JP2001318624A

JP2001318624A - 表示装置およびその作製方法

Info

Publication number: JP2001318624A
Application number: JP2001056031A
Authority: JP
Inventors: Jun Koyama; 潤小山
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2000-02-29
Filing date: 2001-02-28
Publication date: 2001-11-16

Abstract

(57)【要約】【課題】安価な表示装置およびそれを用いた電気器具
を提供する。【解決手段】同一の絶縁体上に画素部および駆動回路
を含む表示装置において、駆動回路は、並列に接続され
たｐチャネル型ＴＦＴ１０４〜１０６および直列に接続
されたｐチャネル型ＴＦＴ１０７〜１０９を含む複数の
ＮＡＮＤ回路を有したデコーダ１００と、三つのｐチャ
ネル型ＴＦＴ１１４〜１１６を含む複数のバッファを有
したバッファ部１０１とを含むことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電極間に発光性材
料を挟んだ素子（以下、発光素子という）を有する装置
（以下、発光装置という）に関する。特に、同一の絶縁
体上に画素部および画素部に信号を伝送するための駆動
回路を含む装置に関する。また、本発明は電極間に液晶
を挟んだ素子（以下、液晶素子という）を有する装置
（以下、液晶表示装置という）に用いることも可能であ
る。なお、本明細書では発光装置および液晶表示装置を
まとめて表示装置と呼ぶ。

【０００２】なお、本発明に用いることのできる発光性
材料は、一重項励起もしくは三重項励起または両者の励
起を経由して発光（燐光および／または蛍光）するすべ
ての発光性材料を含む。

【０００３】

【従来の技術】近年、ＥＬ（Electro Luminescence）が
得られる発光性材料（以下、ＥＬ材料という）を利用し
た発光素子（以下、ＥＬ素子という）を有する発光装置
（以下、発光装置という）の開発が進んでいる。発光装
置は、陽極と陰極との間にＥＬ材料からなる薄膜を挟ん
だＥＬ素子を有した構造からなる。

【０００４】発光装置の開発はパッシブマトリクス型を
主流に行われてきたが、画素部が高精細になるとＥＬ素
子の発光輝度を増加させる必要があるため、信頼性（Ｅ
Ｌ素子の長期寿命）を確保できないといった不具合が懸
念されている。そこで最近では高精細な表示を狙ってア
クティブマトリクス型が注目されている。アクティブマ
トリクス型の発光装置は、各画素内に能動素子を設けて
入力信号に応じてＥＬ素子を発光させる点に特徴があ
り、能動素子としては一般的にＴＦＴ（ThinFilm Trans
istor）が用いられている。

【０００５】ここでアクティブマトリクス型発光装置の
画素構造を図４に示す。図４において、４０１はソース
配線、４０２はゲート配線、４０３はスイッチング素子
として機能するＴＦＴ（以下、スイッチングＴＦＴとい
う）、４０４はスイッチングＴＦＴ４０３のドレインに
電気的に接続されたコンデンサである。

【０００６】また、スイッチングＴＦＴ４０３のドレイ
ンには電流制御ＴＦＴ４０５のゲート電極が電気的に接
続されている。電流制御ＴＦＴ４０５のソースは電流供
給線４０６に電気的に接続され、ドレインはＥＬ素子４
０７に電気的に接続される。即ち、電流制御ＴＦＴ４０
５はＥＬ素子４０７に流れる電流を制御する素子として
機能することになる。

【０００７】このように画素内に二つのＴＦＴを有し、
それぞれ異なる役割を持ってＥＬ素子の発光輝度を制御
することができる。その結果、発光期間がほぼ１フレー
ム期間行われ、高精細な画素部となっても発光輝度を抑
えたまま画像を表示することが可能となる。さらに、ア
クティブマトリクス型の利点は、画素部に信号を伝送す
る駆動回路として、シフトレジスタやサンプリング回路
を同一の基板上にＴＦＴで形成することが可能な点であ
る。これにより非常にコンパクトな発光装置を作製する
ことが可能となった。

【０００８】しかしながら、アクティブマトリクス型発
光装置は複数のＴＦＴを同一の基板上に形成することに
なり、単純な構造のパッシブマトリクス型に比べて歩留
まりを確保することが困難である。特に駆動回路を同一
基板上に形成する場合は動作不良があると画素１ライン
が動作しないといった線状欠陥を引き起こすこともあり
うる。また、ＴＦＴの製造工程が比較的複雑であるた
め、パッシブマトリクス型発光装置に比べて製造コスト
が高くなる可能性が高い。その場合、アクティブマトリ
クス型発光装置を表示部に用いた電気器具の単価が上が
ってしまうという懸念があった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、アクティブ
マトリクス型の表示装置の製造コストを低減することを
課題とし、安価な表示装置を提供することを課題とす
る。また、本発明の表示装置を表示部に用いた安価な電
気器具を提供することを課題とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明では、アクティブ
マトリクス型の表示装置の製造コストを低減するために
画素部に用いるＴＦＴを全て一導電型ＴＦＴ（ここでは
ｐチャネル型ＴＦＴもしくはｎチャネル型ＴＦＴのいず
れか一方を指す）とし、さらに駆動回路もすべて画素部
と同じ導電型のＴＦＴで形成することを特徴とする。こ
れにより製造工程を大幅に削減し、製造コストを低減す
ることが可能となる。

【００１１】そのため本発明では、ソース配線、ゲート
電極、ゲート配線（ゲート電極に信号を伝送する配線）
および電流供給線を同時に形成する、即ち同一の面上に
同一の導電膜形成することを特徴としている。また、独
立に形成された複数のゲート配線を相互に接続する配線
またはソース配線もしくは電流供給線とＴＦＴとを相互
に接続する配線（本明細書では接続配線と呼ぶ）を、電
流制御ＴＦＴのドレイン配線と同一の面上に同一の導電
膜で形成することを特徴としている。

【００１２】また、さらに重要な特徴の一つは、一導電
型ＴＦＴだけで駆動回路を形成する点にある。即ち、一
般的な駆動回路はｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型Ｔ
ＦＴとを相補的に組み合わせたＣＭＯＳ回路を基本に設
計されるが、本発明ではｐチャネル型ＴＦＴもしくはｎ
チャネル型ＴＦＴのみを組み合わせて駆動回路を形成す
る。

【００１３】

【発明の実施の形態】ここで本発明で用いる駆動回路に
ついて図１、図２を用いて説明する。本発明では一般的
なシフトレジスタの代わりに図１に示すようなｐチャネ
ル型ＴＦＴを用いたデコーダを用いる。なお、図１はゲ
ート側駆動回路の例である。

【００１４】図１において、１００がゲート側駆動回路
のデコーダ、１０１がゲート側駆動回路のバッファ部で
ある。なお、バッファ部とは複数のバッファ（緩衝増幅
器）が集積化された部分を指す。また、バッファとは後
段の影響を前段に与えずに駆動を行う回路を指す。

【００１５】まずゲート側デコーダ１００を説明する。
まず１０２はデコーダ１００の入力信号線（以下、選択
線という）であり、ここではＡ１、Ａ１バー（Ａ１の極
性が反転した信号）、Ａ２、Ａ２バー（Ａ２の極性が反
転した信号）、…Ａｎ、Ａｎバー（Ａｎの極性が反転し
た信号）を示している。即ち、２ｎ本の選択線が並んで
いると考えれば良い。

【００１６】選択線の本数はゲート側駆動回路から出力
されるゲート配線が何列あるかによってその数が決ま
る。例えばＶＧＡ表示の画素部をもつ場合はゲート配線
が４８０本となるため、９bit分（ｎ＝９に相当する）
で合計１８本の選択線が必要となる。選択線１０２は図
２のタイミングチャートに示す信号を伝送する。図２に
示すように、Ａ１の周波数を１とすると、Ａ２の周波数
は２^-1倍、Ａ３の周波数は２^-2倍、Ａｎの周波数は２
^-(n-1)倍となる。

【００１７】また、１０３aは第１段のＮＡＮＤ回路
（ＮＡＮＤセルともいう）、１０３bは第２段のＮＡＮ
Ｄ回路、１０３cは第ｎ段のＮＡＮＤである。ＮＡＮＤ
回路はゲート配線の本数分が必要であり、ここではｎ個
が必要となる。即ち、本発明ではデコーダ１００が複数
のＮＡＮＤ回路からなる。

【００１８】また、ＮＡＮＤ回路１０３a〜１０３cは、
ｐチャネル型ＴＦＴ１０４〜１０９が組み合わされてＮ
ＡＮＤ回路を形成している。なお、実際には２ｎ個のＴ
ＦＴがＮＡＮＤ回路１０３に用いられている。また、ｐ
チャネル型ＴＦＴ１０４〜１０９の各々のゲートは選択
線１０２（Ａ１、Ａ１バー、Ａ２、Ａ２バー…Ａｎ、Ａ
ｎバー）のいずれかに接続されている。

【００１９】このとき、ＮＡＮＤ回路１０３aにおい
て、Ａ１、Ａ２…Ａｎ（これらを正の選択線と呼ぶ）の
いずれかに接続されたゲートを有するｐチャネル型ＴＦ
Ｔ１０４〜１０６は、互いに並列に接続されており、共
通のソースとして正電源線（Ｖ _DH）１１０に接続され、
共通のドレインとして出力線１１１に接続されている。
また、Ａ１バー、Ａ２バー…Ａｎバー（これらを負の選
択線と呼ぶ）のいずれかに接続されたゲートを有するｐ
チャネル型ＴＦＴ１０７〜１０９は、互いに直列に接続
されており、回路端に位置するｐチャネル型ＴＦＴ１０
９のソースが負電源線（Ｖ_DL）１１２に接続され、もう
一方の回路端に位置するｐチャネル型ＴＦＴ１０７のド
レインが出力線１１１に接続されている。

