TWI245580B - Organic electroluminescent device and method of fabricating the same - Google Patents

Organic electroluminescent device and method of fabricating the same Download PDF

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TWI245580B TW092137205A TW92137205A TWI245580B TW I245580 B TWI245580 B TW I245580B TW 092137205 A TW092137205 A TW 092137205A TW 92137205 A TW92137205 A TW 92137205A TW I245580 B TWI245580 B TW I245580B
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Jae-Yong Park
Choong-Keun Yoo
Ock-Hee Kim
Nam-Yang Lee
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Lg Philips Lcd Co Ltd
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Description

1245580 五、發明說明(1) 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關有機電致發光顯示裝置及其製造方法, 特別是有關一種具有第一基板以作為薄膜電晶體陣列單元 與第二基板以作為有機電致發光單元的雙板型有機電致發 光裝置及其製造方法。 【先前技術】 有機電致發光裝置(organic electr〇luminescent device) —般係透過陰極與陽極分別發射出電子盥電洞至 發光層,再將電子與電洞相結合而形成激子,最後再透過 激子由激發態返回基態而發射出光線。有機電致發光裝置 由於係透過激子作能階的變換以發出光線,所以不需如液 晶顯示裝置額外再加裝一光源,從而使〇ELD的尺寸與重量 可降低,再加上0ELD的低功率消耗率、優異的亮度表現盥 快速的反應時間,使得0ELD已成為應用至下一代消費性電 子產品(諸如行動電話、車輛導航系統、pDA、掌上型電 腦等)的明日之星。此外,〇ELD的製造過程較LCD為簡 單,故可具有較佳的價格優勢。 有機電致發光裝置一般可分為被動矩陣〇ELD以及主動· 矩陣0ELD。被動矩陣〇ELD雖然結構與製程較為簡單,但操 控時的消耗功率卻較高,此外被動矩_〇ELD先天的結構亦 限制了顯示尺寸的發展,而且當導線數量增加時,被動矩 陣0ELD的開口率會隨之降低。反之,主動矩陣〇EL])相較於 被動矩陣0ELD具有較佳的發光效率,且可以較低的消耗功 率製造出南畫質的影像。
第11頁 1245580 五、發明說明(2) 立第1圖所示’為傳統有機電致發光裝置的局部剖視示 思圖,如圖所示:
有機電致發光裝置(〇 E L D ) 1 0包括有相對應而分離之 第一基板12與第二基板28。第一基板12的内表面設置有一 包括有薄膜電晶體(TFT ) T的陣列層1 4,此陣列層1 4依序 叹置有一第一電極16、一有機電致發光層18以及一第二電 極2 0。有機電致發光層丨8對應各晝素區域p的有機物質係 用以为別發射出紅、綠、藍等原色的光線。將第二基板2 8 的部分區域進行蚀刻’再將蝕刻的區域填注除濕劑2 2,並 利用固定部2 5固定除濕劑2 2,然後利用封膠2 6將第一基板 12、第二基板28以及除濕劑22結合在一起,以封裝有機電 致發光裝置1 0。除濕劑2 2係用以消除進入有機電致發光層 1 8的濕氣與氧氣。 第2圖所示,為傳統有機電致發光裝置的陣列層平面 示意圖,如圖所示:
有機電致發光裝置的陣列層係包括有一開關單元I, 一驅動單兀td,以及一儲存電容cST。開關單元Ts與驅動單 元1係由至少一個以上之薄膜電晶體TFT的結合所組成。 列層係ά又置在一由玻璃或塑膠所組成的透明絕緣基板1 2 上。基板1 2上設有相互交叉以定義出晝素區域ρ的閘極線 32與資料線34。閘極線32與資料線34之間設置有絕緣層 (圖中未示),另,一電源線3 5係與閘極線3 2相交又,並 與資料線3 4相平行分離。 第2圖中的開關單元Ts係為一薄膜電晶體,並包括有
第12頁 !24558〇
、發明說明(3) 開關閘極電極36、一 及-開關沒極電極50 :同樣地:4°、-開關源極電極46以 -薄膜電晶體,並包括有:=動=圖/的驅動單元L係為 層42、一驅動源極電極仏以及動::電極38、-驅動活性 極電極36係連接至問極=及:動沒極電極52。開關問 f料線34。n β φ線32,而開關源極電極46則連接至 50係透過第-接觸孔54連接至驅 源極電極48則透過第二接觸孔56連接 至電源線35。此外’驅動汲極電極52連接至晝素區則的 第-電極16 ’電源線35與電容電極15相重疊,並藉由一絕 緣層相隔離,以形成一儲存電容c 。
S T 第3圖所示,為傳統有機電致發光裝置的平面示意 圖,如圖所示: 此基板1 2的第一側邊設有一資料墊區域E,而相鄰於 第一側邊的第二侧邊與第三侧邊則分別設有第一閘墊區域 F1與弟一閘墊區域F 2 ’對應第一側邊並相鄰第二、第三侧 邊的第四側邊則設有一共同電極39。透過共同電極39提供 一共同電位至第二電極20以保持第二電極20的電位能。
第4 A圖所示為第2圖中沿I V a - I V a剖線切開之局部剖視 圖,而第4 B圖所示則為第3圖中沿I V b - I V b剖線切開之局部 剖視圖,如圖所示: 驅動薄膜電晶體\係設於一基板1 2上,並包括有一驅 動活性層4 2、一驅動閘極電極3 8、一驅動源極電極4 8以及 一驅動汲極電極5 2。驅動薄膜電晶體TD上設有一絕緣層 5 7,而絕緣層5 7上則設有一連接至驅動汲極電極5 2的第一
