KR100747275B1 - 전계발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 제 1 기판 상에서 교차 배치된 제 1 및 제 2 전극 사이에 형성된 발광부와, 제 2 기판 상에 형성되어 구동부로부터 공급되는 데이터 신호와 스캔 신호를 각각 전술한 제 1 전극 또는 전술한 제 2 전극에 제공하는 제 1 및 제 2 배선부를 포함하는 배선부와, 전술한 제 1 및 제 2 전극과 전술한 제 1 및 제 2 배선부가 각각 연결되는 연결부를 포함하는 전계발광소자를 제공한다.
전계발광소자, 데이터 신호, 스캔 신호, 비발광 영역(Dead Space)
Description
도 1은 종래 기술의 일실시예에 따른 전계발광소자의 구조 단면도.
도 2는 종래 기술의 일실시예에 따른 전계발광소자의 평면도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전계발광소자의 구조분해 사시도.
도 4a 내지 도 4b는 도 3에 도시된 전계발광소자의 A영역의 부분확대 상태도.
도 4c는 도 3의 B영역의 부분확대도.
도 5는 도 3에 도시된 배선부 기판의 사시도.
도 6a 및 도 6b는 도 5의 구성을 따르는 본 발명의 제 2 실시예 및 제 3 실시예의 배선부 기판의 배선 패턴도.
도 7은 도 3에 도시된 발광부 기판과 배선부 기판의 합착 단면도.
도 8은 도 3에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전계발광소자의 사시도.
* 도면의 주요부호에 대한 설명 *
30 : 발광부 기판 32 : 제 1 기판
33 : 제 1 전극 34 : 발광부
35 : 오픈부 36 : 제 1 돌출부
37 : 제 2 전극 38 : 제 2 돌출부
40 : 격벽 42 : 픽셀
50 : 배선부 기판 52 : 제 2 기판
54 : 구동부 56 : 데이터 라인
58 : 스캔 라인 60 : 절연막
W1,W2,W3 : 비발광 영역(Dead Space)
본 발명은 배선 구조를 효율적으로 형성한 것을 특징으로 하는 전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
단, 이하 종래 기술 및 본 발명을 설명함에 있어, 전계발광소자의 발광층을 유기물로 형성한 경우로 예를 들어 설명할 것이다.
통상적으로, 유기전계발광소자(OLED; Organic Light Emitting Diodes)는 형광성 유기화합물을 전기적으로 여기시켜 발광시키는 자발광형 디스플레이에 응용된다. 이런 유기전계발광소자는 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 박형 등의 장점을 갖고있다. 또한, 유기전계발광소자는 광시야각과 빠른 응답속도 등 액정표시장치에 서 문제로 지적되는 단점을 해결할 수 있는 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.
유기전계발광소자는 서브픽셀을 구동하는 방식에 따라 패시브 매트릭스형 유기전계발광소자(Passive Matrix OLED, PMOLED)와 박막트랜지스터(TFT)를 이용하여 구동하는 방식인 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(Active Matrix OLED, AMOLED)로 구분할 수 있다.
이하 종래 기술의 일실시예에 따른 패시브 매트릭스형 유기전계발광소자(이하, 전계발광소자로 약칭함.)에 대하여 도시하여 설명한다. 단, 각 도를 도시 및 설명함에 있어, 동일 기능 구성요소에 대하여는 동일 부호를 부여하며, 설명의 흐름에 따라 중복되는 내용은 생략하기로 한다.
도 1은 종래 기술의 일실시예에 따른 전계발광소자(10)의 구조 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래 기술의 일실시예에 따른 전계발광소자(10)는 투명 기판(12) 상에 발광부(14)가 형성되어 있었고, 발광부(14)를 덮는 구조로 캐소드 전극(16)이 형성되어 있었다. 또한, 발광부(14) 및 캐소드 전극(16)의 수분 및 공기 등에 의한 산화, 열화 현상을 방지하기 위하여, 쉴드캡(18a)과 게터(18b, getter)로 구성된 보호부(18)가 실란트(S)로 투명 기판(12)상에 봉지되어 있었다.
