NL1025118C2 - Organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting met twee panelen en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. - Google Patents

Description

V

Korte aanduiding: Organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting met twee panelen en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

[0001] De onderhavige uitvinding roept de prioriteit in van de Koreaanse octrooiaanvrage nr. 2002-84577, ingediend op 26 december 2003 in Korea, waarvan de inhoud als hierin opgenomen wordt beschouwd.

5

Gebied van de uitvinding

[0002] De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een beeldweergevende inrichting met vlak paneel en meer in het bijzonder op. een organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) 10 en op een werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

Bespreking van de stand van de techniek

[0003] Beeldweergevende inrichtingen met vloeiende kristallen worden zeer algemeen gebruikt in het gebied van beeldweergevende in- 15 richtingen met een vlak paneel als gevolg van hun laag gewicht en hun lage stroomopname. Echter is een beeldweergevende inrichting met vloeiende kristallen geen zelf lichtemitterend element doch een lichtontvangend element, dat, voor het weergeven van beelden, een hulplicht nodig heeft. Aldus zijn er technische grenzen aan de mo-20 gelijke verbetering van helderheid, contrastverhouding, zichthoek en ook voor wat betreft het vergroten van de afmetingen van een beeldweergevend paneel met vloeiende kristallen. Om deze redenen is er veel actieve research uitgevoerd op dit gebied voor het ontwikkelen van een nieuw vlak-paneelvormig beeldweergevend element waarmee de 25 hierboven genoemde problemen kunnen worden ondervangen.

[0004] De organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) is één van de nieuwe vlakke-paneel beeldweergevende elementen die het resultaat van deze research zijn. Omdat de organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) licht emit- 30 teert zijn zichthoek en contrastverhouding superieur aan die van de beeldweergevende inrichting met vloeiende kristallen (LCD). Omdat voorts de organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) geen achtergrondverlichting als lichtbron vergt zijn er voorde- 1 025118- % - 2 - len zoals een laag gewicht, kleine afmetingen en een lage stroomopna-me. Voorts kan de organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) worden gestuurd met een lage gelijkstroom en vertoont een dergelijke inrichting een snelle responsietijd. Omdat de organi-5 sche elektroluminescerende beeldweergevende inrichting gebruikmaakt van een vast materiaal in plaats van van een vloeiend materiaal zoals een vloeiend kristal is deze beter bestand tegen stoten van buiten. Voorts heeft de organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) een groter bereik van werktemperaturen vergeleken met 10 de inrichting met vloeiende kristallen (LCD). De organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) heeft voorts het voordeel dat de productiekosten lager zijn. Meer in het bijzonder is alles wat nodig is voor de productie ervan een toestel voor neerslag van lagen en een toestel voor inkapselen, terwijl de beeldweergevende in-15 richting met vloeiende kristallen (LCD) of beeldweergevende panelen met een plasmabeeld (PDP's) vele soorten vervaardigingstoestellen vergen. Het vervaardigingsproces voor de organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) is vergeleken met dat van de inrichting met vloeiende kristallen (LCD) of met een plasma werkende beeld-20 weergevende panelen (PDP’s) zeer eenvoudig.

[0005] Organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichtingen (ELD's) kunnen worden onderverdeeld in de soort met passieve matrix en de soort met actieve matrix. In het geval van de actieve organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) met ac-25 tieve matrix wordt een spanning die wordt aangelegd aan de pixel opgeslagen in een opslagcondensator Cst en vastgehouden totdat een signaal voor het eerstvolgend frame wordt aangelegd. De pixel kan aldus het signaal vasthouden totdat het eerstvolgend frame arriveert onafhankelijk van het aantal aftastlijnen. Omdat de organische elektrolumines-30 cerende beeldweergevende inrichting (ELD) van de actieve-matrixsoort bij een lage gelijkstroom de gewenste luminantie kan bereiken heeft de organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting van de actieve-matrixsoort vele voordelen, zoals een lage stroomopname en een hoge resolutie bij een grote afmeting.

35 [0006] De basisopbouw en de werkeigenschappen van de organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) met actieve matrix worden toegelicht aan de hand van fig. 1. Fig. 1 is het schema van een organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) met actieve matrix volgens de stand van de techniek. Volgens 1025118- - 3 - fig. 1 is een aftastende lijn 2 gevormd in een eerste richting en zijn signaal en voeding toevoerende lijnen 4 en 6 op afstand van de aftastende lijn 2 in een tweede richting gevormd. De aftastende lijn 2 en de signaal en de de voeding toevoerende lijnen 4 respectievelijk 6 be-5 palen een pixelgebied daar waar zij elkaar kruisen. Een schakelende dunne-filmtransistor Ts, zoals een adresserend element, is gevormd nabij een kruising van de aftast- en signaallijnen 2 en 4, en een op-slagcondensator CST is verbonden met de schakelende dunne-filmtransistor. Een aansturende dunne-filmtransistor TD die fungeert als een 10 stroombronelement is verbonden met de schakelende dunne-filmtransistor Ts, met de opslagcondensator Csr en met de voedende lijn 6. De aansturende dunne-filmtransistor TD is elektrisch verbonden met een aijode-elektrode en een organische elektroluminescerende diode E die wordt aangestuurd door een statische stroom, en is elektrisch verbonden tus-15 sen de anode-elektrode en de kathode-elektrode. De anode-elektrode en de kathode-elektrode zijn componenten van de organische elektroluminescerende diode E. De schakelende dunne-filmtransistor Ts dient voor het besturen van een spanning en de opslagcondensator Cst dient voor het opslaan van een lading. De werking van het aansturen van de orga-20 nische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) volgens de stand van de techniek zal hierna worden beschreven.

[0007] Wanneer eenmaal de poort van de schakelende dunne-filmtransistor Ts IN is kan een datasignaal worden toegevoerd aan de aansturende dunne-filmtransistor TD en de opslagcondensator Cst via de poort 25 van de schakelende dunne-filmtransistor Ts. Wanneer een poort van de aansturende dunne-filmtransistor TD IN is kan een stroom vanaf de voedende lijn 6 worden toegevoerd aan de organische elektroluminescerende diode E gaande door de poort van de aansturende dunne-filmtransistor TD en aldus zal de organische elektroluminescerende diode licht emit-30 teren. Omdat de mate waarin de poort van de aansturende dunne-filmtransistor TD IN is afhangt van de amplitude van het datasignaal kunnen verschillende grijsniveaus worden weergegeven door het besturen van de grootte van de stroom die gaat door de aansturende dunne-filmtransistor TD. Een datasignaal dat eveneens is opgeslagen in de op-35 slagcondensator Cst wordt continu aangelegd aan de aansturende dunne-filmtransistor TD en aldus kan de organische elektroluminescerende diode E continu licht emitterend totdat een signaal voor een eerstvolgend frame wordt aangelegd.

1 0251 18- - 4 -

[0008] Fig. 2 is een aanzicht van een pixel volgens de stand van de techniek van een organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) met actieve matrix. Volgens fig. 2 zijn een schakelende dunne-filmtransistor Ts en een aansturende dunne-filmtransistor TD ge- 5 vormd. Volgens fig. 2 is een poortlijn 37 gevormd in een eerste richting en zijn signaal- en voedende lijnen 51 en 41 op afstand van de poortlijn 37 in een tweede richting gevormd. De poortlijn 37 bepaalt een pixelgebied E door het kruisen van de datalijn 51 en de voedende lijn 41. Een schakelende dunne-filmtransistor T$ is gevormd nabij een 10 kruispunt van de poort- en datalijnen 37 en 51. Een aansturende dunne-filmtransistor TD is gevormd nabij een kruising van de schakelende dunne-filmtransistor Ts en de voedende lijn 41. De voedende lijn 41 en een condensatorelektrode 34 die is verbonden met een halfgeleiderlaag 31 van de schakelende dunne-filmtransistor Ts vormen een opslagconden-. 15 sator Cst· Een eerste elektrode 58 is elektrisch verbonden met de aansturende dunne-filmtransistor TD. Hoewel niet in fig. 2 getoond zijn achtereenvolgens een organische lichtemitterende laag en een tweede elektrode over de eerste elektrode 58 gevormd. Een zone daar waar de eerste elektrode 58 is gevormd wordt bepaald als organische lichtemit-20 terend gebied I. De aansturende dunne-filmtransistor TD heeft een halfgeleiderlaag 32 en een poortelektrode 38. De schakelende dunne-filmtransistor Ts heeft een poortelektrode 35. Gelaagde structuren van het organisch lichtemitterend gebied I, de aansturende dunne-filmtransistor TD en de opslagcondensator CST zullen hierna aan de hand van 25 fig. 3 worden besproken.

