KR100473591B1 - 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 - Google Patents
듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (14)
- 화면을 구현하는 최소단위인 서브픽셀(sub-pixel) 영역이 정의된 제 1, 2 기판과;상기 제 2 기판의 내부면에 형성된 제 1 전극과;상기 제 1 전극 하부에서 서브픽셀별 경계부에 차례대로 형성된 절연막 및 격벽과;상기 격벽 내부 영역에 차례대로 형성된 유기전계발광층 및 제 2 전극과;상기 제 1 기판의 내부면에 서브픽셀 단위로 형성된 박막트랜지스터와;상기 박막트랜지스터를 덮는 기판 전면에 위치하며, 상기 박막트랜지스터를 일부 노출시키는 콘택홀을 가지는 보호층과;상기 보호층 상부의 상기 제 2 전극 형성부와 대응되는 위치에서, 상기 제 1, 2 기판 사이 간격을 일정하게 유지하는 범위에서 상기 격벽보다 높은 높이를 가지는 기둥형상의 제 1 패턴과;상기 제 1 패턴을 덮는 영역에서, 상기 콘택홀을 통해 드레인 전극과 연결되고, 최상부면은 상기 제 2 전극의 하부면과 접촉되는 전도성 물질로 이루어진 제 2 패턴을 포함하며, 상기 유기전계발광층으로부터 발광된 빛은 제 1 전극쪽으로 발광되고, 상기 박막트랜지스터는 반도체층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극으로 이루어지며, 상기 제 1, 2 패턴은 상기 박막트랜지스터와 유기전계발광 다이오드 소자를 연결하는 연결패턴을 이루는 것을 특징으로 하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.
- 서브픽셀 영역이 정의된 제 1, 2 기판과;상기 제 2 기판의 내부면에 형성된 제 1 전극과;상기 제 1 전극 하부에서 서브픽셀별 경계부에 차례대로 형성된 절연막 및 격벽과;상기 격벽 내부 영역에 차례대로 형성된 유기전계발광층 및 제 2 전극과;상기 제 1 기판의 내부면에 서브픽셀 단위로 형성되며, 활성 영역과, 상기 활성 영역의 양측 주변부를 이루는 소스 영역 및 드레인 영역이 정의된 반도체층과;상기 반도체층의 활성 영역에 차례대로 형성된 게이트 절연막 및 게이트 전극과;상기 게이트 전극을 덮는 기판 전면에 위치하며, 상기 소스 영역 및 드레인 영역을 일부 노출시키는 제 1, 2 콘택홀을 가지는 보호층과;상기 보호층 상부의 상기 제 2 전극과 대응되는 영역에 형성되며, 상기 제 1, 2 기판 사이 간격을 일정하게 유지하는 범위에서, 상기 격벽보다 높은 높이를 가지는 기둥형상의 제 1 패턴과;상기 보호층 상부에서 제 1 콘택홀을 통해, 상기 반도체층의 소스 영역과 연결된 소스 전극과;상기 보호층 상부에서 제 2 콘택홀을 통해, 상기 반도체층의 드레인 영역과 연결되는 드레인 전극과;상기 드레인 전극과 일체형으로 이루어지고, 상기 제 1 패턴을 덮는 영역에 위치하며, 최상부면은 상기 제 2 전극과 접촉되는 제 2 패턴을 포함하며, 상기 유기전계발광층으로부터 발광된 빛은 제 1 전극쪽으로 발광되고, 상기 반도체층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극은 박막트랜지스터를 이루며, 상기 제 1, 2 패턴은 상기 박막트랜지스터와 제 2 전극을 연결하는 연결패턴을 이루는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 격벽은 상협하광(上狹下廣) 구조의 사다리꼴 형상을 가지는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 제 1 패턴은, 포토레지스트(photoresist)를 이용하여 사진식각공정(photolithography)에 의해 이루어지는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 제 1 패턴을 이루는 물질은, 포토아크릴(photoacryl), 폴리이미드(polyimide) 중 어느 하나에서 선택되는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 제 1, 2 기판의 가장자리부는 씰패턴(seal pattern)에 의해 봉지되는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 박막트랜지스터는, 상기 유기전계발광 소자에 전류를 공급하는 구동 박막트랜지스터에 해당되는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.
- 제 7 항에 있어서,상기 구동 박막트랜지스터의 게이트 전극은 스위칭 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 제 1 패턴의 양 측면은 테이퍼(taper)를 가지는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기전계발광층으로부터 발광된 빛은 제 1 전극쪽으로 발광되는 것을 특징으로 하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 박막트랜지스터는 반도체층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 유기전계발광층으로부터 발광된 빛은 제 1 전극쪽으로 발광되는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 박막트랜지스터는,상기 제 1 기판의 내부면에 서브픽셀 단위로 형성되며, 활성 영역과, 상기 활성 영역의 양측 주변부를 이루는 소스 영역 및 드레인 영역이 정의된 반도체층과;상기 반도체층의 활성 영역에 차례대로 형성된 게이트 절연막 및 게이트 전극과;상기 게이트 전극을 덮는 기판 전면에 위치하며, 상기 소스 영역 및 드레인 영역을 일부 노출시키는 제 1, 2 콘택홀을 가지는 보호층과;상기 보호층 상부의 상기 제 2 전극과 대응되는 영역에 형성되며,상기 보호층 상부에서 제 1 콘택홀을 통해, 상기 반도체층의 소스 영역과 연결된 소스 전극과;상기 보호층 상부에서 제 2 콘택홀을 통해, 상기 반도체층의 드레인 영역과 연결되는 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 최상부면은 상기 제 2 전극과 접촉되는 것을 특징으로 하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.
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