KR20070062250A - 전계발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 제 1 기판 상에 형성된 제 1 발광부의 제 1 및 제 2 전극과, 제 2 기판 상의 구동부의 드레인 전극에서 전기적으로 연장되는 연결 전극을 포함하되, 전술한 제 1 또는 제 2 전극 중 어느 하나의 전극과 전술한 연결 전극에 면접촉하는 전기 접촉부를 특징으로 하는 전계발광소자를 제공한다.
전계발광소자, 페이스트, 유기발광층
Description
도 1은 종래 전계발광소자의 단면도 및 주요부의 확대 단면도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전계발광소자의 주요부의 확대 단면도.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전계발광소자의 주요부의 확대 단면도.
도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 전계발광소자의 주요부의 확대 단면도.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전계발광소자의 제 2 기판의 제조공정 단계별 부분 단면도.
도 8 내지 도 11은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전계발광소자의 제 1 기판의 제조공정 단계별 부분 단면도.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>
10 : 제 1 기판 12 : 제 1 전극
14 : 유기발광층 16: 제 2 전극
18a : 격벽 절연층 18b : 연결 전극 절연층
30 : 제 2 기판 32a : 활성층
32b : 소스 32c : 드레인
32d : 게이트 전극 34 : 층간 절연막
36 : 게이트 절연막 38a : 제 1 금속 전극
38b : 제 2 금속 전극 39 : 구분 절연막
50 : 제 1 기판 52 : 제 1 전극
54 : 유기발광층 56: 제 2 전극
58a : 격벽 절연층 58b : 연결 전극 절연층
70 : 제 2 기판 72a : 활성층
72b : 소스 72c : 드레인
72d : 게이트 전극 74 : 층간 절연막
76 : 게이트 절연막 78a : 제 1 금속 전극
78b : 제 2 금속 전극 79 : 구분 절연막
A : 제 2 금속 전극의 소정 영역 A' : 연결 전극 접촉부
C, C' : 연결 전극 C1 : 제 1 연결 전극
C2 : 제 2 연결 전극 I : 격벽
L : 발광부 S, S' : 스페이서
S1 : 제 1 스페이서 S2 : 제 2 스페이서
본 발명은 전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이하, 종래 기술 및 본 발명에 대한 설명은 전계발광소자의 발광부에 유기발광층을 적용한 경우로 예를 들어 도시 설명하겠다.
유기전계발광소자는 전자(election) 주입전극(cathode)과 정공(hole) 주입전극(anode)으로부터 각각 전자와 정공을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자와 정공이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 방출되는 에너지로 발광하는 소자이다.
이러한 유기전계발광소자는 서브픽셀을 구동하는 방식에 따라 패시브 매트릭스형 유기전계발광소자(Passive Matrix Organic Organic Emitting Light Diode: PMOELD)와 박막트랜지스터(TFT)를 이용하여 구동하는 방식인 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(Active Matrix Organic Organic Emitting Light Diode : AMOELD)로 구분할 수 있다.
또한, 유기전계발광소자는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식과 배면발광(Bottom-Emission) 방식이 있다.
한편, 유기전계발광소자가 응용되는 이동단말기 또는 디스플레이 장치 등과 같은 분야의 기술 발전에 따라, 빛이 방출되는 방향을 어느 한 방향으로 한정하지 않고, 양면으로 빛을 방출하는 양면발광디스플레이 방식도 개발되고 있다.
이하, 종래 전계발광소자의 구조에 대한 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 종래 전계발광소자의 단면도 및 주요부의 확대 단면도이다.
도 1을 참조하면, 구동부(32)와 발광부(L)를 상호 간 대향 배치되고 실란트(Sealant)로 봉지되어 합착되는 두 기판(10,30)에 각각 구분 형성하여 공정 수율 및 발광 효율을 개선한 형태의 종래 유기전계발광소자(이하, 전계발광소자로 약칭함.)를 볼 수 있다.
상세하게는 제 1 기판(10) 상에 제 1 전극(12)과 유기 발광층(14) 및 제 2 전극(16)이 순차적으로 적층되어 발광부(L)가 형성되어 있었다.
예를 들어, 제 1 전극(12)은 양극(애노드)으로 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide ;ITO)나 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide; IZO)와 같은 투명도전성 물질로 형성되었다.
그리고, 제 2 전극(14)은 음극(캐소드)으로 반사율이 있거나 불투명한 금속물질 중에서 채택되어 형성되었다.