[0009] Fig. 3 is een dwarsdoorsnede over de lijn 111-111' in fig. 2. Zoals getoond in fig. 3 zijn een aansturende dunne-filmtransistor TD met een halfgeleiderlaag 32, een poortelektrode 38 en bron- en anode-elektroden 50 en 52 op een isolerend substraat I gevormd. Een voeden- 30 de elektrode 52 die zich uitstrekt vanuit een (niet getoonde) voedende lijn is elektrisch verbonden met de bronelektrode 50. Een eerste elektrode gevormd uit lichtdoorlatend geleidend materiaal is elektrisch verbonden met de anode-elektrode 52. Een condensatorelektrode 34 is gevormd onder de voedende elektrode 52 uit hetzelfde materiaal als dat 35 van de halfgeleiderlaag 32. De voedende elektrode 42 en de condensatorelektrode 34 vormen een opslagcondensator Cst· Een organische lichtemitterende laag 64 en ene kathode 66 zijn achtereenvolgens gevormd op de eerste elektrode 58 en vormen op deze wijze een organisch lichtemitterend gebied I. Eerste, tweede, derde en vierde passieverende la- 1 0251 18“ - 5 - gen 40, 44, 54, en 60 elk uitgevoerd met een contactgat voor het maken van een elektrisch contact in elke laag zijn op het substraat 1 gevormd. Een bufferende laag 30 is gevormd tussen het substraat 1 en de halfgeleiderlaag 32. Een eerste passieverende laag 40 is gevormd 5 tussen de opslagelektrode 34 en de voedende elektrode 42 en fungeert als isolatiemateriaal. De tweede passieverende laag 44 is gevormd op de voedende elektrode 42 en de derde passieverende laag 54 is gevormd tussen de bronelektrode 50 en de eerste elektrode 58. De vierde passieverende laag 60 is gevormd tussen de aansturende dunne-10 filmtransistor TD en een tweede elektrode 66.

[0010] Fig. 4A tot en met 41 zijn dwarsdoorsneden die de stappen van vervaardigen tonen van de organische elektroluminescerende beeld-weergevende inrichting (ELD) met actieve matrix zoals getoond in fig.

2. De gelaagde structuren van de organische elektroluminescerende 15 beeldweergevende inrichting (ELD) kunnen zijn gevormd met een proces van fotolithografie waarbij de gelaagde structuren in patroon worden gebracht door belichting en ontwikkelen van een fotoresist zoals een lichtgevoelig materiaal. Volgens fig. 4A is een bufferlaag 30 gevormd op een isolerend substraat 1 uit een eerste isolerend materiaal. Ver-20 volgens worden op de bufferlaag 30, gebruikmakend van een eerste masker, de polykristallijne actieve siliciumlaag 32a en de polykristal-lijne siliciumcondensatorelektrode 34 gevormd.

[0011] Zoals getoond in fig. 4B worden een poort isolerende laag 36 en een poortelektrode 38 op de actieve laag 32a gevormd door het ach- 25 tereenvolgens neerslaan van een tweede isolerend materiaal en een eerste metalen laag op de actieve laag 32a en het vervolgens met behulp van een tweede masker in patroon brengen van het neergeslagen materiaal. Zoals getoond in fig. 4C wordt een eerste passieverende laag 40 over het gehele substraat waarop reeds de poort isolerende laag 36 en 30 de poortelektrode 38 zijn gevormd aangebracht. Een voedende elektrode 52 wordt daarna op de eerste passieverende laag 40 gevormd in de ruimte die overeenkomt met de condensatorelektrode 34 door het neerslaan van een tweede metalen materiaal op de eerste passieverende laag 40 en dit vervolgens met behulp van een derde masker in patroon te 35 brengen.

[0012] Zoals getoond in fig. 4D worden een tweede passieverende laag 44 met eerste en tweede ohmse contactgaten 46a en 46b en een condensa-torcontactgat 48 gevormd op de eerste passieverende laag 40 door het neerslaan van een derde isolerend materiaal op de eerste passieverende 1025118- - 6 - laag 40 en dit vervolgens met een vierde masker in patroon te brengen. De eerste en de tweede ohmse contactgaten 46a en 46b geven toegang tot delen aan weerskanten van de actieve laag 32a en het condensatorcon-tactgat 48 heeft toegang tot een gedeelte van de voedende elektrode 5 42. Een eerste gedeelte van de actieve laag 32a is een afvoergebied

Ilb en een tweede gedeelte van de actieve laag 32a is een brongebied Ha. De bron- en afvoergebieden Ha en Ilb zijn bestemd voor het contact maken met respectievelijk de bron- en afvoerelektroden die daarna worden gevormd. De bloot gemaakte eerste en tweede delen aan 10 weerskanten van de actieve laag 32 worden gedoteerd met ionen ter vorming van de ohmse contactlagen 32b. De actieve laag 32a en de ohmse contactlagen 32b vormen een halfgeleiderlaag 32.

[0013] Zoals getoond in fig. 4E worden achtereenvolgens de bron- en afvoerelektroden 50 respectievelijk 52 gevormd door het neerslaan van 15 een derde metaal op het substraat 1 waarop reeds de ohmse contactlagen 32b zijn gevormd en het vervolgens in patroon brengen daarvan met een vijfde masker. De bronelektrode 50 is verbonden met de ohmse contact-laag 32b in het brongebied Ila respectievelijk de voedende elektrode 42 via het eerste ohmse contactgat 46a getoond in fig. 4D respectieve-20 lijk het condensatorcontactgat 48 getoond in fig. 4D. De afvoerelek-trode 52 is verbonden met de ohmse contactlaag 32b in het afvoergebied Ilb via het tweede ohmse contactgat 46b getoond in fig. 4D. De halfgeleiderlaag 32, de poortelektrode 38 en de bron- en afvoerelektroden 50 en 52 vormen een aansturende dunne-filmtransistor TD. De voedende 25 elektrode 42 en de condensatorelektrode 3 zijn elektrisch verbonden met de bronelektrode 52 en een (niet getoonde) halfgeleiderlaag van een (niet getoonde) schakelende dunne-filmtransistor, en vormen een opslagcondensator Cst waarbij de waarbij de eerste passieverende laag 40 wordt gebruikt als isolerend lichaam.

30 [0014] Zoals getoond in fig. 4F wordt een eerste passieverende laag 54 met een afvoercontactgat 56 gevormd door het neerslaan van een vierde isolerend materiaal over het gehele substraat 1 waarop reeds zijn gevormd de bron- en afvoerelektroden 50 en 52 en het vervolgens in patroon brengen daarvan met een zesde masker. Volgens fig. 4G is 35 een eerste elektrode 58 die is verbonden met de afvoerelektrode 52 via het afvoercontactgat 56 gevormd op de derde passieverende laag 54 op een plaats die correspondeert met een organisch lichtemitterend gebied I door het neerslaan van een vierde metallisch materiaal op de derde passieverende laag 54 en het daarna in patroon brengen daarvan met een 1025113- - 7 - zevende masker. Zoals getoond in fig. 4H is een vierde passieverende laag 60 met een eerste een elektrode vrijgevend gedeelte 62 dat een eerste deel van een elektrode vrijgeeft, corresponderend met het organisch lichtemitterend gebied I, gevormd door het neerslaan van een 5 vijfde isolerend materiaal op het gehele substraat 1 waarover reeds de eerste elektrode 58 is gevormd, en het daarna in patroon brengen daarvan met een achtste masker. De vierde passieverende laag 64 dient voorts voor het beschermen van de aansturende dunne-filmtran-sistor Td tegen vocht en verontreinigingen. Het proces van fotoli-10 thografisch maskeren wordt op deze wijze beëindigd.