이하, 전술한 바와 같은 전계발광소자(10)의 평면 구조를 도 2에 도시하여 구동 측면에서 상술한다.
도 2는 종래 기술의 일실시예에 따른 전계발광소자(10)의 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 투명 기판(12) 상에 제 1 전극과 발광층 및 제 2 전극으로 구성된 발광부(14)가 형성되어 있었고, 전계발광소자(10) 일측에는 구동부(20)가 구비되어 있었다. 또한, 구동부(20)로부터 전계발광소자(10)를 구동시키기 위한 데이터 및 스캔 신호를 전계발광소자에 공급하기 위해 스캔 라인(S)과 데이터 라인(D)이 각각 투명 기판(12)의 일측부 소정영역(W1,W2)에 형성되어 있었다.
전술한 전계발광소자(10)의 투명 기판(12) 상에 있어서, 스캔 라인(S) 및 데이터 라인(D)이 배치되는 소정영역(W1,W2)은 디스플레이의 비발광 영역(Dead Space)에 해당한다.
이상과 같은 구조의 종래 전계발광소자를 구동 측면에서 보면 다음과 같은 문제점이 있었다.
전술한 전계발광소자는 대면적화시 신호 전달을 위해 더 많은 스캔 라인 및 데이터 라인이 구비되어야 하므로, 비발광 영역이 커지게 되었다.
또한, 경박단소를 지향하는 제품군에 소자를 적용시 비발광 영역이 공정의 큰 한계로 작용하였다.
따라서, 비발광 영역을 줄이기 위해 전계발광소자에 데이터 및 스캔 신호와 같은 전기 신호를 전달하는 배선 간의 간격을 조절할 필요가 있었다. 그러나, 배선 간의 간격이 너무 좁아지면, 각 배선의 상호 간 절연문제가 있었고, 또한 각 배선 간의 신호 간섭에 의해 전달 신호의 약화 및 방해 작용을 초래하여 그에 따른 소자의 응답속도 저하 및 디스플레이의 효율저하와 오작동을 초래하였다.
따라서, 종래 전계발광소자는 배선설계에 따른 공정상 한계가 있었고, 그 적 용되는 제품군에 있어서, 예를 들어 휴대폰과 같이 경박단소의 특성을 지향하는 제품의 트랜드에 역행하므로, 소자의 제품 적용 면에서 큰 단점으로 작용하였다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 전계발광소자의 배선 구조를 효율적으로 개선하여 비발광 영역(Dead Space)을 줄임으로써 종래 기술의 공정상 한계와 소자의 제품 적용 면에서의 단점을 극복하는 데 그 목적이 있다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은 제 1 기판 상에서 교차 배치된 제 1 및 제 2 전극 사이에 형성된 발광부와, 제 2 기판 상에 형성되어 구동부로부터 공급되는 데이터 신호와 스캔 신호를 각각 전술한 제 1 전극 또는 전술한 제 2 전극에 제공하는 제 1 및 제 2 배선부를 포함하는 배선부와, 전술한 제 1 및 제 2 전극과 전술한 제 1 및 제 2 배선부가 각각 연결되는 연결부를 포함하는 전계발광소자를 제공한다.
전술한 연결부는 전술한 제 1 전극과 전술한 제 2 전극의 양단 중 어느 한편 또는 양편에 각각 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 연결부는 돌출 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 연결부는 정테이퍼형인 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 연결부는 격벽에 의해 구분되는 것을 특징으로 한다.
전술한 연결부는 절연층으로 형성되되 그 절연층 상에 도전성 물질이 도포된 것을 특징으로 한다.
한편, 전술한 제 2 배선부는 전술한 제 2 기판의 대향하는 양측부에 각각 배치되되 홀수-짝수 교번 타입(Odd-Even Type)으로 구분 형성되고, 전술한 제 1 배선부는 전술한 제 2 기판에서 전술한 제 2 배선부가 배치된 측부와 연한 상호 간 대향하는 양 측부 중 어느 한편 또는 양편에 형성된 것을 특징으로 한다.
