CN1984516A - 发光装置 - Google Patents
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Abstract
一种发光装置，包括：第一基板上第一像素部分，其包括布置在两个电极之间的发光部分；晶体管部分，形成在与所述第一基板相对布置的第二基板上；从所述两个电极中的一个伸出的连接电极；以及电接触部分，其与所述连接电极和所述晶体管部分的漏极二者面接触。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光装置及其制造方法。
背景技术
发光装置是包括布置在其两个电极之间的发光部分的自发光装置。
发光装置根据其驱动方法可以分为无源矩阵型和有源矩阵型，其中有源矩阵型通过使用晶体管部分(TFT)被驱动。
发光装置还可以根据其发光方向而分为顶部发光型和底部发光型。
下面，将参照附图描述现有技术的发光装置的结构。
图1是现有技术的发光装置的剖视图及其主要部分的放大剖视图。
参照图1，在第一基板10上形成有例如由铟锡氧化物(ITO)制成的阳极12。
在该阳极上形成有用于限定发光区的隔墙(barrier rib)绝缘层13和隔墙“I”。
在阳极12的由隔墙“I”限定的局部区域上形成有连接电极绝缘层14，在其上形成有高度比隔墙“I”的高度高的间隔体“S”。
还沉积有发光部分16(例如，包括有机发光层)和阴极18。
因此，形成了包括阳极12、发光部分16和阴极18的像素部分“P”。
形成了连接电极“C”，其包括连接电极绝缘层14、间隔体“S”和与阴极18电连接的导电层。
该导电层可以由与阴极18相同的导电材料形成。
将布置成与第一基板10相对的第二基板30构图为形成有由非晶硅或多晶硅形成的半导体层，并且向该半导体层的一部分添加杂质，因而分别形成有源层32a、源极32b和漏极32c。
在上述半导体层上形成有露出源极32b和漏极32c的一部分的栅绝缘膜34，并且在栅绝缘膜34的对应于有源层32a的区域上形成栅极32d，从而形成晶体管部分32。
另外，在晶体管部分32上形成有露出源极32b和漏极32c的一部分的层间绝缘膜36，并且形成分别与源极32b和漏极32c电连接的源极38a和漏极38b。
还形成有划分绝缘膜(division insulating film)39，用于划分相邻的晶体管部分32，并露出漏极38b的部分“A1”以与连接电极“C”接触。
第一基板10和第二基板30布置成使连接电极“C”与漏极38b的露出部分“A1”接触，然后彼此密封并附接。
上述现有技术的发光装置存在因其连接电极结构而造成的严重问题。
具体地，当形成构成连接电极“C”的间隔体“S”时，工艺误差会导致各连接电极“C”之间的尺寸差。因此，当第一基板10和第二基板30彼此附接时，某些连接电极“C”导致不良连接。
另外，在基板的附接工艺中不容易在整个基板上施加恒定的物理力，从而应力仅集中在基板的一部分上。因此，形成在基板的该部分上的间隔体产生变形，并且其部分相对上浮，因而导致连接电极“C”的不良接触。
由驱动装置上产生的热引起的间隔体变形还导致连接电极的不良接触部分。
当将该装置应用作为发光装置时，该不良接触导致例如产生死点、差亮度的严重问题，这会在装置上产生瑕疵或污点。
因此，会出现这样的问题，例如降低了工艺生产量、产品寿命和可靠性。
发明内容
一种发光装置包括第一基板上的第一像素部分，其包括布置在两个电极之间的发光部分。该发光装置还包括：晶体管部分，其形成在与所述第一基板相对布置的第二基板上；从所述两个电极中的一个伸出的连接电极；以及电接触部分，其与所述连接电极和所述晶体管部分的漏极二者面接触。
