WO2013141190A1

WO2013141190A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

Info

Publication number: WO2013141190A1
Application number: PCT/JP2013/057600
Authority: WO
Inventors: 哲大久; 檜山　邦雅
Original assignee: コニカミノルタ株式会社
Priority date: 2012-03-23
Filing date: 2013-03-18
Publication date: 2013-09-26
Also published as: JPWO2013141190A1

Abstract

　本発明の課題は、貼合後の工程が簡略化でき、貼合後の高温環境下での密着安定性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素と、該有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素を用い、高温安定性及び封止性能に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することである。　本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素は、基板上に、熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂層と、補助電極層とをこの順に有することを特徴とする。

Description

有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

　本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素と、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関する。

　近年、有機物質を使用した有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう。）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子や書き込み光源アレイとしての用途が有望視されており、活発な研究開発が進められている。

　有機ＥＬ素子は、可撓性のフィルム上に形成された１対の陽極と陰極との間に、有機発光物質を含有する厚さが僅か０．１μｍ程度の有機機能層を単層あるいは積層して構成されている薄膜型の全固体素子である。

　この様な有機ＥＬ素子では、２～２０Ｖ程度という比較的低い電圧を印加することにより、有機機能層に対し、陰極からは電子が注入され、陽極からは正孔が注入される。この電子と正孔が、有機機能層を構成する発光層において再結合して形成された励起子が、エネルギー準位として励起状態から基底状態に戻る際に、エネルギーを光として放出することにより発光が得られる方法であり、次世代の平面ディスプレイ装置や照明装置として期待されている技術である。

　近年発見された燐光発光を利用する有機ＥＬ素子では、以前の蛍光発光を利用する有機ＥＬ素子に比べ、原理的に約４倍の発光効率が実現可能であることから、その材料の開発をはじめとして、発光素子の層構成や電極構成等の研究が世界中で広く行われている。特に、地球温暖化防止策の一環として、人類のエネルギー消費に占める比率が高い照明器具への応用が検討されはじめており、従来の照明器具に置き換わりうる白色発光パネルの実用化に向けて、その分野に適用する有機ＥＬ素子の研究が盛んに行われている。

　照明用白色発光パネルにおいては、近年、競合商品であるＬＥＤ分野における急速な発光効率の向上や、長寿命化と、製品の低価格化を受け、有機エレクトロルミネッセンス素子が市場で普及するためには、より一層の発光の効率化、素子寿命の向上及び低価格化が求められている。特に、低価格化を実現するためには、有機機能層の成膜方法、電極成膜方法、封止方法、実装工程などの各製造工程をいかに簡略化するかが重要な要素となっている。

　製造工程を簡略化するための手段の一つとして、貼合法が検討されている。例えば、基板上に有機ＥＬ素子の一部を成膜した第一基板と、残りの部分を成膜した第二基板とを貼合させて、有機ＥＬ素子を作製する方法が公開されている（例えば、特許文献１参照。）。この方法では、第一基板と第二基板とを貼合させた後、その貼合界面を分子レベルで接合させるためには、後処理を行う必要がある。

　また、電極とその補助電極とを貼合する方法が示されている（例えば、特許文献２参照。）。特許文献２で開示されている方法では、ホットメルト樹脂上に補助電極を形成することにより、貼合の際の接着不良を起こしにくいとされている。また、導電性の高い電極同士を貼り合せるため、一部が接していれば、電気的な接合は十分である等の利点を備えている。しかしながら、ホットメルト樹脂を使用しているため、耐熱性が低いことが問題点として挙げられる。これに対し、ホットメルト樹脂の耐熱温度を上げてしまうと、貼合時に有機ＥＬ素子にダメージを与えてしまうことになる。また、一般的なホットメルト樹脂では、水分を透過しやすく、貼合後に、更に封止工程が必要となってしまう。

特開２００９－２８９７１６号公報特開２００６－３１８７７６号公報

　本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、貼合法により有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する方法に適用が可能で、貼合後の工程が簡略化でき、貼合後の高温環境下での密着安定性及び封止性能に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素と、該有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。

　本発明者は、上記問題に鑑み鋭意検討を進めた結果、第一基板上に、熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂層と、補助電極層とをこの順に有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素であり、１）第一基板上に、熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂層及び補助電極形成層をこの順に形成し、該熱硬化性樹脂の硬化温度Ｔ_１（℃）未満の温度（転化温度Ｔ_２）で加熱処理を施して該補助電極形成層を補助電極層に変換して形成した有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素と、２）第二基板上に第一電極、有機機能層及び第二電極層をこの順で有する有機エレクトロルミネッセンス素子基板を、３）該有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素の補助電極層と、該有機エレクトロルミネッセンス素子基板の第二電極層とが接触するように貼り合わせた後、該熱硬化性樹脂の硬化温度Ｔ_１以上の温度で加熱して、該熱硬化性樹脂層を硬化して製造することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法により、貼合後の工程が簡略化でき、貼合後の高温環境下での密着安定性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素と、該有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素を用い、生産性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を実現することができることを見出し、本発明に至った次第である。

　すなわち、本発明の上記課題は、下記の手段により解決される。

　１．基板上に、熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂層と、補助電極層とをこの順に有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素。

　２．前記熱硬化性樹脂が、下記の水分透過性試験法で測定した水分増加の開始時間Ｔ_ｔｒが、３００時間以上であることを特徴とする第１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素。

　水分透過性試験法：上方が解放されていて、壁の厚さが１ｃｍで、一辺の長さが１０ｃｍ、高さが１０ｃｍの測定容器を用い、測定容器の厚さ１ｃｍの壁の上辺部の全てに熱硬化性樹脂を３０μｍの厚さで塗布する。次いで、測定容器の断面積（１０ｃｍ×１０ｃｍ）よりも広い面積を有するガラス板を、測定容器の上方に付与した熱硬化性樹脂と貼り合わせて、熱硬化性樹脂の硬化温度Ｔ_１（℃）よりも高い温度で硬化させて接着した後、当該測定容器を６０℃、９０％相対湿度の環境下に置き、当該測定容器の熱硬化性樹脂層を通過して、当該測定容器の内部に流入する水分量を測定し、水分量がバックグラウンドのノイズ値に対し、ＳＮ比で１０以上の値となった時間を求め、これを水分増加の開始時間Ｔ_ｔｒとする。

　３．前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂であることを特徴とする第１項又は第２項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素。

　４．前記補助電極層は、補助電極形成層を転化温度Ｔ_２（℃）で熱処理を施して形成され、比抵抗値が１．０×１０^－５Ω・ｍ以下であることを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素。

　５．前記転化温度Ｔ_２（℃）は、前記熱硬化性樹脂の硬化温度Ｔ_１（℃）未満であることを特徴とする第４項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素。

　６．前記補助電極層が、前記第一基板の表面の一部と電気的に接続されていることを特徴とする第１項から第５項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素。

　７．第１項から第６項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
　１）第一基板上に、熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂層及び補助電極層をこの順で形成した有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素と、
　２）第二基板上に第一電極、有機機能層及び第二電極層をこの順で有する有機エレクトロルミネッセンス素子基板を、
　３）前記有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素の補助電極層と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子基板の第二電極層とが接触するように貼り合わせた後、前記熱硬化性樹脂の硬化温度Ｔ_１以上の温度で加熱して、該熱硬化性樹脂層を硬化して製造することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

　８．第１項から第６項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
　１）第一基板上に、熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂層及び補助電極形成層をこの順に形成し、該熱硬化性樹脂の硬化温度Ｔ_１（℃）未満の温度（転化温度Ｔ_２）で加熱処理を施して該補助電極形成層を補助電極層に転化して形成した有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素と、
　２）第二基板上に第一電極、有機機能層及び第二電極層をこの順で有する有機エレクトロルミネッセンス素子基板を、
　３）前記有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素の補助電極層と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子基板の第二電極層とが接触するように貼り合わせた後、前記熱硬化性樹脂の硬化温度Ｔ_１以上の温度で加熱して、該熱硬化性樹脂層を硬化して製造することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

　本発明の上記手段により、貼合後の工程が簡略化でき、貼合後の高温環境下での密着安定性及び封止性能に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素と、該有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することができる。

　本発明で規定する構成により、上記問題を解決することができたのは、以下の理由によるものと推測している。

　従来の方法であるホットメルト樹脂層上に補助電極を形成した有機ＥＬ素子用封止要素を用いて、有機ＥＬ素子基板と貼合して形成した有機ＥＬ素子の形態においては、特に、高温環境下で保存した場合には、使用しているホットメルト樹脂の軟化点を超えてしまう場合がしばしば発生し、その結果、使用しているホットメルト樹脂に流動性が発現してくる。上記構成では、有機ＥＬ素子用封止要素を構成している補助電極と、有機ＥＬ素子基板を構成している陰極とは、物理的に接触しているだけであるため、ホットメルト樹脂に流動性が発現してしまうと、有機ＥＬ素子用封止要素と有機ＥＬ素子基板の間で剥離が生じる結果となる。加えて、高温環境下では、樹脂に流動性が出てきてしまうため、水蒸気が樹脂内を透過しやすくなってしまう問題を抱えている。

　上記問題に対応するため、軟化点が高いホットメルト樹脂を使用した場合は、貼合時に、高温条件下での加熱圧着が必要となるため、高温環境下に有機ＥＬ素子をさらすこととなり、有機ＥＬ素子の性能に与えるダメージが大きくなる。

　上記問題に対し、本発明で規定する構成では、封止に用いる樹脂成分としては熱硬化性樹脂を使用しているため、高温保存時に流動性が発現することはなく、その結果、剥離の発生を飛躍的に防止することができる。また、本発明に適用する熱硬化性樹脂は、三次元に熱架橋されているため、高温環境下においても、樹脂の密度が高い状態に保たれ、水蒸気の樹脂内の透過を抑制できるものである。

有機ＥＬ素子用封止要素を用いて、貼合法により有機ＥＬ素子を製造する方法の一例を示す概略上面図貼合前の有機ＥＬ素子用封止要素と、有機ＥＬ素子基板との配置の一例を示す概略断面図有機ＥＬ素子用封止要素と有機ＥＬ素子基板とを貼合及び加熱して作製した封止済みの有機ＥＬ素子の一例を示す概略断面図熱硬化性樹脂の水分透過性測定に使用する測定装置の一例を示す概略図水分透過性測定装置により測定した水分量の増加曲線の一例を示すグラフ本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の概略的な構成の一例を示す断面図

