DE10361008B4 - Organische Elektrolumineszenz-Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents
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Abstract
Organische Elektrolumineszenzvorrichtung mit:
– einem ersten und einem zweiten Substrat (100, 200), die einander zugewandt sind und voneinander beabstandet sind, wobei das erste und das zweite Substrat (100, 200) über einen Anzeigebereich und einen Umfangsbereich verfügen, von denen der Anzeigebereich über eine Vielzahl von Pixelbereichen (P) und einen Attrappenpixelbereich (PD) verfügt;
– Treiber-Dünnschichttransistoren (TD), die jeweils angrenzend an jeden der Vielzahl von Pixelbereichen (P) auf der Innenseite des ersten Substrats (100) hergestellt sind;
– ersten Verbindungselektroden (130), die jeweils nur in den Pixelbereichen (P) auf einer Passivierungsschicht (128) des ersten Substrats (100) hergestellt sind und unmittelbar mit den Treiber-Dünnschichttransistoren (TD) verbunden sind;
– einer ersten Elektrode (202), die auf der gesamten Innenseite des zweiten Substrats (200) hergestellt ist;
– einer Seitenwand (204), die auf der ersten Elektrode (202) an einer Grenze jedes Pixelbereichs (P) und des Attrappenpixelbereichs (PD) hergestellt ist;
– einer organischen Elektrolumineszenzschicht...
– einem ersten und einem zweiten Substrat (100, 200), die einander zugewandt sind und voneinander beabstandet sind, wobei das erste und das zweite Substrat (100, 200) über einen Anzeigebereich und einen Umfangsbereich verfügen, von denen der Anzeigebereich über eine Vielzahl von Pixelbereichen (P) und einen Attrappenpixelbereich (PD) verfügt;
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Description
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- GEBIET DER ERFINDUNG
- Die Erfindung betrifft eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung, und spezieller betrifft sie eine organische Doppelplatten-Elektrolumineszenzvorrichtung mit einem ersten Substrat mit einer Dünnschichttransistor-Arrayeinheit und einem zweiten Substrat mit einer organischen Elektrolumineszenzeinheit sowie ein Verfahren zum Herstellen derselben.
- ERÖRTERUNG DER EINSCHLÄGIGEN TECHNIK
- Im Allgemeinen emittiert ein organisches Elektrolumineszenzdisplay (ELD) Licht durch Injizieren von Elektronen aus einer Kathode und Löcher aus einer Anode in eine Emissionsschicht, Kombinieren der Elektronen mit den Löchern, Erzeugen eines Exzitons und Ausführen eines Übergangs des Exzitons von einem angeregten Zustand in den Grundzustand. Abweichend vom Fall einer Flüssigkristalldisplay(LCD)-Vorrichtung wird für ein organisches ELD keine zusätzliche Lichtquelle benötigt, um Licht zu emittieren, da der Übergang des Exzitons zwischen Zuständen dafür sorgt, dass in der Anordnung des organischen ELD Licht emittiert wird. Demgemäß können die Größe und das Gewicht eines organischen ELD verringert werden. Ein organisches ELD verfügt über andere wünschenswerte Eigenschaften, wie niedrigen Energieverbrauch, hervorragende Helligkeit und kurze Ansprechzeit. Wegen dieser vorteilhaften Eigenschaften wird das organische ELD als vielversprechender Kandidat für verschiedene Verbraucherelektronikanwendungen der nächsten Generation angesehen, wie Funktelefone, Fahrzeugnavigationssysteme (CNS), persönliche digitale Assistenten (PDA), Camcorder und Palmtop-Computer. Darüber hinaus ist es viel billiger, ein organisches ELD als eine LCD-Vorrichtung herzustellen, da die Herstellung eines organischen ELD ein relativ einfacher Prozess mit wenigen Bearbeitungsschritten ist.
- Es existieren zwei verschiedene Typen organischer ELDs: solche mit passiver und solche mit aktiver Matrix. Obwohl organische ELDs mit passiver Matrix eine einfache Struktur aufweisen und sie durch einen einfachen Herstellprozess hergestellt werden, benötigen sie eine relativ hohe Spannung zum Betrieb. Außerdem ist die Anzeigegröße organischer ELDs mit passiver Matrix durch ihre Struktur begrenzt. Ferner nimmt das Öffnungsverhältnis von organischen ELDs mit passiver Matrix ab, wenn die Anzahl der Leitungen erhöht wird. Andererseits stehen organische ELDs mit aktiver Matrix dadurch zu solchen mit passiver Matrix in Kontrast, dass organische ELDs mit aktiver Matrix einen hohen Emissionswirkungsgrad zeigen und sie Bilder hoher Qualität bei einem großen Display mit relativ niedrigem Energieverbrauch erzeugen können.