根据本发明的另一方面，一种发光装置包括第一基板上的第一像素部分，其包括布置在两个电极之间的发光部分。该发光装置还包括：晶体管部分，其形成在与所述第一基板相对布置的第二基板上；从所述晶体管部分的漏极伸出的连接电极；以及电接触部分，其与所述两个电极中任一个和所述连接电极面接触。
根据本发明的又一方面，一种发光装置包括第一基板上的第一像素部分，其包括布置在两个电极之间的发光部分。该发光装置还包括：晶体管部分，其形成在与所述第一基板相对布置的第二基板上；从所述两个电极中任一个伸出的第一连接电极；从所述晶体管部分的漏极伸出的第二连接电极；以及电接触部分，其与所述第一连接电极和所述第二连接电极二者面接触。
根据本发明的又一方面，一种制造发光装置的方法包括：在第一基板上形成第一像素部分，其包括布置在两个电极之间的发光部分；在第二基板上形成晶体管部分。该制造发光装置的方法还包括：形成从所述两个电极中的任一个伸出的连接电极；以及形成电接触部分，其与所述连接电极和所述晶体管部分的漏极二者面接触。
根据本发明的又一方面，一种制造发光装置的方法包括在第一基板上形成第一像素部分，其包括布置在两个电极之间的发光部分。该制造发光装置的方法还包括：在第二基板上形成晶体管部分；形成从所述晶体管部分的漏极伸出的连接电极；以及形成电接触部分，其与所述两个电极中任一个和所述连接电极面接触。
根据本发明的又一方面，一种制造发光装置的方法包括在第一基板上形成第一像素部分，其包括布置在两个电极之间的发光部分。该制造发光装置的方法还包括：在第二基板上形成晶体管部分；形成从所述两个电极中任一个伸出的第一连接电极；形成从所述晶体管部分的漏极伸出的第二连接电极；以及形成电接触部分，其与所述第一连接电极和所述第二连接电极二者面接触。
附图说明
下面将参照附图详细地描述本发明，在附图中相同的附图标记表示相同的元件。
图1是现有技术的发光装置的剖视图及其主要部分的放大剖视图。
图2是根据本发明第一实施例的发光装置的剖视图及其主要部分的放大视图。
图3是根据本发明第二实施例的发光装置的剖视图及其主要部分的放大视图。
图4是根据本发明第三实施例的发光装置的剖视图及其主要部分的放大视图。
图5至图7是示出了用于制造根据本发明第一实施例的发光装置的第二基板的工艺的各步骤的局部剖视图。
图8至图11是示出了用于制造根据本发明第一实施例的发光装置的第一基板的工艺的各步骤的局部剖视图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本发明的优选实施例。
图2是根据本发明第一实施例的发光装置的剖视图及其主要部分的放大视图。
参照图2，在第一基板50上形成有例如由铟锡氧化物(ITO)制成的第一电极52。
在该第一电极52上形成有用于限定发光区的隔墙绝缘层53和隔墙“I”。
在第一电极52的由隔墙“I”限定的局部区域上的是连接电极绝缘层54，在其上形成有高度比隔墙“I”的高度高的间隔体“S”。
还沉积有发光部分56(例如，包括有机发光层)和第二电极58。
因此，形成了包括第一电极52、发光部分56和第二电极58的像素部分“P”。
形成了连接电极“C1”，其包括连接电极绝缘层54、间隔体“S”和与第二电极58电连接的导电层。
该导电层可以由与第二电极58相同的导电材料形成。
将布置成与第一基板50相对的第二基板70构图为形成有由非晶硅或多晶硅形成的半导体层，并且向该半导体层的一部分添加杂质，因而分别形成有源层72a、源极72b和漏极72c。
在上述半导体层上形成有栅绝缘膜74，其露出源极72b和漏极72c的一部分。
在栅绝缘膜74的对应于有源层72a的区域上形成栅极72d，因而形成晶体管部分72。
在晶体管部分72上形成有用于露出源极72b和漏极72c的各部分的层间绝缘膜76。
而且形成分别与源极72b和漏极72c电连接的源极78a和漏极78b。
