CN101834200B - 有机el显示器及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种顶部和底部发射有机EL显示器及其制作方法。本发明包括具有第一区域和第二区域的像素区域、像素区域的第一区域具有的向一个方向发光的第一有机EL装置、像素区域的第二区域具有的沿与第一有机EL装置相反方向发光的第二有机EL装置以及电连接到第一和第二有机EL装置以驱动第一和第二有机EL装置的晶体管。

Description

有机EL显示器及其制作方法
本申请是原案申请号为200510074881.2的发明专利申请(申请日：2005年6月3日，发明名称：有机EL显示器及其制作方法)的分案申请。
本申请要求于2004年6月3日提交的韩国专利申请号10-2004-0040466、2004年6月3日提交的10-2004-0040467以及2004年6月4日提交的10-2004-0040826的优先权，这里通过引用而如同对其在这里完全提出一样。
技术领域
本发明涉及有机EL显示器及其制作方法。尽管本发明适用范围广泛，但它尤其适合两面发射。
背景技术
通常，有机EL显示器的像素区域包括开关像素的开关薄膜晶体管、驱动像素的驱动薄膜晶体管、存储电容器、阳极(像素电极)、有机发射层以及阴极(共用电极)。
图1为根据背景技术的有机EL显示器的电路图，图2为根据背景技术的有机EL显示器的布局图，图3为沿图2中切割线I-I的横截面图。
参见图1至3，用多晶硅等在玻璃衬底上形成半导体层2。然后，半导体层2被形成图案以留出其中形成薄膜晶体管的区域。
栅绝缘层3和栅电极导电层顺序地形成在衬底1之上。然后，栅电极导电层被形成图案以形成栅电极4。
薄膜晶体管的源极和漏极区2a和2c是通过利用栅电极4作为注入掩模在半导体层2中注入掺杂物B、P等并对注入有掺杂物的半导体层2进行热处理形成的。
在这一情况下，半导体层2的无掺杂部分成为沟道区2b。
随后，绝缘夹层5形成在衬底1之上。然后，绝缘夹层5和栅绝缘层3被有选择地移除以暴露薄膜晶体管的源极和漏极区2a和2c。
电极线6的形成是为了电连接到各暴露的源极和漏极区2a和2b。
平面化绝缘层7形成在衬底之上。然后，平面化绝缘层7被有选择地移除以暴露连接到漏极区2c的电极线6。
阳极(像素电极)8的形成是为了电连接到暴露的电极线6。
随后，绝缘层9在相邻阳极8之间形成。
空穴注入层10、空穴传输层11、有机发射层、电子传输层13以及电子注入层14顺序地形成在衬底之上。
在铝等的阴极(共用电极)15形成在衬底之上后，钝化层16形成在阴极15上，以切断氧气或湿气。
然而，在上述制成的背景技术的有机EL显示器中，驱动电路占据像素区域的大多数部分以减小光可穿过的部分，即降低孔径比。
而且，在采用补偿电路的情况下，各像素区域中驱动电路占据的区域更多地增加，以显著降低孔径比。
发明内容
因而，本发明旨在提供一种基本消除因背景技术的局限和缺点造成的一个或多个问题的有机EL显示器及其制作方法。
本发明的目的是提供一种有机EL显示器及其制作方法，其中光是从形成有驱动电路的像素区域发出的，并且由其可提高孔径比。
本发明的另一个目的是提供一种有机EL显示器及其制作方法，其中光从一个衬底的顶部和底部发出以实现双向观看。
本发明的再一目的是提供一种有机EL显示器及其制作方法，其中在一个衬底上同时制作一对有机EL显示器，由此，相应过程被简化，且由此处理成本被降低。
该发明的附加优点、目的和特征将在随后的说明书中部分地提出，对具有本领域普通技术的人来说，经过随后的验证，其一部分将变得明显，或者可从该发明的实践中获知。该发明的目的和其它优点可以通过在所写的说明书及其权利要求以及附图中所特别指出的结构实现和获得。
