KR100472854B1 - 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (12)
- 화면을 구현하는 최소단위인 서브픽셀(sub-pixel) 영역이 정의된 제 1, 2 기판과;상기 제 1 기판의 내부면에 서브픽셀 단위로 형성된 박막트랜지스터를 가지는 어레이 소자층과;상기 어레이 소자층 상부 전면에 상기 박막트랜지스터의 일전극을 노출시키며 구비된 보호층과;상기 제 2 기판의 내부면에 형성되며, 최하부에 서브픽셀 단위로 형성되는 제 2 전극이 구비된 유기전계발광 다이오드와;상기 보호층 위로 상기 노출된 상기 박막트랜지스터의 일전극과 직접 접촉하며, 상기 제 2 전극의 하부면과 접촉되는 저융점 금속물질로 이루어진 연결패턴을 포함하며, 상기 연결패턴의 제 2 전극과 접촉되는 접촉 영역은, 상기 접촉 영역과 인접한 상기 연결패턴의 연결 영역보다 넓은 면적을 가지는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 연결패턴에는, 스페이서(spacer) 형태의 버퍼패턴이 포함되는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 버퍼패턴은, 상기 어레이 소자층과 접하는 면을 편평한 면으로 하고, 상부면을 반구형상으로 가지는 패턴인 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 버퍼패턴을 이루는 물질은, 감광성 고분자 물질 중 어느 하나에서 선택되는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 저융점 금속물질은, 갈륨/인듐 합금(Ga/In alloy), 납/주석 합금(Pb/Sn alloy), 납/주석/은 합금(Pb/Sn/Ag alloy), 주석/인듐 합금(Sn/In alloy), 주석/인듐/구리 합금(Sn/In/Cu alloy), 주석/인듐/은 합금(Sn/In/Ag alloy) 중 어느 하나에서 선택되는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 박막트랜지스터는, 반도체층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극으로 이루어지고, 상기 연결패턴은 실질적으로 드레인 전극과 연결되는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.
- 서브픽셀 영역이 정의된 제 1, 2 기판을 구비하는 단계와;상기 제 1 기판 상에 서브픽셀 단위로 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;상기 박막트랜지스터 상부로 전면에 상기 박막트랜지스터의 일전극을 노출시키는 콘택홀을 구비한 보호층을 형성하는 단계와;상기 보호층 위로 상기 콘택홀을 통해 박막트랜지스터의 일전극과 접촉하는 저융점 금속물질로 이루어진 연결패턴을 형성하는 단계와;상기 제 2 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 전극 상부에 유기전계발광층을 형성하는 단계와;상기 유기전계발광층 상부에 서브픽셀 단위로 제 2 전극을 형성하여, 상기 제 1, 2 전극과, 제 1, 2 전극 사이에 개재된 유기전계발광층을 포함하는 유기전계발광 다이오드 소자를 완성하는 단계와;상기 제 1, 2 기판 중 어느 한 기판에 씰패턴을 형성하는 단계와;상기 씰패턴을 포함하여, 상기 제 1, 2 기판을 합착하는 단계를 포함하며, 상기 합착하는 단계에서는 상기 제 2 전극과 접촉되는 연결패턴을 웰딩(welding)하는 단계를 더욱 포함함으로써, 상기 연결패턴의 제 2 전극과 접촉되는 접촉 영역이, 상기 접촉 영역과 인접한 연결패턴의 연결영역보다 넓은 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 연결패턴을 웰딩(welding)시키는 단계에서는, 상기 제 1 기판의 배면부에 100℃ ~ 160℃의 온도범위에서 열을 가하는 단계를 포함하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 연결패턴을 형성하는 단계에서는, 스페이서 형태의 버퍼패턴을 형성하는 단계를 포함하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 버퍼패턴은, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 면을 편평한 면으로 하고 상부면을 반구형상으로 가지는 패턴인 듀얼패널타입 유기전계발광 소자의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 저융점 금속물질은, 갈륨/인듐 합금(Ga/In alloy), 납/주석 합금(Pb/Sn alloy), 납/주석/은 합금(Pb/Sn/Ag alloy), 주석/인듐 합금(Sn/In alloy), 주석/인듐/구리 합금(Sn/In/Cu alloy), 주석/인듐/은 합금(Sn/In/Ag alloy) 중 어느 하나에서 선택되는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기전계발광층으로부터 발광된 빛은 제 1 전극쪽으로 발광되는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.
