KR101294845B1 - 전계발광소자와 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전계발광소자와 그 제조방법에 관한 것이다.

본 발명에 따른 전계발광소자는, 기판; 기판 상에 정의된 하나의 화소 내에 형성된 제1 및 제2구동소자; 제1구동소자의 상부에 형성되며 제1구동소자와 전기적으로 연결되어 발광하는 제1발광부; 및 제1발광부의 상부에 형성되고 제2구동소자의 상부에 형성된 콘택홀을 통해 제2구동소자와 전기적으로 연결되어 발광하는 제2발광부를 포함한다.

전계발광소자, 양면발광, 구동소자

Description

전계발광소자와 그 제조방법{Light Emitting Diode and Method for Manufacturing the same}

도 1과 도 2는 종래의 양면 발광형 유기전계발광소자의 구조를 나타낸 도면.

도 3은 본 발명에 따른 전계발광소자를 개략적으로 나타낸 도면.

도 4는 본 발명에 따른 전계발광소자의 제조방법을 나타낸 공정 흐름도.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>

310: 기판 311: 절연막 또는 평탄화막

312: 제1전극 314: 제1구동소자

316: 제1발광부 317: 실란트

318: 공통전극 320: 캡

324: 제2구동소자 325: 절연막

326: 제2발광부 328: 제2전극

본 발명은 전계발광소자와 그 제조방법에 관한 것이다.

유기전계발광소자는 전자(electron) 주입전극(cathode)과 정공(hole) 주입전 극(anode)으로부터 각각 전자와 정공을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자와 정공이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다.

이러한, 유기전계발광소자는 구동방식에 따라 수동매트릭스형 유기전계발광소자(Passive Matrix Organic Light Emitting Diode: PMOLED)와 능동매트릭스형 유기전계발광소자(Active Matrix Organic Light Emitting Diode : AMOLED)로 구분된다.

일반적으로, 능동매트릭스형 유기전계발광소자는 높은 발광효율과 고화질을 제공할 수 있는 장점이 있고, 화소를 독립적으로 구동하기 위한 스위칭 소자로서 박막트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)를 이용한다.

이러한, 유기전계발광소자는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 및 양면발광(Dual-Emission) 방식이 있다.

여기서, 양면에서 화상 구현이 가능한 양면발광형 유기전계발광소자에는 연구되어야 할 과제가 많은바 이하에서는 이러한 양면발광형 유기전계발광소자의 종래 기술에 대한 문제를 설명한다.

도 1과 도 2는 종래의 양면 발광형 유기전계발광소자의 구조를 나타낸 도면이다.

도시된 종래 유기전계발광소자는(100)는, 하부 발광형 발광소자를 접착시켜 양면 디스플레이가 가능하도록 제작된 것이다.

이와 같은 발광소자는, 제1 및 제2기판(110, 140) 상에 폴리실리콘 층을 형성시키고, 그 상부에 게이트전극을 형성시킨 후 게이트전극 상에 소스/드레인영역이 형성되어 있다. 게이트전극은 게이트절연막에 의해 절연되어 있다. 게이트절연막에 형성되어 있는 홀에 소스/드레인전극이 형성되어 제1 및 제2기판(110, 140) 상에는 구동소자(114, 144)가 형성되게 된다. 여기서, 구동소자(114, 144)의 상부에는 패시배이션막 또는 평탄막이 형성되기도 한다.

구동소자(114, 144)의 상부에 형성되어 구동소자(114, 144)의 구동에 의해 발광되는 유기발광부(116, 146)는 소스/드레인전극과 전기적으로 연결된 제1전극(112, 142) 상부에 차례대로 유기발광부(116, 146)와 제2전극(118, 148)이 형성되어 있다. 일반적으로, 제1전극(112, 142)은 애노드전극이 되고, 제2전극(118, 148)은 캐소드전극이 된다.

