JP3849680B2 - 基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置 - Google Patents
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Description
本発明の電気光学装置の製造方法は、複数の発光機能素子を備える電気光学基板と、前記複数の発光機能素子の各々に対応した位置に配設された複数の駆動素子を備える駆動回路基板とを貼り合わせることによって電気光学装置を製造する方法であって、前記電気光学基板の前記発光機能素子が形成された側に第1の保護層を形成するとともに該第1の保護層を平坦化する工程と、前記回路基板の前記駆動素子が形成された側に第2の保護層を形成するとともに該第2の保護層を平坦化する工程と、前記電気光学基板の前記保護層と前記回路基板の前記保護層とを対向させて貼り合わせる工程と、を有し、前記電気光学基板と前記回路基板とを貼り合わせる工程は、前記電気光学基板の前記発光機能素子が形成された側に、前記発光機能素子に接続してなる第1の導通部を前記第1の保護層よりも突出させて形成するとともに、前記駆動回路基板の前記駆動素子が形成された側に、前記駆動素子に接続してなる第2の導通部を前記第2の保護層よりも突出させて形成し、前記第1の導通部と前記第2の導通部との間隔が、前記第1の保護層と前記第2の保護層との間隔よりも小さく設定された状態で、対向配置された前記電気光学基板と前記回路基板とを異方性導電膜を介して貼り合わせ、前記第1の導通部と前記第2の導通部とを導通させる工程であることを特徴とする。
本発明の電気光学装置は、複数の発光機能素子を備える電気光学基板と、前記複数の発光機能素子の各々に対応した位置に配設された駆動素子を備える駆動回路基板とが貼り合わせされた電気光学装置であって、前記電気光学基板の前記発光機能素子が形成された側に、表面が平坦化された第1の保護層が前記発光機能素子を覆って形成され、前記回路基板の前記駆動素子が形成された側には、表面が平坦化された第2の保護層が前記駆動素子を覆って形成されており、前記電気光学基板と前記回路基板とが、対向配置された前記第1及び第2の保護層の間に設けられた封止層を介して貼り合わされ、前記電気光学基板の前記第1の保護層における前記発光機能素子に導通する端子部に対応した位置に第1の開口部が形成され、前記回路基板の前記第2の保護層における前記駆動素子に導通する端子部に対応した位置に第2の開口部が形成されており、前記電気光学基板の開口部と前記回路基板の開口部とが、互いに対向する位置に形成されており、前記電気光学基板の前記第1の開口部及び前記回路基板の前記第2の開口部に、前記発光機能素子と前記駆動素子とを導通させるための導通部が設けられており、前記電気光学基板の第1の導通部と前記回路基板の第2の導通部とが、前記封止層に含まれる異方性導電性ペースト又は異方性導電性フィルムを介して電気的に接続されており、前記第1の導通部は前記第1の保護層よりも前記回路基板側に突出して形成され、前記第2の導通部は前記第2の保護層よりも前記電気光学基板側に突出して形成されており、前記封止層は、前記第1及び第2の導通部が電気的に接続される領域において、前記第1及び第2の保護層が対向する領域よりも薄い層厚に形成されていることを特徴とする。
本発明の基板接合体の製造方法は、第1機能素子を備える第1基板と、第2機能素子を備える第2基板とを貼り合わせることによって基板接合体を製造する方法であって、前記第1基板の第1機能素子が形成された側に保護層を形成するとともに当該保護層を平坦化する工程と、前記第2基板の第2機能素子が形成された側に保護層を形成するとともに当該保護層を平坦化する工程と、前記第1基板の前記保護層と前記第2基板の前記保護層とを対向させて貼り合わせる工程とを有することを特徴としている。
ここでいう保護層とは、第1基板と第2基板とを貼り合わせる際の貼り合わせ押圧力や、封止樹脂材料の残留応力や収縮量の差異等に起因する、第1及び第2機能素子の剥離や破壊を防止する機能を有するものである。また、当該保護層は第1機能素子の形成面、及び第2機能素子の形成面の両方に設けられている。