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---|---|---|---|---|
US7009203B2 (en) * | 2000-12-14 | 2006-03-07 | Samsung Soi Co., Ltd. | Organic EL device and method for manufacturing the same |
KR100365519B1 (ko) * | 2000-12-14 | 2002-12-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법 |
JP2005116623A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3849680B2 (ja) * | 2003-10-06 | 2006-11-22 | セイコーエプソン株式会社 | 基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置 |
KR100652352B1 (ko) | 2004-05-10 | 2006-12-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
KR100731547B1 (ko) * | 2004-12-09 | 2007-06-22 | 한국전자통신연구원 | 유기 전기발광소자와 유기 전계효과 트랜지스터의 집적방법 |
US20060275947A1 (en) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Jian Wang | Process for forming an electronic device including reflowing a conductive member |
US20070290196A1 (en) * | 2005-07-08 | 2007-12-20 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method for manufacturing the organic light emitting display device |
US7538672B2 (en) * | 2005-11-01 | 2009-05-26 | Savi Technology, Inc. | Method and apparatus for capacitive sensing of door position |
TWI296895B (en) * | 2005-12-02 | 2008-05-11 | Au Optronics Corp | Encapsulation structure of dual emission organic electroluminescence device and method of fabricating the same |
KR101202035B1 (ko) * | 2005-12-12 | 2012-11-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광소자 및 그 제조방법 |
KR101252083B1 (ko) * | 2005-12-22 | 2013-04-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR101241140B1 (ko) * | 2006-06-26 | 2013-03-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 섀도우마스크와 이를 이용한 유기전계발광소자 및 그제조방법 |
KR20080002338A (ko) * | 2006-06-30 | 2008-01-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 전계발광 표시장치와 그의 제조 방법 |
DE102006046197B4 (de) * | 2006-09-29 | 2018-04-05 | Osram Gmbh | Leuchtmittel und Beleuchtungseinrichtung mit solch einem Leuchtmittel |
KR101281748B1 (ko) * | 2008-10-23 | 2013-07-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 상부 발광방식 유기전계발광소자 |
CN104952945A (zh) * | 2014-03-31 | 2015-09-30 | 比亚迪股份有限公司 | 一种太阳能电池片及其制备方法、含有该电池片的太阳能电池组件 |
CN104952944A (zh) * | 2014-03-31 | 2015-09-30 | 比亚迪股份有限公司 | 一种太阳能电池片及其制备方法、含有该电池片的太阳能电池组件 |
KR102325643B1 (ko) * | 2015-01-07 | 2021-11-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN107681063A (zh) * | 2017-10-11 | 2018-02-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
KR102523979B1 (ko) * | 2018-02-14 | 2023-04-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
TWI681556B (zh) * | 2018-09-11 | 2020-01-01 | 友達光電股份有限公司 | 發光二極體顯示裝置及其製造方法 |
CN110429153A (zh) * | 2019-08-07 | 2019-11-08 | 通威太阳能(合肥)有限公司 | 一种叠片组件互联结构及其制作方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0431299U (ko) * | 1990-07-06 | 1992-03-13 | ||
JPH113048A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-01-06 | Canon Inc | エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法 |
JPH1174076A (ja) * | 1997-08-28 | 1999-03-16 | Seiko Epson Corp | 発光ディスプレイの製造方法 |
US6091194A (en) * | 1995-11-22 | 2000-07-18 | Motorola, Inc. | Active matrix display |
JP2001117509A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-27 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機el表示装置 |
KR20020047889A (ko) * | 2000-12-14 | 2002-06-22 | 김순택 | 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6175345B1 (en) * | 1997-06-02 | 2001-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof |
JP2001177509A (ja) | 1999-12-16 | 2001-06-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | クロック載せ換え方法及び装置 |
JP3840926B2 (ja) * | 2000-07-07 | 2006-11-01 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示体及びその製造方法、並びに電子機器 |
GB0107236D0 (en) | 2001-03-22 | 2001-05-16 | Microemissive Displays Ltd | Method of creating an electroluminescent device |
US6548961B2 (en) * | 2001-06-22 | 2003-04-15 | International Business Machines Corporation | Organic light emitting devices |
US20030127972A1 (en) * | 2002-01-05 | 2003-07-10 | Cheng-Xian Han | Dual-panel active matrix organic electroluminscent display |
KR100551131B1 (ko) | 2003-03-07 | 2006-02-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
-
2002
- 2002-07-18 KR KR10-2002-0041938A patent/KR100472854B1/ko active IP Right Grant
-
2003
- 2003-06-30 US US10/608,219 patent/US6909110B2/en not_active Expired - Lifetime
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-
2005
- 2005-05-03 US US11/119,794 patent/US7132308B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0431299U (ko) * | 1990-07-06 | 1992-03-13 | ||
US6091194A (en) * | 1995-11-22 | 2000-07-18 | Motorola, Inc. | Active matrix display |
JPH113048A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-01-06 | Canon Inc | エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法 |
JPH1174076A (ja) * | 1997-08-28 | 1999-03-16 | Seiko Epson Corp | 発光ディスプレイの製造方法 |
JP2001117509A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-27 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機el表示装置 |
KR20020047889A (ko) * | 2000-12-14 | 2002-06-22 | 김순택 | 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법 |
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Publication number | Publication date |
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