[0015] Zoals getoond in fig. 41 wordt een organische lichtemitte-rende laag 64 die in contact is met de eerste elektrode 58 via het eerste, de elektrode vrijgevend gedeelte 62 gevormd in fig. 4H gevormd op het substraat 1 waarop reeds de vierde passieverende laag 15 60 is gevormd. Een tweede elektrode 66 wordt vervolgens gevormd op de organische lichtemit te rende laag 64 en de vierde passieverende laag 60 door het neerslaan van een vijfde metallisch materiaal over het gehele substraat 1. Wanneer de eerste elektrode 58 wordt gebruikt als de anode-elektrode moet het vijfde metallisch materiaal 20 lichtreflecterende eigenschappen hebben voor het reflecteren van het licht dat is geëmitteerd door de organische lichtemitterende laag 64 voor het weergeven van een afbeelding. Het vijfde materiaal wordt voorts gekozen uit die metallische materialen die een lage werkfunctie hebben zodat de tweede elektrode 66 gemakkelijk elektronen kan afge-25 ven.

[0016] Fig. 5 is een dwarsdoorsnede van een organische elektrolumi-nescerende beeldweergevende inrichting (ELD) volgens de stand van de techniek. Volgens fig. 5 liggen een eerste substraat 70 waarop een aantal subpixels is bepaald en een tweede substraat 90 op afstand van 30 elkaar. Een arrayelement 80 met een aantal aansturende dunne-filmtran-sistoren TD, corresponderend met elk subpixel, is gevormd op het eerste substraat 70. Een aantal eerste elektroden 72 corresponderend met elk subpixel is gevormd op de arrayelementlaag 80 en is verbonden met de corresponderende aansturende dunne-filmtransistor TD van elk sub-35 pixel. Een organische lichtemitterende laag 74 voor het weergeven van de kleuren rood (R), groen (G) en blauw (B) in elk subpixel is gevormd op de eerste elektrode 72. Een tweede elektrode 76 is gevormd op de organische lichtemitterende laag 74. De eerste en tweede elektroden 72 en 76 en de organische lichtemitterende laag 74 vormen een organische 1025118- - 8 - elektroluminescerende diode E. Licht geëmitteerd vanuit de organische lichtemitterende laag 74 gaat door de eerste elektrode 72. Dit betekent dat de organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) volgens fig. 5 is een organische elektroluminescerende 5 beeldweergevende inrichting (ELD) van de bodememissiesoort. Het tweede substraat 90 wordt gebruikt als inkapselend substraat en heeft in het midden van het oppervlak daarvan een verdiept gedeelte 92 met een droogmiddel 94 voor het beschermen van de organische elektroluminescerende diode E tegen vocht van buiten. Het tweede substraat 94 ligt 10 op een bepaalde afstand van de tweede elektrode 76. Een afdichtend patroon 85 is gevormd op één van de eerste en tweede substraten 70 en 90 voor het aan elkaar bevestigen van de eerste en tweede substraten 70 en 90.

[0017] De organische elektroluminescerende beeldweergevende inrich-. 15 ting (ELD) van de bodememissiesoort volgens de stand van de techniek wordt voltooid door het aan elkaar vastzetten van het substraat waarop de arrayelementlaag respectievelijk de organische elektroluminescerende diode zijn gevormd zodat een inkapselend substraat wordt verkregen. Wanneer de arrayelementlaag en de organische elektroluminesceren-20 de diode op hetzelfde substraat zouden zijn gevormd wordt de opbrengst van een paneel met deze arrayelementlaag en de organische elektroluminescerende diode afhankelijk van het product van de individuele opbrengsten van de arrayelementlaag en de organische elektroluminescerende diode. De opbrengst van het paneel wordt in hoge mate beïnvloed 25 door de opbrengst van de organische elektroluminescerende diode. Wanneer een organische elektroluminescerende diode gevormd uit een dunne film met een dikte van 1000 A defecten vertoont als gevolg van onzuiverheden en verontreinigingen wordt het paneel geclassificeerd als een defect paneel. Dit leidt tot verloren productiekosten en verloren 30 materiaal, waarmee de opbrengst van het paneel wordt verlaagd.

[0018] De organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) van de bodememissiesoort hebben voordelen als gevolg van hun hoge beeldstabiliteit en hun gemakkelijk proces van vervaardigen. Echter zijn de organische elektroluminescerende beeldweergevende in- 35 richtingen (ELD's) van de bodememissiesoort niet goed geschikt voor implementatie in inrichtingen die een hoge resolutie vergen als gevolg van beperkingen in de apertuurverhouding. Omdat organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichtingen (ELD's) van de topemissie-soort het licht naar boven vanuit het substraat uitstralen kan het 1 0251 18” - 9 - licht worden geëmitteerd zonder beïnvloeding van de dunne-filmtransis-tor die zich bevindt onder de lichtemitterende laag. Het ontwerp van de dunne-filmtransistor kan daardoor eenvoudiger zijn. Bovendien is de apertuurverhouding hoger in organische elektroluminescerende beeld-5 weergevende inrichtingen (ELD's) van de topemissiesoort. Daar echter gewoonlijk een kathode is gevormd over de organische lichtemitterende laag in de organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichtingen (ELD's) van de topemissiesoort zijn de keuze van de te gebruiken materialen en de lichtdoorlatendheid beperkt zodat het lichttrans-10 missierendement wordt verlaagd. Wanneer een dunne filmvormige passie-verende laag wordt gevormd om een afname van de lichtdoorlatendheid te voorkomen kan deze dunne filmvormige passieverende laag falen in het voorkomen van het binnendringen van buitenlicht in de inrichting.

[0019] De onderhavige uitvinding is dan ook gericht op een organi- . 15 sche elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) en op een werkwijze voor het vervaardigen daarvan die één of meer van de problemen die voortvloeien uit de beperkingen en nadelen van de stand van de techniek in hoofdzaak ondervangen.

[0020] Een doel van de onderhavige uitvinding is het verschaffen van 20 een organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) met een verhoogde opbrengst.

[0021] Een ander doel van de onderhavige uitvinding is het verschaffen van een werkwijze voor het vervaardigen van een organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) waarin minder mas- 25 keringsstappen voorkomen.

[0022] Andere doeleinden en voordelen van de uitvinding zijn uiteengezet in de nuvolgende beschrijving en zullen gedeeltelijk blijken uit deze beschrijving, of kunnen worden geleerd door het in praktijk brengen van de uitvinding. De doeleinden en andere voordelen van de uit- 30 vinding zullen worden gerealiseerd en bereikt met een structuur zoals die in het bijzonder is beschreven in de geschreven beschrijving en de conclusies daarvan, en blijkt uit de bijgaande tekening.

