs, unter der Voraussetzung, dass im Allgemeinen eine gleichförmige Stufenabdeckung bevorzugt ist) schafft. Entsprechend kann die Emissionsschicht EL einen Bereich aufweisen, der an der Hilfsleistungselektrode AXE angeordnet ist und durch die Hinterschnittstruktur UC minimiert wird und eine vorteilhafte Unterbrechung im Hinterschnittbereich UCA der Hinterschnittstruktur UC ermöglicht.
Die gemeinsame Elektrode CE (die Kathodenelektrode oder die zweite Elektrode) kann an der Emissionsschicht EL angeordnet sein. Die gemeinsame Elektrode CE kann an der Emissionsschicht EL auf dem zweiten Muster OC_P der Hinterschnittstruktur UC angeordnet sein. Die gemeinsame Elektrode CE kann an der Pixelelektrode PE und der Emissionsschicht EL angeordnet sein, um die lichtemittierende Vorrichtung ED zu konfigurieren. Die gemeinsame Elektrode CE kann weitgehend an einer gesamten Oberfläche des Substrats SUB vorgesehen sein. Die gemeinsame Elektrode CE kann ein durchsichtiges Leitermaterial wie z. B. ITO oder IZO enthalten oder kann Ag, Al, Magnesium (Mg), Kalzium (Ca) oder eine Legierung davon enthalten, die eine Dicke aufweisen, die dünn genug ist, ein Weiterleiten von Licht zu ermöglichen, jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt.
Die gemeinsame Elektrode CE kann an der Hilfsleistungselektrode AXE, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist, angeordnet und elektrisch mit ihr verbunden sein. Die gemeinsame Elektrode CE kann derart angeordnet sein, dass sie die Bankschicht BA abdeckt und kann an der Hilfsleistungselektrode AXE im Hinterschnittbereich UCA der Hinterschnittstruktur UC angeordnet sein. Zum Beispiel kann die gemeinsame Elektrode CE ein Material enthalten, das eine gute Stufenabdeckung aufweist. Die gemeinsame Elektrode CE kann eine bessere Stufenabdeckung (z. B. gleichförmige Höhen-zu-Breiten-Abdeckung) aufweisen als die Emissionsschicht EL, die durch einen Verdampfungsprozess gebildet ist, und somit kann die Emissionsschicht EL im Hinterschnittbereich UCA der Hinterschnittstruktur UC unterbrochen sein und kann an der Hilfsleistungselektrode AXE gebildet sein, die auf der Außenseite freigelegt ist. Deshalb muss die Emissionsschicht EL nicht an der Hilfsleistungselektrode AXE im Hinterschnittbereich UCA der Hinterschnittstruktur UC angeordnet sein, sondern kann die gemeinsame Elektrode CE an der Hilfsleistungselektrode AXE angeordnet sein, an der die Emissionsschicht EL nicht angeordnet ist, und kann so vorteilhafterweise mit der Hilfsleistungselektrode AXE elektrisch verbunden sein.
Die lichtemittierende Anzeigevorrichtung 100 einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ferner ein Metallmuster im Kontaktabschnitt CA enthalten. Das Metallmuster kann im Kontaktabschnitt CA und einem Umfang davon angeordnet sein. Das Metallmuster kann mindestens einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode AXE direkt berühren und abdecken und kann zwischen mindestens einer Schutzschicht PAS und OC und der Bankschicht BA angeordnet sein. Außerdem kann die Bankschicht BA derart angeordnet sein, dass sie die mindestens eine Schutzschicht PAS und OC mit dem Metallmuster dazwischen bei einem Umfang des Kontaktabschnitts CA abdeckt. Im Folgenden wird eine genaue Konfiguration des Kontaktabschnitts CA einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf 4 bis 6 beschrieben.
4 ist eine Draufsicht, die einen Kontaktabschnitt, der in einem Bereich A von 3 veranschaulicht ist, einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht. 5 ist eine Querschnittansicht, die entlang der Linie II-II' von 4 in einer lichtemittierenden Anzeigevorrichtung 100 einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung genommen wurde.
Unter Bezugnahme auf 4 und 5 in Verbindung mit 3 kann die lichtemittierende Anzeigevorrichtung 100 einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einen Kontaktabschnitt CA enthalten, der einen Abschnitt einer Hilfsleistungselektrode AXE freilegt. Der Kontaktabschnitt CA kann eine Passivierungsschicht PAS (oder eine erste Schutzschicht), eine Deckschicht OC (oder eine zweite Schutzschicht) und eine Bankschicht BA durchlaufen, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode AXE freizulegen, und kann somit einen Kontaktbereich CTA bereitstellen, der mit einer gemeinsamen Elektrode CE elektrisch verbunden werden soll.
Die Passivierungsschicht PAS (oder die erste Schutzschicht) kann an einer Zwischenschichtisolationsschicht ILD angeordnet sein und kann derart gebildet sein, dass sie eine Kante der Hilfsleistungselektrode AXE an der Zwischenschichtisolationsschicht ILD abdeckt. Die Passivierungsschicht PAS kann einen ersten Öffnungsabschnitt PAS _H enthalten, der einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode AXE freilegt. Eine Hinterschnittstruktur UC, die einen Hinterschnittbereich UCA enthält, kann an einer oberen Oberfläche der Hilfsleistungselektrode AXE angeordnet sein, die durch den ersten Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS freigelegt ist. Zum Beispiel kann der erste Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS in einer Form gebildet sein, die einen Umfang der Hinterschnittstruktur UC mit der Hinterschnittstruktur UC dazwischen umgibt. Die Form ist derart gewählt, dass eine Ausrichtung auf die Hinterschnittstruktur vorliegt, um eine ordnungsgemäße elektrische Verbindung über die Hilfselektrode unter Berücksichtigung von Toleranzen zu maximieren. Das heißt, idealerweise folgt die Passivierungsschicht der Form der Hinterschnittstruktur (deckungsgleich). Die Hinterschnittstruktur UC kann ein erstes Muster PAS_P und ein zweites Muster OC_P enthalten und das erste Muster PAS_P der Hinterschnittstruktur UC kann dasselbe Material enthalten wie die Passivierungsschicht PAS.