还形成有划分绝缘膜79，用于划分相邻的晶体管部分72，并使漏极78b的一部分“A2”露出以与连接电极“C1”电连接。
第一基板50和第二基板70布置成使得连接电极“C1”与漏极78b的露出部分“A2”电连接，然后通过密封剂而彼此密封并附接。
在给定区域A2中，在连接电极“C1”与漏极78b之间形成有糊状电接触部分“R”，其具有导电性、粘性和耐热性，并且其主要基本材料包括银、铜或金，因而有效地改善了连接电极“C1”与漏极78b之间的电连接状态。
具体地，根据本发明第一实施例应用有电接触部分“R”的发光装置的连接结构C1、A2、R可以解决以下问题，即，成形工艺中的误差导致的连接电极“C1”的高度差在连接电极“C1”与漏极78b之间引起了不良接触的问题。
也可以解决以下问题，即，在附接基板50和70当中由于在基板50和70的一部分上出现应力集中，连接电极“C1”与漏极78b之间的浮动引起了不良接触的问题。
也可以解决以下问题，即，在驱动装置时产生的热导致的连接电极“C1”变形在连接电极“C1”与漏极78b之间引起了不良接触的问题。
用作在本发明第一实施例中所述的电接触部分“R”的主要基本材料的金属并不限于银、铜或金。
例如，电接触部分“R”可以采用银、铜或金中至少两种的合金。
图3是根据本发明第二实施例的发光装置的剖视图及其主要部分的放大图。
参照图3，在第一基板90上形成有例如由氧化铟锡(ITO)制成的第一电极92。
另外，在该第一电极92上形成有用于限定发光区的隔墙绝缘层93和隔墙“I”。
另外，在第一电极92的由隔墙“I”构图的部分上形成有连接部分绝缘层93。
还沉积有发光部分96(例如，包括有机发光层)和第二电极98。
因此，形成了包括第一电极92、发光部分96和第二电极98的像素部分“P”。
另外，形成了连接部分“D”，其包括连接部分绝缘层94和与第二电极98电连接的导电层。
该导电层可以由与第二电极98相同的导电材料形成。
将布置成与第一基板90相对的第二基板110构图为形成有由非晶硅或多晶硅形成的半导体层，并且向该半导体层的一部分添加杂质，因而分别形成有源层112a、源极112b和漏极112c。
在上述半导体层上形成有栅绝缘膜114，其露出源极112b和漏极112c的各部分，并且在栅绝缘膜114的对应于有源层112a的区域上形成栅极112d，因而形成晶体管部分112。
在晶体管部分112上形成有露出了源极112b和漏极112c的各部分的层间绝缘膜116，并且在层间绝缘膜116的邻近漏极112c的部分上形成有间隔体“S”，其高度至少比第一基板90的隔墙“I”的高度高。
还形成分别与源极112b和漏极112c电连接的源极118a和漏极118b。因此，形成了包括间隔体“S”和与漏极118b电连接的导电层的连接电极“C2”。
还形成有划分绝缘膜119，用于划分相邻的晶体管部分112，并露出连接电极C2的一部分。
第一基板90和第二基板110布置成使得连接电极“C2”与连接部分“D”电连接，然后通过密封剂而彼此密封并附接。
此时，在给定区域A3中，在连接电极“C2”与连接部分“D”之间形成有糊状电接触部分“R”，其具有导电性、粘性和耐热性，并且其主要基本材料包括银、铜或金，从而有效地改善了连接电极“C2”与连接部分“D”之间的电连接状态。
具体地，根据本发明第二实施例的应用有电接触部分“R”的发光装置的连接结构C2、D、R可以解决以下问题，即，成形工艺中的误差导致的连接电极“C2”的高度差引起的连接电极“C2”与连接部分“D”之间的不良接触的问题。
也可以解决以下问题，即，在附接基板90和110当中由于在基板90和110的一部分上出现应力集中，连接电极“C2”与连接部分“D”之间的浮动而引起了不良接触部分的问题。
也可以解决以下问题，即，在驱动装置时产生的热导致的连接电极“C2”变形在连接电极“C1”与连接部分“D”之间引起了不良接触的问题。