유기발광부(116, 146)에는, 정공의 주입을 원활하게 하기 위해 정공주입층(hole injection layer)과 주입된 정공을 발광층으로 수송하는 정공수송층(hole transport layer)을 이루는 하부공통막이 애노드전극 상에 형성되어 있다.

또한, 유기발광부(116, 146)에는 전자의 주입을 원활하게 하기 위해 전자주입층(electron injection layer)과 주입된 전자를 발광층으로 수송하는 전자수송층(electron transport layer)을 이루는 상부공통막이 캐소드전극 상에 형성되어 있다. 여기서, 하부공통막과 상부공통막 사이에는 애노드전극과 캐소드전극에 의해 공급된 정공과 전자의 재결합이 이루어지면서 빛이 발광하는 발광층(emitting layer)을 포함하는 구조로 형성되어 있다.

한편, 위와 같은 유기전계발광소자(100)는, 실란트(117, 147)를 사용하여 글라스 캡 재질의 제3 및 제4기판(120, 150)을 소자에 부착하여 인캡슐레이션 시킨다. 이때 내부에는 게터(119, 149)가 부착되어 외부로부터 침투된 수분이나 산소를 흡습하게 된다.

현재 휴대폰에 채택되는 디스플레이의 경우 서브 패널(sub panel) 및 메인 패널(main panel)으로 나뉘어져 있고, 도 1에 나타낸 바와 같은 하부 발광형 발광소자 두 개를 각각 따로 만든 후 모듈 킷(module kit)에 끼워 휴대폰에 장착하게 된다.

이와 같은 경우, 두 개의 발광소자를 각각 제조하여 발광면이 서로 반대가 되도록 부착하여 휴대폰에 장착할 수밖에 없고, 모듈의 두께가 두꺼워진다는 문제점이 발생한다.

도 2는 또 다른 종래의 양면 발광형 유기전계발광소자의 구조를 나타낸 도면으로, 제1 및 제2기판(210, 220) 상에 폴리실리콘 층을 형성시키고, 그 상부에 게이트전극을 형성시킨 후 게이트전극 상에 소스/드레인영역이 형성되어 있다. 게이트전극은 게이트절연막에 의해 절연되어 있다. 게이트절연막에 형성되어 있는 홀에 소스/드레인전극이 형성되어 제1 및 제2기판(210, 220) 상에는 구동소자(214, 244)가 형성되게 된다. 여기서, 구동소자(214, 244)의 상부에는 패시배이션막 또는 평탄막이 형성되기도 한다.

구동소자(214, 244)의 상부에 형성되어 구동소자(214, 244)의 구동에 의해 발광되는 유기발광부(216, 226)는 소스/드레인전극과 전기적으로 연결된 제1전극 (212, 222) 상부에 차례대로 유기발광부(216, 226)와 제2전극(218, 228)이 형성되어 있다. 일반적으로, 제1전극(212, 222)은 애노드전극이 되고, 제2전극(218, 228)은 캐소드전극이 된다.

유기발광부(216, 226)에는, 정공의 주입을 원활하게 하기 위해 정공주입층(hole injection layer)과 주입된 정공을 발광층으로 수송하는 정공수송층(hole transport layer)을 이루는 하부공통막이 애노드전극 상에 형성되어 있다.

또한, 유기발광부(216, 226)에는 전자의 주입을 원활하게 하기 위해 전자주입층(electron injection layer)과 주입된 전자를 발광층으로 수송하는 전자수송층(electron transport layer)을 이루는 상부공통막이 캐소드전극 상에 형성되어 있다. 여기서, 하부공통막과 상부공통막 사이에는 애노드전극과 캐소드전극에 의해 공급된 정공과 전자의 재결합이 이루어지면서 빛이 발광하는 발광층(emitting layer)을 포함하는 구조로 형성되어 있다.

한편, 위와 같은 유기전계발광소자(200)는, 실란트(217)를 사용하여 제1 및 제2기판(210, 220)을 인캡슐레이션 시킨다.