[0023] Teneinde deze en andere voordelen te bereiken en in overeenstemming met de doeleinden van de uitvinding, zoals belichaamd en 35 breed beschreven verschaft de uitvinding een organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD), omvattende een eerste substraat op een arrayelementlaag en een tweede substraat met een organische elektroluminescerende diode, omvattende een poortlijn gevormd op het eerste substraat in een eerste richting; een datalijn 1025118“ - 10 - gevormd op het eerste substraat in een tweede richting, loodrecht op de eerste richting; een voedende lijn, op afstand van de datalijn en gevormd op het eerste substraat in een tweede richting, waarbij de voedende lijn is gevormd uit hetzelfde materiaal als de poortlijn in 5 hetzelfde proces, waarbij de voedende lijn een aanvullende voedende koppelende lijn heeft nabij een kruisend gedeelte van de poortlijn en de voedende lijn; een schakelende dunne-filmtransistor, gevormd nabij een kruisend gedeelte van de poortlijn en de datalijnen, welke schakelende dunne-filmtransistor een halfgeleiderlaag heeft gevormd 10 uit amorf silicium; een aansturende dunne-filmtransistor, gevormd nabij een kruisend gedeelte van de schakelende dunne-filmtransistor en de voedende lijn, waarbij de aansturende dunne-filmtransistor een halfgeleiderlaag heeft gevormd uit hetzelfde materiaal als de halfgeleiderlaag van de schakelende dunne-filmtransistor; een verbindende . 15 elektrode, verbonden met de aansturende dunne-filmtransistor; en een elektrische verbindend patroon, gevormd tussen het eerste substraat en het tweede substraat voor het elektrisch verbinden van de verbindende elektrode met de organische elektroluminescerende diode.

[0024] Een werkwijze voor het vervaardigen van een organische elek-20 troluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) waarin een array-elementlaag en een organische elektroluminescerende diode worden gevormd op verschillende substraten en met elkaar zijn verbonden door een elektrisch verbindend patroon omvat het vormen van een poortelek-trode, een poortplak en een voedende plak door het neerslaan van een 25 eerste metallisch materiaal op een substraat en het vervolgens in patroon brengen van het neergeslagen eerste metallisch materiaal met een eerste proces van maskeren; het vormen van een poort isolerende laag door het neerslaan van een eerste isolerend materiaal op het substraat waarop reeds zijn gevormd de poortelektrode, de poortplak en de voe-30 dende plak; het vormen van een halfgeleiderlaag op de de poort isolerende laag in een ruimte corresponderend met de poortelektrode door het achtereenvolgens neerslaan van amorf silicium en met verontreinigingen gedoteerd silicium en het vervolgens in patroon brengen van het neergeslagen amorfe silicium en het met verontreinigingen gedoteerd 35 amorfe silicium met een tweede proces van maskeren; het vormen van een eerste poortplakcontactgat dat een gedeelte vrijgeeft van de poortplak en een eerste voedende-plakcontactgat dat een gedeelte vrijgeeft van de voedende plak door het in patroon brengen van delen van de de poort isolerende laag corresponderend met de poortplak en de voedende plak 1 025118- - 11 - met een derde proces van maskeren; het vormen van een bronelektrode, een afvoerelektrode, een dataplak, een eerste poortplakelektrode en een eerste voedende-plakelektrode door het neerslaan van een tweede metallisch materiaal op het substraat waarop reeds zijn gevormd de 5 halfgeleiderlaag, het eerste poortplakcontactgat en het eerste voedende -plakcontactgat en het vervolgens in patroon brengen van het neergeslagen tweede metallisch materiaal met een vierde proces van maskeren waarin de bron- en afvoerelektroden zijn gevormd op de halfgeleiderlaag op afstand van elkaar, de bron- en afvoerelektroden een IQ dunne-filmtransistor vormen in combinatie met de poortelektrode en de halfgeleiderlaag, de eerste poortplakelektrode is verbonden met de poortplak via het eerste poortplakcontactgat en de eerste voedende-plakelektrode is verbonden met de voedende plak via het eerste voe-dende-plakcontactgat; het vormen van een kanaal tussen de bron- en af-r 15 voerelektroden door het verwijderen van met verontreinigingen gedoteerd amorf silicium tussen de bron- en afvoerelektroden; het vormen vaneen passieverende laag met een broncontactgat, een afvoercontact-gat, een dataplakcontactgat, een tweede poortcontactgat en een tweede voedende-plakcontactgat door het neerslaan van een tweede isolerend 20 materiaal op het substraat waarop reeds zijn gevormd de dunne-filmtransistor, de dataplak, de eerste poortplakelektrode en de eerste voedende-plakelektrode en het daarna in patroon brengen van het neergeslagen tweede isolerend materiaal met een vijfde proces van maskeren, waarbij de bron- respectievelijk afvoercontactgaten delen vrijge-25 ven van respectievelijk de bronelektrode en de afvoerelektrode, het dataplakcontactgat een gedeelte vrijgeeft van de dataplak en de tweede poortplak- respectievelijk de voedende-plakcontactgaten respectievelijk delen vrijgeven van de eerste poortplakelektrode en de eerste voedende plak; het vormen van een elektrisch verbindend patroon op de 30 passieverende laag corresponderend met een elektrisch verbindend gebied door het neerslaan van een derde isolerend materiaal op de passieverende laag en het vervolgens in patroon brengen van het neergeslagen derde isolerend materiaal met behulp van een zesde proces van maskeren, waarbij de verbindende elektrode is verbonden met de organi-35 sche elektroluminescerende diode op het elektrisch verbindend gebied; en het vormen van een verbindende elektrode, een voedende elektrode, een dataplakelektrode, een tweede poortplakelektrode en een tweede voedende-plakelektrode door het neerslaan van een derde metallisch materiaal op het substraat waarop reeds het elektrisch verbindend pa- 1025118r - 12 - troon is gevormd en het daarna in patroon brengen van het neergeslagen derde metallisch materiaal met een zevende proces van maskeren, zodanig dat de verbindend elektrode het elektrisch verbindend patroon bedekt en is verbonden met de afvoerelektrode via het afvoercontactgat, 5 de voedende elektrode is verbonden met de bronelektrode via het bron-contactgat, de dataplakelektrode is verbonden met de dataplak via het dataplakcontactgat, de tweede poortplakelektrode is verbonden met de eerste poortplakelektrode via het tweede voedende-plakcontactgat.

[0025] Het zal duidelijk zijn dat zowel de voorgaande algemene be-10 schrijving als de nuvolgende gedetailleerde beschrijving zuiver als voorbeeld en ter toelichting zijn gegeven en dienen voor een verdere toelichting van de uitvinding zoals in de conclusies beschreven.

[0026] De bijgaande tekening, die is opgenomen voor het verschaffen van een verder begrip van de uitvinding en is opgenomen in en een 15 deelt vormt van de uitvinding illustreert uitvoeringsvormen van de uitvinding en dient in combinatie met de beschrijving voor het toelichten van de principes van de uitvinding.

[0027] Fig. 1 is het schema van een pixel van een organische elek-troluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) volgens de stand 20 van de techniek met actieve matrix.

[0028] Fig. 2 is een aanzicht van een pixel van een organische elek-troluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) met actieve matrix volgens de stand van de techniek.

[0029] Fig. 3 is een dwarsdoorsnede over de lijn III-III' in fig. 2; 25 [0030] Fig. 4A tot en met 41 zijn dwarsdoorsneden die stappen van de vervaardiging tonen van de organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) volgens fig. 2 met actieve matrix.

[0031] Fig. 5 is een dwarsdoorsnede van de organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) volgens de stand van de 30 techniek.

[0032] Fig. 6 is een dwarsdoorsnede van een organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (EALD) met twee panelen volgens een eerste uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding.

[0033] Fig. 7 is een aanzicht van een met twee panelen uitgevoerde 35 organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) volgens een tweede uitvoeringsvorm van de uitvinding.

[0034] Fig. 8A tot en met 8G zijn dwarsdoorsneden over de lijn VIII-VIII' in fig. 7 en tonen de opeenvolgende stappen van vervaardi- 10251 18. *3 - 13 - ging van een gelaagde structuur voor een gebied met een aansturende dunne-filmtransistor.

[0035] Fig. 9A tot en met 9G zijn dwarsdoorsneden over de lijn IX- IX' in fig. 7 en tonen de volgorde van vervaardigen van een ge-5 laagde structuur voor een dataplakgebied.

[0036] Fig. 10A tot en met 10G zijn dwarsdoorsneden over de lijn X- X' in fig. 7 en tonen de volgorde van vervaardigen van een gelaagde structuur voor een dataplakgebied.

