KR20090109873A

KR20090109873A - 표시 장치

Info

Publication number: KR20090109873A
Application number: KR1020080035320A
Authority: KR
Inventors: 김영일; 박원상
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2008-04-16
Filing date: 2008-04-16
Publication date: 2009-10-21
Also published as: US20090262270A1; KR101479995B1; US7855758B2

Abstract

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 상기 기판 위에 형성되어 있는 데이터선, 상기 기판 위에 형성되어 있는 구동 전압선, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 상기 데이터선에 연결되어 있는 입력 단자, 출력 단자 및 상기 게이트선에 연결되어 있는 제어 단자를 가지는 제1 박막 트랜지스터, 상기 기판 위에 형성되어 있으며, 입력 단자, 출력 단자 및 제어 단자를 가지는 제2 박막 트랜지스터, 상기 제1 박막 트랜지스터의 출력 단자와 상기 제2 박막 트랜지스터의 제어 단자 사이에 연결되어 있는 유지 전극용 확대 영역을 가지는 제1 반도체, 상기 구동 전압선에 연결되어 있고, 상기 유지 전극용 확대 영역와 중첩하는 유지 전극용 투명 도전체, 그리고 상기 제2 박막 트랜지스터의 출력 단자와 연결되어 있고 상기 유지 전극용 투명 도전체와 중첩하는 화소 전극을 포함한다. 이렇게 하면 표시 장치의 개구율이 높아진다.

유기 발광 표시 장치, 액정 표시 장치, 유지 전극용 투명 도전체,

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.

평판 표시 장치(flat panel display)는 화면의 크기에 비해 두께가 얇은 표시 장치를 말하며, 널리 사용되는 평판 표시 장치로는 액정 표시 장치(liquid crystal display), 플라즈마 표시 장치(plasma display panel), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display) 및 전기 영동 표시 장치 등이 있다.

액정 표시 장치는 가장 널리 사용되고 있는 표시 장치로서, 기판에 전극이 형성된 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층을 포함하며, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들의 정렬 방향을 제어함으로써 투과되는 빛의 양을 조절한다. 플라즈마 표시 장치는 기체 방전에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 영상을 구현하는 표시 장치이다. 전기 영동 표시 장치는 전기 영동 현상을 이용하여 그림이나 글자를 반복적으로 표시하고 지울 수 있는 표시 장치이다. 유기 발광 표시 장치는 음극(전자주입전극)과 양극(정공주입전극)으로부터 각각 전자와 정공을 유기 발광층 내로 주입시켜 이 전자와 정공이 결합하여 생성되는 엑시톤(exiton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광하는 표시 장치이다.

이러한 표시 장치들의 성능 향상을 위한 기술들은 진화를 거듭하고 있으며, 가령 개구율 높이거나 표시판의 수명을 향상하기 위한 다양한 기술들이 제안되고 있다. 이와 함께 표시 장치 산업의 치열한 경쟁 속에서 시장을 주도하기 위해서는 원가 절감을 통해 경쟁력을 높여야 한다. 원가 절감은 다양한 방법으로 이루어질 수 있는데, 예컨대 표시 장치의 개구율 향상시켜 광원 등에 소요되는 비용을 절감하는 방법으로 달성할 수 있다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 개구율을 높여 경쟁력 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 상기 기판 위에 형성되어 있는 데이터선, 상기 기판 위에 형성되어 있는 구동 전압선, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 상기 데이터선에 연결되어 있는 입력 단자, 출력 단자 및 상기 게이트선에 연결되어 있는 제어 단자를 가지는 제1 박막 트랜지스터, 상기 기판 위에 형성되어 있으며, 입력 단자, 출력 단자 및 제어 단자를 가지는 제2 박막 트랜지스터, 상기 제1 박막 트랜지스터의 출력 단자와 상기 제2 박막 트랜지스터의 제어 단자 사이에 연결되어 있는 유지 전극용 확대 영역을 가지는 제1 반도체, 상기 구동 전압선에 연결되어 있고, 상기 유지 전극용 확대 영역와 중첩하는 유지 전극용 투명 도전체, 그리고 상기 제2 박막 트랜지스터 의 출력 단자와 연결되어 있고 상기 유지 전극용 투명 도전체와 중첩하는 화소 전극을 포함한다.

상기 제1 반도체는, 상기 제1 박막 트랜지스터의 제어 단자와 중첩하는 진성 영역, 상기 진성 영역의 한 쪽에 연결되어 있고 상기 제1 박막 트랜지스터의 입력 단자와 중첩하는 제1 영역과 상기 진성 영역의 다른 쪽에 연결되어 있는 제2 영역을 구비하는 불순물 영역을 더 포함할 수 있으며, 상기 제2 영역은 상기 제1 박막 트랜지스터의 출력 단자로서 상기 유지 전극용 확대 영역과 연결될 수 있다.

상기 표시 장치는 상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광 부재, 그리고 상기 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 공통 전극을 더 포함할 수 있다.

상기 유지 전극용 확대 영역은 투명 물질로 만들어질 수 있다.

상기 투명 도전체의 면적은 상기 확대 영역의 면적과 동일하거나 상기 확대 영역의 면적보다 작을 수 있다.