또한, 전술한 유기 발광층(14)은 정공 주입/수송층과 발광층 및 전자 주입/수송층의 순차적 적층구조로 구성되었으며, 제 1 전극(12)으로부터 정공 주입/수송층을 통해 발광층에 정공이 공급되고, 제 2 전극(16)으로부터 전자 주입/수송층을 통해 발광층으로 전자가 공급되었다.
이상과 같은 기본 구조에서, 제 1 전극(12) 상에는 상호 간 소정 간격을 두고 격벽 절연층(18a)과 연결 전극 절연층(18b)이 형성되며, 격벽 절연층(18a) 상에 는 발광부의 영역을 구분하는 격벽(I)이, 연결 전극 절연층(18b) 상에는 전술한 격벽(I)보다 높게 스페이서(S)가 형성되어 있었다. 또한, 격벽(I)과 스페이서(S)가 형성된 구조 상에 유기발광층(14)과 제 2 전극(16)이 적층되어 연결 전극(C)이 완성되었다.
한편, 제 2 기판(30) 상에는 전술한 연결 전극(C)과 대응되도록 구동부(32)가 구비되어 있었다.
상세하게는 제 2 기판(30) 상에 비정질 실리콘이나 다결정 실리콘으로 활성층(32a)이 선택적으로 형성되고, 그 활성층(32a)의 일부에 불순물이 첨가되어 박막트랜지스터부의 소스(32b)와 드레인(32c)이 형성되었다.
이어서, 층간 절연막(34)이 형성되고, 그 위에 게이트 전극(32d)이 형성되며, 게이트 전극(32d)이 형성된 구조상에 게이트 절연막(36)이 형성되었다. 또한, 전술한 소스(32b)와 드레인(32c) 영역이 노출되도록 콘텍홀이 형성되고, 그 콘텍홀을 통해 소스(32b)와 드레인(32c)이 각각 노출되도록 제 1 금속 전극(38a)과 제 2 금속 전극(38b)이 형성되었다.
이때, 제 2 금속 전극(38b)은 전술한 연결 전극(C)과 접촉하여 전기적으로 연결되도록 제 2 기판(30) 상의 소정 영역에 연장 형성되었다. 또한, 제 2 금속 전극(38b)의 소정 영역(A)이 선택적으로 노출되도록 구분 절연막(39)이 형성되었다.
이상과 같은 구조의 제 1 기판(10)과 제 2 기판(30)으로 구성된 종래 전계발광소자는 표시장치에 적용시 연결 전극 구조에서 비롯되는 큰 문제점이 있었다.
연결 전극(C)을 구성하는 스페이서(S)의 형성시 공정상 오차로 인해 각 연결 전극(C) 간 사이즈 차가 생기므로 제 1 기판(10)과 제 2 기판(30)을 합착시 일부 연결 전극(C)의 접촉 불량이 발생하였다. 또한, 기판의 합착 공정상 물리력을 기판 전체에 일정하게 가하는 것이 용이하지 않았고, 일부 영역에 집중 응력이 발생하므로 연결 전극(C)의 접촉 불량이 발생하였다.
또한, 소자의 구동시 발생하는 열로 인한 스페이서의 변형으로 연결 전극의 접촉 불량이 발생하였다.
이러한 연결 전극(C)의 접촉 불량은 소자를 표시장치에 적용시 암점(dead point)이나 화면이 얼룩얼룩해지는 휘도 불량등의 심각한 문제를 발생시켰다.
따라서, 공정 수율과 제품의 수명 및 신뢰도의 저하 문제가 발생하였다.
이상과 같은 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 연결 전극의 효과적인 연결구조를 구현함으로써 전계발광소자의 공정 수율을 향상시키고, 그 전계발광소자를 적용한 제품의 수명 및 신뢰도를 향상시키는데 그 목적이 있다.
궁극적으로 본 발명은 전술한 목적에 부합하는 개선된 구조의 전계발광소자 및 그 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
전술한 문제를 해결하기 위해 본 발명은 제 1 기판 상에 형성된 제 1 발광부의 제 1 및 제 2 전극과, 제 2 기판 상의 구동부의 드레인 전극에서 전기적으로 연장되는 연결 전극을 포함하되, 전술한 제 1 또는 제 2 전극 중 어느 하나의 전극과 전술한 연결 전극에 면접촉하는 전기 접촉부를 특징으로 하는 전계발광소자를 제공한다.