다른 측면에서, 전술한 제 2 배선부는 전술한 제 2 기판의 대향하는 양측부에 각각 배치되되 하프 타입(Half Type)으로 구분 형성되고, 전술한 제 1 배선부는 전술한 제 2 기판에서 전술한 제 2 배선부가 배치된 측부와 연한 상호 간 대향하는 양 측부 중 어느 한편 또는 양편에 형성된 것을 특징으로 한다.
전술한 발광부는 유기물로 형성된 것을 특징으로 한다.
다른 측면에서, 본 발명은 제 1 기판 상에 제 1 및 제 2 전극을 교차 배치하되 전술한 제 1 및 제 2 전극 사이에 발광부를 형성하는 발광부 형성단계와, 제 2 기판 상에 구동부로부터 공급되는 데이터 신호와 스캔 신호가 각각 전술한 제 1 전극 또는 전술한 제 2 전극에 전달되도록 제 1 및 제 2 배선부를 형성하는 배선부 형성단계와, 전술한 제 1 및 제 2 전극과 전술한 제 1 및 제 2 배선부를 전기적으로 연결시키는 연결부를 형성하는 연결부 형성단계를 포함하는 전계발광소자의 제조방법을 제공한다.
전술한 연결부 형성단계는 전술한 제 1 전극과 전술한 제 2 전극의 양단 중 어느 한편 또는 양편에 각각 연결부를 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 연결부 형성단계는 전술한 연결부를 돌출 형성시키는 것을 특 징으로 한다.
또한, 전술한 연결부 형성단계는 전술한 연결부를 정테이퍼형으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 연결부 형성단계는 전술한 연결부를 격벽에 의해 구분되도록 형성하는 것을 특징으로 한다.
전술한 연결부 형성단계는 전술한 연결부를 절연층으로 형성하되 그 절연층 상에 도전성 물질을 도포하는 것을 특징으로 한다.
한편, 전술한 배선부 형성단계는 전술한 제 2 배선부를 전술한 제 2 기판의 대향하는 양측부에 각각 배치하되 홀수-짝수 교번 타입(Odd-Even Type)으로 구분 형성하고, 전술한 제 1 배선부를 상기 제 2 기판에서 상기 제 2 배선부를 배치한 측부와 연한 상호 간 대향하는 양 측부 중 어느 한편 또는 양편에 형성한 것을 특징으로 한다.
다른 측면에서, 전술한 배선부 형성단계는 전술한 제 2 배선부를 전술한 제 2 기판의 대향하는 양측부에 각각 배치하되 하프 타입(Half Type)으로 구분 형성하고, 전술한 제 1 배선부를 전술한 제 2 기판에서 전술한 제 2 배선부를 배치한 측부와 연한 상호 간 대향하는 양 측부 중 어느 한편 또는 양편에 형성한 것을 특징으로 한다.
전술한 발광부 형성단계는 전술한 발광부를 유기물로 형성하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 따른 패시브 매트릭스형 유기전계발광소자(이하, 전계발광소자로 약칭함.)에 대하여 도시하여 설명하였으며, 동일한 기능 요소에 대하여는 동일한 부호를 부여하여 설명의 용이성을 도모하였다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 전계발광소자의 구조분해 사시도이다.
단, 도 3을 도시함에 있어, 이해를 용이하게 하고 직관성을 향상시키기 위해 구조를 간략화하고, 특징이 되는 부분에 초점을 맞추어 도시하였다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전계발광소자는 패널을 구성하는 발광부 기판(30)과 배선부 기판(50)으로 구분되어 있다. 이를 구조적 측면에서 상술하면 다음과 같다.
발광부 기판(30)은 제 1 기판(32) 상에 R,G,B 픽셀들로 구성되는 발광부(34) 및 전술한 발광부(34)에 전기적으로 연결되는 제 1 및 제 2 돌출부(36,38)가 형성되어 있다.
