JP2005114917A - 基板接合体、基板接合体の製造方法、電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法 - Google Patents
基板接合体、基板接合体の製造方法、電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005114917A JP2005114917A JP2003347130A JP2003347130A JP2005114917A JP 2005114917 A JP2005114917 A JP 2005114917A JP 2003347130 A JP2003347130 A JP 2003347130A JP 2003347130 A JP2003347130 A JP 2003347130A JP 2005114917 A JP2005114917 A JP 2005114917A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- functional element
- electro
- rib
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 342
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 106
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 25
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 15
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- -1 for example Substances 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】 基板の反りの発生を抑制し、基板間のギャップを一定に保つことが可能になると共に、基板に形成された各種素子の破壊等を防止できる基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置を提供する。
【解決手段】 第1機能素子13を備える第1基板3と、第2機能素子25、21を備える第2基板とを貼り合わせた基板接合体2であって、前記第1基板3の第1機能素子13が形成された側、又は前記第2基板4の第2機能素子25、21が形成された側の、少なくとも一方に、前記第1基板3と前記第2基板4とを所定間隔で保持するリブ5が形成されていることを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】 第1機能素子13を備える第1基板3と、第2機能素子25、21を備える第2基板とを貼り合わせた基板接合体2であって、前記第1基板3の第1機能素子13が形成された側、又は前記第2基板4の第2機能素子25、21が形成された側の、少なくとも一方に、前記第1基板3と前記第2基板4とを所定間隔で保持するリブ5が形成されていることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、基板接合体、基板接合体の製造方法、電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法に関する。
近年、異なる2種類の基板を貼り合わせる基板接合体の製造方法においては、例えば、有機エレクトロルミネッセンス(以下、ELと称する。)素子等の発光機能素子が形成された電気光学基板と、当該発光機能素子を発光させる駆動素子が形成された駆動回路基板とを貼り合わせることによって電気光学装置を製造する方法が提案されている(特許文献1参照)。
このような基板接合体の製造方法においては、電気光学基板と駆動回路基板とを別々に製造しておき、両者を貼り合わせて電気光学装置を製造するため、駆動回路基板に関しては、薄膜トランジスタ(以下、TFTと称する。)等の駆動素子を形成もしくは転写した後の必要な工程が極僅かで済むため、製造工程によって駆動素子が損傷される可能性を大幅に低減される。また、電気光学基板と駆動回路基板とを別工程で製造するため、歩留まりが向上する。場合によっては、電気光学基板と駆動回路基板とを別々の工場或いは異なった企業においてそれぞれ製造し、最終的に両者を張り合わせるといった製造方法も可能であるから、製造コストの低減を図る上でも極めて有利な方法となる。また、比較的低額の設備投資によって大画面の電気光学装置を製造することが可能となる。
特開2002−082633号公報
ところで、上記製造方法においては、銀ペースト等の導電性部材を介して発光機能素子と駆動素子とを導通接合し、電気光学基板と駆動回路基板と間に封止樹脂を外周から充填していた。しかしながら、この方法では、両基板のうちいずれかが反っていると銀ペーストが変形してしまうために、基板間のギャップを一定に保つことが困難であるという問題がある。
また、銀ペーストは電気光学基板と駆動回路基板との導通を得るための部材であり、接着強度が弱く、電気光学装置の構造体としての強度が得られず、基板が剥離する問題がある。
また、封止樹脂においては、ガスパリア性の高い樹脂は一般的に粘度が高いために外周から基板間に充填することが困難であり、更に、高分子材料は充填後の残留応力や、硬化時における部分的な収縮量の差異等により、発光機能素子や駆動素子が剥離してしまうという問題があった。
また、銀ペーストは電気光学基板と駆動回路基板との導通を得るための部材であり、接着強度が弱く、電気光学装置の構造体としての強度が得られず、基板が剥離する問題がある。
また、封止樹脂においては、ガスパリア性の高い樹脂は一般的に粘度が高いために外周から基板間に充填することが困難であり、更に、高分子材料は充填後の残留応力や、硬化時における部分的な収縮量の差異等により、発光機能素子や駆動素子が剥離してしまうという問題があった。
本発明は、上述の課題に鑑み創案されたもので、基板の反りの発生を抑制し、基板間のギャップを一定に保つことが可能になると共に、基板に形成された各種素子の破壊等を防止できる基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の基板接合体は、第1機能素子を備える第1基板と、第2機能素子を備える第2基板とを貼り合わせた基板接合体であって、前記第1基板の第1機能素子が形成された側、又は前記第2基板の第2機能素子が形成された側の、少なくとも一方に前記第1基板と前記第2基板とを所定間隔で保持するリブが形成されていることを特徴としている。
このようにすれば、背景技術に示したように、導電性部材を介して第1機能素子と第2機能素子とを導通接合し、第1基板と第2基板との間に封止樹脂を外周から充填する場合と比較して、本発明では第1基板と第2基板との間にリブを形成するので、当該第1基板と当該第2基板との間隔を一定に保持することができる。また、第1基板と第2基板とを貼り合わせるための十分な押圧力を両基板に加えることが可能となる。これによって基板の反りの発生を防止でき、導電性部材(銀ペースト等)の変形を抑制できる。
また、第1基板又は第2基板とリブとは、接着剤等を介して接着されるので、リブを介して当該第1基板と第2基板とを接合させることができる。
本発明の基板接合体は、第1機能素子を備える第1基板と、第2機能素子を備える第2基板とを貼り合わせた基板接合体であって、前記第1基板の第1機能素子が形成された側、又は前記第2基板の第2機能素子が形成された側の、少なくとも一方に前記第1基板と前記第2基板とを所定間隔で保持するリブが形成されていることを特徴としている。
このようにすれば、背景技術に示したように、導電性部材を介して第1機能素子と第2機能素子とを導通接合し、第1基板と第2基板との間に封止樹脂を外周から充填する場合と比較して、本発明では第1基板と第2基板との間にリブを形成するので、当該第1基板と当該第2基板との間隔を一定に保持することができる。また、第1基板と第2基板とを貼り合わせるための十分な押圧力を両基板に加えることが可能となる。これによって基板の反りの発生を防止でき、導電性部材(銀ペースト等)の変形を抑制できる。
また、第1基板又は第2基板とリブとは、接着剤等を介して接着されるので、リブを介して当該第1基板と第2基板とを接合させることができる。
また、前記基板接合体においては、前記リブには貫通部が設けられていることを特徴としている。
このようにすれば、リブに隣接する領域(空間)内の気体や液体が貫通部を介して当該領域間を流動することが可能となるので、従って、リブに隣接する全ての領域に気体や液体を満たすことができる。
例えば、第1基板と第2基板とを不活性ガスを介して貼り合わせた場合に、当該不活性ガスが貫通部を通過して領域内に満たされるので、従って、全領域に当該不活性ガスを充填させることができる。
このようにすれば、リブに隣接する領域(空間)内の気体や液体が貫通部を介して当該領域間を流動することが可能となるので、従って、リブに隣接する全ての領域に気体や液体を満たすことができる。
例えば、第1基板と第2基板とを不活性ガスを介して貼り合わせた場合に、当該不活性ガスが貫通部を通過して領域内に満たされるので、従って、全領域に当該不活性ガスを充填させることができる。