[0037] Fig. 11A tot en met 11G zijn dwarsdoorsneden over de lijn 10 XI-XI' in fig. 7 en tonen de volgorde van vervaardigen van een gelaagde structuur voor een gebied met een voedende plak.

[0038] In het.nuvolgende zal in detail worden verwezen naar de getoonde uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding, die in de bijgaande tekening is getoond.

15 [0039] Een organische elektroluminescerende beeldweergevende inrich ting (ELD) met twee panelen volgens de onderhavige uitvinding die in het nuvolgende zal worden beschreven is van de soort met actieve matrix en is een organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) met topemissie.

20 [0040] Fig. 6 is een dwarsdoorsnede van een met twee panelen uitge voerde organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) volgens een eerste uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding. Volgens fig. 6 liggen een eerste substraat 110 en een tweede substraat 150 op afstand tegenover elkaar. Een aantal subpixels SP 25 is bepaald op de eerste en tweede substraten 110 en 150. Een array-elementlaag 140 met een aantal aansturende dunne-filmtransistoren TD, corresponderend met elk subpixel SP is gevormd op het eerste substraat 110. Een elektrisch verbindend patroon 142 verbonden met de aansturende dunne-filmtransistor TD is gevormd op de arrayelementlaag 140 in 30 elk subpixel SP. Het elektrisch verbindend patroon 142 is gevormd uit geleidend materiaal en kan zijn gevormd als een meerlaagse structuur met, binnen de breedte daarvan, een kern uit isolerend materiaal. Het elektrisch verbindend patroon 142 kan elektrisch zijn verbonden met de aansturende dunne-filmtransistor TD via een (niet getoonde) additione-35 le verbindende elektrode. De aansturende dunne-filmtransistor T0 heeft een poortelektrode 112, een halfgeleiderlaag 114 en bron- en afvoer-elektroden 116 en 118, en het elektrisch verbindend patroon 142 is verbonden met de afvoerelektrode 118.

1 0251152 - 14 -

[0041] Een eerste elektrode 142 is gevormd op een binnenoppervlak van het tweede substraat 150 en een organische lichtendtterende laag 160 van een pixel, met sub-lichtemitterende lagen 156a, 156b en 156c voor respectievelijk de kleuren rood (R), groen (G) en blauw (B) is 5 gevormd onder de eerste elektrode 152. Een aantal tweede elektroden 162, corresponderend met elk subpixel, is gevormd onder de organische lichtemitterende laag 160. Meer in het bijzonder hebben de organische lichtemitterende laag 160 van elk pixel een eerste, dragers leverende laag 154 tussen de eerste elektrode 152 en de sub-lichtemitterende la-10 gen 156a, 156b en 156c en een tweede dragers leverende laag 158 tussen de sub-lichtemitterende lagen 156a, 156b en 156c en de tweede elektrode 162. Wanneer bijvoorbeeld de eerste elektrode 152 is een anode-elektrode en de tweede elektrode 162 is een kathode-elektrode; de eerste de dragers leverende laag 154 fungeert als een gaten injecterende 15 laag en vervolgens als een gaten transporterende laag en de tweede dragers leverende laag 158 fungeert als een elektronen transporterende laag en vervolgens als een elektronen injecterende laag. De eerste en tweede elektroden 152 en 162 en de organische lichtemitterende laag 160 tussen de eerste en tweede elektroden 152 en 162 vormen een orga-20 nische elektroluminescerende diode E.

[0042] Volgens één aspect van de onderhavige uitvinding kan, omdat het elektrisch geleidend patroon 152 in contact is met het bodemopper-vlak van de tweede elektrode 162, stroom, die wordt toegevoerd vanuit de aansturende dunne-filmtransistor TD worden toegevoerd aan de tweede 25 elektrode 162 via het elektrisch verbindend patroon 142. Een afdichtend patroon 170 is gevormd op het eerste danwel op het tweede substraat 110 respectievelijk 150 voor het onderling verbinden van de eerste en tweede substraten 110 en 150. In de eerste uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding zoals getoond in fig. 6 zijn de array-30 elementlaag en de organische elektroluminescerende diode E gevormd op onderling verschillende substraten en zijn elektrisch met elkaar verbonden via het elektrisch verbindend patroon 142. Dit betekent dat de organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) volgens de onderhavige uitvinding is een organische elektroluminesce-35 rende beeldweergevende inrichting (ELD) van de soort met twee panelen. Zoals getoond in fig. 6 zijn daarin ter toelichting één pixel en twee subpixels van twee andere pixels getoond. De structuur van de aansturende dunne-filmtransistor TD en het verbindend patroon van het elektrisch verbindend patroon 142 kan afhankelijk van vele verschillende 1025118- - 15 - omstandigheden worden gewijzigd. Omdat voorts de organische elektrolu-minescerende beeldweergevende inrichting (ELD) volgens de onderhavige uitvinding is een organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting van de topemissiesoort het ontwerp van de dunne-filmtran-5 sistor TD gemakkelijk worden gerealiseerd onder het bereiken van een hoge apertuurverhouding en een hoge resolutie.

[0043] Fig. 7 is een aanzicht van een organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) van de soort met twee panelen volgens een tweede uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding. Vol- 10 gens fig. 7 is een poortlijn 212 gevormd in een eerste richting en zijn data- en voedende lijnen 236 respectievelijk 213 op onderlinge afstand gevormd in een tweede richting die dwars staat op de eerste richting. Een schakelende dunne-filmtransistor Ts is gevormd nabij een kruising van de poort- en datalijnen 212 en 236. De schakelende dunne- 15 filmtransistor Ts heeft een poortelektrode 214, een bronelektrode 226, een afvoerelektrode 230 en een halfgeleiderlaag 222. De poortelektrode 214 strekt zich uit vanaf de poortlijn 212. De bronelektrode 226 strekt zich uit vanaf de datalijn 236. De afvoerelektrode 230 ligt op afstand van de bronelektrode 226. De halfgeleiderlaag 222 bedekt delen 20 van de poortelektrode 214, de bronelektrode 226 en de afvoerelektrode 230. De voedende lijn 213 is simultaan gevormd met de poortlijn 212 uit hetzelfde materiaal als dat van de poortlijn 212.

[0044] De aansturende dunne-filmtransistor TD in fig. 7 is elektrisch verbonden met de schakelende dunne-filmtransistor Ts en de voedende 25 lijn 213. De aansturende dunne-filmtransistor TD heeft een aansturende poortelektrode 216, een aansturende bronelektrode 228, een aansturende afvoerelektrode 232 en een aansturende halfgeleiderlaag 224. De aansturende poortelektrode 216 is simultaan met de poortlijn 212 gevormd uit hetzelfde materiaal als dat van de poortlijn 212. De aansturende 30 bron- en afvoerelektroden 228 en 232 liggen op afstand van elkaar en zijn tegelijk met de datalijn 236 gevormd uit hetzelfde materiaal als de datalijn 236. De aansturende halfgeleiderlaag 224 bedekt delen van de aansturende poortelektrode 216, de aansturende bronelektrode 228 en de aansturende afvoerelektrode 232.

35 [0045] Een voedende elektrode 278 getoond in fig. 7 is verbonden met de aansturende bronelektrode 228 via een broncontactgat 246 en met de voedende lijn 213 via een voedend contactgat 251. Een verbindende elektrode 276 die is verbonden met de aansturende afvoerelektrode 232 is gevormd in een elektrisch verbindend gebied C en de verbindende 1025118- - 16 - elektrode 276 is tegelijk met de voedende elektrode 278 gevormd uit hetzelfde materiaal als de voedende elektrode 278. Het elektrisch verbindend gebied C komt overeen met een tweede elektrode van een (niet getekend) substraat met een (niet getoonde) organische elektrolumines-5 cerende diode. Hoewel niet in fig. 7 getoond is een elektrisch verbindend patroon met een kolomvormige vorm gevormd in het elektrisch verbindend gebied C. Meer details betreffende het (niet getoond) elektrisch verbindend patroon zullen later worden gegeven.