【００２０】以上のように、本発明においてＮＡＮＤ回
路は直列に接続されたｎ個の一導電型ＴＦＴ（ここでは
ｐチャネル型ＴＦＴ）および並列に接続されたｎ個の一
導電型ＴＦＴ（ここではｐチャネル型ＴＦＴ）を含む。
但し、ｎ個のＮＡＮＤ回路１０３a〜１０３cにおいて、
ｐチャネル型ＴＦＴと選択線との組み合わせはすべて異
なる。即ち、出力線１１１は必ず１本しか選択されない
ようになっており、選択線１０２には出力線１１１が端
から順番に選択されていくような信号が入力される。

【００２１】次に、バッファ１０１はＮＡＮＤ回路１０
３a〜１０３cの各々に対応して複数のバッファ１１３a
〜１１３cにより形成されている。但しバッファ１１３a
〜１１３cはいずれも同一構造で良い。

【００２２】また、バッファ１１３a〜１１３cは一導電
型ＴＦＴとしてｐチャネル型ＴＦＴ１１４〜１１６を用
いて形成される。デコーダからの出力線１１１はｐチャ
ネル型ＴＦＴ１１４（第１の一導電型ＴＦＴ）のゲート
として入力される。ｐチャネル型ＴＦＴ１１４は接地電
源線（ＧＮＤ）１１７をソースとし、ゲート配線１１８
をドレインとする。また、ｐチャネル型ＴＦＴ１１５
（第２の一導電型ＴＦＴ）は接地電源線１１７をゲート
とし、正電源線（Ｖ_DH）１１９をソースとし、ゲート配
線１１８をドレインとして常時オン状態となっている。

【００２３】即ち、本発明において、バッファ１１３a
〜１１３cは第１の一導電型ＴＦＴ（ｐチャネル型ＴＦ
Ｔ１１４）および第１の一導電型ＴＦＴに直列に接続さ
れ、且つ、第１の一導電型ＴＦＴのドレインをゲートと
する第２の一導電型ＴＦＴ（ｐチャネル型ＴＦＴ１１
５）を含む。

【００２４】また、ｐチャネル型ＴＦＴ１１６（第３の
一導電型ＴＦＴ）はリセット信号線（Reset）をゲート
とし、正電源線１１９をソースとし、ゲート配線１１８
をドレインとする。なお、接地電源線１１７は負電源線
（但し画素のスイッチング素子として用いるｐチャネル
型ＴＦＴがオン状態になるような電圧を与える電源線）
としても構わない。

【００２５】このとき、ｐチャネル型ＴＦＴ１１５のチ
ャネル幅（Ｗ１とする）とｐチャネル型ＴＦＴ１１４の
チャネル幅（Ｗ２とする）との間にはＷ１＜Ｗ２の関係
がある。なお、チャネル幅とはチャネル長に垂直な方向
におけるチャネル形成領域の長さである。

【００２６】バッファ１１３aの動作は次の通りであ
る。まず出力線１１１に正電圧が加えられているとき、
ｐチャネル型ＴＦＴ１１４はオフ状態（チャネルが形成
されていない状態）となる。一方でｐチャネル型ＴＦＴ
１１５は常にオン状態（チャネルが形成されている状
態）であるため、ゲート配線１１８には正電源線１１９
の電圧が加えられる。

【００２７】ところが、出力線１１１に負電圧が加えら
れた場合、ｐチャネル型ＴＦＴ１１４がオン状態とな
る。このとき、ｐチャネル型ＴＦＴ１１４のチャネル幅
がｐチャネル型ＴＦＴ１１５のチャネル幅よりも大きい
ため、ゲート配線１１８の電位はｐチャネル型ＴＦＴ１
１４側の出力に引っ張られ、結果的に接地電源線１１７
の電圧がゲート配線１１８に加えられる。

【００２８】従って、ゲート配線１１８は、出力線１１
１に負電圧が加えられるときは負電圧（画素のスイッチ
ング素子として用いるｐチャネル型ＴＦＴがオン状態に
なるような電圧）を出力し、出力線１１１に正電圧が加
えられているときは常に正電圧（画素のスイッチング素
子として用いるｐチャネル型ＴＦＴがオフ状態になるよ
うな電圧）を出力する。

【００２９】なお、ｐチャネル型ＴＦＴ１１６は負電圧
が加えられたゲート配線１１８を強制的に正電圧に引き
上げるリセットスイッチとして用いられる。即ち、ゲー
ト配線１１８の選択期間が終了したら。リセット信号を
入力してゲート配線１１８に正電圧を加える。但しｐチ
ャネル型ＴＦＴ１１６は省略することもできる。

【００３０】以上のような動作のゲート側駆動回路によ
りゲート配線が順番に選択されることになる。次に、ソ
ース側駆動回路の構成を図３に示す。図３に示すソース
側駆動回路はデコーダ３０１、ラッチ３０２およびバッ
ファ３０３を含む。なお、デコーダ３０１およびバッフ
ァ３０３の構成はゲート側駆動回路と同様であるので、
ここでの説明は省略する。

【００３１】図３に示すソース側駆動回路の場合、ラッ
チ３０２は第１段目のラッチ３０４および第２段目のラ
ッチ３０５からなる。また、第１段目のラッチ３０４お
よび第２段目のラッチ３０５は、各々ｍ個のｐチャネル
型ＴＦＴ３０６a〜３０６cで形成される複数の単位ユニ
ット３０７を有する。デコーダ３０１からの出力線３０
８は単位ユニット３０７を形成するｍ個のｐチャネル型
ＴＦＴ３０６a〜３０６cのゲートに入力される。なお、
ｍは任意の整数である。

【００３２】例えば、ＶＧＡ表示の場合、ソース配線の
本数は６４０本である。ｍ＝１の場合はＮＡＮＤ回路も
６４０個必要となり、選択線は２０本（１０bit分に相
当する）必要となる。しかし、ｍ＝８とすると必要なＮ
ＡＮＤ回路は８０個となり、必要な選択線は１４本（７
bit分に相当する）となる。即ち、ソース配線の本数を
Ｍ本とすると、必要なＮＡＮＤ回路は（Ｍ／ｍ）個とな
る。

【００３３】そして、ｐチャネル型ＴＦＴ３０６a〜３
０６cのソースは各々ビデオ信号線（Ｖ１、Ｖ２…Ｖ
ｋ）３０９に接続される。即ち、出力線３０８に負電圧
が加えられると一斉にｐチャネル型ＴＦＴ３０６a〜３
０６cがオン状態となり、各々に対応するビデオ信号が
取り込まれる。また、こうして取り込まれたビデオ信号
は、ｐチャネル型ＴＦＴ３０６a〜３０６cの各々に接続
されたコンデンサ３１０a〜３１０cに保持される。

【００３４】また、第２段目のラッチ３０５も複数の単
位ユニット３０７bを有し、単位ユニット３０７bはｍ個
のｐチャネル型ＴＦＴ３１１a〜３１１cで形成される。
ｐチャネル型ＴＦＴ３１１a〜３１１cのゲートはすべて
ラッチ信号線３１２に接続され、ラッチ信号線３１２に
負電圧が加えられると一斉にｐチャネル型ＴＦＴ３１１
a〜３１１cがオン状態となる。

【００３５】その結果、コンデンサ３１０a〜３１０cに
保持されていた信号が、ｐチャネル型ＴＦＴ３１１a〜
３１１cの各々に接続されたコンデンサ３１３a〜３１３
cに保持されると同時にバッファ３０３へと出力され
る。そして、図１で説明したようにバッファを介してソ
ース配線３１４に出力される。以上のような動作のソー
ス側駆動回路によりソース配線が順番に選択されること
になる。

【００３６】以上のように、ｐチャネル型ＴＦＴのみで
ゲート側駆動回路およびソース側駆動回路を形成するこ
とにより画素部および駆動回路をすべてｐチャネル型Ｔ
ＦＴで形成することが可能となる。従って、アクティブ
マトリクス型の表示装置を作製する上でＴＦＴ工程の歩
留まりおよびスループットを大幅に向上させることがで
き、製造コストを低減することが可能となる。

【００３７】なお、ソース側駆動回路もしくはゲート側
駆動回路のいずれか片方の全部もしくは一部を外付けの
ＩＣチップとする場合にも本発明は実施できる。

【００３８】

【実施例】〔実施例１〕本発明では駆動回路をすべてｐ
チャネル型ＴＦＴで形成することを特徴としているが、
画素部もすべてｐチャネル型ＴＦＴで形成する。そこ
で、本実施例では図１および図３に示した駆動回路によ
り伝送された信号により画像を表示するための画素部の
構造について説明する。

【００３９】ここで本発明のアクティブマトリクス型発
光装置の画素構造を図５および図６に示す。図５は一画
素の断面図を示しており、図６は隣接する二つの画素の
上面図を示している。なお、図５は図６をＡ−Ａ’で切
断した断面図を表し、各図面において同一の箇所には同
一の符号を付してある。また、図６の二つの画素は電流
供給線５２５に対して線対称なので、どちらも構造は同
一である。

【００４０】図５において、５０１は可視光に対して透
明な基板、５０２は珪素を含む絶縁膜である。可視光に
対して透明な基板５０１としてはガラス基板、石英基
板、結晶化ガラス基板もしくはプラスチック基板（プラ
スチックフィルムも含む）を用いることができる。ま
た、珪素を含む絶縁膜５０２としては、酸化珪素膜、窒
化酸化珪素膜もしくは窒化珪素膜を用いることができ
る。

【００４１】なお、本明細書ではＴＦＴを絶縁体の上に
形成する。絶縁体は絶縁膜（代表的には珪素を含む絶縁
膜）の場合もあるし、絶縁物からなる基板（代表的には
石英基板）の場合もある。従って、絶縁体の上とは、絶
縁膜の上もしくは絶縁物からなる基板の上を指す。

【００４２】この珪素を含む絶縁膜５０２の上にはスイ
ッチング用ＴＦＴ６０１および電流制御用ＴＦＴ６０２
がｐチャネル型ＴＦＴで形成されている。

【００４３】スイッチング用ＴＦＴ６０１は、ｐ型半導
体からなる領域（以下、ｐ型半導体領域という）５０３
〜５０５および真性または実質的に真性な半導体からな
る領域（以下、チャネル形成領域という）５０６、５０
７を含む半導体領域を活性層としている。また、電流制
御用ＴＦＴ６０２はｐ型半導体領域５０８、５０９およ
びチャネル形成領域５１０を含む半導体領域を活性層と
している。

