CN1314127C - 具有面板的平板显示器件及其制造方法 - Google Patents

具有面板的平板显示器件及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1314127C
CN1314127C CNB021518602A CN02151860A CN1314127C CN 1314127 C CN1314127 C CN 1314127C CN B021518602 A CNB021518602 A CN B021518602A CN 02151860 A CN02151860 A CN 02151860A CN 1314127 C CN1314127 C CN 1314127C
Authority
CN
China
Prior art keywords
source
bus plane
electrode
drain electrode
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB021518602A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1430287A (zh
Inventor
具在本
申东缵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung SDI Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung SDI Co Ltd filed Critical Samsung SDI Co Ltd
Publication of CN1430287A publication Critical patent/CN1430287A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1314127C publication Critical patent/CN1314127C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一种平板显示器件，其通过将公共电源线形成面板将相等的电源施加给所有像素，从而能够防止串联短路。该平板显示器件包括：形成在绝缘衬底上并通过接触孔与源/漏电极相连接的电源层；以及具有接触孔的缓冲层，用于使电源层和薄膜晶体管绝缘，其中，薄膜晶体管形成在缓冲层上并包括源/漏电极。

Description

具有面板的平板显示器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种平板显示器件，更具体地，涉及一种有机电致发光显示器件，其能够通过形成作为面板的公共电源层来防止串联短路(in-line short)和电源电压下降。
背景技术
图1A示出了传统有机电致发光显示器件的剖面结构。图1B示出了传统有机电致发光显示器件的平面结构。图1A示出了像素区15沿着图1B的线I-I的剖面结构。
参考图1A，透明绝缘衬底10分为其内形成有像素电极的第一区域11和其内形成有薄膜晶体管(TFT)和电容器的第二区域12。缓冲层15形成在绝缘衬底10上，以及薄膜晶体管和电容器形成在位于缓冲层15的上部分的第二区域12内。
薄膜晶体管形成在缓冲层15上并且配有具有源/漏区21和22的半导体层20、栅绝缘层30上的栅电极31，以及形成在层间绝缘层40上以便可以分别地通过接触孔41和42连接源/漏区21和22的源/漏电极51和52。电容器包括形成在栅绝缘层30上的第一电极32和形成在层间绝缘层40上的第二电极53，以便连接源电极51。层间绝缘层40插在电容器的第一和第二电极32和53之间的部分作为电容器的介电层。
另一方面，有机电致发光显示器件形成在第一区域11内。有机电致发光显示器件配置有形成在钝化层60上的第一像素电极70，以便通过通孔61与漏电极52连接，在开口部分81处的第一像素电极70上形成的有机电致发光EL层90，以及在包括有机EL层90的平坦层80上形成的第二像素电极95。
参考图1B，有机电致发光显示器件配置有多个信号线，即用于选择像素的栅极线35、施加数据信号的数据线55和通过给所有的像素施加相同的公共电压将驱动薄膜晶体管所需的参考电压提供到所有像素的电源线56。