また、前記基板接合体においては、前記リブは前記第1機能素子又は前記第2機能素子を少なくとも1つ以上有する所定の領域毎に形成されていることを特徴としている。
ここで、「第1機能素子又は第2機能素子を少なくとも一つ以上有する所定の領域」とは、一つ又は複数の機能素子を一つの領域として見立て、その領域毎にリブを形成することを意味する。
例えば、上記機能素子(第1機能素子又は第2機能素子)が画素である場合には、一つ又は複数の画素毎にリブを形成することを意味する。
また、基板接合体の種種の設計事項に応じて、一つ又は複数毎にリブが形成されることが好ましい。
例えば、一つの機能素子毎にリブを形成する場合と、複数の機能素子毎にリブを形成する場合とを比較すると、一つの機能素子毎にリブを形成した場合の方が接合強度を高めることができる。
また、例えば、第1基板と第2基板との接合強度が充分である場合には、一つの機能素子毎にリブを形成する必要はなく、複数の機能素子毎にリブを形成することで、所定の接合強度を維持しながら第1基板と第2基板とを接合させることができる。
従って、基板接合体の設計事項として製造コストや製造の容易さを加味し、当該設計事項に応じて、領域内の素子数を決定し、リブを形成することができる。
ここで、「第1機能素子又は第2機能素子を少なくとも一つ以上有する所定の領域」とは、一つ又は複数の機能素子を一つの領域として見立て、その領域毎にリブを形成することを意味する。
例えば、上記機能素子(第1機能素子又は第2機能素子)が画素である場合には、一つ又は複数の画素毎にリブを形成することを意味する。
また、基板接合体の種種の設計事項に応じて、一つ又は複数毎にリブが形成されることが好ましい。
例えば、一つの機能素子毎にリブを形成する場合と、複数の機能素子毎にリブを形成する場合とを比較すると、一つの機能素子毎にリブを形成した場合の方が接合強度を高めることができる。
また、例えば、第1基板と第2基板との接合強度が充分である場合には、一つの機能素子毎にリブを形成する必要はなく、複数の機能素子毎にリブを形成することで、所定の接合強度を維持しながら第1基板と第2基板とを接合させることができる。
従って、基板接合体の設計事項として製造コストや製造の容易さを加味し、当該設計事項に応じて、領域内の素子数を決定し、リブを形成することができる。
また、前記基板接合体においては、前記第1機能素子と前記第2機能素子とを導通させる導通部を更に具備し、当該導通部は前記第1基板と前記第2基板との貼り合わせにより変形されたものであることを特徴としている。
このようにすれば、導通部によって第1機能素子と第2機能素子とを導通接続することできる。
ここで、良好な導通接続を行うために、リブの高さは導通部の高さよりも低いことが好ましい。このようにすれば、第1基板と第2基板との貼り合わせによってリブが両基板間に固定される前に導通部が第1機能素子と第2機能素子とを接触状態となり、更に、リブが両基板間に固定されることにより、導通部が完全に潰れ、変形するので、第1機能素子と第2機能素子との導通接触を完全に行うことができる。
このようにすれば、導通部によって第1機能素子と第2機能素子とを導通接続することできる。
ここで、良好な導通接続を行うために、リブの高さは導通部の高さよりも低いことが好ましい。このようにすれば、第1基板と第2基板との貼り合わせによってリブが両基板間に固定される前に導通部が第1機能素子と第2機能素子とを接触状態となり、更に、リブが両基板間に固定されることにより、導通部が完全に潰れ、変形するので、第1機能素子と第2機能素子との導通接触を完全に行うことができる。
また、前記基板接合体においては、前記第1基板及び前記第2基板の外周が封止されていることを特徴としている。
このようにすれば、両基板の外部の物質が、当該両基板の周囲から内部に侵入することがないので、例えば、第1機能素子や第2機能素子に対する劣化等の影響を与える物質を抑制することができる。従って、第1機能素子や第2機能素子の長寿命化を達成することができる。
このようにすれば、両基板の外部の物質が、当該両基板の周囲から内部に侵入することがないので、例えば、第1機能素子や第2機能素子に対する劣化等の影響を与える物質を抑制することができる。従って、第1機能素子や第2機能素子の長寿命化を達成することができる。
また、前記基板接合体においては、前記第1基板と前記第2基板との間に不活性ガスが充填されていることことを特徴としている。
このようにすれば、不活性ガスは第1機能素子や第2機能素子に対する化学的な反応を招くことがないので、第1機能素子や第2機能素子に対する劣化等の影響を抑制することができる。従って、第1機能素子や第2機能素子の長寿命化を達成することができる。
このようにすれば、不活性ガスは第1機能素子や第2機能素子に対する化学的な反応を招くことがないので、第1機能素子や第2機能素子に対する劣化等の影響を抑制することができる。従って、第1機能素子や第2機能素子の長寿命化を達成することができる。
本発明の基板接合体の製造方法は、第1機能素子を備える第1基板と、第2機能素子を備える第2基板とが貼り合わせることにより基板接合体を製造する方法であって、前記第1基板の第1機能素子が形成された側、又は前記第2基板の第2機能素子が形成された側の、少なくとも一方に、前記第1基板と前記第2基板とを所定間隔で保持するリブを形成することを特徴としている。
このようにすれば、背景技術に示したように、導電性部材を介して第1機能素子と第2機能素子とを導通接合し、第1基板と第2基板との間に封止樹脂を外周から充填する場合と比較して、本発明では第1基板と第2基板との間にリブを形成するので、当該第1基板と当該第2基板との間隔を一定に保持することができる。また、第1基板と第2基板とを貼り合わせるための十分な押圧力を両基板に加えることが可能となる。これによって基板の反りの発生を防止でき、導電性部材(銀ペースト等)の変形を抑制できる。
また、第1基板又は第2基板とリブとは、接着剤等を介して接着されるので、リブを介して当該第1基板と第2基板とを接合させることができる。
このようにすれば、背景技術に示したように、導電性部材を介して第1機能素子と第2機能素子とを導通接合し、第1基板と第2基板との間に封止樹脂を外周から充填する場合と比較して、本発明では第1基板と第2基板との間にリブを形成するので、当該第1基板と当該第2基板との間隔を一定に保持することができる。また、第1基板と第2基板とを貼り合わせるための十分な押圧力を両基板に加えることが可能となる。これによって基板の反りの発生を防止でき、導電性部材(銀ペースト等)の変形を抑制できる。
また、第1基板又は第2基板とリブとは、接着剤等を介して接着されるので、リブを介して当該第1基板と第2基板とを接合させることができる。
また、前記基板接合体の製造方法においては、前記第1機能素子と前記第2機能素子とを導通させる導通部を更に具備し、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせることによって変形させることを特徴としている。
このようにすれば、導通部によって第1機能素子と第2機能素子とを導通接続することできる。
ここで、良好な導通接続を行うために、リブの高さは導通部の高さよりも低いことが好ましい。このようにすれば、第1基板と第2基板との貼り合わせによってリブが両基板間に固定される前に導通部が第1機能素子と第2機能素子とを接触状態となり、更に、リブが両基板間に固定されることにより、導通部が完全に潰れ、変形するので、第1機能素子と第2機能素子との導通接触を完全に行うことができる。
このようにすれば、導通部によって第1機能素子と第2機能素子とを導通接続することできる。
ここで、良好な導通接続を行うために、リブの高さは導通部の高さよりも低いことが好ましい。このようにすれば、第1基板と第2基板との貼り合わせによってリブが両基板間に固定される前に導通部が第1機能素子と第2機能素子とを接触状態となり、更に、リブが両基板間に固定されることにより、導通部が完全に潰れ、変形するので、第1機能素子と第2機能素子との導通接触を完全に行うことができる。
また、前記基板接合体の製造方法においては、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせた後に、前記第1基板及び前記第2基板の外周を封止することを特徴としている。
このようにすれば、両基板の外部の物質が、当該両基板の周囲から内部に侵入することがないので、例えば、第1機能素子や第2機能素子に対する劣化等の影響を与える物質を抑制することができる。従って、第1機能素子や第2機能素子の長寿命化を達成することができる。
このようにすれば、両基板の外部の物質が、当該両基板の周囲から内部に侵入することがないので、例えば、第1機能素子や第2機能素子に対する劣化等の影響を与える物質を抑制することができる。従って、第1機能素子や第2機能素子の長寿命化を達成することができる。
また、前記基板接合体の製造方法においては、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせた後に、当該第1基板と当該第2基板との間に前記不活性ガスを封入することを特徴としている。