또한, 전술한 제 1 및 제 2 돌출부(36,38)는 격벽(40)에 의해 상호 간 구분되어 있다.
또한, 전술한 발광부(34)와 제 1 및 제 2 돌출부(36,38), 격벽(40)의 구성 영역은 제 1 기판(32)이 제 2 기판(52)과 대응되어 합착될 때 실란트에 의해 봉지되는 실링 영역(S)에 의해 구분되어 있다.
전술한 발광부 기판(30)에 대응되어 전기적으로 연결되는 배선부 기판(50)은 제 2 기판(52) 상 일측부에 구동부(54)가 구비되어 있고, 전술한 구동부(54)로부터 데이터 신호를 소자에 공급하는 데이터 라인(56)과 스캔 신호를 소자에 공급하는 스캔 라인(58)이 배치되어 있다.
전술한 데이터 라인(56) 및 스캔 라인(58)은 전술한 제 1 기판(32) 상의 제 1 및 제 2 돌출부(36,38)와 대응되어 접촉되는 소정 영역만 노출되도록 덮는 구조로 절연막(60)이 형성되어 있다.
또한, 전술한 데이터 라인(56) 및 스캔 라인(58)을 포함하는 배선부 형성영역은 제 1 기판(32)과 제 2 기판(52)이 대응되어 합착될 때 실란트에 의해 봉지되는 실링 영역(S)에 의해 구분되어 있다.
이하, 전술한 발광부 기판(30)의 구조를 공정 및 구동 측면에서 상술한다.
도 4a 내지 도 4b는 도 3의 A영역의 부분확대 상태도이다.
단, 도 4a 내지 도 4c를 도시함에 있어, 이해도 및 직관성을 향상시키기 위해 구성을 간략화하고, 일부 생략하여 특징부만을 도시하였다.
도 4a를 참조하면, 제 1 기판(32) 상에 제 1 전극(33)이 스트라이프 타입으로 패터닝되고, 전술한 제 1 전극(33)이 노출되는 오픈부(35)를 갖도록 절연층이 형성된다.
이어서, 전술한 절연층의 오픈부(35)가 구분되며, 전술한 제 1 전극과 교차하도록 격벽(40)이 형성된다. 전술한 절연층의 오픈부(35)에는 선택적으로 발광층이 적층되고, 그 위에 제 2 전극(37)이 적층된다.
전술한 발광층 및 제 2 전극(37)의 적층과정은 예를 들어, 포토리소그라피 (PhotoLithography), 또는 프린팅(screening printing, inkjet printing, contact printing), 또는 몰딩(Molding) 중 어느 하나의 방법에 의해 이루어진다.
이상과 같은 공정 순에 따라서, 제 1 기판(32) 상에는 R,G,B 서브 픽셀들로 구성되는 픽셀(42)이 형성된다.
또한, 제 1 기판(32) 상에 있어서 전술한 픽셀(42)들의 형성영역으로 구분되는 발광영역과 근접한 기판의 소정 영역에 제 1 돌출부(36)가 형성된다.
이때, 제 1 돌출부(36)는 정테이퍼형으로 형성되며, 이러한 구조는 제 1 돌출부(36) 상호 간의 절연성을 향상시킨다.
계속해서 도 4b를 참조하면, 전술한 발광영역의 픽셀(42)들과 제 1 돌출부(36)가 전기적으로 연결되도록 예를 들어, Al 또는 AlNd 등과 같은 도전성 물질이 도포되어 도전막(M)이 형성된다. 이와 같이 도전성 물질로 도포된 제 1 돌출부(36)는 전술한 도 3 상의 제 2 기판(52)에 배치된 데이터 라인(56)의 노출부와 대응되도록 접촉되어 전기적으로 연결된다.
도 4c는 도 3의 B영역의 부분확대도이다.