상기 화소 전극은 투명 물질로 만들어질 수 있으며, 상기 공통 전극은 반사성 금속으로 만들어질 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있고, 진성 영역, 불순물 영역 및 상기 불순물 영역과연결되어 있는 확대 영역을 가지는 제1 반도체, 상기 제1 반도체 위에 형성되어 있는 제1 절연막, 상기 제1 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 반도체의 진성 영역과 중첩하고 있는 제1 제어 전극을 포함하는 게이트선, 상기 게이트선 위에 형성되어 있는 제2 절연막, 상기 제2 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 반도체의 확대 영역과 중첩하는 유 지 전극용 투명 도전체, 상기 투명 도전체 위에 형성되어 있는 제3 절연막, 상기 제3 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 반도체의 불순물 영역과 연결되어 있는 데이터선, 상기 제3 절연막 위에 형성되어 있고 상기 데이터선과 떨어져 있으며 상기 투명 도전체와 연결되어 있는 구동 전압선, 상기 제3 절연막 위에 형성되어 있고 상기 데이터선 및 상기 구동 전압선과 떨어져 있으며 상기 투명 도전체로부터 신호를 전달 받는 출력 전극, 상기 데이터선, 상기 구동 전압선 및 상기 출력 전극 위에 형성되어 있는 제4 절연막, 상기 제4 절연막 위에 형성되어 있고 상기 출력 전극과 연결되어 있으며 상기 투명 도전체와 중첩하는 화소 전극, 그리고 상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광 부재를 포함한다.

상기 표시 장치는 복수의 화소를 포함할 수 있고, 상기 투명 도전체는 복수로 구비되어 상기 각 화소에 적어도 하나씩 배치될 수 있으며, 이웃하는 상기 화소에 위치하는 상기 투명 도전체는 서로 고립되어 있을 수 있다.

상기 표시 장치는 상기 출력 전극과 연결되어 있는 출력 불순물 영역, 상기 투명 도전체와 연결되어 있는 입력 불순물 영역 및 상기 출력 불순물 영역과 상기 입력 불순물 영역 사이에 위치하는 진성 영역을 구비하는 제2 반도체, 그리고 상기 제2 반도체의 진성 영역과 중첩하고 있으며 상기 제1 반도체의 확대 영역과 연결되어 이로부터 제어 신호를 전달 받는 제2 제어 전극을 더 포함할 수 있다.

상기 유기 발광 부재는 적색광, 녹색광, 청색광 또는 백색광을 발광할 수 있다.

상기 제4 절연막은 안료를 포함하는 유기 물질로 만들어질 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 상기 기판 위에 형성되어 있는 데이터선, 상기 기판 위에 형성되어 있으며, 상기 데이터선에 연결되어 있는 입력 단자, 출력 단자 및 상기 게이트선에 연결되어 있는 제어 단자를 가지는 박막 트랜지스터, 상기 기판 위에 형성되어 있는 화소 전극, 상기 박막 트랜지스터의 출력 단자와 상기 화소 전극 사이에 연결되어 있는 유지 전극용 투명 도전체, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 상기 투명 도전체와 중첩되어 있는 유지 전극용 확대 영역을 가지는 반도체, 그리고 상기 기판 위에 형성되어 있고 상기 확대 영역의 양 끝에 연결되어 있는 유지 전극선을 포함한다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며, 진성 영역과 불순물 영역 및 이들과 분리되어있는 유지 전극용 확대 영역을 가지는 반도체, 상기 반도체 위에 형성되어 있으며 상기 확대 영역과 중첩하는 유지 전극용 투명 도전체, 그리고 상기 반도체와 상기 투명 도전체 사이에 배치되어 있으며 상기 확대 영역과 연결되어 있는 유지 전극선을 포함하며, 상기 유지 전극선은 제1 부분과 제2 부분으로 분리되어 기설정된 간격으로 떨어져 있고, 상기 투명 도전체는 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이에 위치한다.

상기 표시 장치는, 상기 반도체 위에 형성되어 있는 제1 절연막, 상기 제1 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 반도체의 진성 영역과 중첩하고 있는 게이트 전극을 가지는 게이트선, 상기 게이트선 및 상기 유지 전극선 위에 형성되어 있는 제2 및 제3 절연막, 상기 제3 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 반도체의 불순물 영 역과 연결되어 있는 소스 전극을 가지는 데이터선, 상기 게이트 전극을 중심으로 상기 소스 전극과 떨어져 있으며, 한쪽은 상기 반도체의 불순물 영역과 연결되어 있고 다른 쪽은 상기 투명 도전체와 연결되어 있는 드레인 전극, 상기 데이터선 및 상기 드레인 전극 위에 형성되어 있는 제4 절연막, 상기 제4 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 투명 도전체와 연결되어 이로부터 데이터 신호를 전달 받는 화소 전극, 상기 화소 전극 위에 위치하는 액정층, 그리고 상기 액정층 위에 위치하는 공통 전극을 더 포함할 수 있으며, 상기 투명 도전체는 상기 제2 절연막과 상기 제3 절연막 사이에 위치할 수 있다.

상기 확대 영역은 투명 물질로 만들어지며, 상기 확대 영역 및 상기 투명 도전체를 통과하는 빛은 영상의 표시에 사용될 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 유지 축전기로 사용하는 도전체와 반도체의 확대 영역이 모두 투명하므로 개구율이 높아진다. 이처럼 높은 개구율을 확보할 수 있어 기존 대비 동일 휘도를 얻기 위해 필요한 에너지를 줄일 수 있고 그 결과 광원 등 표시 장치의 수명이 길어질 수 있다.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 “위에” 있다고 할 때, 이는 다른 부 “바로 위에” 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 “바로 위에” 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.

먼저 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 도 1을 참고하여 설명한다.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다.

도 1을 참고하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 신호선(121, 171, 172)과 이들에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수의 화소(pixel)(PX)를 포함한다.

신호선은 게이트 신호(또는 주사 신호)를 전달하는 복수의 게이트선(gate line)(121), 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(data line)(171) 및 구동 전압을 전달하는 복수의 구동 전압선(driving voltage line)(172)을 포함한다. 게이트선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(171)과 구동 전압선(172)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다.

