NL1025133C2 - Organische elektroluminescerende inrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. - Google Patents

Organische elektroluminescerende inrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. Download PDF

Info

Publication number
NL1025133C2
NL1025133C2 NL1025133A NL1025133A NL1025133C2 NL 1025133 C2 NL1025133 C2 NL 1025133C2 NL 1025133 A NL1025133 A NL 1025133A NL 1025133 A NL1025133 A NL 1025133A NL 1025133 C2 NL1025133 C2 NL 1025133C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
electrode
forming
driving
layer
organic electroluminescent
Prior art date
Application number
NL1025133A
Other languages
English (en)
Other versions
NL1025133A1 (nl
Inventor
Jae-Yong Park
Choong-Keun Yoo
Nam-Yang Lee
Ock-Hee Kim
Original Assignee
Lg Philips Lcd Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lg Philips Lcd Co filed Critical Lg Philips Lcd Co
Publication of NL1025133A1 publication Critical patent/NL1025133A1/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL1025133C2 publication Critical patent/NL1025133C2/nl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/127Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/88Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/127Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
    • H10K59/1275Electrical connections of the two substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

t ,
Korte aanduiding: Organische elektroluminescerende inrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
[0001] De onderhavige uitvinding heeft roept de prioriteit in van de Koreaanse octrooiaanvrage nr. 2002-88427, ingediend in Korea op 31 december 2002, waarvan de inhoud als hier opgenomen dient te worden beschouwd.
5
ACHTERGROND VAN DE UITVINDING GEBIED VAN DE UITVINDING
[0002] De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een organische elektroluminescerende inrichting en meer in het bijzonder op 10 een organische elektroluminescerende inrichting met twee platen omvattende een eerste substraat met een dunne-filmtransistormatrix en een tweede substraat met een organische elektroluminescerende eenheid, en op een werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
15 BESPREKING VAN DE STAND VAN DE TECHNIEK
[0003] In het algemeen emitteert een organische elektroluminescerende inrichting (ELD) licht door het injecteren van elektronen vanuit een kathode en van gaten vanuit een anode in een emitterende laag, door het combineren van de elektronen met de gaten, het te- 20 weegbrengen van een exciton en het doen overgaan van het exciton van een bekrachtigde toestand naar een geaarde toestand. In tegenstelling tot een displayinrichting met vloeiende kristallen (LCD) behoeft een organische ELD geen aanvullende lichtbron voor het emitteren van licht omdat de overgang van het exciton tussen de 25 toestanden daarvan ertoe leidt dat in het organisch ELD geheel licht wordt geëmitteerd. De afmetingen en het gewicht van de organische ELD kunnen dan ook worden gereduceerd. De organische ELD heeft andere gewenste karakteristieken zoals een lage stroomopname, een superieure helderheid en een snelle responsietijd. Als gevolg 30 van deze gunstige karakteristieken wordt de organische ELD beschouwd als een veelbelovende kandidaat voor verschillende elektronische consumententoepassingen van de volgende generatie, zoals cellulaire telefoons, navigatietoestellen voor voertuigen (CNS), persoonlijke digitale assistenten (PDA), camcorders en palmtopcomputers. Omdat 1025133 ι ι - 2 - het vervaardigen van een organische ELD een betrekkelijk eenvoudig proces is met weinig processtappen, is het veel goedkoper een organische ELD te vervaardigen dan een LCD inrichting.
[0004] Er bestaan twee verschillende soorten organische ELD's: die 5 met passieve matrix en die met actieve matrix. Hoewel de organische ELD's met passieve matrix een eenvoudige structuur hebben en worden gevormd met een eenvoudig vervaardigingsproces vergen organische ELD's met een passieve matrix een betrekkelijk hoog vermogen om te kunnen werken. De beeldafmeting van organische ELD's met passieve 10 matrix worden door hun structuur beperkt. Naarmate het aantal geleidende lijnen toeneemt zal de apertuurverhouding van organische ELD's met passieve matrix afnemen. Anderzijds is een tegenstelling tussen organische ELD's met actieve matrix en organische ELD's met passieve matrix dat de organische ELD's met actieve matrix een hoog 15 emissierendement vertonen en, bij een betrekkijk lage stroomopname, beelden met hoge kwaliteit op een groot display kunnen produceren.
[0005] Fig. 1 is een dwarsdoorsnede van een organische elektrolu-minescerende inrichting volgens de stand van de techniek.
[0006] Zoals in fig. 1 getoond omvat een organische elektrolumi-20 nescerende inrichting (ELD) 10 eerste en tweede, op afstand van elkaar gelegen en tegenover elkaar gelegen substraten 12 respectievelijk 28. Een arraylaag 14, een dunne-filmtransistor (TFT) "T" omvattend, is gevormd op een binnenoppervlak van het eerste substraat 12. Een eerste elektrode 16, een organische elektroluminescerende (EL) 25 laag 18, en een tweede elektrode 20 zijn in deze volgorde op de array- j laag 14 aangebracht. De organische EL laag 18 kan gescheiden rode, groene en blauwe kleuren weergeven voor elk pixelgebied P. In het algemeen worden aparte organische lagen gebruikt voor het emitteren van licht van elke kleur voor de organische EL laag 18 in elk pixel-30 gebied P. De organische laag 10 is ingekapseld door het met elkaar verbinden van het eerste substraat 12 en het tweede substraat 18, onder tussenvoeging van een vochtopnemend droogmiddel 22, met een af-dichtingsmiddel 28. Het vochtabsorberend droogmiddel 22 elimineert vocht en zuurstof dat in een capsule van de organische EL laag 18 zou 35 kunnen doordringen. Na het etsen van een gedeelte van het tweede substraat 28 wordt het geëtste gedeelte gevuld met vochtabsorberend droogmiddel 22 en het ingebrachte vochtabsorberend droogmiddel 22 wordt vastgehouden door een vasthoudend element 25.
1 0251 33 * · - 3 -
[0007] Fig. 2 is een schematisch vlak aanzicht van de arraylaag van een organische elektroluminescerende inrichting volgens de stand van de techniek.
[0008] Zoals getoond in fig. 2 omvat een arraylaag van een organi-5 sche elektroluminescerende inrichting (ELD) een schakelend element "Ts", een aansturend element "TD" en een opslagcondensator "CSt" - Het schakelend element "Ts", en het aansturend element "TD" kunnen omvatten de combinatie van ten minste één dunne-filmtransistor (TFT). Een transparant isolerend substraat 12 waarop de arraylaag is gevormd kan 10 zijn vervaardigd uit glas of uit kunststof. Een poortlijn 32 en een datalijn 34, die elkaar kruisen, zijn op het substraat 12 gevormd. Een pixelgebied "P" wordt bepaald door de poortlijn 32 en de datalijn 34. Een (niet getoonde) isolerende laag is aangebracht tussen de poortlijn 32 en de datalijn 34. Een voedende lijn 35, parallel aan en op afstand 15 van de datalijn 34, kruist de poortlijn 32.