第13頁 1245580 五、發明說明(4) " " " 電116 ’第一電極1 6上設有一發出特定色彩光線的有機電 致發光層1 8,有機電致發光層1 8上則設有一第二電極2 〇。 則第一電極1 6、第二電極2 〇與兩電極之間的有機電致發光 層1 8可共同組成一有機電致發光二極體&。與驅動薄膜電 晶體Td相並聯的儲存電容CST係包括有一第一電容電極15與 一,=電容電極35a,與第一電容電極15相重疊的電源線 3 5邰刀區域係作為第二電容電極π a。第二電容電極π &係 連接至驅動源極電極48。第二電極2〇係形成於包括有驅動 薄膜電晶體td、儲存電容CsT以及有機電致發光層丨 1 2的整個表面上。 仪 供應共同電位至第二電極20的共同電極39係設置在基 板1 2的週緣,共同電極39係與開關閘極電極(如第2圖所 示36與驅動閘極電極38共同形成。複數個絕緣層設置於 共同電極39上,並設有第一共同接觸孔39&與第二丘 觸孔39b,以暴露共同電極39。第二電極2〇透過第二丑 接觸孔39a連接至共同電極39,而外部電路(圖 ^ 則透過第二共同接觸孔39b連接至共同電極3g, 同電位予共同電極39。 t、應,、 ^於陣列層的薄膜電晶體與有機電致發 同設置在-基板上,則有機電致發光裝置的 = 電晶體產能與有機電致發光二極體產能的乘積所二Π 而’有機電致發光層的產能通常較低,從而限制;機二 致發光裝置產能的提升。也就是說, 造良好,有機電致發光裝置亦很有可;:穴電晶體的製 韦Τ此因厚度約1 0 0 0 Α的
1245580 五、發明說明(5) 有機電致發光層的缺陷而被判定為不良品,從而提高了製 造成本。
0ELD可透過第一電極、第二電極與有機電致發光二極 體的透明與否區分為底發光型0ELD以及頂發光型〇ELD。底 發光型0 E L D具有南影像穩定性與多種封裝製程等優點,但 由於開口率的限制,無法處理高解析度的影像。而頂發光 型0ELD由於係沿著基板向上發射光線,使得發出之光線不 致影響設置於有機電致發光層下方的陣列層,從而使包含 薄膜電晶體的陣列層設計可較為簡單。此外,透過開口率 的提升,可有效延長0ELD的使用壽命。然而,由於頂發光 型0ELD的陰極係設於有機電致發光層上,其材料的選擇勢 將影響到透光度,若是多設置一薄膜鈍化層以防止透光度 的降低,又有可能造成外部空氣滲透到裝置内。 【發明内容】 由是本發明係在提供一種有機電致發光裝置及其製造 方法,藉以解決並規避習知技藝所造成的限制及缺失。 _ 本發明的主要目的在於提供一種分別將陣列層與有機 電致發光二極體設置在不同的基板上,然後再將基板接合 的有機電致發光裝置及其製造方法。 本發明的另一目的在於提供一種在顯示區域設有第一 連接電極,而在週緣區域設有第二連接電極的有機電致發 光裝置及其製造方法。 本發明的又一目的在於提供一種具有較高的開口率、 較佳的顯示品質以及較高的產能之有機電致發光裝置。
1245580 五、發明說明(6) 有關本發明的 最佳實施例詳細說 審視本說明書而了 因此,為達上 置係包括有:相對 特徵、組 明如下, 解本發明 述目的, 應而分離 成元件 俾使熟 的技術 本發明 與實作 習本項 手段及 所揭露 設置之第一基 此 基板均設有一顯示區域 與 複數個 板内表 個分別 第二基 畫素區 的有機 發光層 於各晝 及一用 而 步驟: 顯不區 各晝素 晝素區域與 面上各畫素 連接至各驅 板之整個内 域及偽晝素 電致發光層 上,並分別 素區域之第 以結合第一 本發明有機 緣區域 複數個 偽晝素區域; 鄰處之驅動薄 區域的相 動薄膜電 表面之第 區域之週 ;複數個 對應各晝 一電極係 基板與第 ’將配 技藝人 實施方 有機電 板與第,顯示 分別設 膜電晶 晶體之第一連接電極 一電極;一設 壁;一 合圖示作 士可藉由 式。 至夂發光裝 ~基板, 區域設有 於第一基 體;複數 ,一設於 於第 緣的側 第二電 素區域 分別連 二基板 極,係 與偽畫 接至第 之封膠 電致發光裝置之製造方 設置一具有一顯示區域與一 域係包括有 區域相鄰處 週緣區 複數個畫素區域以及一 分別設置一驅動薄膜電 個第一連接電極,各第一連接電極係分別 膜電晶體;在一第二基板上設置 具有一 及偽畫 機電致 顯示區域與 素區域之週 發光層;在 一週緣區域;在 緣設置一側壁; 有機電致發光層 第一電 第一電 在第一 上設置 電極上各 設於第一電極上 設置於有機電致 素區域,且對應 一連接電極;以 〇 法係包括有下列 域之第一基板’ 偽晝素區域;在 晶體;設置複數 連接至各驅動薄 極,第二基板係 極上各晝素區域 電極上設置一有 複數個第二電
第16頁 1245580 五_、發明說明(7) 極,各第二電極係分別對應各晝素區域與偽晝素區域;以 及透過一封膠結合第一基板與第二基板,從而使第一連接 電極與第二電極相接觸。 本發明另一有機電致發 列步驟:在一具有一顯示區 設置一第一絕緣層,顯示區 一偽晝素區域;在第一絕緣 性層,活性層係含有多晶矽 區域;在活性層上設置一第 置一對應至活性層之閘極電 絕緣層;在第三絕緣層上設 係設有一第一接觸孔與一第 暴露源極區域,而第二接觸 四絕緣層上設置一源極電極 過第一接觸孔連接至源極區 觸孔連接至汲極區域;在源 五絕緣層,第五絕緣層係設 極;在第五絕緣層上設置一 係透過第三接觸孔連接至汲 一第一電極,第二基板係具 在第一電極上各晝素區域與 壁;在第一電極上設置一有 光層上各晝素區域内設置一 接合該第一基板與該第二基 光裝置之製造方法係包括有下 域與一週緣區域之第一基板上 域包括有複數個晝素區域以及 層上對應各晝素區域設置一活 ,並設有一源極區域與一汲極 二絕緣層;在第二絕緣層上設 極;在閘極電極上設置一第三 置一第四絕緣層,第四絕緣層 二接觸孔,第一接觸孔係用以 孔則用以暴露汲極區域;在第 與一汲極電極,源極電極係透 域,而汲極電極則透過第二接 極電極與汲極電極上設置一第 有第二接觸孔以暴露汲極電 第一連接電極,第一連接電極 極電極i在一第二基板上設置 有一顯示區域與一週緣區域; 偽晝素區域之週緣設置一侧 機電致發本思. 一 “ *九層,在有機電致發 第二電極;以及透過—封膠以 板,從而使該第一連接電極與
第17頁 1245580 五、發明說明(8) 该第^一電極相接觸。 本發明如述之說明及以下的詳細說明,均係作為實施 例以供了解本發明的技術内容。 【實施方式】 以下所述者,僅為本發明之較佳實施例,並非用以限 制本發明之技術範疇及應用範圍。 一第「5」圖所示者,為本發明有機電致發光裝置之平 面示意圖,如圖所示:
此有機電致發光裝置(〇 E L D ) 9 9係包括有一設有陣列 層的第一基板1〇〇以及一設有有機電致發光二極體的第二 基板2 0 0。第一基板丨〇〇與第二基板2〇〇係透過封膠結合 在起。第一基板的週緣設有一墊部126,此墊部126 2跨過封膠3 0 0以接受電壓降,顯示區域的週緣G係環設有 偽晝素區域PD,則第一基板丨〇 〇上對應偽晝素區域匕的區 或不設置相關的開關單元與驅動單元。