각 화소(PX)는 스위칭 트랜지스터(switching transistor)(Qs), 구동 박막 트랜지스터(driving transistor)(Qd), 유지 축전기(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 소자를 포함한다. 유기 발광 소자는 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)(LD)의 역할을 한다.

스위칭 트랜지스터(Qs)는 제어 단자(control terminal), 입력 단자(input terminal) 및 출력 단자(output terminal)를 가지는데, 제어 단자는 게이트선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 트랜지스터(Qd)에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(Qs)는 게이트선(121)으로부터 받은 주사 신호에 응답하여 데이터선(171)으로부터 받은 데이터 신호를 구동 트랜지스터(Qd)에 전달한다.

구동 트랜지스터(Qd) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 트랜지스터(Qs)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 소자에 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(Qd)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(ILD)를 흘린다.

축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 입력 단자와 스위칭 트랜지스터(Qs)의 출력 단자 사이에 연결되어 있다. 이 축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 트랜지스터(Qs)가 턴 오프(turn-off)된 뒤에도 이를 유지한다.

유기 발광 소자는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노 드(anode)와 공통 전압(Vss)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 소자는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 전류(ILD)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.

스위칭 트랜지스터(Qs) 및 구동 트랜지스터(Qd)는 n-채널 전계 효과 트랜지스터이다. 그러나 스위칭 트랜지스터(Qs)와 구동 트랜지스터(Qd) 중 적어도 하나는 p-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 또한, 트랜지스터(Qs, Qd), 축전기(Cst) 및 유기 발광 소자의 연결 관계가 바뀔 수 있다.

도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 복수의 화소 배치를 보여주는 개략도이다. 도 2를 참고하면, 적색을 표시하는 적색 화소(R), 녹색을 표시하는 녹색 화소(G), 청색을 표시하는 청색 화소(B) 및 색을 표시하지 않는 백색 화소(W)가 교대로 배치되어 있다. 예컨대 적색 화소(R), 녹색 화소(G), 청색 화소(B) 및 백색 화소(W)를 포함한 네 개의 화소는 하나의 군(group)을 이루어 행 및/또는 열을 따라 반복될 수 있다. 그러나 화소의 배치는 다양하게 변형될 수 있다. 유기 발광 표시 장치는 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B) 외에 백색 화소(W)를 더 포함함으로써 휘도를 향상할 수 있다. 그러나 백색 화소(W)는 생략될 수도 있다.

다음 도 1 및 도 2에 도시한 유기 발광 표시 장치의 구조에 대하여 도 3 및 도 4를 도 1 및 도 2와 함께 참고하여 설명한다.

도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이고, 도 4는 도 3의 표시 장치를 IV-IV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.

투명한 유리 따위로 만들어진 기판(110) 위에 다결정 규소 따위로 만들어진 제1 및 제2 반도체(151a, 151b)가 형성되어 있다. 반도체(151a, 151b) 각각은 n형 또는 p형의 도전성 불순물을 포함하는 복수의 불순물 영역(extrinsic region)과 도전성 불순물을 거의 포함하지 않은 적어도 하나의 진성 영역(intrinsic region)을 포함한다.

제1 반도체(151a)에서, 불순물 영역은 제1 소스 영역(source region)(153a), 이와 분리되어 있는 제1 드레인 영역(drain region)(155a) 및 제1 소스 영역(153a)보다 면적이 큰 유지 전극용 확대 영역(157)을 포함하며, 이들은 n형 불순물로 도핑되어 있다. 확대 영역(157)은 제1 드레인 영역(155a)과 연결되어 있으며 사각 모양 부분과 이로부터 돌출되어 있는 부분을 포함한다. 진성 영역은 제1 채널 영역(channel region)(154a)을 포함하며, 제1 소스 영역(153a)과 제1 드레인 영역(155a) 사이에 위치한다.

제2 반도체(151b)에서, 불순물 영역은 제2 소스 및 제2 드레인 영역(153b, 155b)을 포함하며, 이들은 p형 불순물로 도핑되어 있고 서로 분리되어 있다. 진성 영역은 제2 소스 및 제2 드레인 영역(153b, 155b) 사이에 위치한 제2 채널 영역(154b)을 포함한다.

불순물 영역은, 채널 영역(154a, 154b)과 소스 및 드레인 영역(153a, 155a, 153b, 155b) 사이에 위치한 저농도 도핑 영역(lightly doped region)(도시하지 않음)을 더 포함할 수 있다. 이러한 저농도 도핑 영역은 불순물을 거의 포함하지 않는 오프셋 영역(offset region)으로 대체할 수 있다.

이와는 달리, 제1 반도체(151a)의 불순물 영역(153a, 155a) 및 확대 영역(157)이 p형 불순물로 도핑되거나, 제2 반도체(151b)의 불순물 영역(153b, 155b)이 n형 불순물로 도핑될 수 있다.

반도체(151a, 151b) 위에는 질화규소 또는 산화규소 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)에는 제1 반도체(151a)의 확대 영역(157)을 드러내는 접촉 구멍(141)이 형성되어 있다.

게이트 절연막(140) 위에는 게이트선(gate line)(121)과 제1 및 제2 제어 전극(control electrode)(124a, 124b)을 포함하는 게이트 도전체(gate conductor)가 형성되어 있다.

게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 제1 제어 전극(124a)은 게이트선(121)으로부터 위로 뻗어 제1 반도체(151a)와 교차하는데, 제1 채널 영역(154a)과 중첩한다. 각 게이트선(121)은 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분을 포함할 수 있다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동 회로(도시하지 않음)가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(121)이 연장되어 게이트 구동 회로와 직접 연결될 수 있다.