【００４４】なお、ｐ型半導体領域５０３もしくは５０
５はスイッチング用ＴＦＴ６０１のソース領域もしくは
ドレイン領域となる。また、ｐ型半導体領域５０８は電
流制御用ＴＦＴ６０２のソース領域となり、ｐ型半導体
領域５０９は同ＴＦＴのドレイン領域となる。

【００４５】スイッチング用ＴＦＴ６０１及び電流制御
用ＴＦＴ６０２の活性層は、ゲート絶縁膜５１１に覆わ
れ、その上にはソース配線５１２、ゲート電極５１３
a、ゲート電極５１３b、ドレイン配線５１４およびゲー
ト電極５１５が形成されている。これらは同一の材料で
同時に形成される。なお、これらの配線や電極の材料と
しては、タンタル、タングステン、モリブデン、ニオ
ブ、チタンもしくはこれら金属の窒化物を用いれば良
い。また、これら金属を組み合わせた合金を用いても良
いし、これら金属のシリサイドを用いても良い。

【００４６】また、図６に示すように、ドレイン配線５
１４はゲート電極５１５と一体となっている。また、ゲ
ート電極５１３aおよびゲート電極５１３bは共通のゲー
ト配線５１６と一体となっており、常に同じ電圧が加え
られる。

【００４７】また、図５において、５１７は窒化酸化珪
素膜もしくは窒化珪素膜からなるパッシベーション膜で
あり、その上には層間絶縁膜５１８が設けられている。
層間絶縁膜５１８としては、珪素を含む絶縁膜もしくは
有機樹脂膜を用いる。有機樹脂膜としては、ポリイミ
ド、ポリアミド、アクリル樹脂もしくはＢＣＢ（ベンゾ
シクロブテン）を用いれば良い。

【００４８】また、その上には透明導電膜からなる接続
配線５１９〜５２２および電極５２３が形成されてい
る。またこのとき同時に図６に示す配線５２４も形成さ
れている。なお、透明導電膜としては、酸化インジウ
ム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウムと酸化スズの
化合物、酸化インジウムと酸化亜鉛の化合物もしくはこ
れらにガリウムを添加した化合物からなる薄膜を用いる
ことができる。

【００４９】このとき、接続配線５２０はソース配線５
１２とｐ型半導体領域５０３を電気的に接続する配線で
あり、接続配線５２１はｐ型半導体領域５０５とドレイ
ン配線５１４を電気的に接続する配線であり、接続配線
５２２はソース領域５０８と電流供給線（図６参照）５
２５を電気的に接続する配線である。

【００５０】また、接続配線５１９は複数のパターンに
分割して形成されたゲート配線５１６を相互に接続する
ための配線であり、ソース配線５１２および電流供給線
５２５を跨ぐようにして設けられる。なお、ゲート配線
を跨ぐように形成された接続配線により複数に分割して
形成されたソース配線もしくは電流供給線を相互に接続
する構造とすることも可能である。

【００５１】また、電極５２３はＥＬ素子の陽極であ
り、本明細書では画素電極もしくは陽極と呼ぶ。画素電
極５２３は電流制御用ＴＦＴ６０２のドレイン領域５０
９に電気的に接続されている。なお、図６では画素電極
５２３が電流制御ＴＦＴ６０２のドレイン配線であると
も言える。

【００５２】ここで図６をＢ−Ｂ’で切断した断面図を
図７（Ａ）に示す。図７（Ａ）のように接続配線５２４
は電流供給線５２５を跨いでゲート配線５１６を相互に
接続している。また、図６をＣ−Ｃ’で切断した断面図
を図７（Ｂ）に示す。図７（Ｂ）のように接続配線５２
２は電流制御用ＴＦＴ６０２のｐ型半導体領域５０８お
よび電流供給線５２５を電気的に接続する。

【００５３】実際には、このあと画素電極５２３の上に
ＥＬ層（図示せず）および陰極（図示せず）を形成して
アクティブマトリクス型発光装置が完成する。ＥＬ層お
よび陰極の形成は公知の技術を用いても良い。

【００５４】また、ここではＴＦＴとしてトップゲート
構造のＴＦＴ（具体的にはプレーナ型ＴＦＴ）を例示し
たが、本発明はＴＦＴ構造に限定されるものではなく、
ボトムゲート構造のＴＦＴにも実施できる。代表的には
逆スタガ型ＴＦＴに実施することは可能である。

【００５５】以上の画素構造とすることで、アクティブ
マトリクス型発光装置の製造工程を大幅に低減すること
が可能となり、安価なアクティブマトリクス型発光装置
を生産することが可能となる。また、それを表示部に用
いた電気器具をも安価なものとすることができる。

【００５６】〔実施例２〕本実施例では、同一の絶縁体
上に画素部および画素部に信号を伝送する駆動回路を設
けたアクティブマトリクス型発光装置の作製工程につい
て図８、図９を用いて説明する。

【００５７】まず、図８（Ａ）に示すように、ガラス基
板８０１上に、下地膜（絶縁体）８０２を形成する。本
実施例ではガラス基板８０１側から５０ｎｍの第１の窒
化酸化珪素膜、２００ｎｍの第２の窒化酸化珪素膜を順
次積層して下地膜８０２とする。また、第１の窒化酸化
珪素膜の方が第２の窒化酸化珪素膜に比べて窒素の含有
量を多くし、ガラス基板８０１からのアルカリ金属の拡
散を抑制している。

【００５８】次に、下地膜８０２上に非晶質珪素膜（図
示せず）をプラズマＣＶＤ法により４０ｎｍの厚さに形
成する。そして、非晶質珪素膜にレーザー光を照射する
ことにより結晶化させ、多結晶珪素膜（ポリシリコン
膜）８０３を形成する。なお、非晶質珪素膜の代わりに
微結晶珪素膜もしくは非晶質のシリコンゲルマニウム膜
を形成しても良い。また、結晶化方法はレーザー結晶化
法に限定する必要はなく、公知の他の結晶化法を用いる
こともできる。

【００５９】次に、図８（Ｂ）に示すように、多結晶珪
素膜８０３をパターニングして個々に孤立した半導体層
８０４〜８０６を形成する。なお、８０４で示される半
導体層は、完成時に駆動回路を形成するＴＦＴ（以下、
駆動ＴＦＴという）の活性層となり、８０５はスイッチ
ングＴＦＴの活性層、８０６は電流制御ＴＦＴの活性層
となる。

【００６０】そして孤立した半導体層８０４〜８０６を
覆って酸化珪素膜からなるゲート絶縁膜８０７をプラズ
マＣＶＤ法により８０ｎｍの厚さに形成する。さらに、
ゲート絶縁膜８０７の上にスパッタ法によりタングステ
ン膜（図示せず）を３５０ｎｍの厚さに形成し、パター
ニングしてゲート電極８０８、８０９、８１０aおよび
８１０bを形成する。また同時に、スイッチングＴＦＴ
のソース配線８１２およびドレイン配線８１３を形成す
る。もちろん、ドレイン配線８１３とゲート電極８１１
は一体形成されている。

【００６１】次に、ゲート電極８０８、８０９、８１０
a、８１０b、ソース配線８１２およびドレイン配線８１
３をマスクとして周期表の１３族に属する元素を添加す
る。添加方法は公知の手段を用いれば良い。本実施例で
はプラズマドーピング法により５×１０¹⁹〜１×１０²¹
atoms／cm³の濃度でボロンを添加する。こうしてｐ型の
導電型を示す半導体領域（以下、ｐ型半導体領域とい
う）８１４〜８２１が形成される。また、ゲート電極８
０８、８０９、８１０aおよび８１０bの直下にはチャネ
ル形成領域８２２〜８２６が形成される。

【００６２】なお、本実施例ではｐ型半導体領域８１
４、８１６は駆動回路を形成するｐチャネル型ＴＦＴの
ソース領域として機能し、ｐ型半導体領域８１５は駆動
回路を形成するｐチャネル型ＴＦＴのドレイン領域とし
て機能する。

【００６３】次に、加熱処理を行ってｐ型半導体領域に
含まれる周期表の１３族に属する元素の活性化を行う。
この活性化はファーネスアニール、レーザーアニールも
しくはランプアニールにより行うか、又はそれらを組み
合わせて行えば良い。本実施例では５００℃４時間の加
熱処理を窒素雰囲気で行う。このとき、窒素雰囲気中の
酸素は極力低減しておくことが望ましい。この活性化工
程によりＴＦＴの活性層が形成される。

【００６４】活性化が終了したら、パッシベーション膜
８２７として窒化酸化珪素膜を２００ｎｍの厚さに形成
し、その後、半導体層の水素化処理を行う。水素化処理
は公知の水素アニール技術もしくはプラズマ水素化技術
を用いれば良い。こうして図８（Ｃ）の状態が得られ
る。

【００６５】次に、図８（Ｄ）に示すように、樹脂から
なる層間絶縁膜８２８を８００ｎｍの厚さに形成する。
樹脂としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂もしくはＢＣＢ（ベンゾシクロブテ
ン）を用いれば良い。また、無機の絶縁膜を用いても構
わない。

【００６６】次に、層間絶縁膜８２８にコンタクトホー
ルを形成して接続配線８２９〜８３５および画素電極８
３６を形成する。本実施例では接続配線８２９〜８３５
および画素電極８３６として酸化インジウムと酸化スズ
の化合物（Indium Tin Oxide:ＩＴＯ）からなる導電膜
を用いる。勿論、可視光に対して透明な導電膜であれば
如何なる材料を用いても良い。

【００６７】なお、接続配線８２９、８３１は駆動回路
を形成するｐチャネル型ＴＦＴのソース配線として機能
し、接続配線８３０は駆動回路を形成するｐチャネル型
ＴＦＴのドレイン配線として機能する。このように本実
施例ではｐチャネル型ＴＦＴで形成されたＰＭＯＳ回路
を基本として駆動回路を形成する。