このようにすれば、不活性ガスは第1機能素子や第2機能素子に対する化学的な反応を招くことがないので、第1機能素子や第2機能素子に対する劣化等の影響を抑制することができる。従って、第1機能素子や第2機能素子の長寿命化を達成することができる。
このようにすれば、不活性ガスは第1機能素子や第2機能素子に対する化学的な反応を招くことがないので、第1機能素子や第2機能素子に対する劣化等の影響を抑制することができる。従って、第1機能素子や第2機能素子の長寿命化を達成することができる。
また、前記基板接合体の製造方法においては、前記不活性ガス雰囲気において、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせることにより、当該第1基板と当該第2基板との間に当該不活性ガスを封入することを特徴としている。
このようにすれば、不活性ガスは第1機能素子や第2機能素子に対する化学的な反応を招くことがないので、第1機能素子や第2機能素子に対する劣化等の影響を抑制することができる。従って、第1機能素子や第2機能素子の長寿命化を達成することができる。
このようにすれば、不活性ガスは第1機能素子や第2機能素子に対する化学的な反応を招くことがないので、第1機能素子や第2機能素子に対する劣化等の影響を抑制することができる。従って、第1機能素子や第2機能素子の長寿命化を達成することができる。
本発明の電気光学装置は、複数の発光機能素子を備える電気光学基板と、前記複数の発光機能素子の各々に対応した位置に配設された駆動素子を備える駆動回路基板とが貼り合わせされた電気光学装置であって、前記電気光学基板の前記発光機能素子が形成された側、又は前記駆動回路基板の前記駆動素子が形成された側の、少なくとも一方に前記電気光学基板と前記駆動回路基板とを所定間隔で保持するリブが形成されていることを特徴としている。
このようにすれば、背景技術に示したように、導電性部材を介して第1機能素子と第2機能素子とを導通接合し、電気光学基板と駆動回路基板との間に封止樹脂を外周から充填する場合と比較して、本発明では電気光学基板と駆動回路基板との間にリブを形成するので、当該電気光学基板と当該駆動回路基板との間隔を一定に保持することができる。また、電気光学基板と駆動回路基板とを貼り合わせるための十分な押圧力を両基板に加えることが可能となる。これによって基板の反りの発生を防止でき、導電性部材の変形を抑制できる。
また、電気光学基板又は駆動回路基板とリブとは、接着剤等を介して接着されるので、リブを介して当該電気光学基板と駆動回路基板とを接合させることができる。
このようにすれば、背景技術に示したように、導電性部材を介して第1機能素子と第2機能素子とを導通接合し、電気光学基板と駆動回路基板との間に封止樹脂を外周から充填する場合と比較して、本発明では電気光学基板と駆動回路基板との間にリブを形成するので、当該電気光学基板と当該駆動回路基板との間隔を一定に保持することができる。また、電気光学基板と駆動回路基板とを貼り合わせるための十分な押圧力を両基板に加えることが可能となる。これによって基板の反りの発生を防止でき、導電性部材の変形を抑制できる。
また、電気光学基板又は駆動回路基板とリブとは、接着剤等を介して接着されるので、リブを介して当該電気光学基板と駆動回路基板とを接合させることができる。
本発明の電気光学装置の製造方法は、複数の発光機能素子を備える電気光学基板と、前記複数の発光機能素子の各々に対応した位置に配設された複数の駆動素子を備える駆動回路基板とを貼り合わせることによって電気光学装置を製造する方法であって、前記電気光学基板の前記発光機能素子が形成された側、又は前記回路基板の前記駆動素子が形成された側の、少なくとも一方に前記電気光学基板と前記駆動回路基板とを所定間隔で保持するリブを形成することを特徴としている。
このようにすれば、背景技術に示したように、導電性部材を介して第1機能素子と第2機能素子とを導通接合し、電気光学基板と駆動回路基板との間に封止樹脂を外周から充填する場合と比較して、本発明では電気光学基板と駆動回路基板との間にリブを形成するので、当該電気光学基板と当該駆動回路基板との間隔を一定に保持することができる。また、電気光学基板と駆動回路基板とを貼り合わせるための十分な押圧力を両基板に加えることが可能となる。これによって基板の反りの発生を防止でき、導電性部材の変形を抑制できる。
また、電気光学基板又は駆動回路基板とリブとは、接着剤等を介して接着されるので、リブを介して当該電気光学基板と駆動回路基板とを接合させることができる。
このようにすれば、背景技術に示したように、導電性部材を介して第1機能素子と第2機能素子とを導通接合し、電気光学基板と駆動回路基板との間に封止樹脂を外周から充填する場合と比較して、本発明では電気光学基板と駆動回路基板との間にリブを形成するので、当該電気光学基板と当該駆動回路基板との間隔を一定に保持することができる。また、電気光学基板と駆動回路基板とを貼り合わせるための十分な押圧力を両基板に加えることが可能となる。これによって基板の反りの発生を防止でき、導電性部材の変形を抑制できる。
また、電気光学基板又は駆動回路基板とリブとは、接着剤等を介して接着されるので、リブを介して当該電気光学基板と駆動回路基板とを接合させることができる。
以下、本発明の基板接合体、基板接合体の製造方法、電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法について、図1から図9を参照して説明する。
ここで、図1は有機EL装置の第1実施形態の要部構成を示す断面図、図2は図1の矢視Aから見た側面図、図3から図9は有機EL装置の製造工程を説明するための説明図である。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
ここで、図1は有機EL装置の第1実施形態の要部構成を示す断面図、図2は図1の矢視Aから見た側面図、図3から図9は有機EL装置の製造工程を説明するための説明図である。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
(有機EL装置)
図1に示すように、有機EL装置(電気光学装置)1は、少なくとも基板接合体2を具備した構成となっている。当該基板接合体2は、配線基板(第1基板、駆動回路基板)3と、有機EL基板(第2基板、電気光学基板)4とを、後述の導通部5及び導通部30を介して貼り合わせて接合された構成となっている。
図1に示すように、有機EL装置(電気光学装置)1は、少なくとも基板接合体2を具備した構成となっている。当該基板接合体2は、配線基板(第1基板、駆動回路基板)3と、有機EL基板(第2基板、電気光学基板)4とを、後述の導通部5及び導通部30を介して貼り合わせて接合された構成となっている。
配線基板3は、基板10と、多層基板10上に形成された所定形状の配線パターン11と、有機EL素子(発光機能素子)21を駆動させるTFT(駆動素子)13と、TFT13と配線パターン11とを接合するTFT接続部14と、有機EL素子21と配線パターン11とを接合する有機EL接続部(端子部)15と、層間絶縁膜16とによって構成されている。
ここで、TFT接続部14は、TFTの端子パターンに応じて形成されるものであり、無電解メッキ処理によって形成されたバンプと、当該バンプ上に塗布形成される導電性ペーストとからなる。導電性ペースト17は、異方性導電粒子(ACP)を含むものである。
ここで、TFT接続部14は、TFTの端子パターンに応じて形成されるものであり、無電解メッキ処理によって形成されたバンプと、当該バンプ上に塗布形成される導電性ペーストとからなる。導電性ペースト17は、異方性導電粒子(ACP)を含むものである。
有機EL基板4は、発光光が透過する透明基板20と、有機EL素子21と、絶縁膜22と、陰極(発光機能素子、カソード)25とによって構成されている。
ここで、有機EL素子21は、ITO等の透明金属からなる陽極と、正孔注入/輸送層と、有機EL素子とを有しており、陽極で発生した正孔と陰極で発生した電子が有機EL素子で結合することで、発光するようになっている。なお、このような有機EL素子の詳細な構造は、公知技術が採用される。また、有機EL素子21と陰極25との間に電子注入/輸送層を形成してもよい。
ここで、有機EL素子21は、ITO等の透明金属からなる陽極と、正孔注入/輸送層と、有機EL素子とを有しており、陽極で発生した正孔と陰極で発生した電子が有機EL素子で結合することで、発光するようになっている。なお、このような有機EL素子の詳細な構造は、公知技術が採用される。また、有機EL素子21と陰極25との間に電子注入/輸送層を形成してもよい。
更に、配線基板3と有機EL基板4との間には、本発明の特徴であるリブ5が設けられていると共に、有機EL接続部15と陰極25とを導通接続する導通部30と、当該両基板3、4の外周を封止する封止部32とが設けられ、そして、当該両基板3、4間の空間には不活性ガス31が充填されている。
(リブの第1実施形態)