제2 제어 전극(124b)은 게이트선(121)과 분리되어 있고 제2 반도체(151b)의 제2 채널 영역(154b)과 중첩한다. 제2 제어 전극(124b)은 연장되어 있으며, 이 연장된 부분은 게이트 절연막(140)에 형성되어 있는 접촉 구멍(141)을 통해 제1 반도체(151a)의 확대 영역(157)의 돌출되어 있는 부분과 연결되어 있다.

게이트 도전체(121, 124a, 124b) 위에는 무기 절연물로 만들어진 제1 층간 절연막(interlayer insulating film)(150)이 형성되어 있다.

제1 층간 절연막(150)에는 유지 전극용 투명 도전체(133)가 형성되어 있다. 투명 도전체(133)는 ITO 또는 IZO 등의 투명 물질로 만들어지며, 제1 반도체(151a)의 확대 영역(157)과 중첩하고 있다. 투명 도전체(133)의 면적은 확대 영역(157)의 면적과 동일하거나 확대 영역(157)의 면적보다 작을 수 있다. 투명 도전체(133)는 각 화소마다 하나씩 배치되어 있으며, 서로 고립되어 있다. 투명 도전체(133)는 또한 사각 형상을 가지나 이는 한 실시예에 불과하며 설계에 따라 그 모양은 다양하게 변경될 수 있다.

투명 도전체(133) 위에는 제2 층간 절연막(160)이 형성되어 있다. 제2 층간 절연막(160)은 무기 절연물, 유기 절연물, 저유전율 절연물 따위로 만들어질 수 있다.

제2 층간 절연막(160)에는 투명 도전체(133)를 드러내는 접촉 구멍(161, 162)이 형성되어 있다. 제2 층간 절연막(160), 제1 층간 절연막(150) 및 게이트 절연막(140)에는 제1 반도체(151a)의 제1 소스 영역(153a)과 제2 반도체(151b)의 제2 소스 및 제2 드레인 영역(153b, 155b)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(164, 165, 166)이 형성되어 있다.

제2 층간 절연막(160) 위에는 데이터선(data line)(171), 구동 전압선(driving voltage line)(172), 연결 부재(85) 및 출력 전극(output electrode)(175)을 포함하는 복수의 데이터 도전체(data conductor)가 형성되어 있다.

데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 데이터선(171)은 접촉 구멍(164)을 통하여 제1 소스 영역(153a)과 연결되어 있는 제1 입력 전극(input electrode)(173a)을 포함하며, 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분을 포함할 수 있다. 데이터 신호는 접촉 구멍(164)을 통하여 제1 반도체(151a)의 제1 드레인 영역(155a) 및 확대 영역(157)으로 전달되고, 나아가 이 신호는 접촉 구멍(141)을 통하여 제2 제어 전극(124b)에 전달된다. 제1 반도체(151a)의 제1 드레인 영역(155a)은 스위칭 트랜지스터(Qs)의 출력 단자 기능을 가진다.

구동 전압선(172)은 구동 전압을 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 구동 전압선(172)은 접촉 구멍(161)을 통하여 투명 도전체(133)와 연결되어 있는 제2 입력 전극(173b)을 포함한다.

연결 부재(85)는 접촉 구멍(162, 165)을 통하여 투명 도전체(133) 및 제2 소스 영역(153b)과 연결되어 있다.

출력 전극(176)은 데이터선(171) 및 구동 전압선(172)과 분리되어 있으며, 접촉 구멍(166)을 통하여 제2 드레인 영역(155b)에 연결되어 있다. 출력 전극(176)은 제2 입력 전극(173b), 투명 도전체(133) 및 연결 부재(85)를 통해 구동 전압선(172)의 구동 전압을 전달 받는다.

이러한 데이터 도전체(85, 171, 172, 173a, 175)는 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속 또는 이들의 합금으로 만들어질 수 있다.

데이터 도전체(85, 171, 172, 173a, 175) 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 무기물, 유기물, 저유전율 절연 물질 따위로 만들어질 수 있으며, 표면은 평탄할 수 있다. 보호막(180)은 또한 안료를 포함하는 유기 물질로 만들어질 수 있으며, 이 경우 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다. 보호막(180)이 무기물로 만들어지고 그 위에 색필터(도시하지 않음) 및 덮개층(capping layer)(도시하지 않음)이 별도로 형성될 수도 있다.

보호막(180)에는 출력 전극(176)을 드러내는 접촉 구멍(185)이 형성되어 있다. 보호막(180)에는 또한 데이터선(171)의 끝 부분을 드러내는 복수의 접촉 구멍(도시하지 않음)이 형성될 수 있으며, 보호막(180)과 제1 및 제2 층간 절연막(150, 160)에는 게이트선(121)의 끝 부분을 드러내는 복수의 접촉 구멍(도시하지 않음)이 형성될 수 있다.

보호막(180) 위에는 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 만들어진 화소 전극(pixel electrode)(191)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)은 제1 반도체(151a)의 확대 영역(157) 및 투명 도전체(133)와 중첩하고 있으며, 접촉 구멍(185)을 통하여 출력 전극(176)과 물리적, 전기적으로 연결되어 있다.

보호막(180) 위에는 또한 격벽(partition)(361)이 형성되어 있다. 격벽(361)은 화소 전극(191) 가장자리 주변을 둑(bank)처럼 둘러싸서 개구부(opening)(365)를 정의하며 유기 절연물 또는 무기 절연물로 만들어진다. 격벽(361)은 또한 검정색 안료를 포함하는 감광제로 만들어질 수 있다.