【００６８】この状態で駆動回路を形成するｐチャネル
型ＴＦＴ、画素部に形成されるスイッチングＴＦＴ及び
電流制御ＴＦＴが完成する。本実施例ではすべてのＴＦ
Ｔがｐチャネル型ＴＦＴで形成される。但し、スイッチ
ングＴＦＴはゲート電極が活性層を二カ所で横切るよう
に形成されており、二つのチャネル形成領域が直列に接
続された構造となっている。このような構造とすること
でオフ電流値（ＴＦＴがオフされた時に流れる電流）を
効果的に抑制することができる。

【００６９】次に、図９（Ａ）に示すように、画素電極
８３６の端部および凹部（コンタクトホールに起因する
窪み）を隠すように樹脂からなる絶縁体８３７、８３８
を形成する。これは樹脂からなる絶縁膜を形成した後、
パターニングを行って形成すれば良い。このとき、画素
電極８３６の表面から絶縁体８３８の頂上まで高さ
（ｄ）を３００ｎｍ以下（好ましくは２００ｎｍ以下）
とすることが望ましい。なお、この絶縁体８３７、８３
８は省略することも可能である。

【００７０】絶縁体８３７は画素電極８３６の端部を隠
し、端部における電界集中の影響を避ける目的で形成す
る。これによりＥＬ層の劣化を抑制することができる。
また、絶縁体８３８はコンタクトホールに起因して形成
される画素電極の凹部を埋め込む目的で形成する。これ
により後に形成されるＥＬ層の被覆不良を防止し、画素
電極と後に形成される陰極の短絡を防止することができ
る。

【００７１】次に、７０ｎｍ厚のＥＬ層８３９及び３０
０ｎｍ厚の陰極８４０を蒸着法により形成する。本実施
例ではＥＬ層８３９として２０ｎｍ厚の銅フタロシアニ
ン（正孔注入層）及び５０ｎｍ厚のＡｌｑ₃（発光層）
を積層した構造を用いる。勿論、発光層に正孔注入層、
正孔輸送層、電子輸送層もしくは電子注入を組み合わせ
た公知の他の構造を用いても良い。

【００７２】本実施例では、まず全ての画素電極を覆う
ように銅フタロシアニンを形成し、その後、赤色、緑色
及び青色に対応する画素ごとに各々赤色の発光層、緑色
の発光層及び青色の発光層を形成する。形成する領域の
区別は蒸着時にシャドーマスクを用いて行えば良い。こ
のようにすることでカラー表示が可能となる。

【００７３】なお、緑色の発光層を形成する時は、発光
層の母体材料としてＡｌｑ₃（トリス−８−キノリノラ
トアルミニウム錯体）を用い、キナクリドンもしくはク
マリン６をドーパントとして添加する。また、赤色の発
光層を形成する時は、発光層の母体材料としてＡｌｑ₃
を用い、ＤＣＪＴ、ＤＣＭ１もしくはＤＣＭ２をドーパ
ントとして添加する。また、青色の発光層を形成する時
は、発光層の母体材料としてＢＡｌｑ₃（２−メチル−
８−キノリノールとフェノール誘導体の混合配位子を持
つ５配位の錯体）を用い、ペリレンをドーパントとして
添加する。

【００７４】勿論、本願発明では上記有機材料に限定す
る必要はなく、公知の低分子系有機ＥＬ材料、高分子系
有機ＥＬ材料もしくは無機ＥＬ材料を用いることが可能
である。また、これらの材料を組み合わせて用いること
も可能である。なお、高分子系有機ＥＬ材料を用いる場
合は塗布法を用いることもできる。

【００７５】以上のようにして、画素電極（陽極）８３
６、ＥＬ層８３９及び陰極８４０からなるＥＬ素子が形
成される。（図９（Ｂ））

【００７６】次に、図９（Ｃ）に示すように、接着剤８
４１によりカバー材８４２を貼り合わせる。本実施例で
はカバー材８４２としてガラス基板を用いるが、可撓性
のプラスチックフィルム、石英基板、プラスチック基
板、金属基板、シリコン基板もしくはセラミックス基板
を用いても良い。なお、外気に触れる面に珪素を含む絶
縁膜や炭素膜を設けて、酸素および水の侵入を防止した
り、摩擦により付く傷を防止したりすることも有効であ
る。

【００７７】また、接着剤８４１としては、代表的には
紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、
ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル樹脂、ポリ
イミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリ
ビニルブチラル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテ
ート）を用いることができる。なお、接着剤８４１がＥ
Ｌ素子から見て観測者側に位置する場合は、光を透過す
る材料であることが必要である。また、接着剤８４１の
内部に吸湿性物質（好ましくは酸化バリウム）や酸化防
止剤（酸素を吸着する物質）を設けておくとＥＬ素子の
劣化を抑制する上で効果的である。

【００７８】このような構造とすることによりＥＬ素子
を完全に大気から遮断することができる。これにより酸
化によるＥＬ材料の劣化をほぼ完全に抑制することがで
き、ＥＬ素子の信頼性を大幅に向上させることができ
る。

【００７９】以上のようにして作製されたアクティブマ
トリクス型発光装置は、図１０に示す回路構成の画素部
を有する。図１０において、１００１はソース配線、１
００２はゲート配線、１００３はスイッチングＴＦＴ、
１００４は電流制御ＴＦＴ、１００５は電流供給線、１
００６はＥＬ素子である。本実施例ではスイッチングＴ
ＦＴ１００３および電流制御ＴＦＴ１００４がｐチャネ
ル型ＴＦＴで作製されている。

【００８０】なお、本実施例では従来用いられていたコ
ンデンサ（図４のコンデンサ４０４）と同じ役割を、電
流制御ＴＦＴ１００４のゲート容量で補っている。これ
は、デジタル駆動により時分割階調表示を行う場合、１
フレーム期間（もしくは１フィールド期間）が短いた
め、電流制御ＴＦＴのゲート容量だけで電荷を保持しう
るためである。

【００８１】このような本発明のアクティブマトリクス
型発光装置は、パターニングに必要なマスク数がトータ
ルで５枚（絶縁体８３７、８３８を省略すれば４枚）と
非常に少なく、高い歩留まりと低い製造コストを達成す
ることができる。

【００８２】〔実施例３〕実施例２において、図１０に
示した画素部の回路構成は、図１１に示した回路構成と
しても良い。図１１において、１１０１はソース配線、
１１０２はゲート配線、１１０３はスイッチングＴＦ
Ｔ、１１０４は電流制御ＴＦＴ、１１０５は電流供給
線、１１０６はＥＬ素子である。本実施例ではスイッチ
ングＴＦＴ１１０３および電流制御ＴＦＴ１１０４がｐ
チャネル型ＴＦＴで作製されている。

【００８３】このとき、ゲート配線１１０２と電流供給
線１１０５は異なる層に形成されるため、両者が層間絶
縁膜を挟んで重なるように設けることは有効である。こ
のようにすることで実質的に配線の占有面積を共通化す
ることができ、画素の有効発光面積を増やすことができ
る。

【００８４】〔実施例４〕本実施例では、実施例１とは
異なる工程でアクティブマトリクス型発光装置を作製し
た場合について説明する。説明には図１２を用いる。

【００８５】まず、実施例２に従って図８（Ｄ）の工程
まで行い、接続配線１２０１〜１２０７およびドレイン
配線１２０８を形成する。本実施例では、これらの接続
配線を、金属膜を用いて形成する。金属膜としては如何
なる材料を用いても良い。本実施例では、アルミニウム
膜をチタン膜で挟んだ三層構造の積層膜を用いる。

【００８６】次に、図１２（Ｂ）に示すように、透明導
電膜からなる画素電極１２０９を形成する。このとき、
画素電極１２０９の一部がドレイン配線１２０８と接す
るように形成する。これにより電流制御ＴＦＴと画素電
極とが電気的に接続される。この状態の上面図を図１３
に示す。なお、図１３をＡ−Ａ’で切断した断面図が図
１２（Ｂ）の断面図に相当する。

【００８７】本実施例では接続配線１２０１〜１２０７
を金属膜で形成することができるため、実施の形態で説
明したＩＴＯ等の透明導電膜に比べて配線抵抗の低減お
よびコンタクト抵抗の低減を図ることができる。もちろ
ん、駆動回路においても回路間を結ぶ配線をすべて低抵
抗な金属膜で形成することができるため、動作速度の速
い駆動回路を形成することが可能となる。

【００８８】なお、本実施例では接続配線１２０１〜１
２０７およびドレイン配線１２０８を形成した後で画素
電極１２０９を形成しているが、この順序を逆にするこ
ともできる。即ち、透明導電膜からなる画素電極を形成
した後に金属膜からなる接続配線およびドレイン配線を
形成しても良い。

【００８９】このあとは実施例２と同様に、樹脂からな
る絶縁体１２１０を形成し、ＥＬ層１２１１、陰極１２
１２を順次形成していく。さらに、接着剤１２１３を用
いてカバー材１２１４を形成する。こうして図１２
（Ｃ）に示すアクティブマトリクス型発光装置が完成す
る。

【００９０】〔実施例５〕本実施例では、プラスチック
基板もしくはプラスチックフィルムを用いて本発明のア
クティブマトリクス型発光装置を作製する例について説
明する。なお、本実施例で用いることのできるプラスチ
ックとしては、ＰＥＳ（ポリエチレンサルファイル）、
ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレ
フタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレー
ト）を用いることができる。

【００９１】まず実施例２の工程に従ってガラス基板８
０１上にＴＦＴおよびＥＬ素子を形成する。ただし、本
実施例では図１４（Ａ）に示すように、ガラス基板８０
１と下地膜８０２の間に剥離層１４０１を形成する。な
お、剥離層１４０１としては半導体膜を用いることが可
能であり、代表的には非晶質珪素膜を用いれば良い。

【００９２】また、本実施例では第１の接着剤１４０２
によりカバー材１４０３を接着するが、第１の接着剤１
４０２として樹脂からなる絶縁膜（代表的にはポリイミ
ド、アクリル樹脂、ポリアミドもしくはエポキシ樹脂）
を用いる。ただし、後に剥離層１４０１をフッ化ハロゲ
ンを含むガスでエッチングした際に選択比のとれる材料
を用いることが必要である。また、本実施例では第１の
接着剤１４０２により接着するカバー材１４０３として
ＰＥＴフィルムを用いる。