また、当該保護層によって、第1機能素子又は第2機能素子の主要部が封止樹脂と接触することなく保護されるので、第1機能素子又は第2機能素子の剥離や破壊を防止できる。
このようにすれば、保護層表面の平坦化が施されることにより、第1基板と第2基板とを貼り合わせた際の両基板間のギャップを確実に一定間隔に保持することができる。
従って、上述の効果を更に促進させることができる。
このようにすれば、第1機能素子又は第2機能素子の主要部のみを保護層によって覆われた状態で、前記端子部に対応した位置に開口部を形成することができる。更に、当該端子部のみに第1機能素子と第2機能素子とを導通接続する導通部を形成することができる。
従って、上述の保護層を形成することによる効果を損なうことなく、第1機能素子と第2機能素子とを導通接続することができる。
このようにすれば、所望のパターンを予めマスクに形成し、当該マスクを介して保護層に露光が行われるので、当該パターンに応じてUV光が照射される部位と照射されない部位とを選択的に形成することができる。
従って、UV光に対する光反応性樹脂、例えば、光硬化性樹脂材料や、光が照射された部位を除去可能とする樹脂材料を保護層として用いることができる。
ここでいう型体とは、保護層に所定の形状を転写するための型が形成されたものを意味するものであり、具体的は、開口部を形成するための凸部が少なくとも形成されたものである。
このようにすれば、型体を保護層に押圧することによって開口部に相当する凸部が保護層表面から保護層底面まで達し、そして、型体を保護層から抜くことにより凸部形状を保護層に転写させることができる。これによって、保護層に開口部を形成することができる。
また、更に、型体の凹部に保護層表面を平坦化するための面が形成されていれば、保護層表面の平坦性が比較的劣る場合であっても、上記の凸部及び凹部を有する型体を押圧することにより、上記のように凸部が開口部を形成し、更に凹部が保護層表面に接触することで平坦化を行う。即ち、開口部の形成と保護層の平坦化を同時に行うことができるので、保護層表面を平坦化する工程を省くことができ、従って、工程の簡略化による製造コストの低減を達成できる。
ここで、メッキ法は、ミクロンオーダーの微小エリアへのバンプの形成、タクト短縮、及び高さ均一性が優れるという利点を有している。更に、このメッキ法の中でも無電解メッキ法を採用することが好ましく、下地電極やフォトリソ工程が不要になり、低コスト化及びタクト短縮が可能となる。
このようにすれば、上述の端子部にメッキ層を成長させて導通部を形成することができる。
このようにすれば、開口部内に銀ペーストが収納されるので、第1基板と第2基板とを貼り合わせる際の押圧力によって銀ペーストの変形が生じることなく、導通部を形成することができる。
ここでいう導電性粒子とは、ポリスチレン等の樹脂材料球体の表面に金等の導電性材料を蒸着させたような粒子であることが好ましい。
このようにすれば、第1基板と第2基板とを貼り合わせる際の押圧力によって、樹脂材料球体が潰れつつ、当該樹脂材料球体の表面金属が第1機能素子と第2機能素子とを導通させる。従って、良好な導通部を形成することができる。
このようにすれば、開口部内の半田が第1機能素子と第2機能素子とを導通させる。従って、良好な導通部を形成することができる。
ここで、封止層とは、第1基板と第2基板とを接合する接着層としての機能を有するものである。
このようにすれば、上述の効果を奏すると共に、保護層上に封止層が形成されるので、第1基板と第2基板とを確実に接着及び封止することができる。
このようにすれば、上述の効果を奏すると共に、導通部と第1機能素子又は第2機能素子との電気的接続を確実に得ることができる。
また本発明の基板接合体は、前記第1基板の前記保護層における前記第1機能素子に導通する端子部に対応した位置に開口部が形成され、前記第2基板の前記保護層における前記第2機能素子に導通する端子部に対応した位置に開口部が形成されており、前記第1基板の開口部と前記第2基板の開口部とが、互いに対向する位置に形成されている構成とすることもできる。