Die Deckschicht OC (oder die zweite Schutzschicht) kann an der Passivierungsschicht PAS angeordnet sein und kann einen zweiten Öffnungsabschnitt OC_H enthalten, der größer oder gleich dem ersten Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS ist. Zum Beispiel kann der zweite Öffnungsabschnitt OC_H der Deckschicht OC in einer Form gebildet sein, die einem Umfang des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H der Passivierungsschicht PAS entspricht und kann eine Größe aufweisen, die größer als die des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H ist. Ein Abschnitt der Passivierungsschicht PAS kann durch den zweiten Öffnungsabschnitt OC_H der Deckschicht OC freigelegt sein. Zum Beispiel kann der zweite Öffnungsabschnitt OC_H der Deckschicht OC in einer Form gebildet sein, die den Umfang der Hinterschnittstruktur UC mit der Hinterschnittstruktur UC dazwischen umgibt. Das zweite Muster OC_P der Hinterschnittstruktur UC kann dasselbe Material enthalten wie die Deckschicht OC.
Der erste Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS und der zweite Öffnungsabschnitt OC_H der Deckschicht OC können derart gebildet sein, dass sie jeweils eine geneigte Fläche enthalten. Ein Neigungswinkel θ1 zwischen der geneigten Fläche des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H und der Hilfsleistungselektrode AXE oder der Zwischenschichtisolationsschicht ILD kann gleich einem Neigungswinkel θ2 zwischen der geneigten Fläche des zweiten Öffnungsabschnitts OC_H und der Hilfsleistungselektrode AXE oder der Passivierungsschicht PAS oder von ihm verschieden sein. Zum Beispiel können der Neigungswinkel θ1 des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H und der Neigungswinkel θ2 des zweiten Öffnungsabschnitts OC_H mit Ausnahme einer Prozessabweichung einen im Wesentlichen gleichen Winkel aufweisen. Die Winkel können vorteilhafterweise abhängig vom Herstellungsprozess variiert werden. Verschiedene Materialien oder Hinterschnitt- und Passivierungsschichten können verschiedene Ätzraten aufweisen, so dass ein Bilden in verschiedene Formen vorliegt, um verschiedene Ätzraten bei der Musterbildung zu berücksichtigen. Die Ätzzeit kann für verschiedene Neigungen abhängig von Entwurfsanforderungen oder „Regeln“ gebogen werden.
Die Hinterschnittstruktur UC kann an der Hilfsleistungselektrode AXE angeordnet sein, die durch den ersten Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS und den zweiten Öffnungsabschnitt OC_H der Deckschicht OC freigelegt ist. Die Hinterschnittstruktur UC kann von dem ersten Öffnungsabschnitt PAS_H und dem zweiten Öffnungsabschnitt OC_H nach innen gerichtet angeordnet sein.
Die Hinterschnittstruktur UC kann an einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode AXE angeordnet sein und kann einen Hinterschnittbereich UCA enthalten. Zum Beispiel kann die Hinterschnittstruktur UC an einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode AXE angeordnet sein, der durch den ersten Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS und den zweiten Öffnungsabschnitt OC_H der Deckschicht OC freigelegt ist. Die Hinterschnittstruktur UC kann derart gebildet sein, dass sie ein Inselmuster in einem Mittenabschnitt der Hilfsleistungselektrode AXE aufweist, der durch den ersten Öffnungsabschnitt PAS_H und den zweiten Öffnungsabschnitt OC_H freigelegt ist. Diese Insel- oder im Allgemeinen „Pilz“-Form kann in den Figuren, z. B. Figur (siehe 3, 5-6, 8- 14) gesehen werden. Der Hinterschnittbereich UCA der Hinterschnittstruktur UC kann einen Belichtungsbereich der Hilfsleistungselektrode AXE konfigurieren, in dem keine Emissionsschicht EL angeordnet ist. Eine gemeinsame Elektrode CE kann im Belichtungsbereich der Hilfsleistungselektrode AXE angeordnet und elektrisch mit ihm verbunden sein.
Die Hinterschnittstruktur UC kann ein erstes Muster PAS_P und ein zweites Muster OC_P enthalten. Das erste Muster PAS_P und das zweite Muster OC_P der Hinterschnittstruktur UC können ein anorganisches Isolationsmaterial oder ein organisches Isolationsmaterial enthalten. Zum Beispiel kann das erste Muster PAS_P der Hinterschnittstruktur UC dasselbe Material enthalten wie die Passivierungsschicht PAS. Das zweite Muster OC_P der Hinterschnittstruktur UC kann dasselbe Material enthalten wie die Deckschicht OC.
Das erste Muster PAS_P kann an einer oberen Oberfläche der Hilfsleistungselektrode AXE gebildet werden. Das erste Muster PAS_P kann mit einem Inselmuster gebildet werden und kann eine obere Oberfläche, die eine erste Breite aufweist und das zweite Muster OC_P berührt, eine untere Oberfläche, die eine zweite Breite größer als die erste Breite aufweist und die Hilfsleistungselektrode AXE berührt, und eine geneigte Fläche zwischen der oberen Oberfläche und der unteren Oberfläche enthalten. Zum Beispiel kann eine geneigte Fläche des ersten Musters PAS_P bei demselben Neigungswinkel θ1 wie der einer geneigten Fläche des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H der Passivierungsschicht PAS angeordnet werden. Zum Beispiel kann das erste Muster PAS_P aus demselben Material an derselben Schicht wie die Passivierungsschicht PAS gebildet sein. Das erste Muster PAS_P kann gemeinsam durch denselben Prozess wie der erste Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS gebildet werden.
Das zweite Muster OC_P kann an einer oberen Oberfläche des ersten Musters PAS_P gebildet sein. Das zweite Muster OC_P kann durch das erste Muster PAS_P getragen werden. Das zweite Muster OC_P kann am ersten Muster PAS_P derart gebildet sein, dass es ein Inselmuster aufweist, und kann in einer Form gebildet sein, die vom ersten Muster PAS_P vorsteht. Der Hinterschnittbereich UCA kann unter einer Kante des zweiten Musters OC_P von einer Seitenfläche des ersten Musters PAS_P vorstehend gebildet sein. Das zweite Muster OC_P kann eine Breite aufweisen, die größer als die erste und die zweite Breite des ersten Musters PAS_P ist, und kann eine untere Oberfläche, die das erste Muster PAS_P berührt, eine obere Oberfläche, die eine geringere Breite aufweist als die untere Oberfläche, und eine geneigte Fläche zwischen der oberen Oberfläche und der unteren Oberfläche enthalten. Zum Beispiel kann eine geneigte Fläche des zweiten Musters OC_P bei demselben Neigungswinkel θ2 wie der einer geneigten Fläche des zweiten Öffnungsabschnitts OC_H der Deckschicht OC angeordnet sein. Zum Beispiel kann das zweite Muster OC_P aus demselben Material an derselben Schicht wie die Deckschicht OC gebildet sein. Das zweite Muster OC_P kann gemeinsam durch denselben Prozess wie der zweite Öffnungsabschnitt OC_H der Deckschicht OC gebildet werden.