　本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素は、第一基板上に、熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂層と、補助電極層とをこの順に有することを特徴とし、貼合法により有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する方法に適用が可能であり、貼合後の工程が簡略化でき、貼合後の高温環境下での密着安定性及び封止性能に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素を実現することができる。この特徴は、請求項１から請求項８に係る発明に共通する技術的特徴である。

　本発明の実施態様としては、本発明の目的とする効果をより発現できる観点から、前記熱硬化性樹脂が、前記の水分透過性試験法で測定した水分増加の開始時間Ｔ_ｔｒが、３００時間以上であることが好ましい。また、前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂であることが好ましい。また、前記補助電極層が、補助電極形成層に転化温度Ｔ_２（℃）で熱処理を施して形成され、比抵抗値が１．０×１０^－５Ω・ｍ以下であることが好ましい。また、前記転化温度Ｔ_２（℃）は、前記熱硬化性樹脂の硬化温度Ｔ_１（℃）未満であることが好ましい。また、前記補助電極層が、前記第一基板の表面の一部と電気的に接続されていることが好ましい態様である。

　更に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法として、１）第一基板上に、熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂層及び補助電極層をこの順で形成した有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素、あるいは、第一基板上に、熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂層及び補助電極形成層をこの順に形成し、該熱硬化性樹脂の硬化温度Ｔ_１（℃）未満の温度（転化温度Ｔ_２）で加熱処理を施して該補助電極形成層を補助電極層に変換して形成した有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素、２）第二基板上に第一電極、有機機能層及び第二電極層をこの順で有する有機エレクトロルミネッセンス素子基板を、３）該有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素の補助電極層と、該有機エレクトロルミネッセンス素子基板の第二電極層とが接触するように貼り合わせた後、該熱硬化性樹脂の硬化温度Ｔ_１以上の温度で加熱して、該熱硬化性樹脂層を硬化して有機エレクトロルミネッセンス素子を製造することを特徴とする。

　以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について、詳細な説明をする。なお、以下において示す「～」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。

　《有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法》
　以下、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素を用い、貼合法により有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する製造方法について、図を交えて説明する。

　図１は、本発明の有機ＥＬ素子用封止要素を用いて、貼合法により有機ＥＬ素子を製造する方法の一例を示す概略上面図である。

　図１の（Ａ）は、本発明に係る有機ＥＬ素子の構成要素の一つである有機ＥＬ素子基板１の構成を示す概略上面図であり、図１の（Ｂ）は、有機ＥＬ素子用封止要素６の構成を示す概略上面図であり、図１の（Ｃ）は、有機ＥＬ素子基板１と有機ＥＬ素子用封止要素６とを、貼合及び加熱して作製する有機ＥＬ素子１０の概略上面図である。

　図１の（Ａ）で示す有機ＥＬ素子基板１は、第二基板２上に、第一電極（陽極）３として、例えば、スズドープ酸化インジウム（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯと略記する。）をパターン状に成膜し、その第一電極（陽極）３上に、発光層を含む有機機能層５を形成する。次いで、有機機能層５上の一部に、第二電極（陰極）４、例えば、アルミニウム薄膜を成膜して作製される。

　図１の（Ｂ）で示す有機ＥＬ素子用封止要素６は、第一基板７上の全面に熱硬化性樹脂層８を付与し、その熱硬化性樹脂層８上に一部に、補助電極形成層９、あるいは補助電極層９Ａをパターン状に形成する。蒸着法等により補助電極を形成する場合には、補助電極形成層９を経ないで、直接、補助電極層９Ａとして形成される。一方、金属粒子等で補助電極形成層９を形成する場合には、この有機ＥＬ素子用封止要素６を、熱硬化性樹脂の硬化温度Ｔ_１（℃）未満の温度（転化温度Ｔ_２）で加熱処理Ｈ_１を施して、補助電極形成層９を補助電極層９Ａに変換する。本発明でいう転化温度Ｔ_２とは、補助電極形成層９が補助電極層９Ａに転化する温度をいう。

　次いで、図１に示すように、有機ＥＬ素子基板１の第二電極（陰極）４と、有機ＥＬ素子用封止要素６の補助電極層９Ａを貼合Ｌ（Ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）し、次いで、加熱処理Ｈ_２を施して、封止された有機ＥＬ素子１０を作製する。図１の（Ｃ）に示す１１は、有機ＥＬ素子基板１の第二電極（陰極）４と、有機ＥＬ素子用封止要素６の補助電極層９Ａとの電極貼合部を示す。

　図２は、貼合前の有機ＥＬ素子用封止要素と、有機ＥＬ素子基板との配置を示す概略断面図である。

　図２に示すように、有機ＥＬ素子基板１の第二電極（陰極）４と、有機ＥＬ素子用封止要素６の補助電極層９Ａとが、対向する位置に配置した後、貼合Ｌ及び加熱Ｈ_２して樹脂の効果を行う。

　図３は、有機ＥＬ素子用封止要素６と有機ＥＬ素子基板１とを貼合Ｌ及び加熱Ｈ_２して作製した封止済みの有機ＥＬ素子１０の概略断面図である。

　図３に示すように、有機ＥＬ素子基板１の第二電極（陰極）４面と、有機ＥＬ素子用封止要素６の補助電極層９Ａ面とを貼合Ｌした後、熱硬化性樹脂層８を構成する熱硬化性樹脂の硬化温度Ｔ_１以上の温度で加熱Ｈ_２して、熱硬化性樹脂層８を溶融及び硬化させながら封止構造体の形成を行って、封止された有機ＥＬ素子１０を作製する。

　《有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素》
　次いで、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素の詳細に説明する。

　本発明の有機ＥＬ素子用封止要素６（以下、本発明の封止要素ともいう）は、図１～図３に示すように、第一基板７上に、熱硬化性樹脂層８と、補助電極形成層９（加熱処理Ｈ_１後は、補助電極層９Ａとなる。）をこの順に有することを特徴とする。本発明の有機ＥＬ素子用封止要素６は、図１～図３に示すように、別途用意した有機ＥＬ素子基板１と貼合して使用する。本発明の有機ＥＬ素子用封止要素は、主にボトムエミッション型の有機ＥＬ素子で好適に用いることができるが、それに限定されるものではない。

　また、図１～図３においては、補助電極層９Ａ（９）としては単一層構成を一例として示したが、本発明においては、補助電極層９Ａ（９）は単一層で構成するほかに、必要に応じて、２層以上の補助電極層で構成してもよい。例えば、２層構成からなる補助電極層９Ａ（９）の一例としては、第一基板７上に、熱硬化性樹脂層８を形成し、その上に、第一の補助電極層９Ａ′（９′）として反射電極層を形成し、該反射電極層上に、第二の補助電極層９Ａ″（９″）として透明電極層を形成する構成を挙げることができる。

　（第一基板）
　第一基板７としては、具体的には、ガラス板、ポリマー板とフィルムのハイブリッド材料、金属板とフィルムのハイブリッド材料等が挙げられる。ガラス板としては、特に、ソーダ石灰ガラス、バリウム及びストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等から構成される樹脂板を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属又は合金からなるもの、及びそれらの複合物が挙げられる。

　また、第一基板７として樹脂フィルムを用いる場合には、バリア性を付与する目的で、その表面にアルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素等から形成されるガスバリア層を積層した積層バリアフィルムを用いることができる。これらのガスバリア層は、封止要素を形成する前、第一基板の両面、あるいは片面に、例えば、スパッタリング法、蒸着法、大気圧プラズマ成膜法、塗布法（エキシマ法）等により形成することもできるし、あるいは、最終的に有機ＥＬ素子を形成した後、その第一基板の表面に同様な方法でガスバリア層を形成してもよい。

　本発明に係る第一基板は、酸素透過度が１×１０^－３ｍｌ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０^－３ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下の特性を備えたものが好ましい。

　また、本発明に適用する第一基板７としては、アルミニウム等の金属箔をラミネートした積層フィルム構造であっても良い。金属箔の片面にポリマーフィルムを積層する方法としては、一般に使用されているラミネート機を使用することができる。接着剤としては、例えば、ポリウレタン系、ポリエステル系、エポキシ系、アクリル系等の接着剤を用いることができる。必要に応じて硬化剤を併用してもよい。ドライラミネート方式、ホットメルトラミネーション法、エクストルージョンラミネート法及び共押出しラミネーション法等を使用できるが、ドライラミネート方式が好ましい。

　また、金属箔をスパッタ法や蒸着法等で形成し、導電性ペースト等の流動性電極材料を作製する場合は、逆にポリマーフィルムを基材としてこれに金属箔を成膜する方法で作製してもよい。他の方法としては、例えば、絶縁性の基板の一部をくりぬき、その部分を金属などの導電性材料で置き換えて使用することもできる。

　（熱硬化性樹脂層）
　本発明に係る熱硬化性樹脂層の形成に適用可能な熱硬化性樹脂としては、特に制限はないが、例えば、フェノール樹脂（ＰＦ）、エポキシ樹脂（ＥＰ）、メラミン樹脂（ＭＦ）、尿素樹脂（ＵＦ）、不飽和ポリエステル樹脂（ＵＰ）、アルキド樹脂、ポリウレタン樹脂（ＰＵＲ）、熱硬化性ポリイミド（ＰＩ）等を挙げることができる。これら例示した熱硬化性樹脂の中でも、本発明においては、エポキシ樹脂を好適に用いることができる。

　本発明に係る熱硬化性樹脂層を構成する材料としては、例えば、熱可塑性樹脂（例えば、エポキシ樹脂）のほかに、硬化剤、硬化促進剤、その他添加剤等を用いることができ、それらの詳細については、例えば、特開２００９－２６９９８４号公報に記載されているような材料を挙げることができるが、これに限定されるものではない。また、一般的に、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤の割合を適宜調整することにより、８０～２００℃の温度範囲で所望の硬化速度に調整することができる。

　また、本発明に係る熱硬化性樹脂層には、吸湿剤を含有することができる。吸湿剤を含有させることにより、水分透過のラビリンス効果(水分透過遅延)や吸湿効果を熱可塑性樹脂層に付与させることができる。

　本発明に適用可能な吸湿剤としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩類（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、その中でも、硫酸塩類、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類の無水塩が好適に用いられる。また、これらをシリカに担持させた微粒子を用いることもできる。

　本発明に適用する熱硬化性樹脂は、後述するように、水分透過性が低いものを用いることが好ましい態様であり、これにより、有機ＥＬ素子の封止効果を熱硬化性樹脂層が兼ねることができる。