[0046] Zoals getoond in fig. 7 is, onder de voedende lijn 213 een 10 condensatorelektrode 234 gevormd, die dus door de voedende lijn 213 wordt overlapt. De condensatorelektrode 234 en de voedende lijn 213 boven de condensatorelektrode 234 vormen een opslagcondensator Cst· Een poortplak 218, een dataplak 238 en een voedende plak 219 zijn respectievelijk gevormd aan de einden van de poortlijn 212, de datalijn 236. 15 en de voedende lijn 213. Een eerste poortplakelektrode 242 en een eerste voedende-plakelektrode 244 zijn respectievelijk gevormd over de poortplak 218 en de voedende plak 219 tegelijk met de datalijn 236 en uit hetzelfde materiaal als de datalijn 236. Een dataplakelektrode 228, een tweede poortplakelektrode 282 en een tweede voedende-plak-20 elektrode 284 bevinden zich boven respectievelijk de dataplak 238, de elektrode poortplakelektrode 242 en de eerste voedende-plakelektrode 244 met de verbindende elektrode 276 uit hetzelfde materiaal als dat van deze verbindende elektrode 276. Omdat de poortlijn 212 en de voedende lijn 213 zijn gevormd in hetzelfde proces en onder gebruikmaking 25 van hetzelfde materiaal zouden de poort- en voedende lijnen 212 respectievelijk 213 elkaar kunnen kortsluiten nabij een kruising van de poort- en voedende lijnen 212 en 213. Er is dan ook een aparte koppelende voedende lijn 239 gevormd tegelijk met de datalijn 236 en uit hetzelfde materiaal als de datalijn 236 die is verbonden met een apar-30 te voedende lijn 213 nabij de kruising van de poortlijn 212 en de voedende lijn 213 zodanig dat een kortsluiting tussen de poortlijn 212 en de voedende lijn 213 wordt voorkomen. De voedende lijn 213 is verbonden met de koppelende lijn 239 via aanvullende contactgaten. Omdat verschillende signalen worden aangelegd aan de dataplak 238 en de voe-35 dende plak 219 bevindt de dataplak 238 zich bij voorkeur aan de tegenovergestelde kant van de voedende plak 219.

[0047] Fig. 8A tot en met 8G zijn dwarsdoorsneden over de lijn VIII-VIII' in fig. 7 en tonen de vervaardigingssequentie van de gelaagde structuur voor het gebied van de aansturende dunne-filmtransis- J 0251 18- * - 17 - tor. Fig. 9A tot en met 9G zijn dwarsdoorsneden over de lijn IX-IX' in fig. 7 en tonen de vervaardigingssequentie van een gelaagde structuur voor een dataplakgebied. Fig. 10A tot en met 10G zijn dwarsdoorsneden over de lijn X-X' in fig. 7 en tonen een vervaardigingssequentie van 5 een gelaagde structuur voor een poortplakgebied. Fig. 11A tot en met 11G zijn dwarsdoorsneden over de lijn XI-XI' in fig. 7 en illustreren een vervaardigingssequentie van een gelaagde structuur voor een gebied met een voedende plak. De aansturende poortelektrode, de aansturende halfgeleiderlaag, de aansturende bronelektrode en de aansturende af-10 voerelektrode zullen respectievelijk worden aangeduid als poortelek-trode, halfgeleiderlaag, bronelektrode en afvoerelektrode.

[0048] Verwijzend naar fig. 8A, 9A, 10A en 11A zijn een poortelek-trode 216, een poortplak 218 en een voedende plak 219 gevormd op een substraat 211 uit een eerste materiaal gebruikmakend van een eerste 15 proces van maskeren. Hoewel niet getoond in fig. 8A, 9A, 10A en 11A is ook een voedende lijn gevormd die is verbonden me de voedende plak. Het eerste metallisch materiaal is gekozen uit metallische materialen met een lage specifieke weerstand en bij voorkeur uit de groep metalen die aluminium (Al) omvat.

20 [0049] Hoewel niet getoond in fig. 8A, 9A, 10A en 11A wordt een proces van maskeren voor het in patroon brengen van de gelaagde structuren volgens de onderhavige uitvinding op de volgende wijze uitgevoerd. Een fotoresist wordt aangebracht op een substraat of een bepaalde laag en vervolgens afgedekt met een gewenst patroon dat over de fotoresist 25 is geplaatst. De afgedekte fotoresistlaag wordt met licht belicht en vervolgens ontwikkeld ter vorming van een fotoresistpatroon. Delen van de laag, vrijgegeven door het fotoresistpatroon worden weggeëtst teneinde een gewenst patroon te verkrijgen.

[0050] Verwijzend naar fig. 8B, 9B, 10B en 11B wordt een de poort 30 isolerende laag 220 gevormd door het neerslaan van een eerste isolerend materiaal over het gehele substraat 210 waarop reeds zijn gevormd de poortelektrode 216, de poortplak 218 en de voedende plak 219. Vervolgens wordt een halfgeleiderlaag 224 gevormd op de de poort isolerende laag 220 in de ruimte die correspondeert met de poortelektrode 35 216 door het achtereenvolgens neerslaan van amorf silicium (a-Si:H) en met verontreinigingen gedoteerd amorf silicium (n+a-Si:H) op de de poort isolerende laag 220 in de ruimte die correspondeert met de poortelektrode 16 en het vervolgens in patroon brengen daarvan met een tweede proces van maskeren. De halfgeleiderlaag 224 omvat een actieve 1025118- - 18 - laag 224a die is gevormd uit amorf silicium (a-Si:H) en een ohmse con-tactlaag 224b gevormd uit met verontreinigingen gedoteerd amorf silicium (n+a-Si:H). Het eerste isolerend materiaal voor de de poort isolerende laag 216 kan zijn gevormd uit isolerend materiaal omvattend 5 silicium en is bij voorkeur gevormd uit, bijvoorbeeld, siliciumnitride (SiNJ .

[0051] Verwijzend naar fig. IOC en 11C worden met een derde proces van maskeren gevormd een eerste poortplakcontactgat 221 dat een gedeelte vrijgeeft van de poortplak 218 en een eerste voedende-plakcon-10 tactgat dat een gedeelte van de voedende plak 219 vrijgeeft. Zoals fig. 8D, 9D, 10D en 11D tonen worden een bronelektrode 228, een af-voerelektrode 232 op afstand van de bronelektrode 228, een eerste poortplakelektrode 242 en een eerste voedende-plakelektrode 244 gevormd door het neerslaan van een tweede metallisch materiaal over het. 15 gehele substraat 210 waarop reeds zijn gevormd de halfgeleiderlaag 224, het eerste poortplakcontactgat 221 en het eerste voedende-plak-contactgat 223, en dit wordt vervolgens met een vierde proces van maskeren in patroon gebracht. De bronelektrode 228 en de afvoerelektrode 232 op afstand van de bronelektrode 228 zijn gevormd op de halfgelei-20 derlaag 224. De dataplak 238 is gevormd in een dataplakgebied DP getoond in fig. 9D. De eerste poortplakelektrode 242 en de eerste voedende plak 244 zijn respectievelijk verbonden met de poortplak 218 en de voedende plak 219 via het eerste poortplakcontactgat 221 respectievelijk het eerste voedende-plakcontactgat 223.

25 [0052] Hoewel niet getoond in fig. 8D, 9D, 10D en 11D is een (niet getoonde) datalijn gevormd in een tweede richting en is een de dataplak vormend gebied DP gevormd aan één einde van de datalijn. Het de dataplak vormend gebied DP is bij voorkeur gevormd op de tegenovergestelde zijde van de voedende plak 219. Het tweede metallisch materiaal 30 wordt gekozen uit die metallische materialen die goed chemisch corro-siebestendig zijn en wordt bij voorkeur gekozen uit molybdeen (Mo), titaan (Ti), chroom (Cr) en wolfram (W). In deze stap wordt een gedeelte van de ohmse contactlaag 224b tussen de bron- en afvoerelektroden 228 en 232 verwijderd voor het vrijmaken van een gedeelte van de 35 actieve laag 224a ter vorming van een kanaal ch. De poortelektrode 216, de halfgeleiderlaag 224, de bronelektrode 228 en de afvoerelektrode 232 vormen een aansturende dunne-filmtransistor TD.