Die lichtemittierende Anzeigevorrichtung 100 einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ferner einen Kontaktabschnitt CA und ein Metallmuster MP enthalten, das an der Deckschicht OC und der Passivierungsschicht PAS bei einem Umfang des Kontaktabschnitts CA angeordnet ist. Zum Beispiel kann das Metallmuster MP an dem ersten Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS und dem zweiten Öffnungsabschnitt OC_H der Deckschicht OC angeordnet sein. Das Metallmuster MP kann an der Hilfsleistungselektrode AXE angeordnet sein, die durch den ersten Öffnungsabschnitt PAS_H und den zweiten Öffnungsabschnitt OC_H freigelegt ist. Das Metallmuster MP kann an der Hinterschnittstruktur UC angeordnet sein.
Das Metallmuster MP kann ein Metallelektrodenmaterial enthalten. Das Metallmuster MP kann derart gebildet sein, dass es den ersten Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS, den zweiten Öffnungsabschnitt OC_H der Deckschicht OC und die Hilfsleistungselektrode AXE, die durch den ersten Öffnungsabschnitt PAS_H und den zweiten Öffnungsabschnitt OC_H freigelegt ist, abdeckt. Zum Beispiel kann das Metallmuster MP derart gebildet sein, dass es den zweiten Öffnungsabschnitt OC_H der Deckschicht OC, den ersten Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS und die Hilfsleistungselektrode AXE von einer oberen Oberfläche der Deckschicht OC, die zum zweiten Öffnungsabschnitt OC_H der Deckschicht OC benachbart ist, abdeckt. Außerdem kann das Metallmuster MP derart gebildet sein, dass es eine Seitenfläche des ersten Musters PAS P unter dem zweiten Muster OC_P der Hinterschnittstruktur UC abdeckt. Das Metallmuster MP kann dasselbe Material enthalten wie mindestens ein Abschnitt einer Pixelelektrode PE, der in einem Unterpixel SP angeordnet ist. Das Metallmuster MP kann aus demselben Material durch denselben Prozess wie die Pixelelektrode PE gebildet sein. Zum Beispiel kann in einem Fall, in dem das Metallmuster MP in einer Struktur gebildet ist, in der die Pixelelektrode PE mehrere Schichten enthält, die gestapelt sind, das Metallmuster MP dasselbe Material enthalten wie mindestens ein Abschnitt einer Mehrfachschichtstapelstruktur. Das Metallmuster MP kann von der Pixelelektrode PE, die im Unterpixel SP vorgesehen ist, getrennt angeordnet sein. Das Metallmuster MP kann getrennt von der Pixelelektrode PE an der Deckschicht OC angeordnet sein. Zum Beispiel kann das Metallmuster MP in einem Abschnitt einer oberen Oberfläche der Deckschicht OC getrennt von der Pixelelektrode PE angeordnet sein. Das Metallmuster MP kann getrennt von der Pixelelektrode PE an der oberen Oberfläche der Deckschicht OC, die zum zweiten Öffnungsabschnitt OC_H der Deckschicht OC benachbart ist, angeordnet sein.
Das Metallmuster MP einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Hilfsleistungselektrode AXE direkt berühren, um als ein elektrischer Pfad für die Hilfsleistungselektrode AXE zu wirken, und kann derart gebildet sein, dass es eine Seitenfläche des ersten Musters PAS_P des Hinterschnittbereichs UCA abdeckt und kann somit eine Fläche eines Kontaktabschnitts CA, der mit der gemeinsamen Elektrode CE elektrisch verbunden ist, erhöhen. Dies verbessert vorteilhaft den elektrischen Kontakt.
Ein Metallabdeckungsmuster MP_P, das dasselbe Material wie das Metallmuster MP enthält, kann an einer oberen Oberfläche der Hinterschnittstruktur UC angeordnet sein. Das Metallmuster MP und das Metallabdeckungsmuster MP_P können aus demselben Material durch denselben Prozess gebildet werden. Das Metallabdeckungsmuster MP_P kann derart gebildet sein, dass es eine obere Oberfläche des zweiten Musters OC_P der Hinterschnittstruktur UC abdeckt. Das Metallabdeckungsmuster MP_P einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann derart gebildet sein, dass es das zweite Muster OC_P, das ein organisches Isolationsmaterial enthält, abdeckt und somit kann ein Vorsprungsabschnitt (oder ein Simsabschnitt) des zweiten Musters OC_P eine Änderung der Form wie ein teilweises Ablösen oder Absacken minimieren und kann somit die Strukturstabilität der Hinterschnittstruktur UC verbessert werden.
In der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung 100 einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, kann eine Bankschicht BA an der Deckschicht OC und der Passivierungsschicht PAS bei einem Umfang des Kontaktabschnitts CA angeordnet sein. Das Metallmuster MP kann zwischen der Bankschicht BA und der Passivierungsschicht PAS angeordnet sein. Außerdem kann das Metallmuster MP zwischen der Bankschicht BA und der Deckschicht OC angeordnet sein. Zum Beispiel kann die Bankschicht BA an dem ersten Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS und dem zweiten Öffnungsabschnitt OC_H der Deckschicht OC mit dem Metallmuster MP dazwischen angeordnet sein.
Die Bankschicht BA kann an der Deckschicht OC und der Passivierungsschicht PAS angeordnet sein und kann einen dritten Öffnungsabschnitt BA_H enthalten, der einen Abschnitt des Metallmusters MP, der die Hilfsleistungselektrode AXE berührt, freilegt. Der dritte Öffnungsabschnitt BA_H der Bankschicht BA kann eine Größe aufweisen, die kleiner als die jeweils des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H der Passivierungsschicht PAS und des zweiten Öffnungsabschnitts OC_H der Deckschicht OC ist. Zum Beispiel kann die Bankschicht BA den ersten Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS und den zweiten Öffnungsabschnitt OC_H der Deckschicht OC abdecken und kann einen Abschnitt des Metallmusters MP freilegen, der die Hilfsleistungselektrode AXE durch den dritten Öffnungsabschnitt BA_H der Bankschicht BA berührt. Der dritte Öffnungsabschnitt BA_H der Bankschicht BA kann einen Bereich des Kontaktabschnitts CA definieren. Der dritte Öffnungsabschnitt BA_H der Bankschicht BA kann einen Kontaktbereich CTA vorsehen, der einen Abschnitt des Metallmusters MP freilegt, der die Hilfsleistungselektrode AXE berührt, um mit einer gemeinsamen Elektrode CE elektrisch verbunden zu sein. Zum Beispiel kann der dritte Öffnungsabschnitt BA_H der Bankschicht BA in einer Form gebildet sein, die einen Umfang der Hinterschnittstruktur UC mit der Hinterschnittstruktur UC dazwischen umgibt.