전술한 전계발광소자는 전술한 제 2 기판 상에서 전술한 구동부와 인접 형성되되 전기적으로 연결되는 제 2 발광부를 포함할 수 있다.
전술한 전기 접촉부는 Ag, Cu, Au 중 어느 하나를 포함하며, 전도성과 점성 및 내열성을 갖는 페이스트인 것을 특징으로 한다.
전술한 제 1 발광부는 유기물인 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 제 2 발광부는 유기물인 것을 특징으로 한다.
다른 측면에서, 본 발명은 제 1 기판 상에 형성된 제 1 발광부의 제 1 또는 제 2 전극 중 어느 하나의 전극에서 전기적으로 연장되는 연결 전극과, 제 2 기판 상의 구동부의 드레인 전극을 포함하되, 전술한 연결 전극과 전술한 드레인 전극에 면접촉하는 전기 접촉부를 특징으로 하는 전계발광소자를 제공한다.
전술한 전계발광소자는 전술한 제 2 기판 상에서 전술한 구동부와 인접 형성되되 전기적으로 연결되는 제 2 발광부를 포함할 수 있다.
전술한 전기 접촉부는 Ag, Cu, Au 중 어느 하나를 포함하며, 전도성과 점성 및 내열성을 갖는 페이스트인 것을 특징으로 한다.
전술한 제 1 발광부는 유기물인 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 제 2 발광부는 유기물인 것을 특징으로 한다.
또 다른 측면에서, 본 발명은 제 1 기판 상에 형성된 제 1 발광부의 제 1 또는 제 2 전극 중 어느 하나의 전극에서 전기적으로 연장되는 제 1 연결 전극과, 제 2 기판 상의 구동부의 드레인 전극에서 전술한 제 1 연결 전극과 대응되어 전기적으로 연장되는 제 2 연결 전극을 포함하되, 전술한 제 1 연결 전극과 전술한 제 2 연결 전극에 면접촉하는 전기 접촉부를 특징으로 하는 전계발광소자를 제공한다.
전술한 전계발광소자는 전술한 제 2 기판 상에서 전술한 구동부와 인접 형성되되 전기적으로 연결되는 제 2 발광부를 포함할 수 있다.
전술한 전기 접촉부는 Ag, Cu, Au 중 어느 하나를 포함하며, 전도성과 점성 및 내열성을 갖는 페이스트인 것을 특징으로 한다.
전술한 제 1 발광부는 유기물인 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 제 2 발광부는 유기물인 것을 특징으로 한다.
또 다른 측면에서, 전술한 문제를 해결하기 위해 본 발명은 제 1 기판 상에 다수의 화소 영역을 배치 형성하여 제 1 발광부를 형성하는 제 1 발광부 형성단계와, 제 2 기판 상에 전술한 제 1 발광부와 전기적으로 대응되도록 구동부를 형성하는 구동부 형성단계를 포함하되, 전술한 구동부의 드레인 전극에서 전기적으로 연장되는 연결 전극을 형성하며, 전술한 제 1 발광부의 제 1 또는 제 2 전극 중 어느 하나의 전극과 전술한 연결 전극에 면접촉하는 전기 접촉부를 형성하는 전기 접촉부 형성단계를 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법을 제공한다.
전술한 전계발광소자의 제조방법은 전술한 제 2 기판 상에 전술한 구동부와 전기적으로 연결되는 제 2 발광층을 형성하는 제 2 발광층 형성단계를 포함할 수 있다.
전술한 전기 접촉부 형성단계의 전술한 전기 접촉부는 Ag, Cu, Au 중 어느 하나를 포함하며, 전도성과 점성 및 내열성을 갖는 페이스트를 적용한 것을 특징으로 한다.
전술한 전계발광소자의 제조방법은 전술한 제 1 발광층을 유기물로 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 전계발광소자의 제조방법은 전술한 제 2 발광층을 유기물로 형성하는 것을 특징으로 한다.
또 다른 측면에서, 본 발명은 제 1 기판 상에 다수의 화소 영역을 배치 형성하여 제 1 발광부를 형성하는 제 1 발광부 형성단계와, 제 2 기판 상에 전술한 제 1 발광부와 전기적으로 대응되도록 구동부를 형성하는 구동부 형성단계를 포함하되, 전술한 제 1 발광부의 제 1 또는 제 2 전극 중 어느 하나의 전극에서 전기적으로 연장되는 연결 전극을 형성하며, 전술한 연결 전극과 전술한 구동부의 드레인 전극에 면접촉하는 전기 접촉부를 형성하는 전기 접촉부 형성단계를 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법을 제공한다.