격벽(361)이 정의하는 화소 전극(191) 위의 개구부(365) 내에는 유기 발광 부재(organic light emitting member)(370)가 형성되어 있다. 유기 발광 부재(370)는 발광층(emitting layer)으로 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 유기 물질로 만들어진다. 유기 발광 표시 장치는 휘도를 높이기 위해 백색 발광하는 발광층을 포함할 수도 있다. 한편, 발광층은 적색, 녹색 및 청색 등의 광을 고유하게 내는 물질을 차례로 적층하여 복수의 서브 발광층을 형성하고 이들의 색을 조합하여 백색 광을 방출할 수도 있다. 백색 광을 낼 수 있는 조합이면 적색, 녹색 및 청색에 한하지 않고 다양한 색의 조합으로 형성할 수 있다. 이 경우 유기 발광 표시 장치는 색필터를 별도로 포함할 수 있으며, 발광층은 격벽(361)의 개구부(365)를 포함하여 격벽(361)의 전면 위에 형성될 수도 있다.

유기 발광 부재(370)는 빛을 내는 발광층에 발광층의 발광 효율을 향상하기 위한 부대층(auxiliary layer)을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 부대층에는 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자 수송층(electron transport layer) 및 정공 수송층(hole transport layer)과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자 주입층(electron injecting layer) 및 정공 주입층(hole injecting layer) 등이 있다.

유기 발광 부재(370) 위에는 공통 전극(common electrode)(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 공통 전압(Vss)을 인가 받으며, 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄 또는 은 등을 포함하는 반사성 금속으로 만들어진다.

이러한 유기 발광 표시 장치에서, 제1 반도체(151a), 제1 제어 전극(124a), 제1 입력 전극(173a)은 스위칭 박막 트랜지스터(switching TFT)(Qs)를 이루며, 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)의 채널(channel)은 제1 반도체(151a)의 제1 채널 영역(154a)에 형성된다. 제2 반도체(151b), 제1 반도체(151a)의 확대 영역(157)에 연결되어 있는 제2 제어 전극(124b), 제2 입력 전극(173b) 및 출력 전극(176)은 구동 박막 트랜지스터(driving TFT)(Qd)를 이루며, 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 채널은 제2 반도체(151b)의 제2 채널 영역(154b)에 형성된다. 화소 전극(191), 유기 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)은 유기 발광 소자를 이루며, 화소 전극(191)이 애노드(anode), 공통 전극(270)이 캐소드(cathode)가 되거나 반대로 화소 전극(191)이 캐소드, 공통 전극(270)이 애노드가 된다. 서로 중첩하는 투명 도전체(133)와 불순물 영역인 제1 반도체(151a)의 확대 영역(157)은 유지 축전기(storage capacitor)(Cst)를 이룬다.

이러한 유기 발광 표시 장치는 기판(110)의 아래쪽으로 빛을 내보내어 영상을 표시한다. 즉 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 배면 발광(bottom emission) 방식을 이용한다.

위에서 설명한 본 실시예에 따르면, 화소 전극(191)이 투명 도전체(133)와 중첩하고 있고 아울러 유지 축전기로 사용하는 도전체(133)와 제1 반도체(151a)의 확대 영역(157)이 모두 투명하므로 개구율이 높아진다.

이처럼 높은 개구율을 확보할 수 있어 기존 대비 동일 휘도를 얻기 위해 필요한 에너지를 줄일 수 있고 그 결과 유기 발광 부재(370) 등의 수명이 길어질 수 있다.

다음 이러한 구조의 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법에 대하여 설명한다.

기판(110) 위에 진성 영역(154a, 154b), 불순물 영역(153a, 155a, 153b, 155b) 및 확대 영역(157)을 포함하는 반도체(151a, 151b), 게이트 절연막(140), 게이트선(121)과 제1 및 제2 제어 전극(124a, 124b)을 포함하는 게이트 도전체, 그리고 제1 층간 절연막(150)을 차례로 형성한다. 그리고 난 후 제1 층간 절연막(150) 위에 반도체(151a)의 확대 영역(157)과 중첩하는 투명 도전체(133)를 형성하고, 그 위에 제2 층간 절연막(160)을 형성한다. 이어서 제2 층간 절연막(160) 위에 입력 전극(173a, 173b)을 포함하는 데이터선(171), 구동 전압선(172), 연결 부재(85) 및 출력 전극(176)을 포함하는 데이터 도전체를 형성한다. 이어서 데이터 도전체 위에 보호막(180), 화소 전극(191), 격벽(361), 유기 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)을 차례로 형성한다.

다음 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 도 5 및 도 6을 참고하여 설명한다.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 6은 도 5의 액정 표시 장치를 VI-VI 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.

도 5 및 도 6을 참고하면, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 표시판(100) 및 이와 마주하는 공통 전극 표시판(200), 그리고 두 표시판(100, 200) 사이에 있는 액정층(3)을 포함한다.

먼저, 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명한다.

투명한 유리 따위로 만들어진 기판(110) 위에 다결정 규소 따위로 만들어진 반도체(151)가 형성되어 있다. 반도체(151)는 n형 또는 p형의 도전성 불순물을 포함하는 불순물 영역(153, 155) 및 유지 전극용 확대 영역(157)과 도전성 불순물을 거의 포함하지 않은 적어도 하나의 진성 영역을 포함한다. 불순물 영역은 소스 영역(153)과 이와 분리되어 있는 드레인 영역(155)을 포함하며, n형 불순물로 도핑되어 있다. 유지 전극용 확대 영역(157)은 소스 및 드레인 영역(153, 155)과 마찬가지로 n형 불순물로 도핑되어 있으며, 이들과 분리되어 있다. 진성 영역은 채널 영역(channel region)(154)을 포함하며, 소스 영역(153)과 드레인 영역(155) 사이에 위치한다.

불순물 영역은 채널 영역(154)과 소스 및 드레인 영역(153, 155) 사이에 위치한 저농도 도핑 영역을 더 포함할 수 있다.

반도체(151) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)에는 반도체(151)의 확대 영역(157)을 드러내는 접촉 구멍(141)이 형성되어 있다.