이와 같은 구조는 두 개의 소자를 각각 제조하여 발광면이 서로 반대가 되도록 실란트(217)를 사용하여 부착하여 양면 발광형 유기전계발광소자를 완성하게 된다.

그러나 도 2에 나타낸 양면 발광형 유기전계발광소자(200)도 각각 제조된 발광소자를 인캡슐레이션 하는 단계를 생략하는 것을 제외하고는 도 1의 경우와 마찬가지로 각각 두 개의 발광소자를 만들어야 한다는 한계점이 있었다.

따라서 공정이 단축되고 소요 비용이 적으며 두께가 얇은 양면 발광형 유기전계발광소자는 구조적인 연구개발이 절실하였다.

덧붙여, 위와 같은 종래 양면 발광형 유기전계발광소자의 경우, 하부 발광형은 구동부인 박막트랜지스터에 의해 하부의 개구율이 제한되지만, 상부 발광형은 이러한 제한이 없다.

그러나 상부 발광부와 하부 발광부를 분리 배치함으로써 하나의 화소 내의 면적이 두 부분으로 분리되어 한 방향의 발광 측면을 보면 충분한 개구 면적을 확보하지 못하는 구조로 설계되어 효율 및 휘도 측면에서 많은 문제가 제기되었다.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 정의된 하나의 화소 내의 양쪽 끝에 두 개의 구동 박막트랜지스터를 형성하고, 두 개의 발광부를 동일 평면상에 수직 적층하여 양면발광할 수 있도록 한다. 이에 따라, 개구 면적과 휘도를 향상시킬 수 있게 된다.

상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 전계발광소자는, 기판; 기판 상에 정의된 하나의 화소 내에 형성된 제1 및 제2구동소자; 제1구동소자의 상부에 형성되며 제1구동소자와 전기적으로 연결되어 발광하는 제1발광부; 및 제1발광부의 상부에 형성되고 제2구동소자의 상부에 형성된 콘택홀을 통해 제2구동소자와 전기적으로 연결되어 발광하는 제2발광부를 포함한다.

여기서, 제1 및 제2구동소자는 하나의 화소 내의 양쪽 끝에 형성된 것이다.

여기서, 제1발광부는 기판의 하부쪽으로 발광하고, 제2발광부는 기판의 상부쪽으로 발광하며, 제1 및 제2발광부는 동일한 개구율을 갖는 것이다.

여기서, 제1구동소자의 소스 또는 드레인 전극에 연결되도록 제1구동소자의 상부에 제1전극이 형성되며 제1전극 상부에 제1발광부가 형성되어 있고, 제1발광부의 상부에 공통전극이 형성되어 있는 것이다.

여기서, 제2구동소자의 소스 또는 드레인 전극 상부에 형성된 콘택홀을 통해 연결되도록 제2구동소자의 상부에 제2전극이 형성되며 제2전극 하부에 제2발광부가 형성되어 있는 것이다.

여기서, 제1 및 제2전극은 애노드전극이고 공통전극은 캐소드전극이다.

여기서, 제1 및 제2발광부가 각각 분리 형성되도록 제1 및 제2구동소자의 상부에 절연막이 추가로 더 형성된 것이다.

여기서, 제1 및 제2발광부의 발광층은 유기물로 형성된 것이다.

한편, 본 발명에 따른 전계발광소자의 제조방법은, 기판 상에 정의된 하나의 화소 내에 제1 및 제2구동소자를 형성하는 구동소자 형성단계; 제1구동소자의 상부에 콘택홀을 갖는 제1절연막을 형성하고 콘택홀을 통해 제1구동소자와 전기적으로 연결되도록 제1발광부를 형성하는 제1발광부 형성단계; 및 제1발광부의 상부에 공통전극을 형성하고 제2구동소자의 상부에 콘택홀을 갖는 제2절연막을 형성하고 콘택홀을 통해 제2구동소자와 전기적으로 연결되도록 제2발광부를 형성하는 제2발광부 형성단계를 포함한다.