、第t圖所不,為第5圖中沿著V I - V I剖線剖開之局部剖 ? 〃女藉以顯示本發明之有機電致發光裝置,如圖所示: 機電致發光裝置99係透過封膠3〇〇將第一基板丨〇〇與 有^二f200結合在一起。第一基板100與第二基板20〇設 辛區^ η固晝素區域p以及複數個設於晝素區域p週緣的偽畫 體;/ D,第一基板100的内表面分別設有一開關薄膜電晶 试P 4 ,圖中未示)與一驅動薄膜電晶體TD,以與各晝素區 it鄰。雖未於圖中詳示,第-基板1_内表面—係設 個陣列線,而第二基板2 0 0的内表面則設有一第一
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電極2 0 2。第一電極2 0 2上各晝素區域p的週緣設有一側壁 M4以環繞各晝素電極P。第一電極2〇2上各晝素區域p内連 續形成有一有機電致發光層206與一第二電極208。而第一 電極202與侧壁2 04之間則設有一輔助圖案2〇3。 各第二電極2 0 8係分別透過第一連接電極丨3 〇連接至驅 動薄膜電晶體TD的驅動汲極電極1 2 2。第一連接電極1 3 〇係 設於驅動薄膜電晶體TD上以與驅動汲極電極丨2 2相觸接,然 後透過第一基板1 0 0與第二基板2 〇 〇的結合,將第一連接電 極130與有機電致發光層206上的第二電極208相觸接。第
一基板100的週緣區域設有一墊部12β,墊部ΐ2β上設有一 第二連接電極132,此第二連接電極丨32係與第二基板2〇〇 上的第一電極202相觸接。由於第一電極202係由透明導體 所組成,故具有較高的阻抗,所以在第一電極2 〇 2上設置 一輔助電極2 1 0,此輔助電極2 1 〇的組成物質係與第一電極 2 0 2相同。 如第6圖所示,偽晝素區域pD係設於墊部丨2 6的週緣與 - 晝素區域P之間。第一基板丨〇〇上對應偽畫素區域&處不設 置開關薄膜電晶體(圖中未示)、驅動薄膜電晶體\與第 一連接電極1 30,從而使偽晝素區域pD上的第二電極208電
性洋接’則即便當第—電極2〇2由於製造瑕疵與偽晝素區看I 域PD上的第二電極2 〇 8相接觸,有機電致發光二極體亦能正 常運作。 - 第7A-7D圖與第8A-8D圖所示,為本發明有機電致發光 裝置的製造流程剖視示意圖。第7A_7D圖所示,為第2圖中
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沿著IVa-iVa剖線剖開之有機電致發光裝置第一基板之畫 素區域製造流程,#以顯示本發明晝素 五、發明說明(10) :fA_8D圖所广為第5圖中沿著vm-v⑴剖剖開之 有機電致發光裝置第一基板之偽畫素區域製造流程。 當8二第7Α圖I所示為設有晝素區域ρ的第-基板100,而 =圖所示則為位於包含有晝素區域Ρ的顯示區域週緣鄰 f :之,旦素區域PD。畫素區域ρ係包括有一開關區域(圖 =示^、:驅動區域!)以及一儲存區域C。第一基板1〇〇 . ^整個表面沈積有矽絕緣材料(如Si\、Si02)所組成的 第一絕緣層(緩衝層)i 02 ,驅動區域1)與儲存區域C的緩 衝層1 0 2上分別没有由多晶矽所組成的第一活性層1 〇 4與第 ^ J·生層1 0 5例如,可先沈積非晶石夕,然後執行熱處理 以對非晶矽脫氫與結晶化,從而形成第一活性層丨〇 4與第 一活性層1 〇 5。第二活性層1 〇 5再透過雜質化以作為儲存 容的第一電極。
第一活性層1 04上連續形成有一第二絕緣層(閘絕緣 層)1 〇 6與一閘極電極丨〇 8,第二絕緣層1 〇 6可設置於整個 第一基板1 0 〇的表面,且第二絕緣層1 〇 6可由無機絕緣材料 (如S i Nx、S i 〇2 )組成在形成閘極電極1 〇 8後,再將第一活 性層1 04混入硼或磷以定義出通道區域丨〇4a、源極區域 1 0 4 b與汲極區域丨〇 4 c。閘極電極1 〇 8上設有一第三絕緣層 (層間絕緣層)丨丨〇,閘極電極1 08係由金屬導體(如鋁、 铭合金、鋼、鎢、鈕以及鉬)所組成,第三絕緣層丨丨〇則 由無機絕緣材料(如S i Nx、s丨02 )所組成。第三絕緣層1 1 〇
第20頁 1245580 五、發明說明(11) 上設有一電源線(圖中未示)以與第二活性層丨〇 5相重 疊。電源線與第二活性層丨〇 5重疊的區域係作為一電容電 極112a。儲存區域C内第三絕緣層丨10上的電容電極U2a係 透過沈積並圖案化金屬導體(如鋁、鋁合金、鋼、嫣、组 以及鉬)以形成。第二活性層丨〇 5、與第二活性層丨〇 5重疊 的電谷電極11 2 a以及設於兩者之間的第三絕緣層11 〇共同 構成一儲存電容。 在第7B、8B圖中’第四絕緣層114係設在包括有電容 電極11 2a的電源線上。第四絕緣層11 4包括有一第一接觸 孔116以暴露汲極區域i〇4c、一第二接觸孔118以暴露源極 區域104b以及一第三接觸孔120以暴露電容電極112&。 在第7C、8C圖中,在第四絕緣層114上沈積並圖案化 金屬導體材料(如鉻、鉬、鈕以及鎢)以形成源極電極 124與汲極電極122。源極電極124係透過第二接觸孔118接 觸到源極區域1 〇 4b,而汲極電極1 2 2則透過第一接觸孔丄丄6 接觸到汲極區域1 〇4c。同時,第四絕緣層11 4上、顯示區 域的週緣設有一墊部126。源極電極124、汲極電極122與 第一墊部126上設有一具有第四、第五、第六接觸孔134、 136、138的第四絕緣層128。第四接觸孔丨34用以暴露汲極 電極1 2 2,而第五接觸孔1 3 6與第六接觸孔丨3 8則分別暴露 墊部1 2 6的兩側。 & 在第7D、8D圖中’透過在第四絕緣層128上沈積並圖 案化金屬導體材料以形成第一連接電極1 3 〇與第二連接電 極1 3 2。第一連接電極1 3 0係沈積在晝素區域p内,並透過
1245580 五、發明說明(12) --- 第四接觸孔134與汲極電極122接觸,而第二連接電極丨32 則透過第五接觸孔1 3 6與墊部1 2 6接觸。 在第8A-8D圖中,偽晝素區域Pd内僅設有絕緣層,而不 設置開關TFT與驅動TFT。 第9A-9C圖所示,為本發明有機電致發光裝置第二基 板的製造流程剖視圖。 請參考第9A圖所示,第二基板2〇〇係包括有一晝素區 域P以及一偽晝素區域PD。第二基板2〇〇上設有一第一電極 2 0 2,此第一電極2 0 2係作為一陽極以注入電洞至有機電致 發光層(如第9B圖所示)206。第一電極202係包括有氧化 銦錫(ΙΤΓΟ)及氧化銦鋅(IZO)其中之一,第一電極2〇2 上位於晝素區域P邊緣處設有一輔助絕緣圖案2 0 3,輔助絕 緣圖案2 0 3上設有一側壁2 0 4。此辅助絕緣圖案2 0 3係用以 防止第一電極2 0 2與第二電極(如第8C圖所示)2 08相接 觸,而侧壁2 0 4則透過沈積及圖案化有機感光材料以形成 在輔助絕緣圖案2 0 3上,且輔助絕緣圖案2 0 3與側壁2 0 4可 共同形成在一晶格内。 請參考第9B圖所示’第一電極202上設有一有機電致 發光層2 0 6,此有機電致發光層2 0 6對應各晝素區域P以分 別發射出紅光、綠光或藍光。有機電致發光層2 0 6可為單 層或多層結構。若為多層結構時’則有機電致發光層2 0 6 係由一電洞傳輸層2〇6a、一發光層206b以及一電子傳輸層 2 0 6 c所組‘成。 請參考第9C圖所示’有機電致發光層上對應各晝