用作在本发明第二实施例中所述的电接触部分“R”的主要基本材料的金属并不限于银、铜或金。
例如，电接触部分“R”可以采用银、铜或金中至少两种的合金。
图4是根据本发明第三实施例的发光装置的剖视图及其主要部分的放大视图。
参照图4，在第一基板130上形成有例如由铟锡氧化物(ITO)制成的第一电极132。
在该第一电极132上形成有用于限定发光区的隔墙绝缘层133和隔墙“I”。
在第一电极132的由隔墙“I”限定的局部区域上的是连接电极绝缘层93，其上形成有第一间隔体“S1”。
还沉积有发光部分136(例如，包括有机发光层)和第二电极138。
因此，形成了包括第一电极132、发光部分136和第二电极138的像素部分“P”。
另外，形成了第一连接电极“C3”，其包括连接电极绝缘层134、第一间隔体“S1”和与第二电极138电连接的导电层。
该导电层可以由与第二电极138相同的导电材料形成。
将布置成与第一基板130相对的第二基板150构图为形成有由非晶硅或多晶硅形成的半导体层，并且向该半导体层的一部分添加杂质，因而分别限定了有源层152a、源极152b和漏极152c。
在上述半导体层上形成有栅绝缘膜154，其露出源极152b和漏极152c的各部分，并且在栅绝缘膜154的对应于有源层152a的区域上形成栅极152d，因而形成晶体管部分152。
在晶体管部分152上形成有露出源极152b和漏极152c的各部分的层间绝缘膜156，并且在层间绝缘膜156的邻近漏极152c的部分上形成有第二间隔体“S2”。
第一间隔体S1和第二间隔体S2的高度总和应至少比第一基板130的隔墙“I”的高度高。
还形成分别与源极152b和漏极152c电连接的源极158a和漏极158b。因此，形成了包括第二间隔体“S2”和与漏极158b电连接的导电层的第二连接电极“C4”。
该导电层可以由与漏极158b相同的材料形成。
还形成有划分绝缘膜159，用于划分相邻的晶体管部分152，并露出第二连接电极C4的一部分。
第一基板130和第二基板150布置成使第一连接电极“C3”与连接电极“C4”电连接，然后通过密封剂而彼此密封并附接。
在给定区域A4中，在第一连接电极“C3”与第二连接电极“C4”之间形成有糊状电接触部分“R”，其具有导电性、粘性和耐热性，并且其主要基本材料包括银、铜或金，从而有效地改善了第一连接电极“C3”与第二连接电极“C4”之间的电连接状态。
具体地，根据本发明第三实施例的应用有电接触部分“R”的发光装置的连接结构C3、C4、R可以解决以下问题，即，成形工艺中的误差导致的第一连接电极“C3”或第二连接电极“C4”的高度差在第一连接电极“C3”与第二连接电极“C4”之间引起了不良接触的问题。
也可以解决以下问题，即，在附接基板130和150当中由于在基板130和150的一部分上出现应力集中，第一连接电极“C3”与第二连接电极“C4”之间浮动而引起了不良接触部分的问题。
也可以解决以下问题，即，在驱动装置时产生的热导致的第一连接电极“C3”或第二连接电极“C4”变形在第一连接电极“C3”与第二连接电极“C4”之间引起了不良接触的问题。
用作在本发明第三实施例中所述的电接触部分“R”的主要基本材料的金属并不限于银、铜或金。
例如，电接触部分“R”可以采用银、铜或金中至少两种的合金。
下面，将参照图5至图11描述包括用于制造根据本发明第一实施例的发光装置的各步骤的工艺。
图6至图11以与图2所示的主要部分相同的比例显示。
图5至图7是表示用于制造根据本发明第一实施例的发光装置的第二基板的工艺的各步骤的局部剖视图。
参照图5，其示出了对基板进行构图的步骤，在第一基板50上形成多个像素部分P，在布置成与第一基板50相对的第二基板70上制备晶体管部分(包括开关元件和与该开关元件电连接的驱动元件)以具有对应于像素部分P的电场。