도 4c를 참조하면, 전술한 제 1 돌출부(36) 및 픽셀(42)과의 전기적 연결구조와 동일한 구조 및 구성을 따라, 전술한 R,G,B 서브 픽셀들과 각각 전기적으로 연결되고, 전술한 도 3 상의 제 2 기판(52)에 배치된 스캔 라인(58)의 노출부와 대응되도록 접촉되어 전기적으로 연결되는 제 2 돌출부(38)가 정테이퍼형으로 형성된다.
도 5는 도 3에 도시된 배선부 기판(52)의 사시도이다.
도 5를 참조하면, 제 2 기판(52) 상 일측부에 COG(Chip on Glass) 타입으로 구동부(54)가 형성되어 있다. 또한, 구동부(54)로부터 전술한 제 1 기판(32) 상의 픽셀(42)에 각각 데이터 신호와 스캔 신호를 공급하기 위한 데이터 라인(56)과 스캔 라인(58)이 배치된다. 이때, 데이터 라인(56)과 스캔 라인(58)이 전술한 제 1 기판(32) 상의 제 1 및 제 2 돌출부(36,38)와 접촉되는 소정 영역(C)만 노출되도록 절연막(60)이 형성된다.
이상과 같은 구조의 배선부 기판(52)은 그 배선을 패턴 형성함에 있어서, 배선 형성영역을 기판 전체에 구분 적용함으로써 종래 기술과 상대적으로 충분한 공간이 확보됨에 따라 설계의 자유도가 매우 커지고, 그 효율성 또한 크게 향상된다.
도 6a 및 도 6b는 도 5의 구성을 따르는 본 발명의 제 2 실시예 및 제 3 실시예의 배선부 기판의 배선 패턴도이다.
단, 도 6a 및 도 6b를 도시함에 있어, 도의 직관성 및 이해의 용이성을 도모하기 위해 간략화하여 특징부에 초점을 맞추어 도시하도록 한다. 따라서, 배선의 개수는 중요하지 않고, 배치된 유형에 따라 구별되게 이해되어야 할 것이다.
또한, 도 6a 및 도 6b는 도 5의 구성을 동일하게 따르므로, 동일한 기능 요소에는 동일 부호를 부여하였다.
도 6a를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예로, 제 2 기판(52) 상에 상호 간 대향하는 측부에 그 말단부가 배치되도록 스캔 라인(56)이 배치되되, 각 스캔 라인(56)이 제 2 기판(52)의 대향하는 양측부로 교번하여 형성되는 홀수-짝수 교번 타입(Odd-Even Type)인 것을 특징으로 한다.
전술한 홀수-짝수 교번 타입의 경우, 스캔 라인(56)이 기판의 일측 일방향으로 형성된 경우에 비하여, 신호에 대한 소자의 반응시간이 상대적으로 크게 단축되는 장점이 있다.
도 6b를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예로, 제 2 기판(52) 상에 상호 간 대향하는 측부에 그 말단부가 배치되도록 스캔 라인(56)이 배치되되, 도시한 바와 같이 제 2 기판(52) 상의 하프 라인을 기준으로, 예를 들어 좌측부에 절반의 스캔 라인(56)이 배치되고, 나머지 절반의 스캔 라인(56)이 우측부에 배치되는 하프 타입(Half Type)인 것을 특징으로 한다.
이상과 같이 배치된 스캔 라인(56)은 전술한 제 1 기판(32) 상의 제 1 돌출부(36)와 접촉하며, 스캔 신호를 전달하게 된다.
도 7은 도 3에 도시된 발광부 기판(30)과 배선부 기판(50)의 합착 단면도이다.
도 7을 참조하면, 전술한 발광부 기판(30)과 배선부 기판(50)이 합착된 상태로, 제 1 기판(32) 상 픽셀이 구비된 발광 영역(E)에 전술한 픽셀을 구분하도록 격벽(40)이 형성되어 있고, 격벽(40)과 인접한 제 1 기판(32)의 양측 말단부에 제 1 돌출부(36)가 형성되어 있으며, 전술한 발광 영역(E) 및 제 1 돌출부(36)가 전기적으로 연결되도록 도전성 물질인 Al으로 도전층이 도포 형성되어 있다.