像素被分别地排列在由信号线35、55和56限定的每一个像素区域，其中每一个像素区域包括多个连接到信号线上的薄膜晶体管，例如，两个晶体管、一个电容器以及一个有机电致发光显示器件。
在常规的有机电致发光显示器件的生产中，在形成栅电极31的同时形成了电容器的第一电极32和栅极线35，而在形成源/漏电极51、52时形成了电容器的第二电极53、数据线55和电源线56，其中源/漏电极之一，例如，源电极51和电容器的电极53通过连接到电源线56上而形成。
由于使两个信号线的每一个在上面描述的层上电分离地形成信号线，因此就有由于处理期间产生的导电颗粒使分别毗邻地排列的数据线55和电源线56之间发生串联短路(图1B中的59)的问题，从而产生线缺陷。
此外，由于两个不同的信号线中的每一个必须布置在一个层上，形成面板型的电源线是不可能的，并且应当通过以线形的方式构图电源线而形成信号线。因而，取决于施加公共电压的位置而产生的电压降导致电压不均匀，并且由于线形构图的电阻增加而导致电压下降。
另一方面，即使在同时形成栅极线和电源线而分开地形成数据线的情况中，由于两个信号线存在于同一个层上，也存在以上的串联短路和电压降低的问题。
发明内容
相应地，本发明的一个目的是提供通过形成作为面板的电源线而防止串联短路的平板显示器件，以及制造这样的平板显示器件的方法。
本发明的另一目的是提供可以防止电源电压下降的平板显示器件，以及制造这样的平板显示器件的方法。
在接下来的说明部分将提出本发明的其他目的和有益效果，通过说明部分，这些目的和效果将变得明了，并且可以通过本发明的实际例子使其得到理解。
通过提供一种平板显示器件可以得到本发明前述的和其它的目的，该平板显示器件包括：形成在绝缘衬底上并通过接触孔与源/漏电极相连接的电源层；以及形成有接触孔的缓冲层，以便绝缘电源层和薄膜晶体管；其中，薄膜晶体管形成在缓冲层上并包括源/漏电极。当该平板显示器件是前面光发射型时，电源层可以包括低电阻的不透明导电材料。当该平板显示器件是背光发射型时，电源层可以包括低电阻的透明导电材料。
优选地，电源层在对应于薄膜晶体管的位置处具有空区域的构图形状。
通过提供一种制造平板显示器件的方法可以得到本发明前述的和其它的目的，该方法包括：在绝缘衬底上形成电源层；在电源层上形成缓冲层；通过蚀刻缓冲层形成使电源层的一部分暴露的接触孔；以及形成通过接触孔与电源层相连接的岛状的导电构图。当该平板显示器件是前面光发射型时，电源层可以包括低电阻的不透明导电材料。当该平板显示器件是背光发射型时，电源层可以包括低电阻的透明导电材料。
优选地，使对应于薄膜晶体管的电源层的一部分形成空区域构图，以便消除背面偏置的影响。
附图说明
本发明的这些和其它的目的和有益效果将通过下面的实施例的详细描述变得明了并更得到更确切的理解，这里参考的附图中：
图1A是传统的有机电致发光显示器件的剖视图；
图1B是传统的有机电致发光显示器件的平面图；
图2A是根据本发明实施例的有机电致发光显示器件的剖视图；
图2B是根据图2A的实施例的有机电致发光显示器件的平面图；
图3是根据本发明另一个实施例的有机电致发光显示器件的剖视图；
图4A是用于说明根据图2A的实施例的、在电源层和源/漏电极之间的连接结构的示意图；
图4B是用于说明根据本发明另一个实施例的、在电源层和源/漏电极之间的连接结构的示意图。
具体实施方式
现在将详细地参照本发明的实施例和在附图中举例说明的示例，其中，始终用相同的附图标记指代相同的元件。下面将参考附图来描述实施例，以便解释本发明。
图2A示出了根据本发明一个实施例的有机电致发光显示器件的剖视图，以及，图2B示出了根据图1的实施例的有机电致发光显示器件的平面结构，在图2A中，沿图2B的线II-II截取的剖示结构示出了用于一个像素区104的剖视图。
参考图2A和图2B，设置绝缘结构100，设置有其中形成像素电极的第一区域101以及其中形成TFT(薄膜晶体管)和电容器的第二区域102。通过在绝缘衬底100的前表面上淀积低电阻的电极材料形成面板型电源层105。缓冲层115形成在作为面板形成的电源层105上。
