전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 기판 상의 화상 표시부에 매트릭스 형태로 배치된 화소와; 상기 화소에 연결되고 서로 교차하며, 게이트 및 데이터 신호를 각각 전달하는 게이트 및 데이터 배선과; 상기 화소에 연결되고 Vdd 전압을 전달하는 파워 배선과; 상기 화소에 연결되고 Vcom 전압을 전달하는 캐소드 전극과; 상기 게이트 배선과 연결되고, 상기 화상 표시부를 사이에 두고 상기 게이트 배선이 연장된 양 방향에 위치하는 게이트 패드와; 상기 데이터 배선과 연결되고, 상기 화상 표시부 외부에 형성되고 상기 데이터 배선이 연장된 일 방향에 위치하는 데이터 패드와; 상기 캐소드 전극과 연결되고, 상기 화상 표시부를 사이에 두고 상기 데이터 패드와 마주보는 방향에 위치하는 Vcom 패드와; 상기 파워 배선과 연결되고, 상기 화상 표시부 외부에 형성되고 상기 게이트 패드와 상기 데이터 패드 중 선택된 하나가 위치하는 방향에 위치하는 Vdd 패드를 포함하는 유기전계발광소자를 제공한다.
여기서, 상기 Vdd 패드는 상기 게이트 패드와 상기 데이터 패드 중 선택된 하나보다 상기 화상 표시부의 가장자리로부터 가까이 위치할 수 있다.
그리고, 상기 Vdd 패드와 연결되는 FPC를 더욱 포함할 수 있고, 상기 FPC는 상기 Vdd 패드 전체를 하나로 연결하는 금속 물질로 이루어진 연결부를 포함할 수 있고, 상기 게이트 및 데이터 패드와 각각 연결되는 게이트 및 데이터 구동부를 더욱 포함하고, 상기 FPC는 상기 FPC와 동일한 방향에 위치하는 상기 게이트 구동부와 데이터 구동부 중 선택된 하나의 상부에 위치할 수 있다.
또한, 상기 Vdd 패드와, 상기 Vdd 패드와 동일한 방향에 위치하는 상기 게이트 패드와 상기 데이터 패드 중 선택된 하나를 전기적으로 연결하는 쇼팅 바를 더욱 포함할 수 있다.
또한, 상기 화소는, 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결된 스위칭 박막트랜지스터와; 상기 스위칭 박막트랜지스터 및 상기 파워 배선과 연결된 드라이빙 박막트랜지스터와; 상기 드라이빙 박막트랜지스터와 연결된 발광 다이오드와; 상기 스 위칭 박막트랜지스터와, 상기 드라이빙 박막트랜지스터와, 상기 파워 배선과 연결된 스토리지 캐패시터를 포함할 수 있다.
또한, 상기 화소는, 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결되는 제 1 스위칭 박막트랜지스터와; 상기 제 1 스위칭 박막트랜지스터 및 상기 게이트 배선과 연결되는 제 2 스위칭 박막트랜지스터와; 상기 제 1, 2 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 파워 배선과 연결되는 제 1 드라이빙 박막트랜지스터와; 상기 제 2 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 파워 배선과 연결되는 제 2 드라이빙 박막트랜지스터와; 상기 제 2 드라이빙 박막트랜지스터와 연결되는 발광 다이오드와; 상기 제 1, 2 드라이빙 박막트랜지스터와, 상기 제 2 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 파워 배선과 연결되는 스토리지 캐패시터를 포함할 수 있다. 상기 제 1, 2 스위칭 박막트랜지스터는 서로 이웃하는 두 개의 상기 게이트 배선과 연결되는 유기전계발광소자.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
본 발명은 Vdd 패드를 게이트 구동부나 데이터 구동부가 위치하는 방향에 형성하고, FPC를 사용하여 전체를 연결하게 된다. 따라서, 다른 배선과 서로 중첩되는 부분이 발생하지 않아, 다른 배선과 단락되는 문제를 개선할 수 있게 된다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 능동행렬 유기전계발광소자를 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자(200)에는, 다수의 화소(P)가 매트릭스 형태로 배치되어 화상을 표시하는 화상 표시부(210)와, 화소(P)에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부(230)와, 화소(P)에 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부(220)와, 외부의 전원과 연결되어 화소(P)에 Vcom 전압을 전달하는 Vcom 패드부(250)가 위치한다.
또한, 외부의 전원과 연결되어 화소(P)에 Vdd 전압을 전달하기 위한 다수의 Vdd 패드가 형성된 Vdd 패드부(240)가 위치한다.
화소(P)는, 도 3a에 도시한 바와 같이, 스위칭 박막 트랜지스터(Ts)와, 드라이빙 박막트랜지스터(Td)와, 스토리지 캐패시터(Cs)와, 발광 다이오드(D)로 구성된다.
스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 게이트 전극은 게이트 배선(225)과 연결되고, 소스 전극은 데이터 배선(235)과 연결된다. 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 드레인 전극은 드라이빙 박막트랜지스터(Td)의 게이트 전극과 연결되고, 드라이빙 박막트랜지스터(Td)의 소스 전극은 발광 다이오드(D)의 애노드(anode)와 드레인 전극은 파워 배선(245)과 연결된다. 발광 다이오드(D)의 캐소드(cathode)는 접지되어 있고, 스토리지 캐패시터(Cs)의 일 전극은 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 드레인 전극 및 드라이빙 박막트랜지스터(Td)의 게이트 전극과 연결되고, 타 전극은 드라이빙 박막트랜지스터(Td)의 드레인 전극 및 파워 배선(245)과 연결되어 있다.