[0009] Het schakelend element "Ts" in fig. 2 is een dunne-filmtransistor met een schakelende poortelektrode 36, een schakelende actieve laag 40, een schakelende bronelektrode 46 en een schakelende afvoer-elektrode 50. Op soortgelijke wijze is het aansturend element "TD" in 20 fig. 2 een dunne-filmtransistor met een aansturende poortelektrode 38, een aansturende actieve laag 42, een aansturende bronelektrode 48 en een aansturende afvoerelektrode 50. De aansturende poortelektrode 36 is verbonden met de poortlijn en de schakelende bronelektrode 46 is verbonden met de datalijn 34. De schakelende afvoerelektrode 50 is 25 verbonden met de aansturende poortelektrode 38 via een eerste contact-gat 54. De aansturende bronelektrode 48 is verbonden met de voedende lijn 35 via een tweede contactgat 56. Voorts is de aansturende afvoerelektrode 52 verbonden met de eerste elektrode 16 in het pixelgebied "P". De voedende lijn 35 overlapt een eerste condensatorelektrode 15 30 onder tussenvoeging van de isolerende laag, zodat een opslagcondensator "Cst" wordt gevormd.
[0010] Fig. 3 is een schematisch vlak aanzicht van de organische elektroluminescerende inrichting volgens de stand van de techniek.
[0011] Zoals in fig. 3 getoond omvat een substraat 12 een 35 dataplakgebied "E" aan de eerste zijde en eerste en tweede poortplak-gebieden "Fl" en "F2" aan tweede en derde zijden aangrenzend aan de eerste zijde. Een gemeenschappelijke elektrode 39 is gevormd aan een vierde zijde die is gericht naar de eerste zijde en grenst aan de tweede en derde zijden van het substraat 12. Een gemeenschappelijke 1025133 r r - 4 - spanning wordt aangelegd aan een tweede elektrode 20 via de gemeenschappelijke elektrode 39 teneinde een elektrische potentiaal op de tweede elektrode 20 te handhaven.
[0012] Fig. 4A is een schematische dwarsdoorsnede over de lijn 5 "IVa-IVa" in fig. 1 en fig. 4B is een schematische dwarsdoorsnede over de lijn "IVb-IVb" in fig. 3.
[0013] Volgens fig. 4A en 4B is op het substraat 12 een aansturende dunne-filmtransistor (TFT) "TD" gevormd met een aansturende actieve laag 42, een aansturende poortelektrode 38, een aansturende bronelek- 10 trode 48 en een aansturende afvoerelektrode 52. Een isolerende laag 57 is gevormd op de aansturende TFT "TD" en een eerste elektrode 16, verbonden met de aansturende afvoerelektrode 52, is gevormd op de isolerende laag 57. Een organische elektroluminescerende (EL) laag 18 voor het emitteren van licht van een bepaalde kleur is gevormd op de eerste 15 elektrode 16, en een tweede elektrode 20 is gevormd op de organische laag 18. De eerste en de tweede elektroden 16 en 18, in combinatie met de daartussen geplaatste organische EL laag 18, vormen een organische elektroluminescerende (EL) diode "DEL". Een opslagcondensator "Csr", die elektrisch parallel staat aan de aansturende TFT "TD" heeft eerste en 20 tweede condensatorelektroden 15 en 35a. Een gedeelte van een voedende lijn 35 (zie fig. 2) die de eerste condensatorelektrode 15 overlapt, wordt gebruikt als de tweede condensatorelektrode 35a. De tweede condensatorelektrode 35a is verbonden met de aansturende bronelektrode 56. De tweede elektrode 20 is gevormd over het gehele oppervlak van 25 het substraat 18, inclusief de aansturende TFT "TD", de opslagcondensator "Csr" en de organische EL laag 18.
[0014] Een gemeenschappelijke elektrode 39 via welke een gemeenschappelijke spanning wordt aangelegd aan de tweede elektrode 40, is gevormd aan een randgedeelte van het substraat 12. De gemeenschap- 30 pelijke elektrode 39 wordt tegelijk gevormd met de schakelende poortelektrode 36 (zie fig. 2) en de aansturende poortelektrode 38. Een aantal isolerende lagen op de gemeenschappelijke elektrode 39 hebben eerste en tweede gemeenschappelijke contactgaten 50 en 52, waardoor de gemeenschappelijke elektrode 39 toegankelijk is. De tweede elektrode 35 20 is verbonden met de gemeenschappelijke elektrode 39 via het eerste gemeenschappelijk contactgat 50. Een (niet-getekende) externe keten is verbonden met de gemeenschappelijke elektrode 39 via het tweede gemeenschappelijk contactgat 52 voor het toevoeren van de gemeenschappelijke spanning.
1025133- I ι - 5 -
[0015] Wanneer een arraylaag van TFT's en organische EL diodes echter gemeenschappelijk op één substraat worden gevormd wordt de opbrengst van de productie van de organische ELD bepaald door de vermenigvuldiging van de opbrengst van de TFT's en die van de organische EL
5 lagen. Omdat de opbrengst van de organische EL lagen betrekkelijk laag is wordt de productieopbrengst van een ELD beperkt door de productie-opbrengst van de organische EL lagen. Zelfs wanneer een TFT goed wordt vervaardigd kan de opbrengst van het organische ELD als slecht worden beoordeeld als gevolg van fouten in de organische EL laag die gebruik-10 maakt van een dunne film met een dikte van 1000 A. Deze beperking leidt tot verlies van materiaal en een toename van de productiekosten.
[0016] Organische ELD's worden ingedeeld als zijnde van de soort met bodememissie of de soort van topemissie, afhankelijk van de lichtdoor-latendheid van de eerste en de tweede elektroden en van de organische 15 EL diode. De soort ELD met bodememissie heeft de voordelen van een hoge beeldstabiliteit en een variabele verwerking tijdens de fabricage als gevolg van het inkapselen. Echter is de soort organische ELD's met bodememissie niet goed geschikt voor implantatie in inrichtingen die een hoge resolutie vergen als gevolg van de beperkingen van de toege-20 nomen apertuurverhouding in deze soort organische ELD. Daar de soort organische ELD's met topemissie licht naar boven uit het substraat emitteren kan het licht worden geëmitteerd zonder dat het de arraylaag die zich bevindt onder de organische EL laag beïnvloedt. Het totaalontwerp van de arraylaag met de TFT's kan dan worden vereenvoudigd.
25 Bovendien kan de apartuurverhouding worden verhoogd, waarmee de operationele levensduur van het organische ELD toeneemt. Daar echter een kathode is gevormd over de organische EL laag in de organische ELD's van de soort met topemissie is de keuze van de materialen en is de lichtdoorlatendheid beperkt, zodat het lichttransmissierendement wordt 30 verlaagd. Wanneer een passiverende laag van de dunne-filmsoort wordt gevormd om de reductie in de lichtdoorlatendheid te voorkomen kan deze passiverende laag van de dunne-filmsoort niet in staat zijn het infiltreren van lucht vanuit de omgeving in de inrichting te voorkomen.
35 SAMENVATTING VAN DE UITVINDING
[0017] De onderhavige uitvinding is dan ook gericht op een organische elektroluminescerende inrichting en op een werkwijze voor het vervaardigen daarvan die één of meer van de problemen samenhangend met de beperkingen en nadelen van de stand van de techniek ondervangt.
1 025133 - 6 -
[0018] Een doel van de onderhavige uitvinding is het verschaffen van een organische elektroluminescerende inrichting die wordt vervaardigd door een arraylaag en een organische elektroluminescerende diode op de respectievelijke substraten en het bevestigen van de substraten, en op 5 een werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
[0019] Een voordeel van de onderhavige uitvinding ligt in het verschaffen van een organische elektroluminescerende inrichting met een gemeenschappelijke verbindende elektrode in het displaygebied en met een tweede verbindende elektrode in het randgebied, en een werkwijze 10 voor het vervaardigen daarvan.
[0020] Een ander voordeel van de onderhavige uitvinding ligt in het verschaffen van een organische elektroluminescerende inrichting met een hoge apertuurverhouding, een display met hoge kwaliteit en een verbeterde productieopbrengst.
15 [0021] Aanvullende kenmerken en voordelen van de uitvinding zijn be schreven in de nuvolgende beschrijving, en zullen uit de beschrijving blijken, danwel kunnen worden ontnomen uit het in de praktijk brengen van de uitvinding. De doeleinden en andere voordelen van de uitvinding zullen worden verkregen met een structuur zoals in het bijzonder be-20 schreven in de beschrijving en de conclusies, en zoals blijkt uit de bijgaande tekening.