Der dritte Öffnungsabschnitt BA_H der Bankschicht BA kann derart gebildet sein, dass er eine geneigte Fläche enthält. Ein Neigungswinkel θ3 zwischen der geneigten Fläche des dritten Öffnungsabschnitts BA_H und der Hilfsleistungselektrode AXE kann gleich oder verschieden von einem Neigungswinkel θ1 des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H oder einem Neigungswinkel θ2 des zweiten Öffnungsabschnitts OC_H sein. Zum Beispiel kann der Neigungswinkel θ3 des dritten Öffnungsabschnitts BA_H mit Ausnahme einer Prozessabweichung im Wesentlichen gleich dem Neigungswinkel θ1 des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H oder dem Neigungswinkel θ2 des zweiten Öffnungsabschnitts OC_H sein. Die Winkel können im Betrieb vorteilhafterweise abhängig von einem Prozess und einem und einem Material variiert werden.
Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Bankschicht BA unter Verwendung des Metallmusters MP einen direkten Kontakt mit der Passivierungsschicht PAS vermeiden, was eine Haftkraft möglicherweise verringern kann. Entsprechend kann eine Größe des dritten Öffnungsabschnitts BA_H der Bankschicht BA verringert werden, eine Verbesserung eines Aperturverhältnisses eines Pixels ermöglicht.
Eine Emissionsschicht EL kann am Kontaktabschnitt CA der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung 100 einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung angeordnet sein. Außerdem kann die gemeinsame Elektrode CE an der Emissionsschicht EL angeordnet sein.
Wie in 3 veranschaulicht ist, kann die Emissionsschicht EL an der Pixelelektrode PE, der Bankschicht BA und dem Kontaktabschnitt CA des Unterpixels SP gebildet sein. Außerdem kann die gemeinsame Elektrode CE an der Emissionsschicht EL an der Pixelelektrode PE, der Bankschicht BA und dem Kontaktabschnitt CA gebildet sein.
Die Emissionsschicht EL kann an der Hinterschnittstruktur UC gebildet sein und kann teilweise an dem Metallmuster MP gebildet sein, das die Hilfsleistungselektrode AXE entlang des dritten Öffnungsabschnitts BA_H der Bankschicht BA bei einem Umfang der Hinterschnittstruktur UC berührt. Die Emissionsschicht EL muss nicht an dem Metallmuster MP angeordnet sein, das dem Hinterschnittbereich UCA entspricht, der durch die Hinterschnittstruktur UC gebildet ist. Die Emissionsschicht EL muss keine gute Stufenabdeckung bereitstellen und kann somit lediglich bis zu einem Abschnitt außer dem Hinterschnittbereich UCA gebildet werden und kann unterbrochen werden, ohne an dem Metallmuster MP, das dem Hinterschnittbereich UCA entspricht, gebildet zu sein. Deshalb kann die Emissionsschicht EL im Hinterschnittbereich UCA durch die Hinterschnittstruktur UC unterbrochen sein und somit einen Kontaktbereich sinnvoll bereitstellen, der eine obere Oberfläche des Metallmusters MP, die dem Hinterschnittbereich UCA entspricht, freilegt und der gemeinsamen Elektrode CE vorteilhafterweise ermöglicht, das Metallmuster MP direkt zu berühren. Entsprechend kann die gemeinsame Elektrode CE mit der Hilfsleistungselektrode AXE über das Metallmuster MP elektrisch verbunden sein.
Die gemeinsame Elektrode CE kann an der Emissionsschicht EL gebildet sein. Die gemeinsame Elektrode CE kann an der Emissionsschicht EL an der Hinterschnittstruktur UC vorgesehen sein und kann an der Emissionsschicht EL gebildet sein, die entlang des dritten Öffnungsabschnitts BA_H der Bankschicht BA bei einem Umfang der Hinterschnittstruktur UC vorgesehen ist. Die gemeinsame Elektrode CE kann an dem Metallmuster MP vorgesehen sein, der durch die Emissionsschicht EL im Hinterschnittbereich UCA, der durch die Hinterschnittstruktur UC vorgesehen ist, freigelegt ist. Die gemeinsame Elektrode CE kann das Metallmuster MP direkt berühren und kann mit der Hilfsleistungselektrode AXE über das Metallmuster MP elektrisch verbunden sein. Die gemeinsame Elektrode CE kann ein Material enthalten, das eine bessere Stufenabdeckung als die Emissionsschicht EL aufweist, und kann somit bis zu dem Metallmuster MP des Hinterschnittbereichs UCA gebildet sein, in dem die Emissionsschicht EL nicht vorgesehen ist. Außerdem kann die gemeinsame Elektrode CE an dem Metallmuster MP gebildet sein, das derart, dass es eine Seitenfläche des ersten Musters PAS_P der Hinterschnittstruktur UC abdeckt, im Hinterschnittbereich UCA vorgesehen ist. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die gemeinsame Elektrode CE derart vorgesehen sein, dass sie bis zur Seitenfläche des ersten Musters PAS_P des Hinterschnittbereichs UCA verläuft und kann somit eine Kontaktfläche des Metallmusters MP zunehmen.
6 ist eine Querschnittansicht, die entlang der Linie II-II' von 4 in einer lichtemittierenden Anzeigevorrichtung einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung genommen wurde. 6 veranschaulicht eine Ausführungsform, die durch Modifizieren einer Konfiguration eines dritten Öffnungsabschnitts BA_H' einer Bankschicht BA in der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung 100, die unter Bezugnahme auf 3 bis 5 oben beschrieben ist, implementiert ist. Im Folgenden sind deshalb wiederholte Beschreibungen der weiteren Elemente außer einer Konfiguration eines dritten Öffnungsabschnitts BA_H' einer Bankschicht BA und relevanter Elemente ausgelassen oder werden kurz gegeben.
Unter Bezugnahme auf 6 kann eine Bankschicht BA einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung an einer Deckschicht OC und einer Passivierungsschicht PAS angeordnet sein und kann einen dritten Öffnungsabschnitt BA_H' enthalten, der einen Abschnitt eines Metallmusters MP freilegt, der eine Hilfsleistungselektrode AXE berührt.