- Die
1 ist eine schematische Schnittansicht einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß der einschlägigen Technik. - Wie es in der
1 dargestellt ist, verfügt ein organisches Elektrolumineszenzdisplay (ELD)10 über ein erstes und ein zweites Substrat12 und28 , die voneinander beabstandet einander zugewandt sind. Eine Arrayschicht14 mit einem Dünnschichttransistor (TFT) T ist auf der Innenseite des ersten Substrats12 ausgebildet. Auf der Arrayschicht14 sind sequenziell eine erste Elektrode16 , eine organische Elektrolumineszenz(EL)schicht18 und eine zweite Elektrode20 ausgebildet. Die organische EL-Schicht18 kann für jeden Pixelbereich P gesondert die Farben Rot, Grün und Blau anzeigen. Allgemein gesagt, werden gesonderte organische Metalle dazu verwendet, in der organischen EL-Schicht18 in jedem Pixelbereich P Licht einer jeweiligen Farbe zu emittieren. Das organische ELD10 wird dadurch eingeschlossen, dass das erste Substrat12 und das zweite Substrat28 , das über ein Feuchtigkeit absorbierendes Trocknungsmittel22 verfügt, mittels eines Dichtmittels26 aneinander befestigt werden. Das Feuchtigkeit absorbierende Trocknungsmittel22 beseitigt Feuchtigkeit und Sauerstoff, die in eine Kapsel der organischen EL-Schicht18 eindringen können. Nach dem Ätzen eines Teils des zweiten Substrats28 wird der geätzte Teil mit dem Feuchtigkeit absorbierenden Trocknungsmittel22 befüllt, und das eingefüllte Feuchtigkeit absorbierende Trocknungsmittel22 wird durch ein Halteelement25 fixiert. - Die
2 ist eine schematische Draufsicht, die eine Arrayschicht einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß der einschlägigen Technik zeigt. - Wie es in der
2 dargestellt ist, verfügt eine Arrayschicht eines organischen Elektrolumineszenzdisplays (ELD) über ein Schaltelement TS, ein Treiberelement TD und einen Speicherkondensator CST. Das Schaltelement TS und das Treiberelement TD können über eine Kombination mit mindestens einem Dünnschichttransistor (TFT) verfügen. Ein transparentes, isolierendes Substrat12 , auf dem die Arrayschicht hergestellt wird, kann aus Glas oder Kunststoff bestehen. Auf dem Substrat12 werden eine Gateleitung32 und eine Datenleitung34 , die einander schneiden, hergestellt. Durch die Gateleitung32 und die Datenleitung34 wird ein Pixelbereich P definiert. Zwischen die Gateleitung32 und die Datenleitung34 wird eine Isolierschicht (nicht dargestellt) eingefügt. Eine beabstandet von der Datenleitung34 parallel zu dieser verlaufende Spannungsleitung35 schneidet die Gate leitung32 . - Das Schaltelement TS in der
2 ist ein Dünnschichttransistor mit einer Schalt-Gateelektrode36 , einer schaltenden aktiven Schicht40 , einer Schalt-Sourceelektrode46 und einer Schalt-Drainelektrode50 . In ähnlicher Weise ist das Treiberelement TD in der2 ein Dünnschichttransistor mit einer Treiber-Gateelektrode38 , einer aktiven Treiberschicht42 , einer Treiber-Sourceelektrode48 und einer Treiber-Drainelektrode52 . Die Schalt-Gateelektrode36 ist mit der Gateleitung32 verbunden, und die Schalt-Sourceelektrode46 ist mit der Datenleitung34 verbunden. Die Schalt-Drainelektrode50 ist mit der Treiber-Gateelektrode38 durch ein erstes Kontaktloch54 verbunden. Die Treiber-Sourceelektrode48 ist mit der Spannungsleitung35 durch ein zweites Kontaktloch56 verbunden. Darüber hinaus ist die Treiber-Drainelektrode52 im Pixelbereich P mit einer ersten Elektrode16 verbunden. Die Spannungsleitung35 überlappt mit einer ersten Kondensatorelektrode15 , wobei dazwischen eine Isolierschicht eingefügt ist, um den Speicherkondensator CST zu bilden. - Die
3 ist eine schematische Draufsicht, die eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung entsprechend einer Anordnung gemäß der einschlägigen Technik zeigt. - Wie es in der
3 dargestellt ist, verfügt ein Substrat12 über einen Daten-Kontaktfleck-Bereich E auf einer ersten Seite sowie einen ersten und einen zweiten Gate-Kontaktfleck-Bereich F1 und F2 auf der zweiten und dritten Seite angrenzend an die erste Seite. Auf der vierten Seite, die der ersten Seite zugewandt ist und angrenzend an die zweite und dritte Seite des Substrats12 liegt, ist eine gemeinsame Elektrode39 ausgebildet. An die zweite Elektrode20 wird über die gemeinsame Elektrode39 eine gemeinsame Spannung angelegt, um das elektrische Potenzial der zweiten Elektrode20 aufrecht zu erhalten. - Die
4A ist eine schematische Schnittansicht entlang einer Linie IVa-IVa in der2 , und die4B ist eine schematische Schnittansicht entlang einer Linie IVb-IVb in der3 . - In den
4A und4B ist ein Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) TD mit einer aktiven Treiberschicht42 , einer Treiber-Gateelektrode38 , einer Treiber-Sourceelektrode48 und einer Treiber-Drainelektrode52 auf einem Substrat12 ausgebildet. Eine Isolierschicht57 ist auf dem Treiber-TFT TD ausgebildet, und eine mit der Treiber-Drainelektrode52 verbundene erste Elektrode16 ist auf der Isolierschicht57 ausgebildet. Eine organische Elektrolumineszenz(EL)schicht18 zum Emittieren von Licht einer speziellen Farbe ist auf der ersten Elektrode16 ausgebildet, und eine zweite Elektrode20 ist auf der organischen EL-Schicht18 ausgebildet. Die erste und die zweite Elektrode16 und20 bilden gemeinsam mit der dazwischen eingefügten organischen EL-Schicht18 eine organische Elektrolumineszenz (EL) diode DEL. Ein Speicherkondensator CST, der elektrisch parallel zum Treiber-TFT TD platziert ist, verfügt über eine erste und eine zweite Kondensatorelektrode15 und35a . Ein Teil einer Spannungselektrode35 (in der2 ), der mit der ersten Kondensatorelektrode15 überlappt, wird als zweite Kondensatorelektrode35a verwendet. Die zweite Kondensatorelektrode35a ist mit der Treiber-Sourceelektrode56 verbunden. Die zweite Elektrode20 ist auf der gesamten Fläche des Substrats12 einschließlich des Treiber-TFT TD, des Speicherkondensators CST und der organischen EL-Schicht18 ausgebildet. - In einem Umfangsabschnitt des Substrats
12 ist eine gemeinsame Elektrode39 ausgebildet, über die eine gemeinsame Spannung an die zweite Elektrode20 angelegt wird. Die gemeinsame Elektrode39 wird gleichzeitig mit der Schalt-Gateelektrode36 (in der2 ) und der Treiber-Gateelektrode38 hergestellt. Mehrere Isolierschichten auf der gemeinsamen Elektrode39 enthalten erste und zweite gemeinsame Kontaktlöcher50 und52 , die die gemeinsame Elektrode39 freilegen. Die zweite Elektrode20 ist über das erste gemeinsame Kontaktloch50 mit der gemeinsamen Elektrode39 verbunden. Ein externer Schaltkreis (nicht dargestellt) ist durch das zweite gemeinsame Kontaktloch52 mit der gemeinsamen Elektrode39 verbunden, um die gemeinsame Spannung anzulegen. - Wenn jedoch eine Arrayschicht von TFTs und organische EL-Dioden gemeinsam auf einem Substrat hergestellt werden, ist die Herstellausbeute eines organischen ELD durch das Produkt aus der Ausbeute für die TFTs und der Ausbeute für die organische EL-Schicht bestimmt. Da die Ausbeute für die organische EL-Schicht relativ niedrig ist, ist die Herstellausbeute für ein ELD durch die Ausbeute für die organische EL-Schicht begrenzt. Z. B. kann selbst dann, wenn ein TFT gut hergestellt ist, ein organisches ELD wegen Defekten einer organischen EL-Schicht unter Verwendung eines Dünnfilms mit einer Dicke von ungefähr 1.000 Å als schlecht beurteilt werden. Diese Einschränkung sorgt für Verluste an Materialien und einen Anstieg der Herstellkosten.