　本発明に係る熱硬化性樹脂層は、熱硬化性樹脂、硬化剤、硬化促進剤等を所望の比率で配合した後、溶解、塗布して形成することができる。

　本発明に係る熱硬化性樹脂の硬化温度Ｔ_１は、特に制限はないが、１５０℃以下が好ましく、さらに１２０℃以下であることが好ましい。さらに後述するように、熱硬化性樹脂上に補助電極形成層９を設ける場合であって、補助電極形成層９を加熱で導電性のある補助電極層９Ａに転化させる場合には、その転化温度Ｔ_２（加熱処理温度Ｔ_２）よりも、熱硬化性樹脂の硬化温度Ｔ_１が高いことが好ましく、転化温度Ｔ_２としては１００℃以上が好ましい。この場合、転化温度Ｔ_２で３０分熱硬化性樹脂を加熱したとしても、熱硬化性樹脂の硬化率が５．０％以下であることが好ましい。また、一度、高温でプレベークをすることで硬化温度Ｔ_１が低下する、転化温度Ｔ_２＜硬化温度Ｔ_１＜プレベーク温度となるものを使用すれば、熱硬化性樹脂をほとんど硬化させずに、補助電極形成層９を補助電極層９Ａに転化することができる。ただし、補助電極形成層９が紫外線照射により補助電極層９Ａに転化する方式である場合はこの限りではない。

　熱硬化性樹脂層の厚さとしては、有機ＥＬ素子層の厚さよりも厚ければよいが、１０～１００μｍの範囲の厚さが好適であり、さらには２０～５０μｍの厚さの範囲がより好適である。

　（補助電極形成層及び補助電極層）
　次に、本発明で用いることができる補助電極形成層９及びそれを加熱転化して形成する補助電極層９Ａについて説明する。

　本発明において、補助電極形成層９あるいは補助電極層９Ａの形成方法としては、蒸着法であっても、湿式塗布法であっても、特に制限はない。例えば、第一基板７上に熱硬化性樹脂を塗布して熱硬化性樹脂層８を形成した後、その上に補助電極となる導電体を蒸着して補助電極層９Ａを成膜しても良いし、加熱処理等で補助電極層を形成する導電体に変化する材料を、湿式塗布で成膜して補助電極形成層９として設けても良い。ここでいう導電体とは、１．０×１０^－５Ω・ｍ以下の比抵抗値を有する材料と定義する。

　蒸着法で成膜する材料としては、１．０×１０^－５Ω・ｍ以下の比抵抗値を持つ材料であれば何でも構わないが、好ましくは５．０×１０^－６Ω・ｍ以下であり、さらに好ましくは１．０×１０^－６Ω・ｍ以下の比抵抗値を有する材料である。

　第一基板７／熱硬化性樹脂層８／補助電極層９Ａを、有機ＥＬ素子基板の陰極（第二電極）上に貼合するには、通常、有機ＥＬ素子で陰極として使用される材料を補助電極層として使用することが、同種材料同士の貼合になるため、親和性が良くなり好適であるが、異種材料同士の貼合でもかまわなく、その組み合わせとしては特に制限はない。

　通常、有機ＥＬ素子の陰極として使用される材料は、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する。）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物であり、これらの材料を補助電極層９Ａの形成材料として用いることができる。このような電極形成材料の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム－カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられ、蒸着法等を用いて形成することができる。

　また、塗布で成膜することができる補助電極形成層９の材料としては、例えば、ＡｇペーストやＡｇナノ粒子を用いることができる。例えば、特開２０１０－２６５５４３号公報に記載されている材料を用いることができる。これは、加熱で焼結させて、導電性を得る方式のものであるが、例えば、田中貴金属工業（株）が提供する銀ペーストのように、紫外線で導電性の補助電極層９Ａに転化する材料を用いることもできる。

　補助電極層はあるパターンで塗布することができ、貼合した際に、補助電極層の一部は陰極と接し、それと電気的に別離した補助電極層の一部は陽極と接することもできる。

　補助電極形成層９の厚みに制限はないが、５０ｎｍ～１μｍの厚さの範囲が好適に用いることができる。また、補助電極層９Ａは、前述のような２層以上で構成してもよい。

　（封止要素の含水率）
　本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素の含水率は、３００ｐｐｍ以下であることが好ましく、０．０１～２００ｐｐｍの範囲内であることがより好ましく、０．０１～１００ｐｐｍの範囲内であることが最も好ましい。

　本発明でいう含水率とは、いかなる含水率測定方法により測定しても構わないが、例えば、容量法水分計（カールフィッシャ－）、赤外水分計、マイクロ波透過型水分計、加熱乾燥重量法、ＧＣ／ＭＳ、ＩＲ、ＤＳＣ（示差走査熱量計）、ＴＤＳ（昇温脱離分析）等が挙げられる。また、例えば、精密水分計ＡＶＭ－３０００型（オムニテック社製）を用いて、水分の蒸発によって生じる圧力上昇から水分を測定することができ、フィルムまた固形フィルム等の水分率の測定に適用することができる。

　本発明において、封止要素の含水率は、例えば、露点温度が－８０℃以下、酸素濃度が０．８ｐｐｍの窒素雰囲気下に保存し、その保存時間を変化させることで調整することができる。また、１００Ｐａ以下の真空状態で、処理時間を変化させて乾燥させることによっても、含水率を調整することができる。

　本発明に係る補助電極形成層を設ける第一基板と熱硬化性樹脂層は、必ずしも全面に設けられている必要はなく、一部が導電体で置き換えられていてもよい。この上に補助電極形成層を設けることで、補助電極形成層と導電体を電気的に接続することができる。このような構成とすることにより、基板の外部からの電力供給のための工程を簡略化することが可能となる。他に、離型フィルムに一部に穴が空いた基板を貼り付け、穴以外の領域を、熱硬化性樹脂層でパターニング塗布し、その上に補助電極形成層を設けることにより、基板外部と接続することもできる。

　本発明においては、補助電極形成層を形成したあと、補助電極形成層を導電体に転化させて補助電極層とした後、保護フィルムを貼り付けて、保管してもよい。こうすることで、本発明の封止要素の長期の保管や、持ち運びの利便性が向上する。この場合、保護フィルムを剥がし、有機ＥＬ素子に貼合する前に、ドライエッチングを行い、補助電極形成層にわずかに残った保護フィルムの成分や補助電極の酸化物を取り除くことが好ましい。

　（封止要素の作製方法）
　本発明において、本発明の封止要素は、下記に示す方法に従って作製することができる。

　第一の方法は、第一基板上に、熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂層及び補助電極層をこの順で形成して、有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素を作製する方法である。第二の方法は、第一基板上に、熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂層及び補助電極形成層をこの順に形成し、該熱硬化性樹脂の硬化温度Ｔ_１（℃）未満の温度（転化温度Ｔ_２）で加熱処理を施して該補助電極形成層を補助電極層に変換して有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素を作製する方法である。

　第一基板としては、例えば、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴと略記する。）フィルムに、アルミ箔（３０μｍ厚）をラミネートしたものを用いる。第一基材のアルミニウム面に、ディスペンサーを使用して、硬化温度がＴ_１である封止用熱硬化型樹脂（接着剤）を均一に塗布して熱硬化性樹脂層を形成し、その上に、銀ナノ粒子を塗布して補助電極形成層を形成する。その後、補助電極形成層が補助電極層に転化する転化温度Ｔ_２で加熱して、銀ナノ粒子を１．０×１０^－６Ω・ｍ以下の比抵抗を持つ導電体である補助電極層に転化させる。

　次いで、本発明の封止要素を構成する補助電極層と、あらかじめ作製しておいた有機ＥＬ素子（第二基板／第一電極（陽極）／有機機能層／第二電極（陰極））の第二電極の位置合わせを行った後、両者を圧力条件として０．１～３ＭＰａ、温度条件として８０～１８０℃の範囲内で、密着及び接合（接着）して、密着封止（固体封止）する。

　使用する熱硬化性樹脂の種類又は付与量、あるいは付与面積等によって、上記加熱及び圧着時間は異なるが、概ね、０．１～３ＭＰａの範囲の圧力で仮接着し、また１００～１８０℃の温度範囲で、熱硬化時間としては５秒～１０分間の範囲で選べばよい。

　また、加熱及び圧着方法として、加熱機構を内蔵した圧着加熱ローラーを用いる方法が、圧着（仮接着）と加熱が同時にでき、かつ内部の空隙も同時に排除できる観点から好ましい態様の一つである。

　また、熱硬化性樹脂層の形成方法としては、使用する熱硬化性樹脂材料に応じて、ディスペンサーを用い、ローラーコート、スピンコート、スクリーン印刷法、スプレーコートなどのコーティング法、印刷法を用いることができる。

　本発明の封止要素を用いることにより、有機ＥＬ素子の陰極の膜厚の低減を図ることができるとともに、生産速度の向上を達成することができる。なお、低減した陰極の厚みは、本発明の封止要素を構成する補助電極層により補うことができる。

　通常、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子では、陰極の反射率を高くするため、アルミニウムを陰極として使用した場合、膜厚としては、５０ｎｍ以上、好ましくは８０ｎｍ以上が必要であるが、本発明の封止要素を用いることにより、有機ＥＬ素子の陰極の膜厚は、１０～５０ｎｍの範囲内でも良い。

　有機ＥＬ素子の陰極は蒸着法で成膜されることが多いため、陰極の厚みが成膜時間、すなわち生産速度あるいは生産効率に大きく関わり、陰極の膜厚の低減は生産効率の向上につながる。また、陰極を薄膜で形成することにより、その上に保護フィルムを貼り付けることができ、ロールツーロールで作製した有機ＥＬ素子の場合、巻き取り後の保管ができるようになる。その後、貼合による封止を行う場合には、ドライエッチングにより、陰極にわずかに付着した保護フィルムの成分や、陰極の酸化物を取り除くことができる。

　また、本発明で規定する方式を用いることにより、熱硬化性樹脂層と補助電極層の組み合わせの貼合により、貼合の際に熱硬化性樹脂の硬化温度以上での加熱と圧着をすることで、熱硬化性樹脂が圧着した状態で硬化するため、貼合不良を防ぐことができる。また、熱硬化性樹脂を用いているため、貼合したものを高温環境に保存したとしても、貼合箇所での剥離を生じることがなく、安定して用いることができる。熱硬化性樹脂ではなく、熱可塑性樹脂やホットメルト樹脂を用いた場合には、高温保存時に貼合箇所の剥離が生じるため、環境変化に対する安定性が乏しい。