전술한 전계발광소자의 제조방법은 전술한 제 2 기판 상에 전술한 구동부와 전기적으로 연결되는 제 2 발광층을 형성하는 제 2 발광층 형성단계를 포함할 수 있다.
전술한 전기 접촉부 형성단계의 전술한 전기 접촉부는 Ag, Cu, Au 중 어느 하나를 포함하며, 전도성과 점성 및 내열성을 갖는 페이스트를 적용한 것을 특징으로 한다.
전술한 전계발광소자의 제조방법은 전술한 제 1 발광층을 유기물로 형성하는 것을 특징으로 한다.
전술한 전계발광소자의 제조방법은 전술한 제 2 발광층을 유기물로 형성하는 것을 특징으로 한다.
또 다른 측면에서, 본 발명은 제 1 기판 상에 다수의 화소 영역을 배치 형성하여 제 1 발광부를 형성하는 제 1 발광부 형성단계와, 제 2 기판 상에 전술한 제 1 발광부와 전기적으로 대응되도록 구동부를 형성하는 구동부 형성단계를 포함하되, 전술한 제 1 발광부의 제 1 또는 제 2 전극 중 어느 하나의 전극에서 전기적으로 연장되는 제 1 연결 전극을 형성하며, 전술한 구동부의 드레인 전극에서 전기적으로 연장되되 전술한 제 1 연결 전극에 대응 연결되는 제 2 연결 전극을 형성하고, 전술한 제 1 연결 전극과 전술한 제 2 연결 전극에 면접촉하는 전기 접촉부를 형성하는 전기 접촉부 형성단계를 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법을 제공한다.
전술한 전계발광소자의 제조방법은 전술한 제 2 기판 상에 전술한 구동부와 전기적으로 연결되는 제 2 발광층을 형성하는 제 2 발광층 형성단계를 포함할 수 있다.
전술한 전기 접촉부 형성단계의 전술한 전기 접촉부는 Ag, Cu, Au 중 어느 하나를 포함하며, 전도성과 점성 및 내열성을 갖는 페이스트를 적용한 것을 특징으로 한다.
전술한 전계발광소자의 제조방법은 전술한 제 1 발광층을 유기물로 형성하는 것을 특징으로 한다.
전술한 전계발광소자의 제조방법은 전술한 제 2 발광층을 유기물로 형성하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 대한 다양한 실시예들을 도시 참조하여 설명하도록 한다. 단, 동일한 구성 및 기능요소에 대하여 동일한 부호를 부여하며, 동일한 내용은 간략화하고 각각의 특징부에 촛점을 맞추어 설명하여 비교 및 이해를 용이하게 한다.
<제 1 실시예>
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전계발광소자의 주요부의 확대 단면도이다.
도 2를 참조하면, 제 1 기판(50) 상에는 발광부(L)와 연결 전극(C)이 형성되어 있다. 상세하게는 제 1 기판(50) 상에 제 1 전극(52)이 적층되고, 그 위에 상호 간 소정 간격 이격되어 격벽 절연층(58a)와 연결 전극 절연층(58b)이 선택적으로 형성되어 있다.
전술한 격벽 절연층(58a) 상에는 격벽(I)이 형성되고, 연결 전극 절연층 (58b) 상에는 격벽(I)보다 높게 스페이서(S)가 형성되어 있다.
이어서, 유기 발광층(54)과 제 2 전극(56)이 적층되어 발광부(L)와 연결 전극(C)이 형성되어 있다.
한편, 제 2 기판(70) 상에는 비정질 실리콘이나 다결정 실리콘으로 활성층(72a)이 선택적으로 형성되고, 그 활성층(72a)과 인접하여 박막트랜지스터의 소스(72b)와 드레인(72c)이 형성되어 있다.
이어서, 층간 절연막(74)이 형성되고, 그 위에 게이트 전극(72d)이 형성되며, 게이트 전극(72d)이 형성된 구조상에 게이트 절연막(76)이 형성되어 있다. 또한, 전술한 소스(72b)와 드레인(72c) 영역이 노출되도록 콘텍홀이 형성되고, 그 콘텍홀을 통해 소스(72b)와 드레인(72c)이 각각 노출되도록 제 1 금속 전극(78a)과 제 2 금속 전극(78b)이 형성되어 있다.