第22頁 1245580 五、發明說明(13) ---- 素區域p分別設有一第二電極20δ,各第二電極2〇8間係互 相獨立。在包含晝素區域Ρ的顯示區域週緣,同時與第二 電極2 0 8形成有一輔助電極210,輔助電極21〇係電性浮接 (也就是不與第二電極2 0 8電性連接)。第二電極2〇8係作 為一陰極以注入電子至有機電致發光層2〇6,第二電極2〇8 可為由鋁、鈣或鎂所組成的單層結構,或是由氟化鋰與鋁 所組成的雙層結構。第二電極2 0 8相較於第一電極2〇2可具 有較低的低功函數。 、本發明的有機電致發光裝置係在具有晝素區域的顯示 區域週緣環設有一偽晝素區域,偽晝素區域的週緣則設有 側壁。偽晝素區域不具有開關T F Τ與驅動τ F Τ,書素區域 内獨立設置有一第二電極。此外,偽畫素區域内=第二電 極係電性浮接而不與驅動TFT電性連接。從而使有機電致 發光裝置即便因製程缺陷而造成有機電致發光二極體裡的 第一電極與偽畫素區域的第二電極相接觸,亦可正 作。 本發明的有機電致發光裝置具有諸多的優點。首先, f發明的有機電致發光裝置係為頂發光型〇ELD,故具有較 鬲的開口率。再者,由於具有薄膜電晶體與有機電致發光 1極體的陣列層係分別設置在不同的基板,便可避免&有 機電致發光二極體在製造過程中所產生的問題,從而提高 了整體的產能。此外,透過不具有驅動了!^與開關TFT的2 晝素區域設於顯示區域的週緣,使得第一電極不與第二電 極電性連接’偽畫素區域更提供了第二電極遮罩製程的配
第23頁 1245580 五、發明說明(14) 向餘裕,從而改善了接觸品質與提高產能。 雖然本發明以前述之較佳實施例揭露如上,然其並非 用以限定本發明,任何熟習相像技藝者,在不脫離本發明 之精神和範圍内,當可作些許之更動與潤飾。因此本發明 之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定 者為準。
第24頁 1245580 圖式簡單說明 第1圖,係為傳統有機電致發光裝置的局部剖視示意圖; 第2圖,係為傳統有機電致發光裝置的陣列層平面示意 圖, 第3圖,係為傳統有機電致發光裝置的平面示意圖; 第4 A圖’係為第2圖中A I V a - I V a剖線切開之局部剖視圖; 第4B圖,係為第3圖中沿I Vb- I Vb剖線切開之局部剖視圖; 第5圖,係為本發明有機電致發光裝置之平面示音圖; 第6圖’係為第5圖中沿著VI-VI剖線剖開之局部:^圖; 第7A-7D圖’係為第2圖中沿著iva~iva剖線剖開之有機電
致發光裝置第一基板之畫素區域製造流程,藉以顯示本發 明畫素區域的製造流程; 第8A-8D圖,係為第5圖中沿著νΐΙΙ_νπι剖線剖開之有機 ,致發光裝置第一基板之偽晝素區域製造流程;以及 第9A-9C圖,為本發明有機電致發光裝置第二基板的製造 流程剖視圖。 【圖式符號說明】 1 0、99 12、1〇〇 14 15、 35a、1 1 2a 16、 202 18、206 20 、 208 22 有機電致發光裝置 第一基板 陣列層 電容電極 第一電極 有機電致發光層 第一電極 除濕劑
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第26頁 圖式簡單說明 25 固定咅P 26 ^ 300 封膠 28 ^ 200 第二基板 閘極線 34 資料線 35 電源線 36 開關閘極電極 38 驅動閘極電極 39 共同電極 39a 、 39b 共同接觸孔 40 開關活性層 42 驅動活性層 46 開關源極電極 48 驅動源極電極 50 開關汲極電極 52 、 122 驅動汲極電極 54、1 16 第一接觸孔 56、1 18 第二接觸孔 57 絕緣層 102 第一絕緣層 104 第一活性層 104a 通道區域 104b 源極區域 104c >及極區域 1245580
第27頁 圖式簡單說明 105 第二活性層 106 第二絕緣層 108 閘極電極 1 1 U 第三絕緣層 114 第四絕緣層 120 第三接觸孔 122 汲極電極 124 源極電極 126 墊部 130 第一連接電極 132 第二連接電極 135 第四接觸孔 136 第五接觸孔 138 第六接觸孔 203 輔助圖案 204 侧壁 2 0 6a 電洞傳輸層 2 0 6b 發光層 2 0 6 c 電子傳輸層 210 輔助電極 C 儲存區域 CST 儲存電容 D 驅動區域 E 資料塾區域 1245580 圖式簡單說明
第28頁

Claims (1)

1245580 六、申請專利範圍 1 . 一種有機電致發光裝置,其包括有: 相對應而分離設置之第一基板與第二基板’該專基 板均設有一顯示區域與一週緣區域,該顯示區域係設有複 數個畫素區域與一偽晝素區域; 複數個驅動薄膜電晶體,係分別設於該第一基板内 表面上各該晝素區域的相鄰處; 複數個第一連接電極’係分別連接至各該驅動薄膜 電晶體; 一第一電極,係設於該第二基板之整個内表面; · 一側壁,係設於該第一電極上各該晝素區域及該偽着. 晝素區域之週緣; - 一有機電致發光層,係設於該第一電極上; 複數個第二電極,係設置於該有機電致發光層上, 並分別對應各該晝素區域與該偽晝素區域,且對應於各該 畫素區域之該等第二電極係分別連接至該等第一連接電 極;以及 係用以結合該第一基板與該第二基板 封膠 人:〇 2 .如申凊專利範圍第1項所述之有機電致發光 ,盆 更包括有: 八τ 及 一墊部,係設於該第 一基板内表面之週緣區域
逆稷電極,係連接至該墊部 極係與該等第一連接電極設於同一層,且兮 的組成材料係與該等第一連接 "一連接電極 逆接電極的組成材料相同,其中