[0022] Teneinde deze en andere voordelen te bereiken en in overeenstemming met het doel van de onderhavige uitvinding, zoals gerealiseerd en breed beschreven, omvat een organische elektroluminescerende 25 inrichting: eerste en tweede substraten, gericht naar elkaar en op afstand van elkaar, waarbij de eerste en tweede substraten een displaygebied en een randgebied hebben, waarbij het displaygebied een aantal pixelgebieden en een dummypixelgebied omvat; aansturende dunne-film-transistoren respectievelijk aangrenzend aan elk van het aantal pixel-30 gebieden op het binnenoppervlak van het eerste substraat, eerste verbindende elektroden, respectievelijk verbonden met de aansturende dunne-filmtransistoren, een eerste elektrode op een geheel binnenoppervlak van het tweede substraat; een zijwand op de eerste elektrode op een begrenzing van elk van het aantal pixelgebieden en het dummy-35 pixelgebied; een organische elektroluminescerende laag op de eerste elektrode; tweede elektroden op de organische elektroluminescerende laag zodanig dat een tweede elektrode aanwezig is in elk van het aantal pixelgebieden en het dummypixelgebied; waarbij de tweede elektroden in elk van het aantal pixelgebieden respectievelijk zijn verbonden 1 0251 33
4 I
- 7 - met de eerste verbindende elektroden; en een afdichtend middel dat de eerste en de tweede substraten verbindt.
[0023] Volgens een ander aspect omvat een werkwijze voor het vervaardigen van een organische elektroluminescerende inrichting: het 5 vormen van een eerste substraat met een displaygebied en een randgebied waarbij het displaygebied omvat een aantal pixelgebieden en een dummypixelgebied; het vormen van aansturende dunne-filmtransistoren respectievelijk nabij elk van het aantal pixelgebieden; het vormen van eerste verbindende elektroden respectievelijk verbonden met de aanstu-10 rende dunne-filmtransistoren; het vormen van een eerste elektrode op een tweede substraat met het displaygebied en het randgebied; het vormen van een zijwand op de eerste elektrode op de begrenzing van elk van het aantal pixelgebieden en het dummypixelgebied; het vormen van een organische elektroluminescerende laag op de eerste elektrode; het 15 vormen van tweede elektroden op de organische elektroluminescerende laag zodanig dat een tweede elektrode is gevormd in elk van het aantal pixelgebieden respectievelijk het dummypixelgebied en het bevestigen van de eerste en tweede substraten met een afdichtend middel zodanig dat de eerste verbindende elektroden in contact zijn met de tweede 20 elektroden.
[0024] In een ander aspect omvat een werkwijze voor het vervaardigen van een organisch elektroluminescerend display: het vormen van een eerste isolerende laag op een eerste substraat met een displaygebied en een randgebied, waarbij het displaygebied omvat een aantal pixelge- 25 bieden en een dummypixelgebied; het vormen van een actieve laag op de eerste isolerende laag op elk van het aantal pixelgebieden, waarbij de actieve laag polykristallijn silicium omvat, en de actieve laag bron-gebieden en afvoergebieden heeft; het vormen van een tweede isolerende laag op de actieve laag; het vormen van een poortelektrode op de twee-30 de isolerende laag over de actieve laag; het vormen van een derde isolerende laag op de poortelektrode; het vormen van een vierde isolerende laag op de derde isolerende laag, waarbij de vierde isolerende laag eerste en tweede contactgaten heeft, waarbij het eerste contactgat het brongebied vrijgeeft, het tweede contactgat het afvoergebied vrij-35 geeft; het vormen van bron- en afvoerelektroden op de vierde isolerende laag, waarbij de bronelektrode is verbonden met het brongebied via het eerste contactgat en de afvoerelektrode is verbonden met het afvoergebied via het tweede contactgat; het vormen van een vijfde isolerende laag op de bron- en afvoerelektroden, waarbij de vijfde isole- 1025133 - 8 - rende laag een derde contactgat heeft dat de afvoerelektrode vrijgeeft; het vormen van een eerste verbindende elektrode op de vijfde isolerende laag, waarbij de eerste verbindende elektrode is verbonden met de afvoerelektrode via het derde contactgat; het vormen van een 5 eerste elektrode op een tweede substraat dat het displaygebied en het omtreksgebied heeft; het vormen van een zijwand op de eerste elektrode op de begrenzing van elk van het aantal pixelgebieden en het dummy-pixelgebied; het vormen van een organische elektroluminescerende laag op de eerste elektrode, het vormen van een tweede elektrode op de or-10 ganische elektroluminescerende laag in elk van het aantal pixelgebieden en het bevestigen van de eerste en tweede substraten met een afdichtend middel zodanig dat de eerste verbindende elektrode in contact is met de tweede elektrode.
[0025] Het zal duidelijk zijn dat zowel de in het voorgaande gegeven 15 algemene beschrijving als de nuvolgende gedetailleerde beschrijving slechts als voorbeeld en ter toelichting zijn gegeven en zijn bedoeld een verdere toelichting te geven van de uitvinding zoals deze in de conclusies is gedefinieerd.
20 KORTE BESCHRIJVING VAN DE TEKENINGEN
[0026] De bijgaande tekeningen, die zijn aangehecht voor een verder begrip van de uitvinding en die zijn opgenomen in, en een deel vormen van de beschrijving, illustreren uitvoeringsvormen van de uitvinding en dienen in combinatie met de beschrijving ter toelichting van de 25 principes van de uitvinding. In de tekening is:
[0027] fig. 1 een schematische dwarsdoorsnede van een organische elektroluminescerende inrichting volgens de stand van de techniek;
[0028] fig. 2 een schematisch vlak aanzicht van een arraylaag van een organische elektroluminescerende inrichting volgens de stand van 30 de techniek;
[0029] fig. 3 een schematisch vlak aanzicht van een organische elektroluminescerende laag volgens de stand van de techniek;
[0030] fig. 4A een schematische dwarsdoorsnede over de lijn "IVa-IVa" in fig. 2; 35 [0031] fig. 4B een schematische dwarsdoorsnede over de lijn "IVb-IVb" in fig. 3;
[0032] fig. 5 een schematisch vlak aanzicht van een organische elektroluminescerende inrichting volgens een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; 1025133 - 9 -
[0033] fig. 6 een schematische dwarsdoorsnede over de lijn "VI-VI" in fig. 5, een organische elektroluminescerende inrichting tonend volgens een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding;
[0034] fig. 7A tot en met 7D schematische dwarsdoorsnedeafbeeldingen 5 die een proces van vervaardigen toelichten van een pixelgebied van een eerste substraat voor een organische elektroluminescerende inrichting volgens een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding over een dwarsdoorsnedelijn vergelijkbaar met de dwarsdoorsnedelijn "IVa-IVa" in fig. 2; 10 [0035] fig. 8A tot en met 8D, genomen over de lijn "VIII-VIII" in fig. 5, schematische dwarsdoorsneden die het vervaardigingsproces toelichten van een dummypixelgebied van een eerste substraat voor een organische elektroluminescerende inrichting; en
[0036] fig. 9A tot en met 9C schematische dwarsdoorsneden van een 15 proces van vervaardigen van een tweede substraat voor een organische elektroluminescerende inrichting volgens een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding.
GEDETAILLEERDE BESCHRIJVING VAN DE UITVOERINGSVORMEN 20 [0037] In detail zal nu worden verwezen naar de voorkeursuitvoe ringsvormen van de onderhavige uitvinding, waarvan voorbeelden in de bijgaande tekening zijn getoond.