また本発明の基板接合体は、前記第1基板の開口部及び前記第2基板の開口部に、前記第1機能素子と前記第2機能素子とを導通させるための導通部が設けられており、前記第1基板の前記導通部と前記第2基板の前記導通部とが、前記封止層に含まれる異方性導電性ペースト又は異方性導電性フィルムを介して電気的に接続されている構成とすることもできる。
また、当該保護層によって、第1機能素子又は第2機能素子の主要部が封止樹脂と接触することなく保護されるので、第1機能素子又は第2機能素子の剥離や破壊を防止できる。
また、当該保護層によって、発光機能素子又は駆動素子の主要部が封止樹脂と接触することなく保護されるので、発光機能素子又は駆動素子の剥離や破壊を防止できる。
また、特に、電気光学装置が有機EL装置である場合には、有機EL素子(発光機能素子)は水分や酸素との接触によって劣化する性質を有しているので、保護層が水分や酸素から有機EL素子を保護する。従って、有機EL素子の劣化が抑制され、長寿命の電気光学装置を提供することができる。
本発明の電気光学装置は、前記電気光学基板の前記保護層における前記発光機能素子に導通する端子部に対応した位置に開口部が形成され、前記回路基板の前記保護層における前記駆動素子に導通する端子部に対応した位置に開口部が形成されており、前記電気光学基板の開口部と前記回路基板の開口部とが、互いに対向する位置に形成されている構成とすることもできる。
本発明の電気光学装置は、前記電気光学基板の開口部及び前記回路基板の開口部に、前記発光機能素子と前記駆動素子とを導通させるための導通部が設けられており、前記電気光学基板の前記導通部と前記回路基板の前記導通部とが、前記封止層に含まれる異方性導電性ペースト又は異方性導電性フィルムを介して電気的に接続されている構成とすることもできる。
また、当該保護層によって、発光機能素子又は駆動素子の主要部が封止樹脂と接触することなく保護されるので、発光機能素子又は駆動素子の剥離や破壊を防止できる。
また、特に、電気光学装置が有機EL装置である場合には、有機EL素子(発光機能素子)は水分や酸素との接触によって劣化する性質を有しているので、保護層が水分や酸素から有機EL素子を保護する。従って、有機EL素子の劣化が抑制され、長寿命の電気光学装置を提供することができる。
ここで、図1は有機EL装置の第1実施形態の要部構成を示す断面図、図2から図11は有機EL装置の製造工程を説明するための説明図、図12は有機EL装置の第2実施形態の要部構成を示す断面図である。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
図1に示すように、有機EL装置(電気光学装置)1は、少なくとも基板接合体2を具備した構成となっている。当該基板接合体2は、配線基板(第1基板、駆動回路基板)3と、有機EL基板(第2基板、電気光学基板)4とを、後述の貼り合わせ工程及び転写工程によって接合された構成となっており、配線基板3と有機EL基板4との間には機能層5が狭持されている。
ここで、TFT接続部14は、TFTの端子パターンに応じて形成されるものであり、無電解メッキ処理によって形成されたバンプと、当該バンプ上に塗布形成される導電性ペーストとからなる。導電性ペースト17は、異方性導電粒子(ACP)を含むものである。
ここで、有機EL素子21は、ITO等の透明金属からなる陽極と、正孔注入/輸送層と、有機EL素子とを有しており、陽極で発生した正孔と陰極で発生した電子が有機EL素子で結合することで、発光するようになっている。なお、このような有機EL素子の詳細な構造は、公知技術が採用される。また、有機EL素子と陰極25との間に電子注入/輸送層を形成してもよい。
なお、本実施形態においては、電気光学基板として有機EL素子を有する有機EL基板を採用した場合について説明するが、これに限定することなく、LEDやFED等の固体発光機能素子、また、発光能を備えるポーラス状のシリコン素子を有する電気光学基板を採用してもよい。