为实现这些目标和其它优点并根据该发明的目的，如在这里所体现和广泛描述的一样，根据本发明的一种有机EL显示器包括具有第一区域和第二区域的像素区域、像素区域的第一区域具有的向一个方向发光的第一有机EL装置、像素区域的第二区域具有的沿与第一有机EL装置相反方向发光的第二有机EL装置以及电连接到第一和第二有机EL装置以驱动第一和第二有机EL装置的晶体管。
优选地，第一区域是没有晶体管形成于其上的第一衬底表面，第二区域是有晶体管形成于其上的第一衬底表面。
在本发明的另一技术方案中，一种有机EL显示器包括，具有多个像素区域的透明衬底，其中多个像素区域的每一个都分为第一区域和第二区域、形成在透明衬底的第二区域上的晶体管、形成在透明衬底的第二区域上以电连接到晶体管的第二阳极、形成在透明衬底的第一区域上以电连接到晶体管的第一阳极、形成在第一和第二阳极上的有机EL层、形成在透明衬底的第一和第二区域上的有机EL层上的第一阴极；以及形成在透明衬底的第一区域的第一阴极上的第二阴极。
优选地，第一阳极为透明电极，第二阴极为具有高反射率的金属电极。
优选地，第二阳极包括具有高反射率的金属电极，且第一阴极包括具有透光性的薄金属电极。
在本发明的另一个技术方案中，一种有机EL显示器包括，具有多个像素区域的透明衬底，其中多个像素区域的每一个都分为第一区域和第二区域、形成在透明衬底的第二区域上的晶体管、形成在透明衬底的第二区域上以电连接到晶体管的第二阳极、形成在透明衬底的第一区域上以电连接到晶体管的第一阳极、形成在第一和第二阳极上的有机EL层、形成在透明衬底的第二区域上的有机EL层上的第一阴极以及形成在透明衬底的第一区域上的有机EL层上的第二阴极。
在本发明的另一个技术方案中，一种有机EL显示器包括第一透明衬底、第二透明衬底、形成在第一透明衬底的第一区域上的晶体管、形成在第一透明衬底的第二区域上以电连接到晶体管的像素电极、形成在像素电极上的第一阴极、形成在第一阴极上的第一有机EL层、形成在第一有机EL层上的第二阳极、形成在第二阳极上的第二有机EL层以及形成在第二有机EL层上以电连接到晶体管或者像素电极之一的第二阴极。
优选地，隔板设置在第二阳极的预定区域。
更优选地，形成在隔板上的第二阴极电连接到晶体管或者像素电极之一。
在本发明的另一技术方案中，一种制作有机EL显示器的方法包括步骤：准备具有多个像素区域的透明衬底，其中多个像素区域的每一个都分为第一区域和第二区域；在透明衬底上形成晶体管以位于像素区域的第二区域上；在透明衬底的第一区域上形成第一阳极以电连接到晶体管；在包括第一阳极的透明衬底之上形成第一绝缘层；通过移除第一绝缘层的预定区域而暴露晶体管的漏极区的一部分；在透明衬底的第二区域中的第一绝缘层上形成第二阳极以电连接到晶体管的漏极区的部分；通过移除第一绝缘层的部分而暴露第一阳极；在包括第一和第二阳极的衬底之上形成有机EL层；在有机EL层上形成第一阴极；以及在像素区域的第一区域中的第一阴极上形成第二阴极。
在本发明的另一个技术方案中，一种制作有机EL显示器的方法，包括步骤：准备具有多个像素区域的透明衬底，其中多个像素区域的每一个都分为第一区域和第二区域；在透明衬底上形成晶体管以位于像素区域的第二区域上；形成第一阳极以电连接到晶体管；在包括第一阳极的透明衬底之上形成第一绝缘层；通过移除第一绝缘层的预定区域而暴露晶体管的漏极区的一部分；在像素电极的第二区域中的第一绝缘层上形成第二阳极以电连接到暴露的晶体管；通过移除第一绝缘层的部分而暴露第一阳极；在包括第一和第二阳极的衬底之上形成有机EL层；在有机EL层上形成第一阴极以位于像素区域的第二区域中；以及在有机EL层上形成第二阴极以位于像素区域的第一区域中。