第29頁 1245580 申晴專利範圍 該第一電極係連接至該第二連接電極。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置’其中 該偽晝素區域之該第二電極係電性浮接。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置’其中 各该驅動薄膜電晶體係包括有一驅動活性層、一 動閘極 電極、一驅動汲極電極以及一驅動源極電極。
5 ·如申請專利範圍第2項所述之有機電致發光裝置’其中 各該驅動薄膜電晶體係包括有一驅動活性層、一驅動閘極 電極、一驅動沒極電極以及/驅動源極電極,且該墊部係 與該驅動源極電極以及該驅動 >及極電極具有相同的組成材 料0 6 ·如申請專利範圍第4項所述之有機電致發光裝置,其中 更包括有複數個開關薄膜電晶體、一閘極線與一資料線, 該等開關薄膜電晶體係連接i該等驅動薄膜電晶體,該閘 極線與該資料線則連接至該等開關薄膜電晶體,且各該開 關薄膜電晶體係包括有一開關活性層、一開關閘極電極、 一開關源極電極以及_開關;:及極電極。
7 ·如申請專利範圍第6項所述之有機電致發光裝置,其中 該驅動活性層與該開關活性層均包括有多晶石夕。 8 ·如申請專利範圍第6項所述之有機電致發光裝置,其中 該開關源極電極係連接至該資料線,該開關汲極電極係連 接至該驅動閘極電極,而該開關閘極電極則連接至該閘極 線。 9 ·如申请專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置,其中
第30頁 1245580 ------- 六、申請專利範圍 ' —~" ' 更包括有一雷、、 10 4/原線,係連接至該等驅動薄膜電晶體。 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置,其中 11 有^一儲存電容’係連接至該等驅動薄膜電晶體。 $ \ 〇申請專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置,其中 =第 電極係為一陽極,以注入電洞至該有機電致發光 曰 而该等第二電極則為陰極,以注入電子至該有機電致 發光層。 1 2 ·如申睛專利範圍第1 1項所述之有機電致發光裝置,其 中該第一電極係包括有氧化銦錫(I Τ0 )及氧化錮鋅 . (I Z0 )其中之一。 1 3·如申請專利範圍第11項所述之有機電致發光裝置,其 ’ 中該等第二電極係由詞、鋁及鎂其中之一所組成。 1 4·如申請專利範圍第2項所述之有機電致發光裝置,其中 更包括有一輔助電極,係設於該第一電極與該第二連接電 極之間,且該輔助電極包栝有與該第二電極相同之組成材 料。 1 5.如申請專利範圍第丨項所述之有機電致發光裝置,其中 該偽晝素區域係環設於該等畫素區域之週緣。 1 6 ·如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置,其中 更包括有一輔助絕緣層,係設置於該第一電極與該側壁之你 間。 17.—種有機電致發光裝置之製造方法,其包括有下列步 驟: 設置一第一基板,該第一基板係具有一顯示區域
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該顯示區域係包括有複數個晝素區域以及 與一週緣區域 一偽畫素區域
在各該晝素區域相鄰處分別設置一驅動薄膜電 、丨、•你設置複數個第一連接電極,各該第-連接電極係 分別連接至各該驅動薄膜電晶體; ’、 在一第二基板上設置一第一電極,該第二 具有一顯示區域與一週緣區域; 土板係 在4第電極上各該晝素區域及該偽書素區域 週緣設置一側壁; 一 L巧之
在該第一電極上設置一有機電致發光層; 々 在該有機電致發光層上設置複數個第二電極,各 該第二電極係分別對應各該畫素區域與該偽晝素區域· r 及 透過一封膠結合該第一基板與該第二基板,從而 使該第一連接電極與該第二電極相接觸。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項所述之有機電致發光裝置之製 造方法,其中更包括有下列步驟: &
在该弟一基板之週緣區域設置一塾部;以及 設置一連接至該墊部之第二連接電極,其中當該 第一基板與該第二基板相接合時,該第一電極係連接"至該 第一連接電極。 1 9 ·如申請專利範圍第1 7項所述之有機電致發光裝置之製 造方法,其中各該驅動薄膳電晶體係包括有一驅動活性
1245580 六、申請專利範圍 1 層、一驅動閘極電極、一驅動源極電極以及一驅動汲極電 極0 2 0 _如申請專利範圍第1 8項所述之有機電致發光裝置之製 造方法其中各該驅動薄膜電晶體係包括有一驅動活性 層、一驅動閘極電極、一驅動源極電極以及一驅動汲極電 極’且該塾部係與該驅動源極電極以及驅動汲極電極同 設置。 、 2 1 ·如申請專利範圍第丨9項所述之有機電致發光裝置之製 造方法其中更包括設置複數個分別連接至各該驅動薄膜 電晶體之開關薄膜電晶體,以及設置一閘極線與一資料 、線’該閘極線與該資料線係連接至該等開關薄膜電晶體, 其中各該開關薄膜電晶體係包括有一開關活性層、一開關 閘極電極、一開關源極電極以及一開關汲極電極。 2 2 ·如申請專利範圍第2 1項所述之有機電致發光裝置之製 造方法’其中該驅動活性層與該開關活性層均包括有多晶 石夕〇 2 3 ·如申請專利範圍第2 1項所述之有機電致發光裝置之製 造方法’其中該開關源極電極係連接至該資料線,該開關
>及極電極係連接至該驅動閘極電極,而該開關閘極電極則 連接至該閘極線。 2^ ·如申請專利範圍第丨7項所述之有機電致發光裝置之製 方去’其中更包括有設置一連接至該等驅動薄膜電晶體 之電源線。 2 5 ·如申請專利範圍第丨7項所述之有機電致發光裝置之製
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申請專利範圍 _ 之储存電容!7更包括有e又置連接至該等驅動薄膜電晶體 ^ ^ ^ ^ t ^ ^ ^ ^ ^ ^ t 機電致發先屏"弟電極係為一陽極,以注入電洞至該有 忒有機電致發光層。 电卞至 2 7 士 m 造、申1專利範圍第2 6項所述之有機電致發光裝置之製 π I去’其中該第一電極係包括有氧化銦錫(I TO )及氢 化銦鋅(IZ0 )其中之一。 及虱 2 δ 士 |.上 、止· °、甲睛專利範圍第2 6項所述之有機電致發光裝置之製 =方去’其中該等第二電極係由鈣、鋁及鎂其中之一所組 成0 、、 2 ^ ’如申睛專利範圍第1 8項所述之有機電致發光裝置之製 =方去’、其中更包括在該第一電極與該第二連接電極之間 口又置輔助電極,且該辅助電極與該第二電極係同時設 置‘。 2 ·如申請專利範圍第1 7項所述之有機電致發光裝置之製 造方法’其中該偽晝素區城係環設於該等晝素區域之週 緣。 一、 3 1 ·如申請專利範圍第1 7項戶斤述之有機電致發光裝置之製 造方法’其中更包括有在該第,電極與該側壁之間設置一 輔助絕緣層。 32· —種有機電致發光裝置之製造方法,其包括有下列步 驟:
34頁 1245580 六、申請專利範圍 在一第一基板上設置一第一絕緣層,該第一基板 具有一顯示區域與一週緣區域,該顯示區域則包括有複數 個晝素區域以及一偽晝素區域; 在°亥第一絕緣層上對應各該晝素區域設置一活性 層’ σ亥活〖生層係含有多晶石夕’並設有一源極區域與一汲極 區域; 在該活性層上設置一第二絕緣層; 在該第二絕緣層上設置一對應至該活性層之閘極 電極; 在該閘極電極上設置一第三絕緣層; 在該第三絕緣層上設置一第四絕緣層,該第四絕 緣層係設ί 一第一接觸孔與一第二接觸孔,該第一接觸孔 係用以暴路δ亥源極區域,而該第二接觸孔則用以暴露 極區域; 在忒第四絕緣層上設置一源極電極與一沒極電 U f極電極係透過該第一接觸孔連接至該源極區域, I汲極電極則透過該第二接觸孔連接至該汲極區域·, 芦,,極電極與該汲極電極上設置一第五絕緣 :;邊第五絕緣層係設有-第三接觸孔以暴露該沒極電 、車垃士在該第五絕緣層上設置一第一連接電極,咳第一 連接電極係透過該第三接觸孔連接至該沒極電極; 在一第二基板上設置一第一雷 具有一顯示區域與一週緣區域; °以苐一基板係
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— 六、申請專利範圍 在该第一電極上各該畫素區域與該偽晝素區域之 週緣設置一侧壁; 一 f该第—電極上設置/有機電致發光層; 一 為有機電致發光層上各該晝素區域内設置一第 ~電極;以及 > 〃透過一封膠以接合該第一基板與該第二基板,從 而使"亥第一連接電極與該第二電極相接觸。 3 f ·如申睛專利範圍第3 2項所述之有機電致發光裝置之製 造方法,其中該第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層、
第四纟巴緣層以及第五絕緣層係連續設置在該第一基板内表 面之偽晝素區域内。 3 4 ·如申請專利範圍第3 2項所述之有機電致發光裝置之製 造方法,其中更包括有下列步驟: 在该第四絕緣層上設置一墊部,該墊部係配置於 該週緣區域,其中設於該墊部上之第五絕緣層,係設有第 四接觸孔^第五接觸孔以暴露該墊部;以及 在該第五絕緣層上設置一第二連接電極,該第二 連接電極透過該第四接觸孔連接至該墊部,且當該第一基 板與3亥第二基板相接合時’該第二連接 &
思筏電極即與該第一電 極相觸接。
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Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7105999B2 (en) * 2002-07-05 2006-09-12 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
KR100500147B1 (ko) * 2002-12-31 2005-07-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100549984B1 (ko) * 2003-12-29 2006-02-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
DE102004031670B4 (de) * 2003-12-30 2011-08-18 Lg Display Co., Ltd. Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
KR100741968B1 (ko) 2004-11-23 2007-07-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
US7772763B2 (en) * 2004-12-02 2010-08-10 Lg Display Co., Ltd. Organic electro-luminescence display device comprising grid shaped auxiliary electrode
KR100606772B1 (ko) * 2004-12-02 2006-08-01 엘지전자 주식회사 유기 el 소자의 제조방법
CN102569342B (zh) 2004-12-06 2015-04-22 株式会社半导体能源研究所 显示装置
KR101096719B1 (ko) * 2004-12-30 2011-12-22 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계발광소자 및 그 제조방법
KR101189145B1 (ko) * 2005-06-10 2012-10-10 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100747275B1 (ko) * 2005-11-28 2007-08-07 엘지전자 주식회사 전계발광소자 및 그 제조방법
KR100761296B1 (ko) * 2006-03-17 2007-09-27 엘지전자 주식회사 발광 소자 및 이를 구동하는 방법
KR100759758B1 (ko) * 2006-04-11 2007-09-20 삼성전자주식회사 디스플레이장치 및 그 제조방법
KR100914784B1 (ko) 2006-05-17 2009-08-31 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자 및 그 제조방법
KR101384048B1 (ko) * 2006-06-20 2014-04-17 엘지디스플레이 주식회사 유기 광 발생 장치 및 이의 제조 공정
KR101281888B1 (ko) * 2006-06-30 2013-07-03 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101316635B1 (ko) * 2006-07-27 2013-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판의 제조 방법, 표시 기판 및 마스크