本発明の第1実施形態として示すリブ5は、TFT13及び有機EL素子21がそれぞれ一つ形成された領域6を囲うように設けられている。そして、有機EL装置1を平面視(図1中のZ方向)すると、当該リブ5はXY面内にマトリクス状に形成されている。また、符号Hに示すように有機EL装置1に形成される全ての当該リブ5の高さは同じであり、当該高さHの間隔で配線基板3と有機EL基板4とが保持されている。
また、リブ5の底面部5B及び上面部5Tの表面は接着性が高い状態となっており、従って、リブ5を介することにより配線基板3と有機EL基板4が接合されている。
また、図2に示すように、リブ5には、貫通孔(貫通部)5aが形成されており、領域6に隣接する他の領域とが連通した状態となっている。
また、リブ5の高さHは、後述の貼り合わせ工程によって導通部30が好適に潰されて変形するように決定されており、即ち、貼り合わせ工程前の導通部30の高さよりも低く設定されている。
本発明の第1実施形態として示すリブ5は、TFT13及び有機EL素子21がそれぞれ一つ形成された領域6を囲うように設けられている。そして、有機EL装置1を平面視(図1中のZ方向)すると、当該リブ5はXY面内にマトリクス状に形成されている。また、符号Hに示すように有機EL装置1に形成される全ての当該リブ5の高さは同じであり、当該高さHの間隔で配線基板3と有機EL基板4とが保持されている。
また、リブ5の底面部5B及び上面部5Tの表面は接着性が高い状態となっており、従って、リブ5を介することにより配線基板3と有機EL基板4が接合されている。
また、図2に示すように、リブ5には、貫通孔(貫通部)5aが形成されており、領域6に隣接する他の領域とが連通した状態となっている。
また、リブ5の高さHは、後述の貼り合わせ工程によって導通部30が好適に潰されて変形するように決定されており、即ち、貼り合わせ工程前の導通部30の高さよりも低く設定されている。
なお、本実施形態においては、リブ5を形成することによって、領域6毎にTFT13及び有機EL素子21がそれぞれ一つ形成された構成となっているが、領域6毎にTFT13及び有機EL素子21がそれぞれ複数形成された構成となるように、リブ5を形成してもよい。例えば、R(赤)、G(緑)、B(青)を発光させるための複数種の有機EL素子21を領域6内に配置させてもよい。
また、有機EL装置1における種種の設計事項に応じて、一つ又は複数の素子(有機EL素子21又はTFT13)を有する領域6毎にリブ5を形成することが好ましい。
例えば、一つの素子毎にリブ5を形成する場合と、複数の素子毎にリブ5を形成する場合とを比較すると、一つの素子毎にリブ5を形成した場合の方が接合強度を高めることができる。
また、例えば、配線基板3と有機EL基板4との接合強度が充分である場合には、一つの素子毎にリブ5を形成する必要はなく、複数の素子毎にリブ5を形成することで、所定の接合強度を維持しながら配線基板3と有機EL基板4とを接合させることができる。
従って、有機EL装置1の設計事項として製造コストや製造の容易さを加味し、当該設計事項に応じて、領域内の素子数を決定し、リブ5を形成することができる。
また、リブ5は必ずしもマトリクス状に囲む必要はなく、TFT13又は有機EL素子21の配列する方向(図1中のX方向又はY方向)のみ形成されたものでもよい。
また、有機EL装置1における種種の設計事項に応じて、一つ又は複数の素子(有機EL素子21又はTFT13)を有する領域6毎にリブ5を形成することが好ましい。
例えば、一つの素子毎にリブ5を形成する場合と、複数の素子毎にリブ5を形成する場合とを比較すると、一つの素子毎にリブ5を形成した場合の方が接合強度を高めることができる。
また、例えば、配線基板3と有機EL基板4との接合強度が充分である場合には、一つの素子毎にリブ5を形成する必要はなく、複数の素子毎にリブ5を形成することで、所定の接合強度を維持しながら配線基板3と有機EL基板4とを接合させることができる。
従って、有機EL装置1の設計事項として製造コストや製造の容易さを加味し、当該設計事項に応じて、領域内の素子数を決定し、リブ5を形成することができる。
また、リブ5は必ずしもマトリクス状に囲む必要はなく、TFT13又は有機EL素子21の配列する方向(図1中のX方向又はY方向)のみ形成されたものでもよい。
導通部30は、銀ペーストであって、後述するように配線基板3と有機EL基板4とを貼り合わせることによって潰れて変形するものである。なお、銀材料に導電性かつ可塑性の材料であれば、必ずしもペースト状である必要はなく、導電性材料も好適なものが採用される。
不活性ガス31は、公知のガスが採用され、本実施形態では窒素(N2)ガスを採用する。他のガスとしてはAr等の希ガスが好ましく、また、不活性の性質を有していれば、混合ガスであってもよい。この不活性ガス31は、後述する配線基板3と有機EL基板4との貼り合わせ工程の前後において封入されるものである。
また、上記のようにリブ5には貫通孔5aが設けられていることから、領域6に隣接した領域に存在する不活性ガス31が、貫通孔5aを介して領域6の内外に流動するようになっている。
なお、配線基板3と有機EL基板4との間に充填する物質として、必ずしも気体を限定する必要はなく、不活性な液体を用いていもよい。
また、上記のようにリブ5には貫通孔5aが設けられていることから、領域6に隣接した領域に存在する不活性ガス31が、貫通孔5aを介して領域6の内外に流動するようになっている。
なお、配線基板3と有機EL基板4との間に充填する物質として、必ずしも気体を限定する必要はなく、不活性な液体を用いていもよい。
封止部32は、所謂缶封止によって構成された部位であり、配線基板3及び有機EL基板4の周辺に設けられたものである。なお、缶封止に限定することなく、封止樹脂を用いてもよく、いずれにしても、有機EL素子21の劣化を招く物質が侵入しないような構成であれば、好適に採用される。
また、配線基板3と有機EL基板4との間に、有機EL素子21を劣化させる水分を吸収する吸湿剤を設けてもよい。
また、配線基板3と有機EL基板4との間に、有機EL素子21を劣化させる水分を吸収する吸湿剤を設けてもよい。
なお、本実施形態においては、電気光学基板として有機EL素子を有する有機EL基板を採用した場合について説明するが、これに限定することなく、LEDやFED等の固体発光機能素子、また、発光能を備えるポーラス状のシリコン素子を有する電気光学基板を採用してもよい。
(有機EL装置の製造方法)
次に、図1に示す有機EL装置1の製造方法について図3から図9を参照して説明する。
次に、図1に示す有機EL装置1の製造方法について図3から図9を参照して説明する。
(基礎基板の製造方法)
まず、図3を参照し、TFT13を配線基板3に貼り合わせ及び転写させる前工程として、基礎基板40上にTFTを形成する工程について説明する。
なお、TFT13の製造方法は、高温プロセスを含む公知の技術が採用されるので、説明を省略し、基礎基板40と剥離層41について詳述する。
基礎基板40は、有機EL装置1の構成要素ではなく、TFT製造工程と、貼り合わせ及び転写工程にのみに用いられる部材である。具体的には、1000℃程度に耐える石英ガラス等の透光性耐熱基板が好ましい。また、石英ガラスの他、ソーダガラス、コーニング7059、日本電気ガラスOA−2等の耐熱性ガラス等が使用可能である。
この基礎基板の厚さには、大きな制限要素はないが、0.1mm〜0.5mm程度であることが好ましく、0.5mm〜1.5mm程度であることがより好ましい。基礎基板の厚さが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚すぎると基台の透過率が低い場合に照射光の減衰を招くからである。ただし、基台の照射光の透過率が高い場合には、前記上限値を超えてその厚みを厚くすることができる。
まず、図3を参照し、TFT13を配線基板3に貼り合わせ及び転写させる前工程として、基礎基板40上にTFTを形成する工程について説明する。
なお、TFT13の製造方法は、高温プロセスを含む公知の技術が採用されるので、説明を省略し、基礎基板40と剥離層41について詳述する。
基礎基板40は、有機EL装置1の構成要素ではなく、TFT製造工程と、貼り合わせ及び転写工程にのみに用いられる部材である。具体的には、1000℃程度に耐える石英ガラス等の透光性耐熱基板が好ましい。また、石英ガラスの他、ソーダガラス、コーニング7059、日本電気ガラスOA−2等の耐熱性ガラス等が使用可能である。
この基礎基板の厚さには、大きな制限要素はないが、0.1mm〜0.5mm程度であることが好ましく、0.5mm〜1.5mm程度であることがより好ましい。基礎基板の厚さが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚すぎると基台の透過率が低い場合に照射光の減衰を招くからである。ただし、基台の照射光の透過率が高い場合には、前記上限値を超えてその厚みを厚くすることができる。
剥離層41は、レーザ光等の照射光により当該層内や界面において剥離(「層内剥離」又は「界面剥離」ともいう)が生ずる材料からなる。即ち、一定の強度の光を照射することにより、構成物質を構成する原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失し又は減少し、アブレーション(ablation)等を生じ、剥離を起こすものである。また、照射光の照射により、剥離層41に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層41が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