- Organische ELDs werden in solche vom nach oben emittierenden und solche vom nach unten emittierenden Typ abhängig von der Transparenz der ersten und der zweiten Elektrode und der organischen EL-Diode eingeteilt. Nach unten emittierende ELDs sind wegen ihrer hohen Bildstabilität und ihrer variablen Herstellverarbeitung aufgrund des Einschlusses von Vorteil. Jedoch sind nach unten emittierende organische ELDs für die Realisierung in Vorrichtungen, die hohe Auflösung benötigen, wegen Einschränkungen des erhöhten Öffnungsver verhältnisses bei diesem Typ organischer ELDs nicht geeignet. Andererseits kann, da nach oben emittierende organische ELDs Licht in einer Richtung aufwärts in Bezug auf das Substrat emittieren, das Licht ohne Beeinflussung durch die Arrayschicht, die unter der organischen EL-Schicht platziert ist, emittiert werden. Demgemäss kann das Gesamtdesign der Arrayschichten mit TFTs vereinfacht werden. Ausserdem kann das Öffnungsverhältnis erhöht werden, wodurch sich die Betriebslebensdauer des organischen ELD erhöht. Da jedoch bei nach oben emittierenden organischen ELDs eine Kathode gemeinsam über der organischen EL-Schicht ausgebildet ist, sind die Materialauswahl und die Lichttransmission eingeschränkt, so dass die Lichttransmissionseffizienz verringert ist. Wenn eine Passivierungsschicht vom Dünnfilmtyp hergestellt wird, um eine Verringerung der Lichttransmission zu verhindern, kann es dieser Dünnfilm-Passivierungsschicht unter Umständen nicht gelingen, das Eindringen von Aussenluft in die Vorrichtung zu verhindern.
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EP 1 209 744 A2 beschreibt eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung, bei der auf einem ersten Substrat eine organische Elektrolumineszenzschicht per Tintenstrahldruckverfahren aufgebracht wird. - ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Demgemäss ist die Erfindung auf eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung gerichtet, die eines oder mehrere der Probleme durch Einschränkungen und Nachteile der einschlägigen Technik im Wesentlichen vermeiden.
- Es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung, die dadurch hergestellt wird, dass eine Arrayschicht und eine organische Elektrolumineszenzdiode auf jeweiligen Substraten ausgebildet werden und die Substrate aneinander befestigt werden, und ein Verfahren zum Herstellen derselben zu schaffen.
- Ein Vorteil der Erfindung besteht darin, dass eine organi sche Elektrolumineszenzvorrichtung, die in einem Anzeigebereich über eine erste Verbindungselektrode und in einem Umfangsbereich über eine zweite Verbindungselektrode verfügt, und ein Verfahren zum Herstellen derselben geschaffen werden.
- Eine anderer Vorteil der Erfindung besteht darin, dass eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung mit hohem Öffnungsverhältnis, hoher Anzeigequalität und verbesserter Herstellausbeute geschaffen werden.
- Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst.
- Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung dargelegt, und sie gehen teilweise aus der Beschreibung hervor oder ergeben sich beim Realisieren der Erfindung. Die Aufgaben und andere Vorteile der Erfindung werden durch die Struktur realisiert und erzielt, wie sie speziell in der schriftlichen Beschreibung und den zugehörigen Ansprüchen sowie den beigefügten Ansprüchen dargelegt ist.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Die beigefügten Zeichnungen, die enthalten sind, um für ein weiteres Verständnis der Erfindung zu sorgen, und die in diese Beschreibung eingeschlossen sind und einen Teil derselben bilden, veranschaulichen Ausführungsformen der Erfindung, und sie dienen gemeinsam mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien derselben zu erläutern. In den Zeichnungen ist Folgendes dargestellt:
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1 ist eine schematische Schnittansicht einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung gemäss der einschlägigen Technik; -
2 ist eine schematische Draufsicht, die eine Arrayschicht einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung gemäss der einschlägigen Technik zeigt; -
3 ist eine schematische Draufsicht, die eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung gemäss der einschlägigen Technik zeigt; -
4A ist eine schematische Schnittansicht entlang einer Linie IVa-IVa in der2 ; -
4B ist eine schematische Schnittansicht entlang einer Linie IVb-IVb in der3 ; -
5 ist eine schematische Draufsicht, die eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt; -
6 ist eine schematische Schnittansicht entlang einer Linie VI-VI in der5 , die eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt; -
7A bis7D sind schematische Schnittansichten, die einen Herstellprozess für einen Pixelbereich eines ersten Substrats für eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung entlang einer Schnittlinie veranschaulichen, die mit der Schnittlinie IVa-IVa in der2 vergleichbar ist; -
8A bis8D , die entlang einer Linie VIII-VIII in der5 aufgenommen sind, sind schematische Schnittansichten zum Veranschaulichen eines Herstellprozesses für einen Attrappenpixelbereich eines ersten Substrats für eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung; und -
9A bis9C sind schematische Schnittansichten zum Veranschaulichen eines Herstellprozesses eines zweiten Substrats für eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
- Nun wird detailliert auf die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung Bezug genommen, zu denen in den beigefügten Zeichnungen Beispiele veranschaulicht sind.