[0053] Verwijzend naar fig. 8E, 9E, 10E en 11E worden een passie-verende laag 256 meteen broncontactgat 246, een afvoercontactgat 247, 1025118- - 19 - een dataplakcontactgat 250, een tweede poortplakcontactgat 248 en een tweede contactgat 252 voor de voedende plak gevormd door het neerslaan van een tweede isolerend materiaal over het gehele substraat 210 waarop reeds zijn gevormd de aansturende dunne-filmtransistor TD, de 5 dataplak 238, de eerste poortplakelektrode 242 en de eerste voedende-plakelektrode 244, en het vervolgens in patroon brengen van het neergeslagen tweede isolerend materiaal met een vijfde proces van maskeren. Het broncontactgat 246 geeft een gedeelte vrij van de bronelek-trode 228 en een afvoercontactgat 247 geeft een gedeelte van de af-10 voerelektrode 232 vrij. Het dataplakcontactgat 250 geeft een gedeelte van de dataplak 238 vrij. Het tweede poortplakcontactgat 248 en het tweede contactgat 252 voor de voedende plak geven toegang tot delen van de eerste poortplakelektrode 242 respectievelijk de eerste voe-dende-plakelektrode 244. Het tweede isolerend materiaal kan zijn geko-15 zen uit isolerende organische materialen of uit isolerende anorganische materialen. Bovendien kan het tweede isolerend materiaal in één enkele laag of in meerdere lagen zijn gevormd. Het is echter gewenst gebruik te maken van een anorganisch isolerend materiaal voor de pas-sieverende laag 256 in contact met de aansturende dunne-filmtransistor 20 TD.

[0054] Verwijzend naar fig. 8F is een elektrisch verbindend patroon 247 met een kolomvorm gevormd door het neerslaan van een derde isolerend materiaal op de passieverende laag 256 in de ruimte die correspondeert met een elektrisch verbindend gebied C en het vervolgens in 25 patroon brengen van het neergeslagen derde isolerend materiaal gebruikmakend van een zesde proces van maskeren. Het heeft de voorkeur dat het elektrisch verbindend gebied C correspondeert met een tweede (niet getoonde) elektrode van een (niet getoonde) organische elektro-luminescerende diode. Het derde isolerend materiaal wordt bij voorkeur 30 gekozen uit organische isolerende materialen zodat het elektrisch verbindend patroon 247 een bepaalde dikte heeft.

[0055] Verwijzend naar fig. 8G, 9G, 10G en 11G worden een verbindende elektrode 276, een voedende elektrode 278, een dataplakelektrode 280, een tweede poortplakelektrode 282 en een tweede voedende-plake- 35 lektrode 284 gevormd door het neerslaan van een derde metallisch materiaal over het gehele substraat 210 waarop reeds is gevormd het elektrisch verbindend patroon 274 en het vervolgens met behulp van een zevende proces van maskeren in patroon brengen van dit neergeslagen derde metallisch materiaal. De verbindende elektrode 276 is gevormd op 1025118- - 20 - het elektrisch verbindend patroon 274 en is via het afvoercontactgat 247 verbonden met de afvoerelektrode 232. De voedende elektrode 278 is verbonden met de bronelektrode 228 via het broncontactgat 246 en de dataplakelektrode 280 is verbonden met de dataplak via het dataplak-5 contactgat 250. De tweede poortplakelektrode 282 is verbonden met de eerste poortplakelektrode 242 via het tweede poortplakcontactgat 248 en de tweede voedende-plakelektrode 284 is verbonden met de eerste voedende-plakelektrode 244 via het tweede voedende-plakcontactgat 252. Hoewel niet getoond in fig. 8G, 9G, 10G en 11G is de voedende elek-10 trode 278 verbonden met de voedende lijn 213 die is getoond in fig. 7 via een aanvullend contactgat 251 dat is getoond in fig. 7.

[0056] De organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) met twee panelen volgens de onderhavige uitvinding heeft de volgende voordelen. In de eerste plaats kunnen, omdat de arrayelement- 15 laag met dunne-filmtransistor en de organische elektroluminescerende diode zijn gevormd op onderling verschillende substraten de productie-opbrengst en het productiebeheersrendement worden verbeterd en kan de levensduur van de producten worden verlengd. In de tweede plaats kan, omdat de organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting 20 (ELD) volgens de onderhavige uitvinding is van de topemissiesoort het ontwerp van de dunne-filmtransistor gemakkelijk worden gerealiseerd en kunnen een hoge apertuurverhouding en resolutie worden bereikt. In de derde plaats kan, omdat een dunne-filmtransistor van de inverse verschoven soort gebruikmakend van amorf silicium wordt gebruikt voor de 25 organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD) de dunne-filmtransistor bij lagere temperaturen worden gevormd en, omdat de poortpatronen en de voedende patronen in hetzelfde proces van maskeren worden gevormd, wordt het totale aantal nodige maskers gereduceerd zodat het proces voor het vormen van de dunne-filmtransistor kan 30 worden vereenvoudigd.

[0057] Het zal de vakman duidelijk zijn dat verschillende modificaties en variaties kunnen worden aangebracht in de fabricage en applicatie van de onderhavige uitvinding zonder het kader of de geest van de uitvinding te verlaten. Het is dan ook de bedoeling dat de onderha- 35 vige uitvinding alle modificaties en variaties daarvan bestrijkt, onder voorwaarde dat zij vallen binnen het kader van de bijgaande conclusies en hun equivalenten.

1025118-

Claims (12)

1. Een organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD), omvattende een eerste substraat op een arrayelement-laag en een tweede substraat met een organische elektroluminescerende diode, omvattende: 5 een poortlijn gevormd op het eerste substraat in een eerste richting; een datalijn gevormd op het eerste substraat in een tweede richting, loodrecht op de eerste richting; een voedende lijn, op afstand van de datalijn en gevormd op 10 het eerste substraat in een tweede richting, waarbij de voedende lijn is gevormd uit hetzelfde materiaal als de poortlijn in hetzelfde proces als dat van de poortlijn, waarbij de voedende lijn een aanvul- . lende voedende koppelende lijn heeft nabij een kruisend gedeelte van de poortlijn en de voedende lijn; 15 een schakelende dunne-filmtransistor, gevormd nabij een krui send gedeelte van de poort- en datalijnen, welke schakelende dunne-filmtransistor een halfgeleiderlaag heeft gevormd uit amorf silicium; een aansturende dunne-filmtransistor, gevormd nabij een kruisend gedeelte van de schakelende dunne-filmtransistor en de voedende 20 lijn, waarbij de aansturende dunne-filmtransistor een halfgeleiderlaag heeft gevormd uit hetzelfde materiaal als de halfgeleiderlaag van de schakelende dunne-filmtransistor; een verbindende elektrode, verbonden met de aansturende dunne-filmtransistor; en 25 een elektrische verbindend patroon, gevormd tussen het eerste substraat en het tweede substraat voor het elektrisch verbinden van de verbindende elektrode met de organische elektroluminescerende diode.

2. De inrichting volgens conclusie 1, voorts omvattende een 30 poortplak, een dataplak en een voedende plak, aangebracht aan één einde van respectievelijk de poortlijn, de datalijn en de voedende lijn.

3. De inrichting volgens conclusie 2, voorts omvattende een eerste poortplakelektrode op de poortplak en een eerste voedende- 35 plakelektrode op de voedende plak, waarbij de eerste poortplakelektrode en de eerste voedende-plakelektrode zijn gevormd uit hetzelfde 102511 - 22 - materiaal als de datalijn in hetzelfde proces als dat van de datalijn.