[0038] Fig. 5 is een schematisch vlak aanzicht van een organische elektroluminescerende inrichting volgens een uitvoeringsvorm van de 25 onderhavige uitvinding.
[0039] Volgens fig. 5 omvat een organische elektroluminescerende inrichting (ELD) 99 een eerste substraat 100 met een arraylaag en een tweede substraat 200 met een organische elektroluminescerende diode.
De eerste en de tweede substraten 100 en 200 zijn aan elkaar vastgezet 30 met een afdichtend middel 300. Een plak 126 waaraan een eerste spanning wordt aangelegd is gevormd op een randgebied van het eerste substraat 100 en gaat door het afdichtend middel 300. Een dummypixelgebied "Pd" is aangebracht nabij de begrenzing ”G" van een displaygebied en omringt het displaygebied. Schakelende en aansturende elementen 35 zijn niet gevormd op dat gedeelte van het eerste substraat 100 dat correspondeert met het dummypixelgebied "PD".
[0040] Fig. 6 is een schematische dwarsdoorsnede, genomen over de lijn "VI-VI" in fig. 5, en toont een organische elektroluminescerende inrichting volgens een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding.
j 1 0251 33 - 10 -
[0041] Volgens fig. 6 is een organische elektroluminescerende inrichting (ELD) 99 vervaardigd door het met elkaar verbinden van eerste en tweede substraten 100 respectievelijk 200 met een af dichtend middel 300. De eerste en de tweede substraten 100 respectievelijk 5 200 omvatten een aantal pixelgebieden "P" en dummypixelgebieden "Pd"/ aangebracht rond het aantal pixelgebieden "P". Een schakelende dunne-filmtransistor (TFT) (niet getoond) en een aansturende TFT "TD" zijn gevormd op een binnenoppervlak van het eerste substraat 100, en wel nabij elk pixelgebied "P". Hoewel niet getoond in fig. 6 is een aan-10 tal arraylijnen gevormd op het binnenoppervlak van het eerste substraat 100. Een eerste elektrode 202 is gevormd op een binnenoppervlak van het tweede substraat 200. Een zijwand 204 is gevormd op de eerste elektrode 202 op een begrenzing van elk pixelgebied "P" en omringt elk pixelgebied "P". Een organische elektroluminescerende 15 laag 206 en een tweede elektrode 208 zijn achtereenvolgens gevormd op de eerste elektrode 202 in elk pixelgebied "P". Een hulppatroon 203 kan zijn gevormd tussen de eerste elektrode 202 en de zijwand 204.
[0042] De tweede elektroden 208 zijn elk indirect verbonden met 20 respectievelijk een aansturende afvoerelektrode 122 van de aansturende TFT "TD" via eerste verbindende elektroden 130. Nadat de eerste verbindende elektrode 130 is gevormd over de aansturende TFT "TD" om contact te maken met de aansturende afvoerelektrode 122 komt de eerste verbindende elektrode 130 in contact met de tweede elektrode 208 25 op de organische EL laag 206 door het verbinden van de eerste en de tweede substraten 100 en 200. Een plak 126 is gevormd in het om-treksgebied van het eerste substraat 100. Een tweede verbindende elektrode 132 is gevormd op de plak 126 om in contact te zijn met de eerste elektrode 202 op het tweede substraat 200. Wanneer de eerste 30 elektrode 202 kan zijn vervaardigd uit een lichtdoorlatend geleidend materiaal heeft de eerste elektrode 202 een betrekkelijk hoge weerstand. In overeenstemming daarmee kan een hulpelektrode 210 zijn gevormd op de eerste elektrode 202 wanneer de eerste elektrode 202 is vervaardigd uit lichtdoorlatend geleidend materiaal. De hulpelek-35 trode 210 kan zijn vervaardigd als hetzelfde materiaal als dat van de tweede elektrode 208.
[0043] Zoals getoond in fig. 6, bijvoorbeeld, is er een dummy-pixelgebied "PD" aangebracht tussen het omtreksgebied waar de plak 126 is gevormd en het pixelgebied "P". De schakelende, niet-getoon- 1 0251 3 3 i - 11 - de, TFT, de aansturende TFT "TD" en de eerste verbindende elektrode 130 zijn niet gevormd op het gedeelte van het eerste substraat 100 dat overeenkomt met het dummypixelgebied "PD". Het resultaat is dat de tweede elektrode 208 in het dummypixelgebied "PD" elektrisch 5 zweeft. Als gevolg van deze uitvoering kan de organische EL diode normaal werken, zelfs wanneer de eerste elektrode 202 contact maakt met de tweede elektrode 208 in het dummypixelgebied "PD" als gevolg van een vervaardigingsfout.
[0044] Fig. 7A ten minste 7D en fig. 8A tot en met 8D zijn schemati-10 sche dwarsdoorsneden van stadia van een proces van vervaardiging van een organische elektroluminescerende inrichting volgens een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding. Fig. 7A tot en met 7D, die afbeeldingen zijn welke zijn genomen volgens een dwarsdoorsnedelijn, lichten een vervaardigingsproces toe van een pixelgebied van een eer-15 ste substraat voor een organische elektroluminescerende inrichting volgens een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding volgens een dwarsdoorsnedelijn die vergelijkbaar is met de dwarsdoorsnedelijn "IVa-IVa" in fig. 2, en zij illustreren het vervaardigingsproces van een pixelgebied van een eerste substraat voor een organische elektro-20 luminescerende inrichting. Fig. 8A tot en met 8D, die afbeeldingen zijn over de lijn "VIII-VIII" in fig. 5 illustreren een vervaardigingsproces van een dummypixelgebied van een eerste substraat voor een organische elektroluminescerende inrichting.
[0045] In fig. 7A is een eerste substraat 100, met een pixelgebied 25 "P" getoond. In fig. 8A is een dummypixelgebied "PD" getoond dat zich bevindt nabij de begrenzing van het gebied voor het display, met het pixelgebied "P". Het pixelgebied "P" omvat een schakelend gebied (niet getoond), een aansturend gebied (D) en een gebied (C) voor opslag. Een eerste isolerende laag (een bufferende laag) 102 is gevormd op het ge-30 hele oppervlak van het eerste substraat 100 door het neerslaan van een silicium bevattend isolerend materiaal uit de groep omvattend sili-ciumnitride (SiNJ en siliciumoxide (Si02) . Eerste en tweede actieve lagen 104 en 105 uit polykristallijn silicium zijn gevormd op de buf-ferlaag 102 bij de aansturende respectievelijk opslaande gebieden "D" 35 respectievelijk "C". De eerste respectievelijk de tweede actieve laten 104 en 105 kunnen bijvoorbeeld zijn gevormd door een proces van dehy-drogenatie en een proces van kristallisatie door het doen inwerken van warmte naar neerslag van amorf silicium. De tweede actieve laag 105 1025133 - 12 - werkt als een eerste elektrode van een opslagcondensator door dotering met verontreinigingen.
[0046] Een tweede isolerende laag 106 (een poortisolerende laag) en de poortelektrode 108 worden achtereenvolgens gevormd op een geheel 5 oppervlak van het eerste substraat 100. De tweede isolerende laag 106 kan zijn vervaardigd uit een inorganisch isolerend materiaal uit de groep omvattend siliciumnitride (SiNx) en siliciumoxide (S1O2) . Na het vormen van de poortelektrode 108 wordt de eerste actieve laag 104 gedoteerd met verontreinigingen zoals boor (B) of fosfor (P) voor het 10 vormen van een kanaalgebied 104a, en van de bron- en afvoergebieden 104b en 104c. Een derde isolerende laag 110 (een isolerende tussenlaag) is gevormd op de poortelektrode 108. De poortelektrode 108 kan zijn vervaardigd uit een metaal gekozen uit de groep van geleidende metalen met daaronder aluminium (Al), aluminium (Al) legering, koper 15 (Cu), wolfraam (W), tantaal (Ta) en molybdeen (Mo). De derde isoleren de laag 110 kan zijn vervaardigd uit één isolerend materiaal gekozen uit de groep omvattende siliciumnitride (SiNx) en siliciumoxide (Si02). Een niet-getoonde voedende lijn is gevormd op de derde isolerende laag 110 en overlapt de tweede actieve laag 105. Een gedeelte van de voe-20 dende lijn, de tweede actieve laag 105 overlappend, werkt als de con-densatorelektrode 112a. De condensatorelektrode 112a is gevormd op de derde isolerende laag 110 bij het voor opslag bestemde gebied C door neerslaan en in patroon brengen van een geleidend metallisch materiaal uit de groep omvattende aluminium (Al), aluminium (Al) legering, koper 25 (Cu), wolfraam (W), tantaal (Ta) en molybdeen (Mo). De tweede actieve laag 105 en de elektrode 112a van de condensator die de tweede actieve laag 105 overlapt vormt een voor opslag bestemde condensator met de daartussen aangebrachte isolerende laag 110.