在本发明的另一个技术方案中，一种制作有机EL显示器的方法，包括：制作第一有机EL装置的第一步骤，该第一步骤包括步骤：准备第一透明衬底；在第一透明衬底的第一区域上形成晶体管；在第一透明衬底的第一区域上形成像素电极以电连接到晶体管；在包括像素电极的第一透明衬底之上形成绝缘层；通过有选择地移除绝缘层而暴露晶体管和像素电极；以及在暴露的像素电极上顺序形成第一阴极、有机EL层和第一阳极；制作第二EL装置的第二步骤，该第二步骤包括步骤：准备第二透明衬底；在第二透明衬底上形成第二阳极；在第二阳极的预定区域上形成隔板；以及在包括隔板的第二阳极上顺序形成有机EL层和第二阴极；以及使第一和第二有机EL装置相互结合从而第二有机EL装置的第二阴极电连接到第一有机EL装置的晶体管的第三步骤。
在本发明的再一技术方案中，一种制作有机EL显示器的方法包括：制作第一有机EL装置的第一步骤，该第一步骤包括步骤：准备第一透明衬底；在第一透明衬底的第一区域上形成晶体管；在包括晶体管的第一透明衬底之上形成第一绝缘层；通过有选择地移除第一绝缘层而暴露晶体管；在第一透明衬底的第一区域和第二区域上形成像素电极以电连接到暴露的晶体管；以及在第一透明衬底的第一区域的暴露的像素电极上顺序形成第一阴极、有机EL层和第一阳极；制作第二EL装置的第二步骤，该第二步骤包括步骤：准备第二透明衬底；在第二透明衬底上形成第二阳极；在第二阳极的预定区域上形成隔板；以及在包括隔板的第二阳极上顺序形成有机EL层和第二阴极；以及相互结合第一和第二有机EL装置从而第二有机EL装置的第二阴极电连接到第一有机EL装置的暴露的像素电极的第三步骤。
优选地，在制作第一有机EL装置的第一步骤中的像素电极形成步骤之后，第二绝缘层形成在将像素电极和晶体管电连接起来的区域上以及像素电极的边缘区域上。
应该理解，无论本发明的前面的一般描述还是下面的详细描述都是示范性和说明性的，并为所主张的本发明提供进一步的说明。
附图说明
附图，包括在内以提供该发明的进一步理解，构成本申请的一部分，说明该发明的实施例，并与说明书一起用于解释该发明的原理。图中：
图1为根据背景技术的有机EL显示器的电路图；
图2为根据背景技术的有机EL显示器的布局图；
图3为沿图2中切割线I-I的横截面图；
图4为根据本发明的有机EL显示器的电路图；
图5为根据本发明的第一实施例的有机EL显示器的布局图；
图6A至6J为沿图5中切割线II-II的横截面图；
图7为根据本发明的第二实施例的有机EL显示器的布局图；
图8A至8J为沿图7中切割线III-III的横截面图；
图9A至9F为根据本发明的第三实施例的说明有机EL显示器制作方法的横截面图；
图10为根据本发明的第三实施例的第二有机EL显示器的布局图；以及
图11A至11C为根据本发明的第四实施例的说明有机EL显示器制作方法的横截面图。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的优选实施例，其实例在附图中说明。只要可能，相同的附图标记将在整个图中用于表示相同或相似的部分。
本发明的概念在于，在没有驱动电路形成于其上的像素区域上实现底部发射型有机EL装置，同时，在具有驱动电路形成于其上的像素区域上实现顶部发射型有机EL装置，或者在于，顶部发射型有机EL装置结合到底部发射型有机EL装置之上以制作可以独立驱动的顶部和底部发射型显示器。
图4为根据本发明的有机EL显示器的电路图，并且有时可以设计为各种类型。
参见图4，根据本发明的一种有机EL显示器包括一个驱动电路(例如晶体管)和两个有机EL装置。
在这一情况下，第一有机EL装置设置到像素区域的第一区域以向一个方向发光。
并且，第二有机EL装置设置到像素区域的第二区域以沿与第一有机EL装置相反方向发光。
在驱动区域上形成的薄膜晶体管的驱动晶体管电连接到第一和第二有机EL装置以驱动。