이때, 제 2 금속 전극(78b)은 전술한 연결 전극(C)과 접촉하여 전기적으로 연결되도록 제 2 기판(70) 상의 소정 영역(A)에 연장 형성되어 있다. 또한, 제 2 금속 전극(78b)의 소정 영역(A)이 선택적으로 노출되도록 구분 절연막(39)이 형성되어 있다.
이상과 같은 구조의 제 1 기판(50)과 제 2 기판(70)은 연결 전극(C)과 전술한 제 2 금속(78b)의 소정 영역(A)이 대응되어 연결되도록 합착된다.
이때, 전술한 연결 전극(C)과 제 2 금속 전극(78b)의 소정 영역(A) 사이에는 Ag, Cu, Au를 주 기재로 하며, 전도성과 점성 및 내열성을 갖는 페이스트 타입의 전기 접촉부(P)가 형성되어 전술한 연결 전극(C)과 제 2 금속 전극(78b)의 전기적 연결 상태를 효율적으로 개선한다.
단, 전술한 전기 접촉부(P)의 주기재로 사용되는 금속은 Ag, Cu, Au에 한정되지 않고, 어느 하나 이상의 합금이 채택 적용될 수 있다.
<제 2 실시예>
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전계발광소자의 주요부의 확대 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예는 전술한 제 1 실시예와 동일한 구성 및 구조를 따르되, 스페이서의 구조 측면에서 차이가 난다.
상세하게는 제 2 기판의 게이트 절연막(76) 상에 스페이서(S')가 형성되며, 그 위에 제 2 금속 전극(78b)이 덮는 구조로 형성되어 연결 전극(C')이 형성되어 있다. 전술한 연결 전극(C')은 제 1 기판(50) 상의 연결 전극 절연막(58b)과 그 위에 적층된 유기발광층(54) 및 제 2 전극(56)으로 구성된 연결 전극 접촉부(A')와 전기 접촉부(P)를 통해 전기적으로 연결된다.
<제 3 실시예>
도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 전계발광소자의 주요부의 확대 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예는 도 2의 제 1 실시예와 동일한 구 성 및 구조를 따르되, 연결 전극을 구성하는 스페이서의 구조 측면에서 차이가 있다.
제 1 기판(50) 상에는 도 2에 도시한 제 1 실시예와 동일한 구조로 제 1 스페이서(S1)가 형성되고, 제 2 기판(70) 상에는 제 2 실시예와 동일한 구조로 제 2 스페이서(S2)가 형성되어 있다. 이에 따라, 제 1 연결 전극(C1)과 제 2 연결 전극(C2)이 구분되어 형성되어 있다.
이상과 같은 구조의 제 1 및 제 2 기판(50,70)은 전술한 제 1 및 제 2 연결 전극(C1, C2)이 전기 접촉부(P)를 통해 대응되어 접촉되도록 합착되어 있다.
이하, 본 발명의 제 1 실시예를 참조하여, 단계별 공정을 설명한다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전계발광소자의 제 2 기판의 제조공정 단계별 부분 단면도이다.
도 5를 참조하면, 기판 패터닝 단계로 제 1 기판(50)상에 다수의 화소 영역(P)을 정의하며, 제 2 기판(70) 상에 전술한 화소 영역(P)에 대응되도록 박막트랜지스터부(스위칭 소자와 이에 연결된 구동소자)를 형성하는 준비를 한다. 이때, 제 1 및 제 2 기판(50, 70)은 투명한 재질을 채택한다.
도 6을 참조하면, 구동부 형성단계로 제 1 기판(50) 상에 정의된 화소 영역(P)에 대응되도록 제 2 기판(70) 상에 박막트랜지스터를 형성한다.
상세하게는 제 2 기판(70) 상에 질화 실리콘(SiNx)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 실리콘 절연물질 그룹 중 선택된 어느 하나로 버퍼층을 형성한다. 그 형성된 버퍼층 상에 비정질 실리콘(a-Si)을 증착한 후 탈수소화 과정과 열을 이용한 결정화 공정을 진행하여 다결정 실리콘 활성층을 형성한 후 패터닝하여, 활성층(72a)을 형성한다.