게이트 절연막(140) 위에는 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트선(121)과 유지 전극선(131)을 포함하는 게이트 도전체(gate conductor)가 형성되어 있다. 게이트 도전체는 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 그러나 이들은 물리적 성질이 다른 두 개의 도 전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다.

게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 게이트 전극(124)은 게이트선(121)으로부터 위로 뻗어 제1 반도체(151a)와 교차하는데, 채널 영역(154)과 중첩한다. 각 게이트선(121)은 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분을 포함할 수 있다.

유지 전극선(131)은 게이트선(121) 방향을 따라 이동하면서 단속적으로 배치되어 있다. 유지 전극선(131)의 분리되어 있는 부분은 각 화소에 하나씩 존재한다. 즉 하나의 화소에서 유지 전극선(131)은 서로 떨어져 있는 제1 부분과 제2 부분으로 구분될 수 있으며, 이들 제1 부분과 제2 부분은 기설정된 간격으로 떨어져 있다. 제1 부분과 제2 부분의 사이에는 반도체(151)의 확대 영역(157)이 위치하고 있으므로 확대 영역(157)의 대부분은 유지 전극선(131)과 중첩하지 않는다. 유지 전극선(131)의 양쪽 끝은 접촉 구멍(141)을 통하여 확대 영역(157)과 접촉하고 있다.

게이트 도전체(121, 124, 131) 위에는 무기 절연물로 만들어진 제1 층간 절연막(150)이 형성되어 있다.

제1 층간 절연막(150)에는 ITO 또는 IZO 따위로 만들어진 투명 도전체(133)가 형성되어 있다. 투명 도전체(133)는 유지 전극선(131)의 제1 부분과 제2 부분 사이에 위치하고 있어 유지 전극선(131)과는 중첩하지 않고, 반도체(151)의 확대 영역(157)과 중첩하고 있다.

제2 층간 절연막(160)에는 투명 도전체(133)를 드러내는 접촉 구멍(161)이 형성되어 있다. 제2 층간 절연막(160), 제1 층간 절연막(150) 및 게이트 절연막(140)에는 반도체(151)의 소스 및 드레인 영역(153, 155)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(164, 165)이 형성되어 있다.

제2 층간 절연막(160) 위에는 데이터선(171)과 드레인 전극(175)이 형성되어 있다.

데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 데이터선(171)은 접촉 구멍(164)을 통하여 반도체(151)의 소스 영역(153)과 연결되어 있는 소스 전극(173)을 포함한다.

드레인 전극(175)은 게이트 전극(124)과 분리되어 있으며, 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주한다. 드레인 전극(175)의 한쪽은 접촉 구멍(165)을 통하여 반도체(151)의 드레인 영역(155)과 연결되고, 다른 쪽은 접촉 구멍(161)을 통하여 투명 도전체(133)와 연결되어 있다.

이러한 데이터 도전체(171, 175)는 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속 또는 이들의 합금으로 만들어질 수 있다.

데이터 도전체(171, 175) 위에는 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 무기물, 유기물, 저유전율 절연 물질 따위로 만들어질 수 있으며, 표면은 평탄할 수 있다.

보호막(180) 및 제2 층간 절연막(160)에는 투명 도전체(133)를 드러내는 접촉 구멍(185)이 형성되어 있다.

보호막(180) 위에는 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 만들어진 화소 전극(191)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)은 접촉 구멍(185)을 통하여 투명 도전체(133)과 물리적, 전기적으로 연결되어 있다.

데이터선(171)으로부터의 신호는 소스 및 드레인(173, 175)을 통하여 투명 도전체(133)로 전달되고, 나아가 접촉 구멍(185)을 통하여 화소 전극(191)에 전달된다.

하나의 게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 반도체(151)와 함께 하나의 박막 트랜지스터를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 반도체(151)의 채널 영역(154)에 형성된다.

서로 중첩하는 투명 도전체(133)와 불순물 영역인 반도체(151)의 확대 영역(157)은 유지 축전기(Cst)를 이룬다.

다음, 공통 전극 표시판(200)을 설명한다.

기판(210) 위에 차광 부재(light blocking member)(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 화소 전극(191)과 마주보며 화소 전극(191)과 거의 동일한 모양을 가지는 복수의 개구부(225)를 가지고 있으며, 화소 전극(191) 사이의 빛샘을 막는다.

기판(210) 및 차광 부재(220) 위에는 덮개막(overcoat)(250)이 형성되어 있다. 덮개막(250)은 절연물로 만들어질 수 있으며 평탄면을 제공한다. 덮개 막(250)은 생략할 수 있다.

덮개막(250) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있으며, 공통 전극(270)은 ITO, IZO 등의 투명한 도전체 따위로 만들어진다.

기판(210)과 덮개막(250) 사이에는 색필터(230)가 형성되어 있으며, 덮개막(250)은 색필터(230)가 노출되는 것을 방지한다. 각 색필터(230)는 차광 부재(220)의 개구부(225) 내에 대부분 존재하며, 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다. 색필터(230)는 박막 트랜지스너 표시판(100)에 형성될 수도 있다.

공통 전극 표시판(200)과 박막 트랜지스터 표시판(100) 사이에는 액정층(3)이 위치한다.

액정 표시 장치는 공통 전극 표시판(200)의 위 또는 박막 트랜지스터 표시판(100)의 아래에 배치된 광원(도시하지 않음)을 포함할 수 있다. 따라서 액정 표시 장치는 광원의 위치에 따라 전면 또는 배면으로 영상을 표시할 수 있다.

한편, 반도체(151)는 비정질 규소일 수 있으며 이 경우에는 반도체(151)에 불순물 영역이 따로 존재하지 않는다. 대신 반도체(151)와 데이터 도전체(171, 173, 175)의 사이에 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위로 만들어진 저항성 접촉 부재(도시하지 않음)를 둘 수 있다.