在这一情况下，像素区域的第一区域可为其上没有晶体管形成的第一衬底表面，像素区域的第二区域可为其上有晶体管形成的第一衬底表面。
图5为根据本发明的第一实施例的有机EL显示器的布局图，图6A至6J为沿图5中切割线II-II的横截面图。
参见图4，本发明的第一实施例的像素区域包括开关像素的开关薄膜晶体管、驱动像素的驱动薄膜晶体管、存储电容器、第一阳极(像素电极)、第二阳极(像素电极)、有机发射层、第一阴极(共用电极)以及第二阴极(共用电极)。
本发明的透明衬底包括多个像素区域。多个像素区域的每一个都分为第一区域和第二区域。
在这一情况下，第一区域为发射区域，第二区域为驱动电路区域。
本发明的第一实施例用于将第二区域，即驱动电路区域制作为另一个发射区域。
因此，第一有机EL装置形成在像素区域的第一区域中以向透明衬底底部发光，第二有机EL装置形成在像素区域的第二区域中以向透明衬底的顶部发光。
在这一情况下，驱动第一和第二有机EL装置的晶体管形成在第二区域中。
并且，第一有机EL装置和第二有机EL装置可以电连接到相同的晶体管以被驱动。或者，第一和第二有机EL装置可以分别电连接到不同的晶体管。
在本发明的第一实施例中，第二阳极形成在透明衬底的第二区域上以电连接到晶体管，第一阳极形成在透明衬底的第一区域上以电连接到晶体管。
有机EL层形成在第一和第二阳极上。第一阴极形成在透明衬底的第一和第二区域上的有机EL层上。并且，第二阴极形成在透明衬底的第一区域上的第一阴极上。
在这一情况下，第一阳极为由ITO等形成的透明电极以具有高功函。第二阴极由具有高反射率和低功函的比如AL电极等的导电金属电极形成。
并且，第二阳极为具有高反射率的金属电极，比如Al、Cr、Ag等。第一阴极由具有透光性的薄金属电极形成。
在这一情况下，第一阴极可以通过淀积1～10nm厚度的Al并在Al上淀积1～15nm厚度的Ag、通过淀积1～15nm厚度的Mg:Ag等的合金或者通过利用具有低电导率的导电材料形成。
根据本发明的第一实施例的上述构造的有机EL显示器的制作过程如下所述。
图6A至6J为沿图5中切割线II-II的工序横截面图。
参见图6A，透明衬底21具有多个像素区域，多个像素区域的每一个都分为第一区域(发射区域)和第二区域(驱动电路区域)。
半导体层22采用多晶硅等形成在透明衬底21的第二区域上，然后形成图案，以用作薄膜晶体管的活化层。
在栅绝缘层23形成在包括半导体层22的透明衬底21上后，栅电极24形成在栅绝缘层23上。
随后，利用栅电极24作为注入掩模将杂质或掺杂剂注入半导体层22中，然后退火以形成薄膜晶体管的源极区22a和漏极区22c。
绝缘层25形成在包括栅电极24的透明衬底21的整个表面上，然后形成图案以分别暴露源极和漏极区22a和22c的部分。
其后，形成电极26以分别电连接到源极和漏极区22a和22c，以完成薄膜晶体管。
参见图6B，具有高功函数值的比如ITO、IZO等的透明导电物质形成在绝缘夹层25上，然后形成图案以形成底部发射的第一阳极27。
在这一情况下，第一阳极27形成在像素区域的第一区域中以电连接到薄膜晶体管的电极26。
参见图6C，平面化层28形成在衬底之上以利用绝缘体平面化衬底之上的表面。平面化层28被形成图案以形成暴露漏极区22c的电极26的部分的接触孔29。
参见图6D，具有高反射率的导电物质，比如Cr、Al、Mo、Ag、Au等形成在像素区域的第二区域中的平面化层28上，然后形成图案以形成顶部发射的第二阳极30。
参见图6E，平面化层28的部分被移除以暴露第一阳极27。
参见图6F，绝缘层31形成在衬底之上，然后形成图案以仅保留在第二阳极30和电极26之间的电连接区域以及第二阳极30的边缘区域上。
参见图6G，空穴注入层32、空穴传输层33、有机发射层34、电子传输层35和电子注入层36顺序形成在第一和第二阳极27和30上以形成有机EL层。