Die Bankschicht BA kann einen ersten Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS und einen zweiten Öffnungsabschnitt OC_H der Deckschicht OC abdecken und kann einen Abschnitt des Metallmusters MP freilegen, der die Hilfsleistungselektrode AXE durch den dritten Öffnungsabschnitt BA_H' der Bankschicht BA berührt. Der dritte Öffnungsabschnitt BA_H' der Bankschicht BA kann einen Bereich eines Kontaktabschnitts CA definieren. Der dritte Öffnungsabschnitt BA_H' der Bankschicht BA kann einen Kontaktbereich CTA vorsehen, der einen Abschnitt des Metallmusters MP freilegt, der die Hilfsleistungselektrode AXE berührt, um mit der gemeinsamen Elektrode CE elektrisch verbunden zu sein. Zum Beispiel kann der dritte Öffnungsabschnitt BA_H' der Bankschicht BA in einer Form vorgesehen sein, die einen Umfang der Hinterschnittstruktur UC mit dem Hinterschnittstrukturmaterial dazwischen umgibt.
Der dritte Öffnungsabschnitt BA_H' der Bankschicht BA kann derart gebildet sein, dass er eine geneigte Fläche enthält. Ein Neigungswinkel θ3' zwischen der geneigten Fläche des dritten Öffnungsabschnitts BA_H' und der Hilfsleistungselektrode AXE kann sich von einem Neigungswinkel θ1 des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H oder einem Neigungswinkel θ2 des zweiten Öffnungsabschnitts OC_H unterscheiden. Zum Beispiel kann der Neigungswinkel θ3' des dritten Öffnungsabschnitts BA_H' kleiner als der Neigungswinkel θ1 des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H oder des Neigungswinkels θ2 des zweiten Öffnungsabschnitts OC_H sein.
Der dritte Öffnungsabschnitt BA_H' der Bankschicht BA kann derart gebildet sein, dass er eine geneigte Fläche enthält, die den Neigungswinkel θ3' aufweist, der kleiner als der einer geneigten Fläche jedes des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H der Passivierungsschicht PAS und des zweiten Öffnungsabschnitts OC_H der Deckschicht OC ist. Deshalb kann ein Teilbereich des dritten Öffnungsabschnitts BA_H' der Bankschicht BA eine Größe aufweisen, die kleiner als die jedes des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H der Passivierungsschicht PAS und des zweiten Öffnungsabschnitts OC_H der Deckschicht OC ist. Außerdem kann ein weiterer Bereich des dritten Öffnungsabschnitts BA_H' der Bankschicht BA eine Größe aufweisen, die größer als die jedes des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H der Passivierungsschicht PAS und des zweiten Öffnungsabschnitts OC_H der Deckschicht OC ist. Zum Beispiel kann dann, wenn der dritte Öffnungsabschnitt BA_H' der Bankschicht BA ein Abschnitt ist, der mit dem ersten Öffnungsabschnitt PAS_H und dem zweiten Öffnungsabschnitt OC_H überlappt, der dritte Öffnungsabschnitt BA_H' der Bankschicht BA eine Größe aufweisen, die kleiner als der erste Öffnungsabschnitt PAS_H und der zweite Öffnungsabschnitt OC_H ist. Außerdem kann dann, wenn der dritte Öffnungsabschnitt BA_H' der Bankschicht BA ein Abschnitt ist, der mit dem ersten Öffnungsabschnitt PAS_H und dem zweiten Öffnungsabschnitt OC_H nicht überlappt, der dritte Öffnungsabschnitt BA_H' der Bankschicht BA eine Größe aufweisen, die größer als der erste Öffnungsabschnitt PAS_H und der zweite Öffnungsabschnitt OC_H ist.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann der Neigungswinkel θ3' des dritten Öffnungsabschnitts BA_H' der Bankschicht BA derart gesetzt werden, dass er relativ niedrig ist, und kann somit eine Abdeckcharakteristik eines Materials, das in einem nachfolgenden Prozess abgeschieden werden soll, verbessert werden. Zum Beispiel kann, da der Neigungswinkel θ3' des dritten Öffnungsabschnitts BA_H' derart gesetzt ist, dass er relativ niedrig ist, die gemeinsame Elektrode CE durch problemloses Eindringen in den Hinterschnittbereich UCA in einem Abscheidungsprozess, der an der gemeinsamen Elektrode CE durchgeführt wird, gebildet werden. Entsprechend können eine Kontaktfläche und eine Dicke der gemeinsamen Elektrode CE und der Hilfsleistungselektrode AXE im Hinterschnittbereich UCA erhöht werden.
Im Folgenden wird ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf 7 bis 14 ausführlicher beschrieben.
7 bis 14 sind Herstellungsprozessdiagramme zum Beschreiben eines Verfahrens zum Herstellen einer lichtemittierenden Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
Unter Bezugnahme auf 7 kann eine Schaltungsschicht, die mit einer Pufferschicht BUF, einer Zwischenschichtisolationsschicht ILD und einer Hilfsleistungselektrode AXE konfiguriert ist, an einem Substrat SUB gebildet werden und kann eine Passivierungsschicht PAS an der Schaltungsschicht gebildet werden. Eine Deckschicht OC kann an der Passivierungsschicht PAS gebildet werden.
Die Deckschicht OC kann derart gemustert werden, dass sie einen Abschnitt der Passivierungsschicht PAS, der mit der Hilfsleistungselektrode AXE überlappt, freilegt. Die Deckschicht OC kann derart gemustert werden, dass sie einen zweiten Öffnungsabschnitt OC_H enthält, der einen Abschnitt der Passivierungsschicht PAS freilegt, und ein zweites Muster OC_P, das eine Hinterschnittstruktur UC konfiguriert, kann bei einem Zentrum eines Belichtungsbereichs der Passivierungsschicht PAS gemustert werden.
Das zweite Muster OC_P kann derart gebildet werden, dass es ein Inselmuster bei dem Zentrum des Belichtungsbereichs der Passivierungsschicht PAS aufweist. Die Passivierungsschicht PAS kann zwischen dem zweiten Muster OC_P und dem zweiten Öffnungsabschnitt OC_H freigelegt werden. Durch einen nachfolgenden Prozess kann die Passivierungsschicht PAS zwischen dem zweiten Muster OC_P und dem zweiten Öffnungsabschnitt OC_H entfernt werden und kann ein Abschnitt der Hilfsleistungselektrode AXE durch einen Abschnitt freigelegt werden, von dem die Passivierungsschicht PAS entfernt wurde.