次に、図1に示す有機EL装置1の製造方法について図2から図11を参照して説明する。
まず、図2を参照し、TFT13を配線基板3に貼り合わせ及び転写させる前工程として、基礎基板40上にTFTを形成する工程について説明する。
なお、TFT13の製造方法は、高温プロセスを含む公知の技術が採用されるので、説明を省略し、基礎基板40と剥離層41について詳述する。
基礎基板40は、有機EL装置1の構成要素ではなく、TFT製造工程と、貼り合わせ及び転写工程にのみに用いられる部材である。具体的には、1000℃程度に耐える石英ガラス等の透光性耐熱基板が好ましい。また、石英ガラスの他、ソーダガラス、コーニング7059、日本電気ガラスOA−2等の耐熱性ガラス等が使用可能である。
この基礎基板の厚さには、大きな制限要素はないが、0.1mm〜0.5mm程度であることが好ましく、0.5mm〜1.5mm程度であることがより好ましい。基礎基板の厚さが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚すぎると基台の透過率が低い場合に照射光の減衰を招くからである。ただし、基台の照射光の透過率が高い場合には、前記上限値を超えてその厚みを厚くすることができる。
次に、図2に示した基礎基板40の製造工程と並行して、図3に示す配線基板3の製造工程が行われる。
図2に示すように、基板10上に配線パターン11と、層間絶縁膜16と、TFT接続部14と、有機EL接続部15とを順次形成する。配線パターンの形成方法としては、フォトリソフィ法等の公知技術が採用される。また、金属微粒子を溶剤に分散させた分散液を液滴吐出法(インクジェット法)を用いて基板10上に形成してもよい。このような配線パターン11を構成する材料としては、低抵抗材料を採用するのが好ましく、AlやAl合金(Al・Cu合金等)を用いることが好ましい。
なお、基板10の表面には、下地絶縁膜として酸化シリコン膜(SiO2)等を形成してもよい。また、図3では、配線パターンが1層のみ形成された構造について説明しているが、2層や3層構造であってもよい。また、配線材料は、AlやAl合金のみに限定することなく、Al等の低抵抗金属をTiやTi化合物によって積層させたサンドイッチ構造でもよい。このようにすれば、Al配線に対するバリア性や耐ヒロック性を高めることができる。
まず、メッキ成長させるためのバッド表面の濡れ性向上、及び残さを除去するために、フッ酸と硫酸を含有した水溶液中に含浸する。その後、水酸化ナトリウムを含むアルカリ性水溶液に加温した中に浸漬し、表面の酸化膜を除去する。その後、ZnOを含有したジンケート液中に浸漬してパッド表面をZnに置換する。その後、硝酸水溶液に浸漬し、Znを剥離し、再度ジンケート浴中に浸漬し、緻密なZn粒子をAl表面に析出させる。その後、無電解Niメッキ浴に浸漬し、Niメッキを形成する。メッキ高さは2μm〜10μm程度析出させる。ここで、メッキ浴は次亜リン酸を還元剤とした浴であるため、リン(P)が共析する。最後に置換Auメッキ浴中に浸漬し、Ni表面をAuにする。Auは0.05μm〜0.3μm程度に形成する。Au浴はシアンフリータイプを用いて浸漬を行う。
このようにしてパッド上にNi−Auバンプ(TFT接続部14)が形成される。また、Ni−Auメッキバンプ上に、半田やPbフリー半田を、例えばSn−Ag−Cu系等の半田をスクリーン印刷やディッピング等で形成してバンプとしてもよい。
なお、各化学処理の間には、水洗処理を行う。水洗槽はオーバーフロー構造あるいはQDR機構を有しており、最下面からN2バブリングを行う。バブリング方法は、テフロン(登録商標)のチューブ等に穴を開け、N2を出す方法や、焼結体等を通じてN2を出す。以上の工程により、短時間で十分効果のあるリンスを行うことができる。
また、液相法を用いて有機EL接続部15を形成してもよい。この場合、金属微粒子と溶媒とを混合させた分散液を材料液体として採用する。具体的な液相法としては、スピンコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレー法、ロールコート法、カーテンコート法、印刷法、液滴吐出法等が挙げられる。