半导体层120形成在第二区域102的缓冲层115上，栅绝缘层125形成在由半导体层120组成的衬底的前表面上，并且，在半导体层120的上部分处的栅绝缘层125上同时形成栅极131和电容器的第一电极132。接着，通过离子注入n型或p型杂质之一到半导体层120中形成源/漏区121和122，其中在栅极131下面的半导体层120的一部分123起沟道层的作用。
顺序地，在包括栅极131和电容器的第一电极132的栅绝缘层125上形成层间绝缘层135。通过刻蚀层间绝缘层135，同时形成分别暴露出源/漏区121和122的第一和第二接触孔136和137以及暴露出电源层105的第三接触孔139。
在层间绝缘层135上淀积源/漏电极材料之后，通过对淀积的源/漏电极材料构图，同时形成源/漏电极141和142以及电容器的第二电极143，源/漏电极141和142通过第一和第二接触孔136和137分别与源/漏区121，122接触，并且电容器的第二电极143与源/漏电极141和142之一连接，例如，和源电极141连接。在淀积源/漏电极材料形成源/漏电极的同时，通过第三接触孔形成源/漏电极和电源层的接触。
因此，源/漏极之一，例如，源极141和电容器的第二电极143通过接触孔139与面板的电源层105连接。
在本发明的一个方面，不增加掩模工艺，因为用以将电源层105和源/漏极之一相连的接触孔139是与为源/漏极形成接触孔136和137的同时形成的。
图4A示出了根据本发明该实施例的、在面板形电源层和源/漏电极之间的连接状态。参考图4A，在面板形的衬底上形成电源层105，在每个像素区104设置接触孔139以露出电源层105的一部分，以及岛形导电构图145通过接触孔139与电源层105连接。
如图2B所示，导电构图145的一部分作为通过接触孔139连接的源电极141，同时导电构图145的剩余部分作为电容器的第二电极143。也就是说，尽管如图1B所示，虽然传统有机电致发光显示器件中有从电源线56延伸出来的电容器的第二电极53和源电极51的结构，但根据本发明的实施例由于电源层105形成面板形，那么起到源电极141和电容器的第二电极143的作用的导电构图就形成岛形。
在层间绝缘层135、源/漏电极141和142以及电容器的第二电极143上形成钝化层150，并且钝化层150具有通孔155，以露出源/漏电极141和142之一的一部分，例如，漏电极142。
随后，在钝化层150上形成像素电极160，通过通孔155与露出的漏电极142连接，平面层170淀积在包括像素电极160的钝化层150上。通过蚀刻平面层170形成开口部分175，以露出像素电极160的一部分。在开口部分175处形成EL(电致发光)层180，以及在EL层180上形成阴极电极作为透明电极190。
由于本发明的有机电致发光显示器件是前面光发射型，将电源层105形成面板形将不影响器件的运行。此外，在运用到背光发射结构的本发明的有机电致发光显示器件中，当电源层105形成透明面板时，采取面板结构不影响器件的运行。
由于在本发明的一个实施例中公共的电源线形成面板，如图2B所示，通过向四个方位外加公共电源电压，如箭头标记所示，不但可以使电源压降减小，而且还可以防止依靠外加电压的位置而导致的电压不均匀的问题。
尽管上面描述了使用公共电源线作为面板的本发明的技术可以运用到有机电致发光显示器件，而且也可以运用到有源矩阵液晶显示器件。此外，尽管本发明示出了在衬底上的半导体层的下部分形成面板结构，然而根据薄膜晶体管的结构，可以改变面板的形成位置。此外，如图4B所示，与薄膜晶体管或电源层中的电极对应的部分形成构图，以便消除薄膜晶体管背面偏置的影响。
在背光发射结构中，像素电极必须形成在除TFT(薄膜晶体管)区域以外的区域中。然而，当电致发光显示器件采用面板发射结构时，由于像素电极360可以形成在所有的像素区域上，开口比例可以提高，如图3所示。
根据本发明实施例的有机电致发光显示器件的优点在于通过以面板形的形式形成公共电源层可以防止串联短路和电源电压下降，并且，当形成源/漏接触孔时，通过形成接触孔的同时连接公共电源线、源/漏电极和电容器，故不需要附加的掩模工艺。
尽管示出和描述了本发明的部分实施例，但对于本领域的技术人员来说在不偏离本发明的精神实质和范围的情况下，实施例可以有各种形式的变化，并且包含在下面的权利要求及其等价物的范围内。