[0047] Volgens fig. 7B en 8B is een vierde isolerende laag 114 ge-30 vormd op de voedende lijn met de condensatorelektrode 112a. De vierde isolerende laag 114 omvat een eerste contactgat 116 dat het afvoergebied 104c vrijmaakt, een tweede contactgat 118 dat het brongebied 104b vrijmaakt en een derde contactgat 120 dat de condensatorelektrode 112a vrijmaakt.
35 [0048] Volgens fig. 7C en 8C zijn bron- en afvoerelektroden 124 en 122 gevormd op de vierde isolerende laag 114 door het neerslaan en in patroon brengen van een geleidend metaal gekozen uit de groep omvattende chroom (Cr), molybdeen (Mo), tantaal (Ta) en wolfraam (W) . De bronelektrode 124 is in contact met het brongebied 104b via het 1025133 - 13 - tweede contactgat 118 en de afvoerelektrode 122 is in contact met het afvoergebied 104c via het eerste contactgat 116. Tegelijkertijd wordt een plak 126 gevormd op de vierde isolerende laag 114 op een omtreks-gebied van het displaygebied met het pixelgebied "P". Een vijfde iso-5 lerende laag 128 met vierde, vijfde en zesde contactgaten 134, 136 en 138 is gevormd op de bron- en afvoerelektroden 124 en 122 en de eerste plak 126. Het vierde contactgat 124 maakt de afvoerelektrode 122 toegankelijk en de vijfde en zesde contactgaten 136 en 138 maken de beide zijden van de plak 126 toegankelijk.
10 [0049] In fig. 7D en 8D zijn eerste en tweede verbindende elektroden 130 en 132 gevormd op de vijfde isolerende laag 128 door het neerslaan en in patroon brengen van een geleidend metallisch materiaal. De eerste verbindende elektrode 130 staat in contact met de afvoerelektrode 122 via het eerste contactgat 134 en bevindt zich bij het pixelgebied 15 "P". De tweede verbindende elektrode 132 staat in combinatie met de plak 126 via het vijfde contactgat 136.
[0050] Volgens fig. 8A tot en met 8D wordt er geen schakelende TFT en ook geen aansturende TFT gevormd in het dummypixelgebied "PD". Er worden slechts isolerende lagen in het dummypixelgebied "Pd" gevormd. 20 [0051] Fig. 9A tot en met 9C zijn schematische dwarsdoorsneden en tonen het proces van vervaardigen van een tweede substraat voor een organische elektroluminescerende inrichting volgens een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding.
[0052] Volgens fig. 9A omvat een tweede substraat 200 een pixelge-25 bied "P" en een dummypixelgebied "Pd". Een eerste elektrode 202 is gevormd op het tweede substraat 200. De eerste elektrode 202 kan fungeren als een anode die gaten injecteert in een organische elektroluminescerende (EL) laag 206 (zie fig. 9B). De eerste elektrode 202 kan bijvoorbeeld zijn bijvoorbeeld zijn vervaardigd uit indiumtinoxide 30 (ITO) danwel indiumzinkoxide (IZO). Een isolerend hulppatroon 203 is gevormd op de eerste elektrode 202 op een begrenzing van het pixelgebied "Ρ" en een zijwand 204 is gevormd op het isolerend hulppatroon 203. Het isolerend hulppatroon 203 is gevormd om contact te voorkomen tussen de eerste elektrode 202 en de tweede elektrode 208 (in fig.
35 8C). De zijwand 204 kan zijn gevormd door neerslaan en in patroon brengen van een fotogevoelig organisch materiaal. Het isolerend hulppatroon 203 en de zijwand 204 kunnen bijvoorbeeld in rooster zijn gevormd.
1 025133 - 14 - {0053] Volgens fig. 9B is een organische elektroluminescerende (EL) laag 206 gevormd op de eerste elektrode 202. De organische (EL) laag 206 die rood (R), groen (G) respectievelijk blauw (B) gekleurd licht emitteert komt overeen met één pixelgebied "P". De organische EL laag 5 206 kan een enkele laag danwel meerdere lagen omvatten. In het geval van de meervoudige laag kan de organische EL laag 206 een gatentrans-porterende laag (HTL) 206a omvatten, een emitterende laag 206b en een elektronentransporterende laag (ETL) 206c.
[0054] Volgens fig. 9C is een tweede elektrode 208 die correspon-10 deert met één pixelgebied "P" gevormd op de organische EL laag 206. De tweede elektrode 208 is onafhankelijk van de aangrenzende tweede elektrode 208. Een hulpelektrode 210 wordt simultaan gevormd met de tweede elektrode 208 in een omtreksgebied van een gebied van het display dat het pixelgebied "P" omvat. De hulpelektrode 210 is elektrisch zwevend, 15 en is dus niet elektrisch met de tweede elektrode 208 verbonden. De tweede elektrode 208 kan werken als kathode die elektronen injecteert in de organische EL laag 206. De tweede elektrode 208 kan bijvoorbeeld omvatten een enkele laag uit aluminium (Al), calcium (Ca) of magnesium (Mg), danwel een dubbele laag uit lithiumfluoride (LiF)/aluminium 20 (Al). De tweede elektrode 208 kan een lagere werkfunctie hebben dan de eerste elektrode 202.
[0055] Een organische ELD volgens de onderhavige uitvinding omvat een dummypixelgebied rond een displaygebied dat een pixelgebied bevat. Een zijwand is gevormd op een begrenzing van het dummypixelge- 25 bied. Er is geen schakelende TFT en ook geen aansturende TFT in het dummypixelgebied gevormd. Een tweede elektrode is onafhankelijk in het pixelgebied gevormd. Bovendien is de tweede elektrode in het dummypixelgebied niet elektrisch verbonden met de aansturende TFT en elektrisch zwevend. De organische ELD kan dan ook normaal werken 30 zelfs wanneer een eerste elektrode van een organische EL diode in contact komt met een tweede elektrode van de organische EL diode in het dummypixelgebied als gevolg van procesfouten.
[0056] De organische ELD realisatie volgens de onderhavige uitvinding resulteert in bijzondere voordelen. Allereerst is de organi-
35 sche ELD van de topemissiesoort zodat een hoge apertuurverhouding kan worden verkregen. In de tweede plaats worden, omdat een array-laag met een dunne-filmtransistor en een organische EL diode onafhankelijk zijn gevormd op de respectievelijke substraten ongewenste effecten resulterend uit het vervaardigingsproces van de organische EL
1 025133 - - 15 - diode voorkomen, waarmee de totale productieopbrengst wordt verbeterd. In de derde plaats is, omdat een dummypixelgebied, waarin er geen schakelende TFT of een aansturende TFT is gevormd is aangebracht op een begrenzing van een displaygebied geen eerste elektrode elektrisch 5 verbonden met een tweede elektrode. Het dummypixelgebied verschaft een uitlijnmarge voor het maskeerproces voor de tweede elektrode. Aldus wordt een juist contact maken en wordt de productieopbrengst verbeterd en wordt signaalvervorming voorkomen.
10057] Het zal de vakman duidelijk zijn dat verschillende modifica-10 ties en variaties kunnen worden aangebracht in de organische elektro-luminescerende inrichting en in de werkwijze voor het vervaardigen daarvan volgens de onderhavige uitvinding zonder de geest en het kader van de uitvinding te verlaten. Beoogd is dan ook dat de onderhavige uitvinding modificaties en variaties van de uitvinding bestrijkt, 15 voorzover zij vallen binnen het kader van de aangehechte conclusies en hun equivalenten.
1 025133