- Die
5 ist eine schematische Draufsicht, die eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt. - In der
5 verfügt ein organisches Elektrolumineszenzdisplay (ELD)99 über ein erstes Substrat100 mit einer Arrayschicht sowie ein zweites Substrat200 mit einer organischen Elektrolumineszenz(EL)diode. Das erste und das zweite Substrat100 und200 sind durch ein Dichtmittel300 aneinander befestigt. In einem Umfangsbereich des ersten Substrats300 ist ein Kontaktfleck126 , an den eine Spannung gelegt wird, so ausgebildet, dass er das Dichtmittel300 schneidet. Angrenzend an eine Grenze G eines Anzeigebereichs ist ein Attrappenpixelbereich PD so angeordnet, dass er den Anzeigebereich umgibt. Im Abschnitt des ersten Substrats100 , der dem Attrappenpixelbereich PD entspricht, sind keine Schalt- und Treiberelemente ausgebildet. - Die
6 ist eine schematische Schnittansicht, die entlang einer Linie VI-VI in der5 aufgenommen ist und eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt. - Gemäß der
6 wird ein organisches Elektrolumineszenzdisplay (ELD)99 dadurch hergestellt, dass das erste und das zweite Substrat100 und200 durch ein Dichtmittel300 aneinander befestigt werden. Das erste und das zweite Substrat100 und200 verfügen über eine Vielzahl von Pixelbereichen P und Attrappenpixelbereichen PD, die diese umgeben. Auf der Innenseite des ersten Substrats100 werden angrenzend an jeden Pixelbereich P ein Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) (nicht dargestellt) und ein Treiber-TFT TD ausgebildet. Ob wohl es in der6 nicht dargestellt ist, wird eine Vielzahl von Arrayleitungen auf der Innenseite des ersten Substrats100 hergestellt. Auf der Innenseite des zweiten Substrats200 wird eine erste Elektrode202 hergestellt. Auf der ersten Elektrode202 wird an der Grenze jedes Pixelbereichs P eine Seitenwand204 so hergestellt, dass dieser umgeben ist. Auf der ersten Elektrode202 werden in jedem Pixelbereich P eine organische Elektrolumineszenzschicht206 und eine zweite Elektrode208 sequenziell hergestellt. Zwischen der ersten Elektrode202 und der Seitenwand204 kann ein Hilfsmuster203 hergestellt werden. - Die zweiten Elektroden
208 sind jeweils indirekt über eine jeweilige erste Verbindungselektrode130 mit einer jeweiligen Treiber-Drainelektrode122 eines Treiber-TFT TD verbunden. Nachdem die erste Verbindungselektrode130 über dem Treiber-TFT TD hergestellt wurde, um mit der Treiber-Drainelektrode122 in Kontakt zu stehen, kontaktiert sie die zweite Elektrode208 auf der organischen EL-Schicht206 , wenn das erste und das zweite Substrat100 und200 aneinander befestigt werden. In einem Umfangsbereich des ersten Substrats100 ist ein Kontaktfleck126 ausgebildet. Auf dem Kontaktfleck126 ist eine zweite Verbindungselektrode132 so ausgebildet, dass die erste Elektrode202 auf dem zweiten Substrat200 kontaktiert wird. Die erste Elektrode202 kann aus einem transparenten, leitenden Material bestehen, und wenn dies der Fall ist, zeigt sie einen relativ hohen Widerstand. Demgemäß kann eine Hilfselektrode210 auf der ersten Elektrode202 hergestellt werden, wenn diese aus einem transparenten, leitenden Material besteht. Die Hilfselektrode210 kann aus demselben Material wie die zweite Elektrode208 bestehen. - Wie es in der
6 dargestellt ist, wird z. B. ein Attrappenpixelbereich PD zwischen dem Umfangsbereich, in dem der Kontaktfleck126 ausgebildet ist, und einem Pixelbereich P angeordnet. Der Schalt-TFT (nicht dargestellt), der Treiber-TFT TD und die erste Verbindungselektrode130 werden auf demjenigen Abschnitt des ersten Substrats100 nicht hergestellt, der dem Attrappenpixelbereich PD entspricht. Im Ergebnis ist die zweite Elektrode208 im Attrappenpixelbereich PD elektrisch potenzialfrei. Aufgrund dieser Anordnung kann die organische EL-Diode selbst dann normal arbeiten, wenn die erste Elektrode202 aufgrund eines Herstellfehlers mit der zweiten Elektrode208 im Attrappenpixelbereich PD in Kontakt steht. - Die
7A bis7D und die8A bis8D sind schematische Schnittansichten zum Veranschaulichen eines Herstellprozesses für eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Die7A bis7D , die Ansichten entlang einer Schnittlinie sind, veranschaulichen einen Herstellprozess für einen Pixelbereich eines ersten Substrats für eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung entlang einer Schnittlinie, die mit der Schnittlinie IVa-IVa in der2 vergleichbar ist, und sie veranschaulichen einen Herstellprozess für einen Pixelbereich eines ersten Substrats für eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung. Die8A bis8D , die Ansichten entlang einer Linie VIII-VIII in der5 sind, veranschaulichen einen Herstellprozess für einen Attrappenpixelbereich eines ersten Substrats für eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung. - In der
7A ist ein erstes Substrat100 mit einem Pixelbereich P dargestellt. In der8A ist ein Attrappenpixelbereich PD dargestellt, der benachbart an eine Grenze eines Anzeigebereichs mit dem Pixelbereich P liegt. Der Pixelbereich P verfügt über einen Schaltbereich (nicht dargestellt), einen Treiberbereich (D) und einen Speicherbereich (C). Auf der gesamten Fläche des ersten Substrats100 wird eine erste Isolierschicht (Pufferschicht)102 dadurch hergestellt, dass ein aus einer Siliciumisoliermaterial-Gruppe, zu der Siliciumnitrid (SiNx) und Siliciumoxid (SiO2) gehören, ausgewähltes Material abgeschieden wird. Auf der Pufferschicht102 werden im Treiber- und im Speicherbereich D bzw. C eine erste bzw. eine zweite aktive Schicht104 und105 aus polykristallinem Silicium hergestellt. Die erste und die zweite aktive Schicht104 und105 können z. B. durch einen Dehydrierprozess und einen Kristallisationsprozess unter Anwendung von Wärme nach dem Abscheiden vom amorphem Silicium ausgebildet werden. Die zweite aktive Schicht105 wirkt durch Dotieren mit Fremdstoffen als erste Elektrode eines Speicherkondensators. - Auf der ersten aktiven Schicht