이어서, 제 2 기판(52) 상에 배치된 데이터 라인(56) 및 스캔 라인(58)을 포함하는 배선부(L)에 있어서, 전술한 제 1 돌출부(36) 및 제 2 돌출부(38)와 접촉하는 소정 영역만 노출되도록 절연막(60)이 형성되며, 이러한 구조의 배선부 기판(50)이 전술한 발광부 기판(30)과 합착되도록 제 1 및 제 2 기판(32,52)이 실링층(S)에 의해 봉지되어 있다.
전술한 제 1 및 제 2 기판(32,52)은 상호 간 합착되어 봉지될 때, 제 1 및 제 2 돌출부(36,38)와 데이터 라인(56) 및 스캔 라인(58)의 접촉부분의 보다 효율적인 전기적 접촉을 위해 레이져 웰딩(Laser Welding)으로 용접될 수 있다.
이상과 같은 구조는 진공 합착에 의해 형성되므로, 종래 기술의 게터가 필요없는 구조가 되어 패널을 더욱 경박화할 수 있는 장점이 있다.
도 8은 도 3에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전계발광소자의 사시도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 도 1 및 도 2 상에 도시된 종래 기술에서의 단점이었던 비발광 영역(W1,W2 ; Dead Space)이 배선부 기판(50) 상으로 이전됨으로써, 발광부 기판(30)과 배선부 기판(50)의 전기적 접촉을 위한 최소한의 영역(W3)으로 축소된다.
따라서, 전술한 바와 같은 구조로 형성되는 본 발명은 종래 기술에서 가장 큰 문제점이었던, 비발광 영역(W1,W2 ; Dead Space)을 획기적으로 축소하여 소기 목적을 달성할 수 있다.
이상 본 발명에서는 제 1 돌출부를 제 1 기판 상 마주보는 양측 말단부에 형성한 것으로 설명하였으나 본 발명은 이에 국한되지 않으며, 제 1 돌출부는 일측 말단부에 모두 형성될 수 있다.
또한, 이상 본 발명에서는 제 1 돌출부를 제 1 기판 상 마주보는 양측 말단부에 똑같은 패턴으로 형성된 것으로 도시 설명하였으나, 본 발명은 이에 국한되지 않으며, 제 1 돌출부는 홀수-짝수 교번 타입 또는 하프 타입 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
또한, 이상 본 발명에서는 제 2 돌출부를 제 1 기판 상에서 제 2 기판의 구동부와 가까운 측부에 형성된 것으로 도시 설명하였으나, 그 형성 위치는 전술한 바에 국한되지 않는다.
또한, 이상 본 발명에서는 구동부를 COG타입으로 형성한 것으로 설명하였으나, 구동부의 구조는 이에 한정되지 않는다.
이상 종래 기술 및 본 발명을 설명함에 있어, 발광부에 유기물 발광층을 채택 적용한 유기전계발광소자의 경우로 예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 국한되지 않으며, 발광부에 유기물뿐만 아니라 무기물 또한 이용 가능한 전계발광소자(LED)의 범주로 이해하여야 한다.
이상 일실시예를 들어 본 발명에 대하여 서술하였으나, 본 발명의 범위는 전술한 상세 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고, 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
위에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 발광부의 형성영역과 구동부 및 배선부의 형성영역을 대응 합착되는 두 개의 기판으로 분리 배치함으로써, 종래의 비발광 영역(Dead Space)을 획기적으로 감소시킬 수 있다.
또한, 공정의 비용 및 소요시간을 단축시키며, 수율을 향상시킬 수 있다.
궁극적으로 본 발명은 종래 공정상의 한계 및 소자의 제품 응용의 한계를 극복할 수 있다.