参见图6H，第一阴极37形成在有机EL层的电子注入层36上。
在这一情况下，第一阴极37为具有透光性的薄金属电极，并可通过淀积1～10nm厚度的Al并在Al上淀积1～15nm厚度的Ag、通过淀积1～15nm厚度的Mg:Ag等的合金或者通过利用具有低电导率的导电材料形成。
参见图6I，利用第一荫罩(shadow mask)38，底部发射的第二阴极39形成在像素区域的第一区域上的第一阴极37上。
在这一情况下，第二阴极39由具有高反射率和低功函的导电材料，比如Al形成。
参见图6J，钝化层40形成在衬底之上，以切断氧气或湿气向有机EL层中的渗透。并且，保护盖(图中未示出)盖在其上。
图7为根据本发明的第二实施例的有机EL显示器的布局图，图8A至8J为沿图7中切割线III-III的横截面图。
参见图7，本发明的第二实施例与本发明的第一实施例的区别仅在于第一阴极的位置。
本发明的第二实施例的第一阴极仅形成在像素区域的第二区域中。
鉴于本发明的第二实施例的构造与本发明的第一实施例的相似，故省略其详细说明。
根据本发明的第二实施例的上述构造的有机EL显示器的制作方法说明如下。
本发明的第二实施例中的图8A至8G等同于本发明的第一实施例中的图6A至6G，其说明省略。
参见图8H，利用第二荫罩41，顶部发射的第一阴极37形成在像素区域的第二区域上的电子注入层36上。
在这一情况下，第一阴极37为具有透光性的薄膜金属电极，并可通过淀积1～10nm厚度的Al并在Al上淀积1～15nm厚度的Ag、通过淀积1～15nm厚度的Mg:Ag等的合金或者通过利用具有低电导率的导电材料形成。
参见图8I，利用第一荫罩38，底部发射的第二阴极39形成在像素区域的第一区域上的电子注入层36上。
在这一情况下，第二阴极39由具有高反射率和低功函的导电材料比如Al形成。
参见图8J，钝化层40形成在衬底之上，以切断氧气或湿气向有机EL层中的渗透。并且，保护盖(图中未示出)盖在其上。
在本发明的第三或第四实施例中，第一EL装置和第二EL装置分别制作，然后相互结合以制作顶部和底部发射型有机EL显示器。
图9A至9F为根据本发明的第三实施例说明制作有机EL显示器的方法的横截面图，图10为根据本发明的第三实施例的第二有机EL显示器的布局图。
参见图9A，薄膜晶体管形成在透明衬底21的第二区域上。
参见图9B，透明导电材料，比如ITO、IZO等形成在绝缘夹层25上，然后形成图案以形成像素电极50。
在这一情况下，像素电极50形成在透明衬底21的第一区域上以电连接到薄膜晶体管的电极26。
随后，绝缘体形成在衬底之上以形成用于平面化衬底表面的平面化层28。平面化层28被形成图案以暴露漏极区22c的电极26的部分以及像素电极50。
参见图9C，利用第一荫罩38，第一阴极39、电子注入层36、电子传输层35、有机发射层34、空穴传输层33、空穴注入层32以及第一阳极27顺序形成在暴露的像素电极50上以形成第一有机EL装置。
在这一情况下，第一阴极39可通过淀积1～10nm厚度的Al并在Al上淀积1～15nm厚度的Ag、通过淀积1～15nm厚度的Mg:Ag等的合金或者通过利用具有低电导率的导电材料形成。
并且，具有高反射率的导电物质，比如Cr、Al、Mo、Ag、Au等可用作第一阳极27。
在这一情况下，第一阳极27电连接发射相同颜色的像素。
因此，在制作第一有机EL装置中所用的第一荫罩38采用条型而非槽型。
同时，第二有机EL装置以下述方式制作。
图10为第二有机EL装置的布局图，图9D为沿图10中切割线IV-IV’的横截面图。
参见图9D和图10，具有高功函数值的透明导电材料形成在第二透明衬底51上，然后形成图案以形成第二阳极30。