　また、本発明で用いる熱硬化性樹脂は、水分透過性が低いため、追加の封止工程が不必要又は、ある一定期間の大気保管の後に、追加の封止工程を行うことができ、生産性の向上や、封止だけを別の場所で行うことが簡易になる。

　（熱硬化性樹脂の水分透過性）
　本発明に係る熱可塑性樹脂は、下記の水分透過性試験法で測定した水分増加の開始時間Ｔ_ｔｒが、３００時間以上であることが好ましい。

　本発明で規定する水分透過性試験法とは、上方が解放されていて、壁の厚さが１ｃｍで、一辺の長さが１０ｃｍ、高さが１０ｃｍの測定容器を用い、測定容器の厚さ１ｃｍの壁の上辺部の全てに熱硬化性樹脂を３０μｍの厚さで塗布する。次いで、測定容器の断面積（１０ｃｍ×１０ｃｍ）よりも広い面積を有するガラス板を、測定容器の上方に付与した熱硬化性樹脂と貼り合わせて、熱硬化性樹脂の硬化温度Ｔ_１（℃）よりも高い温度で硬化させて接着した後、当該測定容器を６０℃、９０％相対湿度の環境下に置き、当該測定容器の熱硬化性樹脂層を通過して、当該測定容器の内部に流入する水分量を測定し、水分量がバックグラウンドのノイズ値に対し、ＳＮ比で１０以上の値となった時間を求め、これを、本発明で規定する水分増加の開始時間Ｔ_ｔｒとする。

　本発明で用いる水分透過性試験法について、更に図を用いて具体的に説明する。

　図４は、熱硬化性樹脂の水分透過性測定に使用する測定装置の一例を示す概略図である。

　本発明で適用する熱硬化性樹脂の水分透過性測定装置の原理は、有機ＥＬ討論会第１３回例会Ｓ３－３で紹介されているようなガスバリア性評価技術を基本にしているが、水分量検出の方法は、そのほかにも、モコン法や吸湿剤の質量変化、Ｃａの腐食テストなどの方法でも代用できる。

　図４において、本発明に適用可能な水分透過性測定装置１２は、測定容器１５として、上方の壁の厚さが１ｃｍ、一辺の長さが１０ｃｍのバリア性を備えたステンレス製の容器を用いる。測定容器１５の上辺部は、水平になるように設計してある。測定容器１５の上辺部（一辺が１０ｃｍ×幅１ｃｍ）の全てに、熱硬化性樹脂１４を厚さ３０μｍとなる条件で均一に塗布し、次に測定容器１５の上方部（１０ｃｍ×１０ｃｍ）よりも広い面積を持つガラス板１３で測定装置１５の上方に蓋をする。ここで、測定装置１５及びガラス板１３は、水分透過性を無視できる水不透過性の材質で構成されている。また、ステンレス製の測定容器１５への熱硬化性樹脂１４の密着性を向上させる（表面エネルギーを上げる）方法として、測定容器１５の表面に酸化処理を施しても良い。その後、熱硬化性樹脂１４を、熱硬化性樹脂１４の硬化温度Ｔ_１よりも高い温度条件で硬化させ、測定容器１５とガラス板１３間を熱硬化樹脂１４で密封する。このとき、正確な水分量測定の観点から、測定容器１５内の残留溶媒は、十分に揮発するようにしっかりと加熱する。

　次に、測定容器１５内の残留水分を除去するために、測定容器１５内の真空引きを行う。測定容器内の水分量を、液体窒素トラップ１７を経由して質量分析計１８で水分量を検出し、測定容器１５内の水蒸気のバックグラウンドレベルが１×１０^－６Ｐａ以下となるまで真空引きを行う。その条件に到達したら、測定容器１５の外部環境を、６０℃、９０％ＲＨとする。１６は、測定容器１５内の気体の流れを制御するバルブである。

　次いで、６０℃、９０％ＲＨ環境条件とした時点を測定開始時間とし、測定容器１５内部の水分量が時間の経過と共にどのように変化するかを１０時間ごとに、質量水分計１８で測定する。その測定結果として、図５に示すよう水分量測定曲線が得られる。

　図５は、水分透過性測定装置１２により測定した水分量の増加曲線の一例を示すグラフである。

　ここで、曲線は測定点を滑らかにつないだものである。測定開始後は水分量の増加が見られないが、測定開始後、Ｔ_ｔｒ経過した時点で、バックグラウンドノイズに対し、水分量がＳＮ比（水分量／バックグラウンドノイズ）で１０以上の水分量の増加が認められる。これは、最初は、熱硬化性樹脂１４の中に外部から水分が入ってきたとしても、熱硬化性樹脂は、厚さが３０μｍで、１ｃｍの幅を持っているため、熱硬化性樹脂の中での水分の拡散に時間を要することや、熱硬化性樹脂が含有する吸湿剤による水分トラップ等の作用により、測定容器１５の内部に水分が抜けてこないためと考えられる。しかしながら、時間の経過と共に、水分の拡散が進行し、また、熱硬化性樹脂１４の水分トラップ能効果が低下することにより、測定容器１５内と熱硬化性樹脂１４の界面にまで、水分が拡散してくる。そして、熱硬化性樹脂１４から測定容器１５内へ水分の放出が起こり、水分質量計１８による測定値が上昇する。ここで、Ｔ_ｔｒは水分量のシグナルがバックグラウンドノイズに対し、ＳＮ比で１０以上（図５に記載のＳＮ≧１０の点）に到達した時間とする。

　また、上記で説明した本発明で規定する水分透過性試験法に準拠した水分増加の開始時間Ｔ_ｔｒは、市販の水分透過性測定装置を用いても求めることができ、例えば、（株）ＴＩ社製のエネルギーデバイス封止材用水分透過率測定装置（販売元：（株）ＭＯＲＥＳＣＯ）である「スーパーディテクトＳＫＴシリーズ　型番ＷＶ－６Ｓ」等を挙げることができる。

　本発明に係る熱硬化性樹脂では、熱硬化後に３次元網目構造を形成する熱硬化性樹脂を選択すること、水分吸湿剤を含有することにより、本発明で規定するＴ_ｔｒを３００時間以上とすることができる。

　《有機エレクトロルミネッセンス素子の構成》
　次いで、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の具体的な構成について説明する。

　図６は、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子１００の概略的な構成の一例を示す断面図である。

　図６に示すように、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子１００（以下、有機ＥＬ素子１００ともいう。）は、可撓性支持基板１０１を有している。可撓性支持基板１０１上には陽極１０２が形成され、陽極１０２上には有機機能層１２０が形成され、有機機能層１２０上には陰極１０８が形成されている。

　有機機能層１２０とは、陽極１０２と陰極１０８との間に設けられている各層をいう。具体的には、有機機能層１２０には、正孔注入層１０３、正孔輸送層１０４、発光層１０５、電子輸送層１０６、電子注入層１０７が含まれ、そのほかに正孔ブロック層や電子ブロック層等が含まれてもよい。

　なお、図６に示すような有機ＥＬ素子１００のこれらの層構造は、単に好ましい具体例を示したものであり、本発明はこれらに限定されない。例えば、本発明の有機ＥＬ素子１００としては、下記（ｉ）～（viii）の層構造を有していてもよい。

　（ｉ）可撓性支持基板／陽極／発光層／電子輸送層／陰極
　（ii）可撓性支持基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
　（iii）可撓性支持基板／陽極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロック層／電子輸送層／陰極
　（iv）可撓性支持基板／陽極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロック層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
　（ｖ）可撓性支持基板／陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロック層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
　（vi）ガラス支持体／陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
　（vii）ガラス支持体／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
　（viii）ガラス支持体／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
　〔有機ＥＬ素子を構成する有機機能層〕
　次いで、本発明に係る有機ＥＬ素子を構成する有機機能層の詳細について説明する。

　（１：注入層）
　本発明に係る有機ＥＬ素子において、注入層は必要に応じて設けることができる。注入層としては電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層又は正孔輸送層の間、及び陰極と発光層又は電子輸送層との間に存在させてもよい。

　本発明でいう注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機機能層間に設けられる層で、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３～１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層と電子注入層とがある。

　正孔注入層としては、例えば、特開平９－４５４７９号公報、同９－２６００６２号公報、同８－２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、正孔注入層の形成に適用可能な正孔注入材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体等を含むポリマーやアニリン系共重合体、ポリアリールアルカン誘導体、又は導電性ポリマーが挙げられ、好ましくはポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体であり、さらに好ましくはポリチオフェン誘導体である。

　電子注入層は、本発明では設けても、設けなくてもいずれでも構わないが、例えば、特開平６－３２５８７１号公報、同９－１７５７４号公報、同１０－７４５８６号公報等にその詳細が記載されており、具体的には、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。本発明においては、上記バッファー層（電子注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、フッ化カリウム、フッ化ナトリウムが好ましい。その膜厚は０．１ｎｍ～５μｍの範囲内であり、好ましくは０．１～１００ｎｍの範囲内であり、さらに好ましくは０．５～１０ｎｍの範囲内であり、最も好ましくは０．５～４ｎｍの範囲内である。

　（２：正孔輸送層）
　本発明において、正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、上記正孔注入層で適用するのと同様の化合物を用いることができるが、加えて、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。

　芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラフェニル－４，４′－ジアミノフェニル、Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－Ｎ，Ｎ′－ビス（３－メチルフェニル）－〔１，１′－ビフェニル〕－４，４′－ジアミン（以下、ＴＰＤと略記。）、２，２－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）プロパン、１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラ－ｐ－トリル－４，４′－ジアミノビフェニル、１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）－４－フェニルシクロヘキサン、ビス（４－ジメチルアミノ－２－メチルフェニル）フェニルメタン、ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）フェニルメタン、Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－Ｎ，Ｎ′－ジ（４－メトキシフェニル）－４，４′－ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラフェニル－４，４′－ジアミノジフェニルエーテル、４，４′－ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリ（ｐ－トリル）アミン、４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）－４′－〔４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）スチリル〕スチルベン、４－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ－（２－ジフェニルビニル）ベンゼン、３－メトキシ－４′－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノスチルベンゼン、Ｎ－フェニルカルバゾール、さらには、米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′－ビス〔Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ〕ビフェニル（以下、ＮＰＤと略記。）、特開平４－３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″－トリス〔Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（以下、ＭＴＤＡＴＡと略記。）等が挙げられる。