Unter Bezugnahme auf 8 kann, da die Deckschicht OC gemustert ist, das zweite Muster OC_P und der zweite Öffnungsabschnitt OC_H gemustert werden und kann dann ein erster Fotolack PR1 an einer oberen Oberfläche der Deckschicht OC gebildet werden.
Der erste Fotolack PR1 kann derart gemustert werden, dass er den zweiten Öffnungsabschnitt OC_H und eine obere Oberfläche der Deckschicht OC bei einem Umfang des zweiten Musters OC_P abdeckt. Der erste Fotolack PR1 muss nicht am zweiten Muster OC_P angeordnet werden. Der erste Fotolack PR1 kann derart gebildet werden, dass er die Passivierungsschicht PAS bei einem Umfang des zweiten Musters OC_P freilegt. Das zweite Muster OC_P kann zusammen mit dem ersten Fotolack PR1 als ein Maskenmuster der Passivierungsschicht PAS wirken. Ein Abschnitt der Passivierungsschicht PAS kann durch Durchführen eines Nassätzprozesses, der das zweite Muster OC_P und den ersten Fotolack PR1 als ein Maskenmuster verwendet, entfernt werden.
Die Passivierungsschicht PAS kann auf der Grundlage eines Nassätzprozesses derart gemustert werden, dass sie einen ersten Öffnungsabschnitt PAS_H enthält, der eine Größe aufweist, die kleiner als die des zweiten Öffnungsabschnitts OC_H der Deckschicht OC ist, und das erste Muster PAS_P, das die Hinterschnittstruktur UC konfiguriert, kann unter dem zweiten Muster OC_P gemustert werden. Der erste Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS kann durch zusätzliches Entfernen eines Abschnitts der Passivierungsschicht PAS, die unter einer Kante des ersten Fotolacks PR1 angeordnet ist, gebildet werden. Zum Beispiel kann der erste Öffnungsabschnitt PAS_H durch zusätzliches Entfernen der Passivierungsschicht PAS, die unter der Kante des ersten Fotolacks PR1 angeordnet ist, in Richtung zu einem Innenabschnitt statt einem Ende des ersten Fotolacks PR1 gebildet werden. Außerdem kann das erste Muster PAS_P der Passivierungsschicht PAS durch zusätzliches Entfernen eines Abschnitts der Passivierungsschicht PAS, die unter einer Kante des zweiten Musters OC_P angeordnet ist, gebildet werden. Zum Beispiel kann das erste Muster PAS_P durch zusätzliches Entfernen der Passivierungsschicht PAS, die unter der Kante des zweiten Musters OC_P angeordnet ist, in Richtung zu einem Innenabschnitt von einem Ende des zweiten Musters OC_P gebildet werden. Das erste Muster PAS_P kann weiter innen als die Kante des zweiten Musters OC_P gebildet werden und kann somit ein Hinterschnittbereich UCA gebildet werden.
Unter Bezugnahme auf 9 kann, nachdem ein Nassätzprozess an der Passivierungsschicht PAS abgeschlossen worden ist, dann, wenn der erste Fotolack PR1 entfernt wurde, der erste Öffnungsabschnitt PAS_H in der Passivierungsschicht PAS gebildet werden und kann der zweite Öffnungsabschnitt OC_H, der eine Größe aufweist, die größer als die erste Öffnungsabschnitt PAS_H ist, in der Deckschicht OC gebildet werden. Ein Abschnitt der Passivierungsschicht PAS kann durch den zweiten Öffnungsabschnitt OC_H der Deckschicht OC freigelegt werden. Außerdem kann die Hinterschnittstruktur UC, die das erste Muster PAS_P, das dasselbe Material wie die Passivierungsschicht PAS enthält, und das zweite Muster OC_P, das dasselbe Material wie die Deckschicht OC enthält, enthält, an der Hilfsleistungselektrode AXE gebildet werden, die durch den ersten Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS und den zweiten Öffnungsabschnitt OC_H der Deckschicht OC freigelegt ist. Die Hinterschnittstruktur UC kann von dem ersten Öffnungsabschnitt PAS_H und dem zweiten Öffnungsabschnitt OC_H nach innen angeordnet sein.
Unter Bezugnahme auf 10 kann, nachdem der erste Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS, der zweite Öffnungsabschnitt OC_H der Deckschicht OC und die Hinterschnittstruktur UC gebildet worden sind, eine Metallschicht MPL gebildet werden.
Die Metallschicht MPL kann ein Metallelektrodenmaterial enthalten. Die Metallschicht MPL kann dasselbe Material enthalten wie mindestens ein Abschnitt der Pixelelektrode PE. Zum Beispiel kann die Metallschicht MPL aus demselben Material durch denselben Prozess wie die Pixelelektrode PE gebildet werden. Zum Beispiel kann in einem Fall, in dem die Metallschicht MPL in einer Struktur gebildet ist, in der die Pixelelektrode PE mehrere Schichten enthält, die gestapelt sind, die Metallschicht MPL dasselbe Material enthalten wie mindestens ein Abschnitt einer Mehrfachschichtstapelstruktur.
Die Metallschicht MPL kann derart gebildet sein, dass sie die Passivierungsschicht PAS, die Deckschicht OC und die Hilfsleistungselektrode AXE, die durch den ersten Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS und den zweiten Öffnungsabschnitt OC_H der Deckschicht OC freigelegt ist, abdeckt. Außerdem kann die Metallschicht MPL derart gebildet sein, dass sie eine Seitenfläche des ersten Musters PAS_P unter dem zweiten Muster OC_P der Hinterschnittstruktur UC abdeckt. Außerdem kann ein Abschnitt der Metallschicht MPL als ein Metallabdeckungsmuster MP_P an der Hinterschnittstruktur UC gebildet sein.
Unter Bezugnahme auf 11 kann ein zweiter Fotolack PR2 an einer oberen Oberfläche der Metallschicht MPL gebildet sein.
Der zweite Fotolack PR2 kann derart gemustert sein, dass er einen Abschnitt einer oberen Oberfläche der Metallschicht MPL abdeckt. Der zweite Fotolack PR2 kann als ein Maskenmuster wirken, das lediglich einem Abschnitt der Metallschicht MPL ermöglicht, zu verbleiben. Ein Metallmuster MP kann durch Durchführen eines Nassätzprozesses gebildet werden, der den zweiten Fotolack PR2 als das Maskenmuster verwendet.