한편, 화소(P)는, 도 3b에 도시한 바와 같이, 서로 다른 두 개의 게이트 배선(235a, 235b)과 각각 연결되는 제 1, 2 스위칭 박막트랜지스터(Ts1, Ts2)와, 제 1, 2 드라이빙 박막트랜지스터(Td1, Td2)와, 스토리지 캐패시터(Cs)와, 발광 다이오드(D)로 구성될 수 있다. 화질 특성의 향상을 위해 하나의 화소(P)에 네 개의 박 막트랜지스터(Ts1, Ts2, Td1, Td2)를 사용하게 된다. 한편, 제 1, 2 스위칭 박막트랜지스터(Ts1, Ts2)는 하나의 게이트 배선에 연결되어 구동될 수 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 게이트 구동부(220)는 화상 표시부(210)의 좌측 및 우측에 위치하여, 게이트 배선(225)을 통해 화소(P)에 게이트 신호를 공급하게 된다. 게이트 구동부(220)는 게이트 배선(225)의 끝단에 위치하는 게이트 패드(미도시)를 통해 게이트 구동부(220)와 연결된다.
그리고, 데이터 구동부(230)는 화상 표시부(210)의 상측에 위치하여, 데이터 배선(235)을 통해 화소(P)에 데이터 신호를 공급하게 된다. 데이터 구동부(230)는 데이터 배선(235)의 끝단에 위치하는 데이터 패드(미도시)를 통해 데이터 구동부(230)와 연결된다.
Vcom 패드부(250)는 외부의 전원으로부터 전달되는 Vcom 전압을 공통 전극을 통해 화소(P)에 전달하게 되는데, 화소(P)의 캐소드 전극과 연결되는 콘택홀(255)이 형성된다.
Vdd 패드부(240)는 데이터 구동부(230)가 위치하는 방향에 위치한다. Vdd 패드부(240)에 형성된 Vdd 패드는 파워 배선(245)의 끝단에 위치하고 외부의 전원과 연결되어, 외부의 전원으로부터 공급되는 Vdd 전압을 파워 배선(245)에 전달하게 되는데, 이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 Vdd 패드의 구조를 보다 상세하게 설명한다.
도 4a와 4b는 본 발명의 실시예에 따라 형성된 Vdd 패드 구조를 도시한 도면이다.
도 4a에 도시한 바와 같이, Vdd 패드(241)는 데이터 패드(231)가 형성된 화상 표시부(210)의 상측에 형성된다. Vdd 패드(241)는 이웃하는 데이터 배선(230) 사이에 위치하며, 데이터 패드(231)는 Vdd 패드(241)에 비해 화상 표시부(210)의 상측 가장자리로부터 더욱 먼 거리에 형성되어 있다.
도 4b에 도시한 바와 같이, Vdd 패드(241)는 외부의 전원과 FPC(260)를 통해 연결된다. FPC(260)에는 금속 물질로 이루어지고 Vdd 패드(241)와 접촉하는 연결부(265)가 위치하여, 다수의 Vdd 패드(241) 전체를 하나로 연결하게 된다. 화소에 전달되는 Vdd 전압은 동일한 전압이 인가되므로, Vdd 패드(241)는 연결부(265)를 통해 전체가 연결되어 동일한 Vdd 전압이 인가된다. 따라서, 유기전계발광소자의 기판 상에 Vdd 패드(241) 전체를 연결하기 위한 별도의 쇼팅 바를 구성하지 않게 된다.
도 5a와 5b는 각각, 본 발명의 실시예에 따른 데이터 구동부와 FPC의 구조를 도시한 평면도와 측면도이다.
도시한 바와 같이, 기판(205) 상에 데이터 패드(231)와 연결된 데이터 구동부(230)는 Vdd 패드(241)와 연결된 FPC(260) 아래에 위치하게 된다.
한편, 도 6에 도시한 바와 같이, Vdd 패드(241)와 데이터 패드(231) 전체를 연결하는 쇼팅 바(270)를 구성할 수 있다. 쇼팅 바(270)는 Vdd 패드(241)와 데이터 패드(231) 전체를 연결하게 됨으로써 유기전계발광소자 제작 공정에서 발생하는 정전기를 방지하게 된다. 쇼팅 바(270)는 유기전계발광소자에 대한 제작 공정을 완료한 후에 절단된다.
그리고, 도 7에 도시한 바와 같이, Vdd 패드(241)는 게이트 패드(221)가 위치하는 방향에 형성될 수 있다. Vdd 패드(241)는 게이트 패드(221)가 형성된 화상 표시부(210)의 좌측 및 우측에 형성된다. Vdd 패드(241)는 이웃하는 게이트 배선 (225)사이에 위치하며, 게이트 패드(221)는 Vdd 패드(241)에 비해 화상 표시부(210)의 좌측 및 우측 가장자리로부터 더욱 먼 거리에 형성되어 있다. 게이트 배선(225)은 데이터 배선에 비해 배선 사이의 간격이 넓어, Vdd 패드(241)를 더욱 크게 형성할 수 있는 장점이 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자는, Vdd 패드를 데이터 구동부나, 게이트 구동부가 위치하는 방향에 형성하고, 기판 외부의 FPC를 사용하여 Vdd 패드 전체를 연결하게 됨으로써, 기판 상에서 캐소드 전극, 게이트 및 데이터 배선 등과 중첩되어 단락되는 문제를 개선하여, 공정 수율을 증가시킬 수 있게 된다.