　さらに、これらの材料を高分子鎖に導入した、あるいはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型－Ｓｉ、ｐ型－ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。本発明においては、正孔輸送層の上層に発光層を塗布するため、これら高分子材料が好適に用いることができる。

　また、特開平４－２９７０７６号公報、特開２０００－１９６１４０号公報、特開２００１－１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）、特開平１１－２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ　ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　８０（２００２），ｐ．１３９）、特表２００３－５１９４３２号公報に記載されているような、いわゆるｐ型半導体的性質を有するとされる正孔輸送材料を用いることもできる。

　本発明において、正孔輸送層は、湿式塗布法（例えば、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法等）を用いて、塗布、乾燥することにより形成することができる。また、その他の正孔輸送層の形成方法としては、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、ラングミュア－ブロジェット法（ＬＢ法）等の公知の方法により、薄膜形成することにより形成することができる。

　正孔輸送層の膜厚については、特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍの範囲内であり、好ましくは５～２００ｎｍの範囲内である。この正孔輸送層は、上記材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよい。

　以下、本発明に係る有機ＥＬ素子の正孔輸送層に適用可能な正孔輸送材料の好ましい化合物例（例示化合物（１）～（６０））を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

　なお、上記例示化合物に記載のｎは重合度を表し、重量平均分子量が５０，０００～２００，０００の範囲内となる整数を表す。重量平均分子量は６０，０００～１００，０００の範囲内であることがさらに好ましい。高分子を一次粒子化したい場合は、上記の分子量の範囲よりも高分子量側を使用することが好ましく、２００，０００～１０００，０００の範囲で使用することがより好ましい。

　これらの高分子化合物は、例えば、Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，１９３，９０９頁（１９９２）等に記載の公知の方法で合成することができる。

　（３：電子輸送層）
　本発明に係る有機機能層の一つである電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料から構成され、広い意味で電子注入層、正孔ブロック層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層で形成してもよいし、複数層設けることもできる。例えば、正孔ブロック層／電子輸送層の組み合わせとして用いることができる。

　従来、単層の電子輸送層、あるいは複数層の電子輸送層とする場合、発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔ブロック材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては、従来公知の化合物の中から任意の機能を備えた化合物を選択して用いることができ、例えば、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、シロール誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、８－キノリノール誘導体等の金属錯体が挙げられる。

　その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されている化合物も、電子輸送材料として好ましく用いることができる。

　これらの中でも、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、ピリジン誘導体等が本発明では好ましく、そのなかでも、アザカルバゾール誘導体であることがより好ましい。

　電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍの範囲内であり、好ましくは５～２００ｎｍの範囲内である。電子輸送層は、上記材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよい。

　また、本発明には、半導体ナノ粒子を使用しても良く、例えば、酸化亜鉛、酸化イットリウム、酸化チタンなどの酸化物を用いることができる。

　また、本発明においては、半導体ナノ粒子の他に、不純物をゲスト材料としてドープしたｎ性の高い電子輸送材料を用いることもできる。その例としては、特開平４－２９７０７６号公報、同１０－２７０１７２号公報、特開２０００－１９６１４０号公報、同２００１－１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。

　本発明において、電子輸送層には、他にも有機酸のアルカリ金属塩を含有することが好ましい。有機酸の種類としては、特に制限はないが、ギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸、酪酸塩、吉草酸塩、カプロン酸塩、エナント酸塩、カプリル酸塩、シュウ酸塩、マロン酸塩、コハク酸塩、安息香酸塩、フタル酸塩、イソフタル酸塩、テレフタル酸塩、サリチル酸塩、ピルビン酸塩、乳酸塩、リンゴ酸塩、アジピン酸塩、メシル酸塩、トシル酸塩、ベンゼンスルホン酸塩が挙げられ、好ましくはギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩、吉草酸塩、カプロン酸塩、エナント酸塩、カプリル酸塩、シュウ酸塩、マロン酸塩、コハク酸塩、安息香酸塩、より好ましくはギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩等の脂肪族カルボン酸のアルカリ金属塩が好ましく、脂肪族カルボン酸の炭素数が４以下であることが好ましい。最も好ましくは酢酸塩である。

　有機酸のアルカリ金属塩のアルカリ金属の種類としては特に制限はないが、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓが挙げられ、好ましくはＫ、Ｃｓ、さらに好ましくはＣｓである。有機酸のアルカリ金属塩としては、前記有機酸とアルカリ金属の組み合わせが挙げられ、好ましくは、ギ酸Ｌｉ、ギ酸Ｋ、ギ酸Ｎａ、ギ酸Ｃｓ、酢酸Ｌｉ、酢酸Ｋ、酢酸Ｎａ、酢酸Ｃｓ、プロピオン酸Ｌｉ、プロピオン酸Ｎａ、プロピオン酸Ｋ、プロピオン酸Ｃｓ、シュウ酸Ｌｉ、シュウ酸Ｎａ、シュウ酸Ｋ、シュウ酸Ｃｓ、マロン酸Ｌｉ、マロン酸Ｎａ、マロン酸Ｋ、マロン酸Ｃｓ、コハク酸Ｌｉ、コハク酸Ｎａ、コハク酸Ｋ、コハク酸Ｃｓ、安息香酸Ｌｉ、安息香酸Ｎａ、安息香酸Ｋ、安息香酸Ｃｓ、より好ましくは酢酸Ｌｉ、酢酸Ｋ、酢酸Ｎａ、酢酸Ｃｓ、最も好ましくは酢酸Ｃｓである。

　これらドープ材料の含有量は、電子輸送層に対し、好ましくは１．５～３５質量％の範囲内であり、より好ましくは３．０～２５質量％の範囲内であり、最も好ましくは５．０～１５質量％の範囲内である。

　（４：発光層）
　以下、有機ＥＬ素子を構成する有機機能層の一つである発光層について詳述する。

　有機ＥＬ素子を構成する発光層は、電極又は電子輸送層及び正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合することにより発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。

　本発明においては、発光層の膜厚は、１０～５００ｎｍの範囲内であることが好ましく、１０～１００ｎｍの範囲内であることが更に好ましい。

　本発明において、発光層の形成方法としては、下記に示すような発光層の各構成材料、例えば、発光材料（ドーパント化合物）やホスト化合物等を含む溶液を、湿式塗布法（例えば、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法等）を用いて、塗布、乾燥することにより形成することができる。また、その他の発光層の形成方法としては、上記発光層材料を、例えば、真空蒸着法、ラングミュア－ブロジェット法（ＬＢ法）等の公知の方法により、薄膜として形成することができる。

　発光層には、主にドーパント化合物とホスト化合物とが含有されて構成されている。

　〈４．１：ホスト化合物〉
　本発明に係る有機ＥＬ素子の発光層に含有されるホスト化合物としては、室温（２５℃）における燐光発光の燐光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。さらに好ましくは燐光量子収率が０．０１未満の化合物である。

　ホスト化合物としては、公知のホスト化合物と、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。

　公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。ここで、ガラス転移点（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ　Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ－Ｋ－７１２１に準拠した方法により求められる値である。

　公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物を挙げることができる。例えば、特開２００１－２５７０７６号公報、同２００２－３０８８５５号公報、同２００１－３１３１７９号公報、同２００２－３１９４９１号公報、同２００１－３５７９７７号公報、同２００２－３３４７８６号公報、同２００２－８８６０号公報、同２００２－３３４７８７号公報、同２００２－１５８７１号公報、同２００２－３３４７８８号公報、同２００２－４３０５６号公報、同２００２－３３４７８９号公報、同２００２－７５６４５号公報、同２００２－３３８５７９号公報、同２００２－１０５４４５号公報、同２００２－３４３５６８号公報、同２００２－１４１１７３号公報、同２００２－３５２９５７号公報、同２００２－２０３６８３号公報、同２００２－３６３２２７号公報、同２００２－２３１４５３号公報、同２００３－３１６５号公報、同２００２－２３４８８８号公報、同２００３－２７０４８号公報、同２００２－２５５９３４号公報、同２００２－２６０８６１号公報、同２００２－２８０１８３号公報、同２００２－２９９０６０号公報、同２００２－３０２５１６号公報、同２００２－３０５０８３号公報、同２００２－３０５０８４号公報、同２００２－３０８８３７号公報等が挙げられる。

　本発明に用いられるホスト化合物としては、カルバゾール誘導体であることが好ましい。更に、本発明においては、ホスト化合物として、下記一般式（１）で示される化合物を用いることが好ましい。

　上記一般式（１）において、ＸはＮＲ′、酸素原子、硫黄原子、ＣＲ′Ｒ″又はＳｉＲ′Ｒ″を表す。Ｒ′及びＲ″は各々水素原子又は置換基を表す。Ａｒは芳香族環を表す。ｎは０～８の整数を表す。

　一般式（１）のＸにおいて、Ｒ′及びＲ″で各々表される置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素環基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ－クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、芳香族複素環基（例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４－トリアゾール－１－イル基、１，２，３－トリアゾール－１－イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す。）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２－ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２－エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２－エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２－エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２－ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２－ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２－エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２－ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２－エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２－ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２－エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２－ピリジルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）等が挙げられる。これらの置換基は、上記の置換基によって更に置換されていてもよい。これらの置換基は、複数が互いに結合して環を形成していてもよい。

　中でも、Ｘとしては、ＮＲ′又は酸素原子であることが好ましい。また、Ｒ′としては、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ－クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、又は芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等）が特に好ましい。

　上記の芳香族炭化水素基、芳香族複素環基は、各々上記一般式（１）のＸで説明したＲ′及びＲ″で表される置換基を有してもよい。

　一般式（１）において、Ａｒにより表される芳香族環としては、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環が挙げられる。また、該芳香族環は単環でもよく、縮合環でもよく、更に未置換でも、あるいは前述の一般式（１）のＸにおいて、Ｒ′及びＲ″で表される置換基を有してもよい。

　一般式（１）において、Ａｒにより表される芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ－テルフェニル環、ｍ－テルフェニル環、ｐ－テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。これらの環は更に、前述の一般式（１）で表されるＸにおいて、Ｒ′及びＲ″で表される置換基を有してもよい。

　一般式（１）において、Ａｒにより表される芳香族複素環としては、例えば、フラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の一つが更に窒素原子で置換されている環を示す。）等が挙げられる。