剥離層41の組成としては、例えば、非晶質シリコン(a−Si)が採用され、また、当該非晶質シリコン中に水素(H)が含有されていてもよい。水素が含有されていると、光の照射により、水素が放出されることにより剥離層2に内圧が発生し、これが剥離を促進するので好ましい。この場合の水素の含有量は、2at%程度以上であることが好ましく、2〜20%at%であることが更に好ましい。水素の含有量は、成膜条件、例えば、CVD法を用いる場合には、そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入するパワー等の条件を適宜設定することによって調整する。この他の剥離層材料としては、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化セラミックス、有機高分子材料(光の照射によりこれらの原子間結合が切断されるもの)、金属、例えば、Al、Li、Ti、Mn、In、Sn、Y、La、Ce、Nd、Pr、GdもしくはSm、又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金が挙げられる。
剥離層41の厚さとしては、1nm〜20μm程度であるのが好ましく、10nm〜2μm程度であるのがより好ましく、20nm〜1μm程度であるのが更に好ましい。剥離層41の厚みが薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむらが生じるからであり、剥離層41の厚みが厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワー(光量)を大きくする必要があったり、また、剥離後に残された剥離層41の残渣を除去するのに時間を要したりする。
剥離層41の形成方法は、均一な厚みで剥離層41を形成可能な方法であればよく、剥離層2の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、CVD(MOCCVD、低圧CVD、ECR−CVD含む)法、蒸着、分子線蒸着(MB)、スパッタリング法、イオンドーピング法、PVD法等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ(ディッピング)、無電解メッキ法等の各種メッキ法、ラングミュア・プロジェット(LB)法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等に適用できる。これらのうち2種以上の方法を組み合わせてもよい。
特に剥離層2の組成が非晶質シリコン(a−Si)の場合には、CVD法、特に低圧CVDやプラズマCVDにより成膜するのが好ましい。また、剥離層2をゾル−ゲル(sol-gel)法によりセラミックを用いて成膜する場合や有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより成膜するのが好ましい。
(配線基板の製造方法)
次に、図3に示した基礎基板40の製造工程と並行して、図4に示す配線基板3の製造工程が行われる。
図3に示すように、基板10上に配線パターン11と、層間絶縁膜16と、TFT接続部14と、有機EL接続部15とを順次形成する。配線パターンの形成方法としては、フォトリソフィ法等の公知技術が採用される。また、金属微粒子を溶剤に分散させた分散液を液滴吐出法(インクジェット法)を用いて基板10上に形成してもよい。このような配線パターン11を構成する材料としては、低抵抗材料を採用するのが好ましく、AlやAl合金(Al・Cu合金等)を用いることが好ましい。
なお、基板10の表面には、下地絶縁膜として酸化シリコン膜(SiO2)等を形成してもよい。また、図4では、配線パターンが1層のみ形成された構造について説明しているが、2層や3層構造であってもよい。また、配線材料は、AlやAl合金のみに限定することなく、Al等の低抵抗金属をTiやTi化合物によって積層させたサンドイッチ構造でもよい。このようにすれば、Al配線に対するバリア性や耐ヒロック性を高めることができる。
次に、図3に示した基礎基板40の製造工程と並行して、図4に示す配線基板3の製造工程が行われる。
図3に示すように、基板10上に配線パターン11と、層間絶縁膜16と、TFT接続部14と、有機EL接続部15とを順次形成する。配線パターンの形成方法としては、フォトリソフィ法等の公知技術が採用される。また、金属微粒子を溶剤に分散させた分散液を液滴吐出法(インクジェット法)を用いて基板10上に形成してもよい。このような配線パターン11を構成する材料としては、低抵抗材料を採用するのが好ましく、AlやAl合金(Al・Cu合金等)を用いることが好ましい。
なお、基板10の表面には、下地絶縁膜として酸化シリコン膜(SiO2)等を形成してもよい。また、図4では、配線パターンが1層のみ形成された構造について説明しているが、2層や3層構造であってもよい。また、配線材料は、AlやAl合金のみに限定することなく、Al等の低抵抗金属をTiやTi化合物によって積層させたサンドイッチ構造でもよい。このようにすれば、Al配線に対するバリア性や耐ヒロック性を高めることができる。
次に、配線パターン11上に樹脂絶縁膜16を形成する。当該樹脂絶縁膜16は、アクリル樹脂によって形成されることが好ましく、スピンコート法等の液相法を用いることにより高精度な平坦性が得られた層間絶縁膜を形成することができる。更に、マスクを介した露光やフォトリソグラフィ法によって層間絶縁膜16にTFT接続部14及び有機EL接続部15を形成するための開口部を形成する。
次に、無電解メッキ法を用いてTFT接続部14を形成する。当該TFT接続部14は、所謂バンプである。
まず、メッキ成長させるためのバッド表面の濡れ性向上、及び残さを除去するために、フッ酸と硫酸を含有した水溶液中に含浸する。その後、水酸化ナトリウムを含むアルカリ性水溶液に加温した中に浸漬し、表面の酸化膜を除去する。その後、ZnOを含有したジンケート液中に浸漬してパッド表面をZnに置換する。その後、硝酸水溶液に浸漬し、Znを剥離し、再度ジンケート浴中に浸漬し、緻密なZn粒子をAl表面に析出させる。その後、無電解Niメッキ浴に浸漬し、Niメッキを形成する。メッキ高さは2μm〜10μm程度析出させる。ここで、メッキ浴は次亜リン酸を還元剤とした浴であるため、リン(P)が共析する。最後に置換Auメッキ浴中に浸漬し、Ni表面をAuにする。Auは0.05μm〜0.3μm程度に形成する。Au浴はシアンフリータイプを用いて浸漬を行う。
まず、メッキ成長させるためのバッド表面の濡れ性向上、及び残さを除去するために、フッ酸と硫酸を含有した水溶液中に含浸する。その後、水酸化ナトリウムを含むアルカリ性水溶液に加温した中に浸漬し、表面の酸化膜を除去する。その後、ZnOを含有したジンケート液中に浸漬してパッド表面をZnに置換する。その後、硝酸水溶液に浸漬し、Znを剥離し、再度ジンケート浴中に浸漬し、緻密なZn粒子をAl表面に析出させる。その後、無電解Niメッキ浴に浸漬し、Niメッキを形成する。メッキ高さは2μm〜10μm程度析出させる。ここで、メッキ浴は次亜リン酸を還元剤とした浴であるため、リン(P)が共析する。最後に置換Auメッキ浴中に浸漬し、Ni表面をAuにする。Auは0.05μm〜0.3μm程度に形成する。Au浴はシアンフリータイプを用いて浸漬を行う。
このようにしてパッド上にNi−Auバンプ(TFT接続部14)が形成される。また、Ni−Auメッキバンプ上に、半田やPbフリー半田を、例えばSn−Ag−Cu系等の半田をスクリーン印刷やディッピング等で形成してバンプとしてもよい。
なお、各化学処理の間には、水洗処理を行う。水洗槽はオーバーフロー構造あるいはQDR機構を有しており、最下面からN2バブリングを行う。バブリング方法は、テフロン(登録商標)のチューブ等に穴を開け、N2を出す方法や、焼結体等を通じてN2を出す。以上の工程により、短時間で十分効果のあるリンスを行うことができる。
なお、各化学処理の間には、水洗処理を行う。水洗槽はオーバーフロー構造あるいはQDR機構を有しており、最下面からN2バブリングを行う。バブリング方法は、テフロン(登録商標)のチューブ等に穴を開け、N2を出す方法や、焼結体等を通じてN2を出す。以上の工程により、短時間で十分効果のあるリンスを行うことができる。
次に、有機EL接続部15を形成する。ここでは、公知の成膜方法が用いられる。例えば、気相法を用いる場合には、CVD法、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等、半導体製造工程で用いられる種種の方法が挙げられる。
また、液相法を用いて有機EL接続部15を形成してもよい。この場合、金属微粒子と溶媒とを混合させた分散液を材料液体として採用する。具体的な液相法としては、スピンコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレー法、ロールコート法、カーテンコート法、印刷法、液滴吐出法等が挙げられる。