여기서, 상기 구동소자 형성단계에서, 제1 및 제2구동소자는 화소 내의 양쪽 끝에 형성하는 것이다.

여기서, 제1발광부 형성단계에서는, 제1구동소자의 소스 또는 드레인 전극에 연결되도록 제1구동소자의 상부에 제1전극이 형성되며 제1전극 상부에 제1발광부가 형성되어 있는 것이다.

여기서, 제2발광부 형성단계에서는, 제2구동소자의 소스 또는 드레인 전극 상부에 형성된 콘택홀을 통해 연결되도록 제2절연막 상부에 제2전극이 형성되며 제2전극 하부에 제2발광부가 형성되어 있고, 제2발광부 하부에 공통전극이 형성되어 있는 것이다.

여기서, 제1발광부는 기판의 하부쪽으로 발광하고, 제2발광부는 기판의 상부쪽으로 발광하며, 제1 및 제2발광부는 동일한 개구율을 갖는 것이다.

여기서, 제1 및 제2발광부의 발광층은 유기물로 형성한 것이다.

기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.

<일실시예>

도 3은 본 발명에 따른 전계발광소자를 개략적으로 나타낸 도면이다.

도시된 바와 같은 전계발광소자(300)는, 기판(310) 상에 정의된 하나의 화소 내에 제1 및 제2구동소자(314, 324)가 형성되어 있다. 정의된 하나의 화소 내에 발광 면적을 넓혀 개구율을 높이기 위해, 제1 및 제2구동소자(314, 324)는 하나의 화 소 내의 양쪽 끝에 형성되며, 제1 및 제2구동소자(314, 324)의 사이에는 이후 형성될 발광부를 고르고 평탄하게 형성하기 위해 평탄화막이나 절연막 등으로 층간 절연막(311)이 형성되어 있게 된다.

한편, 제1 및 제2구동소자(314, 324)는 박막트랜지스터로써 기판(310) 상에 게이트전극이 형성되어 있으며, 게이트전극 상부를 절연막으로 절연한 후, 절연막 상부에 소스와 드레인전극이 형성된 것이다.

위에서는, 제1 및 제2구동소자(314, 324) 만을 언급하였으나, 이는 이후 형성되는 발광부를 구동하는 구동 박막트랜지스터이고, 신호를 스위칭하는 스위칭 박막트랜지스터 또한 하나의 정의된 화소 내에 형성되어 신호를 스위칭하고 구동할 수 있게 된다. 이것은 신호를 스위칭하거나 구동하는 방법에 따라 하나의 정의된 화소 내에 여러 개의 박막트랜지스터가 형성될 수 있음을 뜻하고, 발광부를 일정시간 구동하기 위하여 저장 커패시터가 포함되어 형성됨은 물론이다.

이어서, 제1구동소자(314)의 상부에는 제1구동소자(314)와 전기적으로 연결되어 발광하는 제1발광부(316)가 형성되어 있다. 자세하게는, 제1구동소자(314)의 소스 또는 드레인 전극에 연결되도록 제1구동소자(314)의 상부에 제1전극(312)이 형성되며 제1전극(312) 상부에 제1발광부(316)가 형성되어 있고, 제1발광부(316)의 상부에 공통전극(318)이 형성되어 있다.

또한, 제1발광부(316)의 상부에 형성된 공통전극(318) 상부에 제2발광부(326)가 형성되어 있고, 제2발광부(326)의 상부에 제2전극(328)이 형성되어 있다. 자세하게는, 제2구동소자(324)의 상부에 절연막(325)이 형성되어 있고, 절연막 (325)에 형성된 콘택홀을 통해 제2구동소자(324)와 전기적으로 연결된 제2전극(328)이 형성되어 있다. 여기서, 제1 및 제2전극(312, 328)은 애노드전극이고 공통전극(318)은 캐소드전극이며, 공통전극(318)은 불투명의 금속성으로 제1발광부(316)와 제2발광부(326)에서 형성된 빛을 상호 차단하며 간섭을 일으키지 않게 된다.