　これらの環は、前述の一般式（１）において、Ｒ′及びＲ″で表される置換基を有してもよい。

　上記の中でも、一般式（１）において、Ａｒにより表される芳香族環として好ましく用いられるのは、カルバゾール環、カルボリン環、ジベンゾフラン環、ベンゼン環であり、更に好ましく用いられるのは、カルバゾール環、カルボリン環、ベンゼン環であり、より好ましくは置換基を有するベンゼン環であり、特に好ましくはカルバゾリル基を有するベンゼン環が挙げられる。

　また、一般式（１）において、Ａｒにより表される芳香族環としては、各々３環以上の縮合環が好ましい一態様であり、３環以上が縮合した芳香族炭化水素縮合環としては、具体的には、ナフタセン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ヘキサセン環、フェナントレン環、ピレン環、ベンゾピレン環、ベンゾアズレン環、クリセン環、ベンゾクリセン環、アセナフテン環、アセナフチレン環、トリフェニレン環、コロネン環、ベンゾコロネン環、ヘキサベンゾコロネン環、フルオレン環、ベンゾフルオレン環、フルオランテン環、ペリレン環、ナフトペリレン環、ペンタベンゾペリレン環、ベンゾペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピラントレン環、コロネン環、ナフトコロネン環、オバレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。なお、これらの環は、更に上記の置換基を有していてもよい。

　また、３環以上が縮合した芳香族複素環としては、具体的には、アクリジン環、ベンゾキノリン環、カルバゾール環、カルボリン環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、カルボリン環、サイクラジン環、キンドリン環、テペニジン環、キニンドリン環、トリフェノジチアジン環、トリフェノジオキサジン環、フェナントラジン環、アントラジン環、ペリミジン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭素原子の任意の一つが窒素原子で置き換わったものを表す）、フェナントロリン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ナフトフラン環、ナフトチオフェン環、ベンゾジフラン環、ベンゾジチオフェン環、ナフトジフラン環、ナフトジチオフェン環、アントラフラン環、アントラジフラン環、アントラチオフェン環、アントラジチオフェン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、チオファントレン環（ナフトチオフェン環）等が挙げられる。なお、これらの環は更に置換基を有していてもよい。

　また、一般式（１）において、ｎは０～８の整数を表すが、０～２であることが好ましく、特にＸが酸素原子又は硫黄原子である場合には、１又は２であることが好ましい。

　本発明においては、特に、ジベンゾフラン環とカルバゾール環をともに有するホスト化合物が好ましい。

　以下に、一般式（１）で表されるホスト化合物の具体例（ａ－１～ａ－４０）を示すが、これらに限定されるものではない。

　〈４．２：発光材料（発光ドーパント）〉
　本発明に係る発光材料（発光ドーパント）としては、蛍光性化合物、燐光発光材料（燐光性化合物、燐光発光性化合物等ともいう。）を用いることができるが、燐光発光材料であることが好ましい。

　本発明において、燐光発光材料とは励起状態の最低三重項エネルギー準位からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にて燐光発光する化合物であり、燐光量子収率が２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましい燐光量子収率は０．１以上である。

　上記燐光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明において燐光発光材料を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記燐光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。

　燐光発光材料の発光原理としては２種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーを燐光発光材料に移動させることで燐光発光材料からの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つは燐光発光材料がキャリアトラップとなり、燐光発光材料上でキャリアの再結合が起こり燐光発光材料からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、燐光発光材料の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。

　燐光発光材料は、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で８～１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。

　本発明においては、燐光性化合物として下記一般式（２）で表される燐光発光ドーパントを用いることが好ましい。

　上記一般式（２）において、Ｒ_１は置換基を表す。Ｚは５～７員環を形成するのに必要な非金属原子群を表す。ｎ１は０～５の整数を表す。Ｂ_１～Ｂ_５は各々炭素原子、窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子を表し、少なくとも一つは窒素原子を表す。Ｍ_１は元素周期表における８族～１０族の金属を表す。Ｘ_１及びＸ_２は各々炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表し、Ｌ_１はＸ_１及びＸ_２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｍ１は１、２、又は３の整数を表し、ｍ２は０、１、又は２の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は２又は３である。

　上記一般式（２）で表される燐光性化合物は、最高被占軌道（Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ；ＨＯＭＯ）のエネルギー準位が－５．１５～－３．５０ｅＶの範囲であり、最低空軌道（Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ；ＬＵＭＯ）のエネルギー準位が－１．２５～＋１．００ｅＶの範囲であることが好ましく、更に好ましくはＨＯＭＯのエネルギー準位が－４．８０～－３．５０ｅＶの範囲で、ＬＵＭＯのエネルギー準位が－０．８０～＋１．００ｅＶの範囲である。

　一般式（２）で表される燐光性化合物において、Ｒ_１で表される置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素環基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ－クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、芳香族複素環基（例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４－トリアゾール－１－イル基、１，２，３－トリアゾール－１－イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す。）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２－ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２－エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２－エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２－エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２－ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２－ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２－エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２－ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２－エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２－ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２－エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２－ピリジルアミノ基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）等が挙げられる。これらの置換基のうち、好ましいものはアルキル基もしくはアリール基である。

　Ｚは、５～７員環を形成するのに必要な非金属原子群を表す。Ｚにより形成される５～７員環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピロール環、チオフェン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環及びチアゾール環等が挙げられる。これらのうちで好ましいものは、ベンゼン環である。

　Ｂ_１～Ｂ_５は、炭素原子、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を表し、少なくとも一つは窒素原子を表す。これら５つの原子により形成される芳香族含窒素複素環としては単環が好ましい。例えば、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、オキサジアゾール環及びチアジアゾー環ル等が挙げられる。これらのうちで好ましいものは、ピラゾール環、イミダゾール環であり、特に好ましくはＢ_２、Ｂ_５が窒素原子であるイミダゾール環である。これらの環は上記の置換基によって更に置換されていてもよい。置換基として好ましいものはアルキル基及びアリール基であり、更に好ましくはアリール基である。

　Ｌ_１は、Ｘ_１及びＸ_２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。Ｘ_１－Ｌ_１－Ｘ_２で表される２座の配位子の具体例としては、例えば、置換又は無置換のフェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボル、ピコリン酸及びアセチルアセトン等が挙げられる。これらの基は上記の置換基によって更に置換されていてもよい。

　ｍ１は、１、２又は３の整数を表し、ｍ２は０、１又は２の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は２又は３である。中でも、ｍ２は０である場合が好ましい。Ｍ_１で表される金属としては、元素周期表の８～１０族の遷移金属元素が用いられるが、中でもイリジウム、白金が好ましく、更に好ましくはイリジウムである。

　以下に、一般式（２）で表される燐光性化合物の具体的な化合物（Ｄ－１～Ｄ－１３２）を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

　〔陽極〕
　有機ＥＬ素子を構成する陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３－ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状パターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合（１００μｍ以上程度）は、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常は、１０～１０００ｎｍの範囲内であり、好ましくは１０～２００ｎｍの範囲内で選ばれる。

　〔陰極〕
　一方、陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム－カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ～５μｍの範囲内であり、好ましくは５０～２００ｎｍの範囲内で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極又は陰極のいずれか一方が透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。

　また、陰極に上記金属を１～２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に形成することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する有機ＥＬ素子を作製することができる。

　〔支持基板〕
　本発明に係る有機ＥＬ素子に用いることのできる支持基板（以下、基体、基板、基材、支持体等ともいう）としては、ガラス、プラスチック等、種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。リジットな基板よりもフレキシブルな基板において、高温保存安定性や色度変動を抑制する効果が大きく現れるため、特に好ましい支持基板としては、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を付与することが可能な可撓性を備えた樹脂フィルムである。

　樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル類、ポリエチレン類、又はポリプロピレン類、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。

　樹脂フィルムの表面には、無機物あるいは有機物等から構成される被膜又はその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、ＪＩＳ　Ｋ　７１２９－１９９２に準拠した方法で測定した水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下のバリア性フィルムであることが好ましく、さらには、ＪＩＳ　Ｋ　７１２６－１９８７に準拠した方法で測定した酸素透過度が、１×１０^－３ｃｍ^３／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が１×１０^－３ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下の高バリア性フィルムであることが好ましく、前記の水蒸気透過度が１×１０^－５ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下であることがさらに好ましい。

　バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等の有機ＥＬ素子の劣化を招く因子の浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる有機層との積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させる構造であることが好ましい。

　バリア膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスター－イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４－６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。

　不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。

　本発明に係る有機ＥＬ素子においては、発光の室温における外部取り出し効率は、１．０％以上であることが好ましく、より好ましくは５．０％以上である。ここでいう外部取り出し効率とは、下式により表すことができる。

　外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００。

　〔保護膜、保護板〕
　有機機能層を挟み支持基板と対向する側の封止膜、あるいは封止用フィルムの外側に、有機ＥＬ素子の機械的強度を高めるため、保護膜あるいは保護板を設けてもよい。特に、封止が封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜あるいは保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板／フィルムの積層物、金属板／フィルムの積層物等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということから、ポリマーフィルムを用いることが好ましい。

　本発明において、可撓性支持基板から陽極との間、あるいは可撓性支持基板から光出射側の何れかの場所に光取出し部材を設けることができる。

　光取出し部材としては、プリズムシートやレンズシート及び拡散シートが挙げられる。また、全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に導入される回折格子や拡散構造等が挙げられる。

　通常、基板から光を放射するような有機エレクトロルミネッセンス素子においては、発光層から放射された光の一部が基板と空気との界面において全反射を起こし、光を損失するという問題が発生する。この問題を解決するために、基板の表面にプリズムやレンズ状の加工を施す、もしくは基板の表面にプリズムシートやレンズシート及び拡散シートを貼り付けることにより、全反射を抑制して光の取り出し効率を向上させる。

　また、光取り出し効率を高めるためには、全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法や拡散構造を導入する方法が知られている。

　《有機ＥＬ素子の製造方法》
　本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ｎ型電子輸送層／陰極からなる有機ＥＬ素子基板の製造方法を説明する。

　はじめに、適当な基体上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０～２００ｎｍの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の薄膜形成方法により形成させて、陽極を作製する。

　次に、この上に有機ＥＬ素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の有機機能層（有機化合物薄膜）を形成する。