このような一連の工程を経て、配線基板3の製造工程が終了となる。
また、液相法を用いて有機EL接続部15を形成してもよい。この場合、金属微粒子と溶媒とを混合させた分散液を材料液体として採用する。具体的な液相法としては、スピンコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレー法、ロールコート法、カーテンコート法、印刷法、液滴吐出法等が挙げられる。
このような一連の工程を経て、配線基板3の製造工程が終了となる。
(TFTの転写工程)
次に、図5から図7を参照して、上記の配線基板3と基礎基板40とを貼り合わせて、TFT13を配線基板3に転写する方法について説明する。
ここで、転写工程としては公知の技術が採用されるが、本実施形態では特にSUFTLA(Surface Free Technology by Laser Ablation)(登録商標)を用いて行われる。
次に、図5から図7を参照して、上記の配線基板3と基礎基板40とを貼り合わせて、TFT13を配線基板3に転写する方法について説明する。
ここで、転写工程としては公知の技術が採用されるが、本実施形態では特にSUFTLA(Surface Free Technology by Laser Ablation)(登録商標)を用いて行われる。
図5に示すように、基礎基板40を反転し、また、TFT13とTFT接続部14との間に異方性導電粒子(ACP)を含有する導電性ペースト17を塗布し、基礎基板40と配線基板3とを貼り合わせる。
次に、図6に示すように、導電性ペースト17が塗布された部分のみを局所的に、かつ、基礎基板40の裏面側(TFT非形成面)から、レーザ光LAを照射する。すると、剥離層41の原子や分子の結合が弱まり、また、剥離層41内の水素が分子化し、結晶の結合から分離され、即ち、TFT13と基礎基板40との結合力が完全になくなり、レーザ光LAが照射された部分のTFTを容易に取り外すことが可能となる。
次に、図7に示すように、基礎基板40と配線基板3とを引き離すことにより、基礎基板40上からTFTが除去されると共に、当該TFT13が配線基板3に転写される。なお、TFT13の端子は、上記のTFT接続部14及び導電性ペースト17を介して、配線パターン11に接続されている。
(リブ、導通部の形成工程)
次に、図8を参照してリブ5と導通部30の形成方法について説明する。
リブ5の形成方法としては種種の方法が挙げられる。
次に、図8を参照してリブ5と導通部30の形成方法について説明する。
リブ5の形成方法としては種種の方法が挙げられる。
(リブ形成方法の第1実施形態)
転写技術を用いることにより、配線基板3上にリブ5を形成する方法が挙げられる。
この場合には、基礎基板上に剥離層を介して金属薄膜をスパッタ法等で成膜した後に、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて当該金属薄膜のリブ5が形成される部分以外の金属薄膜を除去することで基礎基板上にリブ5を形成する。更に、リブ5上面に接着剤を塗布した後に、基礎基板を反転させて、配線基板3と基礎基板とを貼り合わせ、レーザ光の全面照射により剥離層とリブ5とを分離させる。これによって、配線基板3上に接着剤を介してリブ5とを形成することができる。
転写技術を用いることにより、配線基板3上にリブ5を形成する方法が挙げられる。
この場合には、基礎基板上に剥離層を介して金属薄膜をスパッタ法等で成膜した後に、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて当該金属薄膜のリブ5が形成される部分以外の金属薄膜を除去することで基礎基板上にリブ5を形成する。更に、リブ5上面に接着剤を塗布した後に、基礎基板を反転させて、配線基板3と基礎基板とを貼り合わせ、レーザ光の全面照射により剥離層とリブ5とを分離させる。これによって、配線基板3上に接着剤を介してリブ5とを形成することができる。
なお、このようなリブ形成方法の第1実施形態においては、リブ5の材料としてステンレス材料を採用することが好ましいが、他の金属材料や樹脂材料を採用してもよい。
また、レーザ光による剥離方法以外にも、水溶性の剥離層を用いることにより、配線基板3と基礎基板とを貼り合わせた状態で水に漬けることで、基礎基板とリブ5との剥離を行うことも可能である。
また、転写及び剥離工程の詳細は、特開2003−031778号公報に記載の技術を採用することが好ましい。
また、レーザ光による剥離方法以外にも、水溶性の剥離層を用いることにより、配線基板3と基礎基板とを貼り合わせた状態で水に漬けることで、基礎基板とリブ5との剥離を行うことも可能である。
また、転写及び剥離工程の詳細は、特開2003−031778号公報に記載の技術を採用することが好ましい。
(リブ形成方法の第2実施形態)
液滴吐出法(インクジェット法)を用いることにより、配線基板3上にリブ5を形成する方法が挙げられる。
この液滴吐出法は、所謂インクジェットプリンタでよく知られている印刷技術であり、各種材料を液状化させた材料インクの液滴を、インクジェットヘッドから基板上に吐出し、定着させるものである。インクジェット法によれば微細な領域に材料インクの液滴を正確に吐出できるので、フォトリソグラフィ技術を行うことなく、所望の吐出位置に直接材料インクを定着させることができる。従って、材料の無駄も発生せず、製造コストの低減も図れ、非常に合理的な方法となる。
このようなインクジェット法を用いてリブ5を配線基板3上に形成する場合には、リブ5を形成するための金属微粒子を溶剤等に分散させた分散液を材料インクとして採用される。
液滴吐出法(インクジェット法)を用いることにより、配線基板3上にリブ5を形成する方法が挙げられる。
この液滴吐出法は、所謂インクジェットプリンタでよく知られている印刷技術であり、各種材料を液状化させた材料インクの液滴を、インクジェットヘッドから基板上に吐出し、定着させるものである。インクジェット法によれば微細な領域に材料インクの液滴を正確に吐出できるので、フォトリソグラフィ技術を行うことなく、所望の吐出位置に直接材料インクを定着させることができる。従って、材料の無駄も発生せず、製造コストの低減も図れ、非常に合理的な方法となる。
このようなインクジェット法を用いてリブ5を配線基板3上に形成する場合には、リブ5を形成するための金属微粒子を溶剤等に分散させた分散液を材料インクとして採用される。
(リブ形成方法の第3実施形態)
この方法においては、リブ5の材料として樹脂等からなるドライフィルムが用いられる。
この場合、配線基板3上にドライフィルムを貼り、更にフォトリソグラフィ技術によってリブ5が形成される部分以外のドライフィルムを除去することで配線基板3上にリブ5を形成する。
なお、ドライフィルムとしては、樹脂材料に限定されることなく、金属材料であってもよい。
この方法においては、リブ5の材料として樹脂等からなるドライフィルムが用いられる。
この場合、配線基板3上にドライフィルムを貼り、更にフォトリソグラフィ技術によってリブ5が形成される部分以外のドライフィルムを除去することで配線基板3上にリブ5を形成する。
なお、ドライフィルムとしては、樹脂材料に限定されることなく、金属材料であってもよい。
(リブ形成方法の第3実施形態の変形例)
この方法においては、ドライフィルムの代わりに、感光性樹脂を用いる。
即ち、配線基板3上にアクリル樹脂等の感光性樹脂を塗布形成し、フォトリソグラフィによってリブ5を所定のパターンで形成する。
この方法においては、ドライフィルムの代わりに、感光性樹脂を用いる。
即ち、配線基板3上にアクリル樹脂等の感光性樹脂を塗布形成し、フォトリソグラフィによってリブ5を所定のパターンで形成する。
次に、上記のリブ形成方法によりリブ5を形成した後に導通部30を形成する。
当該導通部30は有機EL接続部15上に形成される銀ペーストであり、その高さH’はリブ5の高さHよりも大きい。銀ペーストの形成方法は、印刷法等の公知の方法が用いられる。
なお、本実施形態では、リブ5を形成した後に導通部30を形成しているが、導通部30をリブ5より先に形成してもよい。この場合においては上記のリブ形成方法を施すことによって導通部30の変形等が生じない材料を、導通部30として採用することがこのましい。
当該導通部30は有機EL接続部15上に形成される銀ペーストであり、その高さH’はリブ5の高さHよりも大きい。銀ペーストの形成方法は、印刷法等の公知の方法が用いられる。
なお、本実施形態では、リブ5を形成した後に導通部30を形成しているが、導通部30をリブ5より先に形成してもよい。この場合においては上記のリブ形成方法を施すことによって導通部30の変形等が生じない材料を、導通部30として採用することがこのましい。
(配線基板と有機EL基板の貼り合わせ工程)
次に、図9を参照し、上述の配線基板3と有機EL基板4とを貼り合わせて、最終的に図1に示す有機EL装置1を形成する工程について説明する。
図9に示す有機EL基板4は、透明基板20上に、有機EL素子21と、絶縁膜22と、陰極25とが順に形成された後に、上下反転させたものである。
次に、図9を参照し、上述の配線基板3と有機EL基板4とを貼り合わせて、最終的に図1に示す有機EL装置1を形成する工程について説明する。