또한, 게이트 전극(124)을 반도체(151) 아래에 둘 수 있으며 이때에도 게이트 절연막(140)은 반도체(151)와 게이트 전극(124) 사이에 위치한다. 이때, 데이터 도전체(171, 173, 175)는 게이트 절연막(140) 바로 위에 위치할 수 있다.

또한, 데이터 도전체(171, 173, 175)는 반도체(151) 아래에 위치하여 그 위의 반도체(151)와 전기적으로 접촉할 수 있다.

위에서 설명한 본 실시예에 따르면, 유지 축전기로 사용하는 도전체(133)와 반도체(151)의 확대 영역(157)이 모두 투명하므로 개구율이 높아진다. 이처럼 높은 개구율을 확보할 수 있어 기존 대비 동일 휘도를 얻기 위해 필요한 에너지를 줄일 수 있고 그 결과 광원 등의 수명이 길어질 수 있다.

다음 이러한 구조의 액정 표시 장치를 제조하는 방법에 대하여 설명한다.

기판(110) 위에 진성 영역(154), 불순물 영역(153, 155) 및 확대 영역(157)을 포함하는 반도체(151), 게이트 절연막(140), 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트선(121)과 유지 전극선(131)을 포함하는 게이트 도전체, 그리고 제1 층간 절연막(150)을 차례로 형성한다. 그리고 난 후 제1 층간 절연막(150) 위에 반도체(151)의 확대 영역(157)과 중첩하는 투명 도전체(133)를 형성하고, 그 위에 제2 층간 절연막(160)을 형성한다. 이어서 제2 층간 절연막(160) 위에 소스 전극(173)을 포함하는 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)을 형성한다. 이어서 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 위에 보호막(180) 및 화소 전극(191)을 형성하여 박막 트랜지스터 표시판(100)을 완성한다. 마지막으로 차광 부재(220), 색필터(230), 덮개막(250) 및 공통 전극(270)을 포함하는 공통 전극 표시판(200)을 박막 트랜지스터 표시판(100)과 결합시킨다. 액정층(3)은 두 표시판(100, 200)의 결합 전에 어느 한 표시판(100, 200) 위에 적하하여 형성할 수도 있고, 또는 두 표시판(100, 200)의 결합 후 그 사이에 주입할 수도 있다.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이고,

도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 복수의 화소 배치를 보여주는 개략도이고,

도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이고,

도 4는 도 3의 유기 발광 표시 장치를 IV-IV'''선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고,

도 6은 도 5의 표시 장치를 VI-VI 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.

<도면 부호의 설명>

3: 액정층 85: 연결 부재

110, 210: 기판 121: 게이트선

124: 게이트 전극 124a, 124b: 제1 및 제2 제어 전극

131: 유지 전극선 133: 투명 도전체

140: 게이트 절연막 141, 161, 164, 165, 166, 185: 접촉 구멍

150, 160: 층간 절연막 151, 151a, 1521b: 반도체

153, 153a, 153b: 소스 영역 154: 채널 영역

155, 155a, 155b: 드레인 영역 157: 확대 영역

171: 데이터선 172: 구동 전압선

173: 소스 전극 173a, 173b: 입력 전극

175: 드레인 전극 176: 출력 전극

180: 보호막 191: 화소 전극

220: 차광 부재 230: 색필터

270: 공통 전극 361: 격벽

365: 개구부 370: 유기 발광 부재

Qs: 스위칭 트랜지스터 Qd: 구동 트랜지스터

LD: 유기 발광 다이오드 Vss: 공통 전압

Cst: 유지 축전기

Claims

기판,

상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트선,

상기 기판 위에 형성되어 있는 데이터선,

상기 기판 위에 형성되어 있는 구동 전압선,

상기 기판 위에 형성되어 있으며, 상기 데이터선에 연결되어 있는 입력 단자, 출력 단자 및 상기 게이트선에 연결되어 있는 제어 단자를 가지는 제1 박막 트랜지스터,

상기 기판 위에 형성되어 있으며, 입력 단자, 출력 단자 및 제어 단자를 가지는 제2 박막 트랜지스터,

상기 제1 박막 트랜지스터의 출력 단자와 상기 제2 박막 트랜지스터의 제어 단자 사이에 연결되어 있는 유지 전극용 확대 영역을 가지는 제1 반도체,

상기 구동 전압선에 연결되어 있고, 상기 유지 전극용 확대 영역와 중첩하는 유지 전극용 투명 도전체, 그리고

상기 제2 박막 트랜지스터의 출력 단자와 연결되어 있고 상기 유지 전극용 투명 도전체와 중첩하는 화소 전극

을 포함하는 표시 장치.
제1항에서,

상기 제1 반도체는

상기 제1 박막 트랜지스터의 제어 단자와 중첩하는 진성 영역,

상기 진성 영역의 한 쪽에 연결되어 있고 상기 제1 박막 트랜지스터의 입력 단자와 중첩하는 제1 영역과, 상기 진성 영역의 다른 쪽에 연결되어 있는 제2 영역을 구비하는 불순물 영역

을 더 포함하며,

상기 제2 영역은 상기 제1 박막 트랜지스터의 출력 단자로서 상기 유지 전극용 확대 영역과 연결되어 있는

표시 장치.
제2항에서,

상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광 부재, 그리고

상기 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 공통 전극

을 더 포함하는

표시 장치.
제3항에서,

상기 유지 전극용 확대 영역은 투명 물질로 만들어진 표시 장치.
제4항에서,

상기 투명 도전체의 면적은 상기 확대 영역의 면적과 동일하거나 상기 확대 영역의 면적보다 작은 표시 장치.
제1항에서,

상기 화소 전극은 투명 물질로 만들어진 표시 장치.
제6항에서,

상기 공통 전극은 반사성 금속으로 만들어진 표시 장치.
기판,

상기 기판 위에 형성되어 있고, 진성 영역, 불순물 영역 및 상기 불순물 영역과연결되어 있는 확대 영역을 가지는 제1 반도체,

상기 제1 반도체 위에 형성되어 있는 제1 절연막,

상기 제1 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 반도체의 진성 영역과 중첩하고 있는 제1 제어 전극을 포함하는 게이트선,