【００９３】次に、図１４（Ｂ）に示すように、素子が
形成された基板全体をフッ化ハロゲンを含むガス中に晒
す。この処理により剥離層１４０１を選択的に除去する
ことができる。フッ化ハロゲンとは化学式ＸＦn（Ｘは
フッ素以外のハロゲン、ｎは整数）で示される物質であ
り、一フッ化塩素（ＣｌＦ）、三フッ化塩素（Ｃｌ
Ｆ ₃）、一フッ化臭素（ＢｒＦ）、三フッ化臭素（Ｂｒ
Ｆ₃）、一フッ化ヨウ素（ＩＦ）もしくは三フッ化ヨウ
素（ＩＦ₃）を用いることができる。

【００９４】このフッ化ハロゲンは、シリコン膜と酸化
シリコン膜との選択比が大きく、シリコン膜の選択的な
エッチングが可能である。また、このエッチング反応は
室温で容易に進行するため耐熱性の低いＥＬ素子を形成
した後でも処理を行うことが可能である。

【００９５】なお、上述のフッ化ハロゲンにシリコン膜
を晒すだけでシリコン膜はエッチングされるが、他のフ
ッ化物（四フッ化炭素（ＣＦ4）もしくは三フッ化窒
素）であってもプラズマ状態とすることで本願発明に用
いることは可能である。

【００９６】本実施例では、フッ化ハロゲンとして三フ
ッ化塩素（ＣｌＦ₃）を用い、希釈ガスとして窒素を用
いる。希釈ガスとしては、アルゴン、ヘリウムもしくは
ネオンを用いても良い。流量は共に５００ｓｃｃｍ
（８．３５×１０^-6ｍ³／ｓ）とし、反応圧力は１〜１
０Ｔｏｒｒ（１．３×１０²〜１．３×１０³Ｐａ）とす
れば良い。また、処理温度は室温（典型的には２０〜２
７℃）で良い。

【００９７】次に、図１４（Ｃ）に示すように、第２の
接着剤１４０４を用いてプラスチック基板もしくはプラ
スチックフィルムからなる基板（貼り合わせ基板）１４
０５を貼り合わせる。本実施例では貼り合わせ基板１４
０５としてＰＥＴフィルムを用いる。応力バランスをと
るためカバー材１４０３と貼り合わせ基板１４０５の材
料は同一とすることが望ましい。

【００９８】以上のようにして、プラスチックフィルム
にＴＦＴおよびＥＬ素子を挟んだアクティブマトリクス
型発光装置が得られる。本実施例はＴＦＴを形成した後
でプラスチックフィルムを貼り合わせることになるた
め、プラスチックの耐熱性を考慮してＴＦＴを作製する
といった制限がない。

【００９９】またフレキシブルで軽量な発光装置が得ら
れるため、携帯電話や電子手帳などの携帯情報機器の表
示部に適している。

【０１００】なお、本実施例の構成は実施例１〜４のい
ずれの構成とも自由に組み合わせて実施することができ
る。

【０１０１】〔実施例６〕本発明において、ＴＦＴおよ
びＥＬ素子を形成する基板またはカバー材の片面もしく
は両面にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を形
成しておくことは有効である。但し、膜厚が厚すぎると
透過率が落ちるので、５０ｎｍ以下（好ましくは１０〜
２０ｎｍ）とすると良い。また、ＤＬＣ膜の成膜はスパ
ッタ法もしくはＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いれば良
い。

【０１０２】ＤＬＣ膜の特徴としては、１５５０ｃｍ^-1
くらいに非対称のピークを有し、１３００ｃｍ^-1くらい
に肩をもつラマンスペクトル分布を有する。また、微小
硬度計で測定した時に１５〜２５Ｐａの硬度を示すとい
う特徴をもつ。また、ＤＬＣ膜は基板やカバー材に比べ
て硬度が大きく且つ熱伝導率も大きいため、表面保護や
熱分散のための保護膜として設けておくことが有効であ
る。

【０１０３】なお、本実施例の構成は実施例１〜５のい
ずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能
である。

【０１０４】〔実施例７〕本実施例では、実施例２で説
明した本発明の発光装置の外観図を説明する。なお、図
１５（Ａ）は本発明の発光装置の上面図であり、図１５
（Ｂ）はその断面図である。

【０１０５】図１５（Ａ）において、１５０１は基板、
１５０２は画素部、１５０３はソース側駆動回路、１５
０４はゲート側駆動回路であり、それぞれの駆動回路は
配線１５０５を経てＦＰＣ（フレキシブルプリントサー
キット）１５０６に至り、外部機器へと接続される。図
１のゲート側駆動回路は図１５（Ａ）のゲート側駆動回
路１５０４に用いられ、図３のソース側駆動回路は図１
５（Ａ）のソース側駆動回路１５０３に用いられ、図５
の画素部は図１５（Ａ）の画素部１５０２に用いられ
る。このとき画素部１５０２、ソース側駆動回路１５０
３及びゲート側駆動回路１５０４を囲むようにして第１
シール材１５１１、カバー材１５１２、接着剤１５１３
（図１５（Ｂ）参照）及び第２シール材１５１４が設け
られる。

【０１０６】また、図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）をＡ−
Ａ’で切断した断面図に相当する。このとき、点線１５
００で囲まれた領域が図９（Ｃ）の断面図に相当する。
従って、ここでの詳細な説明は省略する。

【０１０７】ＥＬ素子の陰極は１５１４で示される領域
において配線１５０５に電気的に接続される。配線１５
０５は陰極に所定の電圧を与えるための配線であり、異
方導電性フィルム１５１５を介してＦＰＣ１５０６に電
気的に接続される。さらにＥＬ素子は、第１シール材１
５１１及びそれによって基板１５０１に貼り合わされた
カバー材１５１２で囲まれ、接着剤１５１３により封入
されている。

【０１０８】また、接着剤１５１３の中にスペーサを含
有させてもよい。このとき、スペーサを酸化バリウムで
形成すればスペーサ自体に吸湿性をもたせることが可能
である。また、スペーサを設けた場合、スペーサからの
圧力を緩和するバッファ層として陰極上に樹脂膜を設け
ることも有効である。

【０１０９】また、配線１５０５は異方導電性フィルム
１５１５を介してＦＰＣ１５０６に電気的に接続され
る。配線１５０５は画素部１５０２、ソース側駆動回路
１５０３及びゲート側駆動回路１５０４に送られる信号
をＦＰＣ１５０６に伝え、ＦＰＣ１５０６により外部機
器と電気的に接続される。

【０１１０】また、本実施例では第１シール材１５１１
の露呈部及びＦＰＣ１５０６の一部を覆うように第２シ
ール材１５１４を設け、ＥＬ素子を徹底的に外気から遮
断する構造となっている。こうして図１５（Ｂ）の断面
構造を有する発光装置となる。なお、本実施例の発光装
置は実施例１〜６のいずれの構成を組み合わせて作製し
ても構わない。

【０１１１】〔実施例８〕本実施例では、本発明の発光
装置の画素構造について図１６（Ａ）、（Ｂ）に示す。
本実施例において、１６０１はスイッチングＴＦＴ１６
０２のソース配線、１６０３はスイッチングＴＦＴ１６
０２のゲート配線、１６０４は電流制御ＴＦＴ、１６０
５はコンデンサ（省略することも可能）、１６０６は電
流供給線、１６０７は電源制御ＴＦＴ、１６０８はＥＬ
素子、１６０９は電源制御線とする。このとき、ソース
配線１６０１、ゲート配線１６０３、電流供給線１６０
６および電源制御線１６０８が同一の層に同一の導電膜
で形成される。

【０１１２】なお、電源制御ＴＦＴ１６０７の動作につ
いては特願平１１−３４１２７２号を参照すると良い。
ただし本実施例では電源制御ＴＦＴを電流制御ＴＦＴと
同一構造のｐチャネル型ＴＦＴとする。

【０１１３】また、本実施例では電源制御ＴＦＴ１６０
７を電流制御ＴＦＴ１６０４とＥＬ素子１６０８との間
に設けているが、電源制御ＴＦＴ１６０７とＥＬ素子１
６０８との間に電流制御ＴＦＴ１６０４が設けられた構
造としても良い。また、電源制御ＴＦＴ１６０７は電流
制御ＴＦＴ１６０４と同一構造とするか、同一の活性層
で直列させて形成するのが好ましい。

【０１１４】また、図１６（Ａ）は、二つの画素間で電
流供給線１６０６を共通とした場合の例である。即ち、
二つの画素が電流供給線１６０６を中心に線対称となる
ように形成されている点に特徴がある。この場合、電流
供給線の本数を減らすことができるため、画素部をさら
に高精細化することができる。また、図１６（Ｂ）は、
ゲート配線１６０３と平行に電流供給線１６１０を設
け、ソース配線１６０１と平行に電源制御線１６１１を
設けた場合の例である。

【０１１５】なお、本実施例の構成は実施例１〜７のい
ずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能
である。

【０１１６】〔実施例９〕本実施例では、本発明の発光
装置の画素構造について図１７（Ａ）、（Ｂ）に示す。
なお、本実施例において、１７０１はスイッチングＴＦ
Ｔ１７０２のソース配線、１７０３はスイッチングＴＦ
Ｔ１７０２のゲート配線、１７０４は電流制御ＴＦＴ、
１７０５はコンデンサ（省略することも可能）、１７０
６は電流供給線、１７０７は消去ＴＦＴ、１７０８は消
去用ゲート配線、１７０９はＥＬ素子とする。このと
き、ソース配線１７０１、ゲート配線１７０３、電流供
給線１７０６および消去用ゲート配線１７０８が同一の
層に同一の導電膜で形成される。

【０１１７】なお、消去ＴＦＴ１７０７の動作について
は特願平１１−３３８７８６号を参照すると良い。ただ
し本実施例では電源制御ＴＦＴを電流制御ＴＦＴと同一
構造のｐチャネル型ＴＦＴとする。また、特願平１１−
３３８７８６号では消去用ゲート配線を消去用ゲート信
号線と呼んでいる。