104 werden eine zweite Isolierschicht106 (eine Gate-Isolierschicht) und eine Gateelektrode108 sequenziell hergestellt. Die zweite Isolierschicht106 kann auf der gesamten Fläche des ersten Substrats100 hergestellt werden. Die zweite Isolierschicht106 kann aus einem Material einer Gruppe anorganischer Isoliermaterialien, zu denen Siliciumnitrid (SiNx) und Siliciumoxid (SiO2) gehören, hergestellt werden. Nach dem Herstellen der Gateelektrode108 wird die erste aktive Schicht104 mit Fremdstoffen wie Bor (B) oder Phosphor (P) dotiert, um einen Kanalbereich104a sowie einen Source- und einen Drainbereich104b und104c zu definieren. Auf der Gateelektrode108 wird eine dritte Isolierschicht110 (eine Zwischenschicht-Isolierschicht) hergestellt. Die Gateelektrode108 kann aus einem Material einer Gruppe leitender Metallmaterialien, zu denen Aluminium (Al), Aluminium(Al)legierungen, Kupfer (Cu), Wolfram (W), Tantal (Ta) und Molybdän (Mo) gehören, hergestellt werden. Die dritte Isolierschicht110 kann aus einem Material einer Gruppe anorganischer Isoliermaterialien, zu denen Siliciumnitrid (SiNx) und Siliciumoxid (SiO2) gehören, hergestellt werden. Auf der dritten Isolierschicht110 wird eine Spannungsleitung (nicht dargestellt) so hergestellt, dass sie mit der zweiten aktiven Schicht105 überlappt. Ein Abschnitt der Spannungsleitung, der mit der zweiten aktiven Schicht105 überlappt, wirkt als Kondensatorelektrode112a . Diese Kondensatorelektrode112a wird im Speicherbereich C dadurch auf der dritten Isolierschicht110 hergestellt, dass ein Material aus einer Gruppe leitender Materialien, zu denen Aluminium (Al), Aluminium(Al)legierungen, Kupfer (Cu), Wolfram (W), Tantal (Ta) und Molybdän (Mo) gehören, abgeschieden und strukturiert wird. Die zweite aktive Schicht105 und die Kondensatorelektrode112a in Überlappung mit derselben bilden mit der dazwischen eingefügten dritten Isolierschicht110 einen Speicherkondensator. - Gemäß den
7B und8B wird eine vierte Isolierschicht114 auf der Spannungsleitung einschließlich der Kondensatorelektrode112a hergestellt. Die vierte Isolierschicht114 verfügt über ein den Drainbereich104 freilegendes erstes Kontaktloch116 , ein den Sourcebereich104b freilegendes zweites Kontaktloch118 und ein die Kondensatorelektrode112a freilegendes drittes Kontaktloch120 . - Gemäß den
7C und8C werden die Source- und die Drainelektrode124 und122 dadurch auf der vierten Isolierschicht114 hergestellt, dass ein Material aus einer Gruppe leitender Metalle, einschließlich Chrom (Cr), Molybdän (Mo), Tantal (Ta) und Wolfram (W) abgeschieden und strukturiert wird. Die Sourceelektrode124 kontaktiert den Sourcebereich104b durch das zweite Kontaktloch118 hindurch, und die Drainelektrode122 kontaktiert den Drainbereich104c durch das erste Kontaktloch116 hindurch. Gleichzeitig wird im Umfangsbereich des Anzeigebereichs mit dem Pixelbereich P ein Kontaktfleck126 auf der vierten Isolierschicht114 hergestellt. Auf der Source- und der Drainelektrode124 und122 sowie dem ersten Kontaktfleck126 wird eine fünfte Isolierschicht128 mit einem vierten, fünften und sechsten Kontaktloch134 ,136 und138 hergestellt. Das vierte Kontaktloch134 legt die Drainelektrode122 frei, und das fünfte und das sechste Kontaktloch136 und138 legen die beiden Seiten des Kontaktflecks126 frei. - Gemäß den
7D und8D werden eine erste und eine zweite Verbindungselektrode130 und132 dadurch auf der fünften Isolierschicht128 hergestellt, dass ein leitendes Metallmaterial abgeschieden und strukturiert wird. Die erste Verbindungselektrode130 kontaktiert die Drainelektrode122 durch das vierte Kontaktloch134 hindurch, und sie ist im Pixelbereich P angeordnet. Die zweite Verbindungselektrode132 kontaktiert den Kontaktfleck126 durch das fünfte Kontaktloch136 hindurch. - Gemäß den
8A bis8D ist weder ein Schalt-TFT noch ein Treiber-TFT im Attrappenpixelbereich PD ausgebildet. Im Attrappenpixelbereich PD sind nur Isolierschichten ausgebildet. - Die
9A bis9C sind schematische Schnittansichten zum Veranschaulichen eines Herstellprozesses eines zweiten Substrats für eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. - Gemäß der
9A verfügt ein zweites Substrat200 über einen Pixelbereich P und einen Attrappenpixelbereich PD. Auf dem zweiten Substrat200 wird eine erste Elektrode202 hergestellt. Diese erste Elektrode202 kann als Anode wirken, die Löcher in eine organische Elektrolumineszenz(EL)schicht206 (in der9B ) injiziert. Z. B. kann die erste Elektrode202 aus Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO) bestehen. Auf der ersten Elektrode202 wird an einer Grenze des Pixelbereichs P ein Hilfsisoliermuster203 ausgebildet, und auf diesem wird eine Seitenwand204 hergestellt. Das Hilfsisoliermuster203 wird hergestellt, um einen Kontakt der ersten Elektrode202 mit einer zweiten Elektrode208 (in der8C ) zu verhindern. Die Seitenwand204 kann dadurch hergestellt werden, dass ein fotoempfindliches organisches Material abgeschieden und strukturiert wird. Das Hilfsisoliermuster203 und die Seitenwand204 werden z. B. gitterförmig hergestellt. - Gemäß der
9B wird eine organische Elektrolumineszenz(EL)schicht206 auf der ersten Elektrode202 hergestellt. Die organische EL-Schicht206 emittiert entsprechend einem Pixelbereich P Licht in der Farbe Rot (R), Grün (G) oder Blau (B). Die organische EL-Schicht206 kann eine Einzelschicht oder eine Mehrfachschicht sein. Im Fall einer Mehrfachschicht kann die organische EL-Schicht206 über eine Löchertransportschicht (HTL)206a , eine Emissionsschicht206b und eine Elektronentransportschicht (ETL)206c verfügen. - Gemäß der
9C wird eine einem Pixelbereich P entsprechende zweite Elektrode208 auf der organischen EL-Schicht206 hergestellt. Die zweite Elektrode208 ist unabhängig von der benachbarten zweiten Elektrode208 . Gleichzeitig mit der zweiten Elektrode208 wird in einem Umfangsbereich eines den Pixelbereich P enthaltenden Anzeigebereichs eine Hilfselektrode210 hergestellt. Die Hilfselektrode210 ist elektrisch potenzialfrei, d. h., sie ist nicht elektrisch mit der zweiten Elektrode208 verbunden. Die zweite Elektrode208 kann als Elektronen in die organische EL-Schicht206 injizierende Kathode wirken. Z. B. kann die zweite Elektrode208 eine Einzelschicht aus Aluminium (Al), Calcium (Ca) oder Magnesium (Mg) oder eine Doppelschicht von Lithiumfluorid(LiF)/Aluminium (Al) sein. Die zweiten Elektroden können über eine nie drigere Arbeitsfunktion als die erste Elektrode202 verfügen. - Ein erfindungsgemäßes ELD verfügt über einen einen Anzeigebereich mit einem Pixelbereich umgebenden Attrappenpixelbereich. An einer Grenze des Attrappenpixelbereichs ist eine Seitenwand ausgebildet. Im Attrappenpixelbereich ist weder ein Schalt-TFT noch ein Treiber-TFT ausgebildet. Im Pixelbereich ist unabhängig eine zweite Elektrode ausgebildet. Außerdem ist die zweite Elektrode im Attrappenpixelbereich nicht elektrisch mit dem Treiber-TFT verbunden, und sie ist elektrisch potenzialfrei. Demgemäß kann das organische ELD selbst dann normal arbeiten, wenn eine erste Elektrode einer organischen EL-Diode mit einer zweiten Elektrode derselben aufgrund eines Prozessfehlers im Attrappenpixelbereich in Kontakt gelangt.