이후, 활성층(72a)의 양 옆에 불순물을 주입하고 열처리하여 소스(72b)와 드레인(72c)을 형성하고, 활성층(72a) 및 소스(72b)와 드레인(72c) 상에 층간 절연막(74)을 형성한다.
이어서, 층간 절연막(74) 상에 게이트 전극(72d)을 형성한다. 그 위에 게이트 절연막(76)을 형성하고, 전술한 소스(72b)와 드레인(72c)이 각각 노출되도록 컨택홀(H)을 형성한다.
도 7을 참조하면, 연결 전극 접촉부 형성단계로 전술한 컨택홀(H)을 통해 전술한 소스(72b)와 드레인(72c)이 각각 노출되도록 제 1 및 제 2 금속 전극(78a, 78b)을 형성한다. 이때, 제 2 금속 전극(78b)은 연결 전극 접촉부(A')를 형성하기 위해, 소정 영역에 연장하여 형성한다. 그 위에 전술한 연결 전극 접촉부(A')가 노출되도록 선택적으로 구분 절연막(79)을 형성한다.
이하, 전술한 제 2기판(70)에 대응되며, 발광부가 형성된 제 1 기판의 단계 별 공정을 설명한다.
도 8 내지 도 11은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전계발광소자의 제 1 기판의 제조공정 단계별 부분 단면도이다.
도 8을 참조하면, 화소 패터닝 단계로 제 1 기판(50) 상에 제 1 전극(52)을 선택적으로 형성하고, 그 형성된 제 1 전극(52) 상에 도 5에 도시한바 정의된 화소 영역(P)이 구분되도록 격벽 절연층(58a)을 형성하고, 전술한 격벽 절연층(58a)과 소정 거리 이격되어 연결 전극이 형성되도록 연결 전극 절연층(58b)을 형성한다. 이어서, 전술한 격벽 절연층(58a) 상에 격벽(I)을 형성한다.
도 9를 참조하면, 연결 전극 형성단계로 전술한 연결 전극 절연층(58b) 상에 전술한 격벽(I)보다 높게 스페이서(S)를 형성한다. 이어서, 전자 주입/수송층과 발광층 및 정공 주입/전달층이 순차적으로 적층되어 구성되는 유기발광층(54)을 형성하고, 그 위에 제 2 전극(56)을 형성하여, 발광부(L)와 연결 전극(C)을 형성한다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 전기 접촉부 형성 및 기판 합착 단계로 형성된 연결 전극(C) 상에 Ag, Cu, Au 중 어느 하나를 주 기재로 포함하며, 전도성과 점성 및 내열성을 갖는 페이스트 타입의 전기 접촉부(P)를 형성한다.
이어서, 전술한 제 1 기판(50) 상의 연결 전극(C)과 제 2 기판(70) 상의 연결 전극 접촉부(A')가 대응되어 전술한 전기 접촉부(P)를 통해 연결되도록 제 1 및 제 2 기판(50, 70)을 합착한다. 또한, 전기 접촉부(P)에 특정 빛 또는 열을 가하여 경화시킴으로써 전계발광소자를 완성한다.
이상과 같은 구조를 지닌 본 발명의 다양한 실시예에 따른 전계발광소자는 종래 연결 전극의 전기 접촉구조를 개선함으로써 본 발명의 소기 목적을 달성할 수 있다.
이상 본 발명에서는 발광부가 제 1 기판 상에만 형성된 경우로 도시하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 국한되지 않으며, 제 2 기판 상에도 발광부가 선택적으로 형성될 수 있다.
이상 종래 기술 및 본 발명을 설명함에 있어서, 전계발광소자의 발광부에 유기물 발광층을 채택 적용한 경우로 예시하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 발광부에 무기물 또한 적용 가능한 전계발광소자의 범주로 이해되어야 한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모 든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
본 발명에 따르면, 전계발광소자의 연결 전극 구조에 있어서, 전도성과 점성 및 내열성을 가진 페이스트 타입의 전기 접촉부가 제 1 및 제 2 기판의 전기 접촉도를 향상시키므로, 공정상 오차 및 한계와 구동열에 의한 연결 전극의 전기 접촉 불량 문제를 해결할 수 있다.