Claims (18)

1、一种平板显示器件，包括：
电源层，形成在绝缘衬底上；以及
缓冲层，形成于所述电源层上并具有接触孔，用于使电源层和薄膜晶体管绝缘，其中，所述薄膜晶体管形成在所述缓冲层上并且包括源/漏电极，
其中，所述电源层通过所述接触孔与薄膜晶体管的源/漏电极电连接，以使来自所述电源层的公共电压被施加到薄膜晶体管的源/漏电极。
2、根据权利要求1所述的平板显示器件，其中，电源层包括低电阻的不透明导电材料。
3、根据权利要求1所述的平板显示器件，其中，电源层包括低电阻的透明导电材料。
4、根据权利要求1所述的平板显示器件，其中，电源层具有面板形状。
5、根据权利要求1所述的平板显示器件，电源层在对应于薄膜晶体管的位置处具有空区域的构图形状。
6、一种制造平板显示器件的方法，包括：
在绝缘衬底上形成电源层；
在电源层上形成缓冲层；
通过蚀刻缓冲层形成使电源层的一部分暴露的接触孔；以及
形成岛状导电构图，用于通过接触孔与电源层相连接。
7、根据权利要求6所述的方法，其中，岛状导电构图起薄膜晶体管的源/漏电极和电容器的电极的作用。
8、根据权利要求7所述的方法，其中，使对应于薄膜晶体管的电源层的一部分形成空区域构图，以便消除背面偏置的影响。
9、根据权利要求6所述的方法，其中，电源层包括具有低电阻的不透明导电材料。
10、根据权利要求6所述的方法，其中，电源层包括具有低电阻的透明导电材料。
11、一种制造平板显示器件的方法，包括：
提供具有第一和第二区域的绝缘衬底；
在绝缘衬底上形成电源层；
在电源层上形成缓冲层；
在绝缘衬底的第二区域内的缓冲层上形成半导体层；
形成覆盖半导体层的栅绝缘层；
同时在栅绝缘层上形成栅极和电容器的第一电极；
在半导体层内形成源区和漏区；
在栅极上形成覆盖栅极和电容器的第一电极的层间绝缘层；
在层间绝缘层中形成第一和第二接触孔，用来使源区和漏区暴露，同时形成暴露电源层的第三接触孔；以及
在层间绝缘层上淀积源和漏电极材料之后，通过对淀积的源和漏电极材料构图，形成源和漏电极以及电容器的第二电极，源和漏电极通过第一和第二接触孔分别与源区和漏区接触，在淀积源/漏电极材料形成源/漏电极的同时，通过第三接触孔形成源/漏电极和电源层的接触。
12、根据权利要求11所述的方法，其中，通过离子注入n型或p型杂质之一到半导体层中而形成源区和漏区，在栅极下面的半导体层的一部分作为沟道层。
13、根据权利要求11所述的方法，其中，通过蚀刻层间绝缘层形成第一和第二接触孔。
14、根据权利要求13所述的方法，其中，进一步包括在层间绝缘层、源和漏电极以及电容器的第二电极上形成钝化层，并且钝化层具有通孔以使源和漏电极之一的一部分露出。
15、根据权利要求14所述的方法，其中从所述通孔中露出的为漏电极的一部分，该方法进一步包括在钝化层上形成像素电极，以便通过通孔使像素电极与漏电极相连接。
16、根据权利要求15所述的方法，其中，进一步包括在钝化层上形成平面层并覆盖在像素电极上。
17、根据权利要求16所述的方法，其中，进一步包括：
通过在所述平面层中形成开口部分以暴露像素电极的一部分；
在该开口部分中形成EL层；以及
在EL层上形成作为透明电极的阴极电极。
18、根据权利要求17所述的方法，其中，通过蚀刻平面层使像素电极的一部分暴露。
CNB021518602A 2001-12-14 2002-12-13 具有面板的平板显示器件及其制造方法 Expired - Lifetime CN1314127C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR79579/2001 2001-12-14
KR1020010079579A KR100635042B1 (ko) 2001-12-14 2001-12-14 전면전극을 구비한 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR79579/01 2001-12-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1430287A CN1430287A (zh) 2003-07-16
CN1314127C true CN1314127C (zh) 2007-05-02