- Die erfindungsgemäße Anordnung eines organischen ELD führt zu speziellen Vorteilen. Erstens kann ein hohes Öffnungsverhältnis erzielt werden, da das organische ELD vom nach oben emittierenden Typ ist. Zweitens können, da eine Arrayschicht mit einem Dünnschichttransistor und einer organischen EL-Diode auf jeweiligen Substraten unabhängig voneinander ausgebildet sind, unerwünschte Effekte aufgrund eines Herstellprozesses für die organische EL-Diode verhindert werden, um dadurch die Gesamt-Herstellausbeute zu verbessern.
- Drittens ist eine erste Elektrode nicht elektrisch mit einer zweiten Elektrode verbunden, da ein Attrappenpixelbereich, in dem weder ein Schalt-TFT noch ein Treiber-TFT hergestellt sind, an der Grenze eines Anzeigebereichs angeordnet ist. Der Attrappenpixelbereich sorgt für eine Ausrichtungstoleranz bei einem Maskenprozess für die zweite Elektrode. Demgemäß sind die Kontakteigenschaften und die Herstellausbeute verbessert, und es ist eine Signalverzerrung verhindert.
Claims (33)
- Organische Elektrolumineszenzvorrichtung mit: – einem ersten und einem zweiten Substrat (
100 ,200 ), die einander zugewandt sind und voneinander beabstandet sind, wobei das erste und das zweite Substrat (100 ,200 ) über einen Anzeigebereich und einen Umfangsbereich verfügen, von denen der Anzeigebereich über eine Vielzahl von Pixelbereichen (P) und einen Attrappenpixelbereich (PD) verfügt; – Treiber-Dünnschichttransistoren (TD), die jeweils angrenzend an jeden der Vielzahl von Pixelbereichen (P) auf der Innenseite des ersten Substrats (100 ) hergestellt sind; – ersten Verbindungselektroden (130 ), die jeweils nur in den Pixelbereichen (P) auf einer Passivierungsschicht (128 ) des ersten Substrats (100 ) hergestellt sind und unmittelbar mit den Treiber-Dünnschichttransistoren (TD) verbunden sind; – einer ersten Elektrode (202 ), die auf der gesamten Innenseite des zweiten Substrats (200 ) hergestellt ist; – einer Seitenwand (204 ), die auf der ersten Elektrode (202 ) an einer Grenze jedes Pixelbereichs (P) und des Attrappenpixelbereichs (PD) hergestellt ist; – einer organischen Elektrolumineszenzschicht (206 ), die auf der ersten Elektrode (202 ) hergestellt ist; – zweiten Elektroden (208 ), die auf der organischen Elektrolumineszenzschicht (206 ) in solcher Weise hergestellt sind, dass in jedem Pixelbereich (P) und im Attrappenpixelbereich (PD) eine zweite Elektrode (208 ) vorhanden ist, wobei die zweiten Elektroden (208 ) des zweiten Substrats (200 ) in jedem Pixelbereich (P) nach einem Zusammenfügen des ersten und zweiten Substrats jeweils mit den auf dem ersten Substrat (100 ) hergestellten ersten Verbindungselektroden (130 ) verbunden sind; – und einem Kontaktfleck (126 ), der im Umfangsbereich auf einer Gateisolationsschicht (110 ) des ersten Substrats (100 ) hergestellt ist, um eine gemeinsame Spannung für die erste Elektrode (202 ) im Umfangsbereich bereitzustellen, – und eine zweite Verbindungselektrode (132 ), die auf dem Kontaktfleck (126 ) hergestellt ist, wobei die zweite Verbindungselektrode (132 ) aus dem gleichem Material wie die erste Verbindungselektrode (130 ) hergestellt ist, – einem Dichtmittel (300 ), das das erste und zweite Substrat (100 ,200 ) aneinander befestigt. - Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die zweite Verbindungselektrode (
132 ) in derselben Schicht wie die ersten Verbindungselektroden (130 ) hergestellt ist und die erste Elektrode (202 ) mit der zweiten Verbindungselektrode (132 ) verbunden ist. - Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die zweite Elektrode (
208 ) im Attrappenpixelbereich (PD) elektrisch potenzialfrei ist. - Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der jeder der Treiber-Dünnschichttransistoren (TD) eine aktive Treiberschicht (
104 ), eine Treiber-Gateelektrode (108 ) sowie eine Treiber-Sourceelektrode (124 ) und eine Treiber-Drainelektrode (122 ) aufweist. - Vorrichtung nach Anspruch 2, bei der jeder der Treiber-Dünnschichttransistoren (TD) eine aktive Treiberschicht (
104 ), eine Treiber-Gateelektrode (108 ) sowie eine Treiber-Sourceelektrode (124 ) und eine Treiber-Drainelektrode (122 ) aufweist, und bei der der Kontaktfleck (126 ) aus demselben Material wie die Treiber-Sourceelektrode (124 ) und die Treiber-Drainelektrode (122 ) hergestellt ist. - Vorrichtung nach Anspruch 4, ferner mit Schalt-Dünnschichttransistoren, die mit den Treiber-Dünnschichttransistoren (TD) verbunden sind und von denen jeder eine schaltende, aktive Schicht (
40 ), eine Schalt-Ga teelektrode (36 ) sowie eine Schalt-Sourceelektrode (46 ) und eine Schalt-Drainelektrode (50 ) aufweist. - Vorrichtung nach Anspruch 6, bei der die aktive Treiberschicht (
104 ) und die schaltende, aktive Schicht (40 ) aus polykristallinem Silizium bestehen. - Vorrichtung nach Anspruch 6, bei der die Schalt-Sourceelektrode (
46 ) mit einer Datenleitung (34 ) verbunden ist, die Schalt-Drainelektrode (50 ) mit der Treiber-Gateelektrode (108 ) verbunden ist und die Schalt-Gateelektrode (36 ) mit einer Gateleitung (32 ) verbunden ist. - Vorrichtung nach Anspruch 1, ferner mit einer Spannungsleitung (