Claims (20)
- 제 1 기판 상에서 교차 배치된 제 1 및 제 2 전극 사이에 형성된 발광부와;제 2 기판 상에 형성되어 구동부로부터 공급되는 데이터 신호와 스캔 신호를 각각 상기 제 1 전극 또는 상기 제 2 전극에 제공하는 제 1 및 제 2 배선부를 포함하는 배선부와;상기 제 1 및 제 2 전극과 상기 제 1 및 제 2 배선부가 각각 연결되는 연결부를 포함하며,상기 연결부는 돌출 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 연결부는 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극의 양단 중 어느 한편 또는 양편에 각각 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 연결부는 정테이퍼형인 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 연결부는 격벽에 의해 구분되는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 4항 또는 제 5항에 있어서,상기 연결부는 절연층으로 형성되되 그 절연층 상에 도전성 물질이 도포된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 6항에 있어서,상기 제 2 배선부는 상기 제 2 기판의 대향하는 양측부에 각각 배치되되 홀수-짝수 교번 타입(Odd-Even Type)으로 구분 형성되고, 상기 제 1 배선부는 상기 제 2 기판에서 상기 제 2 배선부가 배치된 측부와 연한 상호 간 대향하는 양 측부 중 어느 한편 또는 양편에 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 6항에 있어서,상기 제 2 배선부는 상기 제 2 기판의 대향하는 양측부에 각각 배치되되 하프 타입(Half Type)으로 구분 형성되고, 상기 제 1 배선부는 상기 제 2 기판에서 상기 제 2 배선부가 배치된 측부와 연한 상호 간 대향하는 양 측부 중 어느 한편 또는 양편에 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 7항에 있어서,상기 발광부는 유기물로 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 8항에 있어서,상기 발광부는 유기물로 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 1 기판 상에 제 1 및 제 2 전극을 교차 배치하되 상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 발광부를 형성하는 발광부 형성단계와;제 2 기판 상에 구동부로부터 공급되는 데이터 신호와 스캔 신호가 각각 상기 제 1 전극 또는 상기 제 2 전극에 전달되도록 제 1 및 제 2 배선부를 형성하는 배선부 형성단계와;상기 제 1 및 제 2 전극과 상기 제 1 및 제 2 배선부를 전기적으로 연결시키는 연결부를 형성하는 연결부 형성단계를 포함하는 전계발광소자의 제조방법.
- 제 11항에 있어서,상기 연결부 형성단계는 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극의 양단 중 어느 한편 또는 양편에 각각 연결부를 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
- 제 12항에 있어서,상기 연결부 형성단계는 상기 연결부를 돌출 형성시키는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
- 제 13항에 있어서,상기 연결부 형성단계는 상기 연결부를 정테이퍼형으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
- 제 13항에 있어서,상기 연결부 형성단계는 상기 연결부를 격벽에 의해 구분되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
- 제 13항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 연결부 형성단계는 상기 연결부를 절연층으로 형성하되 그 절연층 상에 도전성 물질을 도포하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
- 제 16항에 있어서,상기 배선부 형성단계는 상기 제 2 배선부를 상기 제 2 기판의 대향하는 양측부에 각각 배치하되 홀수-짝수 교번 타입(Odd-Even Type)으로 구분 형성하고, 상기 제 1 배선부를 상기 제 2 기판에서 상기 제 2 배선부를 배치한 측부와 연한 상호 간 대향하는 양 측부 중 어느 한편 또는 양편에 형성한 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
- 제 16항에 있어서,상기 배선부 형성단계는 상기 제 2 배선부를 상기 제 2 기판의 대향하는 양측부에 각각 배치하되 하프 타입(Half Type)으로 구분 형성하고, 상기 제 1 배선부를 상기 제 2 기판에서 상기 제 2 배선부를 배치한 측부와 연한 상호 간 대향하는 양 측부 중 어느 한편 또는 양편에 형성한 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
- 제 17항에 있어서,상기 발광부 형성단계는 상기 발광부를 유기물로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
- 제 18항에 있어서,상기 발광부 형성단계는 상기 발광부를 유기물로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
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