Family

ID=19717065

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB021518602A Expired - Lifetime CN1314127C (zh) 2001-12-14 2002-12-13 具有面板的平板显示器件及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7173372B2 (zh)
KR (1) KR100635042B1 (zh)
CN (1) CN1314127C (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104685556A (zh) * 2012-10-01 2015-06-03 夏普株式会社 电路基板和显示装置

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100895313B1 (ko) * 2002-12-11 2009-05-07 삼성전자주식회사 유기 발광 표시판
US7710019B2 (en) 2002-12-11 2010-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting diode display comprising auxiliary electrodes
JP4351511B2 (ja) * 2003-01-16 2009-10-28 大日本印刷株式会社 有機ｅｌ表示パネル
KR100521277B1 (ko) * 2003-02-05 2005-10-13 삼성에스디아이 주식회사 애노드전극층을 전원공급층으로 사용한 평판표시장치 및그의 제조방법
KR100542997B1 (ko) 2003-08-07 2006-01-20 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR100560782B1 (ko) * 2003-08-25 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR20050068794A (ko) * 2003-12-30 2005-07-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
JP4507611B2 (ja) * 2004-01-29 2010-07-21 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器
US7027044B2 (en) * 2004-02-20 2006-04-11 Au Optronics Corporation Power line arrangement for electroluminescence display devices
KR100736008B1 (ko) * 2004-06-07 2007-07-06 가시오게산키 가부시키가이샤 표시장치 및 그 제조방법
US8901268B2 (en) * 2004-08-03 2014-12-02 Ahila Krishnamoorthy Compositions, layers and films for optoelectronic devices, methods of production and uses thereof
KR100696479B1 (ko) * 2004-11-18 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
US7736964B2 (en) * 2004-11-22 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and method for manufacturing the same
US7888702B2 (en) * 2005-04-15 2011-02-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method of the display device
KR100696514B1 (ko) * 2005-04-22 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 전면 발광형 유기 발광 표시장치
KR100696518B1 (ko) * 2005-05-02 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치
KR100696522B1 (ko) * 2005-05-28 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치
US7652291B2 (en) 2005-05-28 2010-01-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display
US7898623B2 (en) * 2005-07-04 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device and method of driving display device
KR101219048B1 (ko) * 2005-07-14 2013-01-09 삼성디스플레이 주식회사 평판표시장치와 평판표시장치의 제조방법
KR100730154B1 (ko) * 2005-10-18 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그 제조방법
KR100709195B1 (ko) * 2005-11-22 2007-04-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100708856B1 (ko) * 2005-11-24 2007-04-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US20070176538A1 (en) * 2006-02-02 2007-08-02 Eastman Kodak Company Continuous conductor for OLED electrical drive circuitry
JP4930704B2 (ja) * 2006-03-14 2012-05-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
US7435633B2 (en) * 2006-03-14 2008-10-14 Seiko Epson Corporation Electroluminescence device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
CN100433361C (zh) * 2006-07-10 2008-11-12 友达光电股份有限公司 有机电致发光结构