第一基板50和第二基板70采用透明材料。
参照图6，其示出了形成驱动部分的步骤，在第二基板70上形成晶体管部分以与在第一基板50上限定的像素区“P”相对应。
具体地，在第二基板70上形成从包括SiNx和SiO2的硅绝缘材料组中选出的任一种材料制成的缓冲层。
在所形成的缓冲层上沉积的非晶硅(a-Si)，然后通过加热使其经受脱氢工艺和结晶工艺，因而形成多晶硅有源层。根据所构图的多晶硅有源层，而留有有源层72a。
然后，向有源层72a的两侧喷射杂质，并对其进行热处理以形成源极72b和漏极72c，并在有源层72a、源极72b和漏极72c上形成栅绝缘膜74。
随后，在栅绝缘膜74的对应于有源层72a的局部区域上形成栅极72d。在栅绝缘膜74和栅极72d上形成层间绝缘膜76，然后形成接触孔H以分别使源极72b和漏极72c的各部分露出。
参照图7，其示出了形成连接电极接触部分的步骤，形成源极78a和漏极78b以使得源极72b和漏极72c分别通过接触部分孔H露出。
而且使漏极78b伸出至层间绝缘膜76上的给定区域，从而形成与连接电极C1电连接的接触部分区域A2。
在层间绝缘膜76上，在源极78a和漏极78b上任选地形成有划分绝缘膜79，以划分相邻的晶体管部分72并使接触区域A2露出。
下面，将描述用于制造第一基板50(其与第二基板70相对应并包括发光部分)的工艺的各步骤。
图8至图11是示出了用于制造根据本发明第一实施例的发光装置的第一基板的工艺的各步骤的局部剖视图。
参照图8，其示出了对像素部分进行构图的步骤，在第一基板50上任选地形成第一电极52，并且形成隔墙绝缘层53从而可以在第一电极52上形成如图5所限定的像素部分P。
另外，形成连接电极绝缘层54，从而可以在距隔墙绝缘层53给定距离处形成连接电极。随后，在隔墙绝缘层53上形成隔墙“I”。
参照图9，其示出了形成连接电极的步骤，在连接电极绝缘层54上形成高度比隔墙“I”的高度高的间隔体“S”。
然后，形成包括一个或更多个电荷喷射/传送层和发光层的发光部分56，并且在发光部分56上形成第二电极58。
因此，形成了包括第一电极52、发光部分56和第二电极58的像素部分“P”。
形成了连接电极“C1”，其包括连接电极绝缘层54、间隔体“S”和与第二电极58电连接的导电层。
参照图10和图11，在由形成电接触部分并与基板[s2]附接的步骤形成的连接电极“C1”上，形成有糊状电接触部分“R”，其具有导电性、粘性和耐热性并且包括银、铜或金中任一种作为其主要基本材料。
例如，随着将第一基板50传送到连接电极的下方并接触粘附在辊子上的糊状电接触部分“R”，通过印刷在连接电极上形成电接触部分“R”。
然后，将第一基板50和第二基板70彼此附接，以使第一基板50上的连接电极“C1”和第二基板70上的连接电极“C1”在接触区域A2中彼此对应，并且通过电接触部分“R”而彼此电连接。另外，在电接触部分“R”上施加特定的光或热使电接触部分“R”硬化，从而完成该发光装置。
根据本发明各种实施例具有上述结构的发光装置可以通过改进现有技术的连接电极的电接触结构而实现本发明的目的。
尽管针对其中发光部分仅形成在第一基板上的情况描述了本发明，但本发明并不限于此，发光部分可以任选地形成在第二基板上。
应理解，本发明的发光装置可以在发光部分上应用有机材料和无机材料中的任一种或者两者。
根据本发明，在发光装置的连接电极结构中，具有导电性、粘性和耐热性的糊状电接触部分改善了第一和第二基板的电接触程度，因而使得可以解决由于工艺误差、浮动和驱动热导致的连接电极的不良接触的问题。
因此，本发明可以提高工艺生产量、产品寿命和可靠性。
这样描述了本发明，但是明显的是其可以以多种方式进行改变。这些改变不视为脱离本发明的精神和范围，并且对于本领域技术人员显而易见的所有这些修改都包括在所附权利要求的范围内。