In der Metallschicht MPL können das Metallmuster MP zum Abdecken des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H der Passivierungsschicht PAS, des zweiten Öffnungsabschnitts OC_H der Deckschicht OC und der Hilfsleistungselektrode AXE, die durch den ersten Öffnungsabschnitt PAS_H und den zweiten Öffnungsabschnitt OC_H freigelegt ist, gemustert werden. Das Metallmuster MP kann getrennt von der Pixelelektrode PE an der Deckschicht OC gebildet werden.
Unter Bezugnahme auf 12 kann, nachdem ein Nassätzprozess an der Metallschicht MPL abgeschlossen worden ist, dann, wenn der zweite Fotolack PR2 entfernt wird, das Metallmuster MP derart gebildet werden, dass es den ersten Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS, den zweiten Öffnungsabschnitt OC_H der Deckschicht OC und die Hilfsleistungselektrode AXE, die durch den ersten Öffnungsabschnitt PAS_H und den zweiten Öffnungsabschnitt OC_H freigelegt ist, abdeckt. Zum Beispiel kann das Metallmuster MP derart gebildet sein, dass es den zweiten Öffnungsabschnitt OC_H der Deckschicht OC, den ersten Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS und die Hilfsleistungselektrode AXE abdeckt. Außerdem kann das Metallmuster MP derart gebildet sein, dass es eine Seitenfläche des ersten Musters PAS_P unter dem zweiten Muster OC_P der Hinterschnittstruktur UC abdeckt. Außerdem kann ein Metallabdeckungsmuster MP_P an einer oberen Oberfläche des zweiten Musters OC_P der Hinterschnittstruktur UC gebildet werden.
Unter Bezugnahme auf 13 kann, nachdem das Metallmuster MP und das Metallabdeckungsmuster MP_P gebildet worden sind, eine Bankschicht BA gebildet werden.
Die Bankschicht BA kann an der Deckschicht OC und der Passivierungsschicht PAS angeordnet werden und kann derart gebildet werden, dass sie einen dritten Öffnungsabschnitt BA_H enthält, der einen Abschnitt des Metallmusters MP freilegt, der die Hilfsleistungselektrode AXE berührt. Der dritte Öffnungsabschnitt BA_H der Bankschicht BA kann derart gebildet sein, dass er eine Größe aufweist, die kleiner als die des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H der Passivierungsschicht PAS und des zweiten Öffnungsabschnitts OC_H der Deckschicht OC ist. Zum Beispiel kann die Bankschicht BA den ersten Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS und den zweiten Öffnungsabschnitt OC_H der Deckschicht OC abdecken und einen Abschnitt des Metallmusters MP freilegen, der die Hilfsleistungselektrode AXE durch den dritten Öffnungsabschnitt BA_H der Bankschicht BA berührt. Der dritte Öffnungsabschnitt BA_H der Bankschicht BA kann einen Bereich des Kontaktabschnitts CA definieren. Der dritte Öffnungsabschnitt BA_H der Bankschicht BA kann einen Kontaktbereich CTA vorsehen, der einen Abschnitt des Metallmusters MP freilegt, der die Hilfsleistungselektrode AXE berührt, um mit einer gemeinsamen Elektrode CE elektrisch verbunden zu sein.
Unter Bezugnahme auf 14 können, nachdem die Bankschicht BA gebildet worden ist, eine Emissionsschicht EL und eine gemeinsame Elektrode CE gebildet werden.
Die Emissionsschicht EL kann an der Hinterschnittstruktur UC gebildet werden und kann teilweise an dem Metallmuster MP gebildet werden, das die Hilfsleistungselektrode AXE entlang des dritten Öffnungsabschnitts BA_H der Bankschicht BA bei einem Umfang der Hinterschnittstruktur UC berührt. Es ist somit möglich, dass die Emissionsschicht EL nicht an dem Metallmuster MP angeordnet ist, das dem Hinterschnittbereich UCA entspricht, der durch die Hinterschnittstruktur UC gebildet ist, was vorteilhaft ist.
Die gemeinsame Elektrode CE kann an der Emissionsschicht EL gebildet sein. Die gemeinsame Elektrode CE kann an der Emissionsschicht EL an der Hinterschnittstruktur UC vorgesehen sein und kann an der Emissionsschicht EL gebildet werden, die entlang des dritten Öffnungsabschnitts BA_H der Bankschicht BA bei einem Umfang der Hinterschnittstruktur UC vorgesehen ist. Die gemeinsame Elektrode CE kann an dem Metallmuster MP vorgesehen sein, das durch die Emissionsschicht EL in dem Hinterschnittbereich UCA, der durch die Hinterschnittstruktur UC bereitgestellt wird, freigelegt ist. Die gemeinsame Elektrode CE kann das Metallmuster MP direkt berühren und kann mit der Hilfsleistungselektrode AXE über das Metallmuster MP elektrisch verbunden werden. Außerdem kann die gemeinsame Elektrode CE an dem Metallmuster MP gebildet werden, das derart vorgesehen ist, dass es eine Seitenfläche des ersten Musters PAS_P der Hinterschnittstruktur UC im Hinterschnittbereich UCA abdeckt.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

KR 1020220138671 [0001]

Claims

Lichtemittierende Anzeigevorrichtung (100), die Folgendes umfasst: ein Substrat (SUB), eine Schaltungsschicht, die eine Hilfsleistungselektrode (AXE) enthält, die am Substrat (SUB) angeordnet ist; mindestens eine Schutzschicht (PAS, OC), die die Schaltungsschicht abdeckt; einen Kontaktabschnitt (CA), der die mindestens eine Schutzschicht (PAS, OC) durchläuft, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (AXE) freizulegen; und ein Metallmuster (MP), das am Kontaktabschnitt und der mindestens einen Schutzschicht (PAS, OC) bei einem Umfang des Kontaktabschnitts (CA) angeordnet ist.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Metallmuster (MP) mindestens einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (AXE) direkt berührt.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, die ferner eine Bankschicht (BA) an der mindestens einen Schutzschicht (PAS, OC) beim Umfang des Kontaktabschnitts (CA) umfasst, wobei sich das Metallmuster (MP) bevorzugt zwischen der mindestens einen Schutzschicht (PAS, OC) und der Bankschicht (BA) befindet.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 3, wobei die Bankschicht (BA) ein Material umfasst, das sich von einem Material der mindestens einen Schutzschicht (PAS, OC) unterscheidet.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 3 oder Anspruch 4, wobei die mindestens eine Schutzschicht (PAS, OC) und die Bankschicht (BA) jeweils eine geneigte Fläche beim Umfang des Kontaktabschnitts (CA) enthalten.