KR100722118B1 (ko) * 2006-09-04 2007-05-25 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시 장치
KR100854925B1 (ko) * 2006-12-21 2008-08-27 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자 및 그 제조방법
US7839083B2 (en) * 2007-02-08 2010-11-23 Seiko Epson Corporation Light emitting device and electronic apparatus
CN100448021C (zh) * 2007-08-13 2008-12-31 京东方科技集团股份有限公司 电致发光显示器件及其制造方法
KR100899428B1 (ko) 2008-01-28 2009-05-27 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법
US8022621B2 (en) * 2008-07-31 2011-09-20 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
CN101510394B (zh) * 2009-03-13 2011-12-28 深圳市元亨光电股份有限公司 Led显示屏像素虚拟显示的方法及装置
KR101394936B1 (ko) * 2009-11-06 2014-05-14 엘지디스플레이 주식회사 광차단층을 갖는 평판 표시 장치
US8614776B2 (en) * 2010-10-26 2013-12-24 Samsung Display Co., Ltd. Display panel, display apparatus having the same, method of manufacturing the same and method of cutting the same
US8988440B2 (en) 2011-03-15 2015-03-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Inactive dummy pixels
US20120249519A1 (en) * 2011-03-29 2012-10-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Dummy pixels made inactive
KR101971925B1 (ko) 2012-09-19 2019-08-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 유기 발광 표시 장치
KR101931248B1 (ko) * 2012-12-27 2019-03-13 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
KR102071007B1 (ko) * 2013-02-13 2020-01-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102214476B1 (ko) * 2014-03-17 2021-02-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102439506B1 (ko) * 2015-10-16 2022-09-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI840337B (zh) * 2017-11-30 2024-05-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示面板、顯示裝置、顯示模組、電子裝置及顯示面板的製造方法
KR102687709B1 (ko) * 2018-10-10 2024-07-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN209912874U (zh) * 2019-08-05 2020-01-07 北京京东方技术开发有限公司 显示基板、显示装置
CN115668343B (zh) * 2022-08-30 2023-09-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示设备

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0431299U (zh) 1990-07-06 1992-03-13
DE69635239T2 (de) 1995-11-21 2006-07-06 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristall-Anzeige
US6072450A (en) * 1996-11-28 2000-06-06 Casio Computer Co., Ltd. Display apparatus
KR100244447B1 (ko) 1997-04-03 2000-02-01 구본준 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법
US6175345B1 (en) 1997-06-02 2001-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof
JP3466876B2 (ja) 1997-06-16 2003-11-17 キヤノン株式会社 エレクトロ・ルミネセンス素子の製造法
US6215244B1 (en) 1997-06-16 2001-04-10 Canon Kabushiki Kaisha Stacked organic light emitting device with specific electrode arrangement