Claims (34)

1. Een organische elektroluminescerende inrichting, omvattende: eerste en tweede substraten, gericht naar elkaar en op afstand van elkaar, waarbij de eerste en tweede substraten een displaygebied 5 en een randgebied hebben, waarbij het displaygebied een aantal pixel-gebieden en een duinmypixelgebied omvat; aansturende dunne-filmtransistoren, respectievelijk aangrenzend aan elk van het aantal pixelgebieden op het binnenoppervlak van het eerste substraat; 10 eerste verbindende elektroden, respectievelijk verbonden met de aansturende dunne-filmtransistoren; een eerste elektrode op een geheel binnenoppervlak van het tweede substraat; een zijwand op de eerste elektrode op een begrenzing van elk 15 van het aantal pixelgebieden en het dummypixelgebied; een organische elektroluminescerende laag op de eerste elektrode; tweede elektroden op de organische elektroluminescerende laag zodanig dat een tweede elektrode aanwezig is in elk van het aantal 20 pixelgebieden en het dummypixelgebied, waarbij de tweede elektroden in elk van het aantal pixelgebieden respectievelijk zijn verbonden met de eerste verbindende elektroden; en een afdichtend middel dat de eerste en de tweede substraten verbindt.
2. De inrichting volgens conclusie 1, voorts omvattende: een plak in het randgebied op een binnenoppervlak van het eerste substraat; en een tweede verbindende elektrode verbonden met de plak, waarbij de tweede verbindende elektrode is gevormd in dezelfde laag en is 30 gevormd uit hetzelfde materiaal als de eerste verbindende elektroden, waarbij de eerste elektrode is verbonden met de tweede verbindende elektrode.
3. De inrichting volgens conclusie 1, waarin de tweede elektrode in het dummypixelgebied elektrisch zwevend is.
4. De inrichting volgens conclusie 1, waarin elk van de aan sturende dunne-filmtransistoren omvat een aansturende actieve laag, 1 0251 33 - / k - 17 - een aansturende poortelektrode, een aansturende bron- en afvoerelek-trode.
5. De inrichting volgens conclusie 2, waarin elk van de aansturende dunne-filmtransistoren omvat een aansturende actieve laag, 5 een aansturende poortelektrode, aansturende bron- en afvoerelektro-den, en waarin de plak hetzelfde materiaal omvat als de aansturende bron- en afvoerelektroden.
6. De inrichting volgens conclusie 4, voorts omvattende schakelende dunne-filmtransistoren verbonden met de aansturende dunne- 10 filmtransistoren, waarbij elk van de schakelende dunne-filmtransistoren omvat een schakelende actieve laag, een schakelende poortelektrode, en schakelende bron- en afvoerelektroden.
7. De inrichting volgens conclusie 6, waarin de aansturende actieve laag en de schakelende actieve laag polykristallijn silicium 15 omvatten.
8. De inrichting volgens conclusie 6, waarin de schakelende bronelektrode is verbonden met de datalijn, de schakelende afvoer-elektrode is verbonden met de aansturende poortelektrode en de schakelende poortelektrode is verbonden met de poortlijn.
9. De inrichting volgens conclusie 1, voorts omvattende een voedende lijn verbonden met de aansturende dunne-filmtransistoren.
10. De inrichting volgens conclusie 1, voorts omvattende op-slagcondensatoren verbonden met de aansturende dunne-filmtransistoren.
11. De inrichting volgens conclusie 1, waarin de eerste elek- 25 trode is een gaten in de organische elektroluminescerende laag injecterende anode, en waarin de tweede elektroden zijn elektronen in de organische elektroluminescerende laag injecterende kathoden.
12. De inrichting volgens conclusie 11, waarin de eerste elektrode omvat indiumtinoxide (ITO) danwel indiumzinkoxide (IZO).
13. De inrichting volgens conclusie 11, waarin de tweede elek troden omvatten calcium (Ca) danwel aluminium (Al) danwel magnesium (Mg) .
14. De inrichting volgens conclusie 2, voorts omvattende een hulpelektrode tussen de eerste elektrode en de tweede verbindende 35 elektrode, waarbij de hulpelektrode hetzelfde materiaal omvat als de tweede elektroden.
15. De inrichting volgens conclusie 1, waarin het dummypixel-gebied het aantal pixelgebieden omringt. 1025133 - 18 -
16. De inrichting volgens conclusie 1, voorts omvattende een isolerende hulplaag tussen de tweede elektrode en ten minste één van de zijwanden.
17. Een werkwijze voor het vervaardigen van een organische 5 elektroluminescerende inrichting, omvattende: het vormen van een eerste substraat met een displaygebied en een randgebied, waarbij het displaygebied een aantal pixelgebieden een dummypixelgebied omvat; het vormen van aansturende dunne-filmtransistoren, nabij elk 10 van de respectievelijke pixelgebieden; het vormen van eerste verbindende elektroden, respectievelijk verbonden met de aansturende dunne-filmtransistoren; het vormen van een eerste elektrode op een tweede substraat dat het pixelgebied en het randgebied omvat; 15 het vormen van een zijwand op de eerste elektrode op de begren zing van elk van het aantal pixelgebieden en het dummypixelgebied; het vormen van een organische elektroluminescerende laag op de eerste elektrode; het vormen van tweede elektroden op de organische elektrolumi-20 nescerende laag, zodanig dat een tweede elektrode is gevormd in elk van het aantal pixelgebieden respectievelijk het dummypixelgebied; en het verbinden van de eerste en tweede substraten met een afdichtend middel zodanig dat de eerste verbindende elektroden in contact zijn met de tweede elektroden.
18. De werkwijze volgens conclusie 17, voorts omvattende: het vormen van een plak op het eerste substraat, welke plak is aangebracht in het randgebied en vormen van een tweede verbindende elektrode verbonden met de plak, waarin de eerste elektrode is verbonden met de tweede elektrode 30 wanneer de eerste en de tweede substraten met elkaar zijn verbonden.
19. De werkwijze volgens conclusie 17, waarin elk van de aansturende dunne-filmtransistoren omvat een aansturende actieve laag, een aansturende poortelektrode, en aansturende bron- en afvoerelektro-den.
20. De werkwijze volgens conclusie 18, waarin elk van de aan sturende dunne-filmtransistoren omvat een aansturende actieve laag, een aansturende poortelektrode, aansturende bron- en afvoerelektroden, en waarin de plak en de aansturende bron- en afvoerelektroden op hetzelfde moment worden gevormd. 1025133 - 19 -
21. De werkwijze volgens conclusie 19, voorts omvattende het vormen van schakelende dunne-filmtransistoren verbonden met de aansturende dunne-filmtransistoren, waarin elk van de schakelende dunne-filmtransistoren omvat een schakelende actieve laag, een schakelende 5 poortelektrode, en schakelende bron- en afvoerelektroden.
22. De werkwijze volgens conclusie 21, waarin de aansturende actieve laag en de schakelende actieve laag polykristallijn silicium omvatten.
23. De werkwijze volgens conclusie 21, waarin de schakelende 10 bronelektrode is verbonden met de datalijn, de schakelende afvoer- elektrode is verbonden met de aansturende poortelektrode en de schakelende poortelektrode is verbonden met de poortlijn.
24. De werkwijze volgens conclusie 17, voorts omvattende het vormen van een voedende lijn verbonden met de aansturende dunne- 15 filmtransistoren.
25. De werkwijze volgens conclusie 17, voorts omvattende het vormen van opslagcondensatoren verbonden met de aansturende dunne-filmtransistoren .
26. De werkwijze volgens conclusie 17, waarin de eerste elek-20 trode is een gaten in de organische elektroluminescerende laag injecterende anode, en waarin de tweede elektroden zijn elektronen in de organische elektroluminescerende laag injecterende kathoden.
27. De werkwijze volgens conclusie 26, waarin de eerste elektrode omvat indiumtinoxide (ITO) danwel indiumzinkoxide (IZO).
28. De werkwijze volgens conclusie 26, waarin de tweede elek troden omvatten calcium (Ca) danwel aluminium (Al) danwel magnesium (Mg) .
29. De werkwijze volgens conclusie 18, voorts omvattende het vormen van een hulpelektrode tussen de eerste elektrode en de tweede 30 verbindende elektrode, waarbij de hulpelektrode en de tweede elektroden tegelijkertijd worden gevormd.
30. De werkwijze volgens conclusie 17, waarin het dummypixel-gebied het aantal pixelgebieden omringt.
31. De werkwijze volgens conclusie 17, voorts omvattende het 35 vormen van een isolerende hulplaag tussen de tweede elektrode en ten minste één van de zijwanden.
32. Een werkwijze voor het vervaardigen van een organische elektroluminescerende inrichting, omvattende: 1025133 - - 20 - het vormen van een eerste isolerende laag op een eerste substraat met een displaygebied en een randgebied, waarbij het display-gebied een aantal pixelgebieden en een dummypixelgebied omvat; het vormen van een actieve laag op de eerste isolerende laag 5 op elk van het aantal pixelgebieden, waarbij de actieve laag poly-kristallijn silicium omvat, en de actieve laag brongebieden en af-voergebieden heeft; het vormen van een tweede isolerende laag op de actieve laag; het vormen van een poortelektrode op de tweede isolerende laag 10 over de actieve laag; het vormen van een derde isolerende laag op de poortelektrode; het vormen van een vierde isolerende laag isolerende laag op de derde isolerende laag, waarbij de vierde isolerende laag eerste en tweede contactgaten heeft, waarbij het eerste contactgat het bronge-15 bied vrijgeeft, het tweede contactgat het afvoergebied vrijgeeft; het vormen van bron- en afvoerelektroden op de vierde isolerende laag, waarbij de bronelektrode is verbonden met het brongebied via het eerste contactgat en de afvoerelektrode is verbonden met het afvoergebied via het tweede contactgat; 20 het vormen van een vijfde isolerende laag op de bron- en af voerelektroden, waarbij de vijfde isolerende laag een derde contactgat heeft dat de afvoerelektrode vrijgeeft; het vormen van een eerste verbindende elektrode op de vijfde isolerende laag, waarbij de eerste verbindende elektrode is verbonden 25 met de afvoerelektrode via het derde contactgat; het vormen van een eerste elektrode op een tweede substraat dat het displaygebied en het omtreksgebied heeft; het vormen van een zijwand op de eerste elektrode op de begrenzing van elk van het aantal pixelgebieden en het dummypixelgebied; 30 het vormen van een organische elektroluminescerende laag op de eerste elektrode; het vormen van een tweede elektrode op de organische elektroluminescerende laag in elk van het aantal pixelgebieden; en het bevestigen van de eerste en tweede substraten met een af-35 dichtend middel zodanig dat de eerste verbindende elektrode in contact is met de tweede elektrode.
33. De werkwijze volgens conclusie 32, waarin de eerste, de derde, de vierde en de vijfde isolerende laag achtereenvolgens zijn 1 0?5133 - - 21 - gevormd op het binnenoppervlak van het eerste substraat in het dum-mypixelgebied.
34. De werkwijze volgens conclusie 32, voorts omvattende: het vormen van een plak op de vierde isolerende laag, waarbij 5 de plak is aangebracht op het randgebied, waarbij de vijfde isolerende laag, gevormd op de plak, vierde en vijfde contactgaten heeft welke de plak vrijgeven; en het vormen van een tweede verbindende elektrode op de vijfde isolerende laag, waarbij de tweede verbindende elektrode is verbonden 10 met de plak via het vijfde contactgat en de tweede verbindende elektrode in contact is met de eerste elektrode wanneer de eerste en tweede substraten met elkaar zijn verbonden. 1 0251 33
NL1025133A 2002-12-31 2003-12-24 Organische elektroluminescerende inrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. NL1025133C2 (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0088427A KR100500147B1 (ko) 2002-12-31 2002-12-31 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR20020088427 2002-12-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL1025133A1 NL1025133A1 (nl) 2004-07-01
NL1025133C2 true NL1025133C2 (nl) 2006-06-07