JP2010032838A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Sumitomo Chemical Co Ltd 表示装置および表示装置の製造方法
JP2010055070A (ja) * 2008-07-30 2010-03-11 Sumitomo Chemical Co Ltd 表示装置および表示装置の製造方法
US8557877B2 (en) 2009-06-10 2013-10-15 Honeywell International Inc. Anti-reflective coatings for optically transparent substrates
KR101784994B1 (ko) * 2011-03-31 2017-10-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US8864898B2 (en) 2011-05-31 2014-10-21 Honeywell International Inc. Coating formulations for optical elements
KR101335527B1 (ko) * 2012-02-23 2013-12-02 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법
KR101954973B1 (ko) 2012-09-19 2019-03-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN102916036B (zh) * 2012-10-12 2015-05-13 京东方科技集团股份有限公司 一种有源矩阵有机电致发光显示器件及显示装置
CN102916037B (zh) * 2012-10-12 2015-02-25 京东方科技集团股份有限公司 一种有源矩阵有机电致发光显示器件及显示装置
FR2999018B1 (fr) * 2012-11-30 2016-01-22 Commissariat Energie Atomique Ecran d'affichage a diodes electroluminescentes organiques
CN103745985B (zh) 2013-12-27 2015-03-18 京东方科技集团股份有限公司 一种有源矩阵有机发光二极管显示基板、显示装置
CN104091817B (zh) 2014-06-13 2018-06-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法
KR102236381B1 (ko) * 2014-07-18 2021-04-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
WO2016167892A1 (en) 2015-04-13 2016-10-20 Honeywell International Inc. Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications
CN107871757B (zh) * 2016-09-23 2020-04-14 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置
CN107887328B (zh) * 2016-09-30 2020-08-25 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制造方法、oled结构
JP6807712B2 (ja) * 2016-11-16 2021-01-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107117269A (zh) * 2017-04-18 2017-09-01 江苏科技大学 一种适用于北极的新型半潜式海洋平台及使用方法
CN206711895U (zh) * 2017-06-02 2017-12-05 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、电致发光显示面板及显示装置
CN109037273B (zh) * 2017-06-08 2020-06-09 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置
KR102690047B1 (ko) * 2017-11-29 2024-07-29 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그를 포함하는 유기발광표시장치
CN109166802A (zh) * 2018-08-06 2019-01-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Ltps阵列基板及其制造方法、显示面板
KR102562902B1 (ko) * 2018-09-14 2023-08-04 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102607781B1 (ko) * 2018-12-28 2023-11-28 엘지디스플레이 주식회사 고 개구율 전계 발광 조명장치
KR20220096854A (ko) * 2020-12-31 2022-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112928157B (zh) * 2021-02-10 2022-07-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH043933A (ja) * 1990-04-20 1992-01-08 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH05113581A (ja) * 1991-10-23 1993-05-07 Seiko Instr Inc 半導体装置
US5536950A (en) * 1994-10-28 1996-07-16 Honeywell Inc. High resolution active matrix LCD cell design
JP2001144301A (ja) * 1999-08-31 2001-05-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2001148291A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Sony Corp 表示装置及びその製造方法
JP2001222030A (ja) * 1999-12-22 2001-08-17 Hynix Semiconductor Inc インプレーンスイッチングモード液晶表示装置及びその製造方法
WO2001082273A1 (fr) * 2000-04-21 2001-11-01 Seiko Epson Corporation Dispositif electro-optique