【０１１８】消去ＴＦＴ１７０７のドレインは電流制御
ＴＦＴ１７０４のゲートに接続され、電流制御ＴＦＴ１
７０４のゲート電圧を強制的に変化させることができる
ようになっている。なお、消去ＴＦＴ１７０７はｐチャ
ネル型ＴＦＴとし、オフ電流を小さくできるようにスイ
ッチング用ＴＦＴ１７０２と同一構造とすることが好ま
しい。

【０１１９】また、図１７（Ａ）は、二つの画素間で電
流供給線１７０６を共通とした場合の例である。即ち、
二つの画素が電流供給線１７０６を中心に線対称となる
ように形成されている点に特徴がある。この場合、電流
供給線の本数を減らすことができるため、画素部をさら
に高精細化することができる。また、図１７（Ｂ）は、
ゲート配線１７０３と平行に電流供給線１７１０を設
け、ソース配線１７０１と平行に消去ゲート配線１７１
１を設けた場合の例である。

【０１２０】なお、本実施例の構成は実施例１〜７のい
ずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能
である。

【０１２１】〔実施例１０〕本発明の発光装置は画素内
にいくつのＴＦＴを設けた構造としても良い。実施例
８、９ではＴＦＴを三つ設けた例を示しているが、四つ
乃至六つのＴＦＴを設けても構わない。本発明は発光装
置の画素構造に限定されずに実施することが可能であ
る。

【０１２２】なお、本実施例の構成は実施例１〜７のい
ずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能
である。

【０１２３】〔実施例１１〕本実施例ではＥＬ層および
陰極を形成するための成膜装置について図１８を用いて
説明する。図１８において、１８０１は搬送室（Ａ）で
あり、搬送室（Ａ）１８０１には搬送機構（Ａ）１８０
２が備えられ、基板１８０３の搬送が行われる。搬送室
（Ａ）１８０１は減圧雰囲気にされており、各処理室と
はゲートによって遮断されている。各処理室への基板の
受け渡しは、ゲートを開けた際に搬送機構（Ａ）によっ
て行われる。

【０１２４】また、搬送室（Ａ）１８０１を減圧するた
めにクライオポンプを用いる。なお、図１８の成膜装置
では、搬送室（Ａ）１８０１の側面に排気ポート１８０
４が設けられ、その下に排気ポンプが設置される。この
ような構造とすると排気ポンプのメンテナンスが容易に
なるという利点がある。

【０１２５】以下に、各処理室についての説明を行う。
なお、搬送室（Ａ）１８０１は減圧雰囲気となるので、
搬送室（Ａ）１８０１に直接的に連結された処理室には
全て排気ポンプ（図示せず）が備えられている。排気ポ
ンプとしては油回転ポンプ、メカニカルブースターポン
プ、ターボ分子ポンプもしくはクライオポンプが用いら
れる。

【０１２６】まず、１８０５は基板のセッティング（設
置）を行うストック室であり、ロードロック室とも呼ば
れる。ストック室１８０５はゲート１８００aにより搬
送室（Ａ）１８０１と遮断され、ここに基板１８０３を
セットしたキャリア（図示せず）が配置される。また、
ストック室１８０５は上述の排気ポンプと高純度の窒素
ガスまたは希ガスを導入するためのパージラインを備え
ている。

【０１２７】また、本実施例では基板１８０３を、素子
形成面を下向きにしてキャリアにセットする。これは後
に蒸着法による成膜を行う際に、フェイスダウン方式を
行いやすくするためである。フェイスダウン方式とは、
基板の素子形成面が下を向いた状態で成膜する方式をい
い、この方式によればゴミの付着などを抑えることがで
きる。

【０１２８】次に、１８０６は搬送室（Ｂ）であり、ス
トック室１８０５とはゲート１８００bを介して連結さ
れ、搬送機構（Ｂ）１８０７を備えている。また、１８
０８は焼成室（ベーク室）であり、ゲート１８００cを
介して搬送室（Ｂ）１８０６と連結している。

【０１２９】なお、焼成室１８０８は基板の面の上下を
反転させる機構を有する。即ち、フェイスダウン方式で
搬送されてきた基板はここで一旦フェイスアップ方式に
切り替わる。これは次のスピンコータ室１８０９での処
理がフェイスアップ方式で行えるようにするためであ
る。また逆に、スピンコータ室１８０９で処理を終えた
基板は再び焼成室１８０８に戻ってきて焼成され、再び
上下を反転させてフェイスダウン方式に切り替わり、ス
トック室１８０５へ戻る。

【０１３０】ところでスピンコータ室１８０９はゲート
１８００dを介して搬送室（Ｂ）１８０６と連結してい
る。スピンコータ室１８０９はＥＬ材料を含む溶液を基
板上に塗布することでＥＬ材料を含む膜を形成する成膜
室であり、主に高分子系（ポリマー系）有機ＥＬ材料を
成膜する。このとき、成膜室は常に窒素やアルゴンなど
の不活性ガスで充填しておく。特に、１〜５気圧（好ま
しくは１．５〜３気圧）の与圧雰囲気化で成膜を行う
と、成膜室に酸素や水が侵入することを効果的に防ぐこ
とができる。

【０１３１】なお、成膜されるＥＬ材料は、発光層とし
て用いるものだけでなく、電荷注入層または電荷輸送層
をも含む。また、公知の如何なる高分子系有機ＥＬ材料
を用いても良い。発光層となる代表的な有機ＥＬ材料と
しては、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）誘導
体、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）誘導体またはポ
リフルオレン誘導体が挙げられる。これはπ共役ポリマ
ーとも呼ばれる。また、電荷注入層としては、ＰＥＤＯ
Ｔ（ポリチオフェン）またはＰＡｎｉ（ポリアニリン）
が挙げられる。

【０１３２】次に、１８１０で示されるのはＥＬ素子の
画素電極となる陰極もしくは陽極の表面を処理する処理
室（以下、前処理室という）であり、前処理室１８１０
はゲート１８００eにより搬送室（Ａ）１８０１と遮断
される。前処理室はＥＬ素子の作製プロセスによって様
々に変えることができるが、ここでは画素電極の表面に
紫外光を照射しつつ１００〜１２０℃で加熱できるよう
にする。このような前処理は、ＥＬ素子の陽極表面を処
理する際に有効である。

【０１３３】次に、１８１１は蒸着法により導電膜また
はＥＬ材料を形成するための蒸着室であり、ゲート１８
００fを介して搬送室（Ａ）１８０１に連結される。蒸
着室１８１１は内部に複数の蒸着源を設置できる。ま
た、抵抗加熱または電子ビームにより蒸着源を蒸発さ
せ、成膜を行うことができる。

【０１３４】この蒸着室１８１１で形成される導電膜は
ＥＬ素子の陰極側の電極として設けられる導電膜であ
り、仕事関数の小さい金属、代表的には周期表の１族も
しくは２族に属する元素（代表的にはリチウム、マグネ
シウム、セシウム、カルシウム、カリウム、バリウム、
ナトリウムもしくはベリリウム）またはそれらに近い仕
事関数をもつ金属を蒸着できる。また、低抵抗な導電膜
としてアルミニウム、銅もしくは銀を蒸着することもで
きる。さらに、透明導電膜として酸化インジウムと酸化
スズとの化合物からなる導電膜や酸化インジウムと酸化
亜鉛との化合物からなる導電膜を蒸着法により形成する
ことも可能である。

【０１３５】また、蒸着室１８１１では公知のあらゆる
ＥＬ材料（特に低分子系有機ＥＬ材料）を形成すること
が可能である。発光層の代表例としてはＡｌｑ₃（トリ
ス−８−キノリノラトアルミニウム錯体）もしくはＤＳ
Ａ（ジスチルアリーレン誘導体）があり、電荷注入層の
代表例としてはＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）、ＬｉＦ
（フッ化リチウム）もしくはａｃａｃＫ（カリウムアセ
チルアセトネート）があり、電荷輸送層の代表例として
はＴＰＤ（トリフェニルアミン誘導体）もしくはＮＰＤ
（アントラセン誘導体）が挙げられる。

【０１３６】また、上記ＥＬ材料と蛍光物質（代表的に
は、クマリン６、ルブレン、ナイルレッド、ＤＣＭ、キ
ナクリドン等）とを共蒸着することも可能である。蛍光
物質としては公知の如何なる材料を用いても良い。ま
た、ＥＬ材料と周期表の１族または２族に属する元素と
を共蒸着して発光層の一部に電荷輸送層または電荷注入
層としての役割をもたせることも可能である。なお、共
蒸着とは、同時に蒸着源を加熱し、成膜段階で異なる物
質を混合する蒸着法をいう。

【０１３７】いずれにしてもゲート１８００fによって
搬送室（Ａ）１８０１と遮断され、真空下でＥＬ材料ま
たは導電膜の成膜が行われる。なお、成膜はフェイスダ
ウン方式で行われる。

【０１３８】次に、１８１２は封止室（封入室またはグ
ローブボックスともいう）であり、ゲート１８００gを
介して搬送室（Ａ）１５０１に連結されている。封止室
１８１２では、最終的にＥＬ素子を密閉空間に封入する
ための処理が行われる。この処理は形成されたＥＬ素子
を酸素や水分から保護するための処理であり、カバー材
で機械的に封入する、又は熱硬化性樹脂若しくは紫外光
硬化性樹脂で封入するといった手段を用いる。

【０１３９】カバー材と上記ＥＬ素子が形成された基板
とは熱硬化性樹脂又は紫外光硬化性樹脂を用いて貼り合
わせられ、熱処理又は紫外光照射処理によって樹脂を硬
化させて密閉空間を形成する。

【０１４０】図１８に示した成膜装置では、封止室１８
１２の内部に紫外光を照射するための機構（以下、紫外
光照射機構という）１８１３が設けられており、この紫
外光照射機構１８１３から発した紫外光によって紫外光
硬化性樹脂を硬化させる構成となっている。封止室１８
１２の内部は排気ポンプを取り付けることで減圧するこ
とも可能であるし、高純度な窒素ガスや希ガスでパージ
しつつ与圧とすることも可能である。