Family

ID=36741281

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1025133A NL1025133C2 (nl) 2002-12-31 2003-12-24 Organische elektroluminescerende inrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

Country Status (9)

Country Link
US (2) US7304427B2 (nl)
JP (2) JP4108598B2 (nl)
KR (1) KR100500147B1 (nl)
CN (1) CN100395892C (nl)
DE (1) DE10361008B4 (nl)
FR (1) FR2849535B1 (nl)
GB (1) GB2396951B (nl)
NL (1) NL1025133C2 (nl)
TW (1) TWI245580B (nl)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7105999B2 (en) * 2002-07-05 2006-09-12 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
KR100500147B1 (ko) 2002-12-31 2005-07-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100549984B1 (ko) * 2003-12-29 2006-02-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
DE102004031670B4 (de) * 2003-12-30 2011-08-18 Lg Display Co., Ltd. Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
KR100741968B1 (ko) * 2004-11-23 2007-07-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
KR100606772B1 (ko) 2004-12-02 2006-08-01 엘지전자 주식회사 유기 el 소자의 제조방법
US7772763B2 (en) * 2004-12-02 2010-08-10 Lg Display Co., Ltd. Organic electro-luminescence display device comprising grid shaped auxiliary electrode
KR101315791B1 (ko) 2004-12-06 2013-10-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101096719B1 (ko) * 2004-12-30 2011-12-22 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계발광소자 및 그 제조방법
KR101189145B1 (ko) * 2005-06-10 2012-10-10 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100747275B1 (ko) * 2005-11-28 2007-08-07 엘지전자 주식회사 전계발광소자 및 그 제조방법
KR100761296B1 (ko) * 2006-03-17 2007-09-27 엘지전자 주식회사 발광 소자 및 이를 구동하는 방법
KR100759758B1 (ko) * 2006-04-11 2007-09-20 삼성전자주식회사 디스플레이장치 및 그 제조방법
KR100914784B1 (ko) * 2006-05-17 2009-08-31 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자 및 그 제조방법
KR101384048B1 (ko) * 2006-06-20 2014-04-17 엘지디스플레이 주식회사 유기 광 발생 장치 및 이의 제조 공정
KR101281888B1 (ko) * 2006-06-30 2013-07-03 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101316635B1 (ko) * 2006-07-27 2013-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판의 제조 방법, 표시 기판 및 마스크
KR100722118B1 (ko) * 2006-09-04 2007-05-25 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시 장치
KR100854925B1 (ko) * 2006-12-21 2008-08-27 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자 및 그 제조방법
US7839083B2 (en) * 2007-02-08 2010-11-23 Seiko Epson Corporation Light emitting device and electronic apparatus
CN100448021C (zh) * 2007-08-13 2008-12-31 京东方科技集团股份有限公司 电致发光显示器件及其制造方法
KR100899428B1 (ko) 2008-01-28 2009-05-27 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법
US8022621B2 (en) * 2008-07-31 2011-09-20 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
CN101510394B (zh) * 2009-03-13 2011-12-28 深圳市元亨光电股份有限公司 Led显示屏像素虚拟显示的方法及装置
KR101394936B1 (ko) * 2009-11-06 2014-05-14 엘지디스플레이 주식회사 광차단층을 갖는 평판 표시 장치
US8614776B2 (en) * 2010-10-26 2013-12-24 Samsung Display Co., Ltd. Display panel, display apparatus having the same, method of manufacturing the same and method of cutting the same
US8988440B2 (en) 2011-03-15 2015-03-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Inactive dummy pixels
US20120249519A1 (en) * 2011-03-29 2012-10-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Dummy pixels made inactive
KR101971925B1 (ko) 2012-09-19 2019-08-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 유기 발광 표시 장치
KR101931248B1 (ko) * 2012-12-27 2019-03-13 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
KR102071007B1 (ko) * 2013-02-13 2020-01-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102214476B1 (ko) * 2014-03-17 2021-02-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102439506B1 (ko) 2015-10-16 2022-09-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2019106481A1 (en) * 2017-11-30 2019-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, display device, display module, electronic device, and manufacturing method of display panel
KR20200040952A (ko) * 2018-10-10 2020-04-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN209912874U (zh) * 2019-08-05 2020-01-07 北京京东方技术开发有限公司 显示基板、显示装置
CN117636780A (zh) * 2022-08-30 2024-03-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0431299U (nl) * 1990-07-06 1992-03-13
EP1209744A2 (en) * 2000-11-27 2002-05-29 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device, manufacturing method therefor, and electronic devices therewith
WO2002099477A1 (en) * 2001-06-01 2002-12-12 Seiko Epson Corporation Color filter and electro-optical device
US20020195961A1 (en) * 2001-06-22 2002-12-26 International Business Machines Corporation Organic light emitting devices