　有機機能層を形成する工程は、主に、その有機機能層を構成する塗布液を、支持基板の陽極上に塗布・積層する工程と、塗布・積層後の塗布液を、乾燥させる工程とで構成される。塗布・乾燥する工程は大気下で行ってもかまわないが、乾燥する工程は窒素などの不活性ガス雰囲気で行われることが好ましく、さらには塗布する工程も不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。ここで不活性ガス雰囲気は水や酸素を１００ｐｐｍ以下含むことが好ましく、さらに好ましくは１０ｐｐｍ以下であり、さらに好ましくは１ｐｐｍ以下である。

　本発明に係る塗布膜の形成方法として、ウェットプロセス（例えば、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ローラーコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア・ブロジェット（Ｌａｎｇｍｕｉｒ　Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法）等を挙げることができる。）を用いることができる。本発明においてはウェットプロセスの中でも、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ローラーコート法、インクジェット法等の塗布法による成膜が好ましい。また、そのほかには、蒸着法を用いて形成することもできる。

　本発明に係る有機ＥＬ材料を溶解又は分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等の有機溶媒を用いることができる。また分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法及び超臨界溶媒中への貧溶媒への添加により分散することができる。

　また、本発明に係る有機ＥＬ材料を溶解又は分散する調液工程は不活性ガス雰囲気下であることが好ましく、前述のウェットプロセスにより基材上に塗布されるまで溶液が塗布雰囲気に曝されない行程であることが好ましい。

　これらの層の塗布・積層及び乾燥工程は枚葉製造であっても、連続するオンライン製造であっても良い。また、各層を塗布する際の雰囲気は共通でも良いが、揮発する溶媒の影響を排除する観点から、各層の塗布ブースが隔壁などで分離された構造で、雰囲気の循環がそれぞれ独立して行われていることが好ましい。更に、乾燥工程はライン上で搬送中に行っても良いが、生産性の観点から堆積あるいはロール状に非接触で巻き取り乾燥しても良い。

　これらの各層を乾燥した後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは１０ｎｍ～５０ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機ＥＬ素子基板が得られる。

　《用途》
　本発明に係る有機ＥＬ素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。

　発光光源として、例えば、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源、さらには表示装置を必要とする一般の家庭用電気器具等広い範囲の用途が挙げられるが、特にカラーフィルターと組み合わせた液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。

　本発明に係る有機ＥＬ素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。

　以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量％」を表す。

　《封止用樹脂の準備》
　（ホットメルト樹脂の準備）
　比較例として、下記の３種類のホットメルト樹脂を準備した。

　ホットメルト樹脂１：エチレンメタクリル酸共重合体を主成分としたホットメルト樹脂（軟化点８０℃）
　ホットメルト樹脂２：エチレンメタクリル酸共重合体を主成分としたホットメルト樹脂（軟化点８３℃）
　ホットメルト樹脂３：エチレン酢酸ビニル共重合体を主成分としたホットメルト樹脂（軟化点８５℃）
　（熱硬化性樹脂の準備）
　〈熱硬化性樹脂１の調製〉
　下記の成分（Ａ）～（Ｄ）を、１２０℃で２０分間加熱処理したときの硬化率が５０％となる条件で混合し、エポキシ系接着剤である熱硬化性樹脂１を調製した。

　（Ａ）ビスフェノールＡ
　（Ｂ）ジグリシジルエーテル（ＤＧＥＢＡ）
　（Ｃ）ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）エポキシアダクト系硬化促進剤
　（Ｄ）酸化カルシウム（１．０体積％）
　〈熱硬化性樹脂２の調製〉
　上記熱硬化性樹脂１の調製において、（Ｄ）項の酸化カルシウムを、同量の酸化バリウムに変更した以外は同様にして、熱硬化性樹脂２を調製した。

　〈熱硬化性樹脂３の調製〉
　上記熱硬化性樹脂１の調製において、（Ｄ）項の酸化カルシウムの添加量を、２．０体積％に変更した以外は同様にして、熱硬化性樹脂３を調製した。

　（各封止用樹脂の水分透過性測定）
　上記調製した各ホットメルト樹脂及び各熱硬化性樹脂について、下記の方法に従って、水分透過性試験を行って、水分増加開始時間Ｔ_ｔｒを求めた。

　各封止用樹脂の水分透過性測定には、図４に記載した測定装置を用いて行った。

　水分透過性の測定装置としては、上方の壁の厚さが１ｃｍ、一辺の長さが１０ｃｍの正方形のステンレス製の測定容器１５を用いた。測定容器１５の上辺にコロナ放電装置によりコロナ放電処理を施して表面処理したあと、測定容器１５の上辺に、上記調製したホットメルト樹脂、又は熱硬化性樹脂を３０μｍの膜厚で塗設し、次に、測定容器１５の上方部よりも広い面積を持つガラス板１３で、測定容器１５の上方部に蓋をした。その後、各封止用樹脂の軟化点よりも高い温度（１２０℃）で、０．２ＭＰａの圧力をかけて５分間圧着した後、そのまま１２０℃で３０分間加熱した。次に、６０℃、９０％ＲＨの環境下で、測定容器内の真空引きを行い、液体窒素トラップを経て、測定容器内の水分量を質量分析計で検出した。このとき、測定容器内の水蒸気のバックグラウンドレベルは１×１０^－６Ｐａ以下となるまで真空引きを行った。そのあと、測定容器周辺の環境を６０℃、９０％ＲＨとした。測定容器内部の水分量を１０時間ごとに測定して、図５に示す水分量の増加曲線を作成して、バックグラウンドのノイズ値に対し、ＳＮ比で１０以上の値となった時間を測定し、これをＴ_ｔｒとして求めた。得られた結果を、表１に示す。

　《封止要素の作製》
　〔封止要素１の作製〕
　図１に示すように、第一基板として、５０μｍ厚のＰＥＴフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム）に、接着層を介してアルミ箔（３０μｍ厚）をラミネートしたアルペットを用いた。アルペットのアルミ箔面に、ディスペンサーを使用して、封止用樹脂として、上記ホットメルト樹脂１を均一に３０μｍの厚さで塗布した。次いで、真空チャンバーに第一基板を移し、補助電極層９Ａとして、アルミニウム薄膜を、厚さ２００ｎｍで、図１に示すようなパターン状に蒸着して、封止要素１を作製した。

　（封止要素２～６の作製）
　上記封止要素１の作製において、ホットメルト樹脂１を、それぞれ表２に記載の各封止用樹脂に変更した以外は同様にして、封止要素２～６を作製した。

　（封止要素７の作製）
　上記封止要素４の作製において、補助電極層の形成を、下記の記載の被覆銀超微粒子を用いた補助電極層の形成方法に変更した以外は同様にして、封止要素７を作製した。

　〈補助電極層の形成〉
　特開２０１０－２６５５４３号公報の段落番号（００７２）の実施例１に記載された方法に従って、被覆銀超微粒子から構成される補助電極層７Ａを形成した。

　Ｎ，Ｎ－ジメチル－１，３－ジアミノプロパン（東京化成、特級）を２．０４ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）、ｎ－オクチルアミン（花王、純度９８％）を１．９４ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）と、ｎ－ドデシルアミン（関東化学、特級）を０．９３ｇ（５．０ｍｍｏｌ）を混合し、この混合溶液にシュウ酸銀〔硝酸銀（関東化学、一級）とシュウ酸アンモニウム一水和物又はシュウ酸二水和物（関東化学、特級）から合成したもの〕を６．０８ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）加え、３分間撹拌して、シュウ酸イオン・アルキルアミン・アルキルジアミン・銀錯化合物を調製した。これを９５℃で２５分加熱撹拌して、二酸化炭素の発泡を伴う反応が完結し、青色光沢を呈する懸濁液へと変化した。これに、メタノール（関東化学、一級）を１０ｍｌ加え、遠心分離により得られた沈殿物を自然乾燥して、青色光沢の被覆銀超微粒子の固体物４．６２ｇ（銀基準収率９７．０％）を得た。

　上記で得られた被覆銀超微粒子をｎ－ブタノールに分散して、被覆銀超微粒子分散液を調製した。次いで、アルペット上に熱硬化性樹脂１を厚さ３０μｍで形成した熱硬化性樹脂層上に、上記の被覆銀超微粒子分散液を固形分膜厚が２００ｎｍとなる条件で塗布して、補助電極形成層７を設けた。次いで、補助電極形成層７を、１００℃で２０分間加熱焼成して、補助電極層７Ａに転化して、封止要素７を作製した。

　（抵抗値の測定）
　上記作製した各封止要素を構成する各補助電極層の抵抗値を測定した。

　熱硬化性樹脂上に補助電極層として、蒸着法によりアルミニウム薄膜を設けた水準については、代表例として、アルペット上に熱硬化性樹脂１を厚さ３０μｍで設けた熱硬化性樹脂層上にアルミニウムを厚さ２００ｎｍで蒸着した封止要素４の電気抵抗値を、共和理研社製のＫ－７０５ＲＳ（四探針法）を用いて測定した結果、２．０×１０^－７Ω・ｍの比抵抗であった。

　また、被覆銀超微粒子を用いて補助電極層を形成した封止要素７の電気抵抗値を、共和理研社製のＫ－７０５ＲＳ（四探針法）を用いて測定した結果、５．０×１０^－６Ω・ｍであった。

　以上により作製した封止要素１～７の詳細を、表１に示す。

　《有機ＥＬ素子基板の作製》
　〔有機ＥＬ素子基板１の作製〕
　（１：陽極層の形成）
　準備した無アルカリガラス板上に、厚さ１２０ｎｍのＩＴＯ薄膜をスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングを行い、図１のＡ．に示すようなパターンの陽極（第一電極３）を形成した。なお、パターンは、発光面積が５０ｍｍ平方になるように形成した。

　（２：正孔注入層の形成）
　パターニングした後のＩＴＯ基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。この基板上に、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）－ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ　Ｐ　Ａｌ　４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を用いて、３０００ｒｐｍ、３０秒の条件下でスピンコート法により製膜した。製膜は、大気雰囲気下で行った。その後、２００℃で１時間乾燥し、膜厚が３０ｎｍの正孔注入層を形成した。

　（３：正孔輸送層の形成）
　上記正孔注入層を形成した基板を、窒素ガス雰囲気下に移し、正孔輸送材料として例示化合物（６０）（Ｍｗ＝８０，０００）をクロロベンゼンに０．５％の濃度で溶解した溶液を用いて、１５００ｒｐｍ、３０秒の条件下でスピンコート法により製膜した後、１３０℃で３０分間乾燥し、膜厚が３０ｎｍの正孔輸送層を形成した。