35 ), die mit den Treiber-Dünnschichttransistoren (TD) verbunden ist. - Vorrichtung nach Anspruch 1, ferner mit Speicherkondensatoren (Cst), die mit den Treiber-Dünnschichttransistoren (TD) verbunden sind.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die erste Elektrode (
202 ) eine Anode ist, die Löcher in die organische Elektrolumineszenzschicht (206 ) injiziert, und die zweiten Elektroden (208 ) Kathoden sind, die Elektronen in die organische Elektrolumineszenzschicht (206 ) injizieren. - Vorrichtung nach Anspruch 11, bei der die erste Elektrode (
202 ) aus Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO) besteht. - Vorrichtung nach Anspruch 11, bei der die zweite Elektrode (
208 ) aus Calcium (Ca), Aluminium (Al) oder Magnesium (Mg) besteht. - Vorrichtung nach Anspruch 2, ferner mit einer Hilfselektrode (
210 ) zwischen der ersten Elektrode (202 ) und der zweiten Verbindungselektro de (132 ), wobei die Hilfselektrode (210 ) aus demselben Material wie die zweiten Elektroden (208 ) besteht. - Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der der Attrappenpixelbereich (PD) die Vielzahl von Pixelbereichen (P) umgibt.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, ferner mit einer Hilfsisolierschicht (
203 ) zwischen der ersten Elektrode (202 ) und mindestens einer der Seitenwände (204 ). - Verfahren zum Herstellen einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung, umfassend: – Herstellen eines ersten Substrats (
100 ) mit einem Anzeigebereich und einem Umfangsbereich, wobei der Anzeigebereich über eine Vielzahl von Pixelbereichen (P) und einen Attrappenpixelbereich (PD) verfügt; – Herstellen von Treiber-Dünnschichttransistoren (TD) jeweils benachbart zu jedem der Vielzahl von Pixelbereichen (P) und – Herstellen eines Kontaktflecks (126 ) auf dem ersten Substrat (100 ) im Umfangsbereich; – Herstellen erster Verbindungselektroden (130 ) auf dem ersten Substrat (100 ) jeweils nur in den Pixelbereichen (P) auf einer Passivierungsschicht des Substrats (100 ), die jeweils direkt mit den Treiber Dünnschichttransistoren (TD) verbunden sind; – Herstellen einer zweiten Verbindungselektrode (132 ) auf dem Kontaktfleck (126 ) zeitgleich und aus demselben Material wie die erste Verbindungselektrode (130 ); – Herstellen einer ersten Elektrode (202 ) auf einem zweiten Substrat (200 ) mit dem Anzeigebereich und dem Umfangsbereich; – Herstellen einer Seitenwand (204 ) auf der ersten Elektrode (202 ) an einer Grenze (G) jedes Pixelbereichs (P) und des Attrappenpixelbereichs (PD); – Herstellen einer organischen Elektrolumineszenzschicht (206 ) auf der ersten Elektrode (202 ); – Herstellen zweiter Elektroden (208 ) auf der organischen Elektrolumineszenzschicht (206 ) in solcher Weise, dass in jedem Pixelbereich (P) und im Attrappenpixelbereich (PD) eine zweite Elektrode (208 ) ausgebildet ist; und – Befestigen des ersten und des zweiten Substrats (100 ,200 ) in solcher Weise mittels eines Dichtmittels (300 ) aneinander, dass die am ersten Substrat (100 ) hergestellten ersten Verbindungselektroden (130 ) mit den am zweiten Substrat (200 ) hergestellten weiten Elektroden (208 ) in Kontakt stehen und eine am Kontaktfleck (126 ) anliegende gemeinsame Spannung über die zweite Verbindungselektrode (132 ) an die erste Elektrode (202 ) angelegt wird. - Verfahren nach Anspruch 17, bei dem jeder der Treiber-Dünnschichttransistoren (TD) eine aktive Treiberschicht (
104 ), eine Treiber-Gateelektrode (108 ) sowie eine Treiber-Sourceelektrode (124 ) und eine Treiber-Drainelektrode (122 ) aufweist. - Verfahren nach Anspruch 17, bei dem jeder der Treiber-Dünnschichttransistoren (TD) eine aktive Treiberschicht (
104 ), eine Treiber-Gateelektrode (108 ) sowie eine Treiber-Sourceelektrode (124 ) und eine Treiber-Drainelektrode (122 ) aufweist, und bei dem der Kontaktfleck (126 ) und die Treiber-Sourceelektrode (124 ) und die Treiber-Drainelektrode (122 ) gleichzeitig hergestellt werden. - Verfahren nach Anspruch 18, ferner umfassend: das Herstellen von mit den Treiber-Dünnschichttransistoren (TD) verbundenen Schalt-Dünnschichttransistoren (TS), von denen jeder eine schaltende, aktive Schicht (
40 ), eine Schalt-Gateelektrode (36 ) und eine Schalt-Sourceelektrode (46 ) sowie eine Schalt-Drainelektrode (50 ) aufweist. - Verfahren nach Anspruch 20, bei dem die aktive Treiberschicht (
104 ) und die schaltende, aktive Schicht (40 ) aus polykristallinem Silizium bestehen. - Verfahren nach Anspruch 20, bei dem die Schalt-Sourceelektrode (
46 ) mit einer Datenleitung (34 ) verbunden ist, die Schalt-Drainelektrode (50 ) mit der Treiber-Gateelektrode (108 ) verbunden ist und die Schalt-Gateelektrode (36 ) mit einer Gateleitung (32 ) verbunden ist. - Verfahren nach Anspruch 17, ferner umfassend: das Herstellen einer mit den Treiber-Dünnschichttransistoren (TD) verbundenen Spannungsleitung (
35 ). - Verfahren nach Anspruch 17, ferner umfassend: das Herstellen von mit den Treiber-Dünnschichttransistoren (TD) verbundenen Speicherkondensatoren (Cst).