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04294576A (ja) * 1991-03-23 1992-10-19 Sony Corp 半導体装置
KR940003058A (ko) * 1992-07-09 1994-02-19 이헌조 Am-lcd의 구조 및 제조방법
KR0141774B1 (ko) * 1994-06-17 1998-06-15 구자홍 액정표시장치 및 그 제조방법
JP3433779B2 (ja) * 1996-06-19 2003-08-04 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4053136B2 (ja) * 1998-06-17 2008-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 反射型半導体表示装置
WO2001018596A1 (fr) * 1999-09-08 2001-03-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif d'affichage et son procede de fabrication
GB0014961D0 (en) * 2000-06-20 2000-08-09 Koninkl Philips Electronics Nv Light-emitting matrix array display devices with light sensing elements
US6542205B2 (en) * 2000-08-04 2003-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP3695308B2 (ja) * 2000-10-27 2005-09-14 日本電気株式会社 アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
KR100491143B1 (ko) * 2001-12-26 2005-05-24 삼성에스디아이 주식회사 블랙매트릭스를 구비한 평판표시장치 및 그 제조방법
US6835954B2 (en) * 2001-12-29 2004-12-28 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Active matrix organic electroluminescent display device
KR100484591B1 (ko) * 2001-12-29 2005-04-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법
US7045861B2 (en) * 2002-03-26 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, liquid-crystal display device and method for manufacturing same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH043933A (ja) * 1990-04-20 1992-01-08 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH05113581A (ja) * 1991-10-23 1993-05-07 Seiko Instr Inc 半導体装置
US5536950A (en) * 1994-10-28 1996-07-16 Honeywell Inc. High resolution active matrix LCD cell design
JP2001144301A (ja) * 1999-08-31 2001-05-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2001148291A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Sony Corp 表示装置及びその製造方法
JP2001222030A (ja) * 1999-12-22 2001-08-17 Hynix Semiconductor Inc インプレーンスイッチングモード液晶表示装置及びその製造方法
WO2001082273A1 (fr) * 2000-04-21 2001-11-01 Seiko Epson Corporation Dispositif electro-optique

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104685556A (zh) * 2012-10-01 2015-06-03 夏普株式会社 电路基板和显示装置
CN104685556B (zh) * 2012-10-01 2017-05-03 夏普株式会社 电路基板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030049385A (ko) 2003-06-25
US7173372B2 (en) 2007-02-06
US20030111954A1 (en) 2003-06-19
US20070077848A1 (en) 2007-04-05
CN1430287A (zh) 2003-07-16
KR100635042B1 (ko) 2006-10-17
US7775846B2 (en) 2010-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1314127C (zh) 具有面板的平板显示器件及其制造方法
CN1215568C (zh) 平板显示器及其制造方法
CN101834200B (zh) 有机el显示器及其制作方法
CN100456519C (zh) 有机电致发光显示器及其制造方法
CN1452252A (zh) 具有黑矩阵的平板显示器及其制造方法
CN101043047A (zh) 显示装置及其制造方法
CN101093851A (zh) 有机电致发光显示装置及其制造方法
CN1592520A (zh) 有机电致发光显示器
CN1592518A (zh) 有机电致发光显示装置
CN1516530A (zh) 双面板型有机电致发光显示装置及其制造方法
CN1790731A (zh) 平板显示装置及其制造方法
CN1599530A (zh) 有源矩阵有机发光显示器件
JP2005539378A5 (zh)
KR20150044327A (ko) 전계 완화 박막트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시장치
CN1474635A (zh) 有机电致发光面板及其制造方法
US20240032336A1 (en) Array substrate, manufacturing method thereof, and organic light-emitting diode display panel
CN1215567C (zh) 平板显示器及其制造方法
KR101689886B1 (ko) 산화물 반도체를 이용한 박막트랜지스터 기판의 제조방법
CN1894798A (zh) 具有光传感器的有源矩阵像素装置
CN1607665A (zh) 半导体装置及显示装置
CN1992335A (zh) 双板型有机电致发光显示装置
CN111584577A (zh) 显示面板及其制作方法
CN1950949A (zh) 具有附加源/漏绝缘层的共面薄膜晶体管
CN1542986A (zh) 薄膜晶体管及其制造方法和采用该薄膜晶体管的显示装置
CN1575060A (zh) 有源矩阵电致发光装置及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20090109

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee after: Samsung Mobile Display Co.,Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee before: Samsung SDI Co.,Ltd.

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG SDI CO., LTD.

Effective date: 20090109

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Effective date: 20121018

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20121018

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee after: SAMSUNG DISPLAY Co.,Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee before: Samsung Mobile Display Co.,Ltd.

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20070502

CX01 Expiry of patent term