　（４：発光層の形成）
　続いて、正孔輸送層まで形成した基板を、大気に曝露することなく真空蒸着装置へ取り付けた。真空槽を４×１０^－５Ｐａまで減圧した後、ホスト化合物として例示化合物ａ－１、燐光発光ドーパントとして、例示化合物Ｄ－６６、例示化合物Ｄ－６７、例示化合物Ｄ－８０を、それぞれ入れた４つのモリブデンボートを加熱して、それぞれ、０．１ｎｍ／秒（例示化合物ａ－１）、０．０１８ｎｍ／秒（例示化合物Ｄ－６６）、０．００５ｎｍ／秒（例示化合物Ｄ－６７）、０．００２ｎｍ／秒（例示化合物Ｄ－８０）のレートで４元の共蒸着を行い、合計で６０ｎｍの膜厚の発光層を形成した。

　（５：電子輸送層の形成）
　続いて、下記に示す構造の電子輸送材料であるＡｌｑ_３を入れたモリブデンボートを加熱して、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記発光層上に蒸着し、層厚（膜厚）３０ｎｍの電子輸送層を形成した。

　（６：電子注入層、陰極の形成）
　続いて、電子輸送層まで形成した基板を真空蒸着装置に取り付け、フッ化リチウムの入ったモリブデンボートを加熱して、蒸着速度０．０２ｎｍ／秒で電子輸送層上に蒸着し、膜厚が０．５ｎｍの電子注入層を形成した。引き続き、アルミニウムを電子注入層上に蒸着し、膜厚が１００ｎｍの陰極（図１で示す第二電極４）を形成し、有機ＥＬ素子基板１を作製した。

　〔有機ＥＬ素子基板２の作製〕
　上記有機ＥＬ素子基板１の作製において、陰極（図１で示す第二電極４）の膜厚を５０ｎｍに変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子基板２を作製した。

　〔有機ＥＬ素子基板３の作製〕
　上記有機ＥＬ素子基板１の作製において、陰極（図１で示す第二電極４）の膜厚を３０ｎｍに変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子基板３を作製した。

　《有機ＥＬ素子の作製》
　上記作製した封止要素と、有機ＥＬ素子基板とを、表２に記載の組み合わせで貼合して、有機ＥＬ素子１～９を作製した。

　〔有機ＥＬ素子１の作製：比較例〕
　上記作製した有機ＥＬ素子要素１と封止要素１（ホットメルト樹脂１）とを組み合わせ、図２、図３に示すように、有機ＥＬ素子要素１の第二電極（４）と、封止要素１の補助電極層（９Ａ）とが対向するように配置し、位置合わせを行った後、両者を０．２ＭＰａで圧着し、温度１１０℃で密着及び接合し、３分間この状態を維持して、密着封止（固体封止）し、図３に示すような貼合済の有機ＥＬ素子（１０）１を得た。

　〔有機ＥＬ素子２及び３の作製：比較例〕
　上記有機ＥＬ素子１の作製において、封止要素１に代えて、同じくホットメルト樹脂を用いた封止要素２及び３をそれぞれ用いて固体封止した以外は同様にして、有機ＥＬ素子２及び３を作製した。

　〔有機ＥＬ素子４の作製：本発明〕
　上記作製した有機ＥＬ素子要素１と封止要素４（熱硬化性樹脂１）とを組み合わせ、図２及び図３に示すように、有機ＥＬ素子要素１の第二電極（４）と、封止要素４の補助電極層（９Ａ）とが対向するように配置し、位置合わせを行った後、両者を０．２ＭＰａの圧力で圧着し、温度１２０℃で密着及び接合し、３分間この状態を維持して、密着封止（固体封止）した。次いで、圧力をかけないで、１１０℃で２０分間の加熱処理を施して、熱硬化性樹脂を硬化させて、図３に示す構成の有機ＥＬ素子４を作製した。

　〔有機ＥＬ素子５及び６の作製：本発明〕
　上記有機ＥＬ素子４の作製において、封止要素４に代えて、同じく熱硬化性樹脂を用いた封止要素５及び６をそれぞれ用いて固体封止した以外は同様にして、有機ＥＬ素子５及び６を作製した。

　〔有機ＥＬ素子７の作製：本発明〕
　上記有機ＥＬ素子４の作製において、有機ＥＬ素子要素１に代えて有機ＥＬ素子基板２を用いて固体封止した以外は同様にして、有機ＥＬ素子７を作製した。

　〔有機ＥＬ素子８の作製：本発明〕
　上記有機ＥＬ素子４の作製において、有機ＥＬ素子要素１に代えて有機ＥＬ素子基板３を用いて固体封止した以外は同様にして、有機ＥＬ素子８を作製した。

　〔有機ＥＬ素子９の作製：本発明〕
　上記有機ＥＬ素子８の作製において、封止要素４に代えて封止要素７を用いて固体封止した以外は同様にして、有機ＥＬ素子９を作製した。

　《有機ＥＬ素子の評価》
　〔高温保存安定性の評価〕
　上記作製した貼合済の有機ＥＬ素子１～９を、８５℃、２０％ＲＨの環境下に、空中にぶら下げて２４時間保管した後、下記の評価を行った。

　（密着性の評価）
　上記環境で２４時間保管後の有機ＥＬ素子の状態を目視観察し、下記の基準に従って密着性を評価した。

　○：封止要素と有機ＥＬ素子基板間で、剥離が全く発生していない
　△：封止要素と有機ＥＬ素子基板との端部で、わずかに剥離の発生が認められる
　×：封止要素と有機ＥＬ素子基板とが、明らかに剥離している
　（発光性の評価）
　２４時間保管した後の有機ＥＬ素子に電圧を印加し、発光の状態を目視観察し、下記の基準に従って発光性の評価を行った。

　○：正常に発光している
　△：ほぼ正常に発光している
　×：封止要素と有機ＥＬ素子基板との剥離に伴い、未発光部が発生している
　〔封止性能の評価〕
　各有機ＥＬ素子を、６０℃、９０％ＲＨの環境下で３００時間保管した。次いで、高温高湿処理前後での発光状態の変化を目視観察し、下記の基準に従って封止性能の評価を行った。

　○：高温高湿処理前後で、発光面積にほとんど変化が認められない
　△：高温高湿処理後で、発光面積の減少がやや認められる
　×：高温高湿処理後で、発光面積の減少が明らかに認められる
　以上により得られた結果を、表２に示す。

　表２に記載の結果より明らかなように、本発明の有機ＥＬ素子は、比較例に対し、高温保存時の安定性（密着性）及び高温高湿環境下で長期間にわたり保存した後でも封止性能に優れていることが分かる。

　本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素は、貼合後の工程が簡略化でき、貼合後の高温環境下での密着安定性に優れた特性を備え、高温安定性及び封止性能に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができ、この有機エレクトロルミネッセンス素子は、平面型照明、光ファイバー用光源、液晶ディスプレイ用バックライト、液晶プロジェクタ用バックライト、ディスプレイ装置等の各種光源として好適に利用できる。

　１　有機ＥＬ素子基板
　２　第二基板
　３　第一電極（陽極）
　４　第二電極（陰極）
　５、１２０　有機機能層
　６　有機ＥＬ素子用封止要素
　７　第一基板
　８　熱硬化性樹脂層
　９　補助電極形成層
　９Ａ　補助電極層
　１０、１００　有機ＥＬ素子
　１１　電極貼合部
　１２　水分透過性測定装置
　１３　ガラス板
　１４　熱硬化性樹脂
　１５　チャンバー
　１６　バルブ
　１７　液体窒素トラップ
　１８　質量分析計
　Ｌ　貼合（Ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）
　１０１　可撓性支持基板
　１０２　陽極
　１０３　正孔注入層
　１０４　正孔輸送層
　１０５　発光層
　１０６　電子輸送層
　１０７　電子注入層
　１０８　陰極

Claims

　基板上に、熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂層と、補助電極層とをこの順に有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素。
　前記熱硬化性樹脂が、下記の水分透過性試験法で測定した水分増加の開始時間Ｔ_ｔｒが、３００時間以上であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素。
　水分透過性試験法：上方が解放されていて、壁の厚さが１ｃｍで、一辺の長さが１０ｃｍ、高さが１０ｃｍの測定容器を用い、測定容器の厚さ１ｃｍの壁の上辺部の全てに熱硬化性樹脂を３０μｍの厚さで塗布する。次いで、測定容器の断面積（１０ｃｍ×１０ｃｍ）よりも広い面積を有するガラス板を、測定容器の上方に付与した熱硬化性樹脂と貼り合わせて、熱硬化性樹脂の硬化温度Ｔ_１（℃）よりも高い温度で硬化させて接着した後、当該測定容器を６０℃、９０％相対湿度の環境下に置き、当該測定容器の熱硬化性樹脂層を通過して、当該測定容器の内部に流入する水分量を測定し、水分量がバックグラウンドのノイズ値に対し、ＳＮ比で１０以上の値となった時間を求め、これを水分増加の開始時間Ｔ_ｔｒとする。
　前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素。
　前記補助電極層は、補助電極形成層を転化温度Ｔ_２（℃）で熱処理を施して形成され、比抵抗値が１．０×１０^－５Ω・ｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素。
　前記転化温度Ｔ_２（℃）は、前記熱硬化性樹脂の硬化温度Ｔ_１（℃）未満であることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素。
　前記補助電極層が、前記第一基板の表面の一部と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素。
　請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
　１）第一基板上に、熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂層及び補助電極層をこの順で形成した有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素と、
　２）第二基板上に第一電極、有機機能層及び第二電極層をこの順で有する有機エレクトロルミネッセンス素子基板を、
　３）前記有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素の補助電極層と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子基板の第二電極層とが接触するように貼り合わせた後、前記熱硬化性樹脂の硬化温度Ｔ_１以上の温度で加熱して、該熱硬化性樹脂層を硬化して製造することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
　請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
　１）第一基板上に、熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂層及び補助電極形成層をこの順に形成し、該熱硬化性樹脂の硬化温度Ｔ_１（℃）未満の温度（転化温度Ｔ_２）で加熱処理を施して該補助電極形成層を補助電極層に転化して形成した有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素と、
　２）第二基板上に第一電極、有機機能層及び第二電極層をこの順で有する有機エレクトロルミネッセンス素子基板を、
　３）前記有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素の補助電極層と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子基板の第二電極層とが接触するように貼り合わせた後、前記熱硬化性樹脂の硬化温度Ｔ_１以上の温度で加熱して、該熱硬化性樹脂層を硬化して製造することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。