【０１４１】次に、封止室１８１２には受渡室（パスボ
ックス）１８１４が連結される。受渡室１８１４には搬
送機構（Ｃ）１８１５が設けられ、封止室１８１２でＥ
Ｌ素子の封入が完了した基板を受渡室１８１４へと搬送
する。受渡室１８１４も排気ポンプを取り付けることで
減圧することが可能である。この受渡室１８１４は封止
室１８１２を直接外気に晒さないようにするための設備
であり、ここから基板を取り出す。

【０１４２】以上のように、図１８に示した成膜装置を
用いることで完全にＥＬ素子を密閉空間に封入するまで
外気に晒さずに済む。このような成膜装置を用いること
で信頼性の高い発光装置を作製することが可能となる。

【０１４３】〔実施例１２〕図１に示したゲート側駆動
回路および図３に示したソース側駆動回路は発光装置だ
けでなく、液晶表示装置に用いることも可能である。こ
こで本発明の液晶表示装置の外観を図１９（Ａ）に、画
素部の断面構造を図１９（Ｂ）に示す。

【０１４４】図１９（Ａ）において、基板１９００上に
は画素部１９０１、ゲート側駆動回路１９０２およびソ
ース側駆動回路１９０３が形成される。このとき、画素
部１９０１には図５の画素部が用いられ、ゲート側駆動
回路１９０２には図１のゲート側駆動回路が用いられ、
ソース側駆動回路１９０３には図３のソース側駆動回路
が用いられる。

【０１４５】ゲート側駆動回路１９０２およびソース側
駆動回路１９０３からは各々ゲート配線１９０４とソー
ス配線１９０５が伸び、ゲート配線１９０４とソース配
線１９０５とが交差部に画素ＴＦＴ１９０６が形成され
る。また、画素ＴＦＴ１９０６には保持容量１９０７お
よび液晶素子１９０８が並列に接続される。また、ＦＰ
Ｃ１９０９から駆動回路の入力端子までの接続配線１９
１０、１９１１が設けられている。なお、１９１２は対
向基板である。

【０１４６】また、図１９（Ｂ）に示す画素構造におい
て、駆動回路を形成するｐチャネル型ＴＦＴ１９１３お
よびスイッチング素子となるｐチャネル型ＴＦＴ１９１
４は実施例２に従って作製すれば良い。なお、１９１５
は配向膜、１９１６は対向基板、１９１７は遮光膜、１
９１８は対向電極、１９１９は配向膜、１９２０はシー
ル材、１９２１は樹脂からなるスペーサ、１９２２は液
晶である。これらは公知の方法で形成すれば良いし、液
晶素子の構造は本実施例の構造に限定する必要はない。

【０１４７】〔実施例１３〕実施例１〜実施例１０また
は実施例１２ではｐチャネル型ＴＦＴを用いて画素部や
駆動回路を形成する例を示しているが、ｎチャネル型Ｔ
ＦＴのみで形成することも可能である。その場合、駆動
回路では電源線の極性を反転させるといった多少の変更
は必要である。

【０１４８】また、その場合は陽極と陰極を逆にしてＥ
Ｌ素子の構造を逆にする、即ち、電流制御ＴＦＴのドレ
インに陰極が接続された構造とすることが好ましい。な
お、実施例８〜１０において、スイッチングＴＦＴおよ
び電流制御ＴＦＴ以外のＴＦＴが画素内にある場合もす
べてｎチャネル型ＴＦＴとする。

【０１４９】〔実施例１４〕実施例１に示した発光装置
において、下地膜５０２に窒化珪素膜もしくは窒化酸化
珪素膜を設け、スイッチング用ＴＦＴ６０１および電流
制御用ＴＦ６０２を窒化珪素膜もしくは窒化酸化珪素膜
を含むパッシベーション膜５１７で覆った構成とするこ
とが好ましい。

【０１５０】このような構造とすると、スイッチング用
ＴＦＴ６０１および電流制御用ＴＦＴ６０２が窒化珪素
膜もしくは窒化酸化珪素膜で挟まれた構造となり、外部
からの水分や可動イオンの侵入を効果的に防ぐことがで
きる。

【０１５１】また、パッシベーション膜５１７上に設け
た有機樹脂からなる平坦化膜５１８と画素電極５２３の
間に窒化珪素膜もしくはＤＬＣ（ダイヤモンドライクカ
ーボン）膜を設け、さらに陰極の上に前述の窒化珪素膜
もしくはＤＬＣ膜を設けることは好ましい。

【０１５２】このような構造とすると、ＥＬ素子が窒化
珪素膜もしくはＤＬＣ膜で挟まれた構造となり、外部か
らの水分や可動イオンの侵入を防ぐだけでなく、酸素の
侵入をも効果的に防ぐことができる。ＥＬ素子中の発光
層などの有機材料は酸素によって容易に酸化して劣化す
るため、本実施例のような構造とすることで大幅に信頼
性を向上することができる。

【０１５３】以上のように、ＴＦＴを保護するための対
策とＥＬ素子を保護するための対策を併用して施すこと
で発光装置全体の信頼性を高めることができる。

【０１５４】なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施
例１０のいずれの構成とも自由に組み合わせることが可
能である。

【０１５５】〔実施例１５〕本発明を実施して形成した
表示装置は様々な電気器具の表示部として用いることが
できる。例えば、ＴＶ放送等を鑑賞するには対角２０〜
６０インチの本発明の表示装置を筐体に組み込んだディ
スプレイを用いるとよい。なお、表示装置を筐体に組み
込んだディスプレイには、パソコン用ディスプレイ、Ｔ
Ｖ放送受信用ディスプレイ、広告表示用ディスプレイ等
の全ての情報表示用ディスプレイが含まれる。

【０１５６】また、その他の本発明の電気器具として
は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディス
プレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーショ
ンシステム、音楽再生装置（カーオーディオ、家庭用オ
ーディオ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲー
ム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電
話、携帯型ゲーム機または電子書籍）、画像再生装置
（記録媒体に記録された画像を再生し、その画像を表示
する表示部を備えた装置）が挙げられる。それら電気器
具の具体例を図２０、図２１に示す。

【０１５７】図２０（Ａ）は表示装置を筐体に組み込ん
だディスプレイであり、筐体２００１、支持台２００
２、表示部２００３を含む。本発明の表示装置は表示部
２００３に用いることができる。

【０１５８】図２０（Ｂ）はビデオカメラであり、本体
２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作
スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０
６を含む。本発明の表示装置は表示部２１０２に用いる
ことができる。

【０１５９】図２０（Ｃ）は頭部取り付け型のＥＬディ
スプレイの一部（右片側）であり、本体２２０１、信号
ケーブル２２０２、頭部固定バンド２２０３、表示部２
２０４、光学系２２０５、発光装置２２０６を含む。本
発明は発光装置２２０６に用いることができる。

【０１６０】図２０（Ｄ）は記録媒体を備えた画像再生
装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２３０
１、記録媒体（ＤＶＤ等）２３０２、操作スイッチ２３
０３、表示部（ａ）２３０４、表示部（ｂ）２３０５を
含む。表示部（ａ）は主として画像情報を表示し、表示
部（ｂ）は主として文字情報を表示するが、本発明の表
示装置はこれら表示部（ａ）、（ｂ）に用いることがで
きる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用
ゲーム機器なども含まれる。

【０１６１】図２０（Ｅ）は携帯型（モバイル）コンピ
ュータであり、本体２４０１、カメラ部２４０２、受像
部２４０３、操作スイッチ２４０４、表示部２４０５を
含む。本発明の表示装置は表示部２４０５に用いること
ができる。

【０１６２】図２０（Ｆ）はパーソナルコンピュータで
あり、本体２５０１、筐体２５０２、表示部２５０３、
キーボード２５０４を含む。本発明の表示装置は表示部
２５０３に用いることができる。

【０１６３】図２１（Ａ）はリアプロジェクター（プロ
ジェクションＴＶ）であり、本体２６０１、光源２６０
２、液晶表示装置２６０３、偏光ビームスプリッタ２６
０４、リフレクター２６０５、２６０６、スクリーン２
６０７を含む。本発明は液晶表示装置２６０３に用いる
ことができる。

【０１６４】図２１（Ｂ）はフロントプロジェクターで
あり、本体２７０１、光源２７０２、液晶表示装置２７
０３、光学系２７０４、スクリーン２７０５を含む。本
発明は液晶表示装置２７０２に用いることができる。

【０１６５】なお、ここでは図示していないが、将来的
に発光装置の発光輝度がさらに高くなれば、出力した画
像情報を含む光をレンズや光ファイバー等で拡大投影し
てフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用いる
ことも可能となる。

【０１６６】また、発光装置は発光している部分が電力
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話や音楽再生装置のような文字情報を主とする
表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景
として文字情報を発光部分で形成するように駆動するこ
とが望ましい。

【０１６７】ここで図２１（Ｃ）は携帯電話であり、本
体２８０１、音声出力部２８０２、音声入力部２８０
３、表示部２８０４、操作スイッチ２８０５、アンテナ
２８０６を含む。本発明の発光装置は表示部２８０４に
用いることができる。なお、表示部２８０４は黒色の背
景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を
抑えることができる。勿論、本発明の液晶表示装置を表
示部２８０４に用いることも可能である。

【０１６８】また、図２１（Ｄ）は音楽再生装置、具体
的にはカーオーディオであり、本体２９０１、表示部２
９０２、操作スイッチ２９０３、２９０４を含む。本発
明の発光装置は表示部２９０２に用いることができる。
また、本実施例では車載用のカーオーディオを示すが、
携帯型や家庭用の音楽再生装置に用いても良い。なお、
表示部２９０４は黒色の背景に白色の文字を表示するこ
とで消費電力を抑えられる。これは携帯型の音楽再生装
置において特に有効である。勿論、本発明の液晶表示装
置を表示部２８０４に用いることも可能である。

【０１６９】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広
く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能であ
る。また、本実施例の電気器具は実施例１〜１４に示し
たいずれの構成の発光装置を用いても良い。