상기 게이트선 위에 형성되어 있는 제2 절연막,

상기 제2 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 반도체의 확대 영역과 중첩하는 유지 전극용 투명 도전체,

상기 투명 도전체 위에 형성되어 있는 제3 절연막,

상기 제3 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 반도체의 불순물 영역과 연 결되어 있는 데이터선,

상기 제3 절연막 위에 형성되어 있고 상기 데이터선과 떨어져 있으며 상기 투명 도전체와 연결되어 있는 구동 전압선,

상기 제3 절연막 위에 형성되어 있고 상기 데이터선 및 상기 구동 전압선과 떨어져 있으며 상기 투명 도전체로부터 신호를 전달 받는 출력 전극,

상기 데이터선, 상기 구동 전압선 및 상기 출력 전극 위에 형성되어 있는 제4 절연막,

상기 제4 절연막 위에 형성되어 있고 상기 출력 전극과 연결되어 있으며 상기 투명 도전체와 중첩하는 화소 전극, 그리고

상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광 부재

를 포함하는 표시 장치.
제8항에서,

상기 표시 장치는 복수의 화소를 포함하고,

상기 투명 도전체는 복수로 구비되어 상기 각 화소에 적어도 하나씩 배치되어 있으며,

이웃하는 상기 화소에 위치하는 상기 투명 도전체는 서로 고립되어 있는

표시 장치.
제9항에서,

상기 출력 전극과 연결되어 있는 출력 불순물 영역, 상기 투명 도전체와 연결되어 있는 입력 불순물 영역 및 상기 출력 불순물 영역과 상기 입력 불순물 영역 사이에 위치하는 진성 영역을 구비하는 제2 반도체, 그리고

상기 제2 반도체의 진성 영역과 중첩하고 있으며, 상기 제1 반도체의 확대 영역과 연결되어 이로부터 제어 신호를 전달 받는 제2 제어 전극

을 더 포함하는 표시 장치.
제8항에서,

상기 유기 발광 부재는 적색광, 녹색광, 청색광 또는 백색광을 발광하는 표시 장치.
제8항에서,

상기 제4 절연막은 안료를 포함하는 유기 물질로 만들어진 표시 장치.
기판,

상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트선,

상기 기판 위에 형성되어 있는 데이터선,

상기 기판 위에 형성되어 있으며, 상기 데이터선에 연결되어 있는 입력 단자, 출력 단자 및 상기 게이트선에 연결되어 있는 제어 단자를 가지는 박막 트랜지스터,

상기 기판 위에 형성되어 있는 화소 전극,

상기 박막 트랜지스터의 출력 단자와 상기 화소 전극 사이에 연결되어 있는 유지 전극용 투명 도전체,

상기 기판 위에 형성되어 있으며 상기 투명 도전체와 중첩되어 있는 유지 전극용 확대 영역을 가지는 반도체, 그리고

상기 기판 위에 형성되어 있고, 상기 확대 영역의 양 끝에 연결되어 있는 유지 전극선

을 포함하는 표시 장치.
기판,

상기 기판 위에 형성되어 있으며, 진성 영역과 불순물 영역 및 이들과 분리되어있는 유지 전극용 확대 영역을 가지는 반도체,

상기 반도체 위에 형성되어 있으며 상기 확대 영역과 중첩하는 유지 전극용 투명 도전체, 그리고

상기 반도체와 상기 투명 도전체 사이에 배치되어 있으며, 상기 확대 영역과 연결되어 있는 유지 전극선

을 포함하며,

상기 유지 전극선은 제1 부분과 제2 부분으로 분리되어 기설정된 간격으로 떨어져 있고, 상기 투명 도전체는 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이에 위치하는

표시 장치.
제14항에서,

상기 반도체 위에 형성되어 있는 제1 절연막,

상기 제1 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 반도체의 진성 영역과 중첩하고 있는 게이트 전극을 가지는 게이트선,

상기 게이트선 및 상기 유지 전극선 위에 형성되어 있는 제2 및 제3 절연막,

상기 제3 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 반도체의 불순물 영역과 연결되어 있는 소스 전극을 가지는 데이터선,

상기 게이트 전극을 중심으로 상기 소스 전극과 떨어져 있으며, 한쪽은 상기 반도체의 불순물 영역과 연결되어 있고 다른 쪽은 상기 투명 도전체와 연결되어 있는 드레인 전극,

상기 데이터선 및 상기 드레인 전극 위에 형성되어 있는 제4 절연막,

상기 제4 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 투명 도전체와 연결되어 이로부터 데이터 신호를 전달 받는 화소 전극,

상기 화소 전극 위에 위치하는 액정층, 그리고

상기 액정층 위에 위치하는 공통 전극

을 더 포함하며,

상기 투명 도전체는 상기 제2 절연막과 상기 제3 절연막 사이에 위치하는

표시 장치.
제15항에서,

상기 확대 영역은 투명 물질로 만들어지며, 상기 확대 영역 및 상기 투명 도전체를 통과하는 빛은 영상의 표시에 사용되는 표시 장치.
제16항에서,

상기 투명 도전체의 면적은 상기 확대 영역의 면적과 동일하거나 상기 확대 영역의 면적보다 작은 표시 장치.