- Verfahren nach Anspruch 17, bei dem die erste Elektrode (
202 ) eine Anode ist, die Löcher in die organische Elektrolumineszenzschicht (206 ) injiziert, und die zweiten Elektroden (208 ) Kathoden sind, die Elektronen in die organische Elektrolumineszenzschicht (206 ) injizieren. - Verfahren nach Anspruch 25, bei dem die erste Elektrode (
202 ) aus Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO) besteht. - Verfahren nach Anspruch 25, bei dem die zweiten Elektroden (
208 ) aus Calcium (Ca), Aluminium (Al) oder Magnesium (Mg) bestehen. - Verfahren nach Anspruch 17, ferner umfassend: das Herstellen einer Hilfselektrode (
210 ) zwischen der ersten Elektrode (202 ) und der zweiten Verbindungselektrode (132 ), wobei die Hilfselektrode (210 ) und die zweiten Elektroden (208 ) gleichzeitig hergestellt werden. - Verfahren nach Anspruch 17, bei dem der Attrappenpixelbereich (PD) die Vielzahl von Pixelbereichen (P) umgibt.
- Verfahren nach Anspruch 17, ferner umfassend: das Herstellen einer Hilfsisolierschicht (
203 ) zwischen der ersten Elektrode (202 ) und mindestens einer der Seitenwände (204 ). - Verfahren zum Herstellen einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung, umfassend: – Herstellen einer ersten Isolierschicht (
102 ) auf einem ersten Substrat (100 ) mit einem Anzeigebereich und einem Umfangsbereich, wobei der Anzeigebereich über eine Vielzahl von Pixelbereichen (P) und einen Attrappenpixelbereich (PD) verfügt; – Herstellen einer aktiven Schicht (104 ,105 ) auf der ersten Isolierschicht (102 ) in jedem der Vielzahl von Pixelbereichen (P), wobei die aktive Schicht (104 ,105 ) aus polykristallinem Silizium besteht und über Source- und Drainbereiche (104b ,104c ) verfügt; – Herstellen einer zweiten Isolierschicht (106 ) auf der aktiven Schicht (104 ); – Herstellen einer Gateelektrode (108 ) auf der zweiten Isolierschicht (106 ) über der aktiven Schicht (104 ); – Herstellen einer dritten Isolierschicht (110 ) auf der Gateelektrode (108 ); – Herstellen einer vierten Isolierschicht (114 ) auf der dritten Isolierschicht (110 ), wobei die vierte Isolierschicht (114 ) über ein erstes und ein zweites Kontaktloch (116 ,118 ) verfügt, von denen das erste Kontaktloch (116 ) den Drainbereich (104c ) freilegt und das zweite Kontaktloch (118 ) den Sourcebereich (104b ) freilegt; – Herstellen eines Kontaktflecks (126 ) auf der vierten Isolierschicht (114 ) im Umfangsbereich; – Herstellen von Source- und Drainelektroden (124 ,122 ) auf der vierten Isolierschicht (114 ), wobei die Sourceelektrode (124 ) durch das zweite Kontaktloch (118 ) hindurch mit dem Sourcebereich (104b ) verbunden ist und die Drainelektrode (122 ) durch das erste Kontaktloch (116 ) hindurch mit dem Drainbereich (104c ) verbunden ist; – Herstellen einer fünften Isolierschicht (128 ) auf der Source- und der Drainelektrode (124 ,122 ), wobei diese fünfte Isolierschicht (128 ) über ein viertes Kontaktloch (134 ) verfügt, das die Drainelektrode (122 ) freilegt; – Herstellen von ersten Verbindungselektroden (130 ) jeweils nur in den Pixelbereichen (P) auf der fünften Isolierschicht (128 ), die durch das vierte Kontaktloch (134 ) hindurch unmittelbar mit der Drainelektrode (122 ) verbunden sind; – zeitgleiches Herstellen einer zweiten Verbindungselektrode (132 ) auf der fünften Isolierschicht (128 ) über dem Kontaktfleck (126 ), die über ein fünftes Kontaktloch (136 ) in der fünften Isolierschicht (128 ) direkt mit dem Kontaktfleck (126 ) verbunden ist, wobei die zweite Verbindungselektrode (132 ) aus dem gleichem Material wie die erste Verbindungselektrode (130 ) hergestellt ist, – Herstellen einer ersten Elektrode (202 ) auf einem zweiten Substrat (200 ) mit dem Anzeigebereich und dem Umfangsbereich; – Herstellen einer Seitenwand (204 ) auf der ersten Elektrode (202 ) an einer Grenze jedes Pixelbereichs (P) und des Attrappenpixelbereichs (PD); – Herstellen einer organischen Elektrolumineszenzschicht (206 ) auf der ersten Elektrode (202 ); – Herstellen einer zweiten Elektrode (208 ) auf der organischen Elektrolumineszenzschicht (206 ) in jedem Pixelbereich (P); und – Befestigen des ersten und des zweiten Substrats (100 ,200 ) mittels eines Dichtmittels (300 ) in solcher Weise aneinander, dass nach dem Zusammenfügen des ersten und zweiten Substrats (100 ,200 ) die erste Verbindungselektrode (130 ) mit der zweiten Elektrode (208 ) in Kontakt tritt und die zweite Verbindungselektrode (132 ) mit der ersten Elektrode (202 ) im Umfangsbereich in Kontakt tritt, um eine gemeinsame Spannung an die erste Elektrode (202 ) anzulegen. - Verfahren nach Anspruch 31, bei dem die erste, dritte, vierte und fünfte Isolierschicht (
102 ,106 ,110 ,114 ,128 ) sequentiell auf der Innenseite des ersten Substrats (100 ) im Attrappenpixelbereich (PD) hergestellt werden. - Verfahren nach Anspruch 31, wobei die fünfte Isolierschicht (
128 ), die auf dem Kontaktfleck (126 ) hergestellt wird, über das fünfte und ein sechstes Kontaktloch (136 ,138 ) verfügt, die den Kontaktfleck (126 ) freilegen.
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