여기서, 앞서 설명한 제1 및 제2발광부(316, 326)는, 유기물층으로 형성되어 있다. 자세하게는, 정공의 주입을 원활하게 하기 위해 정공주입층(hole injection layer)과 주입된 정공을 발광층으로 수송하는 정공수송층(hole transport layer)을 이루는 하부공통막이 애노드전극 상에 형성되어 있다.

또한, 전자의 주입을 원활하게 하기 위해 전자주입층(electron injection layer)과 주입된 전자를 발광층으로 수송하는 전자수송층(electron transport layer)을 이루는 상부공통막이 캐소드전극 상에 형성되어 있다. 여기서, 하부공통막과 상부공통막 사이에는 애노드전극과 캐소드전극에 의해 공급된 정공과 전자의 재결합이 이루어지면서 빛이 발광하는 발광층(emitting layer)을 포함하는 구조로 형성되어 있다.

한편, 도시되어 있지는 않지만, 절연막(325)은 제2발광부(326)의 최 상위층에 형성될 때, 제2전극(328)의 높이 만큼 형성된다. 또한, 절연막(325)에는 콘택홀을 형성하여 제2전극(328)을 형성할 때, 제2발광부(326)의 상부에 제2전극(328)을 증착하면 콘택홀을 통해 제2구동소자(324)의 소스 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결되게 된다. 또한, 제1 및 제2전극(312, 328)이 투명전극으로 형성되어 있으므로, 제1발광부(316)는 기판(310)의 하부쪽으로 발광하고, 제2발광부(326)는 기판(310)의 상부쪽으로 발광하며, 제1 및 제2발광부(316, 326)는 동일한 개구율을 갖다.

앞서 설명한 전계발광소자(300)는, 정의된 하나의 화소 내에 두 개의 박막트랜지스터인 제1 및 제2구동소자(314, 324)가 양쪽 끝에 형성되어 있고, 구동소자의 상부에 제1 및 제2발광부(316, 326)가 수직으로 적층 형성되어 있다. 여기서, 두 개의 구동소자가 하나의 화소 내에 양쪽으로 형성되어 있기 때문에 제1 및 제2발광부(316, 326)는 더욱 넓은 개구율을 갖고 상부와 하부쪽으로 양면 발광할 수 있는 양면발광형 전계발광소자가(300) 된다.

이하, 도시된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 전계발광소자의 제조방법을 설명한다.

<제조방법>

도 4는 본 발명에 따른 전계발광소자의 제조방법을 나타낸 공정 흐름도이다.

도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 전계발광소자의 제조방법은 다음과 같고, 여기서, 제조된 전계발광소자는 도 3에 도시된 도면을 참조하여 설명한다.

먼저, 구동소자 형성단계(S402)는, 기판(310) 상에 정의된 하나의 화소 내에 제1 및 제2구동소자(314, 324)를 형성하는 단계이다.

기판(310) 상에 게이트전극을 형성하고, 게이트전극 상면을 감싸도록 게이트절연막을 형성한다. 게이트 절연막 상에는 액티브층을 형성하고, 액티브층 상에는 오믹콘택층을 형성한다. 액티브층 상의 양쪽에 소스전극과 드레인전극을 형성하여 제1구동소자(314)를 형성한다. 여기서, 앞서 설명한 제1구동소자(314)는 게이트가 하부에 형성되어 Bottom 게이트를 갖는 박막트랜지스터 지만, 게이트를 상부에 형성하여 Top 게이트를 갖는 박막트랜지스터로도 형성가능 함은 물론이다.