このような一連の工程を経て、配線基板3の製造工程が終了となる。
次に、図4から図6を参照して、上記の配線基板3と基礎基板40とを貼り合わせて、TFT13を配線基板3に転写する方法について説明する。
ここで、転写工程としては公知の技術が採用されるが、本実施形態では特にSUFTLA(Surface Free Technology by Laser Ablation)(登録商標)を用いて行われる。
次に、図7から図10を参照して、機能層5の形成方法について説明する。
上述したように機能層5は、保護層30と、保護層30に形成されたスルーホール30aと、バンプ32と、導電性ペースト34を含む封止層31と、を順次形成することにより形成される。
まず、図7に示すように、配線基板3上のTFT13や有機EL接続部15を完全に覆うように保護層30を形成する。
保護層30の材料としては、エポキシ樹脂や、アクリル樹脂等の各種樹脂材料を採用することが好ましく、本実施形態においては感光性アクリル樹脂を採用する。このような感光性アクリル樹脂を採用することにより、後述のUV露光によってスルーホール30aを容易に形成することが可能なので特に好ましい。
なお、このような保護層30は、無機化合物材料を上述の気相法を用いて形成されたものであってもよい。
次に、真空雰囲気において、保護層30上に離型剤を塗布すると共に、スルーホール30aのパターンを有するマスクを貼り付ける。更に、この状態で加熱処理(ベーキング)を施して、アクリル樹脂を仮硬化させる。
更に、マスクが形成された状態でUV露光を行い、マスクを剥離し、現像を行うことで、図8に示すように保護層30にスルーホール30aが形成される。
本実施形態のバンプ32は、無電解メッキ法を用いることによって形成される。当該バンプ32は、先に記載した無電解メッキ法によるTFT接続部14の製造工程と同じ工程によって形成される。
なお、無電解メッキ法以外にも、銀ペーストをスルーホール30a内に塗布する方法が挙げられる。この方法においては、スルーホール30a内に銀ペーストが収納されるので、後述する配線基板3と電気光学基板4との貼り合わせ工程において銀ペーストの変形が生じることなく、バンプ32を形成することが可能となる。
また、銀ペーストを塗布する方法以外にも、半田をスルーホール30aに設ける方法を用いてもよく、この場合でも配線基板3と電気光学基板4とを良好に導通させることが可能となる。
このように封止層31に導電性ペースト34を含ませることにより、後述する配線基板3と電気光学基板4との貼り合わせ工程を施した場合に、導電性ペースト34に含まれる導電性粒子を介してバンプ32と陰極25とが電気的に導通接触される。
また、封止層31は、ガスバリア性が高い材料を用いて形成されるものであり、また、当該封止層31内には配線基板3と電気光学基板4とを強固に接着するための接着剤が含まれている。
なお、導電性ペースト34の代えて、導電性フィルムを封止層31内に設けてもよい。
次に、図11を参照し、上述の配線基板3と有機EL基板4とを貼り合わせて、最終的に図1に示す有機EL装置1を形成する工程について説明する。
図11に示す有機EL基板4は、透明基板20上に、有機EL素子21と、絶縁膜22と、陰極25とが順に形成された後に、上下反転させたものである。
更に、封止層31に含まれる接着剤によって、配線基板3と有機EL基板4とは強固に接着される。
特に、本実施形態では、保護層30を設けた構成となっているので、当該貼り合わせ工程を施すことによるTFT13の剥離や破壊が生じることがない。従って、貼り合わせのための押圧力を充分に加えることができるので、配線基板3と有機EL基板4とは反りが生じることがない。
また、封止層31を介して配線基板3と有機EL基板4とが接着されることから、有機EL素子21に対する水分や酸素の浸入が抑制される。
この有機EL装置1は、有機EL基板4における配線基板3側から、順に陰極25、有機EL素子、正孔注入/輸送層、陽極が配置された、透明基板20側から発光光を取り出すトップエミッション型の有機EL装置となる。