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5, wobei ein Neigungswinkel (θ1) zwischen der geneigten Fläche der Bankschicht (BA) und der Hilfsleistungselektrode (AXE) kleiner oder gleich einem Neigungswinkel (θ2, θ3) zwischen der geneigten Fläche der mindestens einen Schutzschicht (PAS, OC) und der Hilfsleistungselektrode (AXE) ist.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner eine Hinterschnittstruktur (UC) umfasst, die an einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (AXE) im Kontaktabschnitt (CA) angeordnet ist, wobei die Hinterschnittstruktur (UC) einen Hinterschnittbereich (UCA) enthält und die Hinterschnittstruktur (UC) dasselbe Material wie ein Material der mindestens einen Schutzschicht (PAS, OC) umfasst.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 7, wobei der Hinterschnittbereich (UCA) über eine gesamte Kante der Hinterschnittstruktur (UC) gebildet ist.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 7 oder Anspruch 8, wobei die Hinterschnittstruktur (UC) in einer Kathodenkontaktstruktur ist und eine Passivierungsschicht (PAS) und eine Deckschicht (OC) enthält.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die mindestens eine Schutzschicht (PAS, OC) Folgendes umfasst: eine erste Schutzschicht (PAS), die an der Hilfsleistungselektrode (AXE) angeordnet ist, wobei die erste Schutzschicht (PAS) ein anorganisches Isolationsmaterial enthält; und eine zweite Schutzschicht (OC), die an der ersten Schutzschicht (PAS) angeordnet ist, wobei die zweite Schutzschicht (OC) ein organisches Isolationsmaterial enthält.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst: ein Substrat (SUB), das einen Emissionsbereich und einen Nichtemissionsbereich enthält; eine Hilfsleistungselektrode (AXE), die im Nichtemissionsbereich angeordnet ist; eine Hinterschnittstruktur (UC), die an einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (AXE) angeordnet ist, wobei die Hinterschnittstruktur (UC) einen Hinterschnittbereich (UCA) enthält; eine erste Schutzschicht (PAS), die den Emissionsbereich und die Hilfsleistungselektrode (AXE) des Nichtemissionsbereichs abdeckt und einen ersten Öffnungsabschnitt (PAS_H) enthält, der einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (AXE) bei einem Umfang der Hinterschnittstruktur (UC) freilegt; eine zweite Schutzschicht (OC), die an der ersten Schutzschicht (PAS) angeordnet ist, wobei die zweite Schutzschicht (PAS) einen zweiten Öffnungsabschnitt (OC_H) enthält, der größer als der erste Öffnungsabschnitt (PAS_H) ist; ein Metallmuster (MP), das an der Hinterschnittstruktur (UC), dem ersten Öffnungsabschnitt (PAS_H) und dem zweiten Öffnungsabschnitt (OC_H) angeordnet ist; und eine Bankschicht (BA), die an der zweiten Schutzschicht (OC) angeordnet ist, wobei die Bankschicht (BA) einen dritten Öffnungsabschnitt (BA_H) enthält, der einen Abschnitt des Metallmusters (MP) freilegt, der die Hilfsleistungselektrode (AXE) beim Umfang der Hinterschnittstruktur (UC) berührt.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 11, wobei das Metallmuster (MP) zwischen der Bankschicht (BA) und der ersten Schutzschicht (PAS), die durch den zweiten Öffnungsabschnitt (OC_H) der zweiten Schutzschicht (OC) freigelegt ist, angeordnet ist.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 11 oder 12, die ferner Folgendes umfasst: eine Pixelelektrode (PE), die an der zweiten Schutzschicht (OC) des Emissionsbereichs angeordnet ist; eine Emissionsschicht (EL), die an der Pixelelektrode (PE) und der Bankschicht (BA) angeordnet ist und im Hinterschnittbereich (UCA) der Hinterschnittstruktur (UC) unterbrochen ist; und eine gemeinsame Elektrode (CE), die an der Emissionsschicht angeordnet ist und mit der Hilfsleistungselektrode (AXE) über das Metallmuster (MP), das durch die Emissionsschicht (EL) freigelegt ist, im Hinterschnittbereich (UCA) der Hinterschnittstruktur (UC) elektrisch verbunden ist, wobei das Metallmuster (MP) bevorzugt dasselbe Material wie ein Material mindestens eines Abschnitts der Pixelelektrode (PE) umfasst und von der Pixelelektrode (PE) getrennt ist.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 7-13, wobei die Hinterschnittstruktur (UC) Folgendes umfasst: ein erstes Muster (PAS_P), das an einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (AXE) angeordnet ist, wobei das erste Muster (PAS_P) dasselbe Material wie ein Material der ersten Schutzschicht (PAS) enthält; und ein zweites Muster (OC_P), das am ersten Muster (PAS_P) angeordnet ist, wobei das zweite Muster (OC_P) vom ersten Muster vorsteht und das zweite Muster (OC_P) dasselbe Material wie ein Material der zweiten Schutzschicht (OC) enthält.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 14, wobei der Hinterschnittbereich (UCA) unter dem zweiten Muster (OC_P) von einer Seitenfläche des ersten Musters (PAS_P) vorstehend vorgesehen ist.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 14 oder 15, wobei das Metallmuster (MP) mindestens einen Abschnitt der Seitenfläche des ersten Musters (PAS_P) abdeckt und/oder das Metallmuster (MP) mindestens einen Abschnitt jeder einer oberen Oberfläche und einer Seitenfläche des zweiten Musters (OC_P) abdeckt.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner Folgendes umfasst: einen Dünnschichttransistor (TR), der an der Schaltungsschicht des Substrats (SUB) angeordnet ist; eine Pixelelektrode (PE), die an der mindestens einen Schutzschicht (PAS, OC) angeordnet ist und mit dem Dünnschichttransistor (TR) verbunden ist; eine Emissionsschicht (EL), die an der Pixelelektrode (PE) angeordnet ist; und eine gemeinsame Elektrode (CE), die an der Emissionsschicht (EL) angeordnet ist.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Metallmuster (MP) von der Pixelelektrode (PE) getrennt ist und/oder das Metallmuster (MP) dasselbe Material wie ein Material mindestens eines Abschnitts der Pixelelektrode (PE) umfasst.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 17 oder 18, wobei die gemeinsame Elektrode (CE) das Metallmuster (MP) im Kontaktabschnitt (CA) direkt berührt und/oder die gemeinsame Elektrode (CE) mit der Hilfsleistungselektrode (AXE) über das Metallmuster (MP) elektrisch verbunden ist.