여기서, 제1구동소자(314)의 반대쪽에도 위와 같은 방법으로 제1구동소자(314) 형성시 제2구동소자(324)도 함께 형성하므로, 하나의 화소 내의 양쪽 끝에 각각 제1 및 제2구동소자(314, 324)가 형성되는 것이다. 여기서, 제1 및 제2구동소자(314, 324)의 사이에는 이후 형성될 발광부를 고르고 평탄하게 형성하기 위해 평탄화막이나 절연막 등으로 층간 절연막(311)을 형성할 수도 있다.

한편, 위에서는, 제1 및 제2구동소자(314, 324) 만을 언급하였으나, 이는 이후 형성되는 발광부를 구동하는 구동 박막트랜지스터이고, 신호를 스위칭하는 스위칭 박막트랜지스터 또한 하나의 정의된 화소 내에 형성되어 신호를 스위칭하고 구동할 수 있게 된다. 이것은 신호를 스위칭하거나 구동하는 방법에 따라 하나의 정의된 화소 내에 여러 개의 박막트랜지스터가 형성될 수 있음을 뜻하고, 발광부를 일정시간 구동하기 위하여 저장 커패시터가 포함되어 형성됨은 물론이다.

이후, 제1발광부 형성단계(S404)는, 제1구동소자(314)의 상부에 콘택홀을 갖는 제1절연막(미도시)을 형성하고 콘택홀을 통해 제1구동소자(314)와 전기적으로 연결되도록 제1발광부(316)를 형성하는 단계이다.

제1구동소자(314)의 상부에 제1절연막(미도시)을 형성한 후 소스 또는 드레인전극에 콘택홀을 형성한다. 제1절연막 상에 제1전극(312)을 형성하면 제1전극(312)은 콘택홀을 통해 소스 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결되게 되는데, 여 기서 제1전극(312)은 일반적으로 애노드전극이 된다. 이어서, 제1전극(312) 상에 유기물층으로 된 제1발광부(316)를 형성한다.

이후, 제2발광부 형성단계(S406)는, 제1발광부(316)의 상부에 공통전극을 형성하고 제2구동소자(324)의 상부에 콘택홀을 갖는 제2절연막을 형성하고 콘택홀을 통해 제2구동소자(324)와 전기적으로 연결되도록 제2발광부(326)를 형성하는 단계이다.

제1발광부(316)의 상부에 공통전극(318)을 형성하고, 제2구동소자(324)의 상부에 콘택홀을 갖는 제2절연막을 형성하고, 콘택홀을 통해 제2구동소자(324)와 전기적으로 연결되도록 제2발광부(326)를 형성한다.

자세하게는, 공통전극(318) 상에 제2발광부(326)를 형성하고, 제2발광부(326) 상에 형성하는 제2전극(328)이 제2구동소자(324)의 소스 또는 드레인전극과 전기적으로 연결되도록 형성한다. 여기서, 앞서 설명한 콘택홀을 통해 제2구동소자(324)의 소스 또는 드레인전극과 제2전극(328)이 연결된다.

여기서, 공통전극(318)은 제1발광부(316)와 제2발광부(326)의 공통 캐소드전극으로 사용되는데, 불투명의 금속성으로 제1발광부(316)의 상부에 형성한 제2발광부(326)에서 형성된 빛을 상호 차단하며 간섭을 일으키지 않게 한다.

한편, 위에서 설명한 전계발광소자(300)는 양면발광형으로, 제1발광부(316)는 기판(310)의 하부쪽으로 발광하고, 제2발광부(326)는 기판(310)의 상부쪽으로 발광하며, 제1 및 제2발광부(316, 326)는 동일한 개구율을 갖다.

또한, 앞서 설명한 제1 및 제2발광부(316, 326)는, 유기물층으로 형성되어 있다. 자세하게는, 정공의 주입을 원활하게 하기 위해 정공주입층(hole injection layer)과 주입된 정공을 발광층으로 수송하는 정공수송층(hole transport layer)을 이루는 하부공통막이 애노드전극 상에 형성되어 있다.