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1338914A3 (en) 1995-11-21 2003-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for manufacturing liquid crystal display
US6072450A (en) * 1996-11-28 2000-06-06 Casio Computer Co., Ltd. Display apparatus
KR100244447B1 (ko) 1997-04-03 2000-02-01 구본준 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법
US6175345B1 (en) * 1997-06-02 2001-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof
JP3466876B2 (ja) 1997-06-16 2003-11-17 キヤノン株式会社 エレクトロ・ルミネセンス素子の製造法
US6215244B1 (en) * 1997-06-16 2001-04-10 Canon Kabushiki Kaisha Stacked organic light emitting device with specific electrode arrangement
JP3731368B2 (ja) 1998-01-30 2006-01-05 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP2000082720A (ja) 1998-09-07 2000-03-21 Canon Inc 発光装置、露光装置及び画像形成装置
US6287899B1 (en) 1998-12-31 2001-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same
JP4588833B2 (ja) * 1999-04-07 2010-12-01 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置および電子機器
JP2001117509A (ja) 1999-10-14 2001-04-27 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機el表示装置
US6384427B1 (en) * 1999-10-29 2002-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
JP2001177509A (ja) 1999-12-16 2001-06-29 Oki Electric Ind Co Ltd クロック載せ換え方法及び装置
JP2001195009A (ja) * 2000-01-11 2001-07-19 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法
JP4434411B2 (ja) 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機el発光装置およびその製造方法
TW507258B (en) * 2000-02-29 2002-10-21 Semiconductor Systems Corp Display device and method for fabricating the same
JP2001318624A (ja) 2000-02-29 2001-11-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置およびその作製方法
JP2001282123A (ja) 2000-03-30 2001-10-12 Toshiba Corp 表示装置およびその製造方法
JP3840926B2 (ja) 2000-07-07 2006-11-01 セイコーエプソン株式会社 有機el表示体及びその製造方法、並びに電子機器
JP2002050764A (ja) * 2000-08-02 2002-02-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ、アレイ基板、液晶表示装置、有機el表示装置およびその製造方法
KR100365519B1 (ko) 2000-12-14 2002-12-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법
JP3758512B2 (ja) * 2001-03-02 2006-03-22 セイコーエプソン株式会社 電子機器
GB0107236D0 (en) 2001-03-22 2001-05-16 Microemissive Displays Ltd Method of creating an electroluminescent device
US6949883B2 (en) * 2001-12-06 2005-09-27 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and an electronic apparatus
US6815903B2 (en) * 2001-12-11 2004-11-09 Seiko Epson Corporation Display device and electronic apparatus
JP4197233B2 (ja) * 2002-03-20 2008-12-17 株式会社日立製作所 表示装置
JP3901127B2 (ja) * 2002-06-07 2007-04-04 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
TWI272872B (en) * 2002-12-13 2007-02-01 Lg Philips Lcd Co Ltd Dual panel-type organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
KR100500147B1 (ko) 2002-12-31 2005-07-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100551131B1 (ko) 2003-03-07 2006-02-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0431299U (nl) * 1990-07-06 1992-03-13
EP1209744A2 (en) * 2000-11-27 2002-05-29 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device, manufacturing method therefor, and electronic devices therewith
WO2002099477A1 (en) * 2001-06-01 2002-12-12 Seiko Epson Corporation Color filter and electro-optical device
US20030030766A1 (en) * 2001-06-01 2003-02-13 Seiko Epson Corporation Color filter and electro-optical device
US20020195961A1 (en) * 2001-06-22 2002-12-26 International Business Machines Corporation Organic light emitting devices

Also Published As

Publication number Publication date
TW200418335A (en) 2004-09-16
JP4108598B2 (ja) 2008-06-25
FR2849535A1 (fr) 2004-07-02
US7311577B2 (en) 2007-12-25
FR2849535B1 (fr) 2007-05-18
US20040135496A1 (en) 2004-07-15
KR20040062105A (ko) 2004-07-07
US20070054583A1 (en) 2007-03-08
GB0330027D0 (en) 2004-01-28
TWI245580B (en) 2005-12-11
CN100395892C (zh) 2008-06-18
DE10361008B4 (de) 2010-04-29
KR100500147B1 (ko) 2005-07-07
CN1516531A (zh) 2004-07-28
JP2007156504A (ja) 2007-06-21
DE10361008A8 (de) 2005-04-07
JP4113237B2 (ja) 2008-07-09
NL1025133A1 (nl) 2004-07-01
JP2004213002A (ja) 2004-07-29
DE10361008A1 (de) 2004-10-07
US7304427B2 (en) 2007-12-04
GB2396951A (en) 2004-07-07
GB2396951B (en) 2005-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL1025133C2 (nl) Organische elektroluminescerende inrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
US6873100B2 (en) Organic electro luminescent display device and method of fabricating the same
NL1025118C2 (nl) Organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting met twee panelen en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
US6998770B2 (en) Organic electroluminescent device and fabricating method thereof
US7105999B2 (en) Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
US8963137B2 (en) Organic light-emitting display device and method of fabricating the same
US7064482B2 (en) Organic electroluminescent display panel device and method of fabricating the same
US9070896B2 (en) Organic light emitting diode display
US8415872B2 (en) Organic light emitting diode display device
KR100579548B1 (ko) 유기전계 발광소자와 그 제조방법
US6744197B2 (en) Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
US8013325B2 (en) Thin film transistor, organic light emitting device including thin film transistor, and manufacturing method thereof
KR102089248B1 (ko) 유기발광다이오드소자 및 그의 제조방법
US20130248890A1 (en) Organic light emitting diode display
KR100474000B1 (ko) 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
KR100544122B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR100528914B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치
KR100669316B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치
KR100638084B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치
NL1025135C2 (nl) Organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

Legal Events

Date Code Title Description
AD1A A request for search or an international type search has been filed
RD2N Patents in respect of which a decision has been taken or a report has been made (novelty report)

Effective date: 20060406

PD2B A search report has been drawn up
TD Modifications of names of proprietors of patents

Owner name: LG DISPLAY CO., LTD.

Effective date: 20080604

MK Patent expired because of reaching the maximum lifetime of a patent

Effective date: 20231223