【０１７０】

【発明の効果】本発明を実施することにより非常に少な
い工程で表示装置を作製することが可能となる。そのた
め、歩留まりが向上し、製造コストを低減することが可
能である。従って、安価な表示装置を作製することがで
きる。

【０１７１】また、安価な表示装置を作製することがで
きるようになったことで、それを表示部に用いる様々な
電気器具を安価な価格で提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ゲート側駆動回路の構成を示す図。

【図２】デコーダ入力信号のタイミングチャートを
示す図。

【図３】ソース側駆動回路の構成を示す図。

【図４】発光装置の画素部の回路構成を示す図。

【図５】発光装置の画素部の断面構造を示す図。

【図６】発光装置の画素部の上面構造を示す図。

【図７】発光装置の画素部の断面構造を示す図。

【図８】発光装置の作製工程を示す図。

【図９】発光装置の作製工程を示す図。

【図１０】発光装置の画素部の回路構成を示す図。

【図１１】発光装置の画素部の回路構成を示す図。

【図１２】発光装置の作製工程を示す図。

【図１３】発光装置の画素部の上面構造を示す図。

【図１４】発光装置の作製工程を示す図。

【図１５】発光装置の上面構造および断面構造を示す
図。

【図１６】発光装置の画素部の回路構成を示す図。

【図１７】発光装置の画素部の回路構成を示す図。

【図１８】ＥＬ層を形成する薄膜形成装置を示す図。

【図１９】液晶表示装置の外観を示す図。

【図２０】電気器具の具体例を示す図。

【図２１】電気器具の具体例を示す図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 27/088 Ｈ０１Ｌ 27/08 １０２Ｂ 27/08 ３３１ 29/78 ６１２Ｃ 29/786 ６１４

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ゲート配線および該ゲート配線と同一の面
上に同一の導電膜で形成されたソース配線を含み、前記
ゲート配線は接続配線を介して前記ソース配線と交差
し、前記接続配線は電流制御ＴＦＴのドレイン配線と同
一の面上に同一の導電膜で形成された配線であることを
特徴とする表示装置。
【請求項２】ゲート配線および該ゲート配線と同一の面
上に同一の導電膜で形成されたソース配線を含み、前記
ソース配線は接続配線を介して前記ゲート配線と交差
し、前記接続配線は電流制御ＴＦＴのドレイン配線と同
一の面上に同一の導電膜で形成された配線であることを
特徴とする表示装置。
【請求項３】ゲート配線、該ゲート配線と同一の面上に
同一の導電膜で形成されたソース配線および電流供給線
を含み、前記ゲート配線は接続配線を介して前記ソース
配線および前記電流供給線と交差し、前記接続配線は電
流制御ＴＦＴのドレイン配線と同一の面上に同一の導電
膜で形成された配線であることを特徴とする表示装置。
【請求項４】ゲート配線、該ゲート配線と同一の面上に
同一の導電膜で形成されたソース配線および電流供給線
を含み、前記ソース配線は接続配線を介して前記ゲート
配線および前記電流供給線と交差し、前記接続配線は電
流制御ＴＦＴのドレイン配線と同一の面上に同一の導電
膜で形成された配線であることを特徴とする表示装置。
【請求項５】画素部および駆動回路を同一の絶縁体上に
含む表示装置において、前記駆動回路は一導電型ＴＦＴで形成された複数のＮＡ
ＮＤ回路からなるデコーダを含むことを特徴とする表示
装置。
【請求項６】画素部および駆動回路を同一の絶縁体上に
含む表示装置において、前記駆動回路は一導電型ＴＦＴで形成された複数のＮＡ
ＮＤ回路からなるデコーダを含み、前記ＮＡＮＤ回路は直列に接続されたｎ個の一導電型Ｔ
ＦＴおよび並列に接続されたｎ個の一導電型ＴＦＴを含
むことを特徴とする表示装置。
【請求項７】画素部および駆動回路を同一の絶縁体上に
含む表示装置において、前記駆動回路は一導電型ＴＦＴで形成されたバッファを
含み、前記バッファは第１の一導電型ＴＦＴおよび該第１の一
導電型ＴＦＴに直列に接続され、且つ、該第１の一導電
型ＴＦＴのドレインをゲートとする第２の一導電型ＴＦ
Ｔを含むことを特徴とする表示装置。
【請求項８】画素部および駆動回路を同一の絶縁体上に
含む表示装置において、前記駆動回路は一導電型ＴＦＴで形成された複数のＮＡ
ＮＤ回路からなるデコーダおよび一導電型ＴＦＴで形成
されたバッファを含み、前記バッファは第１の一導電型ＴＦＴおよび該第１の一
導電型ＴＦＴに直列に接続され、且つ、該第１の一導電
型ＴＦＴのドレインをゲートとする第２の一導電型ＴＦ
Ｔを含むことを特徴とする表示装置。
【請求項９】画素部および駆動回路を同一の絶縁体上に
含む表示装置において、前記駆動回路は一導電型ＴＦＴで形成された複数のＮＡ
ＮＤ回路からなるデコーダおよび一導電型ＴＦＴで形成
されたバッファを含み、前記ＮＡＮＤ回路は直列に接続されたｎ個の一導電型Ｔ
ＦＴおよび並列に接続されたｎ個の一導電型ＴＦＴを含
み、前記バッファは第１の一導電型ＴＦＴおよび該第１の一
導電型ＴＦＴに直列に接続され、且つ、該第１の一導電
型ＴＦＴのドレインをゲートとする第２の一導電型ＴＦ
Ｔを含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１０】請求項５乃至請求項９のいずれか一にお
いて、前記一導電型ＴＦＴのソース配線およびドレイン配線は
透明導電膜からなる配線であることを特徴とする表示装
置。
【請求項１１】請求項５乃至請求項１０のいずれか一に
おいて、前記一導電型ＴＦＴとはｐチャネル型ＴＦＴで
あることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】請求項５乃至請求項１０のいずれか一に
おいて、前記一導電型ＴＦＴとはｎチャネル型ＴＦＴで
あることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】請求項５乃至請求項１２のいずれか一に
おいて、前記画素部は、ゲート配線および該ゲート配線と同一の
面上に同一の導電膜で形成されたソース配線を含み、前
記ゲート配線は接続配線を介して前記ソース配線と交差
し、前記接続配線は電流制御ＴＦＴのドレイン配線と同
一の面上に同一の導電膜で形成された配線であることを
特徴とする表示装置。
【請求項１４】請求項５乃至請求項１２のいずれか一に
おいて、前記画素部は、ゲート配線および該ゲート配線と同一の
面上に同一の導電膜で形成されたソース配線を含み、前
記ソース配線は接続配線を介して前記ゲート配線と交差
し、前記接続配線は電流制御ＴＦＴのドレイン配線と同
一の面上に同一の導電膜で形成された配線であることを
特徴とする表示装置。
【請求項１５】請求項５乃至請求項１２のいずれか一に
おいて、前記画素部は、ゲート配線、該ゲート配線と同一の面上
に同一の導電膜で形成されたソース配線および電流供給
線を含み、前記ゲート配線は接続配線を介して前記ソー
ス配線および前記電流供給線と交差し、前記接続配線は
電流制御ＴＦＴのドレイン配線と同一の面上に同一の導
電膜で形成された配線であることを特徴とする表示装
置。
【請求項１６】請求項５乃至請求項１２のいずれか一に
おいて、前記画素部は、ゲート配線、該ゲート配線と同一の面上
に同一の導電膜で形成されたソース配線および電流供給
線を含み、前記ソース配線は接続配線を介して前記ゲー
ト配線および前記電流供給線と交差し、前記接続配線は
電流制御ＴＦＴのドレイン配線と同一の面上に同一の導
電膜で形成された配線であることを特徴とする表示装
置。
【請求項１７】請求項１乃至請求項４または請求項１３
乃至請求項１６のいずれか一において、前記接続配線は
前記ゲート配線および前記ソース配線とは異なる層に形
成された配線であることを特徴とする表示装置。
【請求項１８】請求項１乃至請求項４または請求項１３
乃至請求項１６のいずれか一において、前記接続配線は
透明導電膜からなる配線であることを特徴とする表示装
置。
【請求項１９】請求項１乃至請求項４または請求項１３
乃至請求項１６のいずれか一において、前記ソース配線
に電気的に接続されたスイッチングＴＦＴおよび前記電
流制御ＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであることを特徴と
する表示装置。
【請求項２０】請求項１乃至請求項１９のいずれか一に
おいて、前記表示装置は発光装置であることを特徴とす
る表示装置。
【請求項２１】請求項１乃至請求項１９のいずれか一に
おいて、前記表示装置は液晶表示装置であることを特徴
とする表示装置。
【請求項２２】請求項１乃至請求項２１のいずれか一に
記載の表示装置を用いたことを特徴とする電気器具。
【請求項２３】絶縁体の上に半導体層を形成する工程
と、前記半導体層の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の上にソース配線、ゲート配線および
電流供給線を形成する工程と、前記半導体層にｐ型半導体領域を形成する工程と、前記ソース配線、前記ゲート配線および前記電流供給線
の上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に前記ソース配線、前記ｐ型半導体領域
および前記電流供給線に達するコンタクトホールを形成
する工程と、前記ソース配線および前記ｐ型半導体領域または前記電
流供給線および前記ｐ型半導体領域を電気的に接続する
接続配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２４】絶縁体の上に半導体層を形成する工程
と、前記半導体層の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の上にソース配線、複数のゲート配線
および電流供給線を形成する工程と、前記半導体層にｐ型半導体領域を形成する工程と、前記ソース配線、前記複数のゲート配線および前記電流
供給線の上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に前記ソース配線、前記ｐ型半導体領域
および前記電流供給線に達するコンタクトホールを形成
する工程と、前記ソース配線と交差し、前記複数のゲート配線を相互
に接続する接続配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２５】請求項２３または請求項２４において、
前記接続配線は電流制御ＴＦＴのドレイン配線と同一の
面上に同一の導電膜で形成されることを特徴とする表示
装置の作製方法。