随后，利用绝缘体，比如聚酰亚胺在包括第二阳极30的衬底之上形成隔离物53。并且，利用另一个绝缘体形成岛状隔板52。
通过在包括隔板52的第二阳极30上顺序形成空穴注入层32、空穴传输层33、有机发射层34、电子传输层35以及电子注入层36而形成有机EL层。
具有低功函的导电层，比如Al，淀积在有机EL层上，然后形成图案以形成第二阴极32，从而完成第二有机EL装置。
参见图9E和图9F，第一和第二有机EL装置相互结合，从而第二有机EL装置的第二阴极37电连接到第一有机EL装置的电极。
因而，本发明利用一个驱动晶体管可以分别或同时驱动两个有机EL装置。
在两个有机EL装置之间的内空间设置真空状态后，利用密封剂54密封该内空间。
图11A至11C为说明根据本发明的第四实施例的有机EL显示器的制作方法的横截面图。
本发明的第四实施例与本发明的第三实施例的区别在于第一有机EL装置的制作过程。
参见图11A，薄膜晶体管形成在透明衬底21的第二区域上。
通过在衬底之上形成绝缘体，形成平面化层28以平面化表面，然后平面化层28被形成图案以暴露漏极区22c的电极26的部分。
透明导电材料，比如ITO、IZO等形成在平面化层28上以电连接到暴露的电极26，然后形成图案以形成像素电极50。
这样，像素电极50形成在透明衬底21的第一和第二区域上以电连接到薄膜晶体管的电极26。
绝缘层31形成在将像素电极50和薄膜晶体管的电极26电连接起来的区域以及像素电极50的边缘区域上。
参见图11B，利用第一荫罩38，第一阴极39、电子注入层36、电子传输层35、有机发射层34、空穴传输层33、空穴注入层32和第一阳极27顺序形成在暴露的像素电极50上，以制作第一有机EL装置。
参见11C，通过将根据图9E中的方法制作的第二有机EL装置结合到第一有机EL装置，就制作出顶部和底部发射型有机EL显示器。
因而，本发明具有下面的优点或效果。
首先，由于利用相同的驱动晶体管同时实现底部发射和顶部发射，所以本发明能够制作新概念的显示器，其使使用者能从两面观看图像，并提高装置的经济价值。
其次，在将根据本发明的有机EL显示器用于移动终端的情况下，本发明能使用一个显示组件实现外部显示器和内部显示器，能开发低价的移动电话或终端。
第三，本发明采用背景技术处理条件简化制作过程，从而增强批量生产率。
第四，由于顶部发射的第一阴极38与底部发射的第二阴极40分离，故能够独立驱动第一和第二有机EL装置。
因此，本发明可以同时或独立地驱动底部发射和顶部发射。
最后，在将上述功能用于移动终端的情况下，本发明能仅利用一个显示组件而实现内部和外部窗口的显示。
对本领域技术人员来说，明显地，本发明中可做出各种改进和变化而不脱离该发明的精神或范围。因此，只要它们落入所附的权利要求书及其等同的范围内，本发明就覆盖本发明的这些改进和变化。

Claims (17)

1.一种有机EL显示器，包括：
具有第一区域和第二区域的像素区域；
像素区域的第一区域具有的向一个方向发光的第一有机EL装置，该第一有机EL装置具有第一阳极和第一阴极；
像素区域的第二区域具有的沿与第一有机EL装置相反方向发光的第二有机EL装置，该第二有机EL装置具有第二阳极和第二阴极；以及
电连接到第一和第二有机EL装置以驱动第一和第二有机EL装置的晶体管，
其中，所述第一阳极和所述第二阳极分别形成在所述第一区域和所述第二区域中，并且其中所述第二阳极由具有高反射率的金属电极制成，所述第一阴极由具有透光性的薄金属电极制成。
2.如权利要求1所述的有机EL显示器，其特征在于，其中第一区域是没有晶体管形成于其上的第一衬底表面，第二区域是有晶体管形成于其上的第一衬底表面。
3.如权利要求1所述的有机EL显示器，其特征在于，其中第一区域是晶体管和第一有机EL装置形成于其上的第一衬底表面，第二区域是第二有机EL装置形成于其上的第二衬底表面。