또한, 전자의 주입을 원활하게 하기 위해 전자주입층(electron injection layer)과 주입된 전자를 발광층으로 수송하는 전자수송층(electron transport layer)을 이루는 상부공통막이 캐소드전극 상에 형성되어 있다. 여기서, 하부공통막과 상부공통막 사이에는 애노드전극과 캐소드전극에 의해 공급된 정공과 전자의 재결합이 이루어지면서 빛이 발광하는 발광층(emitting layer)을 포함하는 구조로 형성되어 있다.

앞서 설명한 전계발광소자(300)는, 정의된 하나의 하소 내에 두 개의 박막트랜지스터인 제1 및 제2구동소자(314, 324)가 양쪽 끝에 형성되어 있고, 구동소자의 상부에 제1 및 제2발광부(316, 326)가 수직으로 적층 형성되어 있다. 여기서, 두 개의 구동소자가 하나의 화소 내에 양쪽으로 형성되어 있기 때문에 제1 및 제2발광부(316, 326)는 더욱 넓은 개구율을 갖고 상부와 하부쪽으로 양면 발광할 수 있는 양면발광형 전계발광소자가(300) 된다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에 서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

상술한 본 발명의 구성에 따르면, 정의된 하나의 화소 내의 양쪽 끝에 두 개의 구동 박막트랜지스터를 형성하고, 두 개의 발광부를 동일 평면상에 수직 적층하여 양면발광할 수 있도록 하여 개구 면적과 휘도를 향상시킬 수 있는 효과가 있게 된다.

Claims (14)

1. 기판;

   상기 기판 상에 정의된 하나의 화소 내에서 서로 분리되도록 형성된 제1 및 제2구동소자;

   상기 제1 및 제2구동소자 사이에 형성되어 상기 제1 및 제2구동소자를 절연시키는 제1절연막;

   상기 제1구동소자와 상기 제1절연막 상에 형성되어 상기 제1구동소자와 전기적으로 접속되는 제1전극;

   상기 제1전극 상에 형성되어 발광하는 제1발광부;

   상기 제1발광부의 상부에 형성되는 공통전극;

   상기 공통전극의 상부에 형성되어 발광하는 제2발광부;

   상기 제2발광부 상부에 형성되는 제2전극; 및

   상기 제2구동소자 상에 형성되며, 상기 제2구동소자로부터 상기 제2전극까지 연장되어 상기 제2전극을 상기 제 2 구동소자에 전기적으로 접속시키는 연결부를 포함하며,

   상기 제1발광부에서 발광된 광과 상기 제2발광부에서 발광된 광은 서로 반대방향으로 진행하고,

   상기 공통전극은 제1발광부에서 발광된 광과 제2발광부에서 발광된 광이 자신을 통과하지 않도록 차단하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
2. 제1항에 있어서,

   상기 제1 및 제2구동소자는 하나의 화소 내의 양쪽 끝에 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
3. 제1항에 있어서,

   상기 제1발광부는 상기 기판의 하부쪽으로 발광하고, 상기 제2발광부는 상기 기판의 상부쪽으로 발광하며, 상기 제1 및 제2발광부는 동일한 개구율을 갖는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
4. 제1항에 있어서,

   상기 제1구동소자와 상기 제1전극 사이에 형성되는 제2절연막을 더 포함하고,

   상기 제1전극은 상기 제1구동소자 상에 형성된 상기 제2절연막의 콘택홀을 통해 상기 제1구동소자의 소스 또는 드레인 전극에 연결되는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
5. 제1항에 있어서,

   상기 제2구동소자와 상기 제2전극 사이에 형성되는 제3절연막을 더 포함하고,

   상기 연결부는 상기 제3절연막에 형성된 콘택올을 통해 상기 제2구동소자의 소스 또는 드레인 전극과 상기 제2전극을 전기적으로 접속시키는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
6. 제1항에 있어서,

   상기 제1 및 제2전극은 애노드전극이고 상기 공통전극은 공통 캐소드전극인 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
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