4. De inrichting volgens conclusie 3, voorts omvattende een dataplakelektrode op de dataplak, een tweede poortplakelektrode op de 5 eerste poortplakelektrode en een voedende-plakelektrode op de eerste voedende-plakelektrode, waarbij de dataplakelektrode, de tweede poortplakelektrode en de tweede voedende-plakelektrode zijn gevormd uit hetzelfde materiaal als dat van de verbindende elektrode in hetzelfde proces als dat van de verbindende elektrode.

5. De inrichting volgens conclusie 1, waarin de schakelende dunne-filmtransistor een poortelektrode, een halfgeleiderlaag, een bronelektrode en een afvoerelektrode heeft, waarbij de poortelektrode zich uitstrekt vanuit de poortlijn, de halfgeleiderlaag is gevormd over de poortelektrode en een actieve laag heeft die is gevormd uit 15 amorf silicium en een ohmse contactlaag gevormd uit met verontreinigingen gedoteerd amorf silicium, en de bron- en afvoerelektroden zijn gevormd op de halfgeleiderlaag en op afstand van elkaar liggen, waarbij de aansturende dunne-filmtransistor een aansturende poortelektrode, een aansturende halfgeleiderlaag, een aansturende bronelektrode en 20 een aansturende afvoerelektrode heeft, de aansturende poortelektrode is verbonden met de afvoerelektrode, de aansturende halfgeleiderlaag is gevormd over de aansturende poortelektrode, en de aansturende bron-en afvoerelektroden zijn gevormd op de aansturende halfgeleiderlaag en op afstand van elkaar liggen.

6. De inrichting volgens conclusie 5, voorts omvattende een voedende elektrode tussen de aansturende bronelektrode en de voedende lijn, waarbij de voedende elektrode is gevormd uit hetzelfde materiaal als dat van de verbindende elektrode in hetzelfde proces als dat van de verbindende elektrode en is verbonden met de aansturende 30 bronelektrode en met de voedende lijn.

7. De inrichting volgens conclusie 1, waarin de voedende kop-pellijn is gevormd uit hetzelfde materiaal als dat van de datalijn in hetzelfde proces als dat van de datalijn.

8. Een werkwijze voor het vervaardigen van een organische 35 elektroluminescerende beeldweergevende inrichting (ELD), daarin bestaande dat een arrayelementlaag en een organische elektroluminescerende diode worden gevormd op verschillende substraten en met elkaar worden verbonden door middel van een elektrisch geleidend patroon, omvattende de stappen van: 1025118s - 23 - het vormen van een poortelektrode, een poortplak en een voedende plak door het neerslaan van een eerste metallisch materiaal op een substraat en het vervolgens in patroon brengen van het neergeslagen eerste metallisch materiaal met een eerste proces van maskeren; 5 het vormen van een poort isolerende laag door het neerslaan van een eerste isolerend materiaal op het substraat waarop reeds zijn gevormd de poortelektrode, de poortplak en de voedende plak; het vormen van een halfgeleiderlaag op de de poort isolerende laag in een ruimte corresponderend met de poortelektrode door het ach-10 tereenvolgens neerslaan van amorf silicium en met verontreinigingen gedoteerd silicium en het vervolgens in patroon brengen van het neergeslagen amorfe silicium en het met verontreinigingen gedoteerd amorfe silicium met een tweede proces van maskeren; het vormen van een eerste poortplakcontactgat dat een gedeelte. 15 vrijgeeft van de poortplak en een eerste voedende-plakcontactgat dat een gedeelte vrijgeeft van de voedende plak door het in patroon brengen van delen van de de poort isolerende laag corresponderend met de poortplak en de voedende plak met een derde proces van maskeren; het vormen van een bronelektrode, een afvoerelektrode, een da-20 taplak, een eerste poortplakelektrode en een eerste voedende-plakelek-trode door het neerslaan van een tweede metallisch materiaal op het substraat waarop reeds zijn gevormd de halfgeleiderlaag, het eerste poortplakcontactgat en het eerste voedende-plakcontactgat en het vervolgens in patroon brengen van het neergeslagen tweede metallisch ma-25 teriaal met een vierde proces van maskeren waarin de bron- en afvoer-elektroden zijn gevormd op de halfgeleiderlaag op afstand van elkaar, de bron- en afvöerelektroden een dunne-filmtransistor vormen in combinatie met de poortelektrode en de halfgeleiderlaag, de eerste poortplakelektrode is verbonden met de poortplak via het eerste poortplak-30 contactgat en de eerste voedende-plakelektrode is verbonden met de voedende plak via het eerste voedende-plakcontactgat; het vormen van een kanaal tussen de bron- en afvöerelektroden door het verwijderen van met verontreinigingen gedoteerd amorf silicium tussen de bron- en afvöerelektroden; 35 het vormen vaneen passieverende laag met een broncontactgat, een afvoercontactgat, een dataplakcontactgat, een tweede poortcontact-gat en een tweede voedende-plakcontactgat door het neerslaan van een tweede isolerend materiaal op het substraat waarop reeds zijn gevormd de dunne-filmtransistor, de dataplak, de eerste poortplakelektrode en 1025118- i - 24 - de eerste voedende-plakelektrode en het daarna in patroon brengen van het neergeslagen tweede isolerend materiaal met een vijfde proces van maskeren, waarbij de bron- respectievelijk afvoercontactgaten delen vrijgeven van respectievelijk de bronelektrode en de afvoerelektrode, 5 het dataplakcontactgat een gedeelte vrijgeeft van de dataplak en de tweede poo'rtplak- respectievelijk de voedende-plakcontactgaten respectievelijk delen vrijgeven van de eerste poortplakelektrode en de eerste voedende plak; het vormen van een elektrisch verbindend patroon op de passie-10 verende laag corresponderend met een elektrisch verbindend gebied door het neerslaan van een derde isolerend materiaal op de passieverende laag en het vervolgens in patroon brengen van het neergeslagen derde isolerend materiaal met behulp van een zesde proces van maskeren, waarbij de verbindende elektrode is verbonden met de organische elek-r 15 troluminescerende diode op het elektrisch verbindend gebied; en het vormen van een verbindende elektrode, een voedende elektrode, een dataplakelektrode, een tweede poortplakelektrode en een tweede voedende-plakelektrode door het neerslaan van een derde metallisch materiaal op het substraat waarop reeds het elektrisch verbin-20 dend patroon is gevormd en het daarna in patroon brengen van het neergeslagen derde metallisch materiaal met een zevende proces van maskeren, zodanig dat de verbindende elektrode het elektrisch verbindend patroon bedekt en is verbonden met de afvoerelektrode via het afvoer-contactgat, de voedende elektrode is verbonden met de bronelektrode 25 via het broncontactgat, de dataplakelektrode is verbonden met de dataplak via het dataplakcontactgat, de tweede poortplakelektrode is verbonden met de eerste poortplakelektrode via het tweede voedende-plakcontactgat.

9. De werkwijze volgens conclusie 8, volgens welke een poort-30 lijn, verbonden met de poortelektrode en een voedende lijn, verbonden met de voedende plak worden gevormd met het eerste proces van maskeren en waarbij een datalijn, op afstand van de voedende lijn en gevormd in dezelfde richting als de voedende lijn, en een voedende koppellijn gevormd nabij een kruisend gedeelte van de poortlijn en 35 de voedende lijn worden gevormd met het vierde proces van maskeren.

10. De werkwijze volgens conclusie 8, voorts omvattende de stap van het verbinden van de voedende elektrode met de voedende lijn. 1025118- - 25 -

11. De werkwijze volgens conclusie 8, waarin de dunne-film-transistor is een aansturende dunne-filmtransistor die elektrisch is verbonden met de organische elektroluminescerende diode.

12. De werkwijze volgens conclusie 11, voorts omvattende de 5 stap van het verbinden van de voedende elektrode met de voedende lijn. 1025118-