図9に示す有機EL基板4は、透明基板20上に、有機EL素子21と、絶縁膜22と、陰極25とが順に形成された後に、上下反転させたものである。
そして、有機EL基板4に対向する位置に上述の配線基板3を配置し、また、リブ5の上面に接着剤を塗布し、当該両基板3、4を貼り合わせて押圧する。すると、導通部30の上面が陰極25と接触し、導通部30が陰極25に押し潰され、有機EL接続部15と陰極25とが導通部30を介して導通接触される。即ち、有機EL素子21と駆動素子13とが導通接続される。
この状態で、不活性ガス31を配線基板3と有機EL基板4との間に封入し、図1の如く両基板3、4の周囲を封止することで有機EL装置1が完成となる。
ここで、リブ5には貫通孔5aが形成されているので、不活性ガス31は貫通孔5aを介して領域6に隣接する領域の内外に流動し、従って、不活性ガス31を両基板3、4間に同圧力で封入される。
なお、不活性ガス31の封入方法及び基板の封止方法としては、配線基板3と有機EL基板4とを貼り合せた後に不活性ガス31を封入し、封止する方法と、不活性ガス雰囲気のチャンバ内において配線基板3と有機EL基板4とを貼り合せて、封止する方法とがある。
ここで、リブ5には貫通孔5aが形成されているので、不活性ガス31は貫通孔5aを介して領域6に隣接する領域の内外に流動し、従って、不活性ガス31を両基板3、4間に同圧力で封入される。
なお、不活性ガス31の封入方法及び基板の封止方法としては、配線基板3と有機EL基板4とを貼り合せた後に不活性ガス31を封入し、封止する方法と、不活性ガス雰囲気のチャンバ内において配線基板3と有機EL基板4とを貼り合せて、封止する方法とがある。
上記の製造方法によって製造された図1に示す有機EL装置1は、有機EL基板4における配線基板3側から、順に陰極25、有機EL素子、正孔注入/輸送層、陽極が配置された、透明基板20側から発光光を取り出すトップエミッション型の有機EL装置となる。
上述したように、有機EL装置1においては、配線基板3と有機EL基板4との間にリブを形成した構成となっているので、配線基板3と有機EL基板4との間隔を一定に保持することができる。また、配線基板3と有機EL基板4とを貼り合わせるための十分な押圧力を両基板に加えることが可能となる。これによって基板の反りの発生を防止でき、導通部30(導電性部材、銀ペースト)の変形を抑制できる。
また、配線基板3又は有機EL基板4とリブ5とは、接着剤等を介して接着されるので、リブ5を介して配線基板3と有機EL基板4とを接合させることができる。
また、配線基板3又は有機EL基板4とリブ5とは、接着剤等を介して接着されるので、リブ5を介して配線基板3と有機EL基板4とを接合させることができる。
また、リブ5に形成された貫通孔5aを介して、配線基板3と有機EL基板4の間における複数の領域6間を流動することが可能となるので、従って、リブに隣接する全ての領域に気体や液体を同圧力で充填することができる。
また、リブ5は領域6毎に形成されており、有機EL装置1の設計事項に応じて領域6内の素子数が決定されるので、例えば、製造コストや製造の容易さを加味した設計事項に応じて、一つの素子(TFT13、有機EL素子21)毎、又は複数の素子毎にリブ5を形成することができる。
また、リブ5の高さHは導通部30の高さH’よりも低いので、配線基板3と有機EL基板4とを貼り合せた際に導通部30が潰れて変形し、従って、有機EL素子21とTFT13を良好に導通接続することできる。
また、配線基板3と有機EL基板4の外周が封止されているので、当該両基板3、4の外部の物質が当該両基板3、4の周囲から内部に侵入することがないので、例えば、TFT素子13や有機EL素子21に対する劣化等の影響を与える物質を抑制することができる。従って、TFT素子13や有機EL素子21の長寿命化を達成することができる。
また、配線基板3と有機EL基板4との間に不活性ガス31が充填されているので、TFT13や有機EL素子21に対する化学的な反応を招くことがないので、当該素子に対する劣化等の影響を抑制することができる。従って、当該素子の長寿命化、有機EL装置1の高性能化を達成することができる。
また、不活性ガス31は、配線基板3と有機EL基板4とを貼り合わせた後に封入する、不活性ガス31の雰囲気において配線基板3と有機EL基板4とを貼り合わせる、ので、上記素子の劣化に影響を与える物質の抑制を更に効果的に施すことができる。
なお、本実施形態においては、配線基板3側にリブ5を設けた構成としたが、電気光学基板4側にリブ5を形成した構成を採用してもよい。
(リブの第2実施形態)
次に、リブの第2実施形態について図10を参照して説明する。
本実施形態においては、リブ5に形成された貫通孔5aの形状のみが異なっており、他の構成は上記実施形態と同様であるので、説明を省略する。
図10は図1の矢視Aから見た側面図である。
図10に示した貫通孔5aであっても、上述の実施形態と同様の効果を奏する。
次に、リブの第2実施形態について図10を参照して説明する。
本実施形態においては、リブ5に形成された貫通孔5aの形状のみが異なっており、他の構成は上記実施形態と同様であるので、説明を省略する。
図10は図1の矢視Aから見た側面図である。
図10に示した貫通孔5aであっても、上述の実施形態と同様の効果を奏する。
1…有機EL装置(電気光学装置)
2…基板接合体
3…配線基板(第1基板、駆動回路基板)
4…有機EL基板(第2基板、電気光学基板)
5…リブ
5a…貫通孔(貫通部)
6…領域
13…TFT(第1機能素子、駆動素子)
21…有機EL素子(発光機能素子)
25…陰極(第2機能素子、発光機能素子)
30…導通部
31…不活性ガス
2…基板接合体
3…配線基板(第1基板、駆動回路基板)
4…有機EL基板(第2基板、電気光学基板)
5…リブ
5a…貫通孔(貫通部)
6…領域
13…TFT(第1機能素子、駆動素子)
21…有機EL素子(発光機能素子)
25…陰極(第2機能素子、発光機能素子)
30…導通部
31…不活性ガス
Claims (13)
- 第1機能素子を備える第1基板と、第2機能素子を備える第2基板とを貼り合わせた基板接合体であって、
前記第1基板の第1機能素子が形成された側、又は前記第2基板の第2機能素子が形成された側の、少なくとも一方に、
前記第1基板と前記第2基板とを所定間隔で保持するリブが形成されていることを特徴とする基板接合体。 - 前記リブには貫通部が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の基板接合体。
- 前記リブは、前記第1機能素子又は前記第2機能素子を少なくとも1つ以上有する所定の領域毎に形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板接合体。
- 前記第1機能素子と前記第2機能素子とを導通させる導通部を更に具備し、
当該導通部は、前記第1基板と前記第2基板との貼り合わせにより変形していることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板接合体。 - 前記第1基板及び前記第2基板の外周が封止されていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の基板接合体。
- 前記第1基板と前記第2基板との間に不活性ガスが充填されていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の基板接合体。
- 第1機能素子を備える第1基板と、第2機能素子を備える第2基板とが貼り合わせることにより基板接合体を製造する方法であって、
前記第1基板の第1機能素子が形成された側、又は前記第2基板の第2機能素子が形成された側の、少なくとも一方に、
前記第1基板と前記第2基板とを所定間隔で保持するリブを形成することを特徴とする基板接合体の製造方法。 - 前記第1機能素子と前記第2機能素子とを導通させる導通部を更に具備し、
前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせることによって変形させることを特徴とする請求項7に記載の基板接合体。
前記リブの最高部の位置は、前記導通部の最高部の位置よりも当該導通部の底部側にあることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板接合体。 - 前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせた後に、前記第1基板及び前記第2基板の外周を封止することを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の基板接合体の製造方法。
- 前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせた後に、当該第1基板と当該第2基板との間に前記不活性ガスを封入することを特徴とする請求項7から請求項9のいずれかに記載の基板接合体の製造方法。
- 前記不活性ガス雰囲気において、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせることにより、当該第1基板と当該第2基板との間に当該不活性ガスを封入することを特徴とする請求項7から請求項9のいずれかに記載の基板接合体の製造方法。