Claims (45)
1、一种发光装置，包括：
第一基板上的第一像素部分，其包括布置在两个电极之间的发光部分；
晶体管部分，形成在与所述第一基板相对布置的第二基板上；
从所述两个电极中的一个伸出的连接电极；以及
电接触部分，其与所述连接电极和所述晶体管部分的漏极二者面接触。
2、根据权利要求1所述的发光装置，还包括：
第二像素部分，其位于所述第二基板上的邻近所述晶体管部分的区域上并包括布置在两个电极之间的发光部分，其中所述两个电极中的任一个与所述晶体管部分电连接。
3、根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述电接触部分包括银、铜或金中任一种形成的糊状物。
4、根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述电接触部分包括银、铜或金中至少两种的合金形成的糊状物。
5、根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一像素部分的发光部分包括有机材料或无机材料。
6、根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述第二像素部分的发光部分包括有机材料或无机材料。
7、一种发光装置，包括：
第一基板上的第一像素部分，其包括布置在两个电极之间的发光部分；
晶体管部分，形成在与所述第一基板相对布置的第二基板上；
从所述晶体管部分的漏极伸出的连接电极；以及
电接触部分，其与所述两个电极中的任一个和所述连接电极面接触。
8、根据权利要求7所述的发光装置，还包括：
第二像素部分，其位于所述第二基板上的邻近所述晶体管部分的区域上并包括布置在两个电极之间的发光部分，其中所述两个电极中的任一个与所述晶体管部分电连接。
9、根据权利要求7所述的发光装置，其中，所述电接触部分包括银、铜或金中任一种形成的糊状物。
10、根据权利要求7所述的发光装置，其中，所述电接触部分包括银、铜或金中至少两种的合金形成的糊状物。
11、根据权利要求7所述的发光装置，其中，所述第一像素部分的发光部分包括有机或无机发光层。
12、根据权利要求8所述的发光装置，其中，所述第二像素部分的发光部分包括有机或无机发光层。
13、一种发光装置，包括：
第一基板上的第一像素部分，其包括布置在两个电极之间的发光部分；
晶体管部分，形成在与所述第一基板相对布置的第二基板上；
从所述两个电极中任一个伸出的第一连接电极；
从所述晶体管部分的漏极伸出的第二连接电极；以及
电接触部分，其与所述第一连接电极和所述第二连接电极二者面接触。
14、根据权利要求13所述的发光装置，还包括：
第二像素部分，其位于所述第二基板上的邻近所述晶体管部分的区域上并包括布置在两个电极之间的发光部分，其中所述两个电极中的任一个与所述晶体管部分电连接。
15、根据权利要求13所述的发光装置，其中，所述电接触部分包括银、铜或金中任一种形成的糊状物。
16、根据权利要求13所述的发光装置，其中，所述电接触部分包括银、铜或金中至少两种的合金形成的糊状物。
17、根据权利要求13所述的发光装置，其中，所述第一像素部分的发光部分包括有机或无机发光层。
18、根据权利要求14所述的发光装置，其中，所述第二像素部分的发光部分包括有机或无机发光层。
19、一种制造发光装置的方法，包括：
在第一基板上形成第一像素部分，其包括布置在两个电极之间的发光部分；
在第二基板上形成晶体管部分；
形成从所述两个电极中的任一个伸出的连接电极；以及
形成电接触部分，其与所述连接电极和所述晶体管部分的漏极二者面接触。
20、根据权利要求19所述的制造发光装置的方法，还包括：