また、当該保護層30によって、TFT13の主要部が封止層31と接触することなく保護されるので、TFT13の剥離や破壊を防止できる。
従って、背景技術に示したように、導電性部材を介して発光機能素子と駆動素子とを導通接合し、電気光学基板と駆動回路基板との間に封止樹脂を外周から充填する場合と比較して、確実に当該背景技術の問題点を解決することができる。
従って、上述の保護層32を形成することによる効果を損なうことなく、TFT13と陰極25及び有機EL素子21とを導通接続することができる。
従って、UV光に対する光反応性樹脂、例えば、光硬化性樹脂材料や、光が照射された部位を除去可能とする樹脂材料を適宜保護層30として用いることができる。
また、封止層31内には、導電性ペースト34が含まれているので、上述の効果を奏すると共に、バンク32とTFT13又は有機EL素子21との電気的接続を確実に得ることができる。
次に、図12を参照し、有機EL装置の第2実施形態について説明する。
なお、上述の実施形態と同一部材には同一符号を付し、説明を簡略化する。
本実施形態では、図12に示すように、有機EL基板4に保護膜30と、スルーホール30aと、バンク32とを設けた構成となっている。即ち、配線基板3と有機EL基板4のそれぞれにおいて、両基板が対向する側の面(第1及び第2機能素子形成面)に保護層30が形成されている。
機能層5は、配線基板3側に設けられた保護層と30と、配線基板3と有機EL基板4とを接着及び封止する封止層31と、保護層30の一部に設けられたスルーホール(開口部)30a内に形成されたバンプ(導通部)32とを有すると共に、有機EL基板4側に設けられた保護層と30’と、保護層30’の一部に設けられたスルーホール(開口部)30a’内に形成されたバンプ(導通部)32’とを更に具備する構成となっている。
そして、バンプ32、32’は、封止層31に含まれる導電性粒子を介して電気的に接触している。
従って、上述の実施形態における効果を奏すると共に、陰極25及び有機EL素子21を確実に保護することができる。
上記の実施形態においては、感光性アクリル樹脂からなる保護層30にマスクを配置し、当該マスクを介した露光を行うことによってスルーホール30aを形成している。
このようなマスクを用いた方法を限定することなく、スルーホール30aのパターンが形成された型体を保護層30に押圧することにより、当該保護層30にスルーホール30aを形成してもよい。
ここでは、上記実施形態と異なる部分のみを説明し、同一工程、同一構成の説明を簡略化する。
本実施形態では、図7に示した配線基板30を流用し、図13を参照して説明する。
そして、図13に示すように、保護層30の上方から型体50を押し付ける。
ここで型体50とは、保護層30に所定の形状を転写するための型が形成されたものを意味するものであり、具体的は、スルーホール30aを形成するための凸部50aが形成されたものである。
従って、上記実施形態の図8に示すスルーホール30aの形成方法よりも製造工程が極めて簡略化される。
なお、型体50が好適に抜き出しできるように、凸部50aの側面にテーパが形成されていてもよい。
また、回転可能なローラに巻回されたベルトに型体50を取り付けて、ローラの回転に伴ってベルトを走査し、そして型体50を環状に移動させながら、かつ、配線基板3をコンベア等によって移動させながら、型体50を保護層30に押圧させてよい。この場合、連続的に型体50を移動させながら、型体50を保護層30に押し付けることができるので、配線基板3の大量生産が可能となる。
上述の実施形態では、スルーホール30aにバンク32を形成する工程を用いて電気光学装置1を製造しているが、本実施形態では、スルーホール30a内に導電性粒子を配置する方法を採用している。
ここでは、上記実施形態と異なる部分のみを説明し、同一工程、同一構成の説明を簡略化する。
そして、上述の実施形態に記載したように、配線基板3と有機EL基板4とを貼り合わせて強固に押圧することにより、ポリスチレンからなる樹脂球体100は潰れ、導電膜101は有機EL接続部15と陰極25とを電気的に接続させる。