- 複数の発光機能素子を備える電気光学基板と、前記複数の発光機能素子の各々に対応した位置に配設された駆動素子を備える駆動回路基板とが貼り合わせされた電気光学装置であって、
前記電気光学基板の前記発光機能素子が形成された側、又は前記駆動回路基板の前記駆動素子が形成された側の、少なくとも一方に、
前記電気光学基板と前記駆動回路基板とを所定間隔で保持するリブが形成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 複数の発光機能素子を備える電気光学基板と、前記複数の発光機能素子の各々に対応した位置に配設された複数の駆動素子を備える駆動回路基板とを貼り合わせることによって電気光学装置を製造する方法であって、
前記電気光学基板の前記発光機能素子が形成された側、又は前記回路基板の前記駆動素子が形成された側の、少なくとも一方に、
前記電気光学基板と前記駆動回路基板とを所定間隔で保持するリブを形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003347130A JP2005114917A (ja) | 2003-10-06 | 2003-10-06 | 基板接合体、基板接合体の製造方法、電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003347130A JP2005114917A (ja) | 2003-10-06 | 2003-10-06 | 基板接合体、基板接合体の製造方法、電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005114917A true JP2005114917A (ja) | 2005-04-28 |
Family
ID=34539822
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003347130A Withdrawn JP2005114917A (ja) | 2003-10-06 | 2003-10-06 | 基板接合体、基板接合体の製造方法、電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005114917A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008152840A1 (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | 有機エレクトロルミネセンス表示装置及びその製造方法 |
WO2010140383A1 (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | パナソニック株式会社 | 有機el表示装置 |
US8127438B2 (en) | 2006-11-15 | 2012-03-06 | Seiko Epson Corporation | Wiring substrate, method of manufacturing wiring substrate, and electronic apparatus |
-
2003
- 2003-10-06 JP JP2003347130A patent/JP2005114917A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8127438B2 (en) | 2006-11-15 | 2012-03-06 | Seiko Epson Corporation | Wiring substrate, method of manufacturing wiring substrate, and electronic apparatus |
WO2008152840A1 (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | 有機エレクトロルミネセンス表示装置及びその製造方法 |
WO2010140383A1 (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | パナソニック株式会社 | 有機el表示装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3849680B2 (ja) | 基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置 | |
CN108155221A (zh) | 硅基oled显示器模组及其制备方法 | |
US7326639B2 (en) | Method for manufacturing a semiconductor substrate and method for manufacturing an electro-optical device with electroless plating | |
US20080083983A1 (en) | Bump electrode including plating layers and method of fabricating the same | |
JP2005327667A (ja) | 有機el素子の製造方法、有機el素子製造システムおよび電子機器 | |
JP4506460B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器 | |
JP2005142054A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、大型有機エレクトロルミネッセンス表示装置および電子機器 | |
JP2005114917A (ja) | 基板接合体、基板接合体の製造方法、電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法 | |
JP4581664B2 (ja) | 半導体基板の製造方法、半導体素子の製造方法及び電気光学装置の製造方法 | |
KR100711377B1 (ko) | 기판 접합체의 제조 방법, 기판 접합체, 및 전기 광학 장치 | |
KR100690530B1 (ko) | 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법,일렉트로루미네선스 장치 및 일렉트로루미네선스 장치의제조 방법 | |
JP2005183031A (ja) | 基板接合体、基板接合体の製造方法、電気光学装置、及電子機器 | |
JP2005134453A (ja) | 基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置 | |
JP2005316275A (ja) | 半導体基板の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 | |
JP2005109000A (ja) | 配線基板、配線基板の製造方法、基板接合体、基板接合体の製造方法、電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法 | |
JP2005136184A (ja) | 基板接合体の製造方法及び製造装置、基板接合体、電気光学装置 | |
JP2005175170A (ja) | 基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置、電子機器、並びにバンプ電極構造 | |
JP2005268500A (ja) | 配線基板の製造方法、配線基板及び電気光学装置 | |
JP2005129836A (ja) | 基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置、並びに電子機器 | |
JP2005268501A (ja) | 配線基板、配線基板の製造方法、基板接合体、基板接合体の製造方法及び電気光学装置 | |
JP2005106981A (ja) | 配線基板、配線基板の製造方法、基板接合体、基板接合体の製造方法、電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法 | |
JP2005259866A (ja) | 基板接合体の製造方法、電子素子転写用基板、電気光学装置、並びに電子機器。 | |
JP2006080182A (ja) | 配線基板と半導体素子の接続方法、半導体基板の製造方法、半導体基板の補修方法及び電気光学装置の製造方法 | |
JP2005183445A (ja) | 基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置、及び電子機器 | |
JP2005129835A (ja) | 電子素子の実装方法、基板接合体及びその製造方法、配線基板、並びに電気光学装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070109 |