이에 따라, 본 발명은 공정 수율 및 제품의 수명과 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
Claims (16)
- 제 1 기판 상에 형성된 제 1 발광부의 제 1 및 제 2 전극과;제 2 기판 상의 구동부의 드레인 전극에서 전기적으로 연장되는 연결 전극;을 포함하되,상기 제 1 또는 제 2 전극 중 어느 하나의 전극과 상기 연결 전극에 면접촉하는 전기 접촉부를 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 1 기판 상에 형성된 제 1 발광부의 제 1 또는 제 2 전극 중 어느 하나의 전극에서 전기적으로 연장되는 연결 전극과;제 2 기판 상의 구동부의 드레인 전극을 포함하되,상기 연결 전극과 상기 드레인 전극에 면접촉하는 전기 접촉부를 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 1 기판 상에 형성된 제 1 발광부의 제 1 또는 제 2 전극 중 어느 하나의 전극에서 전기적으로 연장되는 제 1 연결 전극과;제 2 기판 상의 구동부의 드레인 전극에서 상기 제 1 연결 전극과 대응되어 전기적으로 연장되는 제 2 연결 전극;을 포함하되,상기 제 1 연결 전극과 상기 제 2 연결 전극에 면접촉하는 전기 접촉부를 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 기판 상에서 상기 구동부와 인접 형성되되 전기적으로 연결되는 제 2 발광부를 포함하는 전계발광소자.
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전기 접촉부는 Ag, Cu, Au 중 어느 하나를 포함하며, 전도성과 점성 및 내열성을 갖는 페이스트인 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 4항에 있어서,상기 전기 접촉부는 Ag, Cu, Au 중 어느 하나를 포함하며, 전도성과 점성 및 내열성을 갖는 페이스트인 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 발광부는 유기물인 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 4항에 있어서,상기 제 2 발광부는 유기물인 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 1 기판 상에 다수의 화소 영역을 배치 형성하여 제 1 발광부를 형성하는 제 1 발광부 형성단계와;제 2 기판 상에 상기 제 1 발광부와 전기적으로 대응되도록 구동부를 형성하는 구동부 형성단계;를 포함하되,상기 구동부의 드레인 전극에서 전기적으로 연장되는 연결 전극을 형성하며, 상기 제 1 발광부의 제 1 또는 제 2 전극 중 어느 하나의 전극과 상기 연결 전극에 면접촉하는 전기 접촉부를 형성하는 전기 접촉부 형성단계를 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
- 제 1 기판 상에 다수의 화소 영역을 배치 형성하여 제 1 발광부를 형성하는 제 1 발광부 형성단계와;제 2 기판 상에 상기 제 1 발광부와 전기적으로 대응되도록 구동부를 형성하는 구동부 형성단계;를 포함하되,상기 제 1 발광부의 제 1 또는 제 2 전극 중 어느 하나의 전극에서 전기적으로 연장되는 연결 전극을 형성하며, 상기 연결 전극과 상기 구동부의 드레인 전극에 면접촉하는 전기 접촉부를 형성하는 전기 접촉부 형성단계를 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
- 제 1 기판 상에 다수의 화소 영역을 배치 형성하여 제 1 발광부를 형성하는 제 1 발광부 형성단계와;제 2 기판 상에 상기 제 1 발광부와 전기적으로 대응되도록 구동부를 형성하 는 구동부 형성단계;를 포함하되,상기 제 1 발광부의 제 1 또는 제 2 전극 중 어느 하나의 전극에서 전기적으로 연장되는 제 1 연결 전극을 형성하며, 상기 구동부의 드레인 전극에서 전기적으로 연장되되 상기 제 1 연결 전극에 대응 연결되는 제 2 연결 전극을 형성하고, 상기 제 1 연결 전극과 상기 제 2 연결 전극에 면접촉하는 전기 접촉부를 형성하는 전기 접촉부 형성단계를 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
- 제 9항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 기판 상에 상기 구동부와 전기적으로 연결되는 제 2 발광층을 형성하는 제 2 발광층 형성단계를 포함하는 전계발광소자의 제조방법.
- 제 9항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전기 접촉부 형성단계의 상기 전기 접촉부는 Ag, Cu, Au 중 어느 하나를 포함하며, 전도성과 점성 및 내열성을 갖는 페이스트를 적용한 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
- 제 12항에 있어서,상기 전기 접촉부 형성단계의 상기 전기 접촉부는 Ag, Cu, Au 중 어느 하나를 포함하며, 전도성과 점성 및 내열성을 갖는 페이스트를 적용한 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
- 제 9항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 발광층을 유기물로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
- 제 12항에 있어서,상기 제 2 발광층을 유기물로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
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| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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