JP3731368B2 (ja) 1998-01-30 2006-01-05 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP2000082720A (ja) 1998-09-07 2000-03-21 Canon Inc 発光装置、露光装置及び画像形成装置
US6287899B1 (en) 1998-12-31 2001-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same
JP4588833B2 (ja) * 1999-04-07 2010-12-01 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置および電子機器
JP2001117509A (ja) 1999-10-14 2001-04-27 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機el表示装置
US6384427B1 (en) * 1999-10-29 2002-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
JP2001177509A (ja) 1999-12-16 2001-06-29 Oki Electric Ind Co Ltd クロック載せ換え方法及び装置
JP2001195009A (ja) * 2000-01-11 2001-07-19 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法
JP4434411B2 (ja) 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機el発光装置およびその製造方法
JP2001318624A (ja) 2000-02-29 2001-11-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置およびその作製方法
TW507258B (en) 2000-02-29 2002-10-21 Semiconductor Systems Corp Display device and method for fabricating the same
JP2001282123A (ja) 2000-03-30 2001-10-12 Toshiba Corp 表示装置およびその製造方法
JP3840926B2 (ja) 2000-07-07 2006-11-01 セイコーエプソン株式会社 有機el表示体及びその製造方法、並びに電子機器
JP2002050764A (ja) * 2000-08-02 2002-02-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ、アレイ基板、液晶表示装置、有機el表示装置およびその製造方法
JP3628997B2 (ja) 2000-11-27 2005-03-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
KR100365519B1 (ko) 2000-12-14 2002-12-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법
JP3758512B2 (ja) * 2001-03-02 2006-03-22 セイコーエプソン株式会社 電子機器
GB0107236D0 (en) 2001-03-22 2001-05-16 Microemissive Displays Ltd Method of creating an electroluminescent device
JP4431958B2 (ja) * 2001-06-01 2010-03-17 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタ及び電気光学装置
US6548961B2 (en) 2001-06-22 2003-04-15 International Business Machines Corporation Organic light emitting devices
US6949883B2 (en) * 2001-12-06 2005-09-27 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and an electronic apparatus
US6815903B2 (en) * 2001-12-11 2004-11-09 Seiko Epson Corporation Display device and electronic apparatus
JP4197233B2 (ja) * 2002-03-20 2008-12-17 株式会社日立製作所 表示装置
JP3901127B2 (ja) * 2002-06-07 2007-04-04 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
DE10357472B4 (de) * 2002-12-13 2010-05-12 Lg Display Co., Ltd. Organisches Doppeltafel-Elektrolumineszenzdisplay und Verfahren zu dessen Herstellung
KR100500147B1 (ko) 2002-12-31 2005-07-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100551131B1 (ko) 2003-03-07 2006-02-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법

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US20070054583A1 (en) 2007-03-08
US7311577B2 (en) 2007-12-25
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JP4113237B2 (ja) 2008-07-09
NL1025133C2 (nl) 2006-06-07

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