従って、このような導電性微粒子103をスルーホール30a内に配置させることによって、上述の実施形態と同様の効果が得られる。
更に、無電解メッキ処理等の複雑な工程を用いることなく電気光学装置を製造することができる。
2…基板接合体
3…配線基板(第1基板、駆動回路基板)
4…有機EL基板(第2基板、電気光学基板)
13…TFT(第1機能素子、駆動素子)
15…有機EL接続部(端子部)
21…有機EL素子(発光機能素子)
25…陰極(第2機能素子、発光機能素子)
30…保護層
30a…スルーホール(開口部)
31…封止層
32…バンプ(導通部)
34…導電性ペースト
50…型体
103…導電性粒子(導通部)
Claims (2)
- 複数の発光機能素子を備える電気光学基板と、前記複数の発光機能素子の各々に対応した位置に配設された複数の駆動素子を備える駆動回路基板とを貼り合わせることによって電気光学装置を製造する方法であって、
前記電気光学基板の前記発光機能素子が形成された側に第1の保護層を形成するとともに該第1の保護層を平坦化する工程と、
前記回路基板の前記駆動素子が形成された側に第2の保護層を形成するとともに該第2の保護層を平坦化する工程と、
前記電気光学基板の前記保護層と前記回路基板の前記保護層とを対向させて貼り合わせる工程と、
を有し、
前記電気光学基板と前記回路基板とを貼り合わせる工程は、前記電気光学基板の前記発光機能素子が形成された側に、前記発光機能素子に接続してなる第1の導通部を前記第1の保護層よりも突出させて形成するとともに、前記駆動回路基板の前記駆動素子が形成された側に、前記駆動素子に接続してなる第2の導通部を前記第2の保護層よりも突出させて形成し、前記第1の導通部と前記第2の導通部との間隔が、前記第1の保護層と前記第2の保護層との間隔よりも小さく設定された状態で、対向配置された前記電気光学基板と前記回路基板とを異方性導電膜を介して貼り合わせ、前記第1の導通部と前記第2の導通部とを導通させる工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 複数の発光機能素子を備える電気光学基板と、前記複数の発光機能素子の各々に対応した位置に配設された駆動素子を備える駆動回路基板とが貼り合わせされた電気光学装置であって、
前記電気光学基板の前記発光機能素子が形成された側に、表面が平坦化された第1の保護層が前記発光機能素子を覆って形成され、前記回路基板の前記駆動素子が形成された側には、表面が平坦化された第2の保護層が前記駆動素子を覆って形成されており、
前記電気光学基板と前記回路基板とが、対向配置された前記第1及び第2の保護層の間に設けられた封止層を介して貼り合わされ、
前記電気光学基板の前記第1の保護層における前記発光機能素子に導通する端子部に対応した位置に第1の開口部が形成され、前記回路基板の前記第2の保護層における前記駆動素子に導通する端子部に対応した位置に第2の開口部が形成されており、
前記電気光学基板の開口部と前記回路基板の開口部とが、互いに対向する位置に形成されており、
前記電気光学基板の前記第1の開口部及び前記回路基板の前記第2の開口部に、前記発光機能素子と前記駆動素子とを導通させるための導通部が設けられており、
前記電気光学基板の第1の導通部と前記回路基板の第2の導通部とが、前記封止層に含まれる異方性導電性ペースト又は異方性導電性フィルムを介して電気的に接続されており、
前記第1の導通部は前記第1の保護層よりも前記回路基板側に突出して形成され、前記第2の導通部は前記第2の保護層よりも前記電気光学基板側に突出して形成されており、
前記封止層は、前記第1及び第2の導通部が電気的に接続される領域において、前記第1及び第2の保護層が対向する領域よりも薄い層厚に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
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