在所述第二基板上的邻近所述晶体管部分的区域上形成第二像素部分，其包括布置在两个电极之间的发光部分，其中所述两个电极中的任一个与所述晶体管部分电连接。
21、根据权利要求19所述的制造发光装置的方法，其中，所述电接触部分包括银、铜或金中任一种形成的糊状物。
22、根据权利要求21所述的制造发光装置的方法，其中，通过热或光使所述糊状物硬化。
23、根据权利要求19所述的制造发光装置的方法，其中，所述电接触部分包括银、铜或金中至少两种的合金形成的糊状物。
24、根据权利要求23所述的制造发光装置的方法，其中，通过热或光使所述糊状物硬化。
25、根据权利要求19所述的制造发光装置的方法，其中，通过印刷形成所述电接触部分。
26、根据权利要求19所述的制造发光装置的方法，其中，所述第一像素部分的发光部分包括有机材料或无机材料。
27、根据权利要求20所述的制造发光装置的方法，其中，所述第二像素部分的发光部分包括有机材料或无机材料。
28、一种制造发光装置的方法，包括：
在第一基板上形成第一像素部分，其包括布置在两个电极之间的发光部分；
在第二基板上形成晶体管部分；
形成从所述晶体管部分的漏极伸出的连接电极；以及
形成电接触部分，其与所述两个电极中任一个和所述连接电极面接触。
29、根据权利要求28所述的制造发光装置的方法，还包括：
在所述第二基板上的邻近所述晶体管部分的区域上形成第二像素部分，其包括布置在两个电极之间的发光部分，其中所述两个电极中的任一个与所述晶体管部分电连接。
30、根据权利要求28所述的制造发光装置的方法，其中，所述电接触部分包括银、铜或金中任一种形成的糊状物。
31、根据权利要求30所述的制造发光装置的方法，其中，通过热或光使所述糊状物硬化。
32、根据权利要求28所述的制造发光装置的方法，其中，所述电接触部分包括银、铜或金中至少两种的合金形成的糊状物。
33、根据权利要求32所述的制造发光装置的方法，其中，通过热或光使所述糊状物硬化。
34、根据权利要求28所述的制造发光装置的方法，其中，通过印刷形成所述电接触部分。
35、根据权利要求28所述的制造发光装置的方法，其中，所述第一像素部分的发光部分包括有机材料或无机材料。
36、根据权利要求29所述的制造发光装置的方法，其中，所述第二像素部分的发光部分包括有机材料或无机材料。
37、一种制造发光装置的方法，包括：
在第一基板上形成第一像素部分，其包括布置在两个电极之间的发光部分；
在第二基板上形成晶体管部分；
形成从所述两个电极中任一个伸出的第一连接电极；
形成从所述晶体管部分的漏极伸出的第二连接电极；以及
形成电接触部分，其与所述第一连接电极和所述第二连接电极二者面接触。
38、根据权利要求37所述的制造发光装置的方法，还包括：
在所述第二基板上的邻近所述晶体管部分的区域上形成第二像素部分，其包括布置在两个电极之间的发光部分，其中所述两个电极中的任一个与所述晶体管部分电连接。
39、根据权利要求37所述的制造发光装置的方法，其中，所述电接触部分包括银、铜或金中任一种形成的糊状物。
40、根据权利要求39所述的制造发光装置的方法，其中，通过热或光使所述糊状物硬化。
41、根据权利要求37所述的制造发光装置的方法，其中，所述电接触部分包括银、铜或金中至少两种的合金形成的糊状物。
42、根据权利要求41所述的制造发光装置的方法，其中，通过热或光使所述糊状物硬化。
43、根据权利要求37所述的制造发光装置的方法，其中，通过印刷形成所述电接触部分。
44、根据权利要求37所述的制造发光装置的方法，其中，所述第一像素部分的发光部分包括有机材料或无机材料。
45、根据权利要求38所述的制造发光装置的方法，其中，所述第二像素部分的发光部分包括有机材料或无机材料。
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