4.一种有机EL显示器，包括：
具有多个像素区域的透明衬底，其中多个像素区域的每一个都分为第一区域和第二区域；
形成在透明衬底的第二区域上的晶体管；
形成在透明衬底的第二区域上以电连接到晶体管的第二阳极；
形成在透明衬底的第一区域上以电连接到晶体管的第一阳极；
形成在所述晶体管和所述第一阳极上的绝缘层，其中所述绝缘层在所述晶体管和所述第二阳极之间具有接触孔，并且其中所述第二阳极形成在所述绝缘层上并通过所述接触孔与所述晶体管接触；
形成在第一和第二阳极上的有机EL层；
形成在透明衬底的第一和第二区域上的有机EL层上的第一阴极；以及
形成在透明衬底的第一区域的第一阴极上的第二阴极，
其中，所述第二阳极由具有高反射率的金属电极制成，所述第一阴极由具有透光性的薄金属电极制成。
5.一种有机EL显示器，包括：
具有多个像素区域的透明衬底，其中多个像素区域的每一个都分为第一区域和第二区域；
形成在透明衬底的第二区域上的晶体管；
形成在透明衬底的第二区域上以电连接到晶体管的第二阳极；
形成在透明衬底的第一区域上以电连接到晶体管的第一阳极；
形成在所述晶体管和所述第一阳极上的绝缘层，其中所述绝缘层在所述晶体管和所述第二阳极之间具有接触孔，并且其中所述第二阳极形成在所述绝缘层上并通过所述接触孔与所述晶体管接触；
形成在第一和第二阳极上的有机EL层；
形成在透明衬底的第二区域上的有机EL层上的第一阴极；以及
形成在透明衬底的第一区域上的有机EL层上的第二阴极，
其中，所述第一阳极由具有透光性的薄金属电极制成，所述第二阴极是具有高反射率的金属电极。
6.如权利要求5所述的有机EL显示器，其特征在于，其中第二阳极包括具有高反射率的金属电极，其中第一阴极包括具有透光性的薄金属电极。
7.一种有机EL显示器，包括：
第一透明衬底；
第二透明衬底；
形成在第一透明衬底的第一区域上的晶体管；
形成在第一透明衬底的第一区域上以电连接到晶体管的像素电极；
形成在像素电极上的第一阴极；
形成在第一阴极上的第一有机EL层；
形成在第一有机EL层上的第一阳极；
形成在第二透明衬底上的第二阳极；
形成在第二阳极的第二区域上的第二有机EL层；以及
形成在第二有机EL层上以电连接到晶体管或者像素电极之一的第二阴极，
其中，所述像素电极和所述第二阳极是透明电极，其中所述第一阴极包括具有透光性的薄金属电极，并且其中所述第一阳极和所述第二阴极是分别具有高反射率的金属电极。
8.如权利要求7所述的有机EL显示器，其特征在于，其中隔板设置在第二阳极的预定区域。
9.如权利要求8所述的有机EL显示器，其特征在于，其中形成在隔板上的第二阴极电连接到晶体管或者像素电极之一。
10.一种制作有机EL显示器的方法，包括步骤：
准备具有多个像素区域的透明衬底，其中多个像素区域的每一个都分为第一区域和第二区域；
在透明衬底上形成晶体管以位于像素区域的第二区域上；
在透明衬底的第一区域上形成第一阳极以电连接到晶体管；
在包括第一阳极的透明衬底之上形成第一绝缘层；
通过移除第一绝缘层的预定区域而暴露晶体管的漏极区的一部分；
在透明衬底的第二区域中的第一绝缘层上形成第二阳极以电连接到晶体管；通过移除第一绝缘层的部分而暴露第一阳极；
在包括第一和第二阳极的衬底之上形成有机EL层；
在有机EL层上形成第一阴极；以及
在像素区域的第一区域中的第一阴极上形成第二阴极，
其中，所述第一阴极是具有透光性的薄金属电极，所述第二阳极是具有高反射率的金属电极。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，其中在暴露第一阳极的步骤后，第二绝缘层形成在将第二阳极和晶体管连接起来的区域上以及第二阳极的边缘区域上。
12.如权利要求10所述的方法，有机EL层的形成步骤包括步骤：
在包括第一阳极的衬底之上形成空穴注入层；
在空穴注入层上形成空穴传输层；
在空穴传输层上形成发射层；
在发射层上形成电子传输层；以及
在电子传输层上形成电子注入层。
13.一种制作有机EL显示器的方法，包括步骤：
准备具有多个像素区域的透明衬底，其中多个像素区域的每一个都分为第一区域和第二区域；
在透明衬底上形成晶体管以位于像素区域的第二区域上；
形成第一阳极以电连接到晶体管；
在包括第一阳极的透明衬底之上形成第一绝缘层；
通过移除第一绝缘层的预定区域而暴露晶体管的漏极区的一部分；
在像素电极的第二区域中的第一绝缘层上形成第二阳极以电连接到暴露的晶体管；
通过移除第一绝缘层的部分而暴露第一阳极；
在包括第一和第二阳极的衬底之上形成有机EL层；
在有机EL层上形成第一阴极以位于像素区域的第二区域中；以及
在有机EL层上形成第二阴极以位于像素区域的第一区域中，
其中，所述第一阳极由具有透光性的薄金属电极制成，所述第二阴极是具有高反射率的金属电极。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，其中在暴露第一阳极的步骤之后，第二绝缘层形成在将第二阳极和晶体管连接起来的区域上以及第二阳极的边缘区域上。
15.一种制作有机EL显示器的方法，包括：
制作第一有机EL装置的第一步骤，该第一步骤包括步骤：
准备第一透明衬底；
在第一透明衬底的第二区域上形成晶体管；
在第一透明衬底的第一区域上形成像素电极以电连接到晶体管；
在包括像素电极的第一透明衬底之上形成绝缘层；
通过有选择地移除绝缘层而暴露晶体管的漏极区的一部分和像素电极；以及
在暴露的像素电极上顺序形成第一阴极、有机EL层和第一阳极；
制作第二EL装置的第二步骤，该第二步骤包括步骤：
准备第二透明衬底；
在第二透明衬底上形成第二阳极；
在第二阳极的预定区域上形成隔板；以及
在包括隔板的第二阳极上顺序形成有机EL层和第二阴极；以及
使第一和第二有机EL装置相互结合从而第二有机EL装置的第二阴极电连接到第一有机EL装置的晶体管的第三步骤，
其中，所述像素电极和所述第二阳极是透明电极，其中所述第一阴极包括具有透光性的薄金属电极，并且其中所述第一阳极和所述第二阴极是分别具有高反射率的金属电极。
16.一种制作有机EL显示器的方法，包括：
制作第一有机EL装置的第一步骤，该第一步骤包括步骤：
准备第一透明衬底；
在第一透明衬底的第二区域上形成晶体管；
在包括晶体管的第一透明衬底之上形成第一绝缘层；
通过有选择地移除第一绝缘层而暴露晶体管的漏极区的一部分；
在第一透明衬底的第一区域和第二区域上形成像素电极以电连接到暴露的晶体管；以及
在第一透明衬底的第一区域的暴露的像素电极上顺序形成第一阴极、有机EL层和第一阳极；
制作第二EL装置的第二步骤，该第二步骤包括步骤：
准备第二透明衬底；
在第二透明衬底上形成第二阳极；
在第二阳极的预定区域上形成隔板；以及
在包括隔板的第二阳极上顺序形成有机EL层和第二阴极；以及
使第一和第二有机EL装置相互结合从而第二有机EL装置的第二阴极电连接到第一有机EL装置的暴露的像素电极的第三步骤，
其中，所述像素电极和所述第二阳极是透明电极，其中所述第一阴极包括具有透光性的薄金属电极，并且其中所述第一阳极和所述第二阴极是分别具有高反射率的金属电极。
17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，其中在制作第一有机EL装置的第一步骤中的像素电极形成步骤之后，第二绝缘层形成在将像素电极和晶体管电连接起来的区域上以及像素电极的边缘区域上。
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